JP2000181079A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板にレジスト塗布後に転写を生じることな
くレジストを減圧乾燥させることができ、リフトピンの
シールの問題、およびリフトピンの位置変更が困難であ
る問題を解消することができる基板処理装置を提供する
こと。 【解決手段】 チャンバー内のガスを排気してチャンバ
ー内を減圧状態にするための排気口６４がチャンバーの
各コーナー部に設けられ、チャンバー内のステージ６３
に、複数の固定ピン６６を介して基板Ｇが載置され、こ
のステージ６３は、チャンバーの下部壁を貫通した昇降
シャフト６７により昇降され、この昇降シャフト６７
は、チャンバーの下部壁に設けられた真空シール部材６
８によりシールされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
（ＬＣＤ）基板等の基板に対してレジストを塗布後、基
板に対して所定の処理を施す基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製造にお
いては、ガラス製の矩形のＬＣＤ基板にフォトレジスト
液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応
してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、
いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターン
が形成される。

【０００３】このレジスト液を塗布する工程では、矩形
のＬＣＤ基板（以下、基板という）は、レジストの定着
性を高めるために、アドヒージョン処理ユニットにて疎
水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、冷却ユニットで冷却
後、レジスト塗布ユニットに搬入される。

【０００４】レジスト塗布ユニットでは、矩形の基板を
スピンチャック上に保持した状態で回転させながら、そ
の上方に設けられたノズルから基板の表面中心部にレジ
スト液を供給し、基板の回転による遠心力によってレジ
スト液を拡散させ、これにより、基板の表面全体にレジ
スト膜が塗布される。

【０００５】このレジストが塗布された基板は、周縁の
余分なレジストが除去された後、加熱処理ユニットに搬
入され、プリベーク処理が行われる。この加熱処理ユニ
ットにおいては、加熱プレートと基板とが直接に接触す
ることを避けるために、リフトピンにより受け取られた
基板を加熱プレートの固定ピンに載置して加熱プレート
からの放熱によって加熱する、いわゆるプロキシミティ
ー方式が採用されることが多い。

【０００６】次いで、基板は、冷却ユニットで冷却さ
れ、露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光
され、その後現像処理され、ポストベーク処理が施され
て、所定のレジストパターンが形成される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た塗布・現像処理においては、レジストが塗布された基
板がプリベーク処理等された後に、または、基板が露光
されて現像処理された後に、上述した加熱処理ユニット
のリフトピン、固定ピン、またはバキューム溝等の形状
が基板に転写されることがある。

【０００８】このリフトピン等の転写は、具体的には、
プリベーク処理後には、基板上に塗布されたレジストの
膜厚が、リフトピン等の形状に対応して変化することに
よって生じ、露光・現像処理後には、基板上に形成され
た回路パターンの線幅が、リフトピン等の形状に対応す
るように変化することにより生じる。また、プリベーク
後には転写の存在が認められない場合でも現像後に転写
が生じる場合もある。

【０００９】このような転写が生じるのは、近年、高感
度型のレジスト液が用いられるようになってきたこと、
および、ＬＣＤ基板に形成される回路パターンの線幅が
３μｍと従来よりも細くなったことが原因と推測される
が、その原因は未だ詳細には把握されていない。

【００１０】このような転写を防止するために、本発明
者らは先に、基板にレジストを塗布した後に基板を減圧
状態で乾燥することを提案している（特願平１０−２３
３５９６号）。

【００１１】そこでは、このような減圧乾燥を減圧乾燥
ユニットにより行っているが、この減圧乾燥処理ユニッ
トは、下部チャンバーと、その上に設けられた上部チャ
ンバーとからなる処理チャンバーを有し、これらを密着
させることによりチャンバー内に処理空間を形成し、そ
の中を排気することにより所定の減圧状態を形成して減
圧乾燥を行うようになっている。そして、チャンバー内
に基板を載置する際には、複数のリフトピンを昇降させ
ている。

【００１２】しかしながら、この場合には、基板を載置
するための上記複数のリフトピンが、下部チャンバーの
底壁を貫通して設けざるを得ず、したがって複数のリフ
トピンのそれぞれのピンの周りをシールする必要があ
り、多数のシール箇所が必要となり煩雑であるのみなら
ず、確実にシールすることが困難である。

【００１３】また、上記のように、転写は、リフトピン
の位置に対応して生じるため、基板に応じてリフトピン
の位置を変えて、転写が生じる位置を変更することが考
えられるが、上記のように、複数のリフトピンが下部チ
ャンバーの底壁を貫通している構造では、下部チャンバ
ーごと交換せざるを得ず、リフトピンの位置の変更が困
難である。

【００１４】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、基板にレジスト塗布後に転写を生じることなく
レジストを減圧乾燥させることができ、リフトピンのシ
ールの問題、およびリフトピンの位置変更が困難である
問題を解消することができる基板処理装置を提供するこ
とを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明によれば、レジストが塗布された基板に露光
処理および現像処理を施すにあたり、レジストが塗布さ
れた基板を減圧状態で乾燥するための基板処理装置であ
って、基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内
のガスを排気して、チャンバー内を減圧状態にする排気
手段と、前記チャンバー内に配置され、基板を載置する
ステージと、前記チャンバーの下部壁を貫通して設けら
れ、前記ステージを前記チャンバーに対して相対的に昇
降する昇降シャフトと、この昇降シャフトを前記チャン
バーの下部壁の内周面に対してシールするシール手段と
を具備することを特徴とする基板処理装置が提供され
る。

【００１６】このように、レジストの塗布後に、基板に
温度変化を与えることなく、基板を減圧状態で乾燥する
ので、レジスト液中の溶剤が徐々に放出され、レジスト
に悪影響を与えることなくことなくレジストの乾燥を促
進させることができ、基板上に転写が生じることを有効
に防止することができる。また、ステージを昇降シャフ
トによって昇降する構造としたので、シールが必要な箇
所が昇降シャフト１本であり、複数のリフトピンのシー
ルが不要となることから、チャンバー内のシールを効率
良くしかも確実に行うことができる。また、複数のリフ
トピンが下部チャンバーの底壁を貫通する構造でないた
め、ステージを交換するだけで容易にピンの位置を変更
することができ、基板に応じて適切にピンの位置を設定
することができる。

【００１７】この場合に、ステージの温度を調整する温
調手段を有することより、ステージの温度を基板と略同
じ温度に維持することができる。そのため、基板はステ
ージの温度の影響をほとんど受けず、ピンの転写を一層
効果的に抑制することができる。

【００１８】さらに、前記ステージに設けられる基板を
支持する複数のピンを、基板と実質的に同一材質で形成
することにより、ピンの温度を基板と略同じ温度に維持
することができ、基板がピンとの間の温度差の影響をほ
とんど受けず、ピンの転写を一層効果的に抑制すること
ができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明が適用
されるＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムを示す平面
図である。

【００２０】この塗布・現像処理システムは、複数の基
板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーシ
ョン１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
２と、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡し
を行うためのインターフェース部３とを備えており、処
理部２の両端にそれぞれカセットステーション２および
インターフェース３が配置されている。

【００２１】カセットステーション１は、カセットＣと
処理部２との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機
構１０を備えている。そして、カセットステーション１
においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機
構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路
１０ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送
アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇ
の搬送が行われる。

【００２２】処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後
段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１
２、１３、１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユ
ニットが配設されている。そして、これらの間には中継
部１５、１６が設けられている。

【００２３】前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可
能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側
には、２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ、２１ｂが
配置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射・
冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）２５、それぞれ上下２段
に積層されてなる加熱処理ユニット（ＨＰ）２６および
冷却ユニット（ＣＯＬ）２７が配置されている。

【００２４】また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って
移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の
一方側には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２お
よび基板Ｇの周縁部のレジストを除去するエッジリムー
バー（ＥＲ）２３が一体的に設けられており、搬送路１
３の他方側には、二段積層されてなる加熱処理ユニット
（ＨＰ）２８、加熱処理ユニットと冷却処理ユニットが
上下に積層されてなる加熱処理・冷却ユニット（ＨＰ／
ＣＯＬ）２９、およびアドヒージョン処理ユニットと冷
却ユニットとが上下に積層されてなるアドヒージョン処
理・冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）３０が配置されてい
る。

【００２５】さらに、本実施の形態では、レジスト塗布
処理ユニット（ＣＯＴ）２２と、エッジリムーバー（Ｅ
Ｒ）２３との間に、減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）４０
が設けられている。これにより、レジストが塗布された
基板Ｇが減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）４０に搬送され
て乾燥処理され、その後、エッジリムーバー（ＥＲ）２
３により端面処理されるようになっている。

【００２６】さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿っ
て移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４
の一方側には、３つの現像処理ユニット２４ａ、２４
ｂ、２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方側には
上下２段に積層されてなる加熱処理ユニット３１、およ
び加熱処理ユニットと冷却処理ユニットが上下に積層さ
れてなる２つの加熱処理・冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯ
Ｌ）３２、３３が配置されている。

【００２７】なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の
側に洗浄処理ユニット２１ａ、レジスト処理ユニット２
２、現像処理ユニット２４ａのようなスピナー系ユニッ
トのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや
冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する
構造となっている。

【００２８】また、中継部１５、１６のスピナー系ユニ
ット配置側の部分には、薬液供給ユニット３４が配置さ
れており、さらに主搬送装置の出し入れが可能なスペー
ス３５が設けられている。

【００２９】上記主搬送装置１７は、搬送機構１０のア
ーム１１との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、前
段部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬
出、さらには中継部１５との間で基板Ｇの受け渡しを行
う機能を有している。また、主搬送装置１８は中継部１
５との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、中段部２
ｂの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さら
には中継部１６との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を
有している。さらに、主搬送装置１９は中継部１６との
間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、後段部２ｃの各
処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらにはイ
ンターフェース部３との間の基板Ｇの受け渡しを行う機
能を有している。なお、中継部１５、１６は冷却プレー
トとしても機能する。

【００３０】インターフェース部３は、処理部２との間
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファーカセットを配置する２つのバッファーステージ
３７と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇ
の搬入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構
３８はエクステンション３６およびバッファステージ３
７の配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動
可能な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９によ
り処理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われ
る。このように各処理ユニットを集約して一体化するこ
とにより、省スペース化および処理の効率化を図ること
ができる。

【００３１】このように構成される塗布・現像処理シス
テムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが、処理部２に
搬送され、処理部２では、まず、前段部２ａの紫外線照
射・冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）２５で表面改質・洗
浄処理およびその後の冷却された後、洗浄ユニット（Ｓ
ＣＲ）２１ａ，２１ｂでスクラバー洗浄が施され、加熱
処理ユニット（ＨＰ）２６の一つで加熱乾燥された後、
冷却ユニット（ＣＯＬ）２７の一つで冷却される。

【００３２】その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、
レジストの定着性を高めるために、ユニット３０の上段
のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）にて疎水化処理
（ＨＭＤＳ処理）され、冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却
後、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２２でレジストが塗
布され、後に詳述するように、減圧乾燥処理ユニット
（ＶＤ）４０により乾燥処理されて、エッジリムーバー
（ＥＲ）２３で基板Ｇの周縁の余分なレジストが除去さ
れる。その後、基板Ｇは、中段部２ｂの中の加熱処理ユ
ニット（ＨＰ）の一つでプリベーク処理され、ユニット
２９または３０の下段の冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却
される。

【００３３】その後、基板Ｇは中継部１６から主搬送装
置１９にてインターフェース部３を介して露光装置に搬
送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Ｇは再びインターフェース部３を介して搬入され、
現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃの
いずれかで現像処理され、所定の回路パターンが形成さ
れる。現像処理された基板Ｇは、後段部２ｃのいずれか
の加熱処理ユニット（ＨＰ）にてポストベーク処理が施
された後、冷却ユニット（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬
送装置１９，１８，１７および搬送機構１０によってカ
セットステーション１上の所定のカセットに収容され
る。

【００３４】次に、本実施の形態に係るＬＣＤ基板の塗
布・現像処理システムに装着されるレジスト塗布処理ユ
ニット（ＣＯＴ）、減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）、お
よびエッジリムーバー（ＥＲ）について説明する。図２
および図３は、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）、
減圧乾燥処理ユニット、およびエッジリムーバー（Ｅ
Ｒ）を示す概略平面図および概略側面図である。

【００３５】図２および図３に示すように、これらレジ
スト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）２２、減圧乾燥処理ユ
ニット（ＶＤ）４０、およびエッジリムーバー（ＥＲ）
２３は、同一のステージに一体的に並列されている。レ
ジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）でレジストが塗布さ
れた基板Ｇは、一対の搬送アーム４１により減圧乾燥処
理ユニット（ＶＤ）４０に搬送され、この減圧乾燥処理
ユニット（ＶＤ）４０で乾燥処理された基板Ｇは、一対
の搬送アーム４２によりエッジリムーバー（ＥＲ）２３
に搬送されるようになっている。

【００３６】このレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）
２２は、基板Ｇを吸着保持する水平回転可能なスピンチ
ャック５１、このスピンチャック５１の上端部を囲みか
つこのスピンチャック５１に吸着保持された基板Ｇを包
囲して上端部が開口する有底開口円筒形状の回転カップ
５２、この回転カップ５２の上端開口にかぶせられる蓋
体（図示略）、回転カップ５２の外周を取り囲むように
固定配置されるドレンカップ５３を有している。これに
より、後述するレジスト液の滴下時には、蓋体（図示
略）が開かれた状態で基板Ｇがスピンチャック５１によ
り回転され、レジスト液の拡散時には、基板Ｇがスピン
チャック５１により回転されると同時に、蓋体（図示
略）が閉じられた状態の回転カップ５２が回転されるよ
うになっている。なお、ドレンカップ５３の外周には、
アウターカバー５４が設けられている。

【００３７】また、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）２２は、ガラス製の矩形のＬＣＤ基板Ｇに、レジス
ト液を吐出するためのレジスト吐出ノズルアーム５５を
有している。このレジスト吐出ノズルアーム５５は、レ
ジスト液滴下時には、基板Ｇの中心まで移動されるよう
になっている。レジスト吐出ノズルアーム５５の先端に
は、レジスト液の吐出ノズル５６と、シンナー吐出ノズ
ル５７とが設けられ、レジスト供給管（図示略）を介し
てレジスト供給部（図示略）に接続されている。

【００３８】エッジリムーバー（ＥＲ）２３には、基板
Ｇを載置するためのステージ７１が設けられ、このステ
ージ７１上の２つのコーナー部には、基板Ｇを位置決め
するための２つのアライメント手段７２が設けられてい
る。後述するように、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４０の
ステージ６３には吸着手段が設けられておらず、単にス
テージ６３のピン上に基板Ｇを載置しているだけである
から、このエッジリムーバー（ＥＲ）２３による基板周
縁のレジスト除去に先立ってアライメント機構７２によ
り基板Ｇのアライメントを行う必要がある。

【００３９】この基板Ｇの四辺には、それぞれ、基板Ｇ
の四辺のエッジから余分なレジストを除去するための四
個のリムーバーヘッド７３が設けられている。各リムー
バー７３は、内部からシンナーを吐出するように断面略
Ｕ字状を有し、基板Ｇの四辺に沿って移動機構（図示
略）によって移動されるようになっている。これによ
り、各リムーバーヘッド７３は、基板Ｇの各辺に沿って
移動してシンナーを吐出しながら、基板Ｇの四辺のエッ
ジに付着した余分なレジストを取り除くことができる。

【００４０】減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）４０には、
下部チャンバー６１と、その上を覆うように設けられ、
その内部の処理空間を気密に維持する上部チャンバー６
２とが設けられている。下部チャンバー６１には、基板
Ｇを載置するためのステージ６３が設けられ、下部チャ
ンバー６１の各コーナー部には、４個の排気口６４が設
けられ、この排気口６４に連通された排気管６５（図
３）がターボ分子排気ポンプ等の排気ポンプ（図示略）
に接続されている。そして、上部チャンバー６１と上部
チャンバー６２とが密着した状態でその中の処理空間を
排気することにより、所定の真空度に減圧されるように
構成されている。

【００４１】この減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）４０
は、その詳細構造を図４に示すように、上述した下部チ
ャンバ６１と、上部チャンバー６２が密着して形成され
る内部の処理空間に設けられたステージ６３上には、基
板Ｇを載置するための複数の固定ピン６６が設けられ、
これら複数の固定ピン６６は、ステージ６３上の適宜の
位置に取り付けられている。そして、これら固定ピン６
６は、基板に応じてその位置を容易に変更し得るように
構成されている。なお、これら固定ピン６６は、基板と
実質的に同じ材質（本実施形態ではガラス）で形成され
ていることが好ましい。

【００４２】一方、ステージ６３の下側には、このステ
ージを昇降するための昇降シャフト６７が設けられいて
る。この昇降シャフト６７は、図５に示すように、下部
チャンバ６１の底壁を貫通して昇降自在に設けられ、こ
の底壁の内側近傍と外側近傍とには、それぞれリング状
の真空シール部材６８が配置されている。これら真空シ
ール部材６８の外側には、それぞれ、これらシール部材
を固定するためのリング状の固定部材６９が設けられて
いる。

【００４３】このリング状の真空シール部材６８は、比
較的軟質な材質から構成されており、チャンバー内を減
圧して略真空状態にしたときには、真空シール部材６８
の内径側リップ６８ａは、昇降シャフト６７の外周面に
密着して昇降シャフト６７をシールする一方、チャンバ
ー内を常圧に戻したときには、内径側リップ６８ａは昇
降シャフト６７との密着を解除するようになっている。

【００４４】また、図６に示すように、昇降シャフト６
７内には、温調手段として温調水通流路７０が形成され
ており、この流路７０に温調水を通流させることによ
り、ステージ６３の温度が調整されるようになってい
る。

【００４５】次に、このように構成されたレジスト塗布
処理ユニット（ＣＯＴ）２２、減圧乾燥処理ユニット
（ＶＤ）４０、およびエッジリムーバー（ＥＲ）２３に
おける基板Ｇの処理について説明する。

【００４６】まず、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）２２において、スピンチャック４１により基板Ｇが
回転され、レジスト吐出ノズルアーム５５が基板Ｇの中
心まで移動され、シンナーノズル５７が基板Ｇの中心に
到達されると、回転する基板Ｇの表面にシンナーが供給
され、遠心力によって基板Ｇの中心からその周囲全域に
むらなく広げられる。続いて、レジスト液のノズル５６
がスピンチャック４１の中心（基板Ｇの中心）に到達さ
れ、回転する基板Ｇの中心にレジスト液が滴下されて基
板Ｇに塗布され、遠心力によって基板Ｇの中心からその
周囲全域にむらなく広げられる。

【００４７】このレジストが塗布された基板Ｇは、搬送
アーム４１により減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）４０に
搬送され、ステージ６３の固定ピン６６に載置される。
基板Ｇを載置したステージが降下され、上部チャンバー
６２が降下されて、下部チャンバー６１に密着され、チ
ャンバー内が気密に維持される。そして、下部チャンバ
ー６１と上部チャンバー６２とで形成される処理空間内
が排気され、所定の減圧雰囲気が形成される。この減圧
状態が所定時間維持されることにより、レジスト液中の
シンナー等の溶剤がある程度蒸発され、レジスト液中の
溶剤が徐々に放出され、レジストに悪影響を与えること
なくことなくレジストの乾燥を促進させることができ、
基板Ｇ上に転写が生じることを有効に防止することがで
きる。

【００４８】この乾燥処理の終了後には、上部チャンバ
ー６２が上昇され、ステージ６３が上昇されて、基板Ｇ
が搬送アーム４２によりエッジリムーバー（ＥＲ）２３
に搬送される。

【００４９】エッジリムーバー（ＥＲ）２３では、アラ
イメント機構７２により基板が位置決めされた後、４個
のリムーバーヘッド７３が基板Ｇの各辺に沿って移動さ
れ、各リムーバーヘッド７３から吐出されたシンナーに
より基板Ｇの四辺の周縁部に付着した余分なレジストが
除去される。この後、基板Ｇは前述したように、プリベ
ーク処理され、さらに露光・現像処理される。

【００５０】このように、本実施の形態では、ステージ
６３を昇降するための昇降シャフト６７が１本であり、
シールの箇所がこの１本の昇降シャフト６７のみである
ことから、従来よりもシールの箇所を減少させることが
でき、効率良くかつ確実にチャンバーのシールを行うこ
とができる。

【００５１】また、基板Ｇを載置するための複数の固定
ピン６６は、ステージ６３上でその位置を容易に変更で
きる構成となっているため、複数の固定ピン６６の位置
を基板に応じて適宜変更することができ、基板Ｇへの転
写の影響が極力少ない位置にピンを配置することができ
る。

【００５２】さらに、昇降シャフト６７の中には温調水
流路７０が形成されており、そこに温調水を通流させる
ことにより、ステージの温度を調整して基板Ｇと略同じ
温度に維持することができる。そのため、基板Ｇはステ
ージ６３の温度の影響をほとんど受けず、固定ピン６６
の転写を効果的に抑制することができる。

【００５３】さらにまた、複数の固定ピン６６は、基板
Ｇと実質的に同一の材質（この実施形態ではガラス）で
形成されることによって、固定ピン６６の温度を基板Ｇ
と略同じ温度に維持することができ、基板Ｇが固定ピン
６６との間の温度差の影響をほとんど受けず、固定ピン
６６の転写を効果的に抑制することができる。

【００５４】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、ＬＣＤ基板用の塗布・現像処理システムについて
説明したが、ＬＣＤ基板用の以外の他の基板、例えば、
ＬＣＤ基板のカラーフィルター基板、または半導体ウエ
ハの塗布・現像処理システムにも本発明を適用すること
ができる。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レジストの塗布後に、基板に温度変化を与えることな
く、基板を減圧状態で乾燥するので、レジスト液中の溶
剤が徐々に放出され、レジストに悪影響を与えることな
くことなくレジストの乾燥を促進させることができ、基
板上に転写が生じることを有効に防止することができ
る。また、ステージを昇降シャフトによって昇降する構
造としたので、シールが必要な箇所が昇降シャフト１本
であり、複数のリフトピンのシールが不要となることか
ら、チャンバー内のシールを効率良くしかも確実に行う
ことができる。また、複数のリフトピンが下部チャンバ
ーの底壁を貫通する構造でないため、ステージを交換す
るだけで容易にピンの位置を変更することができ、基板
に応じて適切にピンの位置を設定することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適用されるＬＣＤ基板の塗布・現像処
理システムを示す平面図。

【図２】図１のシステムに組み込まれたレジスト塗布処
理ユニット、減圧乾燥処理ユニット、およびエッジリム
ーバーを示す概略平面図。

【図３】図１のシステムに組み込まれたレジスト塗布処
理ユニット、減圧乾燥処理ユニット、およびエッジリム
ーバーを示す概略側面図。

【図４】本発明の実施の形態に係る減圧乾燥処理ユニッ
トを示す断面図。

【図５】図４に示した減圧乾燥処理ユニットのシール部
を拡大して示す断面図。

【図６】図４に示した減圧乾燥処理ユニットにおける温
調機構を示す断面図。

【符号の説明】

２２；レジスト塗布処理ユニット ２３；エッジリムーバー ４０；減圧乾燥処理ユニット ６１；ロアーチャンバ ６２；アッパーチャンバ ６３；ステージ ６４；排気口 ６６；固定ピン ６７；昇降シャフト ６８；真空シール部材 ７０；温調水流路 Ｇ；ＬＣＤ基板

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H088 FA17 FA18 FA24 FA30 HA01 MA20 2H096 AA00 AA27 DA10 JA02 5F031 CA05 FA02 FA11 FA12 HA58 HA80 MA26 MA27 MA30 5F046 KA04 KA07

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レジストが塗布された基板に露光処理お
   よび現像処理を施すにあたり、レジストが塗布された基
   板を減圧状態で乾燥するための基板処理装置であって、 基板を収容するチャンバーと、 前記チャンバー内のガスを排気して、チャンバー内を減
   圧状態にする排気手段と、 前記チャンバー内に配置され、基板を載置するステージ
   と、 前記チャンバーの下部壁を貫通して設けられ、前記ステ
   ージを前記チャンバーに対して相対的に昇降する昇降シ
   ャフトと、 この昇降シャフトを前記チャンバーの下部壁の内周面に
   対してシールするシール手段とを具備することを特徴と
   する基板処理装置。
2. 【請求項２】 前記シール手段は、前記チャンバーの底
   壁の内側近傍と外側近傍とに配置された２個の真空シー
   ル部材を有していることを特徴とする請求項１に記載の
   基板処理装置。
3. 【請求項３】 前記チャンバーは、前記チャンバーの底
   壁を含む下部チャンバーと、この下部チャンバーに対し
   て昇降可能な上部チャンバーとを有し、これらを密着さ
   せることによりその内部を気密に維持することが可能で
   あることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
   基板処理装置。
4. 【請求項４】 前記ステージの温度を調整する温調手段
   をさらに具備することを特徴とする請求項１ないし請求
   項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
5. 【請求項５】 前記ステージは、基板を支持する複数の
   ピンを有し、前記複数のピンは、基板と実質的に同一の
   材質で形成されていることを特徴とする請求項１ないし
   請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。