JP3648168B2 - 基板の塗布装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,基板の塗布装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では,ウェハ表面にレジスト液を塗布し,レジスト膜を形成するレジスト塗布処理,ウェハにパターンを露光する露光処理,露光後のウェハに対して現像を行う現像処理等が行われ,ウェハに所定の回路パターンを形成する。
【0003】
現在,前記レジスト塗布処理においては,回転されたウェハの中心にレジスト液を吐出して,ウェハ表面にレジスト液を拡散させるスピンコーティング法が主流をなしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,スピンコーティング法は,ウェハを高速で回転させるため,ウェハの外縁部から大量のレジスト液が飛散し,無駄になるレジスト液が多い。また,レジスト液の飛散により当該装置が汚染されるため,頻繁に洗浄しなければならない等の弊害が生じていた。
【0005】
そこで,ウェハを回転させるスピンコーティング法に代えて,ウェハとレジスト液の吐出ノズルを相対的に移動させて,吐出ノズルからレジスト液を,例えばウェハ上に略矩形波状に満遍なく塗布する,いわゆる一筆書きの要領の塗布方法が提案される。このいわゆる一筆書きの要領の塗布方法では,レジスト液が線状に塗布されるので,塗布直後は,ウェハ上に塗布経路に沿った凹凸が形成される。そこで,塗布後にウェハ上のレジスト液が自重等によってウェハ全面に拡散され,平坦化されるように溶剤を多く含んだ粘性の低いレジスト液が使用される。
【0006】
また,レジスト液がウェハ全面に拡散され平坦化されるまでには,ある程度の時間が必要であり,その間の溶剤の揮発を抑制し,レジスト液の粘性を維持する必要がある。そのためには,例えばウェハ上方に,当該ウェハに十分近づけられた揮発防止用の上蓋を設けることが提案される。
【0007】
しかしながら,いわゆる一筆書きの要領の塗布方法では,ウェハWが水平移動されるため,上蓋とウェハとの接触防止等の観点から,上蓋をウェハに近づけて設けるには限界がある。このため,塗布後のレジスト液からの溶剤の揮発が十分に抑えられず,レジスト液の粘性が高くなって,レジスト液の平坦化が十分に行われないことが懸念される。このように平坦化が十分でないと,ウェハ上に形成されるレジスト膜の膜厚が不均一になり,歩留まりが低下することになる。
【0008】
本発明は,かかる点に鑑みてなされたものであり,レジスト液等の処理液がウェハ等の基板に塗布された後に,当該処理液の溶剤の揮発を抑制できる基板の塗布装置を提供することをその目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば,基板に処理液を塗布する塗布装置であって,基板を水平に保持する保持部と,前記保持部に保持された基板の上面を覆う上蓋と,前記上蓋の下面に接触し当該上蓋と一体となって,前記保持部に保持されている基板を収容し溶剤雰囲気を閉じこめる空間を形成する下蓋とを有し,前記下蓋には,前記基板を支持する支持部材が設けられていることを特徴とする基板の塗布装置が提供される。
【0010】
このように,基板の上面を覆う上蓋と,当該上蓋と一体となって溶剤雰囲気を閉じこめる空間を形成する下蓋とを有することによって,基板に処理液が塗布された後に,所定時間当該基板を前記空間内に置くことができる。このように基板が前記空間内に置かれると,基板から揮発する処理液の溶剤の量が低減され,基板上の処理液が低粘性に維持される。これによって,基板上の処理液が自重等によって平坦化され易くなり,その結果基板上に平坦で所定膜厚の処理膜が形成される。特に,上述のいわゆる一筆書きの要領で処理液が塗布された際には,塗布直後に凹凸が形成されるため,処理液の溶剤の揮発を抑制すると,効果は大きい。また,下蓋に支持部材を設けることによって,下蓋を上昇させた際に,保持部上の基板を当該支持部材で受け取って支持することができるので,当該基板を上蓋により近づけることが可能となる。したがって塗布液の溶剤の基板からの揮発をより抑制することができるので,塗布液の粘性を維持することができる。その結果,塗布液が好適に平坦化され,基板上に所定膜厚の塗布膜が形成される。
【0011】
前記上蓋は,平板形状を有し,前記下蓋は,上面が開口した筒形状を有していてもよい。このように,上蓋が平板形状を有し,前記下蓋が上面が開口した筒形状を有することによって,前記上蓋の下面に下蓋の上端面を接触させることにより,上述した溶剤雰囲気を閉じこめる空間を形成することができる。したがって,当該空間内に基板を収容し,前記処理液の溶剤が基板上から揮発することを抑制することができる。この結果,処理液の粘性が低く維持されて,塗布後の処理液を適切に平坦化することができる。
【0012】
前記下蓋における前記上蓋との接触位置には,当該接触位置の気密性を維持するシール部材が設けられていてもよい。このように,前記接触位置にシール部材を設けることによって,前記空間内に閉じこめられた雰囲気が下蓋と上蓋との隙間から外部に漏れることが防止され,前記空間の密閉性が向上される。これによって,基板からの溶剤の揮発量を減少させることができる。
【0013】
前記基板の塗布装置は,前記下蓋を上下動させる昇降駆動部を有し,前記下蓋の下面には,前記保持部が貫通する孔が設けられていてもよい。この昇降駆動部によって,下蓋を上下動させて,前記溶剤雰囲気を閉じこめる空間を開閉することができる。したがって,適宜所定のタイミングで下蓋を上昇させ,下蓋を上蓋の下面に接触させて,前記空間を形成することができる。また,処理液の塗布時等には,塗布の妨げにならないように下方に待機させて置くことができる。下蓋に前記孔を設けるので,下蓋の昇降の際に前記保持部が邪魔にならない。
【0015】
前記基板の塗布装置は,前記保持部と前記下蓋とを一体的に水平移動させる駆動部を有していてもよい。このように,前記保持部と下蓋とを一体的に水平移動させるための駆動部を備えることによって,前記下蓋があっても,前記保持部が,任意の位置に移動することができる。
【0016】
前記基板の塗布装置は,前記上蓋と前記下蓋とによって形成された前記空間内に前記処理液の溶剤蒸気を供給する供給部を有していてもよい。このように,前記溶剤雰囲気を閉じこめる空間内に前記処理液の溶剤を供給する供給部を設けることによって,前記空間内を溶剤雰囲気に置換し,維持することができる。その結果,基板からの溶剤の揮発量が減少され,処理液の粘性を低く維持することができる。したがって,塗布後に,基板上の処理液が自重等によって容易に均され,基板上に所定膜厚の塗布膜が形成できる。
【0017】
前記供給部は,前記上蓋に設けられていてもよい。このように,前記供給部が前記上蓋側に設けられることによって,基板の上方から前記処理液の溶剤蒸気を供給することができる。したがって,基板の上側の雰囲気がより濃い溶剤雰囲気に維持され,基板上に塗布された処理液の溶剤の揮発が抑制される。なお,前記溶剤蒸気には,溶剤がミスト状になっている場合も含まれる。
【0018】
前記上蓋の供給部は,前記上蓋の複数箇所に均一に分布して設けられてもよい。このように,前記溶剤蒸気を供給する供給部を,前記上蓋の複数箇所に均一に分布させて設けることによって,前記処理液の溶剤を基板上に満遍なく均一に供給することができる。それ故,基板全面において基板からの溶剤の揮発を抑制することができ,基板上に適切な塗布膜を形成できる。
【0019】
前記上蓋には,温度調節装置が設けられていてもよい。このように,前記上蓋に温度調節装置を設けることによって,例えば上蓋の温度を低下させて,前記空間内に収容されている基板の温度を低下させることができる。こうすることによって,基板からの溶剤の揮発量が減少し,基板上の処理液の粘性を低く維持することができる。したがって,塗布後の処理液が適切に平坦化され,所定膜厚の均一な塗布膜が形成される。また,必要に応じて,基板温度を上昇させることができる。
【0020】
前記下蓋には,温度調節装置が設けられていてもよい。このように,前記下蓋の温度を調節する温度調節装置を設けることによって,例えば,下蓋の温度を低下させて,下蓋によって形成された前記空間内の基板の温度を低下させることができる。したがって,基板からの溶剤の揮発が抑制され,基板上の処理液が適切に平坦化されるため,基板上に所定膜厚の塗布膜が形成される。また,必要に応じて下蓋の温度を上昇させて,前記略閉鎖空間内の溶剤濃度を適切な濃度に調節することができる。
前記基板の塗布装置は,処理液の吐出ノズルと基板とを相対的に移動させながら,前記吐出ノズルから前記基板に対して処理液を吐出できてもよい。
また,参考例として,基板上に塗布された処理液の平坦化方法であって,処理液が塗布され水平に保持された基板を閉鎖空間に収容して,前記処理液の溶剤の揮発を抑制する工程と,前記閉鎖空間に基板を収容した状態を所定時間維持する工程と,を有する基板上の処理液の平坦化方法が提案できる。
前記基板上の処理液の平坦化方法は,前記閉鎖空間に基板を収容した状態を所定時間維持する前記工程の時に,前記閉鎖空間内に前記処理液の溶剤蒸気を供給する工程を有していてもよい。
また,前記閉鎖空間内は,温度調節されていてもよい。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下,本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1は,本実施の形態にかかる基板の塗布装置が搭載された塗布現像処理システム1の構成の概略を示す平面図であり,図2は,塗布現像処理システム1の正面図であり,図3は,塗布現像処理システム1の背面図である。
【0022】
塗布現像処理システム1は,図1に示すように,例えば25枚のウェハWをカセット単位で外部から塗布現像処理システム1に対して搬入出したり,カセットCに対してウェハWを搬入出したりするカセットステーション2と,塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション3と,この処理ステーション3に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハWの受け渡しをするインターフェイス部4とを一体に接続した構成を有している。
【0023】
カセットステーション2では,載置部となるカセット載置台5上の所定の位置に,複数のカセットCをX方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在となっている。そして,このカセット配列方向(X方向)とカセットCに収容されたウェハWのウェハ配列方向(Z方向;鉛直方向)に対して移送可能なウェハ搬送体7が搬送路8に沿って移動自在に設けられており,各カセットCに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【0024】
ウェハ搬送体7は,ウェハWの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体7は後述するように処理ステーション3側の第3の処理装置群G3に属するエクステンション装置32に対してもアクセスできるように構成されている。
【0025】
処理ステーション3では,その中心部に主搬送装置13が設けられており,この主搬送装置13の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム1においては,4つの処理装置群G1,G2,G3,G4が配置されており,第1及び第2の処理装置群G1,G2は塗布現像処理システム1の正面側に配置され,第3の処理装置群G3は,カセットステーション2に隣接して配置され,第4の処理装置群G4は,インターフェイス部4に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第5の処理装置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置13は,これらの処理装置群G1,G2,G3,G4,G5に配置されている後述する各種処理装置に対して,ウェハWを搬入出可能である。なお,処理装置群の数や配置は,ウェハWに施される処理の種類によって異なり,処理装置群の数は,1つ以上であれば任意に選択可能である。
【0026】
第1の処理装置群G1では,例えば図2に示すように,ウェハWにレジスト液を塗布してウェハW上にレジスト膜を形成するレジスト塗布装置17と,露光後にウェハWを現像処理する現像処理装置18とが下から順に2段に配置されている。処理装置群G2の場合も同様に,本実施の形態にかかる基板の塗布装置としてのレジスト塗布装置19と,現像処理装置20とが下から順に2段に積み重ねられている。
【0027】
第3の処理装置群G3では,例えば図3に示すように,ウェハWを冷却処理するクーリング装置30,レジスト液とウェハWとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置31,ウェハWの受け渡しを行うためのエクステンション装置32,レジスト液中の溶剤を蒸発させるためのプリベーキング装置33,34及び現像処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置35が下から順に例えば6段に重ねられている。
【0028】
第4の処理装置群G4では,例えばクーリング装置40,載置したウェハWを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置41,エクステンション装置42,クーリング装置43,露光後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキング装置44,45,現像処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置46が下から順に例えば7段に積み重ねられている。
【0029】
インターフェイス部4の中央部には,図1に示すように例えばウェハ搬送体50が設けられている。このウェハ搬送体50はX方向(図1中の上下方向),Z方向(垂直方向)の移動とθ方向(Z軸を中心とする回転方向)の回転が自在にできるように構成されており,第4の処理装置群G4に属するエクステンション・クーリング装置41,エクステンション装置42,周辺露光装置51及び図示しない露光装置に対してアクセスして,各々に対してウェハWを搬送できるように構成されている。
【0030】
次に上述したレジスト塗布装置19の構成について説明する。図4は,レジスト塗布装置19の構成の概略を示す横断面の説明図であり,図5は,レジスト塗布装置19の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【0031】
レジスト塗布装置19は,図4及び図5に示すように例えば上面が開口した略箱形状のケーシング19aを有する。ケーシング19aには,ケーシング19aの上面の全面を覆う上蓋としての平板60が設けられている。平板60の中央付近には,図4に示すようにX方向(図4の左右方向。左方向が正とする)に長いスリット61が設けられている。このスリット61内を後述する吐出ノズル75が往復し,下方に位置されるウェハWに処理液としてのレジスト液を塗布することができる。
【0032】
平板60の下方には,図5に示すようにウェハWを保持する保持部としてのチャック62が設けられている。チャック62は,水平で平坦な上面62aを有し,当該上面62aにウェハWを載置することによって,ウェハWを水平に保持できるようになっている。チャック62の上面62aには,例えば図示しない吸引口が設けられており,当該吸引口からウェハWを吸引することによってウェハWを確実に保持できる。また,当該吸引口からの吸引をON,OFFすることによってウェハWを着脱することができる。チャック62の上面62aは,上面62a上にウェハWが保持された際に,当該ウェハWと平板60との距離が,例えば10mm程度になるように平板60に近づけて設けられる。
【0033】
チャック62は,このチャック62を水平移動させる駆動部63を有する。駆動部63は,後述するY方向に伸びる駆動レール72上を移動することができる。駆動部63は,例えば電力によって稼動するモータ等を備えており,駆動部64の電源64は,主制御装置65によって制御されている。したがって,チャック62は,主制御装置65によって制御された駆動部63の移動に伴って駆動レール72上を任意の速度で任意の位置まで移動することができる。
【0034】
駆動部63上方であって,チャック62上に保持されるウェハWの下方には,上面が開口した略円筒形状の下蓋66が設けられている。下蓋66の底面の中央部には,図6に示すようにチャック62が通過可能な孔66aが開口されている。孔66aは,チャック62が通過するのに足りる最小限の大きさに形成されている。下蓋66の直径は,ウェハWの直径よりも大きく形成されており,ウェハWを下蓋66内に収容することができる。
【0035】
下蓋66の底面上には,ウェハWを支持する支持部材67が設けられている。支持部材67は,例えばリング状に形成され,上面に幅のある平坦面を有している。これにより,ウェハWが支持部材67の上面に支持された際に,下蓋66内の雰囲気がウェハWと下蓋66の底面との間を通って孔66aから逃げることが防止される。支持部材67には,例えば熱伝導性の低いポリプロピレンが用いられており,支持部材67上にウェハWが支持された際に,下蓋66の熱がウェハWに伝導し,ウェハW面内の温度に斑ができることを抑制する。支持部材67の高さは,下蓋66の上端面から底面までの距離,例えば10mmよりも短い,例えば5mm程度にされており,図6に示すように前記下蓋66の上端面から支持部材67の上面までの距離dが,例えば5mm程度になるように設定されている。
【0036】
図5に示すように,下蓋66には,当該下蓋66を上下動させる,例えばシリンダ等を備えた昇降駆動部68が設けられている。昇降駆動部68は,下蓋66を平板60まで上昇させることができ,昇降駆動部68の稼動は,例えば主制御装置65によって制御されている。したがって,所定のタイミングで下蓋66を上昇させ,下蓋66のリング状の上端面66bを平板60の下面に接触させて,溶剤雰囲気を閉じこめる空間としての閉鎖空間Sを形成することができる。このとき,チャック62上のウェハWは,下蓋66の支持部材67に支持され,ウェハWは閉鎖空間S内に収容される。また,下蓋66の上端面66bには,図6に示すようにシール部材としてのOリング69が設けられており,閉鎖空間Sの閉鎖性が向上されている。
【0037】
昇降駆動部68は,駆動部63上に取り付けられており,昇降駆動部68及び下蓋66は,駆動部63と共に移動される。したがって,チャック62と下蓋66は,一体的に水平移動することができ,チャック62は,下方に下蓋66を待機させた状態で移動することができる。
【0038】
図4に示すように,ケーシング19aのX方向正方向側であってY方向負方向(図4の下方向)よりの壁面には,ウェハWをレジスト塗布装置19内に搬送するための搬送口70が設けられている。ケーシング19a内の底部には,搬送口70のある位置からX方向に伸びる固定レール71が設けられている。固定レール71上には,Y方向に伸びる駆動レール72が設けられている。駆動レール72は,図示しない駆動機構によって固定レール71上を移動することができ,駆動レール72は,X方向に移動できる。駆動レール72上には,上述の駆動部63が設けられており,駆動部63は,上述したように駆動レール72に沿ってY方向に移動できる。したがって,駆動部63上のチャック62及びウェハWは,ケーシング19a内をX方向,Y方向に移動することができる。
【0039】
ウェハWにレジスト液を吐出する吐出ノズル75は,平板60のスリット61内に位置されており,吐出ノズル75は,ノズル移動機構76によってスリット61内をX方向に移動できるようになっている。ノズル移動機構76は,平板60上であって,スリット61のY方向正方向側に設けられている。
【0040】
ノズル移動機構76は,図7に示すようにケース76aによって覆われており,当該ケース76a内には,吐出ノズル75を保持し,スライドさせるスライダ77が設けられている。スライダ77は,スリット61に沿って伸びる駆動ベルト78の一部に固定されている。駆動ベルト78は,スリット61の両端部付近にそれぞれ設けられた駆動プーリ79と従動プーリ80間に掛けられている。駆動プーリ79は,回転駆動モータ81によって正転・反転される。かかる構成から,回転駆動モータ81によって駆動プーリ79が回転され,駆動ベルト78が移動し,スライダ77がX方向にスライドして,吐出ノズル75がスリット61内を往復移動できる。
【0041】
以上の構成から,吐出ノズル75をX方向に往復移動させながら,吐出ノズル75からレジスト液を吐出させつつ,当該吐出ノズル75の下方においてY方向に向かってウェハWを移動させることにより,いわゆる一筆書きの要領のレジスト液の塗布処理を行うことができる。
【0042】
図4に示すように,平板60の下側であって,スリット61のX方向の両側の外方には,吐出ノズル75からウェハWにレジスト液が吐出される際に,ウェハWと吐出ノズル75との間に入って当該レジスト液の吐出範囲を限定するマスク部材82及び83が待機されている。マスク部材82は,スリット61のX方向正方向側に,マスク部材83は,X方向負方向側に置かれている。
【0043】
マスク部材82及び83は,図5に示すように薄い板形状であり,側面から見てウェハWと平板60との間に平行に設けられている。マスク部材82及び83は,それぞれ支持部材84及び85によって支持されている。支持部材84及び85は,マスク駆動部86及び87によってそれぞれX方向に伸縮できるように構成されている。これによって,マスク部材82及び83は,それぞれがスリット61外方から中央部に向かって移動し,ウェハWの外縁部上方に位置することができる。マスク駆動部86及びマスク駆動部87は,例えば駆動部63と同じ主制御装置65によって制御されており,マスク部材82及び83のX方向への移動は,当該主制御装置65によって,そのタイミング及び距離等が制御される。したがって,マスク部材82及び83を所定のタイミングでウェハWの外方からウェハWの外縁部上方に進入させ,吐出ノズル75からウェハW外縁部に吐出されるレジスト液を遮断し,ウェハW外に落下するレジスト液を回収すると共に,ウェハWの塗布領域を限定することができる。
【0044】
次に,以上のように構成されているレジスト塗布装置19の作用について,塗布現像処理システム1で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【0045】
先ず,ウェハ搬送体7がカセットCから未処理のウェハWを1枚取りだし,第3の処理装置群G3に属するエクステンション装置32に搬送する。次いでウェハWは,主搬送装置13によってアドヒージョン装置31に搬入され,ウェハW上にレジスト液の密着性を向上させる,例えばHMDSが塗布される。次にウェハWは,クーリング装置30に搬送され,所定の温度に冷却される。そして,所定温度に冷却されたウェハWは,主搬送装置13によって,例えばレジスト塗布装置19に搬送される。
【0046】
レジスト塗布装置19においてレジスト液が塗布されたウェハWは,主搬送装置13によってプリベーキング装置33,エクステンション・クーリング装置41に順次搬送され,さらにウェハ搬送体50によって周辺露光装置51,露光装置(図示せず)に順次搬送され,各装置で所定の処理が施される。そして露光処理の終了したウェハWは,ウェハ搬送体50によりエクステンション装置42に搬送され,その後,主搬送装置13によってポストエクスポージャーベーキング装置44,クーリング装置43,現像処理装置18,ポストベーキング装置46及びクーリング装置30に順次搬送され,各装置において所定の処理が施される。その後,ウェハWは,エクステンション装置32を介してカセットCに戻され,一連の塗布現像処理が終了する。
【0047】
次に,上述したレジスト塗布装置19の作用について詳しく説明する。先ず,ウェハWがレジスト塗布装置19に搬送される際には,駆動部63がY方向負方向側に移動し,駆動レール72がX方向正方向側に移動することによってチャック62が搬送口70近辺に移動される。そして,前工程である冷却処理が終了したウェハWは,主搬送装置13によって搬送口70からケーシング19a内に搬入され,チャック62の上面62aに吸着保持される。このとき,ウェハWと平板60との距離は,10mm程度となる。
【0048】
次いで,駆動レール72がX方向負方向側に移動し,図4に示すようにウェハWがケーシング19aの中央部の位置P1まで移動される。次いでウェハWは,駆動部63によってY方向正方向側に移動され,図8に示すようにウェハWのY方向正方向側の端部がスリット61下方にくる位置P2で停止される。このとき,マスク部材82及び83が,それぞれケーシング19aの中央部に向かって移動し,ウェハWの外縁部上に位置される。これによって,吐出ノズル75が往復移動しながらレジスト液を吐出しても,ウェハW外方にレジスト液が落下することが防止され,ウェハW上の所定領域にレジスト液を塗布することができる。
【0049】
次に,吐出ノズル75がノズル駆動機構76によって,図9に示すように塗布が開始されるスタート位置S,すなわちウェハWのX方向正方向側の外方の位置まで移動される。
【0050】
次いで,いわゆる一筆書きの要領のレジスト液の塗布が開始される。このときのレジスト塗布工程を,図9を参考に説明すると,先ず吐出ノズル75が,スタート位置SからX方向正方向に所定の速度で移動しながら,線状のレジスト液をウェハW表面に吐出する。なお,このとき使用されるレジスト液は,溶剤濃度が高く粘性の低いものが使用される。そして,吐出ノズル75は,ウェハWのX方向正方向側の外方まで進み,マスク部材83上で一旦停止する。このときもレジスト液は吐出され続け,ウェハW以外の場所に吐出されたレジスト液はマスク部材83により受け止められ,回収される。
【0051】
次いで,主制御装置65によって駆動部63がY方向正方向に所定距離ずらされ,ウェハWもY方向正方向にずらされる。このとき,マスク駆動部86及び87によって,マスク部材82及びマスク部材83との間隔が調節され,例えばウェハWの外形に従って当該間隔が広げられる。
【0052】
その後,吐出ノズル75は,折り返して,引き続きレジスト液を塗布しながら,X方向正方向側に移動し,ウェハWの外縁部に位置するマスク部材82上まで進んで停止する。そして,ウェハWがY方向正方向に所定距離ずらされ,マスク部材82及びマスク部材83の間隔が再びウェハWの外形に従って調節された後,再び吐出ノズル75は,折り返しX方向負方向に進んでウェハW上にレジスト液を吐出する。
【0053】
かかる工程を繰り返して,ウェハWのY方向負方向側の半面にレジスト液が吐出され始めると,ウェハWがY方向正方向にずらされる度に,今度はマスク部材82及び83の間隔が狭めらる。こうしてウェハWが吐出ノズル75の下方を通過し,図10に示すようにウェハWのY方向負方向側の端部が吐出ノズル75の下方に来る位置P3まで移動し,吐出ノズル75が図9に示すEND位置Eまで来たところで,レジスト液の吐出が停止され,レジスト塗布が終了する。これによって,レジスト液がウェハW上に略矩形状に塗布され,ウェハWの所定領域Kにレジスト液が塗布される。
【0054】
次いで,ウェハWがY方向負方向側に移動され,例えば位置P1まで戻される。そして,昇降駆動部68によって下蓋66が上昇される。下蓋66が上昇されると,図11に示すようにウェハWが下蓋66内に収容され,ウェハWが支持部材67によって支持される。このとき,チャック62の吸着が解除され,ウェハWがチャック62から下蓋66に受け渡される。続いて下蓋66がさらに上昇され,図12に示すように下蓋66の上端面66bが平板60の下面に接触したところで下蓋66は停止される。このとき,下蓋66と平板60とによって閉鎖空間Sが形成される。また,ウェハWと平板60との距離は,例えば4mm程度に縮められる。これにより,閉鎖空間S内を狭容積空間として,ウェハWから揮発する溶剤を抑制し,塗布されたレジスト液の粘性を維持できる。
【0055】
その後,ウェハWを閉鎖空間S内に収容した状態を所定時間維持する。このとき,ウェハW上では,矩形波状に塗布された粘性の低いレジスト液が自重等によって均される。
【0056】
所定時間経過後,下蓋66が下降され,閉鎖空間Sが開放される。また,下蓋66の下降に伴いウェハWがチャック62に再び受け渡され,吸着保持される。ウェハWがチャック62に受け渡されると,駆動レール72がX方向正方向側に移動し,搬送口70の手前で停止される。
【0057】
その後,ウェハWは,チャック62から主搬送装置13に受け渡され,主搬送装置13によってレジスト塗布装置19から搬出されて,レジスト塗布装置19における一連の塗布処理が終了する。
【0058】
以上の実施の形態では,チャック62の下方に,昇降可能な下蓋66を設けたので,レジスト液が塗布された後に,下蓋66を上昇させて,閉鎖空間Sを形成し,当該閉鎖空間S内にウェハWを収容することができる。これによって,塗布後のウェハWからレジスト液の溶剤が揮発することが抑制され,レジスト液の粘性が低く維持される。したがって,上述の実施の形態のように塗布後のウェハWを所定時間閉鎖空間S内に収容しておくことによって,ウェハW上のレジスト液が自然に均され,平坦化される。その結果,ウェハW上に所定膜厚の均一なレジスト膜を形成することができる。
【0059】
下蓋66内の深さを,チャック62に保持されたウェハWと平板60との隙間より小さくなるようにしたので,下蓋66を上昇させて,下蓋66の上端部66bを平板60の下面に接触させた際に,ウェハWは下蓋66に支持され,ウェハWと平板60との隙間を狭くすることができる。こうすることによって,ウェハWからの溶剤の蒸発がさらに抑制され,ウェハW上のレジスト液の粘性が維持されて,レジスト液の平坦化が促進される。
【0060】
下蓋66に支持部材67を設けたので,下蓋66を上昇させた際にウェハWが当該支持部材67に支持され,ウェハWがチャック62から下蓋66に好適に受け渡される。
【0061】
下蓋66の上端面66bにOリング69を設けたので,閉鎖空間Sの閉鎖性が向上され,ウェハWからの溶剤の揮発がさらに抑制できる。
【0062】
下蓋66の昇降駆動部68をチャック62の駆動部63に設けるようにしたので,チャック62の移動が下蓋66に妨げられず任意の位置に移動することができる。
【0063】
以上の実施の形態では,ウェハWを位置P2から位置P3に移動させながら,ウェハWにレジスト液を塗布していたが,それとは逆に位置P3から位置P2に移動させながら,ウェハWにレジスト液を塗布してもよい。また,閉鎖空間Sを形成する位置は,P1に限られず,平板60のある位置であれば任意に選択できる。
【0064】
以上の実施の形態では,下蓋66の底面上にリング状の支持部材67を設けたが,図13に示すように下蓋66の底面上に複数の支持ピン89を設けるようにしてもよい。支持ピン89は,例えば同一円周上の3箇所に設けられる。支持ピン89の高さは,例えば前記下蓋66の上端面から支持ピン89の頂点までの距離dが,例えば5mm程度になるように設定される。これにより,閉鎖空間Sが形成される際に,ウェハWが支持ピン89に支持され,ウェハWが平板60により近づけられるので,ウェハWの溶剤の蒸発が抑制される。また,接触面積の小さい支持ピン89によってウェハWを支持できるので,ウェハWが下蓋66からの熱の影響を受けにくく,ウェハW面内温度が不均一になることを抑制できる。
【0065】
以上の実施の形態では,閉鎖空間S内にウェハが収容されるのみであったが,閉鎖空間S内にレジスト液の溶剤蒸気を供給するようにしてもよい。例えば,図14に示すように平板90上であって,下蓋66によって閉鎖空間Sが形成される位置P1には,レジスト液の溶剤蒸気を供給する供給部としての供給孔91が複数箇所に設けられる。供給孔91は,図15に示すように下蓋66に対向する位置に均一に分布して設けられる。位置P1の平板90上には,供給孔91上に供給室Gを形成する,略円筒形状の蓋体92が設けられる。蓋体92の上面には,供給室G内に溶剤蒸気を供給する供給管93が設けられる。
【0066】
そして,ウェハWにレジスト液が塗布され,駆動部63の移動によってウェハWが位置P1に移動されると,前実施の形態と同様に下蓋66が上昇され,ウェハWが下蓋66の支持部材67に支持され,さらに下蓋66が平板90の下面に接触して,閉鎖空間Sが形成される。次いで,供給管93からレジスト液の溶剤蒸気が供給され始め,当該溶剤蒸気は,供給室Gを介して各供給孔91から閉鎖空間S内に流入される。所定時間後,前記溶剤の供給が停止され,前記実施の形態と同様に下蓋66が下降され,閉鎖空間Sが開放されると共に,ウェハWがチャック62に受け渡される。
【0067】
かかる場合,塗布後のレジスト液が自重等によって均されている最中に,レジスト液の溶剤蒸気を積極的に供給するので,ウェハW上のレジスト液の粘性が維持,又は減少される。これによって,レジスト液の平坦化が促進され,より確実にレジスト液が平坦化される。また,供給孔91をウェハWに対向する位置P1に偏り無く均一に分布して設けたので,溶剤蒸気がウェハW上に偏り無く供給され,レジスト液がウェハW面内において均一に平坦化される。なお,閉鎖空間S内にレジスト液の溶剤蒸気を供給する供給部は,下蓋66に設けられていてもよい。
【0068】
上述の実施の形態において,閉鎖空間S内の温度を調節するようにしてもよい。例えば,図16に示すように平板100に温度調節装置101が設けられる。温度調節装置101は,例えば熱源となるペルチェ素子102と,ペルチェ素子102の電源103と,電源103の電圧を制御する制御部104とを有する。ペルチェ素子102は,閉鎖空間Sを形成する位置P1の平板100内に内蔵される。かかる構成から,制御部104は,電源103を操作し,ペルチェ素子102の発熱又は吸熱量を調節し,位置P1の平板100の温度を設定温度に維持,制御することができる。
【0069】
そして,制御部104に,例えばケーシング19a内の温度よりも低い温度Tを設定されると,ペルチェ素子102によって位置P1の平板100の温度が,設定温度Tに調節される。その後,上述したように塗布後のウェハWが位置P1に移動され,下蓋66の上昇によって閉鎖空間Sが形成される。このとき,閉鎖空間S内の温度が平板100の温度によって低下され,その結果レジスト液の溶剤の蒸発が抑制され,レジスト液の粘性が低く維持される。
【0070】
また,図17に示すように温度調節装置100を下蓋120側に設けてもよい。かかる場合,例えばペルチェ素子102を下蓋120の下面に内蔵させる。このようにして下蓋120の温度を調節することによって,閉鎖空間S内の温度を調節し,ウェハWからの溶剤の揮発を抑制することができる。なお,必要に応じて,例えば設定温度Tをケーシング19a内の温度よりも高い温度に設定してもよい。これによって,ウェハW上のレジスト液が平坦化された後に,当該平坦化されたレジスト膜を迅速に乾燥させることができる。
【0071】
以上の実施の形態は,ウェハにレジスト液を塗布する塗布装置について適用したものであったが,本発明は,他の処理液,例えばSOD,SOG膜等を形成する処理液や現像液を塗布する塗布装置にも適用できる。また,以上で説明した実施の形態は,半導体ウェハデバイスの製造プロセスのフォトリソグラフィー工程における塗布装置について適用したものであったが,本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばLCD基板,フォトマスク用のマスクレチクル基板の塗布装置においても適用できる。
【0072】
【発明の効果】
本発明は,処理液が基板に塗布された後に,処理液の溶剤の揮発を抑制することができるので,当該処理液の粘性の上昇が抑制され,処理液自らによる平坦化作用が好適に行われる。したがって,基板上に所定膜厚の均一な塗布膜が形成され,歩留まりが向上される。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態にかかるレジスト塗布装置を搭載した塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図2】図1の塗布現像処理システムの正面図である。
【図3】図1の塗布現像処理システムの背面図である。
【図4】レジスト塗布装置の構成の概略を示す平面図である。
【図5】レジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図6】下蓋の構成を示す斜視図である。
【図7】ノズル移動機構の構成の概略を示す斜視図である。
【図8】レジスト塗布開始時のウェハの位置を示すレジスト塗布装置の横断面の説明図である。
【図9】レジスト液の塗布経路を示す説明図である。
【図10】レジスト塗布終了時のウェハの位置を示すレジスト塗布装置の横断面の説明図である。
【図11】下蓋を上昇させ,ウェハが支持ピンに支持された状態を示すレジスト塗布装置内の縦断面の説明図である。
【図12】閉鎖空間が形成された状態を示すレジスト塗布装置内の縦断面の説明図である。
【図13】下蓋の他の構成例を示す斜視図である。
【図14】閉鎖空間に溶剤を供給する場合のレジスト塗布装置の構成を示す縦断面の説明図である。
【図15】平板における供給孔の配置例を示す平板の平面図である。
【図16】平板に温度調節装置を設けた場合のレジスト塗布装置の構成を示す縦断面の説明図である。
【図17】下蓋の温度調節装置を設けた場合のレジスト塗布装置の構成を示す縦断面の説明図である。
【符号の説明】
1 塗布現像処理システム
19 レジスト塗布装置
60 平板
62 チャック
63 駆動部
66 下蓋
66b 上端部
67 支持部材
68 昇降駆動部
75 吐出ノズル
W ウェハ
Claims (11)
- 基板に処理液を塗布する塗布装置であって,
基板を水平に保持する保持部と,
前記保持部に保持された基板の上面を覆う上蓋と,
前記上蓋の下面に接触し当該上蓋と一体となって,前記保持部に保持されている基板を収容し溶剤雰囲気を閉じこめる空間を形成する下蓋とを有し,
前記下蓋には,前記基板を支持する支持部材が設けられていることを特徴とする,基板の塗布装置。 - 前記上蓋は,平板形状を有し,
前記下蓋は,上面が開口した筒形状を有することを特徴とする,請求項1に記載の基板の塗布装置。 - 前記下蓋における前記上蓋との接触位置には,当該接触位置の気密性を維持するシール部材が設けられていることを特徴とする,請求項1,又は2のいずれかに記載の基板の塗布装置。
- 前記下蓋を上下動させる昇降駆動部を有し,
前記下蓋の下面には,前記保持部が貫通する孔が設けられていることを特徴とする,請求項1,2又は3のいずれかに記載の基板の塗布装置。 - 前記保持部と前記下蓋とを一体的に水平移動させる駆動部を有することを特徴とする,請求項1,2,3又は4のいずれかに記載の基板の塗布装置。
- 前記上蓋と前記下蓋とによって形成された前記空間内に,前記処理液の溶剤蒸気を供給する供給部を有することを特徴とする,請求項1,2,3,4又は5のいずれかに記載の基板の塗布装置。
- 前記供給部は,前記上蓋に設けられていることを特徴とする,請求項6に記載の基板の塗布装置。
- 前記上蓋の供給部は,前記上蓋の複数箇所に均一に分布していることを特徴とする,請求項7に記載の基板の塗布装置。
- 前記上蓋には,温度調節装置が設けられていることを特徴とする,請求項1,2,3,4,5,6,7又は8のいずれかに記載の基板の塗布装置。
- 前記下蓋には,温度調節装置が設けられていることを特徴とする,請求項1,2,3,4,5,6,7,8又は9のいずれかに記載の基板の塗布装置。
- 処理液の吐出ノズルと基板とを相対的に移動させながら,前記吐出ノズルから前記基板に対して処理液を吐出できることを特徴とする,請求項1,2,3,4,5,6,7,8,9又は10のいずれかに記載の基板の塗布装置。
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