CN110504189A - 基片处理装置和基片处理方法 - Google Patents

基片处理装置和基片处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110504189A
CN110504189A CN201910395773.7A CN201910395773A CN110504189A CN 110504189 A CN110504189 A CN 110504189A CN 201910395773 A CN201910395773 A CN 201910395773A CN 110504189 A CN110504189 A CN 110504189A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas
substrate
gas supply
chamber
supply part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910395773.7A
Other languages
English (en)
Inventor
久保诚人
井本直树
八寻俊一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Floating Corp
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Floating Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Floating Corp filed Critical Floating Corp
Publication of CN110504189A publication Critical patent/CN110504189A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

本发明提供一种能够抑制在基片处理中发生不均的技术。实施方式的基片处理装置包括腔室、多个供气部和控制部。腔室用于收纳基片，能够在减压气氛在内部保持基片。供气部用于对腔室内供给气体。控制部分别控制多个供气部进行的气体的供给。控制部在使腔室内回到常压时，开始从多个供气部中的一个以上的供气部供给气体后，增加供给气体的供气部的数量。

Description

基片处理装置和基片处理方法
技术领域
本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。
背景技术
专利文献1公开了一种技术，其中在使减压气氛的腔室内回到常压时，通过调节流量调节阀的开度，来切换使腔室内缓慢地恢复压力的慢吹扫和急速地恢复压力的主吹扫的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-126263号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种抑制在基片处理中发生不均的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一实施方式的基片处理装置包括腔室、多个供气部和控制部。腔室用于收纳基片，能够在减压气氛下在内部保持基片。供气部用于对腔室内供给气体。控制部分别控制多个供气部进行的气体的供给。控制部在使腔室内回到常压时，开始从多个供气部中的一个以上的供气部供给气体后，增加供给气体的供气部的数量。
发明效果
依照本发明，能够抑制在基片处理中发生不均。
附图说明
图1是表示实施方式的基片处理装置的概略结构的示意图。
图2是表示实施方式的由辊输送装置进行的基片输送的示意图。
图3是表示实施方式的减压处理部的概略结构的示意图(其1)。
图4是表示实施方式的减压处理部的概略结构的示意图(其2)。
图5是表示实施方式的控制部的构成的一部分的框图。
图6A是表示由实施方式的减压干燥单元进行第一慢吹扫时的气体供给的图。
图6B是表示由实施方式的减压干燥单元进行第二慢吹扫时的气体供给的图。
图7是说明实施方式的减压干燥处理步骤的流程图。
图8A是说明实施方式的减压干燥单元中的基片输送的图。
图8B是说明实施方式的减压干燥单元中的基片的交接的图。
图8C是表示由实施方式的减压干燥单元进行减压干燥处理时的第一支承部和第二支承部的状态的图(其1)。
图8D是表示由实施方式的减压干燥单元进行减压干燥处理时的第一支承部和第二支承部的状态的图(其2)。
图9是表示实施方式的变形例的减压干燥单元的概略结构的示意图。
图10A是表示由实施方式的变形例的减压干燥单元进行第一慢吹扫时的气体供给的图(其1)。
图10B是表示由实施方式的变形例的减压干燥单元进行第一慢吹扫时的气体供给的图(其2)。
附图标记说明
1 基片处理装置
3 第一处理站
5 第二处理站
6 控制装置
6A 控制部
6B 存储部
26 减压干燥单元
50 腔室
51 第一支承部
52 第二支承部
56 气体供给机构
73 第一供气部(供气部)
74 第二供气部(供气部)
75 第三供气部(供气部)
76 第四供气部(供气部)
73a 供气口
74a 供气口
75a 供气口
76a 供气口。
具体实施方式
以下，参照附图，对本申请公开的基片处理装置和基片处理方法的实施方式进行详细说明。此外，不限于由以下所示的实施方式公开的基片处理装置和基片处理方法。
<整体结构>
参照图1，说明实施方式的基片处理装置1。图1是表示实施方式的基片处理装置1的概略结构的示意图。
基片处理装置1包括盒站2、第一处理站3、接口站4、第二处理站5和控制装置6。
在盒站2载置用于收纳多个玻璃基片S(以下称为“基片S”。)的盒C。盒站2包括：能够载置多个盒C的载置台10；在盒C与第一处理站3之间、第二处理站5与盒C之间输送基片S的输送装置11。
输送装置11包括输送臂11a。输送臂11a能够在水平方向和铅垂方向移动，并且能够以铅垂轴为中心旋转。
第一处理站3对基片S进行包括涂敷光致抗蚀剂的处理。第一处理站3包括准分子UV照射单元(e-EV)20、擦洗单元(SCR)21、预热单元(PH)22、粘接单元(AD)23和第一冷却单元(COL)24。上述单元20～24配置在从盒站2向接口站4去的方向上。具体而言，按准分子UV照射单元20、擦洗单元21、预热单元22、粘接单元23和第一冷却单元24的顺序配置。
另外，第一处理站3包括光致抗蚀剂涂敷单元(CT)25、减压干燥单元(DP)26、第一加热单元(HT)27和第二冷却单元(COL)28。上述的单元25～28在从第一冷却单元24向接口站4去的方向按照光致抗蚀剂涂敷单元25、减压干燥单元26、第一加热单元27、第二冷却单元28的顺序配置。此外，第一处理站3包括辊输送装置(参照图2)29和输送装置30。
准分子UV照射单元20从发出紫外线的紫外线灯对基片S照射紫外线，除去附着于基片S上的有机物。
擦洗单元21对除去了有机物的基片S供给清洗液(例如去离子水(DIW))，并利用刷子等清洗部件对基片S的表面进行清洗。另外，擦洗单元21利用鼓风机等使清洗过的基片S干燥。
预热单元22进一步加热经擦洗单元21干燥后的基片S，进一步使基片S干燥。
粘接单元23对干燥后的基片S吹出六甲基二硅氮烷(HMDS)，对基片S进行疏水化处理。
第一冷却单元24对进行了疏水化处理的基片S吹出冷风以冷却基片S。
光致抗蚀剂涂敷单元25对冷却后的基片S上供给光致抗蚀剂液，在基片S上形成光致抗蚀剂膜。
减压干燥单元26使形成于基片S上的光致抗蚀剂膜在减压气氛下干燥。减压干燥单元26的详细说明在后文述说。
第一加热单元27加热对光致抗蚀剂膜进行了干燥的基片S，除去光致抗蚀剂膜中所含的溶剂等。
第二冷却单元28对除去了溶剂等的基片S吹出冷风以冷却基片S。
在此，参照图2，说明辊输送装置29。图2是表示实施方式的由辊输送装置29进行的基片输送的示意图。
辊输送装置29包括多个辊29a和多个驱动装置29b。辊输送装置29利用驱动装置29b使辊29a旋转，随着辊29a的旋转而输送基片S。即，辊输送装置29平流式输送基片S。驱动装置29b例如是电动马达。
辊输送装置29如图1中的箭头L所示，将基片S从准分子UV照射单元20输送到第一冷却单元24。另外，辊输送装置29如图1中的箭头M所示，将基片S从第一加热单元27输送到第二冷却单元28。
返回图1，输送装置30包括输送臂30a。输送臂30a能够在水平方向和铅垂方向移动，并且能够以铅垂轴为中心旋转。
输送装置30将基片S从第一冷却单元24输送到光致抗蚀剂涂敷单元25。输送装置30将基片S从光致抗蚀剂涂敷单元25输送到减压干燥单元26。此外，输送装置30将基片S从减压干燥单元26输送到第一加热单元27。输送装置30可以具有多个输送臂，也可以具有在各单元间输送基片S的不同的输送臂。
在接口站4，由第一处理站3将形成有光致抗蚀剂膜的基片S输送到外部曝光装置8和第二处理站5。接口站4包括输送装置31和旋转台32。
外部曝光装置8包括外部装置区块8A和曝光装置8B。外部装置区块8A利用周边曝光装置(EE)除去基片S的外周部的光致抗蚀剂膜。此外，外部装置区块8A利用打标器(TITLER)在由曝光装置8B按电路图案曝光后的基片S写入规定的信息。
曝光装置8B使用具有与电路图案对应的图案的光掩模来曝光光致抗蚀剂膜。
输送装置31包括输送臂31a。输送臂31a能够在水平方向和铅垂方向移动，并以铅垂轴为中心旋转。
输送装置31将基片S从第二冷却单元28输送到旋转台32。另外，输送装置31将基片S从旋转台32输送到外部装置区块8A的周边曝光装置，将被除去了外周部的光致抗蚀剂膜的基片S输送到曝光装置8B。
另外，输送装置31将按电路图案曝光后的基片S从曝光装置8B输送到外部装置区块8A的打标器。然后，输送装置31将写入了规定的信息的基片S从打标器输送到第二处理站5的显影单元(DEV)40。
第二处理站5进行包括显影的处理。第二处理站5包括显影单元40、第二加热单元(HT)41、第三冷却单元(COL)42、检查单元(IP)43和辊输送装置44(参照图2)。上述的单元40～43在从接口站4向盒站2去的方向按显影单元40、第二加热单元41、第三冷却单元42和检查单元43的顺序配置。
显影单元40利用显影液使曝光后的光致抗蚀剂膜显影。另外，显影单元40利用冲洗液除去对光致抗蚀剂膜进行了显影的基片S上的显影液，使冲洗液干燥。
第二加热单元41加热将冲洗液干燥后的基片S，除去残留在光致抗蚀剂膜的溶剂和冲洗液。
第三冷却单元42对除去了溶剂和冲洗液的基片S吹出冷风来冷却基片S。
检查单元43对冷却后的基片S进行测量光致抗蚀剂图案(线)的极限寸法(CD)等的检查。
由检查单元43进行了检查的基片S，被输送装置11的输送臂11a从第二处理站5输送到盒站2的盒C。
辊输送装置44的结构与第一处理站3中的辊输送装置29相同，省略此处的说明。辊输送装置44如箭头N所示，将基片S从显影单元40输送到检查单元43。
控制装置6例如是计算机，包括控制部6A和存储部6B。存储部6B例如由RAM(RandomAccess Memory，随机存取存储器)、闪存(Flash Memory)等半导体存储元件、或者硬盘、光盘等存储装置实现。
控制部6A包括含有CPU(Central Processing Unit，中央处理器)、ROM(Read OnlyMemory，只读存储器)、RAM、输入输出端口等的微型计算机和各种电路。微型计算机的CPU通过读取并执行存储于ROM的程序，来实现各站2～5的控制。
此外，程序也可以存储于能够计算机可读取的存储介质，从存储介质安装到控制装置6的存储部6B。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
<减压干燥单元>
接着，参照图3和图4，说明减压干燥单元26。图3是表示实施方式的减压干燥单元26的概略结构的示意图(其1)。图4是表示实施方式的减压干燥单元26的概略结构的示意图(其2)。此外，图3是减压干燥单元26的侧视时的概略的示意图，图4是减压干燥单元26的俯视时的概略的示意图。此外，在图4中，为了说明而省略了排气机构55等。
减压干燥单元26包括腔室50、多个第一支承部51、多个第二支承部52、多个第一升降驱动部53、多个第二升降驱动部54、排气机构55和气体供给机构56。
腔室50用于收纳基片S，能够在减压气氛下在内部保持基片S。在腔室50的一个侧壁50a形成开口部50b。基片S由输送装置30(参照图1)从开口部50b送入腔室50内或者从开口部50b自腔室50内送出。腔室50包括用于开闭开口部50b的盖部50c。通过关闭盖部50c，能够密封腔室50。
第一支承部51在规定方向排列地配置，用于在腔室50内支承基片S。第一支承部51沿对腔室50输送基片S的方向延伸设置。规定方向是与对腔室50输送基片S的方向正交的方向。第一支承部51在规定方向以隔开第一规定间隔的方式排列地配置。第一规定间隔是预先设定的间隔，是能够在第一支承部51之间配置第二支承部52的间隔。
第一支承部51包括平板部51a和用于支承基片S的多个销(pin)51b。平板部51a沿对腔室50输送基片S的方向延伸设置。销51b向上方从平板部51a突出。销51b沿对腔室50输送基片S的方向配置。此外，销51b在规定方向配置2列。另外，销51b的配置不限于此，例如也可以在规定方向配置1列。当第一支承部51上升时，销51b与基片S的下表面抵接。
第一升降驱动部53用于使第一支承部51升降。第一升降驱动部53包括致动器53a、轴53b和连结部53c。
致动器53a例如是气缸、滚珠丝杆机构。致动器53a经由轴53b和连结部53c使第一支承部51升降。
轴53b插入在形成于腔室50的孔，其前端与连结部53c固定在一起。此外，在轴53b与孔之间设置有密封部件(未图示)。连结部53c固定在第一支承部51的平板部51a的下表面。
另外，也可以利用一个致动器53a使多个轴53b即多个第一支承部51升降。
第二支承部52配置在第一支承部51之间，能够在腔室50内支承基片S。第二支承部52沿对腔室50输送基片S的方向延伸设置。第二支承部52配置在规定方向上排列的第一支承部51之间。第一支承部51和第二支承部52沿规定方向交替地配置。
第二支承部52包括平板部52a和支承基片S的多个销52b。平板部52a沿对腔室50输送基片S的方向延伸设置。销52b向上方从平板部52a突出。销52b沿对腔室50输送基片S的方向配置。此外，销52b在规定方向配置2列。另外，销52b的配置不限于此，例如也可以在规定方向配置1列。当第二支承部52上升时，销52b与基片S的下表面抵接。
第二升降驱动部54用于使第二支承部52升降。第二升降驱动部54与第一升降驱动部53同样，包括致动器54a、轴54b和连结部54c。
致动器54a例如是气缸、滚珠丝杆机构。致动器54a经由轴54b和连结部54c使第二支承部52升降。
轴54b插入在形成于腔室50的孔，其前端与连结部54c固定在一起。此外，在轴54b和孔之间设置有密封部件(未图示)。连结部54c固定在各第二支承部52的平板部52a的下表面。
另外，也可以利用一个致动器54a使多个轴54b即多个第二支承部52升降。
排气机构55包括排气装置60、排气管61和多个APC(Adaptive Pressure Control，自适应压力控制)阀62。排气装置60具有涡轮分子泵、干式泵等真空泵(未图示)，通过驱动真空泵，排出腔室50内的气体，对腔室50内进行减压。
排气管61将排气装置60与形成于腔室50的多个排气口50g连接。APC阀62设置在排气管61，通过调节开度，能够调节腔室50内的减压即真空度。
气体供给机构56包括气体供给源70、供气管71、第一开闭阀72、第一供气部73、第二供气部74、第三供气部75和第四供气部76。另外，气体供给机构56包括第二开闭阀77、第三开闭阀78、第四开闭阀79和第五开闭阀80。
在使腔室50内回到常压时，气体供给源70对腔室50内供给气体。气体是氮气等非活性气体、干燥空气等置换用气体等。
供气管71从气体供给源70对第一供气部73～第四供气部76供给气体。供气管71分支为第一供气管71a、第二供气管71b、第三供气管71c和第四供气管71d。在比分支部位靠气体供给源70侧的供气管71设置有第一开闭阀72。
第一供气管71a与第一供气部73连接。第二供气管71b与第二供气部74连接。第三供气管71c与第三供气部75连接。第四供气管71d与第四供气部76连接。
在第一供气管71a设置有第二开闭阀77。在第二供气管71b设置有第三开闭阀78。在第三供气管71c设置有第四开闭阀79。在第四供气管71d设置有第五开闭阀80。
通过控制第一开闭阀72～第五开闭阀80的开闭，能够控制从第一供气部73～第四供气部76对腔室50内供给气体。
第一供气部73设置在形成有开口部50b的腔室50的侧壁50a侧，沿规定方向延伸设置。在第一供气部73形成有多个供气口73a。多个供气口73a沿规定方向以隔开第二规定间隔的方式配置。第二规定间隔是预先设定的间隔。第一供气部73从供气口73a将气体供给到腔室50内。
第二供气部74设置在与形成有开口部50b的腔室50的侧壁50a正交的一对侧壁50d、50e中的一个侧壁50d侧。第二供气部74沿对腔室50输送基片S的方向延伸设置。在第二供气部74形成有多个供气口74a。多个供气口74a沿对腔室50输送基片S的方向以隔开第三规定间隔的方式配置。第三规定间隔是预先设定的间隔。第二供气部74从供气口74a将气体供给到腔室50内。
第三供气部75设置在与形成有开口部50b的腔室50的侧壁50a正交的一对侧壁50d、50e中的另一侧壁50e侧。第三供气部75沿对腔室50输送基片S的方向延伸设置。在第三供气部75形成有多个供气口75a。多个供气口75a沿对腔室50输送基片S的方向以隔开第三规定间隔的方式配置。第三供气部75从供气口75a将气体供给到腔室50内。
第四供气部76设置在与形成有开口部50b的腔室50的侧壁50a相反的侧壁50f侧，沿规定方向延伸设置。在第四供气部76形成有多个供气口76a。多个供气口76a沿规定方向以隔开第二规定间隔的方式配置。第四供气部76从供气口76a将气体供给到腔室50内。
如上所述，第一供气部73～第四供气部76以矩形状配置。具体而言，第一供气部73～第四供气部76沿矩形的各边配置。此外，在图4中，在第一供气部73和第四供气部76形成有7个供气口73a、76a，在第二供气部74和第三供气部75形成有9个供气口74a、75a。但是，供气口73a、74a、75a、76a的数量不限于此。减压干燥单元26具有能够对腔室50内供给气体的多个供气部(第一供气部73～第四供气部76)。
<减压干燥处理>
接着，说明减压干燥单元26中的减压干燥处理。减压干燥处理由控制部6A执行。具体而言，控制部6A如图5所示，包括慢排气处理部6C、主排气处理部6D、慢吹扫处理部6E和主吹扫处理部6F。图5是表示实施方式的控制部6A的构成的一部分的框图。另外，此处说明控制部6A中的执行减压干燥处理的控制部6A的构成，省略执行其他处理等的构成。
慢排气处理部6C用于进行慢排气。慢排气处理部6C为了抑制腔室50内的压力急剧减少，并抑制光致抗蚀剂膜所含的溶剂急剧沸腾，而进行慢排气。具体而言，慢排气处理部6C控制APC阀62的开度，以第一减压速度比较缓慢地进行排气，将腔室50内的压力减压至第一规定压力。第一减压速度是预先设定的减压速度。第一规定压力是预先设定的压力，是比常压低的压力。
主排气处理部6D用于进行主排气。主排气处理部6D使APC阀62的开度大于慢排气中的开度，以第二减压速度进行排气，减压至第二规定压力。第二减压速度是预先设定的速度，是比第一减压速度大的速度。第二规定压力是预先设定的压力，是比第一规定压力低的压力。
慢吹扫处理部6E用于进行第一慢吹扫和第二慢吹扫。具体而言，慢吹扫处理部6E在进行了第一慢吹扫后，进行第二慢吹扫。
首先，慢吹扫处理部6E从配置于矩形的边的第一供气部73～第四供气部76中的位于矩形的2个边的第一供气部73和第二供气部74供给气体，进行第一慢吹扫。换言之，慢吹扫处理部6E从第一供气部73～第四供气部76中的如图6A所示配置成L字状的第一供气部73和第二供气部74将气体供给到腔室50内。图6A是表示由实施方式的减压干燥单元26进行第一慢吹扫时的气体供给的图。
由此，气体从第一供气部73和第二供气部74流向第三供气部75和第四供气部76，能够抑制在基片S上发生气体的滞留。
在慢吹扫开始时，例如在由第一供气部73～第四供气部76供给气体的情况下，在基片S的中央附近发生含溶剂的气体的滞留。因此，中央附近的光致抗蚀剂膜与其他部位的光致抗蚀剂膜相比未干燥。即，基片S的干燥状态发生不均。对这样的基片S进行曝光时，基片S的中央附近成为未曝光的状态，在显影后基片S的中央附近的膜厚与其他部位相比变薄。即在基片S的中央附近膜减少，在基片S中发生处理不均。
实施方式的减压干燥单元26在作为慢吹扫的开始时的第一慢吹扫时，从第一供气部73和第二供气部74供给气体。由此，减压干燥单元26能够抑制在基片S上含溶剂的气体的滞留，能够抑制在基片S中发生处理不均。
另外，慢吹扫处理部6E在进行了规定时间的第一慢吹扫后，如图6B所示，从第三供气部75也供给气体，进行第二慢吹扫。即，慢吹扫处理部6E从第一供气部73～第三供气部75供给气体。图6B是表示由实施方式的减压干燥单元26进行第二慢吹扫时的气体供给的图。
如上所述，控制部6A在使腔室50内回到常压时，从多个供气部(第一供气部73～第四供气部76)中的一个以上的供气部(第一供气部73和第二供气部74)开始供给气体后，增加供给气体的供气部(第一供气部～第三供气部75)的数量。具体而言，控制部6A在使腔室50内回到常压时，从位于矩形的2个边的供气部(第一供气部73和第二供气部74)开始供给气体的、后，增加供给气体的供气部(第一供气部73～第三供气部75)的数量。换言之，控制部6A在使腔室50内回到常压时，从呈L字状配置的2个供气部(第一供气部73和第二供气部74)开始供给气体的、后，增加供给气体的供气部(第一供气部73～第三供气部75)的数量。
主吹扫处理部6F进行主吹扫，使腔室50内的压力回到常压。主吹扫处理部6F使从第四供气部76也供给气体。即，主吹扫处理部6F使从第一供气部73～第四供气部76对腔室50内供给气体。
接着，使用图7说明减压干燥单元26中的减压干燥处理。图7是说明实施方式的减压干燥处理步骤的流程图。
在减压干燥单元26中，利用输送装置30将形成有光致抗蚀剂膜的基片S送入腔室50内(S10)。
输送装置30的输送臂30a形成为齿状，输送装置30如图8A所示，以第二支承部52位于输送臂30a的下方的方式将基片S送入腔室50内。图8A是说明实施方式的减压干燥单元26中的基片输送的图。图8A是表示从对腔室50输送基片S的方向观察到的减压干燥单元26的一部分的图。此外，输送臂30a的规定方向上的长度(尺寸)比第二支承部52的平板部52a的规定方向上的长度(尺寸)短。
当将基片S送入腔室50内时，减压干燥单元26如图8B所示使第一支承部51上升而由第一支承部51的销51b支承基片S的下表面。由此，将基片S从输送臂30a交接到第一支承部51。图8B是说明实施方式的减压干燥单元26中的基片S的交接的图。图8B是表示从对腔室50输送基片S的方向观察到的减压干燥单元26的一部分的图。
在将基片S交接到第一支承部51后，将输送臂30a从腔室50取出时，减压干燥单元26关闭盖部50c，将腔室50内密封。
此外，减压干燥单元26如图8C所示，使第二支承部52上升至销52b不与基片S接触的规定的上升位置。图8C是表示由实施方式的减压干燥单元26进行减压干燥处理时的第一支承部51和第二支承部52的状态的图(其1)。
返回图7，在减压干燥单元26中执行慢排气(S11)。
此外，减压干燥单元26在开始慢排气时，通过使第二支承部52上升并使第一支承部51降下，而如图8D所示由第二支承部52支承基片S。图8D是表示由实施方式的减压干燥单元26进行减压干燥处理时的第一支承部51和第二支承部52的状态的图(其2)。
减压干燥单元26通过使第一支承部51和第二支承部52交替地升降，而由第一支承部51或第二支承部52切换地支承基片S。即，减压干燥单元26利用第一支承部51和第二支承部52交替地支承基片S。
当同一销与基片S接触的时间变长时，销所接触的部位由于与销的热传导而基片S的温度变得高于其他的部位，存在光致抗蚀剂膜的干燥状态发生不均的可能性。
实施方式的减压干燥单元26利用第一支承部51和第二支承部52交替地支承基片S，由此能够抑制光致抗蚀剂膜的干燥状态发生不均。
另外，按预先设定的规定时间进行支承基片S的切换。此外，销不与基片S接触的支承部下降，以使得在基片S与销之间形成规定间隙。规定间隙是预先设定的长度，例如是在上下方向在平板部51a与平板部52a之间不产生间隙的长度。由此，能够抑制在基片S、第一支承部51和第二支承部52之间产生气流的紊乱，仅以抑制光致抗蚀剂膜的干燥状态发生不均。
减压干燥单元26在进行减压干燥处理期间，执行由第一支承部51和第二支承部52支承基片S的切换。即，减压干燥单元26除了对腔室50内进行减压的情况之外，在使腔室50内回到常压时，也执行支承基片S的切换。
回到图7，在减压干燥单元26中，执行主排气(S12)。之后，在减压干燥单元26中，执行第一慢吹扫(S13)，执行第二慢吹扫(S14)。
然后，在减压干燥单元26中，执行主吹扫(S15)，之后，利用输送装置30将基片S从腔室50送出(S16)。
<变形例>
接着，说明本实施方式的变形例。
在变形例的基片处理装置1中，减压干燥单元26的第一供气管71a如图9所示分支为第一分支管71a1和第二分支管71a2。第一分支管71a1与多个供气口73a中的第二供气部74侧的3个第一供气口73b连接。第二分支管71a2与多个供气口73a中的第三供气部75侧的4个第二供气口73c连接。另外，在第二分支管71a2设置有第六开闭阀81。图9是表示实施方式的变形例的减压干燥单元26的概略结构的示意图。
另外，减压干燥单元26的第二供气管71b分支为第一分支管71b1和第二分支管71b2。第一分支管71b1与多个供气口74a中的第一供气部73侧的3个第一供气口74b连接。第二分支管71b2与多个供气口74a中的第四供气部76侧的5个第二供气口74c连接。另外，在第二分支管71b2设置有第七开闭阀82。
慢吹扫处理部6E在进行第一慢吹扫时，如图10A所示，首先，从第一供气部73的第一供气口73b和第二供气部74的第一供气口74b供给气体。图10A是表示由实施方式的变形例的减压干燥单元26进行第一慢吹扫时的气体供给的图(其1)。此外，此时，第六开闭阀81和第七开闭阀82被关闭，不从第一供气部73的第二供气口73c和第二供气部74的第二供气口74c供给气体。
然后，慢吹扫处理部6E打开第六开闭阀81和第七开闭阀82，如图10B所示，从第一供气部73的第二供气口73c和第二供气部74的第二供气口74c也供给气体。图10B是表示由实施方式的变形例的减压干燥单元26进行第一慢吹扫时的气体供给的图(其2)。
如上所述，控制部6A在进行第一慢吹扫时，分别控制多个供气口73a、74a中第一供气口73b、74b进行的气体的供给和第二供气口73c、74c进行的气体的供给。
另外，第一供气口73b、74b的数量和第二供气口73c、74c的数量不限于上述数量。此外，分支的分支管的数量不限于2个，也可以分支为3个以上。此外，减压干燥单元26能够分别控制各供气口73a、74a进行的气体的供给。此外，减压干燥单元26能够分别控制第三供气部75的各供气口75a、第四供气部76的各供气口76a进行的气体的供给。
此外，变形例的基片处理装置1也可以使供气口73a、74a、75a、76a形成为狭缝状。
此外，也可以为变形例的基片处理装置1在第一慢吹扫中在开始从第三供气部75和第四供气部76供气后，从第一供气部73或者第二供气部74也进行供气。
此外，也可以为变形例的基片处理装置1在第一慢吹扫中例如在开始从第一供气部73、第二供气部74和第三供气部75进行供气后，从第四供气部76也进行供气。
即，控制部6A在使腔室50内回到常压时，在从位于矩形的2个边或者3个边的供气部开始供给气体后，增加供给气体的供气部的数量。
此外，也可以为变形例的基片处理装置1改变第二开闭阀77～第七开闭阀82，设置流量控制阀，而控制气体的流量。
另外，在上述实施方式中，以使形成有光致抗蚀剂膜的基片S减压干燥的处理作为一例进行了说明，但是不限于此。例如，也可以在使形成有有机材料膜的基片S减压干燥的处理中应用上述的处理。
<效果>
基片处理装置1包括：腔室50，其用于收纳基片S，能够在减压气氛下在内部保持基片S；对腔室50内供给气体的多个供气部(一例为第一供气部73～第四供气部76)；和分别控制多个供气部(一例为第一供气部73～第四供气部76)进行的气体的供给的控制部6A。控制部6A在使腔室50内回到常压时，从多个供气部中的一个以上的供气部(一例为第一供气部73和第二供气部74)开始供给气体后，增加供给气体的供气部(一例为第一供气部73～第三供气部75)的数量。
换言之，基片处理方法包括：当使在减压气氛下收纳有基片S的腔室50内回到常压时，开始从多个供气部(一例为第一供气部73～第四供气部76)中的一个以上的供气部(一例为第一供气部73和第二供气部74)对腔室50内供给气体的步骤；和在开始供给气体后，增加供给气体的供气部(一例为第一供气部73～第三供气部75)的数量的步骤。
由此，基片处理装置1例如能够抑制含溶剂的气体的滞留，能够抑制光致抗蚀剂膜的干燥状态发生不均。因此，基片处理装置1例如在之后将基片S曝光、显影的情况下，能够降低因光致抗蚀剂膜的干燥状态不均而导致的膜厚的减少量，能够抑制发生膜减少的情况。即，基片处理装置1能够抑制在基片S发生处理不均。此外，基片处理装置1能够抑制第一慢吹扫中的处理时间变长。
多个供气部(一例为第一供气部73～第四供气部76)沿矩形的各边配置。此外，控制部6A在使腔室50内回到常压时，开始从位于矩形的2个边或者3个边的供气部(一例为第一供气部73、第二供气部74，或者一例为第一供气部73、第二供气部74和第三供气部75)气供给体后，增加供给气体的供气部(一例为第一供气部73～第三供气部75，或者一例为第一供气部73～第四供气部76)的数量。
例如，控制部6A在使腔室50内回到常压时，开始从呈L字状配置的2个供气部(一例为第一供气部73、第二供气部74)供给气体后，增加供给气体的供气部(一例为第一供气部73～第三供气部75)的数量。
由此，基片处理装置1在进行第一慢吹扫时，能够使气体从呈L字状配置的2个第一供气部73和第二供气部74流向第三供气部75和第四供气部76。因此，基片处理装置1例如能够抑制含溶剂的气体在基片S的中央附近滞留，能够抑制光致抗蚀剂膜的干燥状态发生不均。
供气部(一例为第一供气部73、第二供气部74)包括多个供气口73a、74a。控制部6A分别控制多个供气口73a、74a中第一供气口73b、74b进行的气体的供给和第二供气口73c、74c进行的气体的供给。
由此，基片处理装置1在进行第一慢吹扫时，例如能够抑制含溶剂的气体的滞留，能够抑制光致抗蚀剂膜的干燥状态发生不均。
基片处理装置1包括：第一支承部51，其在规定方向排列地配置，能够在腔室50内支承基片S；和第二支承部52，其配置在第一支承部51之间，能够在腔室50内支承基片S，第一支承部51和第二支承部能够52交替地升降，以交替地支承基片S。
由此，基片处理装置1抑制由相同的支承部长时间地支承基片S，能够抑制销所抵接的部位与其他部位之间产生温度差。因此，基片处理装置1能够抑制例如光致抗蚀剂膜的干燥状态发生不均。
另外，本发明的实施方式在所有方面均是例示，不应认为是限制。实际上，上述的实施方式能够以多种方式具体实现。此外，上述的实施方式在不脱离所附的权利要求的范围及其主旨的情况下，可以以各种方式省略、置换、改变。

Claims (6)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
腔室，其用于收纳基片，并能够在减压气氛下在内部保持基片；
用于对所述腔室内供给气体的多个供气部；和
控制部，其分别控制所述多个供气部进行的所述气体的供给，
所述控制部在使所述腔室内回到常压时，开始从所述多个供气部中的一个以上的供气部供给所述气体后，增加供给所述气体的所述供气部的数量。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述多个供气部沿矩形的各边配置，
所述控制部在使所述腔室内回到所述常压时，开始从位于所述矩形的2个边或者3个边的所述供气部供给所述气体后，增加供给所述气体的所述供气部的数量。
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部在使所述腔室内回到所述常压时，开始从呈L字状配置的2个所述供气部供给所述气体后，增加供给所述气体的所述供气部的数量。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述供气部包括多个供气口，
所述控制部分别控制所述多个供气口中第一供气口进行的所述气体的供给和第二供气口进行的所述气体的供给。
5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，包括：
第一支承部，其在规定方向排列地配置，能够在所述腔室内支承所述基片；和
第二支承部，其配置在所述第一支承部之间，能够在所述腔室内支承所述基片，
所述第一支承部和所述第二支承部能够交替地升降，以交替地支承所述基片。
6.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
当使在减压气氛下收纳有基片的腔室内回到常压时，开始从多个供气部中的一个以上的所述供气部对所述腔室内供给气体的步骤；和
在开始供给所述气体后，增加供给所述气体的所述供气部的数量的步骤。
CN201910395773.7A 2018-05-16 2019-05-13 基片处理装置和基片处理方法 Pending CN110504189A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-094680 2018-05-16
JP2018094680A JP7058549B2 (ja) 2018-05-16 2018-05-16 基板処理装置および基板処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110504189A true CN110504189A (zh) 2019-11-26

Family

ID=68585682

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910395773.7A Pending CN110504189A (zh) 2018-05-16 2019-05-13 基片处理装置和基片处理方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7058549B2 (zh)
KR (1) KR20190131425A (zh)
CN (1) CN110504189A (zh)
TW (1) TWI797325B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115532558A (zh) * 2021-06-30 2022-12-30 株式会社斯库林集团 减压干燥装置及减压干燥方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002319568A (ja) * 1991-04-04 2002-10-31 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2003163159A (ja) * 2001-11-29 2003-06-06 Nikon Corp パージガスの供給方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法
JP2007226128A (ja) * 2006-02-27 2007-09-06 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタ製造用ホットプレート及びカラーフィルタ製造方法
JP2011064400A (ja) * 2009-09-17 2011-03-31 Tokyo Electron Ltd 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法
JP2013026474A (ja) * 2011-07-21 2013-02-04 Canon Inc インプリントシステム及び物品の製造方法
CN103903959A (zh) * 2012-12-26 2014-07-02 大日本网屏制造株式会社 减压干燥装置以及减压干燥方法
JP2017112237A (ja) * 2015-12-17 2017-06-22 株式会社ディスコ 減圧処理装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3977364B2 (ja) 2004-09-03 2007-09-19 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
US20110200742A1 (en) 2008-10-16 2011-08-18 Sharp Kabushiki Kaisha Drying method and drying device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002319568A (ja) * 1991-04-04 2002-10-31 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2003163159A (ja) * 2001-11-29 2003-06-06 Nikon Corp パージガスの供給方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法
JP2007226128A (ja) * 2006-02-27 2007-09-06 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタ製造用ホットプレート及びカラーフィルタ製造方法
JP2011064400A (ja) * 2009-09-17 2011-03-31 Tokyo Electron Ltd 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法
JP2013026474A (ja) * 2011-07-21 2013-02-04 Canon Inc インプリントシステム及び物品の製造方法
CN103903959A (zh) * 2012-12-26 2014-07-02 大日本网屏制造株式会社 减压干燥装置以及减压干燥方法
JP2017112237A (ja) * 2015-12-17 2017-06-22 株式会社ディスコ 減圧処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115532558A (zh) * 2021-06-30 2022-12-30 株式会社斯库林集团 减压干燥装置及减压干燥方法
CN115532558B (zh) * 2021-06-30 2023-12-01 株式会社斯库林集团 减压干燥装置及减压干燥方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190131425A (ko) 2019-11-26
JP2019201104A (ja) 2019-11-21
TW201947688A (zh) 2019-12-16
JP7058549B2 (ja) 2022-04-22
TWI797325B (zh) 2023-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6017922B2 (ja) 基板乾燥方法、液処理システムおよび記憶媒体
JP5099054B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP4684858B2 (ja) リンス処理方法、現像処理方法、現像処理装置、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP5067432B2 (ja) 塗布、現像装置、現像方法及び記憶媒体
US20120086142A1 (en) Imprint system, imprint method, and non-transitory computer storage medium
JP5003773B2 (ja) 現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP5827939B2 (ja) 成膜方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び成膜装置
JP2021122058A (ja) 基板処理方法
KR101339567B1 (ko) 도포ㆍ현상 장치, 패턴 형성 방법 및 컴퓨터 판독 가능한기억 매체
JP2000150333A (ja) 基板熱処理装置
CN110504189A (zh) 基片处理装置和基片处理方法
JP4624936B2 (ja) 基板の処理方法及びプログラム
JP7186605B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7142566B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI791113B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TW201911395A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP2020035884A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2003156858A (ja) 基板処理方法及び基板処理システム
JP2005322873A (ja) 塗布膜形成装置
JP2000292935A (ja) 現像方法
US11940734B2 (en) Apparatus and method for treating substrate
US20080199617A1 (en) Substrate processing method, substrate processing system, and storage medium
KR102567503B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP7143465B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5065121B2 (ja) レジスト液供給装置、レジスト液供給方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination