TW202311870A - 熱處理裝置、熱處理方法及記錄媒體 - Google Patents

Abstract

本發明為一種熱處理裝置，其對於形成有光阻覆膜、並且由該覆膜施行曝光處理的基板予以熱處理，該熱處理裝置具備：熱板，支持前述基板並予以加熱；及腔室，收納前述熱板，前述腔室具有頂部，在下方形成有進行前述熱處理的處理空間，並且與前述熱板上的前述基板對向，前述腔室還具備：氣體吐出部，設置在前述頂部，將處理用氣體朝向前述熱板上的前述基板從上方吐出；氣體供給部，從前述熱板上的前述基板之側方也就是前述處理空間的下部，朝向前述熱板上的前述基板供給氣體；中央排氣部，從位在前述頂部中之俯視下靠近前述熱板上的前述基板之中央的位置，使前述腔室內的前述處理空間內排氣；周緣排氣部，從位在前述頂部中之俯視下比前述中央排氣部靠近前述熱板上的前述基板之周緣部側，進一步使前述處理空間內排氣；及控制部，前述控制部在前述熱處理中除了持續由前述氣體吐出部進行的吐出、由前述氣體供給部進行的氣體之供給、及由前述周緣排氣部進行的排氣，也控制成從前述熱處理的途中使得由前述中央排氣部進行的排氣變強。

Description

熱處理裝置、熱處理方法及記錄媒體

本發明係關於熱處理裝置、熱處理方法及記錄媒體。

專利文獻1揭露藉由放射線而將基板圖案化之用的方法。該方法包含沿著已選擇的圖案而照射被覆基板，進而形成具有照射塗層的區域及被照射塗層的區域之照射構造的步驟。被覆基板包含塗層，該塗層藉由金屬碳鍵結及/或金屬羧酸根鍵結而包含具有有機配位子的金屬氧‐羥(meta oxo-hydroxo)網絡。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特表2016-530565號公報

[發明所欲解決的課題]

本發明的技術抑制基板上的光阻覆膜產生的昇華物導致基板受到汚染，並且提升熱處理的基板面內均勻性。 [用於解決課題的手段]

本發明的一態樣為一種熱處理裝置，對於形成有光阻覆膜、並且由該覆膜施行曝光處理的基板予以熱處理，該熱處理裝置具備：熱板，支持前述基板並予以加熱；及腔室，收納前述熱板，前述腔室具有在下方形成有進行前述熱處理的處理空間、並且與前述熱板上的前述基板對向的頂部，前述腔室還具備：氣體吐出部，設置在前述頂部，將處理用氣體朝向前述熱板上的前述基板從上方吐出；氣體供給部，從前述熱板上的前述基板之側方也就是前述處理空間的下部，朝向前述熱板上的前述基板供給氣體；中央排氣部，從位在前述頂部中之俯視下靠近前述熱板上的前述基板之中央的位置，使前述腔室內的前述處理空間內排氣；周緣排氣部，從位在前述頂部中之俯視下比前述中央排氣部靠近前述熱板上的前述基板之周緣部側，進一步使前述處理空間內排氣；及控制部，前述控制部在前述熱處理中除了持續由前述氣體吐出部進行的吐出、由前述氣體供給部進行的氣體之供給、及由前述周緣排氣部進行的排氣之外，也控制成從前述熱處理的途中使得由前述中央排氣部的排氣變強。 [發明效果]

依照本發明，可抑制由基板上的光阻覆膜產生的昇華物導致基板受到汚染，並且提升熱處理的基板面內均勻性。

在半導體裝置等的製造程序，為了在半導體晶圓（以下，稱為「晶圓」。）上形成光阻圖案而進行預定的處理。上述預定的處理係指例如在晶圓上供給光阻液而形成光阻覆膜之光阻塗佈處理，將上述覆膜曝光的曝光處理、在曝光後加熱以促進上述覆膜內的化學反應之PEB（Post Exposure Bake/曝光後烘烤）處理，及將已曝光的上述覆膜予以顯影的顯影處理等。

PEB處理例如一邊將基板周圍之環境氣體排出一邊進行。此時，取決於排氣的形態等，光阻圖案的尺寸在面內會有不一致的情況。又，若為含有金屬的光阻等之昇華物產生的光阻，依照排氣的形態等，基板的斜面部分及背面會有由於昇華物而被汚染的情況。

有鑑於此，本發明相關的技術可抑制由基板上的光阻覆膜產生的昇華物導致基板受到汚染，並且提升熱處理的基板面內均勻性。

以下，將本實施形態相關的熱處理裝置及熱處理方法參考圖式予以說明。並且，在本說明書及圖式，對於具有實質上相同的功能構成之要素，附加相同的符號而省略重複說明。

＜塗佈顯影系統＞ 圖1為表示包含本實施形態相關的熱處理裝置並且作為基板處理系統的塗佈顯影系統之內部構成的概略之說明圖。圖2及圖3為分別表示塗佈顯影系統的正面側及背面側之內部構成的概略之圖。

塗佈顯影系統1使用光阻而在作為基板的晶圓W形成光阻圖案。所用的光阻為產生昇華物的光阻，例如為含有金屬的光阻。並且，含有金屬的光阻所包含的金屬為任意，例如錫。

塗佈顯影系統1如圖1～圖3所示具有：卡匣工作站2，搬入搬出可收納多個晶圓的容器也就是卡匣C；及處理工作站3，具備多個施行光阻塗佈處理等預定的處理之各種處理裝置。然後，塗佈顯影系統1具有一體連接以下部分的構成：卡匣工作站2；處理工作站3；及介面工作站5，在介面工作站5與鄰接處理工作站3的曝光裝置4之間傳遞晶圓W。

卡匣工作站2例如分成卡匣搬入出部10及晶圓搬運部11。例如卡匣搬入出部10設置在塗佈顯影系統1的Y方向負方向（圖1的左方向）側之端部。在卡匣搬入出部10設置卡匣載置台12。在卡匣載置台12上，設置多個(例如4個)載置板13。載置板13設置成在水平方向的X方向（圖1的上下方向）以一列排列。在此等載置板13，相對於塗佈顯影系統1的外部搬入搬出卡匣C時，可載置卡匣C。

在晶圓搬運部11，設置搬運晶圓W的搬運裝置20。搬運裝置20構成為可於X方向延伸的搬運道21自由移動。搬運裝置20可在上下方向及圍繞垂直軸（θ方向）自由移動，可在各載置板13上的卡匣C、與後述的處理工作站3之第3區塊G3的傳遞裝置之間搬運晶圓W。

在處理工作站3，設置具備各種裝置的多個區塊，例如第1～第4的4個區塊G1、G2、G3、G4。例如在處理工作站3的正面側（圖1的X方向負方向側），設置第1區塊G1，在處理工作站3的背面側（圖1的X方向正方向側），設置第2區塊G2。又，在處理工作站3的卡匣工作站2側（圖1的Y方向負方向側），設置第3區塊G3，在處理工作站3的介面工作站5側（圖1的Y方向正方向側），設置第4區塊G4。

在第1區塊G1，如圖2所示，從下方依序配置多個液體處理裝置，例如顯影處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、光阻塗佈裝置32、及上部反射防止膜形成裝置33。顯影處理裝置30對於晶圓W施行顯影處理。具體而言，顯影處理裝置30對於施行PEB處理的晶圓W之含有金屬的光阻膜施行顯影處理。下部反射防止膜形成裝置31在晶圓W之含有金屬的光阻膜之下層形成反射防止膜（以下，稱為「下部反射防止膜」。）。光阻塗佈裝置32對於晶圓W塗佈含有金屬的光阻而形成含有金屬的光阻覆膜也就是含有金屬的光阻膜。上部反射防止膜形成裝置33在晶圓W之含有金屬的光阻膜之上層形成反射防止膜（以下，稱為「上部反射防止膜」。）。

例如顯影處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、光阻塗佈裝置32、上部反射防止膜形成裝置33分別在水平方向排列3個而配置。並且，此等顯影處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、光阻塗佈裝置32、及上部反射防止膜形成裝置33的數量及配置可任意選擇。

在顯影處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、光阻塗佈裝置32、上部反射防止膜形成裝置33，例如藉由旋轉塗佈法而在晶圓W上塗佈預定的處理液。藉由旋轉塗佈法，例如從吐出噴嘴對於晶圓W上吐出處理液，並且使晶圓W旋轉，使處理液在晶圓W的表面擴散。

例如在第2區塊G2，如圖3所示，對於晶圓W熱處理的熱處理裝置40在上下方向及水平方向排列設置。熱處理裝置40的數量或配置也可任意選擇。並且，在熱處理裝置40，進行將光阻塗佈處理後的晶圓W進行加熱處理的烘烤前處理（以下，稱為「PAB處理」。）、將曝光處理後的晶圓W進行加熱處理的PEB處理、及將顯影處理後的晶圓W進行加熱處理的後烘烤處理（以下，稱為「POST處理」。）等。

例如在第3區塊G3，從下方依序設置多個傳遞裝置50、51、52、53、54、55、56。又，在第4區塊G4，從下方依序設置多個傳遞裝置60、61、62、及洗淨晶圓W的背面之背面洗浄裝置63。

如圖1所示，在由第1區塊G1～第4區塊G4所包圍的區域，形成有晶圓搬運區域D。在晶圓搬運區域D，例如配置有作為搬運晶圓W的基板搬運裝置之搬運裝置70。

搬運裝置70例如具有沿著Y方向、θ方向及上下方向可自由移動的搬運臂70a。搬運裝置70使固持晶圓W的搬運臂70a在晶圓搬運區域D內移動，可搬運晶圓W到周圍的第1區塊G1、第2區塊G2、第3區塊G3及第4區塊G4內之預定的裝置。搬運裝置70例如圖3所示般，在上下配置多台，例如可搬運晶圓W到各區塊G1～G4的相同高度之預定的裝置。

又，在晶圓搬運區域D，設置在第3區塊G3與第4區塊G4之間直線搬運晶圓W的接駁搬運裝置80。

接駁搬運裝置80使支持的晶圓W沿著Y方向直線移動，在相同高度之第3區塊G3的傳遞裝置52與第4區塊G4的傳遞裝置62之間可搬運晶圓W。

如圖1所示，在第3區塊G3的X方向正方向側，設置搬運裝置90。搬運裝置90例如具有沿著θ方向及上下方向可自由移動的搬運臂90a。搬運裝置90使固持晶圓W的搬運臂90a上下移動，可搬運晶圓W到第3區塊G3內的各傳遞裝置。

在介面工作站5，設置搬運裝置100及傳遞裝置101。搬運裝置100例如具有沿著θ方向及上下方向可自由移動的搬運臂100a。搬運裝置100在搬運臂100a固持晶圓W，在第4區塊G4內的各傳遞裝置、傳遞裝置101及曝光裝置4之間可搬運晶圓W。

在以上的塗佈顯影系統1，如圖1所示設置控制部200。控制部200例如為具備CPU等處理器或記憶體等的電腦，具有程式儲存部（未圖示）。在程式儲存部，控制上述的各種處理裝置及各種搬運裝置等驅動系統的動作，儲存控制後述的晶圓處理之程式。或者，上述程式被記錄在電腦可讀取的非暫時記錄媒體H，並且可從該記錄媒體H安裝到控制部200。記錄媒體H可為暫時，也可為非暫時。程式的一部分或全部可由專用硬體（電路基板）予以實現。

＜使用塗佈顯影系統1的晶圓處理＞ 接下來，使用塗佈顯影系統1的晶圓處理之一例予以說明。並且，以下的處理係在控制部200的控制之下進行。

首先，收納多個晶圓W的卡匣C搬入到塗佈顯影系統1的卡匣工作站2，載置到載置板13。之後，由搬運裝置20依序取出卡匣C內的各晶圓W，搬運到處理工作站3的第3區塊G3之傳遞裝置53。

接下來，晶圓W藉由搬運裝置70而搬運到第2區塊G2的熱處理裝置40接受溫度調節處理。之後，晶圓W藉由搬運裝置70例如搬運到第1區塊G1的下部反射防止膜形成裝置31，在晶圓W上形成有下部反射防止膜。之後，晶圓W搬運到第2區塊G2的熱處理裝置40，進行加熱處理。之後，晶圓W返回第3區塊G3的傳遞裝置53。

接下來，晶圓W藉由搬運裝置70而搬運到光阻塗佈裝置32，在晶圓W上形成有含有金屬的光阻膜。之後，晶圓W藉由搬運裝置70而搬運到熱處理裝置40，接受PAB處理。之後，晶圓W藉由搬運裝置70搬運到第3區塊G3的傳遞裝置55。

接下來，晶圓W藉由搬運裝置70而搬運到上部反射防止膜形成裝置33，在晶圓W上形成有上部反射防止膜。之後，晶圓W藉由搬運裝置70而搬運到熱處理裝置40，經過加熱而接受溫度調節。

之後，晶圓W藉由搬運裝置70而搬運到第3區塊G3的傳遞裝置56。

接下來，晶圓W藉由搬運裝置90而搬運到傳遞裝置52，藉由接駁搬運裝置80而搬運到第4區塊G4的傳遞裝置62。之後，晶圓W藉由搬運裝置100而搬運到背面洗浄裝置63，洗淨背面。接著，晶圓W藉由介面工作站5的搬運裝置100而搬運到曝光裝置4，使用EUV光以預定的圖案進行曝光處理。

接下來，晶圓W藉由搬運裝置100而搬運到第4區塊G4的傳遞裝置60。之後，晶圓W搬運到熱處理裝置40，接受PEB處理。

接下來，晶圓W藉由搬運裝置70而搬運到顯影處理裝置30予以顯影。顯影結束後，晶圓W藉由搬運裝置90而搬運到熱處理裝置40，接受POST處理。

之後，晶圓W藉由搬運裝置70而搬運到第3區塊G3的傳遞裝置50，之後，藉由卡匣工作站2的搬運裝置20而搬運到預定的載置板13之卡匣C。以這種方式，結束一連串的光蝕刻工序。

＜熱處理裝置＞ 接下來，說明熱處理裝置40之中PEB處理所使用的熱處理裝置40。圖4為示意表示PEB處理所用的熱處理裝置之構成的概略之縱剖面圖。圖5為示意表示後述的上腔室之構成的概略之底面圖。

圖4的熱處理裝置40具備腔室300。腔室300具備：上腔室301；下腔室302；及整流構件303。上腔室301位在上側，下腔室302位在下側。整流構件303位在上腔室301與下腔室302之間，具體而言，位在上腔室301的周緣部與下腔室302的周緣部之間。

上腔室301構成為可自由升降。使上腔室301升降並且具有馬達等驅動源的升降機構（未圖示）由控制部200所控制。又，上腔室301例如形成為圓板狀。上腔室301具有頂部310。頂部310在下方形成進行熱處理的處理空間K1，設置成與熱板328上的晶圓W呈對向。又，在頂部310，設置作為氣體吐出部的噴頭311。

噴頭311朝向熱板328上的晶圓W將處理用氣體從上方吐出。處理用氣體例如為含有水分的氣體也就是含水分氣體。噴頭311具有：多個吐出孔312；及氣體分配空間313。

吐出孔312分別形成在噴頭311的底面。吐出孔312例如圖5所示，在噴頭311的底面，在後述的排氣孔以外之部分大致均勻地配置。多個吐出孔312包含：第1吐出孔，位在熱板328上的晶圓W之周緣部的上方；及第2吐出孔，位在熱板328上的晶圓W之中央部的上方。

氣體分配空間313分配供給到該氣體分配空間313的處理用氣體而供給到各吐出孔312。如圖4所示，對於噴頭311，經由氣體供給管314，而連接貯存處理用氣體的處理用氣體源315。在氣體供給管314，設置包含控制處理用氣體的流通之閥及流量調節閥等的供給機器群316。

進一步，在上腔室301的頂部310設置中央排氣部317。中央排氣部317從頂部310之熱板328上的晶圓W之俯視下靠近中央的位置（在圖式範例為從上述中央的位置），使得腔室300內的熱板328之上方的處理空間K1內排氣。中央排氣部317具有排氣孔318。排氣孔318如圖5所示設置在噴頭311的底面之熱板328上的晶圓W之俯視下靠近中央的位置（在圖式範例為上述中央的位置），並且朝向下方開口。中央排氣部317經由該排氣孔318，使得處理空間K1內排氣。又，雖然未圖示，但能夠以包圍位在晶圓W的中心之正上方的位置之方式設置多個排氣口318。此時，以不損及由後述的中央排氣部317進行的排氣之作用的方式，例如在俯視下從晶圓W的中心到晶圓半徑的3分之1以內的區域之位置，設置上述的多個排氣口318。

如圖4所示，中央排氣部317具有中央排氣路319，形成為從排氣孔318朝向上方向延伸。對於中央排氣路319，經由排氣管320，連接真空泵浦等排氣裝置321。在排氣管320，設置具有調整排氣量的閥等之排氣機器群322。

又，在上腔室301的頂部310設置周緣排氣部323。周緣排氣部323從頂部310之俯視下相較於中央排氣部317從熱板328上的晶圓W之周緣部側，進一步使處理空間K1內排氣。周緣排氣部323具有排氣口324。排氣口324如圖5所示以包圍噴頭311的外周之方式，從頂部310的底面朝向下方開口。排氣口324可使多個排氣孔沿著噴頭311的外周排列。周緣排氣部323經由該排氣口324，而使處理空間K1內排氣。

排氣口324例如設置在該排氣口324的周端在俯視下與熱板328上的晶圓W之周端重疊的位置、及其內側10mm的位置之間。

圖4的周緣排氣部323具有從排氣口324延伸的周緣排氣路。對於周緣排氣路，經由排氣管325，而連接真空泵浦等排氣裝置326。在排氣管325，設置具有調整排氣量的閥等之排氣機器群327。

進一步，上腔室301構成為可被加熱。例如在上腔室301，內建加熱上腔室301的加熱器（未圖示）。該加熱器由控制部200所控制，上腔室301（具體而言例如噴頭311）調整到預定的溫度。

下腔室302設置成包圍支持晶圓W予以加熱的熱板328之周圍。

熱板328具備具有厚度的圓盤形狀。又，在熱板328，例如內建加熱器329。然後，熱板328的溫度例如由控制部200所控制，將載置在熱板328上的晶圓W加熱到預定的溫度。

進一步，熱板328例如具有多個吸附晶圓W到該熱板328之用的吸附孔330。各吸附孔330形成為在厚度方向貫通熱板328。 又，各吸附孔330連接到中繼構件331的中繼孔332。各中繼孔332連接到進行吸附之用的排氣之排氣管路333。

吸附孔330與中繼孔332之間的連接經由金屬製的金屬構件334及樹脂製的襯墊335而進行。具體而言，吸附孔330與中繼孔332之間的連接經由金屬構件334內的流道及樹脂製之襯墊335內的流道而進行。

金屬構件334位在吸附孔330側，樹脂製的襯墊335位在中繼孔332側。金屬構件334的一端直接連接到熱板328（具體而言，吸附孔330），另一端直接連接到對應的樹脂製之襯墊335的一端。換言之，各樹脂製的襯墊335經由金屬構件334，而連通到對應的吸附孔330並且連接到熱板328。又，樹脂製的襯墊335之另一端直接連接到中繼構件331（具體而言，中繼孔332）。

金屬構件334在樹脂製的襯墊335側具有大徑部336。大徑部336的內部具有比連接到前述金屬構件334的熱板328之部分在剖面積方面更大的流道空間336a，使得由熱處理所產生的昇華物導致的阻塞之風險降低。又，藉由該剖面積偏大的流道空間336a，在晶圓W的吸附時從處理空間K1吸引的氣體之熱減少而朝向吸附之用的排氣管路333流動。也就是說，可抑制構成到達樹脂製襯墊335及排氣管路333為止的排氣流道之機器的高溫導致的劣化風險。

又，在下腔室302內，於熱板328的下方，例如設置3個將晶圓W從下方支持並予以升降的升降銷（未圖示）。升降銷藉由具有馬達等驅動源的升降機構（未圖示）而升降。該升降機構由控制部200所控制。並且，在熱板328的中央部，形成有上述升降銷通過的貫通孔（未圖示）。升降銷可從貫通孔而從熱板的頂面突出。

進一步，下腔室302具有支持環337及底腔室338。

支持環337具有圓筒形狀。在支持環337的材料，例如使用不鏽鋼等金屬。支持環337包覆熱板328的外側面。支持環337固定到底腔室338之上。

底腔室338具有有底的圓筒形狀。 前述的熱板328例如由底腔室338的底壁所支持。具體而言，熱板328經由支持部339而由底腔室338的底壁所支持。支持部339例如具有：上端連接到熱板328的支持柱340；將支持柱340支持的環狀構件341；及在底腔室338的底壁支持環狀構件341的腳構件342。 環狀構件341由金屬所形成，並且設置成相對於熱板328的背面之大部分隔著支持柱340的高度之縫隙。藉由使樹脂製的襯墊335位在以上述方式設置的環狀構件341之下方，而使得環狀構件341有效遮斷來自熱板328的熱，樹脂製襯墊335不易暴露於高溫（不易熱劣化）。

進一步，下腔室302具有吸入口343。吸入口343從腔室300的外部將氣體吸入到該腔室300內。吸入口343例如形成在底腔室338的圓筒狀之側壁。 並且，底腔室338的側壁之內周面、及支持環337的內周面例如具有相同直徑。

又，腔室300具有氣體供給部344。氣體供給部344從比熱板328上的晶圓W之表面（也就是頂面）更下方之處朝向熱板328上的晶圓W供給氣體。

氣體供給部344包含：氣體流道345，設置成包圍熱板328的側面；及整流構件303。

氣體流道345例如由熱板328的外側面與支持環337的內周面之間的空間所構成。因此，氣體流道345例如形成為俯視下呈圓環狀。並且，可將熱板328的外側面，經由支持構件，由下腔室302的側壁之內周面所支持，在上述支持構件以環狀設置多個在上下方向貫通的貫通孔，將多個上述貫通孔設成氣體流道345。

整流構件303為使沿著氣體流道345而上升的氣體朝向熱板328上的晶圓W之構件。

整流構件303例如形成為俯視下呈圓環狀。 整流構件303的內周側底面成為使沿著氣體流道345上升的氣體朝向熱板328的中心之引導面。整流構件303的底面之內周側端位在從處理空間K1的高度、也就是晶圓W被載置的熱板328之表面，到形成有吐出孔312並且與熱板328上的晶圓W對向之噴頭311的底面為止的高度的2分之1以下的高度。例如整流構件303的底面之內周側端位在比熱板328上的晶圓W之表面靠近下方之處。 整流構件303的內周側部在俯視下與熱板328的周緣部重疊，並且在俯視下與熱板328上的晶圓W不重疊。沿著氣體流道345上升的氣體通過整流構件303的內周側底面與熱板328之周緣部的頂面之間的縫隙G，從處理空間K1內之熱板328上的晶圓W之側方朝向該晶圓W。從熱板328的表面將上方的空間設為處理空間K1的話，使氣體流入處理空間K1內的縫隙G設置在處理空間K1的下部。

上述縫隙G連接到氣體流道345的一端。又，氣體流道345的另一端連接到腔室300內的熱板328之下方的緩衝空間K2。熱板328的下方之緩衝空間K2的體積比熱板328的上方之處理空間的體積大。

整流構件303的內周面從上腔室301的頂部310朝向下方直線延伸。

在一實施形態，整流構件303為實心體。在整流構件303的材料，例如使用不鏽鋼等金屬材料。 又，整流構件303的頂面整體接觸上腔室301的底面。 更具體而言，整流構件303以其頂面整體接觸上腔室301的底面之形態固定到上腔室301，而與上腔室301共同升降。

整流構件303與上腔室301共同下降，而抵接下腔室302（具體而言，支持環337），藉此，使腔室300關閉。藉由金屬製的整流構件303與金屬製的支持環337之間的接觸，而抑制揚塵，故可設置成如下。也就是說，可在支持環337的與整流構件303對向的面，設置樹脂製的突起，而在整流構件303下降時，接觸上述樹脂製的突起。又，可在整流構件303的與支持環337對向的面，設置樹脂製的突起，而在整流構件303下降時，上述樹脂製的突起與支持環337接觸。在這些情況，樹脂製的突起之高度愈小愈佳。原因在於可使得整流構件303的底面與支持環337的頂面之間的縫隙變小，而抑制昇華物等滲入該縫隙。樹脂製的突起之高度為至少整流構件303的底面與支持環337的頂面之間的縫隙比從整流構件303到熱板328上的晶圓W為止的最短距離更小的高度。

並且，熱處理裝置40可另外具備具有冷卻晶圓W的功能之冷卻板（未圖示）。冷卻板例如在腔室300外的冷卻位置、與其中至少一部分配置在腔室300內並且在該冷卻板與熱板328之間傳遞晶圓W的傳遞位置之間來回移動。或者，冷卻板固定到沿著水平方向與熱板328排列的位置，熱處理裝置40可具有在冷卻板與熱板328之間搬運晶圓W的搬運臂。

＜使用熱處理裝置40的晶圓處理＞ 接下來，針對使用熱處理裝置40而進行的晶圓處理之一例，使用圖6～圖8予以說明。圖6～圖8為表示使用熱處理裝置40而進行之晶圓處理中的熱處理裝置40之狀態的圖。並且，以下的晶圓處理在控制部200的控制之下進行。

（步驟S1：腔室內的狀態調整） 首先，例如在將晶圓W朝向熱板328載置之前，調整腔室300內的狀態。 具體而言，將熱板328調整到預定的溫度。 又，調整處理空間K1內的濕度。處理空間K1內的濕度之調整如圖6（a）所示，藉由利用中央排氣部317進行的排氣、利用周緣排氣部323進行的排氣、及來自噴頭311的處理用氣體之吐出而進行。

（步驟S2：晶圓載置） 接下來，形成有含有金屬的光阻覆膜的晶圓W載置到熱板328。 具體而言，如圖6（b）所示，周緣排氣部323持續排氣、及從噴頭311持續吐出處理用氣體的狀態下，僅停止中央排氣部317進行的排氣，又，使上腔室301上升。之後，上述晶圓W藉由搬運裝置70而搬運到熱板328的上方。然後，使升降銷升降等，從搬運裝置70朝向升降銷傳遞晶圓W，並且從升降銷朝向熱板328傳遞晶圓W，如圖7（a）所示，將晶圓W載置在熱板328。之後，經由吸附孔330將晶圓W朝向熱板328吸附。

（步驟S3：PEB處理） 然後，使熱板328上的晶圓W接受PEB處理。

（步驟S3a：PEB處理的開始） 具體而言，如圖7（b）所示，使上腔室301下降，整流構件303抵接下腔室302的支持環337，將腔室300設成閉狀態。藉此，開始對於熱板328上的晶圓W進行PEB處理。

從PEB處理的開始經過第1規定時間為止，中央排氣部317不排氣，而是從噴頭311吐出氣體及由周緣排氣部323排氣。又，從噴頭311吐出處理用氣體及由周緣排氣部323排氣的作業以由氣體供給部344供給氣體的方式進行。例如控制成相較於從噴頭311朝向處理空間K1吐出的流量L1，藉由周緣排氣部323從處理空間K1的排氣流量L2更大。藉此，對應到流量（L2-L1）的氣體經由吸入口343，從腔室300外部朝向腔室300內吸入。然後，對應到流量（L2-L1）的氣體從氣體供給部344朝向熱板328上的晶圓W供給。從氣體供給部344朝向熱板328上的晶圓W供給的氣體之流量在整個周方向大致均等。吸入口343位在比熱板328靠近下方的位置並且可稱為使氣體流入處理空間K1內的導入部。

僅由周緣排氣部323排氣時，在晶圓W的表面附近，沿著晶圓W的表面，形成有朝向晶圓W的周緣部沿著徑方向移動的處理用氣體之流動。 相較之下，伴隨由中央排氣部317進行的排氣時，處理用氣體不沿著晶圓W的表面流動，而是愈從晶圓W上的周緣朝向中央愈上升的方式流動。因此，朝向處理用氣體的中央排氣部317之氣流的邊界層與晶圓W的表面之間的間隔在晶圓W的面內會變得不同。此一原因導致來自晶圓W上的覆膜之揮發量不均勻。然後，該揮發量的不均勻在PEB處理的初期也就是固化不進行而揮發量較多時，對於晶圓W上的膜厚之面內均勻性帶來不良影響。

於是，如上述，從PEB處理的開始經過第1規定時間為止，中央排氣部317不排氣，而是由噴頭311吐出氣體及由周緣排氣部323排氣。上述第1規定時間設定成晶圓W上之含有金屬的光阻覆膜固化到期望的程度。換言之，上述第1規定時間設定成晶圓W上之含有金屬的光阻之脫水聚合進行到期望的程度。

又，以由氣體供給部344供給氣體的方式，從噴頭311吐出處理用氣體及由周緣排氣部323排氣，故在晶圓W的周圍，從氣體供給部344朝向晶圓W供給的氣體朝向排氣口324移動，而形成有上升流。此時，從噴頭311朝向晶圓W吐出並且沿著晶圓W的表面移動之可包含昇華物的處理用氣體也與上述的上升流共同朝向上方移動，經由排氣口324而排出到外部。因此，可抑制昇華物附著在晶圓W的背面及斜面。

並且，PEB處理中，上腔室301被加熱。目的在於抑制昇華物再固化而附著在上腔室301。又，PEB處理中，從噴頭311供給的處理用氣體藉由已加熱的上腔室301而被加熱。又，PEB處理中，從氣體供給部344朝向熱板328上的晶圓W而供給的氣體為從吸入口343吸入到腔室300內的氣體，在緩衝空間K2內由熱板328所加熱的氣體或由該氣體所加熱的氣體。又，PEB處理中，從氣體供給部344朝向熱板328上的晶圓W而供給的氣體也可由藉由上腔室301所加熱的整流構件303所加熱。

（步驟S3b：中央排氣的開始） 從PEB處理開始經過第1規定時間的話，持續從噴頭311吐出氣體及持續由周緣排氣部323排氣的狀態下，由中央排氣部317開始排氣。上述第1規定時間如同前述設定成晶圓W上之含有金屬的光阻覆膜固定到期望的程度。又，上述第1規定時間的資訊記錄在記錄部（未圖示）。

在這個階段，由中央排氣部317排氣、及從噴頭311吐出處理用氣體及由周緣排氣部323排氣的作業以氣體供給部344供給氣體的方式進行。例如控制成相較於從噴頭311朝向處理空間K1吐出的流量L1，由周緣排氣部323從處理空間K1排氣的流量L2、與由中央排氣部317進行的排氣L3之和變大。也就是說，控制成L2+L3＞L1。藉此，對應流量（L2+L3-L1）的氣體經由吸入口343，而從腔室300外部朝向腔室300內吸入。然後，對應流量（L2+L3-L1）的氣體從氣體供給部344朝向熱板328上的晶圓W供給。從氣體供給部344朝向熱板328上的晶圓W而供給的氣體之流量在整個周方向大致均等。

藉由使中央排氣部317運作，而在晶圓W的表面附近，形成有從晶圓W的外周側朝向晶圓W的中央部之處理用氣體的流動。因此，可包含晶圓W的表面附近之昇華物的處理用氣體可經由中央排氣部317而排出。又，可使由中央排氣部317得到的排氣量大於由周緣排氣部323得到的排氣量，此時，可包含晶圓W的表面附近之昇華物的處理用氣體主要經由中央排氣部317而排出。因此，可進一步抑制昇華物附著在晶圓W的背面及斜面。並且，在由該中央排氣部317排氣的階段，含有金屬的光阻覆膜會固化，伴隨排氣的氣流帶給膜厚變動的影響較小。因此，即使由中央排氣部317排氣，對於膜厚的面內均勻性之影響也小。

（步驟S3c：PEB處理的停止） 由中央排氣部317開始排氣之後經過第2規定時間的話，PEB處理結束。具體而言，例如使上腔室301上升，而使腔室300設成開狀態。此時，由中央排氣部317持續排氣、並且由噴頭311持續吐出處理用氣體及由周緣排氣部323持續排氣。 上述第2規定時間設定成晶圓W上之含有金屬的光阻覆膜固化成期望的程度。上述第2規定時間的資訊記錄在記錄部（未圖示）。

又，上述第1規定時間及上述第2規定時間設定成如下。也就是說，PEB處理的總時間中，由中央排氣部317排氣的期間所佔的比例設定成1/20～1/2。更具體而言，設定成PEB處理的總時間為60秒時，由中央排氣部317排氣的期間為3秒～30秒。PEB處理的總時間係指例如從晶圓W朝向熱板328載置後使上腔室301下降而使腔室300設為閉狀態，到使上腔室301上升而使腔室300設為開狀態為止的時間。

（步驟S4：晶圓搬出） 之後，以與載置晶圓W時相反的順序，將晶圓W從熱板328上取下，朝向熱處理裝置40的外部搬出。

＜變形例＞ 在以上的範例，在PEB處理開始時，使得中央排氣部317不排氣，並且在PEB處理途中，使得中央排氣部317排氣。取而代之，在PEB處理開始時，中央排氣部317少量排氣，並且在PEB處理途中，強化由中央排氣部317的排氣。

又，控制部200可控制成在PEB處理途中由中央排氣部317排氣的期間或強化由中央排氣部317的排氣的期間（以下，稱為中央排氣強化期間），噴頭311朝向氣體分配空間313供給的處理用氣體之流量變高。理由如下。 在周緣部側的吐出孔312與中央部側的吐出孔312共用氣體分配空間313。又，在中央排氣強化期間，從接近中央排氣部317（具體而言，排氣孔318）的中央部側之吐出孔312吐出的處理用氣體之流量變高。因此，在中央排氣強化期間，藉由中央排氣部317進行的排氣之強度，如圖9所示，有從周緣部側的吐出孔312朝向處理空間K1不吐出處理用氣體，而是由周緣部側的吐出孔312吸入來自處理空間K1的氣體之情況。在中央排氣強化期間，藉由增加從噴頭311朝向氣體分配空間313供給的處理用氣體之流量，而可抑制上述的周緣部之吐出孔312吸入來自處理空間K1的氣體，也就是抑制氣體朝向噴頭311內逆流。

＜本實施型態的主要效果＞ 如以上所述，在本實施形態，熱處理裝置40具備：熱板328，支持晶圓W並予以加熱；及腔室300，收納熱板328，並且具有與熱板328上的晶圓W對向的頂部310。又，熱處理裝置40具備：噴頭311，設置在頂部310，並且將處理用氣體朝向上述晶圓W從上方吐出；及氣體供給部344，從比上述晶圓W的表面靠近下方之處，朝向上述晶圓W供給氣體。進一步，熱處理裝置40具備：中央排氣部317，從位在頂部310、並且在俯視下位在上述晶圓W的靠近中央的位置，使得腔室300內的熱板328之上方的處理空間K1內；及周緣排氣部323，從位在頂部310、並且在俯視下相較於中央排氣部317從上述晶圓W的周緣部側，進一步使處理空間K1內排氣；及控制部200。然後，控制部200控制成在熱處理中，氣體吐出部持續吐出、氣體供給部持續供給氣體及周緣排氣部持續排氣，並且從熱處理途中由中央排氣部進行的排氣變強。

又，本實施形態相關的晶圓處理包含：在熱板328載置晶圓W的工序；及將熱板328上的晶圓W予以熱處理的工序。熱處理的工序包含： （A）從收納熱板328的腔室300中、與上述晶圓W對向的頂部310，將處理用氣體朝向上述晶圓W吐出的工序； （B）從比上述晶圓W的表面靠近下方之處，朝向上述晶圓W供給氣體的工序； （C）從位在頂部310、並且在俯視下位在上述晶圓W的靠近中央的位置，使得腔室300內的熱板328之上方的處理空間K1內排氣的工序； （D）從位在頂部310、並且在俯視下相較於前述（C）工序從上述晶圓W的周緣部側，進一步使處理空間K1內排氣的工序。 在本晶圓處理，於熱處理中，繼續進行上述（A）工序，並且繼續進行上述（B）工序及上述（D）工序，在上述晶圓W之周圍形成上升流，從熱處理途中，強化上述（C）工序的排氣。

也就是說，在本實施形態，朝向熱板328上的晶圓W供給處理用氣體、及從位在頂部310、並且位在熱板328上的晶圓W之周緣部起始的位置進行的排氣作業，在熱處理之間持續。因此，可提升熱處理的面內均勻性。因此，可抑制從晶圓W上的光阻覆膜產生的昇華物導致晶圓W的斜面及背面受到汚染。 又，從位在頂部310、並且位在熱板328上的晶圓W之周緣部起始的位置進行的排氣、及從比熱板328上的晶圓W之表面靠近下方之處朝向該晶圓W供給氣體的作業，在熱處理之間持續。因此，在晶圓W的周緣部，形成有上升流。 進一步，在本實施形態，熱處理進行，並且從熱板328上的晶圓W之中央部起始的位置之排氣（也就是中央排氣）對於膜厚變動的影響變小之後，進行昇華物回收性優異的中央排氣。因此，可進一步抑制從晶圓W上的光阻覆膜產生的昇華物導致晶圓W受到汚染。

因此，依照本實施形態，可抑制從晶圓上的光阻覆膜產生的昇華物導致晶圓W受到汚染，並且可提升熱處理的晶圓面內均勻性。 進一步，如上述形成有上升流，故依照本實施形態，可抑制昇華物附著在位在熱板328的周邊之構件（例如腔室300）。

又，在本實施形態，由氣體供給部344從比熱板328上的晶圓之表面更靠下方之處朝向熱板328上的晶圓W供給的氣體為在緩衝空間K2內由熱板328所加熱的氣體或由該氣體所加熱的氣體。然後，緩衝空間K2的體積比處理空間K1的體積大。因此，可盡量長時間朝向處理空間K1供給已加熱的氣體。未加熱的氣體供給到處理空間K1的話，有藉由上述氣體而冷卻處理空間K1的周圍之構件（例如上腔室301），使得昇華物固化的情況。在本實施形態，可盡量長時間朝向處理空間K1供給已加熱的氣體，故可抑制上述的昇華物之固化。又，未加熱的氣體從氣體供給部344朝向晶圓W供給的話，有影響晶圓W之周緣部的熱處理之虞。相較之下，在本實施形態，從氣體供給部344朝向晶圓W供給的氣體被加熱，故可藉由上述氣體抑制熱處理的面內均勻性惡化。另外，處理空間K1的體積較小，處理空間K1的內部之氣體的熱容量也會變小，故朝向處理空間K1長時間供給已加熱的氣體時，處理空間K1的溫度也較容易穩定。

進一步，在本實施形態，上腔室301構成為可被加熱。又，整流構件303的頂面整體接觸上腔室301的底面。因此，可藉由加熱上腔室301而有效加熱整流構件303。進一步，整流構件303為實心體並且具有較大的熱容量。因此，可藉由加熱整流構件303，而將從氣體供給部344供給的氣體藉由整流構件303有效加熱。因此，依照本實施形態，可將從氣體供給部344供給的氣體，藉由已加熱的上腔室301予以加熱。因此，可抑制從氣體供給部344供給的氣體導致上述的昇華物固化及熱處理的面內均勻性惡化。

進一步，又，在本實施形態，整流構件303與上腔室301共同升降。因此，整流構件303不論位在上腔室301何處，皆會由該上腔室301所加熱。也就是說，即使為了將晶圓W載置在熱板328，而將上腔室301上升，使得腔室300成為開狀態，整流構件303也會由上腔室301所加熱。結果，可將整流構件303維持在高溫。因此，依照本實施形態，即使將腔室300設成閉狀態之後，也可立即將從氣體供給部344供給的氣體由整流構件303予以加熱。因此，可抑制從氣體供給部344供給的氣體導致上述的昇華物固化及熱處理的面內均勻性惡化。

又，在本實施形態，整流構件303的內周面從上腔室301的頂部310朝向下方直線延伸。也就是說，在整流構件303的內周側部，於該內周側部的底面也就是比導引面更上方之處，不存在朝向外側凹陷的凹處。此種凹處存在的話，在該凹處內，可包含昇華物的氣體會滯留而導致粒子生成。相較之下，由於上述般的凹處不存在，故可抑制粒子產生。

並且，就整流構件303的內周面而言，從上腔室301的頂部310朝向下方延伸的形態可不為完全的直線，換言之，整流構件303的內周面在氣體不滯留的範圍可朝向外側有一定程度的凹陷。例如為了抑制整流構件303的內周面之上端角部破損，而對於上述上端角部進行倒角加工，結果，整流構件303的內周面可朝向外側凹陷。為了抑制角部破損而進行倒角加工所形成的凹處十分小，氣體不會滯留，並且即使滯留帶來的影響也小。

進一步，在本實施形態，樹脂製的襯墊335經由金屬構件334連通到吸附孔330並且連接到熱板328。因此，依照本實施形態，相較於樹脂製的襯墊335直接連接到熱板328的情況，可抑制來自熱板328的熱導致樹脂製的襯墊335劣化。

＜確認實驗＞ 在以下的案例1-3，進行實驗量測含有金屬的光阻之光阻圖案的線寬、及晶圓W的背面與斜面的金屬原子之數量。圖10～圖14為分別表示各個實驗結果的圖。圖10～圖12分別將光阻圖案的線寬之粗度以黑色的濃淡表示。圖13的縱軸將表示光阻圖案的線寬之面內均勻性（CDU：Critical Dimension Uniformity/臨界維度均勻性）的光阻圖案之線寬的3σ以線形關係表示。圖14的縱軸將每單位面積的金屬原子之數量以對數關係表示。

（案例1） 使用不具有氣體供給部344的以往的熱處理裝置。在PEB處理中，由中央排氣部317排氣及由噴頭311吐出處理氣體，不由周緣排氣部323排氣。 （案例2） 使用圖4等所示的熱處理裝置40。以從PEB處理開始持續到結束為止，由氣體供給部344供給氣體的方式，由周緣排氣部323排氣及由噴頭311吐出處理氣體。又，在PEB處理中，中央排氣部317完全不排氣。 （案例3） 使用圖4等所示的熱處理裝置40。以從PEB處理開始持續到結束為止，由氣體供給部344供給氣體的方式，由周緣排氣部323排氣及由噴頭311吐出處理氣體。又，從PEB處理途中到PEB處理結束為止，由中央排氣部317排氣。

並且，在案例1～3任一案例中，於PEB處理後，進行顯影處理及POST處理，形成含有金屬的光阻之光阻圖案，之後，量測光阻圖案的線寬，並且量測晶圓W的背面與斜面的金屬原子之數量。

在案例1，如圖10所示，於晶圓W的中央部與周緣部之間，光阻圖案的線寬有較大的差距。相較之下，在案例2及案例3，如圖11及圖12所示，於晶圓W的中央部與周緣部之間，光阻圖案的線寬大致無差距。 又，如圖13所示，在案例2及案例3，相較於案例1，表示光阻圖案的線寬之面內均勻性（CDU）的3σ（σ為光阻圖案的線寬）成為約一半。

進一步，如圖14所示，在案例2，相較於案例1，晶圓W的背面與斜面的金屬原子之數量為約1/10左右。 相較之下，在案例3，相較於案例1，晶圓W的背面與斜面的金屬原子之數量成為約1/100。 從以上結果也可知，依照本實施形態，可抑制從晶圓W上的光阻覆膜產生的昇華物導致晶圓W受到汚染，並且可提升在熱處理的晶圓之面內的均勻性。

本次揭露的實施形態在所有方面皆應視為例示，並非受限於此。上述的實施形態在不脫離附加的發明申請專利範圍及其主旨的情況下，能夠以各種形態省略、置換、變更。

40:熱處理裝置 200:控制部 300:腔室 310:頂部 311:噴頭 317:中央排氣部 323:周緣排氣部 328:熱板 344:氣體供給部 K1:處理空間 W:晶圓

【圖1】圖1為表示包含本實施形態相關的熱處理裝置並且作為基板處理系統的塗佈顯影系統之內部構成的概略之說明圖。 【圖2】圖2為表示塗佈顯影系統的正面側之內部構成的概略之圖。 【圖3】圖3為表示塗佈顯影系統的背面側之內部構成的概略之圖。 【圖4】圖4為示意表示PEB處理所用的熱處理裝置之構成的概略之縱剖面圖。 【圖5】圖5為示意表示上腔室之構成的概略之底面圖。 【圖6】圖6（a）、（b）為表示使用熱處理裝置所進行之晶圓處理中之熱處理裝置的狀態之圖。 【圖7】圖7（a）、（b）為表示使用熱處理裝置所進行之晶圓處理中之熱處理裝置的狀態之圖。 【圖8】圖8為表示使用熱處理裝置所進行之晶圓處理中之熱處理裝置的狀態之圖。 【圖9】圖9為表示本實施形態相關之熱處理裝置的效果之圖。 【圖10】圖10為表示確認實驗的結果之圖。 【圖11】圖11為表示確認實驗的結果之圖。 【圖12】圖12為表示確認實驗的結果之圖。 【圖13】圖13為表示確認實驗的結果之圖。 【圖14】圖14為表示確認實驗的結果之圖。

Claims (20)

1. 一種熱處理裝置，對於形成有光阻覆膜、並且由該覆膜施行曝光處理的基板予以熱處理，該熱處理裝置具備： 熱板，支持前述基板並予以加熱；及 腔室，收納前述熱板， 前述腔室具有頂部，在下方形成有進行前述熱處理的處理空間，並且與前述熱板上的前述基板對向，前述腔室還具備： 氣體吐出部，設置在前述頂部，將處理用氣體朝向前述熱板上的前述基板從上方吐出； 氣體供給部，從前述熱板上的前述基板之側方也就是前述處理空間的下部，朝向前述熱板上的前述基板供給氣體； 中央排氣部，從位在前述頂部中之俯視下靠近前述熱板上的前述基板之中央的位置，使前述腔室內的前述處理空間內排氣； 周緣排氣部，從位在前述頂部中之俯視下比前述中央排氣部靠近前述熱板上的前述基板之周緣部側，進一步使前述處理空間內排氣；及 控制部， 前述控制部在前述熱處理中除了持續由前述氣體吐出部進行的吐出、由前述氣體供給部進行的氣體之供給、及由前述周緣排氣部進行的排氣之外，也控制成從前述熱處理的途中使得由前述中央排氣部的排氣變強。
2. 如請求項1的熱處理裝置，其中 前述光阻為含有金屬的光阻。
3. 如請求項1或2的熱處理裝置，其中 前述氣體供給部具有： 氣體流道，設置成包圍前述熱板的側面；及 整流構件，使沿著前述氣體流道上升的氣體朝向前述熱板上的基板。
4. 如請求項3的熱處理裝置，其中 前述氣體流道連接到前述腔室內中前述熱板的下方之緩衝空間， 前述緩衝空間的體積比前述處理空間的體積大。
5. 如請求項3或4的熱處理裝置，其中 前述腔室具有包含前述頂部、並且構成為可自由升降的上腔室， 前述上腔室構成為可被加熱， 前述整流構件為實心體， 其頂面整體接觸前述上腔室的底面。
6. 如請求項3或4的熱處理裝置，其中 前述腔室具有包含前述頂部、並且構成為可自由升降的上腔室， 前述上腔室構成為可被加熱， 前述整流構件為實心體， 其頂面整體在接觸前述上腔室的底面之形態，固定在前述上腔室，並且與前述上腔室共同升降。
7. 如請求項1至6中任一項的熱處理裝置，其中 前述熱板具有將前述基板吸附於該熱板本身之用的吸附孔， 還具備樹脂製的襯墊，具有連通到前述吸附孔的流道， 前述樹脂製的襯墊經由金屬製的構件，連通到前述吸附孔並且連接到前述熱板。
8. 如請求項7的熱處理裝置，其中 前述金屬製的構件具有大徑部。
9. 如請求項7的熱處理裝置，其還具備： 環狀構件，對於前述熱板經由支持柱連接到下方， 前述樹脂製的襯墊位在前述環狀構件的下方。
10. 如請求項1至9中任一項的熱處理裝置，其中 前述氣體吐出部具有： 第1吐出孔，位在前述熱板上的基板之周緣部的上方； 第2吐出孔，位在前述熱板上的基板之中央部的上方；及 氣體分配空間，將已供給的前述處理用氣體分配到前述第1吐出孔及前述第2吐出孔， 前述控制部控制成在由前述中央排氣部進行的排氣變強的期間，供給到前述氣體分配空間的前述處理用氣體之流量變高。
11. 一種熱處理方法，對於形成有光阻覆膜，並且對於由該覆膜施行曝光處理的基板予以熱處理，該熱處理方法包含以下工序： 在支持前述基板並予以加熱的熱板載置前述基板的工序；及 將前述熱板上的前述基板予以熱處理的工序， 前述熱處理的工序包含： （A）從收納前述熱板的腔室中、與前述熱板上的前述基板呈對向並且將進行前述熱處理的處理空間形成在其下方的頂部，將處理用氣體朝向前述熱板上的前述基板吐出的工序； （B）從前述熱板上的前述基板之側方也就是前述處理空間的下部，朝向前述熱板上的前述基板供給氣體的工序； （C）從位在前述頂部中之俯視下靠近前述熱板上的前述基板之中央的位置，使得前述腔室內的前述處理空間內排氣的工序；及 （D）從位在前述頂部中之俯視下比前述（C）工序靠近前述熱板上的前述基板之周緣部側，進一步使前述處理空間內排氣的工序， 前述熱處理中，繼續進行前述（A）工序，並且繼續進行前述（B）工序及前述（D）工序，在前述熱板上的前述基板之周圍形成上升流，從前述熱處理的途中強化前述（C）工序的排氣。
12. 如請求項11的熱處理方法，其中 前述光阻為金屬含有光阻。
13. 如請求項11或12的熱處理方法，其中 前述（B）工序將沿著設置成包圍前述熱板的側面之氣體流道而上升的氣體，藉由整流構件，朝向前述熱板上的基板。
14. 如請求項13的熱處理方法，其中 前述氣體流道連接到前述腔室內的前述熱板之下方的緩衝空間，前述（B）工序將由前述熱板所加熱的前述緩衝空間內之氣體朝向前述熱板上的前述基板供給， 前述緩衝空間的體積比前述處理空間的體積大。
15. 如請求項13或14的熱處理方法，其中 前述腔室具有包含前述頂部、並且構成為可自由升降的上腔室， 前述上腔室構成為可被加熱， 前述整流構件為實心體， 其頂面整體接觸前述上腔室的底面， 由已加熱的前述上腔室所加熱， 前述（B）工序將由前述整流構件所加熱的氣體朝向前述熱板上的基板供給。
16. 如請求項13或14的熱處理方法，其中 前述腔室包含上腔室，包含前述頂部，並且構成為可自由升降， 前述上腔室構成為可被加熱， 前述整流構件為實心體， 其頂面整體在接觸前述上腔室的底面之形態，固定在前述上腔室，並且與前述上腔室共同升降， 不論已加熱的前述上腔室之上下方向的位置為何，皆由該上腔室所加熱， 前述（B）工序將由前述整流構件所加熱的氣體朝向前述熱板上的基板供給。
17. 如請求項11至16中任一項的熱處理方法，其中 前述熱板具有將前述基板吸附於該熱板本身之用的吸附孔， 還具有樹脂製的襯墊，具有連通到前述吸附孔的流道， 前述樹脂製的襯墊經由金屬製的構件，連通到前述吸附孔並且連接到前述熱板。
18. 如請求項17的熱處理方法，其中 前述金屬製的構件具有大徑部。
19. 如請求項11至18中任一項的熱處理方法，其中 前述（A）工序 將供給到氣體分配空間的前述處理用氣體，分配到位在前述熱板上的基板之周緣部的上方之第1吐出孔、及位在前述熱板上的基板之中央部的上方之第2吐出孔，經由前述第1吐出孔及前述第2吐出孔予以吐出， 在前述（C）工序進行的排氣變強的期間，提高供給到前述氣體分配空間的前述處理用氣體之流量。
20. 一種可讀取的電腦記錄媒體，其特徵為： 為了將請求項11～19中任一項的熱處理方法由熱處理裝置執行，而記錄在控制前述熱處理裝置的控制部之電腦上動作的程式。

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