JP3266816B2 - 塗布装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
被処理基板に処理液を塗布する塗布装置に係り、特に被
処理基板をスピンチャックに載せて基板表面にレジスト
を塗布する塗布装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウ
エハ（以下、「ウエハ」という）の表面にレジスト膜を
形成するレジスト塗布処理と、レジスト塗布後のウエハ
に対して露光処理を行った後に当該ウエハに対して現像
処理を行う現像処理とが行われる。

【０００３】レジスト塗布処理について注目すると、ウ
エハ表面にレジスト液を均一に塗布するための方法とし
てスピンコーティング法などが多用されている。この種
のレジスト塗布装置としては例えば次のようなものが挙
げられる。

【０００４】図１１、図１２はかかる従来のレジスト塗
布装置の構成を示す要部側面図である。これらの図にお
いて、１１１は環状のカップであり、このカップ１１１
内にはスピンチャック１１２が配置されている。スピン
チャック１１２は真空吸着によって半導体ウエハＷを固
定保持した状態で、駆動モータ１１３の回転駆動力で回
転するように構成されている。１１４はウエハＷの表面
にレジスト液を供給するためのレジストノズル、１１５
はウエハ表面へのレジスト液の供給に先立ってウエハ表
面にレジスト液の溶剤例えばシンナを供給するシンナノ
ズルであり、これらのノズル１１４、１１５は図中Ｙ方
向に移動自在に設けられている。

【０００５】このようなレジスト塗布装置においてレジ
スト塗布を行う場合は、まず搬入されてウエハＷをスピ
ンチャック１１２にて真空吸着し、駆動モータ１１３を
駆動してスピンチャック１１２およびウエハＷを回転さ
せる。

【０００６】次に、図１１に示すように、レジストノズ
ル１１４およびシンナノズル１１５を保持したノズル保
持体１１６をカップ１１の外の待機位置よりシンナノズ
ル１１５の吐出口がスピンチャック１１２の中心（ウエ
ハＷの中心）上に来る位置まで移送する。そしてシンナ
ノズル１１５の吐出口からレジスト液の溶剤である例え
ばシンナを回転するウエハＷの表面に供給する。ウエハ
表面に供給された溶剤は遠心力によってウエハ中心から
その周囲全域に広がり、以てレジスト塗布に先立ってウ
エハ表面の濡れ性を高めるための前処理が行われる。

【０００７】この後、図１２に示すように、レジストノ
ズル１１４の吐出口がスピンチャック１１２の中心（ウ
エハＷの中心）上に到達するまでノズル保持体１１６を
移動させ、レジストノズル１１４の吐出口からレジスト
液を回転するウエハＷの表面に滴下してウエハ表面への
レジスト塗布が行われる。

【０００８】ところで、このようなレジスト塗布装置で
は、ウエハ表面へのレジスト液の塗布処理の際、レジス
トノズル１１４の吐出口からウエハ表面に滴下されたレ
ジスト液は遠心力によってウエハ表面全域に広がるとと
もにウエハ表面の上方にも飛散する。ウエハ表面の上方
に飛散したレジスト液はシンナノズル１１５特にその吐
出口付近に付着する。このようにシンナノズル１１５の
吐出口付近にレジスト液が付着すると、次のウエハＷに
対するレジスト塗布工程において、シンナノズル１１５
から吐出された溶剤に吐出口付近に付着していた前工程
のレジスト液が混入して本来のレジスト塗布前にウエハ
表面に供給されてしまう。このような現象がウエハ表面
のレジスト膜にむらを発生させる大きな要因となってい
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来の塗
布装置においては、被処理基板表面へのレジスト液等の
処理液の塗布処理の際、ウエハ表面の上方に飛散した処
理液がレジストノズルの近傍に配置された溶剤供給ノズ
ルに付着し、次の半導体ウエハに対する処理液塗布工程
において、溶剤供給ノズルから吐出された溶剤に吐出口
付近に付着していた前工程の処理液が混入し、この結
果、ウエハ表面のレジスト膜にむらが発生するなど、被
処理基板の表面に処理液を均一に塗布することができな
くなると言う問題があった。

【００１０】本発明はこのような課題を解決するための
もので、レジスト液等の処理液の塗布時に被処理基板の
表面から周辺に飛散する処理液による溶剤供給用のノズ
ルの汚染を防止して、溶剤供給時に処理液の混入した溶
剤が供給されることを防ぎ、被処理基板の表面に処理液
を均一に塗布することのできる塗布装置の提供を目的と
している。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の塗布装置は、請求項１に記載されるよう
に、被処理基板を保持しつつ回転可能とされた基板保持
部材と、前記基板保持部材に保持された前記被処理基板
の表面に処理液を供給する複数の第１のノズルと、前記
被処理基板の表面への前記処理液の供給前に前記被処理
基板の表面を濡らすための液剤を供給する第２のノズル
と、 前記複数の第１のノズルのうちの選択された一つを
交換可能に保持するとともに、前記第２のノズルが、当
該第２のノズルの吐出口が前記被処理基板に対して前記
第１のノズルの吐出口よりも後退した位置となる如く取
り付けられたノズル保持体と、 前記第２のノズルを前記
被処理基板の中央上方に位置させて前記被処理基板の表
面に前記液剤を供給した後、前記第１のノズルを前記被
処理基板の中央上方に位置するように前記ノズル保持体
を移動させて前記被処理基板の表面に前記処理液を供給
するよう前記ノズル保持体を駆動する駆動機構と、 前記
基板保持部材とともに前記被処理基板を回転させ、前記
被処理基板の中央部に供給された前記液剤を遠心力によ
って前記被処理基板の表面全域に広げる駆動モータとを
具備したことを特徴とする。

【００１２】また、本発明の塗布装置は、請求項２に記
載されるように、請求項１記載の塗布装置において、前
記処理液がレジスト液であることを特徴とする。

【００１３】さらに、本発明の塗布装置は、請求項３に
記載されるように、被処理基板を保持しつつ回転可能と
された基板保持部材と、前記基板保持部材に保持された
前記被処理基板の表面に処理液を供給する複数の第１の
ノズルと、前記被処理基板の表面への前記処理液の供給
前に前記被処理基板の表面を濡らすための液剤を供給す
る第２のノズルと、前記複数の第１のノズルのうちの選
択された一つを交換可能に保持するとともに、前記第２
のノズルが取り付けられたノズル保持体であって、前記
処理液の供給時に前記被処理基板の表面から飛散した前
記処理液が前記第２のノズルの吐出口に到達することの
ないように、前記第２のノズルの吐出口が前記被処理基
板に対して前記第１のノズルの吐出口よりも後退した位
置となる如く配置されたノズル保持体と、 前記第２のノ
ズルを前記被処理基板の中央上方に位置させて前記被処
理基板の表面に前記液剤を供給した後、前記第１のノズ
ルを前記被処理基板の中央上方に位置するように前記ノ
ズル保持体を移動させて前記被処理基板の表面に前記処
理液を供給するよう前記ノズル保持体を駆動する駆動機
構と、 前記基板保持部材とともに前記被処理基板を回転
させ、前記被処理基板の中央部に供給された前記液剤を
遠心力によって前記被処理基板の表面全域に広げる駆動
モータとを具備したことを特徴とする。

【００１４】さらに、本発明の塗布装置は、請求項４に
記載されるように、請求項３記載の塗布装置において、
前記処理液がレジスト液であることを特徴とするもので
ある。また、本発明の塗布装置は、請求項５に記載され
るように、請求項１乃至４いずれか１項記載の塗布装置
において、前記液剤が前記処理液の溶剤であることを特
徴とする。

【００１５】以上の本発明によれば、被処理基板に対し
て、被処理基板の表面を濡らすための液剤を供給する第
２のノズルの吐出口をレジスト液等の処理液を供給する
第１のノズルの吐出口よりも後退した位置に設けたこと
によって、処理液の塗布時に被処理基板の表面から飛散
した処理液が第２のノズルの吐出口に到達し付着する量
を無視できる程度にまで低減できる。これによって溶剤
供給時に処理液の混入した溶剤が被処理基板に供給され
なくなって被処理基板の表面に処理液を均一に塗布する
ことが可能となり、被処理基板の表面にレジスト液を塗
布する塗布装置にあっては、被処理基板の表面に均一な
厚さのレジスト膜を形成することができるようになる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図に基
づいて説明すれば、図１〜図３は、各々本発明の実施形
態が採用された半導体ウエハ（以下、「ウエハ」とい
う）の塗布現像処理システム１の全体構成の図であっ
て、図１は平面、図２は正面、図３は背面を夫々示して
いる。

【００１７】この塗布現像処理システム１は、被処理基
板としてウエハＷをウエハカセットＣＲで複数枚、例え
ば２５枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるい
はシステムから搬出したり、ウエハカセットＣＲに対し
てウエハＷを搬入・搬出したりするためのカセットステ
ーション１０と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷ
に所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位
置に多段配置してなる処理ステーション１１と、この処
理ステーション１１に隣接して設けられる露光装置（図
示せず）との間でウエハＷを受け渡しするためのインタ
ーフェース部１２とを一体に接続した構成を有してい
る。

【００１８】前記カセットステーション１０では、図１
に示すように、カセット載置台２０上の位置決め突起２
０ａの位置に、複数個例えば４個までのウエハカセット
ＣＲが、夫々のウエハ出入口を処理ステーション１１側
に向けてＸ方向（図１中の上下方向）一列に載置され、
このカセット配列方向（Ｘ方向）およびウエハカセッ卜
ＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向；
垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体２１が各ウエハカ
セットＣＲに選択的にアクセスするようになっている。

【００１９】さらにこのウエハ搬送体２１は、θ方向に
回転自在に構成されており、後述するように処理ステー
ション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ₃ の多段ユニッ
ト部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）および
イクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスでき
るようになっている。

【００２０】前記処理ステーション１１には、図１に示
すように、ウエハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウエ
ハ搬送機構２２が設けられ、その周りに全ての処理ユニ
ットが１組または複数の組に亙って多段に配置されてい
る。

【００２１】主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すよう
に、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上
下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持
体４９はモータ（図示せず）の回転軸に接続されてお
り、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中
心としてウエハ搬送装置４６と一体に回転し、それによ
りこのウエハ搬送装置４６は、θ方向に回転自在となっ
ている。なお筒状支持体４９は前記モータによって回転
される別の回転軸（図示せず）に接続するように構成し
てもよい。

【００２２】ウエハ搬送装置４６は、搬送基台４７の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これ
らの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハ
Ｗの受け渡しを実現している。

【００２３】また、この例では、５つの処理ユニット群
Ｇ₁ 、Ｇ₂ 、Ｇ₃ 、Ｇ₄ 、Ｇ₅ が配置可能な構成であ
り、第１および第２の処理ユニット群Ｇ₁ 、Ｇ₂ の多段
ユニットは、システム正面（図１において手前）側に配
置され、第３の処理ユニット群Ｇ₃ の多段ユニットはカ
セットステーション１０に隣接して配置され、第４の処
理ユニット群Ｇ₄ の多段ユニットはインターフェース部
１２に隣接して配置され、第５の処理ユニット群Ｇ₅ の
多段ユニットは背面側に配置されることが可能である。

【００２４】図２に示すように、第１の処理ユニット群
Ｇ₁ では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに
載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像
ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられてい
る。第２の処理ユニット群Ｇ₂ でも、２台のスピンナ型
処理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）
および現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ね
られている。これらレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）
は、レジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上で
も面倒であることから、このように下段に配置するのが
好ましい。しかし、必要に応じて適宜上段に配置するこ
とももちろん可能である。

【００２５】図３に示すように、第３の処理ユニット群
Ｇ₃ では、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を
行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行う
クーリングユニット（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高
めるためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒージョンユ
ニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニッ
ト（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニ
ット（ＰＲＥＢＡＫＥ）および露光処理後の加熱処理を
行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が、下
から順に例えば８段に重ねられている。第４の処理ユニ
ット群Ｇ₄ でも、オーブン型の処理ユニット、例えばク
ーリングユニット（ＣＯＬ）、イクステンション・クー
リングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンションユ
ニット（ＥＸＴ）、クーリングユニッ卜（ＣＯＬ）、プ
リベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポスト
ベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例
えば８段に重ねられている。

【００２６】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニッ
ト（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いベ
ーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキン
グユニット（ＰＯＢＡＫＥ）およびアドヒージョンユニ
ット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱
的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ラ
ンダムな多段配置としてもよい。

【００２７】前記インターフェース部１２は、奥行方向
（Ｘ方向）については、前記処理ステーション１１と同
じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズ
に設定されている。そしてこのインターフェース部１２
の正面部には、可搬性のピックアップカセットＣＲと、
定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、他方
背面部には周辺露光装置２３が配設され、さらにまた中
央部にはウエハ搬送体２４が設けられている。このウエ
ハ搬送体２４は、Ｘ方向、Ｚ方向に移動して両カセット
ＣＲ、ＢＲおよび周辺露光装置２３にアクセスするよう
になつている。前記ウエハ搬送体２４は、θ方向にも回
転自在となるように構成されており、前記処理ステーシ
ョン１１側の第４の処理ユニット群Ｇ₄ の多段ユニット
に属するイクステンションユニット（ＥＸＴ）や、さら
には隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示せず）
にもアクセスできるようになっている。

【００２８】また前記塗布現像処理システム１では、既
述の如く主ウエハ搬送機構２２の背面側にも破線で示し
た第５の処理ユニット群Ｇ₅ の多段ユニットが配置でき
るようになっているが、この第５の処理ユニット群Ｇ₅
の多段ユニットは、案内レール２５に沿って主ウエハ搬
送機構２２からみて、側方へシフトできるように構成さ
れている。従って、この第５の処理ユニット群Ｇ₅ の多
段ユニットを図示の如く設けた場合でも、前記案内レー
ル２５に沿ってスライドすることにより、空間部が確保
されるので、主ウエハ搬送機構２２に対して背後からメ
ンテナンス作業が容易に行えるようになっている。なお
第５の処理ユニット群Ｇ₅ の多段ユニッ卜は、そのよう
に案内レール２５に沿った直線状のスライドシフトに限
らず、図１中の一点鎖線の往復回動矢印で示したよう
に、システム外方へと回動シフトさせるように構成して
も、主ウエハ搬送機構２２に対するメンテナンス作業の
スペース確保が容易である。

【００２９】次に、図４〜図１０を用いて本実施形態に
おけるレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）について説明す
る。図４および図５は、レジスト塗布ユニット（ＣＯ
Ｔ）の全体構成を示す略断面図および略平面図である。

【００３０】このレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の中
央部には環状のカップＣΡが配設され、カップＣΡの内
側にはスピンチャック５２が配置されている。スピンチ
ャック５２は真空吸着によって半導体ウエハＷを固定保
持した状態で駆動モータ５４によって回転駆動される。
駆動モータ５４は、ユニット底板５０に設けられた開口
５０ａに昇降移動可能に配置され、たとえばアルミニウ
ムからなるキャップ状のフランジ部材５８を介してたと
えばエアシリンダからなる昇降駆動手段６０および昇降
ガイド手段６２と結合されている。駆動モータ５４の側
面にはたとえばＳＵＳからなる筒状の冷却ジャケット６
４が取り付けられ、フランジ部材５８はこの冷却ジャケ
ット６４の上半部を覆うように取り付けられている。

【００３１】レジスト塗布時、フランジ部材５８の下端
５８ａは開口５０ａの外周付近でユニット底板５０に密
着し、これによってユニット内部が密閉される。スピン
チャック５２と主ウエハ搬送機構２２の保持部材４８と
の間で半導体ウエハＷの受け渡しが行われる時は、昇降
駆動手段６０が駆動モータ５４ないしスピンチャック５
２を上方へ持ち上げることでフランジ部材５８の下端が
ユニット底板５０から浮くようになっている。

【００３２】半導体ウエハＷの表面にレジスト液を供給
するためのレジストノズル８６は、レジスト供給管８８
を介してレジスト供給部（図示せず）に接続されてい
る。このレジストノズル８６はレジストノズルスキャン
アーム９２の先端部にノズル保持体１００を介して着脱
可能に取り付けられている。このレジストノズルスキャ
ンアーム９２は、ユニット底板５０の上に一方向（Ｙ方
向）に敷設されたガイドレール９４上で水平移動可能な
垂直支持部材９６の上端部に取り付けられており、図示
しないＹ方向駆動機構によって垂直支持部材９６と一体
にＹ方向に移動するようになっている。

【００３３】また、レジストノズルスキャンアーム９２
は、レジストノズル待機部９０でレジストノズル８６を
選択的に取り付けるためにＹ方向と直角なΧ方向にも移
動可能であり、図示しないΧ方向駆動機構によってΧ方
向にも移動するようになっている。

【００３４】さらに、レジストノズル待機部９０でレジ
ストノズル８６の吐出口が溶媒雰囲気室の口９０ａに挿
入され、中で溶媒の雰囲気に晒されることで、ノズル先
端のレジスト液が固化または劣化しないようになってい
る。また、複数本のレジストノズル８６，８６，…が設
けられ、レジスト液の種類に応じてそれらのノズルが使
い分けられるようになっている。

【００３５】さらに、レジストノズルスキャンアーム９
２の先端部（ノズル保持体１００）には、ウエハ表面へ
のレジスト液の供給に先立ってウエハ表面にレジスト液
の溶剤例えばシンナを供給するシンナノズル１０１が取
り付けられている。このシンナノズル１０１は図示しな
いシンナ供給管を介してシンナ供給部（図示せず）に接
続されている。シンナノズル１０１とレジストノズル８
６はレジストノズルスキャンアーム９２のＹ移動方向に
沿う直線上に各々の吐出口が位置するように取り付けら
れている。また、図１０に示すように、シンナノズル１
０１の吐出口はレジストノズル８６の吐出口よりも半導
体ウエハＷの表面から後退した位置にあり、以てウエハ
表面へのレジスト塗布時にウエハ表面の上方に飛散した
レジスト液がシンナノズル１０１に到達することのない
ようにしている。

【００３６】さらに、ガイドレール９４上には、レジス
トノズルスキャンアーム９２を支持する垂直支持部材８
６だけでなく、リンスノズルスキャンアーム１２０を支
持しＹ方向に移動可能な垂直支持部材１２２も設けられ
ている。このリンスノズルスキャンアーム１２０の先端
部にはサイドリンス用のリンスノズル１２４が取り付け
られている。Ｙ方向駆動機構（図示せず）によってリン
スノズルスキャンアーム１２０およびリンスノズル１２
４はカップＣＰの側方に設定されたリンスノズル待機位
置（実線の位置）とスピンチャック５２に設置されてい
る半導体ウエハＷの周辺部の真上に設定されたリンス液
吐出位置（点線の位置）との間で並進または直線移動す
るようになっている。

【００３７】次に、図６〜図１０を用いてレジスト塗布
ユニット（ＣＯＴ）の動作を説明する。

【００３８】図６に示すように、主ウエハ搬送機構２２
の保持部材４８によってレジスト塗布ユニット（ＣＯ
Ｔ）内のカップＣΡの真上まで半導体ウエハＷが搬送さ
れると、その半導体ウエハＷは、図７に示すように、た
とえばエアシリンダからなる昇降駆動手段６０および昇
降ガイド手段６２によって上昇してきたスピンチャック
５２によって真空吸着される。主ウエハ搬送機構２２は
半導体ウエハＷをスピンチャック５２に真空吸着せしめ
た後、保持部材４８をレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）
内から引き戻し、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）への
半導体ウエハＷの受け渡しを終える。

【００３９】次いで、図８に示すように、スピンチャッ
ク５２は半導体ウエハＷがカップＣΡ内の定位置まで下
降し、駆動モータ５４によってスピンチャック５２の回
転駆動が開始される。以上の期間、レジストノズル８６
およびシンナノズル１０１を有するノズル保持体１００
はカップＣＰの外の待機位置に待機している。

【００４０】その後、図９に示すように、点線で示す待
機位置からのノズル保持体１００の移動が開始される。
このノズル保持体１００の移動は図中矢印に示す経路に
沿って行われる。すなわち、ノズル保持体１００は、待
機位置からカップＣＰとの干渉を避けるために所定の高
さまで上昇した後、スピンチャック５２の中心位置へ向
けてＹ方向に移動する。そして、シンナノズル１０１の
吐出口がスピンチャック５２の中心（半導体ウエハＷの
中心）上に到達したところでノズル保持体１００は一定
距離下降し、レジストノズル８６およびシンナノズル１
０１の各吐出口をウエハ表面から各々所要の距離だけ浮
上せしめた高さに定位させる。この後、シンナノズル１
０１の吐出口からレジスト液の溶剤である例えばシンナ
を回転する半導体ウエハＷの表面に供給する。ウエハ表
面に供給された溶剤は遠心力によってウエハ中心からそ
の周囲全域にむらなく広がる。

【００４１】続いて図１０に示すように、ノズル保持体
１００は、レジストノズル８６の吐出口がスピンチャッ
ク５２の中心（半導体ウエハＷの中心）上に到達するま
でＹ方向に移動され、レジストノズル８６の吐出口から
レジスト液が回転する半導体ウエハＷの表面に滴下され
てウエハ表面へのレジスト塗布が行われる。

【００４２】このウエハ表面へのレジスト塗布時、ウエ
ハ表面の上方にもレジスト液が飛散する。飛散したレジ
スト液がシンナノズル１０１の吐出口付近に付着する
と、次の半導体ウエハＷに対する工程において、シンナ
ノズル１０１から吐出された溶剤に吐出口付近に付着し
ていた前工程のレジスト液が混入してウエハ表面に供給
される。このような現象が本来のレジスト塗布工程を経
て半導体ウエハの表面に形成されたレジスト膜の膜厚を
不均一化させる大きな要因となる。

【００４３】そこで本実施形態の塗布装置では、シンナ
ノズル１０１の吐出口をレジストノズル８６の吐出口よ
りも半導体ウエハＷの表面から後退した位置に設けてい
る。このように構成したことによって、レジスト塗布時
にウエハ表面から飛散したレジスト液がシンナノズル１
０１の吐出口に到達し付着する量を無視できる程度にま
で低減でき、半導体ウエハＷの表面に均一な膜厚のレジ
スト膜を形成することが可能となる。

【００４４】なお、上記実施形態では、本発明を半導体
ウエハにレジスト液を塗布する装置に適用したものにつ
いて説明したが、半導体ウエハ以外の基板、例えばＬＣ
Ｄ基板にレジスト液を塗布する装置にも本発明は適用で
きる。

【００４５】また、本発明は、処理液としてレジスト液
を被処理基板に塗布する装置に限らず、その他の処理液
を被処理基板に塗布し、かつ該処理液の塗布前に被処理
基板のぬれ性を高めるために溶剤を供給する塗布装置で
あれば、どのような溶剤および処理液を用いた塗布装置
にも適用できる。

【００４６】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
溶剤を供給する第２のノズルの吐出口をレジスト液等の
処理液を供給する第１のノズルの吐出口よりも被処理基
板の表面から後退した位置に設けることによって、処理
液の塗布時に被処理基板の表面から飛散した処理液が第
２のノズルの吐出口に到達し付着する量を大幅に低減す
ることが可能となり、溶剤供給時に処理液の混入した溶
剤が被処理基板に供給されることを抑制して、被処理基
板の表面に処理液を均一に塗布することが可能となる。
また、被処理基板の表面にレジスト液を塗布する塗布装
置にあっては、被処理基板の表面に均一な厚さのレジス
ト膜を形成することができるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態である半導体ウエハの塗布
現像処理システムの全体構成を示す平面図

【図２】図１の塗布現像処理システムの構成を示す正面
図

【図３】図１の塗布現像処理システムの構成を示す背面
図

【図４】図１の塗布現像処理システムにおけるレジスト
塗布ユニットの全体構成を示す断面図

【図５】図４のレジスト塗布ユニットの全体構成を示す
平面図

【図６】本実施形態のレジスト塗布ユニットへの半導体
ウエハの搬入工程を示す図

【図７】本実施形態のレジスト塗布ユニットに搬入され
た半導体ウエハのスピンチャックへの受け渡し工程を示
す図

【図８】本実施形態のレジスト塗布ユニットへの半導体
ウエハの受け渡し完了時の状態を示す図

【図９】本実施形態のレジスト塗布ユニットにおける半
導体ウエハへの溶剤塗布工程を示す図

【図１０】本実施形態のレジスト塗布ユニットにおける
半導体ウエハへのレジスト液塗布工程を示す図

【図１１】従来のレジスト塗布装置における半導体ウエ
ハへの溶剤塗布工程を示す図

【図１２】従来のレジスト塗布装置における半導体ウエ
ハへのレジスト液塗布工程を示す図

【符号の説明】

Ｗ……半導体ウエハ ５２……スピンチャック ８６……レジストノズル ９２……レジストノズルスキャンアーム １００……ノズル保持体 １０１……シンナノズル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−259052（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−54435（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−169680（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−52745（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−320999（ＪＰ，Ａ) 実公 平４−52990（ＪＰ，Ｙ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B05C 5/00 - 5/02 B05C 11/08 B05D 1/40 G03F 7/16 502 H01L 21/027

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板を保持しつつ回転可能とされ
   た基板保持部材と、 前記基板保持部材に保持された前記被処理基板の表面に
   処理液を供給する複数の第１のノズルと、 前記被処理基板の表面への前記処理液の供給前に前記被
   処理基板の表面を濡らすための液剤を供給する第２のノ
   ズルと、 前記複数の第１のノズルのうちの選択された一つを交換
   可能に保持するとともに、前記第２のノズルが、当該第
   ２のノズルの吐出口が前記被処理基板に対して前記第１
   のノズルの吐出口よりも後退した位置となる如く取り付
   けられたノズル保持体と、 前記第２のノズルを前記被処理基板の中央上方に位置さ
   せて前記被処理基板の表面に前記液剤を供給した後、前
   記第１のノズルを前記被処理基板の中央上方に位置する
   ように前記ノズル保持体を移動させて前記被処理基板の
   表面に前記処理液を供給するよう前記ノズル保持体を駆
   動する駆動機構と、 前記基板保持部材とともに前記被処理基板を回転させ、
   前記被処理基板の中央部に供給された前記液剤を遠心力
   によって前記被処理基板の表面全域に広げる駆動モータ
   と を具備したことを特徴とする塗布装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の塗布装置において、 前記処理液がレジスト液であることを特徴とする塗布装
   置。
3. 【請求項３】 被処理基板を保持しつつ回転可能とされ
   た基板保持部材と、 前記基板保持部材に保持された前記被処理基板の表面に
   処理液を供給する複数の第１のノズルと、 前記被処理基板の表面への前記処理液の供給前に前記被
   処理基板の表面を濡らすための液剤を供給する第２のノ
   ズルと、 前記複数の第１のノズルのうちの選択された一つを交換
   可能に保持するとともに、前記第２のノズルが取り付け
   られたノズル保持体であって、前記処理液の供給時に前
   記被処理基板の表面から飛散した前記処理液が前記第２
   のノズルの吐出口に到達することのないように、前記第
   ２のノズルの吐出口が前記被処理基板に対して前記第１
   のノズルの吐出口よりも後退した位置となる如く配置さ
   れたノズル保持体と、 前記第２のノズルを前記被処理基板の中央上方に位置さ
   せて前記被処理基板の表面に前記液剤を供給した後、前
   記第１のノズルを前記被処理基板の中央上方に位置する
   ように前記ノズル保持体を移動させて前記被処理基板の
   表面に前記処理液を供給するよう前記ノズル保持体を駆
   動する駆動機構と、 前記基板保持部材とともに前記被処理基板を回転させ、
   前記被処理基板の中央部に供給された前記液剤を遠心力
   によって前記被処理基板の表面全域に広げる駆動モータ
   とを具備したことを特徴とする塗布装置。
4. 【請求項４】 請求項３記載の塗布装置において、 前記処理液がレジスト液であることを特徴とする塗布装
   置。
5. 【請求項５】 請求項１乃至４いずれか１項記載の塗布
   装置において、 前記液剤が前記処理液の溶剤であることを特徴とする塗
   布装置。