CN115532558A - 减压干燥装置及减压干燥方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种减压干燥装置及减压干燥方法，能够厚度均匀地对形成于基板上表面的涂敷层进行干燥。该减压干燥装置在驱动减压机构而使腔室内的压力降低至预定的目标压力值来对涂敷层进行干燥的减压干燥处理的过程中，暂时使减压机构停止并驱动供气机构来向所述腔室内供给气体。由此，能够使涂敷层内涂敷液的粘度均匀化，或者能够在因进行干燥而流动性降低的涂敷液中引起回流。其结果，能够抑制涂敷层的厚度的偏差，并能够更加均匀地进行干燥。

Description

减压干燥装置及减压干燥方法

技术领域

本发明涉及一种通过减压对形成于基板上表面的涂敷层进行干燥的减压干燥装置及减压干燥方法。

背景技术

以往，在有机EL显示器的制造工艺中，要在基板的上表面上形成构成空穴注入层、空穴传输层或发光层的涂敷层。通过喷墨装置在基板的上表面上局部地涂敷涂敷层。然后，将已形成涂敷层的基板送入减压干燥装置的腔室内，进行减压干燥处理。由此，涂敷层所包含的溶剂气化，从而对涂敷层进行干燥。

减压干燥装置具备收纳基板的腔室、从腔室吸引气体的减压机构。关于以往的减压干燥装置，例如，记载于专利文献1中。

专利文献1：日本特开2011-86389号公报

专利文献1记载了下述问题：在对形成于基板上的挡墙(bank)内所填充的涂敷液进行减压干燥时，挡墙内容易形成不均匀的膜厚。除此之外，在对涂敷于基板上的涂敷液进行干燥时，还会产生因基板中央部的干燥不良、基板边缘部的膜厚异常等，而无法均匀地形成涂敷层的问题。

发明内容

鉴于上述情况提出本发明，其目的在于，提供一种能够厚度均匀地对形成于基板上表面的涂敷层进行干燥的减压干燥装置及减压干燥方法。

为解决上述课题，本申请的第一发明是一种减压干燥装置，通过减压对在基板的表面上形成的包含溶剂的涂敷层进行干燥，其中，所述减压干燥装置具有：腔室，收纳基板；减压机构，吸引所述腔室内的气体；供气机构，向所述腔室内供给气体；控制部，控制所述减压机构和所述供气机构，所述控制部在驱动所述减压机构而所述腔室内的压力下降至预定的目标压力值来对所述涂敷层进行干燥的减压干燥处理的过程中，暂时使所述减压机构停止并驱动所述供气机构来向所述腔室内供给气体。

本申请的第二发明是根据第一发明所述的减压干燥装置，其中，所述控制部在使所述腔室内的压力下降至预定的目标压力值来对所述涂敷层进行干燥的减压干燥处理的过程中，执行：减压工序(p)，驱动所述减压机构，以预定的减压速度吸引所述腔室内的气体；供气工序(q)，在所述减压工序(p)之后，驱动所述供气机构，向所述腔室内供给气体；减压工序(r)，在所述供气工序(q)之后，驱动所述减压机构，以所述减压速度吸引所述腔室内的气体。

本申请的第三发明是根据第二发明所述的减压干燥装置，其中，所述控制部在所述减压干燥处理中执行：第一处理(a)，以预定的第一减压速度吸引所述腔室内的气体；第二处理(b)，在所述第一处理(a)之后，以大于所述第一减压速度的第二减压速度吸引所述腔室内的气体；第三处理(c)，在所述第二处理(b)之后，以小于所述第二减压速度的第三减压速度，或者，以所述腔室内的压力恒定的方式，吸引所述腔室内的气体，所述控制部在所述第一处理(a)、所述第二处理(b)和所述第三处理(c)中的至少一个处理中，执行所述减压工序(p)、所述供气工序(q)和所述减压工序(r)。

本申请的第四发明是根据第三发明所述的减压干燥装置，其中，所述控制部在至少所述第一处理(a)中，执行所述减压工序(p)、所述供气工序(q)和所述减压工序(r)，在所述第一处理(a)的所述减压工序(p)和所述减压工序(r)中，减压速度是所述第一减压速度。

本申请的第五发明是根据第三发明所述的减压干燥装置，其中，所述控制部在所述第一处理(a)和所述第二处理(b)中分别执行所述减压工序(p)、所述供气工序(q)和所述减压工序(r)，在所述第一处理(a)的所述减压工序(p)和所述减压工序(r)中，减压速度是所述第一减压速度，在所述第二处理(b)的所述减压工序(p)和所述减压工序(r)中，减压速度是所述第二减压速度。

本申请的第六发明是一种减压干燥方法，通过降低腔室内的压力的减压干燥处理，对在基板的上表面形成的包含溶剂的涂敷层进行干燥，其中，所述减压干燥方法包括：减压工序(P)，以预定的减压速度吸引所述腔室内的气体；供气工序(Q)，在所述减压工序(P)之后，向所述腔室内供给气体；减压工序(R)，在所述供气工序(Q)之后，以所述减压速度吸引所述腔室内的气体。

本申请的第七发明是根据第六发明所述的减压干燥方法，其中，所述减压干燥处理包括：第一处理(A)，以预定的第一减压速度吸引所述腔室内的气体；第二处理(B)，在所述第一处理(A)之后，以大于所述第一减压速度的第二减压速度吸引所述腔室内的气体；第三处理(C)，在所述第二处理(B)之后，以小于所述第二减压速度的第三减压速度，或者，以所述腔室内的压力恒定的方式，吸引所述腔室内的气体，所述第一处理(A)、所述第二处理(B)和所述第三处理(C)中的至少一个处理包括所述减压工序(P)、所述供气工序(Q)和所述减压工序(R)。

本申请的第八发明是根据第七发明所述的减压干燥方法，其中，至少所述第一处理(A)包括所述减压工序(P)、所述供气工序(Q)和所述减压工序(R)，在所述第一处理(A)的所述减压工序(P)和所述减压工序(R)中，减压速度是所述第一减压速度。

本申请的第九发明是根据第七发明所述的减压干燥方法，其中，所述第一处理(A)和所述第二处理(B)分别包括所述减压工序(P)、所述供气工序(Q)和所述减压工序(R)，在所述第一处理(A)的所述减压工序(P)和所述减压工序(R)中，减压速度是所述第一减压速度，所述第二处理(B)的所述减压工序(P)和所述减压工序(R)中，减压速度是所述第二减压速度。

根据本申请的第一至第九发明，能够实现涂敷层内涂敷液的粘度的均匀化，或者，能够在因进行干燥而流动性降低的涂敷液中引起回流。其结果，能够抑制涂敷层的厚度的偏差，更加均匀地干燥涂敷层。

尤其，根据本申请的第四发明和第八发明，在作为减压干燥处理的初期处理的第一处理的过程中执行供气工序，从而，能够在涂敷液中的溶剂气化前使涂敷液的粘度及流动性均匀化。由此，能够进一步抑制涂敷层的厚度的偏差，更加均匀地干燥涂敷层。

尤其，根据本申请的第五发明和第九发明，在涂敷液的溶剂气化最为活跃的第三处理之前的第一处理和第二处理二者中执行供气工序，从而，能够进一步抑制涂敷层的厚度的偏差，更加均匀地干燥涂敷层。

附图说明

图1是减压干燥装置的纵向剖视图。

图2是减压干燥装置的横向剖视图。

图3是基板的立体图。

图4是表示减压干燥处理的流程的流程图。

图5是表示以往的减压干燥处理的腔室内的气压变化技术参数的图。

图6是表示工作台配置于上升位置时腔室内的情况的图。

图7是表示工作台配置于下降位置时腔室内的情况的图。

图8是表示第一实施方式的减压干燥处理中腔室内的气压变化技术参数的图。

图9是表示第一实施方式的第一处理的流程的流程图。

图10是表示第二实施方式的减压干燥处理中腔室内的气压变化技术参数的图。

图11是表示第二实施方式的第一处理的流程的流程图。

图12是表示第三实施方式的减压干燥处理中腔室内的气压变化技术参数的图。

图13是表示第三实施方式的第一处理的流程的流程图。

图14是表示第四实施方式的减压干燥处理中腔室内的气压变化技术参数的图。

图15是表示第四实施方式的第一处理的流程的流程图。

图16是表示第五实施方式的减压干燥处理中腔室内的气压变化技术参数的图。

图17是表示第五实施方式的第一处理和第二处理的流程的流程图。

图18是表示第六实施方式的减压干燥处理中腔室内的气压变化技术参数的图。

图19是表示第六实施方式的第一处理和第二处理的流程的流程图。

图20是表示第七实施方式的减压干燥处理中腔室内的气压变化技术参数的图。

图21是表示第七实施方式的第一处理和第二处理的流程的流程图。

图22是表示第八实施方式的减压干燥处理中腔室内的气压变化技术参数的图。

图23是表示第八实施方式的第一处理和第二处理的流程的流程图。

附图标记说明

1减压干燥装置

9基板

10腔室

30减压机构

60供气机构

80控制部

S1第一减压速度

S2第二减压速度

S3第三减压速度

具体实施方式

下面，参考附图对本发明的实施方式进行说明。

＜1.关于减压干燥装置的构成＞

图1是本发明一实施方式的减压干燥装置1的纵向剖视图。图2是减压干燥装置1的横向剖视图。该减压干燥装置1是一种在有机EL显示器的制造工艺中对基板9进行减压干燥处理的装置。基板9使用矩形的玻璃基板。在基板9的上表面上，预先局部地形成包含有机材料和溶剂的涂敷层。通过使用减压干燥装置1进行干燥，涂敷层形成为有机EL显示器的空穴注入层、空穴传输层或发光层。

图3是基板9的立体图。基板9是俯视时纵横长度不同的长方形。如图3所示，在基板9的上表面上，排列有多个用于形成有机EL显示器的电路图案的电路区域A1。在图3的示例中，在基板9的上表面上，四个矩形电路区域A1排列成两排两列的矩阵状。但电路区域A1的形状、数量、配置并不限于此示例。在早于减压干燥工序执行的涂敷工序中，通过喷墨装置，根据电路图案，在各电路区域A1内形成涂敷层。因此，各电路区域A1包括涂敷层所覆盖的部分和露出于涂敷层的部分。另外，相邻的电路区域A1之间的边界区域A2是露出于涂敷层的部分。

如图1和图2所示，减压干燥装置1具有腔室10、工作台20、减压机构30、底面气流调节板40、侧面气流调节板50、供气机构60、压力计70和控制部80。

腔室10是一个耐压容器，具有收纳基板9的内部空间。腔室10固定在省略图示的装置架上。腔室10呈扁平的长方体状。腔室10具有大致正方形的底板部11、四个侧壁部12和大致正方形的顶面部13。四个侧壁部12在上下方向上连结底板部11的四个端边与顶面部13的四个端边。

在四个侧壁部12中的一个上，设置有搬入搬出口14和用于打开关闭搬入搬出口14的闸门15。闸门15与由气缸等构成的闸门驱动机构16相连接。若使闸门驱动机构16动作，则闸门15在关闭搬入搬出口14的关闭位置与打开搬入搬出口14的打开位置之间移动。在闸门15配置于关闭位置的状态下，腔室10的内部空间被封闭。在闸门15配置于打开位置的状态下，能够经由搬入搬出口14，向腔室10搬入基板9，并从腔室10搬出基板9。

工作台20位于腔室10内部，是支撑基板9的支撑部。工作台20具有多个支撑板21。多个支撑板21在水平方向上间隔排列。在各支撑板21的上表面上立起设置多个支撑销22。基板9配置在多个支撑板21的上方。并且，多个支撑销22的上端部与基板9的下表面相接触，从而，将基板9以水平姿势支撑。

工作台20的多个支撑板21与升降机构23相连接。为避免附图的复杂化，图1概念性地示出了升降机构23，但实际上，升降机构23由气缸等致动器构成。若使升降机构23动作，则工作台20在下降位置H1(图1中实线所示位置)与高于下降位置H1的上升位置H2(图1中双点划线所示位置)之间沿上下方向升降移动。此时，多个支撑板21一体升降移动。

减压机构30是从腔室10的内部空间吸引气体以降低腔室10内压力的机构。如图1和图2所示，在腔室10的底板部11上设置有四个排气口161。四个排气口161分别位于由工作台20支撑的基板9的下方且后述底面气流调节板40的下方。减压机构30具有与四个排气口161相连接的排气管31、四个独立阀V1、主阀V2、真空泵32。

排气管31具有四个独立配管311和一个主管312。四个独立配管311的一端分别与四个排气口161的任一个相连接。四个独立配管311的另一端汇合成一根，以与主管312的一端相连接。主管312的另一端与真空泵32相连接。四个独立阀V1分别设置在四个独立配管311的管路上。主阀V2设置在主管312的管路上。

若通过闸门15关闭搬入搬出口14，在此状态下，打开四个独立阀V1中的至少一部分并打开一个主阀V2，使真空泵32动作，则腔室10内的气体流经排气管31向腔室10外部排出。由此，能够降低腔室10的内部空间的压力。

四个独立阀V1是用于对四个排气口161的排气量进行个别调整的阀。本实施方式的独立阀V1是根据控制部80的指令切换打开状态与关闭状态的开闭阀。主阀V2是用于调整四个排气口161的总排气量的阀。本实施方式的主阀V2是能够根据控制部80的指令调整开度的开度控制阀。

底面气流调节板40是用于对腔室10内减压时的气体的气流进行限制的板。如图2所示，俯视时，底面气流调节板40大于基板9。底面气流调节板40在由工作台20支撑的基板9与腔室10的底板部11之间水平扩展。底面气流调节板40通过多个支柱(省略图示)固定于腔室10的底板部11。

侧面气流调节板50是用于与底面气流调节板40一起对腔室10内减压时的气体的气流进行限制的板。侧面气流调节板50位于由处于下降位置H1的工作台20支撑的基板9与腔室10的侧壁部12之间。在本实施方式中，在处于下降位置H1的工作台20所支撑的基板9的四周，配置有四个侧面气流调节板50。四个侧面气流调节板50作为整体，形成包围基板9的方筒状的气流调节板。另外，底面气流调节板40和四个侧面气流调节板50作为整体，形成有底筒状的箱状气流调节板。三个侧面气流调节板50固定在腔室10的侧壁部12上。剩余一个侧面气流调节板50与闸门15一起移动。

对腔室10的内部空间进行减压时，腔室10内的气体流经侧面气流调节板50与侧壁部12之间的空间、底面气流调节板40与底板部11之间的空间，从排气口161向腔室10外部排出。如此，气体在远离基板9的空间流动，从而，能够减少在基板9附近形成的气流。其结果，能够抑制基板9的上表面所形成的涂敷层的干燥不均。

供气机构60是用于向腔室10内供给气体并使减压后的腔室10内的压力上升的机构。如图1所示，在腔室10的底板部11设置有供气口162。供气口162位于底面气流调节板40的下方。供气机构60具有与供气口162相连接的供气管61、供气阀V3、供气源62。供气管61的一端与供气口162相连接。供气管61的另一端与供气源62相连接。供气阀V3设置在供气管61的管路上。

若打开供气阀V3，则气体从供气源62流经供气管61和供气口162供给至腔室10的内部空间。由此，能够使腔室10内的气压上升。此外，由供气源62供给的气体可以是氮气等非活性气体，也可以是清洁干燥空气。

压力计70是测量腔室10内气压的传感器。如图1所示，压力计70安装于腔室10的一部分。压力计70测量腔室10内的气压并将该测量结果输出给控制部80。

控制部80是用于对减压干燥装置1的各部分的动作进行控制的单元。即，控制部80控制减压机构30和供气机构60。控制部80由具有CPU等处理器801、RAM等存储器802以及硬盘驱动器等存储部803的计算机构成。存储部803中存储有用于执行减压干燥处理的计算机程序和各种数据。控制部80从存储部803向存储器802读取计算机程序和各种数据，处理器801根据该计算机程序和数据进行计算处理，从而，控制减压干燥装置1内各部分的动作。

＜2.关于以往的减压干燥处理＞

接着，对使用上述减压干燥装置1的基板9的减压干燥处理进行说明。首先，参照图4和图5对使用以往的技术参数的减压干燥处理的流程进行说明。需要说明的是，所谓技术参数，是表示在减压干燥处理中实现何种气压变化的参数。图4是表示减压干燥处理的流程的流程图。图5是表示以往的减压干燥处理的腔室10内的气压变化技术参数的图。此外，图5的纵轴是对数轴。

当进行减压干燥处理时，首先，将基板9搬入腔室10内(步骤ST1)。在基板9的上表面上形成未干燥的涂敷层。控制部80使闸门15动作，打开搬入搬出口14。并且，省略了图示的搬送机械手经由搬入搬出口14向腔室10的内部搬入基板9。随后，控制部80使闸门15动作，关闭搬入搬出口14。由此，在腔室10的内部空间收纳基板9。此时，工作台20配置于下降位置H1。

接着，减压干燥装置1使工作台20上升(步骤ST2)。具体而言，控制部80使升降机构23动作，从而，使工作台20从下降位置H1向上升位置H2移动。图6是表示工作台20配置于上升位置H2时腔室10内的情况的图。如图6所示，在步骤ST2中，基板9配置在侧面气流调节板50的上端部的上方。

接着，开始对腔室10内减压。即，控制部80使真空泵32开始动作，打开一部分或全部独立阀V1并打开主阀V2。由此，开始从腔室10向排气管31排出气体。在之后的减压干燥处理中，控制部80根据如图5所示的技术参数进行控制，以期望的减压速度进行减压。

首先，减压干燥装置1执行第一处理(步骤ST3)，即，以比较缓慢的第一减压速度S1对腔室10的内部空间进行减压。在步骤ST3中，如上所述，工作台20配置于上升位置H2。因此，腔室10内的气体如图6中虚线箭头所示那样，从基板9下方的空间，流经侧面气流调节板50与侧壁部12之间空间以及底面气流调节板40与底板部11之间的空间，由排气口161流向排气管31。因此，腔室10内形成的气流不易对基板9的上表面产生影响。

此外，为了以按照气压变化技术参数的减压速度从腔室10内排气，可以参照压力计70的测定值来进行反馈控制。另外，可以根据经验获得能够实现期望的减压速度的独立阀V1和主阀V2的开度，并使用该开度来进行减压处理。

然后，减压干燥装置1使工作台20下降(步骤ST4)。具体而言，控制部80使升降机构23动作，并使工作台20从上升位置H2向下降位置H1移动。图7是表示工作台20配置于下降位置H1时腔室10内的情况的图。如图7所示，在步骤ST4中，基板9配置在侧面气流调节板50的上端部的下方的位置。

接着，减压干燥装置1执行第二处理(步骤ST5)，即，以大于第一处理的第二减压速度S2进行减压。在该第二处理中，变更主阀V2的开度，使其大于第一处理的开度。由此，如图5的时间段T2所示，与时间段T1相比，腔室10内的气压急剧降低。

在第二处理中，如上所述，工作台20配置于下降位置H1。相较于第一处理，在第二处理中，溶剂活跃地从涂敷层气化。因此，在基板9的上表面侧，易于产生溶剂的蒸气。如图7中虚线箭头所示，基板9的上表面侧的空间中所存在的气体，流经侧面气流调节板50与侧壁部12之间的空间以及底面气流调节板40与底板部11之间的空间，由排气口161流向排气管31。由此，能够抑制基板9附近强气流的产生。尤其，能够抑制气流在基板9的周边部的集中。因此，能够抑制气流造成的涂敷层的干燥不均。

若腔室10的内部空间的气压降低至预定的压力P2，则涂敷层的溶剂气化变得更加活跃。因此，在接下来的第三处理(步骤ST6)中，为了抑制涂敷层的沸腾，再次减缓减压速度，如图5的时间段T3所示，以小于第二处理中的第二减压速度S2的第三减压速度S3继续从腔室10内排气。

此外，因涂敷液的种类不同，在第三处理中，可以以使腔室10内的压力大致恒定的方式从腔室10内排气。

不久，涂敷层的溶剂成分充分气化，若腔室10内的气压降至压力P3左右，则溶剂从涂敷层的气化基本结束。于是，如图5的时间段T4那样，腔室10内的气压再次急剧降低。如此，减压干燥装置1执行第四处理(步骤ST7)，即，再次对腔室10的内部空间进行减压。图5中，用第四减压速度S4来表示第四处理中的减压速度。

在该第四处理中，虽然残存于涂敷层中的少量的溶剂成分气化，但与上述第一处理至第三处理相比，溶剂成分的气化不活跃。因此，控制部80打开全部的四个独立阀V1和主阀V2。由此，促进从腔室10的排气，将腔室10的内部空间急速减压至目标压力P4。

若腔室10内的气压达到目标压力P4，则控制部80关闭主阀V2。由此，结束从腔室10吸引气体，完成涂敷层的干燥。

随后，控制部80打开供气阀V3。于是，气体从供气源62流经供气管61和供气口162向腔室10内部供给(步骤ST8)。由此，腔室10内的气压再次上升至大气压P0。此时，腔室10内虽然产生较强气流，但因为涂敷层已经充分完成干燥，所以，不易发生因气流导致的干燥不均。另外，从供气口162供给的气体流经底面气流调节板40与底板部11之间的空间以及侧面气流调节板50与侧壁部12之间的空间，从而流向腔室10内侧。由此，能够抑制基板9附近强气流的产生。

若腔室10内的气压达到大气压P0，则控制部80关闭供气阀V3。并且，控制部80使闸门驱动机构16动作。由此，使闸门15从关闭位置向打开位置移动，打开搬入搬出口14。并且，省略图示的搬送机械手将工作台20所支撑的干燥完毕的基板9向腔室10外部搬出(步骤ST9)。由此，完成对一张基板9的减压干燥处理。

此外，在该减压干燥装置1中，在第一处理至第三处理中，可以执行切换处理，即，顺序切换四个独立阀V1的打开关闭状态。如此一来，在第一处理至第三处理的各处理之间，顺序切换四个排气口161的排气量。由此，沿基板9的上表面形成的气流的方向发生变化。因此，能够更加均匀地对基板9的上表面的涂敷层进行干燥。

＜3.第一实施方式＞

接着，参照图8和图9，对第一实施方式的减压干燥处理中的气压变化进行说明。图8是表示第一实施方式的减压干燥处理中腔室10内的气压变化技术参数的图。图9是表示第一实施方式的减压干燥处理的第一处理的流程的流程图。

第一实施方式的减压干燥处理与上述以往的减压干燥处理的第一处理即步骤ST3不同。此外，其他步骤与上述以往的减压干燥处理相同，故省略说明。

在第一实施方式的第一处理(步骤ST3a)中，如图8所示，在执行第一处理的时间段T1内，在腔室10内的气压从大气压减压至该时间段的目标压力P1的过程中，执行两次升压工序(供气工序)。

具体而言，如图9所示，在第一处理(步骤ST3a)中，控制部80首先打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始从气压为大气压P0的腔室10内排气。然后，以第一减压速度S1使腔室10内的压力减压至预定的压力Pa(步骤ST31a)。需要说明的是，压力Pa低于大气压P0且高于第一处理的目标压力P1。

若腔室10内的压力达到预定的压力Pa，则控制部80关闭主阀V2，停止对腔室10内减压。然后，控制部80打开供气阀V3，从供气源62向腔室10内供给气体(步骤ST32a)。在该步骤ST32a中，供给气体直至腔室10内的气压变为大气压P0。

若腔室10内的气压达到大气压P0，则控制部80关闭供气阀V3，停止向腔室10供气。然后，再次打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始对气压为大气压P0的腔室10进行排气。并且，以第一减压速度S1使腔室10内的压力减压至预定的压力Pa(步骤ST33a)。

若腔室10内的压力达到预定的压力Pa，则控制部80关闭主阀V2，停止对腔室10内减压。然后，控制部80打开供气阀V3，从供气源62向腔室10内供给气体(步骤ST34a)。在该步骤ST34a中，供给气体直至腔室10内的气压再次变为大气压P0。

然后，若腔室10内的气压再次达到大气压P0，则控制部80停止向腔室10供气。然后，打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始对气压为大气压P0的腔室10进行排气。并且，以第一减压速度S1使腔室10内的压力减压至第一处理的目标压力P1(步骤ST35a)。

如此，在第一实施方式的第一处理(步骤ST3a)过程中，即，在控制部80驱动减压机构30，使腔室10内的压力降至预定的目标压力P1，从而对涂敷层进行干燥的减压干燥处理的过程中，执行暂时使减压机构30停止并驱动供气机构60以向腔室内供给气体的供给工序(步骤ST32a、ST34a)。即，在第一实施方式的第一处理(步骤ST3a)中，执行以第一减压速度S1进行的减压工序、供气工序、然后再次执行减压工序。

在减压处理过程中执行供气工序，有意地升压，从而，阻止溶剂从涂敷层气化。另外，因条件不同，从涂敷层气化的溶剂的一部分的会暂时在涂敷层的表面凝结。由此，能够使涂敷层内的涂敷液的粘度均匀化，或者，能够在因干燥的进行而流动性降低了的涂敷液中引起回流。其结果，能够抑制涂敷层的厚度的偏差，更均匀地干燥涂敷层。

尤其，在作为减压干燥处理的早期工序的第一处理的过程中执行供气工序，从而，能够在涂敷液中的溶剂气化前使涂敷液的粘度及流动性均匀化。由此，能够更好地抑制涂敷层的厚度的偏差，更加均匀地干燥涂敷层。

此外，在第一实施方式中，是在进行一定程度减压处理的减压工序(步骤ST31a、ST33a)之后，执行两次进行供气的供气工序(步骤ST32a、ST34a)，但供气工序的次数并不限于两次。这样的供气工序的次数可以是一次，也可以是三次以上。

＜4.第二实施方式＞

参考图10和图11，对第二实施方式的减压干燥处理中的气压变化进行说明。图10是表示第二实施方式的减压干燥处理中腔室10内的气压变化技术参数的图。图11是表示第二实施方式的减压干燥处理中的第一处理的流程的流程图。

如图10所示，与第一实施方式相同地，第二实施方式在第一处理中执行两次供气工序，其与第一实施方式的区别在于，供气开始前腔室10内的压力不同。

如图10所示，在第二实施方式的第一处理(步骤ST3b)中，在执行第一处理的时间段T1内，在将腔室10内的气压从大气压减压至该时间段的目标压力P1的过程中，执行两次升压工序(供气工序)。

具体而言，如图11所示，在第一处理(步骤ST3b)中，控制部80首先打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始从气压为大气压P0的腔室10排气。并且，以第一减压速度S1使腔室10内的压力减压至预定的压力Pb(步骤ST31b)。需要说明的是，压力Pb低于大气压P0且高于第一处理的目标压力P1。

若腔室10内的压力达到预定的压力Pb，则控制部80关闭主阀V2，停止对腔室10内减压。接着，控制部80打开供气阀V3，从供气源62向腔室10内供给气体(步骤ST32b)。在该步骤ST32b中，供给气体直至腔室10内的气压变为大气压P0。

若腔室10内的气压达到大气压P0，则控制部80关闭供气阀V3，停止向腔室10供气。然后，再次打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始从气压为大气压P0的腔室10排气。并且，以第一减压速度S1使腔室10内的压力减压至预定的压力Pc(步骤ST33b)。需要说明的是，压力Pc低于压力Pb且高于第一处理的目标压力P1。

若腔室10内的压力达到预定的压力Pc，则控制部80关闭主阀V2，停止对腔室10内减压。接着，控制部80打开供气阀V3，从供气源62向腔室10内供给气体(步骤ST34a)。在该步骤ST34a中，供给气体直至腔室10内的气压再次变为大气压P0。

然后，若腔室10内的气压再次达到大气压P0，则控制部80停止向腔室10供气。然后，打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始从大气压P0的腔室10排气。并且，以第一减压速度S1使腔室10内的压力减压至第一处理的目标压力P1(步骤ST35a)。

如此，在第二实施方式的第一处理(步骤ST3b)中，两次供气工序(步骤ST32b、步骤ST34b)执行之前的腔室10内的气压为第二次低于第一次。如此，可以分阶段进行减压处理。

＜5.第三实施方式＞

参照图12和图13，对第三实施方式的减压干燥处理中的气压变化进行说明。图12是表示第三实施方式的减压干燥处理中腔室10内的气压变化技术参数的图。图13是表示第三实施方式的减压干燥处理中第一处理的流程的流程图。

如图12所示，与第一实施方式和第二实施方式相同地，第三实施方式在第一处理中执行两次供气工序，其与第一实施方式和第二实施方式的区别在于，供气开始前的腔室10内的压力不同。

如图12所示，在第三实施方式的第一处理(步骤ST3c)中，在进行第一处理的时间段T1内，重复执行使腔室10内的气压从大气压减压至该时间段的目标压力P1的减压工序以及供气工序。

具体而言，如图13所示，在第一处理(步骤ST3c)中，控制部80首先打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始从气压为大气压P0的腔室10排气。并且，以第一减压速度S1使腔室10内的压力减压至第一处理的目标压力P1(步骤ST31c)。

若腔室10内的压力达到目标压力P1，则控制部80关闭主阀V2，停止对腔室10内减压。接着，控制部80打开供气阀V3，从供气源62向腔室10内供给气体(步骤ST32c)。在该步骤ST32c中，供给气体直至腔室10内的气压变为大气压P0。

若腔室10内的气压达到大气压P0，则控制部80关闭供气阀V3，停止向腔室10供气。然后，再次打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始从气压为大气压P0的腔室10排气。并且，以第一减压速度S1使腔室10内的压力减压至第一处理的目标压力P1(步骤ST33c)。

若腔室10内的压力达到目标压力P1，则控制部80关闭主阀V2，停止对腔室10内减压。接着，控制部80打开供气阀V3，从供气源62向腔室10内供给气体(步骤ST34c)。在该步骤ST34c中，供给气体直至腔室10内的气压再次变为大气压P0。

然后，若腔室10内的气压再次达到大气压P0，则控制部80停止向腔室10供气。然后，打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始从气压为大气压P0的腔室10排气。并且，以第一减压速度S1使腔室10内的压力减压至第一处理的目标压力P1(步骤ST35c)。并且，在第三次达到目标压力P1后，结束第一处理(步骤ST3c)。

如此，可以在第一处理(步骤ST3c)中多次重复执行减压至目标压力P1的减压工序。

＜6.第四实施方式＞

参照图14和图15，对第四实施方式的减压干燥处理中的气压变化进行说明。图14是表示第四实施方式的减压干燥处理中腔室10内的气压变化技术参数的图。图15是表示第四实施方式的减压干燥处理的第一处理的流程的流程图。

如图14所示，除供气次数外，第四实施方式与第一至第三实施方式的区别在于，供气工序中并不是以供气至大气压P0的方式进行供气，而是按预定时间进行供气。

在第四实施方式的第一处理(步骤ST3d)中，在执行第一处理的时间段T1内，在腔室10内的气压从大气压减压至该时间段的目标压力P1的过程中，进行三次升压工序(供气工序)。

具体而言，如图15所示，在第一处理(步骤ST3d)中，控制部80首先打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始对气压为大气压P0的腔室10排气。并且，以第一减压速度S1使腔室10内的压力减压至预定的压力Pd(步骤ST31d)。需要说明的是，压力Pd低于大气压P0且高于第一处理的目标压力P1。

若腔室10内的压力达到预定的压力Pd，则控制部80关闭主阀V2，停止对腔室10内减压。接着，控制部80打开供气阀V3，从供气源62向腔室10内供给气体(步骤ST32d)。在该步骤ST32b中，以预定时间(例如，2sec)供给气体。

经过预定时间后，控制部80关闭供气阀V3，停止向腔室10供气。然后，再次打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始从腔室10排气。并且，以第一减压速度S1使腔室10内的压力减压至预定的压力Pe(步骤ST33d)。需要说明的是，压力Pe低于压力Pd且高于第一处理的目标压力P1。

若腔室10内的压力达到预定的压力Pe，则控制部80关闭主阀V2，停止对腔室10内减压。接着，控制部80打开供气阀V3，从供气源62向腔室10内供给气体(步骤ST34d)。在该步骤ST34d中，以与第一次供气工序(步骤ST32d)相同的预定时间供给气体。

经过预定时间后，控制部80停止向腔室10供气。然后，打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始从腔室10排气。并且，以第一减压速度S1使腔室10内的压力减压至预定的压力Pf(步骤ST35d)。需要说明的是，压力Pf低于压力Pe且高于第一处理的目标压力P1。

若腔室10内的压力达到预定的压力Pf，则控制部80关闭主阀V2，停止对腔室10内减压。接着，控制部80打开供气阀V3，从供气源62向腔室10内供给气体(步骤ST36d)。在该步骤ST36d中，以与第一次供气工序(步骤ST32d)和第二次供气工序(步骤ST34d)相同的预定时间供给气体。

经过预定时间后，控制部80停止向腔室10供气。然后，打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始从腔室10排气。并且，以第一减压速度S1使腔室10内的压力减压至第一处理(步骤ST3d)的目标压力P1(步骤ST37d)。

在第四实施方式的第一处理(步骤ST3d)的各供气工序(步骤ST32d、步骤ST34d、步骤ST36d)中，按预定时间供给气体，并不使腔室10内的气压返回至大气压P0。如此，在第一处理所执行的供气工序中，可以不供气至大气压P0。由此，与在供气工序中进行相同次数的供气至大气压P0的情形相比，能够缩短减压干燥处理所需的时间。

＜7.第五实施方式＞

参照图16和图17，对第五实施方式的减压干燥处理中的气压变化进行说明。图16是表示第五实施方式的减压干燥处理中腔室10内的气压变化技术参数的图。图17是表示第五实施方式的减压干燥处理中第一处理和第二处理的流程的流程图。

如图16和图17所示，在第五实施方式中，在执行第一处理(步骤ST3e)的时间段T1内，执行一次供气工序，并在执行第二处理(步骤ST5e)的时间段T2内，执行一次供气工序。

具体而言，如图17所示，在第一处理(步骤ST3e)中，控制部80首先打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始从气压为大气压P0的腔室10排气。并且，以第一减压速度S1使腔室10内的压力减压至预定的压力Pg(步骤ST31e)。需要说明的是，压力Pg低于大气压P0且高于第一处理的目标压力P1。

若腔室10内的压力达到预定的压力Pg，则控制部80关闭主阀V2，停止对腔室10内减压。接着，控制部80打开供气阀V3，从供气源62向腔室10内供给气体(步骤ST32e)。在该步骤ST32e中，供给气体直至腔室10内的气压变为大气压P0。

若腔室10内的气压达到大气压P0，则控制部80关闭供气阀V3，停止向腔室10供气。然后，再次打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始从气压为大气压P0的腔室10排气。并且，以第一减压速度S1使腔室10内的压力减压至第一处理的目标压力P1(步骤ST35e)。如此，在第一处理中执行一次供气工序(步骤ST32e)。

在完成第一处理(步骤ST3e)并变更工作台位置(步骤ST4)之后，执行第二处理(步骤ST5e)。在该第二处理(步骤ST5e)中，首先，控制部80打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始从气压为压力P1的腔室10排气。并且，以第二减压速度S2使腔室10内的压力减压至预定的压力Ph(步骤ST51e)。需要说明的是，压力Ph低于第一处理的目标压力P1且高于第二处理的目标压力P2。

若腔室10内的压力达到预定的压力Ph，则控制部80关闭主阀V2，停止对腔室10内减压。接着，控制部80打开供气阀V3，从供气源62向腔室10内供给气体(步骤ST52e)。在该步骤ST52e中，供给气体直至腔室10内的气压变为大气压P0。

若腔室10内的气压达到大气压P0，则控制部80关闭供气阀V3，停止向腔室10供气。然后，再次打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始从气压为大气压P0的腔室10排气。并且，以第二减压速度S2使腔室10内的压力减压至第二处理的目标压力P2(步骤ST53e)。如此，在第二处理中执行一次供气工序(步骤ST52e)。

如该第五实施方式这样，可以既在第一处理中又在第二处理中执行供气工序。通过在溶剂从涂敷液的气化最为活跃的第三处理前的第一处理和第二处理这二者中执行供气工序，从而，能够在第一处理之外还在第二处理中执行供气工序，使涂敷液的粘度均匀化，或者在涂敷液中引起回流。其结果，能够抑制涂敷层的厚度的偏差，更加均匀地干燥涂敷层。

此外，可以不在第一处理中执行供气工序，而仅在第二处理中执行供气工序。另外，在第一处理中和第二处理中执行供气工序的次数并不限于一次，可以是多次。

另外，在该第五实施方式中，在第二处理的供气工序(步骤ST52e)后执行的减压工序(步骤ST53e)中，在从大气压P0达到压力P1的期间，以比第一处理(步骤ST3e)的速度快的第二减压速度S2进行减压处理。由此，能够相较于后述第六实施方式，从整体上缩短减压干燥处理。

＜8.第六实施方式＞

参照图18和图19，对第六实施方式的减压干燥处理中的气压变化进行说明。图18是表示第六实施方式的减压干燥处理中腔室10内的气压变化技术参数的图。图19是表示第六实施方式的减压干燥处理中第一处理和第二处理的流程的流程图。

如图18和图19所示，与第五实施方式相同地，第六实施方式在执行第一处理(步骤ST3f)的时间段T1内执行一次供气工序，并在执行第二处理(步骤ST5f)的时间段T2内执行一次供气工序。需要说明的是，因为第六实施方式的第一处理(步骤ST3f)与第五实施方式的第一处理(步骤ST3e)相同，所以省略其说明。

在完成第一处理(步骤ST3f)并变更工作台位置(步骤ST4)之后，执行第二处理(步骤ST5f)。在该第二处理(步骤ST5f)中，首先，控制部80打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始从压力为压力P1的腔室10排气。并且，以第二减压速度S2使腔室10内的压力减压至预定的压力Ph(步骤ST51f)。

若腔室10内的压力达到预定的压力Ph，则控制部80关闭主阀V2，停止对腔室10内减压。接着，控制部80打开供气阀V3，从供气源62向腔室10内供给气体(步骤ST52f)。在该步骤ST52f中，供给气体直至腔室10内的气压变为大气压P0。

若腔室10内的气压达到大气压P0，则控制部80关闭供气阀V3，停止向腔室10供气。然后，再次打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始从气压为大气压P0的腔室10排气。并且，以第一减压速度S1使腔室10内的压力减压至第一处理的目标压力P1(步骤ST53f)。

若腔室10内的气压达到第一处理的目标压力P1，则控制部80变更主阀V2的开度，以第二减压速度S2使腔室10内的压力减压至第二处理的目标压力P2(步骤ST54f)。

如该第六实施方式这样，在第二处理中，供气直至超过第一处理的目标压力P1的压力，在该情况下，可以在超过目标压力P1的压力范围内以与第一处理相同的第一减压速度S1进行减压处理。如此一来，能够抑制该压力范围内涂敷液的突然沸腾。

＜9.第七实施方式＞

参照图20和图21，对第七实施方式的减压干燥处理中的气压变化进行说明。图20是表示第七实施方式的减压干燥处理中腔室10内的气压变化技术参数的图。图21是表示第七实施方式的减压干燥处理中第一处理和第二处理的流程的流程图。

如图20所示，与第五实施方式相同地，第七实施方式在执行第一处理(步骤ST3g)的时间段T1内执行一次供气工序，并在执行第二处理(步骤ST5g)的时间段T2内执行一次供气工序。需要说明的是，因为第七实施方式的第一处理(步骤ST3g)与第五实施方式的第一处理(步骤ST3e)相同，所以省略其说明。

在完成第一处理(步骤ST3g)并变更工作台位置(步骤ST4)之后，执行第二处理(步骤ST5g)。在该第二处理(步骤ST5g)中，首先，控制部80打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始从压力为压力P1的腔室10排气。并且，以第二减压速度S2使腔室10内的压力减压至预定的压力Ph(步骤ST51g)。

若腔室10内的压力达到预定的压力Ph，则控制部80关闭主阀V2，停止对腔室10内减压。接着，控制部80打开供气阀V3，从供气源62向腔室10内供给气体(步骤ST52g)。在该步骤ST52g中，供给气体直至腔室10内的气压变为第一处理的目标压力P1。

若腔室10内的气压达到压力P1，则控制部80关闭供气阀V3，停止向腔室10供气。然后，再次打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始从气压为压力P1的腔室10排气。并且，以第二减压速度S2使腔室10内的压力减压至第二处理的目标压力P2(步骤ST5g)。

如该第七实施方式这样，在第二处理中，并不供气直至超过第一处理的目标压力P1的压力，而供气至开始第二处理的压力即压力P1。如此一来，与第五实施方式和第六实施方式相比，能够缩短减压干燥处理的时间。

＜10.第八实施方式＞

参照图22和图23，对第八实施方式的减压干燥处理中的气压变化进行说明。图22是表示第八实施方式的减压干燥处理中腔室10内的气压变化技术参数的图。图23是表示第八实施方式的减压干燥处理中第一处理和第二处理的流程的流程图。

如图22和图23所示，与第四实施方式相同地，第八实施方式在进行第一处理(步骤ST3h)的时间段T1内，执行三次预定时间的供气工序，并在进行第二处理(步骤ST5h)的时间段T2内，执行两次预定时间的供气工序。需要说明的是，因为第八实施方式的第一处理(步骤ST3h)与第四实施方式的第一处理(步骤ST3d)相同，所以省略其说明。

在完成第一处理(步骤ST3h)工变更工作台位置(步骤ST4)之后，进行第二处理(步骤ST5h)。在该第二处理(步骤ST5h)中，首先，控制部80打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始从气压为压力P1的腔室10排气。并且，以第二减压速度S2使腔室10内的压力减压至预定的压力Pm(步骤ST51h)。需要说明的是，压力Pm低于第一处理的目标压力P1且高于第二处理的目标压力P2。

若腔室10内的压力达到预定的压力Pm，则控制部80关闭主阀V2，停止对腔室10内减压。接着，控制部80打开供气阀V3，从供气源62向腔室10内供给气体(步骤ST52h)。在该步骤ST52h中，按预定时间(例如，2sec)供给气体。

经过预定时间后，控制部80关闭供气阀V3，停止向腔室10供气。然后，再次打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始从气压为大气压P0的腔室10排气。并且，以第二减压速度S2使腔室10内的压力减压至预定的压力Pn(步骤ST53h)。需要说明的是，压力Pn低于压力Pm且高于第二处理的目标压力P2。

若腔室10内的压力达到预定的压力Pn，则控制部80关闭主阀V2，停止对腔室10内减压。接着，控制部80打开供气阀V3，从供气源62向腔室10内供给气体(步骤ST54h)。在该步骤ST54h中，以与第一次供气工序(步骤ST52h)相同的预定时间供给气体。

经过预定时间后，控制部80停止向腔室10供气。然后，打开至少一个独立阀V1并打开主阀V2，开始从腔室10排气。并且，以第二减压速度S2使腔室10内的压力减压至第二处理的目标压力P2(步骤ST55h)。

在第八实施方式的第一处理(步骤ST3h)和第二处理(步骤ST5h)中，在各供气工序(步骤ST32h、步骤ST34h、步骤ST36h和步骤ST52h、步骤ST54h)中，进行预定时间的供气，并不使腔室10内的气压返回至大气压P0。如此，在第一处理和第二处理中所执行的供气工序中，可以不供气至大气压P0。由此，与在供气工序中进行相同次数的供气至大气压P0的情形相比，能够缩短减压干燥处理所需的时间。

＜11.变形例＞

上面，对本发明的一个实施方式进行了说明，但本发明并不限于上述实施方式。

在上述实施方式中，在第一至第四处理这四个阶段的减压干燥处理中，仅在第一处理，或者在第一处理和第二处理中执行供气工序，但本发明并不限于此。既可以仅在第二处理、第三处理和第四处理中的任一处理中执行供气工序，也可以在第一处理和第三处理，第二处理和第三处理，或者，第二处理至第四处理这样的第一至第四处理中的任意多个处理中执行供气工序。

在上述实施方式中，进行了第一至第四处理四个阶段的减压干燥处理，但本发明并不限于此。既可以无阶段地进行减压干燥处理，也可以划分为两个段階、三个段階或者五个段階以上来进行减压干燥处理。其中，可以在任意的减压工序过程中执行供气工序。

在上述实施方式中，腔室10具有四个排气口161，但腔室10所具有的排气口的数量可以是一个、两个、三个或五个以上。另外，在上述实施方式中，腔室10具有一个供气口162，但腔室10所具有的供气口的数量可以是两个以上。

在上述实施方式中，压力降至最低的最终目标压力P4的范围是100至10Pa，但本发明并不限于此，最终目标压力的范围可以是10至1Pa。

上述实施方式的减压干燥装置仅通过减压来干燥基板9上的涂敷层，但减压干燥装置1也可以通过减压和加热来对基板9上的涂敷层进行干燥。

另外，上述实施方式的减压干燥装置1用以对有机EL显示器用基板进行处理，但本发明的减压干燥装置也可以用以对液晶显示器或半导体晶片等其他精密电子器件进行处理。

另外，上述实施方式和变形例所列举的各要素在不发生矛盾的范围内可以进行适当的组合。

Claims (9)

1.一种减压干燥装置，通过减压对在基板的表面上形成的包含溶剂的涂敷层进行干燥，其中，

所述减压干燥装置具有：

腔室，收纳基板；

减压机构，吸引所述腔室内的气体；

供气机构，向所述腔室内供给气体；以及

控制部，控制所述减压机构和所述供气机构，

所述控制部在驱动所述减压机构而使所述腔室内的压力下降至预定的目标压力值来对所述涂敷层进行干燥的减压干燥处理的过程中，暂时使所述减压机构停止并驱动所述供气机构来向所述腔室内供给气体。

2.根据权利要求1所述的减压干燥装置，其中，

所述控制部在使所述腔室内的压力下降至预定的目标压力值来对所述涂敷层进行干燥的减压干燥处理的过程中，执行：

减压工序(p)，驱动所述减压机构，以预定的减压速度吸引所述腔室内的气体；

供气工序(q)，在所述减压工序(p)之后，驱动所述供气机构，向所述腔室内供给气体；

减压工序(r)，在所述供气工序(q)之后，驱动所述减压机构，以所述减压速度吸引所述腔室内的气体。

3.根据权利要求2所述的减压干燥装置，其中，

所述控制部在所述减压干燥处理中执行：

第一处理(a)，以预定的第一减压速度吸引所述腔室内的气体；

第二处理(b)，在所述第一处理(a)之后，以大于所述第一减压速度的第二减压速度吸引所述腔室内的气体；

第三处理(c)，在所述第二处理(b)之后，以小于所述第二减压速度的第三减压速度，或者，以所述腔室内的压力恒定的方式，吸引所述腔室内的气体，

在所述控制部在所述第一处理(a)、所述第二处理(b)和所述第三处理(c)中的至少一个处理中，执行所述减压工序(p)、所述供气工序(q)和所述减压工序(r)。

4.根据权利要求3所述的减压干燥装置，其中，

所述控制部在至少所述第一处理(a)中，执行所述减压工序(p)、所述供气工序(q)和所述减压工序(r)，

在所述第一处理(a)的所述减压工序(p)和所述减压工序(r)中，减压速度是所述第一减压速度。

5.根据权利要求3所述的减压干燥装置，其中，

所述控制部在所述第一处理(a)和所述第二处理(b)中分别执行所述减压工序(p)、所述供气工序(q)和所述减压工序(r)，

在所述第一处理(a)的所述减压工序(p)和所述减压工序(r)中，减压速度是所述第一减压速度，

在所述第二处理(b)的所述减压工序(p)和所述减压工序(r)中，减压速度是所述第二减压速度。

6.一种减压干燥方法，通过降低腔室内的压力的减压干燥处理，对在基板的上表面形成的包含溶剂的涂敷层进行干燥，其中，所述减压干燥方法包括：

减压工序(P)，以预定的减压速度吸引所述腔室内的气体；

供气工序(Q)，在所述减压工序(P)之后，向所述腔室内供给气体；

减压工序(R)，在所述供气工序(Q)之后，以所述减压速度吸引所述腔室内的气体。

7.根据权利要求6所述的减压干燥方法，其中，

所述减压干燥处理包括：

第一处理(A)，以预定的第一减压速度吸引所述腔室内的气体；

第二处理(B)，在所述第一处理(A)之后，以大于所述第一减压速度的第二减压速度吸引所述腔室内的气体；

第三处理(C)，在所述第二处理(B)之后，以小于所述第二减压速度的第三减压速度，或者，以所述腔室内的压力恒定的方式，吸引所述腔室内的气体，

所述第一处理(A)、所述第二处理(B)和所述第三处理(C)中的至少一个处理包括所述减压工序(P)、所述供气工序(Q)和所述减压工序(R)。

8.根据权利要求7所述的减压干燥方法，其中，

至少所述第一处理(A)包括所述减压工序(P)、所述供气工序(Q)和所述减压工序(R)，

在所述第一处理(A)的所述减压工序(P)和所述减压工序(R)中，减压速度是所述第一减压速度。

9.根据权利要求7所述的减压干燥方法，其中，

所述第一处理(A)和所述第二处理(B)分别包括所述减压工序(P)、所述供气工序(Q)和所述减压工序(R)，

在所述第一处理(A)的所述减压工序(P)和所述减压工序(R)中，减压速度是所述第一减压速度，

所述第二处理(B)的所述减压工序(P)和所述减压工序(R)中，减压速度是所述第二减压速度。

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