TWI797325B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]本揭示係提供抑制在基板處理中產生不均的技術。 [解決手段]與實施型態之基板處理裝置具備腔室、複數供氣部、控制部。腔室係收容基板，且能夠將內部保持在減壓氛圍。供氣部係對腔室內供給氣體。控制部分別控制在複數供氣部中的氣體之供給。控制部係在將腔室內返回至常壓之情況，開始從複數供氣部之中的一個以上之供氣部供給氣體之後，使供給氣體之供氣部之數量增加。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本揭示關於基板處理裝置及基板處理方法。
專利文獻1中揭示於在減壓氛圍之腔室內返回至常壓的情況，藉由調整流量調整閥之開口度，將腔室內切換成緩慢復壓的慢沖洗，和急遽地復壓的主沖洗。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-126263號公報
[發明所欲解決之課題]
本揭示係提供抑制在基板處理中產生不均的技術。 [用以解決課題之手段]
依據本揭示之一態樣的基板處理裝置具備腔室、複數供氣部和控制部。腔室係收容基板，且能夠將內部保持在減壓氛圍。供氣部係對腔室內供給氣體。控制部分別控制在複數供氣部中的氣體之供給。控制部係將腔室內返回至常壓之情況，於開始從複數供氣部之中的一個以上之供氣部供給氣體之後，增加供給氣體之供氣部的數量。 [發明之效果]
若藉由本揭示時，可以抑制在基板處理中產生不均。
以下，參照附件圖面，詳細說明本案揭示的基板處理裝置及基板處理方法之實施型態。另外，並不藉由以下所示之實施型態限定所揭示的基板處理裝置及基板處理方法。
＜全體構成＞ 針對與實施型態有關之基板處理裝置1，參照圖1予以說明。圖1係表示與實施型態有關之基板處理裝置1之概略構成的示意圖。
基板處理裝置1具備卡匣站2、第1處理站3、介面站4、第2處理站5和控制裝置6。
在卡匣站2載置收容複數玻璃基板S(以下，稱為「基板S」)之卡匣C。卡匣站2具備能夠載置複數卡匣C之載置台10、在卡匣C和第1處理站3之間及第2處理站5和卡匣C之間進行基板S之搬運的搬運裝置11。
搬運裝置11具備搬運臂11a。搬運臂11a係能夠進行朝水平方向及垂直方向的移動，及以垂直軸為中心的旋轉。
第1處理站3對基板S進行包含光阻之塗佈的處理。第1處理站3具備準分子UV照射單元(e-EV)20、洗滌洗淨單元(SCR)21、預熱單元(PH)22、附著單元(AD)23和第1冷卻單元(COL)24。該些單元20～24被配置在從卡匣站2朝向介面站4之方向。具體而言，依照準分子UV照射單元20、洗滌洗淨單元21、預熱單元22、附著單元23及第1冷卻單元24之順序被配置。
再者，第1處理站3具備光阻塗佈單元(CT)25、減壓乾燥單元(DP)26、第1加熱單元(HT)27、第2冷卻單元(COL)28。該些單元25～28係在從第1冷卻單元24朝向介面站4之方向，依照光阻塗佈單元25、減壓乾燥單元26、第1加熱單元27、第2冷卻單元28之順序被配置。再者，第1處理站3具備滾子搬運裝置(參照圖2)29和搬運裝置30。
準分子UV照射單元20係從發出紫外線區域光的紫外線區域燈對基板S照射紫外線區域光，除去附著於基板S上之有機物。
洗滌洗淨單元21係邊對有機物被除去之基板S，供給洗淨液(例如，去離子水(DIW))，邊藉由刷具等之洗淨構件洗淨基板S之表面。再者，洗滌洗淨單元21係藉由鼓風機等使洗淨的基板S乾燥。
預熱單元22係進一步加熱藉由洗滌洗淨單元21被乾燥之基板S，使基板S進一步乾燥。
附著單元23係對被乾燥之基板S噴吹六甲基二矽烷(HMDS)，對基板S進行疏水化處理。
第1冷卻單元24係對被進行疏水化處理之基板S噴吹冷風而冷卻基板S。
光阻塗佈單元25係對被冷卻之基板S上供給光阻液，在基板S上形成光阻膜。
減壓乾燥單元26係在減壓氛圍下使被形成在基板S上之光阻膜乾燥。減壓乾燥單元26之詳細說明於後述。
第1加熱單元27係加熱光阻膜被乾燥之基板S，除去光阻膜所含的溶劑等。
第2冷卻單元28係對除去溶劑等之基板S噴吹冷風而冷卻基板S。
在此，針對滾子搬運裝置29參照圖2予以說明。圖2係表示依據與實施型態有關之滾子搬運裝置29的基板搬運的示意圖。
滾子搬運裝置29具備複數滾子29a，和複數驅動裝置29b。滾子搬運裝置29係藉由驅動裝置29b使滾子29a旋轉，隨著滾子29a之旋轉搬運基板S。即是，滾子搬運裝置29平流搬運基板S。驅動裝置29b係例如電動馬達。
滾子搬運裝置29係如在圖1中箭號L所示般，將基板S從準分子UV照射單元20搬運至第1冷卻單元24。再者，滾子搬運裝置29係如在圖1中箭號M所示般，將基板S從第1加熱單元27搬運至第2冷卻單元28。
返回圖1，搬運裝置30具備搬運臂30a。搬運臂30a係能夠進行朝水平方向及垂直方向的移動，及以垂直軸為中心的旋轉。
搬運裝置30係將基板S從第1冷卻單元24搬運至光阻塗佈單元25。搬運裝置30係將基板S從光阻塗佈單元25搬運至減壓乾燥單元26。再者，搬運裝置30係進行將基板S從減壓乾燥單元26搬運至第1加熱單元27。搬運裝置30即使具備複數搬運臂亦可，即使以不同的搬運臂進行基板S在各單元間的搬運亦可。
在介面站4中，形成有光阻膜之基板S藉由第1處理站3被搬運至外部曝光裝置8及第2處理站5。介面站4具備搬運裝置31和旋轉台32。
外部曝光裝置8具備外部裝置區塊8A和曝光裝置8B。外部裝置區塊8A係藉由周邊曝光裝置(EE)除去基板S之外周部之光阻膜。再者，外部裝置區塊8A係藉由標題記錄機(TITLER)將特定資訊寫入至以曝光裝置8B被曝光成電路圖案之基板S。
曝光裝置8B係使用與電路圖案對應之圖案的光罩而使光阻膜曝光。
搬運裝置31具備搬運臂31a。搬運臂31a係能夠進行朝水平方向及垂直方向的移動，及以垂直軸為中心的旋轉。
搬運裝置31係將基板S從第2冷卻單元28搬運至旋轉台32。再者，搬運裝置31係將基板S從旋轉台32搬運至外部裝置區塊8A之周邊曝光裝置，將外周部之光阻膜被除去之基板S搬運至曝光裝置8B。
再者，搬運裝置31係將被曝光成電路圖案之基板S從曝光裝置8B搬運至外部裝置區塊8A之標題記錄機。而且，搬運裝置31係將被寫入特定資訊的基板S從標題記錄機搬運至第2處理站5之顯像單元(DEV)40。
第2處理站5進行包含顯像之處理。第2處理站5具備顯像單元40、第2加熱單元(HT)41、第3冷卻單元(COL)42、檢查單元(IP)43和滾子搬運裝置44(參照圖2)。該些單元40～43係在從介面站4朝向卡匣站2之方向，依照顯像單元40、第2加熱單元41、第3冷卻單元42及檢查單元43之順序被配置。
顯像單元40係藉由顯像液對被曝光之光阻膜進行顯像。再者，顯像單元40係藉由沖洗液沖洗顯像光阻膜後的基板S上的顯像液，且使沖洗液乾燥。
第2加熱單元41係加熱沖洗液被乾燥之基板S，除去殘留在光阻膜的溶劑及沖洗液。
第3冷卻單元42係對溶劑及沖洗液被除去之基板S噴吹冷風而冷卻基板S。
檢查單元43係對被冷卻的基板S，進行光阻圖案(線)之極限尺寸(CD)之測定等之檢查。
藉由檢查單元43被進行檢查的基板S，藉由搬運裝置11之搬運臂11a從第2處理站5被搬運至卡匣站2之卡匣C。
滾子搬運裝置44之構成係與在第1處理站3之滾子搬運裝置29相同的構成，在此的說明省略。滾子搬運裝置44係如箭號N所示般，將基板S從顯像單元40搬運至檢查單元43。
控制裝置6為例如電腦，具備控制部6A和記憶部6B。記憶部6B藉由例如RAM(Random Access Memory)、快閃記憶體(Flash Memory)等之半導體記憶體元件或硬碟、光碟等之記憶裝置而被實現。
控制部6A包含CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM、輸入輸出埠等之微電腦或各種電路。微電腦之CPU藉由讀出並實行被記憶於ROM之程式，實現各站2～5的控制。
另外，程式被記錄於藉由電腦可讀取之記憶媒體，即使為從其記憶媒體被安裝於控制裝置6之記憶部6B者亦可。作為藉由電腦可讀取之記憶媒體，例如有硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
＜減壓乾燥單元＞ 接著，針對減壓乾燥單元26參照圖3及圖4予以說明。圖3係表示與實施型態有關之減壓乾燥單元26之概略構成的示意圖(其1)。圖4係表示與實施型態有關之減壓乾燥單元26之概略構成的示意圖(其2)。另外，圖3係在減壓乾燥單元26之概略側面的示意圖，圖4係在減壓乾燥單元26之概略平面的示意圖。另外，在圖4中，省略用以說明之排氣機構55等。
減壓乾燥單元26具備腔室50、複數第1支持部51、複數第2支持部52、複數第1升降驅動部53、複數第2升降驅動部54、排氣機構55和氣體供給機構56。
腔室50係收容基板S，且能夠將內部保持在減壓氛圍。在腔室50之一個側壁50a形成開口部50b。基板S係藉由搬運裝置30(參照圖1)從開口部50b被搬入至腔室50內，再者，從開口部50b自腔室50內被搬出。腔室50具備該開關開口部50b之蓋部50c。藉由蓋部50c關閉，腔室50被密閉。
第1支持部51係在特定方向排列配置，在腔室50內支持基板S。第1支持部51係沿著基板S對腔室50的搬運方向而被延伸設置。特定方向係與基板S對腔室50的搬運方向正交的方向。第1支持部51係在特定方向設置第1特定間隔而排列配置。第1特定間隔係事先被設定的間隔，能在第1支持部51之間配置第2支持部52的間隔。
第1支持部51具備平板部51a和支持基板S之複數插銷51b。平板部51a係沿著基板S對腔室50的搬運方向而被延伸設置。插銷51b朝向上方而從平板部51a突出。插銷51b係沿著基板S對腔室50的搬運方向而被配置。再者，插銷51b在特定方向配置2列。另外，插銷51b之配置不限定於此，即使例如在特定方向配置1列亦可。插銷51b係當第1支持部51上升時，抵接於基板S之下面。
第1升降驅動部53係使第1支持部51升降。第1升降驅動部53具備制動器53a、轉軸53b和連結部53c。
致動器53a係例如氣缸或滾珠螺桿機構。制動器53a係經由轉軸53b及連結部53c而使第1支持部51升降。
轉軸53b係被插入至被形成在腔室50之孔，在前端固定連結部53c。另外，在轉軸53b和孔之間設置密封構件(無圖示)。連結部53c被固定在第1支持部51之平板部51a之下面。
另外，即使藉由一個制動器53a使複數轉軸53b，即是複數第1支持部51升降亦可。
第2支持部52被配置在第1支持部51之間，在腔室50內支持基板S。第2支持部52係沿著基板S對腔室50的搬運方向而被延伸設置。第2支持部52係被配置在於特定方向排列之第1支持部51之間。第1支持部51和第2支持部52係沿著特定方向被交替配置。
第2支持部52具備平板部52a和支持基板S之複數插銷52b。平板部52a係沿著基板S對腔室50的搬運方向而被延伸設置。插銷52b朝向上方而從平板部52a突出。插銷52b係沿著基板S對腔室50的搬運方向而被配置。再者，插銷52b在特定方向配置2列。另外，插銷52b之配置不限定於此，即使例如在特定方向配置1列亦可。插銷52b係當第2支持部52上升時，抵接於基板S之下面。
第2升降驅動部54係使第2支持部52升降。第2升降驅動部54與第1升降驅動部53相同，具備制動器54a、轉軸54b和連結部54c。
致動器54a係例如氣缸或滾珠螺桿機構。制動器54a係經由轉軸54b及連結部54c而使第2支持部52升降。
轉軸54b係被插入至被形成在腔室50之孔，在前端固定連結部54c。另外，在轉軸54b和孔之間設置密封構件(無圖示)。連結部54c被固定在各第2支持部52之平板部52a之下面。 另外，即使藉由一個制動器54a使複數轉軸54b，即是複數第2支持部52升降亦可。
排氣機構55具備排氣裝置60、排氣管61、複數APC(Adaptive Pressure Control)閥62。排氣裝置60具有渦輪分子泵或乾式泵等之真空泵(無圖示)，藉由驅動真空泵，排出腔室50內之氣體，減壓腔室50內。
排氣管61連接排氣裝置60和腔室50之複數排氣口50g。APC閥62被設置在排氣管61，藉由調整開口度，可以調整腔室50內之減壓，即是真空度。
氣體供給機構56具備氣體供給源70、供氣管71、第1開關閥72、第1供氣部73、第2供氣部74、第3供氣部75和第4供氣部76。再者，氣體供給機構56具備第2開關閥77、第3開關閥78、第4開關閥79和第5開關閥80。
氣體供給源70係使腔室50內返回至常壓之情況，對腔室50內供給氣體。氣體係氮氣等之惰性氣體或乾氣體等之置換用氣體。
供氣管71係從氣體供給源70對第1供氣部73～第4供氣部76供給氣體。供氣管71係在第1供氣管71a、第2供氣管71b、第3供氣管71c及第4供氣管71d分歧。在從分歧處往氣體供給源70側之供氣管71，設置第1開關閥72。
第1供氣管71a被連接於第1供氣部73。第2供氣管71b被連接於第2供氣部74。第3供氣管71c被連接於第3供氣部75。第4供氣管71d被連接於第4供氣部76。
在第1供氣管71a設置第2開關閥77。在第2供氣管71b設置第3開關閥78。在第3供氣管71c設置第4開關閥79。在第4供氣管71d設置第5開關閥80。
藉由第1開關閥72～第5開關閥80之開關被控制，氣體從第1供氣部73～第4供氣部76朝腔室50內的供給被控制。
第1供氣部73被設置在形成有開口部50b之腔室50之側壁50a側，沿著特定方向被延伸設置。在第1供氣部73形成複數供氣口73a。複數供氣口73a係沿著特定方向設置第2特定間隔而被配置。第2特定間隔係事先被設定的間隔。第1供氣部73係從供氣口73a對腔室50內供給氣體。
第2供氣部74係被設置在與形成有開口部50b之腔室50之側壁50a正交之一對側壁50d、50e之中的一方側壁50d側。第2供氣部74係沿著基板S對腔室50的搬運方向而被延伸設置。在第2供氣部74形成複數供氣口74a。複數供氣口74a係沿著基板S對腔室50的搬運方向而設定第3特定間隔而被配置。第3特定間隔係事先被設定的間隔。第2供氣部74係從供氣口74a對腔室50內供給氣體。
第3供氣部75係被設置在與形成有開口部50b之腔室50之側壁50a正交之一對側壁50d、50e之中的另一方側壁50e側。第3供氣部75係沿著基板S對腔室50的搬運方向而被延伸設置。在第3供氣部75形成複數供氣口75a。複數供氣口75a係沿著基板S對腔室50的搬運方向而設定第3特定間隔而被配置。第3供氣部75係從供氣口75a對腔室50內供給氣體。
第4供氣部76被設置在與形成有開口部50b之腔室50之側壁50a相反之側壁50f側，沿著特定方向被延伸設置。在第4供氣部76形成複數供氣口76a。複數供氣口76a係沿著特定方向設置第2特定間隔而被配置。第4供氣部76係從供氣口76a對腔室50內供給氣體。
如此一來，第1供氣部73～第4供氣部76被配置成矩形狀。具體而言，第1供氣部73～第4供氣部76沿著矩形之各邊被配置。另外，在圖4中，在第1供氣部73及第4供氣部76形成7個供氣口73a、76a，在第2供氣部74及第3供氣部75形成9個供氣口74a、75a。但是，供氣口73a、74a、75a、76a之數量不限定於此。減壓乾燥單元26具備對腔室50內供給氣體的複數供氣部(第1供氣部73～第4供氣部76)。
＜減壓乾燥處理＞ 接著，針對在減壓乾燥單元26之減壓乾燥處理予以說明。減壓乾燥處理係藉由控制部6A而被實行。具體而言，控制部6A係如圖5所示般，具備慢排氣處理部6C、主排氣處理部6D、慢沖洗處理部6E和主沖洗處理部6F。圖5為表示與實施型態有關之控制部6A之構成之一部分的方塊圖。另外，在此，針對控制部6A之中，實行減壓乾燥處理之控制部6A的構成予以說明，針對實行其他處理的構成省略。
慢排氣處理部6C進行慢排氣。慢排氣處理部6C為了抑制腔室50內之壓力急遽減少之情形，且抑制光阻膜所含的溶劑急遽沸騰之情形，進行慢排氣。具體而言，慢排氣處理部6C抑制APC閥62之開口度，以第1減壓速度進行比較緩慢地排氣，將腔室50內之壓力減壓至第1特定壓。第1減壓速度係事先被設定的減壓速度。第1特定壓係事先設定的壓力，低於常壓的壓力。
主排氣處理部6D進行主排氣。主排氣處理部6D係使APC閥62之開口度大於在慢排氣的開口度，以第2減壓速度進行排氣，減壓至第2特定壓。第2減壓速度係事先被設定的速度，大於第1減壓速度的速度。第2特定壓係事先設定的壓力，低於第1特定壓的壓力。
慢沖洗處理部6E進行第1慢沖洗及第2慢沖洗。具體而言，慢沖洗處理部6E係於進行第1慢沖洗之後，進行第2慢沖洗。
首先，慢沖洗處理部6E係從被配置在矩形之邊的第1供氣部73～第4供氣部76之中，位於矩形之兩邊的第1供氣部73及第2供氣部74供給氣體，進行第1慢沖洗。換言之，慢沖洗處理部6E係從第1供氣部73～第4供氣部76之中，如圖6A所示般，被配置成L字狀之第1供氣部73及第2供氣部74供給氣體至腔室50內。圖6A係表示以與實施型態有關之減壓乾燥單元26進行第1慢沖洗之時之氣體供給的圖示。
依此，氣體係從第1供氣部73及第2供氣部74朝向第3供氣部75及第4供氣部76流動可以抑制在基板S上產生氣體的滯留的情形。
慢沖洗開始時，於藉由例如第1供氣部73～第4供氣部76供給氣體之情況，在基板S之中央附近，產生包含溶劑之氣體的滯留。因此，中央附近之光阻膜比起其他處的光阻膜相較乾燥。即是，基板S之乾燥狀態產生不均。當對如此之基板S進行曝光時，基板S之中央附近成為未曝光，於顯像後，基板S之中央附近之膜厚較其他處薄。即是，在基板S之中央附近產生膜損失，在基板S中產生不均的處理。
與實施型態有關之減壓乾燥單元26係於慢沖洗之開始時的第1慢沖洗時，從第1供氣部73及第2供氣部74供給氣體。依此，減壓乾燥單元26係抑制在基板S滯留包含溶劑的氣體，可以抑制在基板S中產生處理不均。
再者，慢沖洗處理部6E係於進行第1慢沖洗特定時間之後，如圖6B所示般，也從第3供氣部75供給氣體，進行第2慢沖洗。即是，慢沖洗處理部6E係從第1供氣部73～第3供氣部75供給氣體。圖6B係表示以與實施型態有關之減壓乾燥單元26進行第2慢沖洗之時之氣體供給的圖示。
如此一來，控制部6A係於將腔室50內返回至常壓之情況，開始從複數供氣部(第1供氣部73～第4供氣部76)之中一個以上之供氣部(第1供氣部73及第2供氣部74)供給氣體之後，增加供給氣體之供氣部(第1供氣部～第3供氣部75)之數量。具體而言，控制部6A係在使腔室50內返回至常壓之情況，開始從位於矩形之兩邊的供氣部(第1供氣部73及第2供氣部74)供給氣體之後，使供給氣體之供氣部(第1供氣部73～第3供氣部75)之數量增加。換言之，控制部6A係在使腔室50內返回至常壓之情況，開始從被配置成L字狀之兩個的供氣部(第1供氣部73及第2供氣部74)供給氣體之後，使供給氣體之供氣部(第1供氣部73～第3供氣部75)之數量增加。
主沖洗處理部6F進行主沖洗，使腔室50內之壓力返回至常壓。主沖洗處理部6F也從第4供氣部76供給氣體。即是，主沖洗處理部6F係從第1供氣部73～第4供氣部76對腔室50內供給氣體。
接著，使用圖7針對在減壓乾燥單元26之減壓乾燥處理予以說明。圖7為與實施型態有關之減壓乾燥處理順序的流程圖。
在減壓乾燥單元26，形成有光阻膜之基板S藉由搬運裝置30被搬入至腔室50內(S10)。
搬運裝置30之搬運臂30a被形成梳狀，搬運裝置30係如圖8A所示般，以第2支持部52位於搬運臂30a之下方之方式，將基板S搬入至腔室50內。圖8A係說明與實施型態有關之減壓乾燥單元26中之基板搬運的圖示。圖8A係表示從基板S對腔室50之搬運方向觀看的減壓乾燥單元26之一部分的圖示。另外，在搬運臂30a之特定方向中的長度(寬度)較在第2支持部52之平板部52a之特定方向中的長度(寬度)短。
當基板S被搬入至腔室50內時，減壓乾燥單元26如圖8B所示般，使第1支持部51上升而藉由第1支持部51之插銷51b支持基板S之下面。依此，基板S從搬運臂30a被收授至第1支持部51。圖8B為說明在與實施型態有關之減壓乾燥單元26中的基板S之收授的圖示。圖8B係表示從基板S對腔室50之搬運方向觀看的減壓乾燥單元26之一部分的圖示。
將基板S收授至第1支持部51之後，當搬運臂30a從腔室50被取出時，減壓乾燥單元26關閉蓋部50c，密閉腔室50內。
再者，減壓乾燥單元26係如圖8C所示般，使第2支持部52上升至插銷52b不與基板S接觸之特定上升位置。圖8C係表示以與實施型態有關之減壓乾燥單元26進行減壓乾燥處理之時的第1支持部51及第2支持部52之狀態的圖示(其1)。
返回圖7，在減壓乾燥單元26中，實行慢排氣(S11)。
另外，減壓乾燥單元26係藉由當開始慢排氣時，使第2支持部52上升，使第1支持部51下降，如圖8D所示般，藉由第2支持部52支持基板S。圖8D係表示以與實施型態有關之減壓乾燥單元26進行減壓乾燥處理之時的第1支持部51及第2支持部52之狀態的圖示(其2)。
減壓乾燥單元26係藉由使第1支持部51及第2支持部52交替升降，在第1支持部51及第2支持部52間切換基板S之支持。即是，減壓乾燥單元26係在第1支持部51及第2支持部52交替支持基板S。
當相同之插銷與基板S接觸之時間變長時，在插銷接觸之處，藉由與插銷的熱傳導，比起其他處，基板S之溫度變高，有光阻膜之乾燥狀態產生不均之虞。
與實施型態有關之減壓乾燥單元26係藉由以第1支持部51及第2支持部52交替進行基板S之支持，可以抑制光阻膜之乾燥狀態產生不均之情形。
另外，基板S之支持的切換係在每個事先設定的特定時間進行。再者，插銷不與基板S接觸之支持部係在基板S和插銷之間以形成特定間隙之方式下降。特定間隙係事先被設定的長度，例如在上下方向，於平板部51a和平板部52a之間不產生間隙的長度。依此，可以抑制在基板S、第1支持部51及第2支持部52之間，產生氣流之亂流之情形，進一步抑制在光阻膜之乾燥狀態產生不均之情形。
減壓乾燥單元26係在進行減壓乾燥處理之期間，實行第1支持部51及第2支持部52所致的基板S之支持切換。即是，減壓乾燥單元26除了減壓腔室50內之情況，即使在使腔室50內返回至常壓之情況，亦實行基板S之支持的切換。
返回圖7，在減壓乾燥單元26中，實行慢排氣(S12)。之後，在減壓乾燥單元26中，實行第1慢沖洗(S13)，實行第2慢沖洗(S14)。
並且，在減壓乾燥單元26中，實行主沖洗(S15)，之後，藉由搬運裝置30，基板S從腔室50被搬出(S16)。
＜變形例＞ 接著，針對本實施型態之變形例予以說明。
在與變形例有關之基板處理裝置1中，減壓乾燥單元26之第1供氣管71a係如圖9所示般，分歧成第1分歧管71a1及第2分歧管71a2。第1分歧管71a1與複數供氣口73a之中，第2供氣部74側之3個第1供氣口73b連接。第2分歧管71a2與複數供氣口73a之中，第3供氣部75側之4個第2供氣口73c連接。再者，在第2分歧管71a2設置第6開關閥81。圖9係表示與實施型態之變形例有關之減壓乾燥單元26之概略構成的示意圖。
再者，減壓乾燥單元26之第2供氣管71b係分歧成第1分歧管71b1及第2分歧管71b2。第1分歧管71b1與複數供氣口74a之中，第1供氣部73側之3個第1供氣口74b連接。第2分歧管71b2與複數供氣口74a之中，第4供氣部76側之5個第2供氣口74c連接。再者，在第2分歧管71b2設置第7開關閥82。
慢沖洗處理部6E係於進行第1慢沖洗之時，如圖10A所示般，首先，從第1供氣部73之第1供氣口73b及第2供氣部74之第1供氣口74b供給氣體。圖10A為表示與實施型態之變形例有關之減壓乾燥單元26進行第1慢沖洗之時的氣體供給之圖示(其1)。另外，此時，第6開關閥81及第7開關閥82被關閉，氣體不從第1供氣部73之第2供氣口73c及第2供氣部74之第2供氣口74c被供給。
而且，慢沖洗處理部6E之後開啟第6開關閥81及第7開關閥82，如圖10B所示般，也從第1供氣部73之第2供氣口73c及第2供氣部74之第2供氣口74c供給氣體。圖10B為表示與實施型態之變形例有關之減壓乾燥單元26進行第1慢沖洗之時的氣體供給之圖示(其2)。
如此一來，控制部6A係於進行第1慢沖洗之時，分別控制複數供氣口73a、74a之中，在第1供氣口73b、74b中的氣體供給和第2供氣口73c、74c中的氣體之供給。
另外，第1供氣口73b、74b之數量及第2供氣口73c、74c之數量不限定於上述數量。再者，分歧的分歧管的數量不限定於兩個，即使分歧成3個以上亦可。再者，減壓乾燥單元26即使能夠分別控制在各供氣口73a、74a中的氣體之供給亦可。另外，減壓乾燥單元26即使能夠分別控制第3供氣部75之各供氣口75a、第4供氣部76之各供氣口76a中的氣體之供給亦可。
再者，與變形例有關之基板處理裝置1即使將供氣口73a、74a、75a、76a形成槽縫狀亦可。
再者，與變形例有關之基板處理裝置1即使在第1慢沖洗中，從第3供氣部75及第4供氣部76開始供氣之後，也從第1供氣部73或第2供氣部74進行供氣亦可。
再者，與變形例有關之基板處理裝置1即使在第1慢沖洗中，例如從第1供氣部73、第2供氣部74及第3供氣部75進行供氣之後，也從第4供氣部76進行供氣亦可。
即是，控制部6A係在使腔室50內返回至常壓之情況，開始從位於矩形之2邊或3邊之供氣部供給氣體之後，使供給氣體之供氣部的數量增加。
再者，與變形例有關之基板處理裝置1即使改成第2開關閥77～第7開關閥82，設置流量控制閥，成為能夠控制氣體之流量亦可。
另外，在上述實施型態中，雖然以使形成有光阻膜之基板S減壓乾燥的處理作為一例而進行說明，但是不限定於此。例如，即使使形成有有機材料膜之基板S減壓乾燥的處理適用上述處理亦可。
＜效果＞ 基板處理裝置1具備收容基板S，能夠將內部保持在減壓氛圍的腔室50，和對腔室50內供給氣體之複數供氣部(第1供氣部73～第4供氣部76之一例)，和分別控制複數供氣部(第1供氣部73～第4供氣部76之一例)中之氣體供給的控制部6A。控制部6A係在使腔室50內返回至常壓之情況，開始從複數供氣部之中一個以上的供氣部(第1供氣部73及第2供氣部74之一例)供給氣體之後，使供給氣體之供氣部(第1供氣部73～第3供氣部75之一例)之數量增加。
換言之，基板處理方法具有在減壓氛圍收容基板S之腔室50內返回至常壓之情況，開始從複數供氣部(第1供氣部73～第4供氣部76之一例)之中一個以上的供氣部(第1供氣部73及第2供氣部74之一例)對腔室50內供給氣體之工程，和氣體供給開始之後，使供給氣體之供氣部(第1供氣部73～第3供氣部75之一例)之數量增加的工程。
依此，基板處理裝置1例如可以抑制包含溶劑之氣體的滯留，並可以抑制光阻膜之乾燥狀態產生不均之情形。因此，基板處理裝置1例如在之後基板S被曝光，被顯像之情況，可以抑制由於光阻膜之乾燥狀態不均引起的膜厚之減少量，並抑制膜損失之發生。即是，基板處理裝置1可以抑制在基板S中產生不均。再者，基板處理裝置1可以抑制在第1慢沖洗中的處理時間變長之情形。
複數供氣部(第1供氣部73～第4供氣部76之一例)沿著矩形之各邊被配置。再者，控制部6A係在將腔室50內返回至常壓之情況，開始從位於矩形之兩邊或三邊之供氣部(第1供氣部73、第2供氣部74之一例，或第1供氣部73、第2供氣部74及第3供氣部75之一例)，供給氣體之後，使供給氣體之供氣部(第1供氣部73～第3供氣部75之一例，或第1供氣部73～第4供氣部76之一例)的數量增加。
例如，控制部6A係在使腔室50內返回至常壓之情況，開始從被配置成L字狀之兩個的供氣部(第1供氣部73、第2供氣部74之一例)供給氣體之後，使供給氣體之供氣部(第1供氣部73～第3供氣部75之一例)之數量增加。
依此，基板處理裝置1可以於進行第1慢沖洗之時，從被配置成L字狀之兩個第1供氣部73及第2供氣部74，朝向第3供氣部75及第4供氣部76流通氣體。依此，基板處理裝置1例如可以抑制包含溶劑之氣體滯留在基板S之中央附近，並可以抑制光阻膜之乾燥狀態產生不均之情形。
供氣部(第1供氣部73、第2供氣部74之一例)具備複數供氣口73a、74a。控制部6A係分別控制複數供氣口73a、74a之中，在第1供氣口73b、74b中的氣體供給和第2供氣口73c、74c中的氣體之供給。
依此，基板處理裝置1進行第1慢沖洗之時，例如可以抑制包含溶劑之氣體的滯留，並可以抑制光阻膜之乾燥狀態產生不均之情形。
基板處理裝置1具備在特定方向排列配置，在腔室50內支持基板S之第1支持部51、被配置在第1支持部51之間，在腔室50內支持基板S之第2支持部52，第1支持部51及第2支持部52交替升降，交替支持基板S。
依此，基板處理裝置1可以抑制藉由相同支持部長時間支持基板S之情形，並抑制插銷抵接之處和其他之處之間產生溫度差之情形。因此，基板處理裝置1例如可以抑制光阻膜之乾燥狀態產生不均之情形。
另外，應理解成此次揭示的實施型態所有的點皆為例示，並非用以限制。實際上，上述實施型態能夠以各種型態呈現。再者，上述實施型態在不脫離附件的申請專利範圍及其主旨的情況下，可以以各種型態進行省略、替換或變更。
1‧‧‧基板處理裝置 3‧‧‧第1處理站 5‧‧‧第2處理站 6‧‧‧控制裝置 6A‧‧‧控制部 6B‧‧‧記憶部 26‧‧‧減壓乾燥單元 50‧‧‧腔室 51‧‧‧第1支持部 52‧‧‧第2支持部 56‧‧‧氣體供給機構 73‧‧‧第1供氣部(供氣部) 74‧‧‧第2供氣部(供氣部) 75‧‧‧第3供氣部(供氣部) 76‧‧‧第4供氣部(供氣部) 73a‧‧‧供氣口 74a‧‧‧供氣口 75a‧‧‧供氣口 76a‧‧‧供氣口
圖1為表示與實施型態有關之基板處理裝置之概略構成的示意圖。 圖2為表示依據與實施型態有關之滾子搬運裝置的基板搬運之示意圖。 圖3為表示與實施型態有關之減壓處理部之概略構成的示意圖(其1)。 圖4為表示與實施型態有關之減壓處理部之概略構成的示意圖(其2)。 圖5為表示與實施型態有關之控制部之構成之一部分的方塊圖。 圖6A為表示以與實施型態有關之減壓乾燥單元進行第1慢沖洗之時的氣體供給之圖示。 圖6B為表示以與實施型態有關之減壓乾燥單元進行第2慢沖洗之時的氣體供給之圖示。 圖7為說明與實施型態有關之減壓乾燥處理順序之流程圖。 圖8A為說明在與實施型態有關之減壓乾燥單元中的基板搬運之圖示。 圖8B為說明在與實施型態有關之減壓乾燥單元中的基板之收授的圖示。 圖8C係表示以與實施型態有關之減壓乾燥單元進行減壓乾燥處理之時的第1支持部及第2支持部之狀態的圖示(其1)。 圖8D係表示以與實施型態有關之減壓乾燥單元進行減壓乾燥處理之時的第1支持部及第2支持部之狀態的圖示(其2)。 圖9係表示與實施型態之變形例有關之減壓乾燥單元之概略構成的示意圖。 圖10A為表示與實施型態之變形例有關之減壓乾燥單元進行第1慢沖洗之時的氣體供給之圖示(其1)。 圖10B為表示與實施型態之變形例有關之減壓乾燥單元進行第1慢沖洗之時的氣體供給之圖示(其2)。
26‧‧‧減壓乾燥單元
50‧‧‧腔室
73‧‧‧第1供氣部(供氣部)
74‧‧‧第2供氣部(供氣部)
75‧‧‧第3供氣部(供氣部)
76‧‧‧第4供氣部(供氣部)
S‧‧‧基板

Claims (4)

  1. 一種基板處理裝置，具備：腔室，其係收容基板，且能夠將內部保持在減壓氛圍；複數供氣部，其係對上述腔室內供給氣體；及控制部，其係分別控制在上述複數供氣部中的上述氣體之供給，上述複數供氣部係沿著矩形之各邊被配置，上述控制部係在將上述腔室內返回至常壓之情況，開始從從被配置成L字狀之兩個上述供氣部供給上述氣體之後，使供給上述氣體之上述供氣部之數量增加。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述供氣部具備複數供氣口，上述控制部分別控制上述複數供氣口之中，在第1供氣口中的上述氣體之供給和在第2供氣口中的上述氣體之供給。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中具備：第1支持部，其係在特定方向排列配置，在上述腔室內支持上述基板；和第2支持部，其係被配置在上述第1支持部之間，在上 述腔室內支持上述基板，上述第1支持部及上述第2支持部係交替升降，交替支持上述基板。
  4. 一種基板處理方法，具備：使在減壓氛圍收容基板之腔室內返回至常壓之情況，開始從沿著矩形之各邊被配置的複數供氣部之中，被配置成L字狀之兩個上述供氣部對上述腔室內供給氣體之工程，和上述氣體之供給開始之後，使供給上述氣體之上述供氣部之數量增加的工程。
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