CN115889135A - 减压干燥装置、减压干燥方法及程序 - Google Patents
减压干燥装置、减压干燥方法及程序 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115889135A CN115889135A CN202210512910.2A CN202210512910A CN115889135A CN 115889135 A CN115889135 A CN 115889135A CN 202210512910 A CN202210512910 A CN 202210512910A CN 115889135 A CN115889135 A CN 115889135A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chamber
- unit
- substrate
- exhaust
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001035 drying Methods 0.000 title claims abstract description 146
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 148
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 109
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 109
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 41
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 96
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 5
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B5/00—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat
- F26B5/04—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat by evaporation or sublimation of moisture under reduced pressure, e.g. in a vacuum
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/04—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases
- B05D3/0406—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases the gas being air
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
本发明提供一种减压干燥装置、减压干燥方法及程序。本发明的课题在于使形成于基板的上表面的涂膜更均匀地干燥。在腔室内,支撑部从下方支撑基板,排气部排出腔室内的气体环境,供气部向腔室内供给气体。在进行利用排气部的排气及利用供气部的供气中的至少其中一者时,升降部使支撑部反复升降。
Description
技术领域
本发明涉及一种通过减压使形成于基板的上表面的涂膜干燥的技术,尤其涉及一种减压干燥装置、减压干燥方法及程序。
背景技术
例如,已知有对涂布在各种基板上的光致抗蚀剂等的涂膜进行减压干燥的减压干燥装置(例如,专利文献1等)。对于各种基板,例如可应用用于形成各种元件的半导体晶片、玻璃基板或陶瓷基板等。对于各种元件,例如可应用半导体装置、显示面板、磁盘或光盘等。对于显示面板,例如可应用液晶显示面板、有机电致发光(Electroluminescence,EL)显示面板或等离子体显示面板等。
在使用减压干燥装置干燥涂膜时,例如,在腔室内多个销支撑基板的状态下,经由腔室的底部的排气口利用真空泵从腔室内进行排气。然后,例如,当真空度达到规定值时,停止来自腔室内的排气,通过向腔室内供给气体而使腔室内恢复成大气压。对于气体,例如可应用氮气等惰性气体或空气等。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利第4335786号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
然而,在减压干燥装置中,例如,在形成于基板的上表面的涂膜中,若干燥速度根据场所而有所差异,则可能产生与所述干燥速度的差异相应的干燥的不均(也称为干燥不均)。干燥不均例如产生干燥后的涂膜的厚度的偏差等。
例如,在腔室内的减压时,在经由排气口利用真空泵对腔室内的气体进行排气时,在基板的上方可能产生持续的特定模式的气流(也称为第一稳定流)。由此,例如,根据第一稳定流,与场所相应的涂膜的干燥速度可能产生差异。其结果,例如,在涂膜中的与第一稳定流相应的特定部位可能产生条状的干燥不均。此处,第一稳定流例如可能根据腔室的形状及竖立设置有用于使配置于腔室内的基板升降的多个销的板的形状等而产生。
另外,例如,在通过在利用排气的减压后向腔室内供给气体而使腔室内恢复成大气压时,在基板的上方可能产生持续的特定模式的气流(也称为第二稳定流)。由此,例如,若涂膜为半干状态,则根据第二稳定流,与场所相应的涂膜的干燥速度可能产生差异。其结果,例如,在涂膜中的与第二稳定流相应的特定部位可能产生条状的干燥不均。此处,第二稳定流例如可能根据腔室的形状及竖立设置有用于使配置于腔室内的基板升降的多个销的板的形状等而产生。
另外,例如,在基板上,由于多个销的接触,在由多个销支撑的部分与其周边的部分之间可能产生温度差。由此,例如,根据由多个销引起的温度差,涂膜的干燥速度可能产生差异。其结果,例如,在涂膜上可能产生与多个销的配置相应的干燥不均。此处,例如,在涂膜的减压干燥时,虽然基板的温度因溶剂等从涂膜气化时产生的气化热而下降,但是无论是在多个销的热容量大的情况还是在多个销连结于热容量大的腔室等的情况下,多个销的温度均难以变化。因此,例如,在基板上可能产生与多个销的配置相应的温度差。
另外,例如,在腔室内的减压时,在基板的上表面中的形成有涂膜的区域(也称为涂布区域)中,涂膜中的溶剂气化,与此相对,在基板的上表面中的未形成有涂膜的区域(也称为非涂布区域)中,溶剂不气化。
此处,例如,假定在基板的上表面的大致整个面上形成有涂膜的情况。在此情况下,例如,在涂布区域的端部的上方,蒸发的溶剂的成分容易向基板上的外侧等扩散,因此蒸发的溶剂的成分的浓度难以上升,涂布区域的端部的涂膜容易干燥。另一方面,例如,在涂布区域的中央部的上方,蒸发的溶剂的成分难以扩散,因此蒸发的溶剂的成分的浓度容易上升,涂布区域的中央部的涂膜难以干燥。由此,例如,在涂布区域中的中央部与端部之间,干燥速度可能产生差异。其结果,例如,在涂布区域中,可能产生由中央部与端部之间的干燥速度的差异引起的干燥不均。
此处,例如,假定在基板的上表面中的与多个元件相应的多个区域分别形成有涂膜的情况。在此情况下,例如,在各涂布区域的端部的上方,蒸发的溶剂的成分容易向基板上的外侧或非涂布区域上扩散,因此蒸发的溶剂的成分的浓度难以上升,各涂布区域的端部的涂膜容易干燥。另一方面,例如,在各涂布区域的中央部的上方,蒸发的溶剂的成分难以扩散,因此蒸发的溶剂的成分的浓度容易上升,各涂布区域的中央部的涂膜难以干燥。由此,例如,在各涂布区域中的中央部与端部之间,干燥速度可能产生差异。其结果,例如,在各涂布区域中,可能产生由中央部与端部之间的干燥速度的差异引起的干燥不均。
本发明是鉴于所述问题而成,其目的在于提供一种使形成于基板的上表面的涂膜更均匀地干燥的技术。
[解决问题的技术手段]
为了解决所述问题,第一实施方式的减压干燥装置是使形成于基板的上表面的涂膜干燥的减压干燥装置,包括:腔室、支撑部、升降部、排气部、供气部、以及控制部。所述腔室收容所述基板。所述支撑部在所述腔室内从下方支撑所述基板。所述升降部在所述腔室内使所述支撑部升降。所述排气部进行排出所述腔室内的气体环境的排气。所述供气部进行向所述腔室内供给气体的供气。所述控制部在进行利用所述排气部的排气及利用所述供气部的供气中的至少其中一者时,对所述升降部进行控制,以使所述支撑部反复升降。
第二实施方式的减压干燥装置是第一实施方式的减压干燥装置,其中,所述控制部在分别进行利用所述排气部的排气及利用所述供气部的供气时,对所述升降部进行控制,以使所述支撑部反复升降。
第三实施方式的减压干燥方法是使用包括腔室、支撑部、升降部、排气部、以及供气部的减压干燥装置使形成于所述基板的上表面的涂膜干燥的减压干燥方法,所述腔室收容基板,所述支撑部在所述腔室内从下方支撑所述基板,所述升降部在所述腔室内使所述支撑部升降,所述排气部排出所述腔室内的气体环境,所述供气部向所述腔室内供给气体,且所述减压干燥方法包括排气工序、供气工序、以及升降工序。在所述排气工序中,在所述腔室内由所述支撑部从下方支撑所述基板的状态下,通过所述排气部排出所述腔室内的气体环境。在所述供气工序中,在所述排气工序之后,在所述腔室内由所述支撑部从下方支撑所述基板的状态下,通过所述供气部向所述腔室内供给气体。在所述升降工序中,在执行所述排气工序及所述供气工序中的至少其中一个工序时,通过所述升降部使所述支撑部反复升降。
第四实施方式的减压干燥方法是第三实施方式的减压干燥方法,其中,所述升降工序包括:第一升降工序,在执行所述排气工序时通过所述升降部使所述支撑部反复升降;以及第二升降工序,在执行所述供气工序时通过所述升降部使所述支撑部反复升降。
第五实施方式的程序在包括腔室、支撑部、升降部、排气部、供气部、以及控制部的使形成于所述基板的上表面的涂膜干燥的减压干燥装置中,在由所述控制部所包含的处理器执行时,执行排气工序、供气工序、以及升降工序,所述腔室收容基板,所述支撑部在所述腔室内从下方支撑所述基板,所述升降部在所述腔室内使所述支撑部升降,所述排气部排出所述腔室内的气体环境,所述供气部向所述腔室内供给气体,所述控制部对所述排气部、所述供气部及所述升降部进行控制。在所述排气工序中,所述控制部在所述腔室内由所述支撑部从下方支撑所述基板的状态下,通过所述排气部排出所述腔室内的气体环境。在所述供气工序中,所述控制部在所述排气工序之后,在所述腔室内由所述支撑部从下方支撑所述基板的状态下,通过所述供气部向所述腔室内供给气体。在所述升降工序中,所述控制部在执行所述排气工序及所述供气工序中的至少其中一个工序时,通过所述升降部使所述支撑部反复升降。
第六实施方式的程序是第五实施方式的程序,其中,所述升降工序包括:第一升降工序,所述控制部在执行所述排气工序时通过所述升降部使所述支撑部反复升降;以及第二升降工序,所述控制部在执行所述供气工序时通过所述升降部使所述支撑部反复升降。
[发明的效果]
根据第一实施方式的减压干燥装置、第三实施方式的减压干燥方法及第五实施方式的程序中的任一者,例如,在进行腔室内的气体环境的排出及气体向腔室内的供给中的至少其中一者时,均使基板反复升降。由此,例如,在排气时及供气时中的至少其中一者中,可在腔室内产生气流的紊乱。其结果,例如,在排气时及供气时中的至少其中一者中,在腔室内难以产生持续的特定模式的气流,并且在涂膜上从涂膜蒸发的溶剂的成分的浓度难以偏向。因此,例如,形成于基板的上表面的涂膜可更均匀地干燥。
根据第二实施方式的减压干燥装置、第四实施方式的减压干燥方法、以及第六实施方式的程序中的任一者,例如,在分别进行腔室内的气体环境的排出及气体向腔室内的供给时,均使基板反复升降。由此,例如,无论是在排气时还是在供气时,均可在腔室内产生气流的紊乱。其结果,例如,无论是在排气时还是在供气时,在腔室内,均难以产生持续的特定模式的气流,并且在涂膜上从涂膜蒸发的溶剂的成分的浓度难以偏向。因此,例如,形成于基板的上表面的涂膜可更均匀地干燥。
附图说明
图1是表示一实施方式的减压干燥装置的纵剖面的一例的图。
图2是表示一实施方式的减压干燥装置的横剖面的一例的图。
图3是表示一实施方式的减压干燥装置的纵剖面的一例的图。
图4是表示基板的一例的立体图。
图5是表示基板的一部分的纵剖面的一例的图。
图6是概念性地示出了在控制部中实现的功能的方块图。
图7是表示一实施方式的减压干燥处理的流程的一例的流程图。
图8是表示一变形例的减压干燥处理的流程的一例的流程图。
图9是表示一变形例的减压干燥处理的流程的一例的流程图。
图10是表示一变形例的减压干燥装置的纵剖面的一例的图。
[符号的说明]
1:减压干燥装置
9:基板
10:腔室
10b:密封材料
10l:盖部
10s:内部空间
11:底板部
11h、40h:贯通孔
12:侧壁部
13:顶板部
14:搬入搬出口
15:闸门部(闸阀)
16:开闭驱动部
16a、16b、16c、16d:排气口
16f:供气口
20:支撑部
21:支撑板
22:支撑销
30:排气部
31:排气配管
31a、31b、31c、31d:单独配管
31e:主配管
32:真空泵
40:底面整流板
41:对角线
50:侧面整流板
60:供气部
61:供气配管
62:供气源
70:压力计
80:控制部
81:开闭控制部
82:升降控制部
83:切换控制部
84:排气控制部
85:泵控制部
86:供气控制部
90:涂膜
100:升降部
100a:本体部
100b:移动部
801:处理器
802:存储器
803:存储部
803p:程序(计算机程序)
804:输入部
805:输出部
806:通信部
807:驱动器
807m:存储介质
A1:区域(被形成区域、涂布区域)
A2:区域(非涂布区域)
A3:区域(被覆区域)
A4:区域(露出区域)
F1:第一面(上表面)
F2:第二面(下表面)
H1:下降位置
H2:上升位置
S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、Sa1、Sa2、Sa3、Sa4、Sa5、Sa6、Sa7、Sa8、Sa9、Sa10、Sb1、Sb2、Sb3、Sb4、Sb5、Sb6、Sb7、Sb8、Sb9、Sb10:步骤
Va、Vb、Vc、Vd:单独阀
Ve:主阀
Vf:供气阀。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的一实施方式及各种变形例进行说明。在附图中,对具有同样的结构及功能的部分标记相同的符号,在下述说明中省略重复说明。附图只是示意性地示出,各图中的各种结构的尺寸及位置关系等并不准确地图示。
<1.减压干燥装置的结构>
图1是示意性地表示一实施方式的减压干燥装置1的纵剖面的一例的图。图2是示意性地表示一实施方式的减压干燥装置1的横剖面的一例的图。图3是示意性地表示一实施方式的减压干燥装置1的纵剖面的一例的图。图1的纵剖面与图3的纵剖面具有从相差约90度的方向观察的关系。在图3中,为了避免附图的复杂化,为了方便起见,省略了与后述的排气部30、供气部60、压力计70及控制部80相关的结构。减压干燥装置1是使形成于基板9的上表面的涂膜90(参照图5)干燥的装置。
对于基板9,例如可应用玻璃基板、半导体晶片或陶瓷基板等。基板9例如是具有作为第一主表面的第一面F1(参照图4及图5)与作为与所述第一面相反的第二主表面的第二面F2(参照图5)的平板状的基板。例如,在减压干燥装置1中,基板9的第一面F1设为基板9的上表面,基板9的第二面F2设为基板9的下表面。此处,适宜列举对基板9应用了矩形的玻璃基板的具体例进行说明。在基板9的第一面F1,例如通过预先涂布包含有机材料及溶剂的处理液,部分地形成有涂膜90。处理液的涂布例如是通过狭缝涂布机或喷墨装置等进行。对于处理液,例如可应用包含聚酰亚胺前体与溶媒的液体(也称为聚酰亚胺(Polyimide,PI)液)或抗蚀剂液等涂布液。对于聚酰亚胺前体,例如可应用聚酰胺(Polyamide)酸(聚酰胺酸(Polyamic acid))等。对于溶媒,例如可应用NMP(N-甲基-2-吡咯烷酮:N-Methyl-2-Pyrrolidone)。另外,例如,在减压干燥装置1应用于有机EL显示器的制造工序的情况下,也可采用涂膜90通过在减压干燥装置1中被干燥而成为有机EL显示面板的空穴注入层、空穴输送层或发光层的实施方式。
图4是表示基板9的一例的立体图。图5是表示基板9的一部分的纵剖面的一例的图。如图4所示,基板9例如在俯视时具有纵横的长度不同的长方形形状的形态。在基板9的上表面排列有多个供形成元件等的区域(也称为被形成区域与涂布区域)A1。在图4的例子中,在基板9的上表面,呈两行两列的矩阵状排列有四个矩形形状的涂布区域A1。但是,涂布区域A1的形状、数量、配置并不限定于所述例。涂膜90在利用减压干燥装置1的减压干燥工序之前的涂布工序中,通过狭缝涂布机或喷墨装置等,在各涂布区域A1按照所期望的模式形成。对于所期望的模式,例如可应用电路的模式。此处,例如,如图5所示,各涂布区域A1具有被涂膜90覆盖的区域(也称为被覆区域)A3与未被涂膜90覆盖的露出的区域(也称为露出区域)A4。另外,相邻的涂布区域A1之间的区域(也称为非涂布区域)A2成为未被涂膜90覆盖的露出的区域(露出区域)A4。
如图1及图2所示,减压干燥装置1例如包括:腔室10、支撑部20、升降部100、排气部30、供气部60、以及控制部80。另外,减压干燥装置1例如包括底面整流板40、侧面整流板50、以及压力计70。
腔室10是用于收容基板9的部分。对于腔室10,可应用具有用于收容基板9的内部空间10s的耐压容器。腔室10例如固定于省略了图示的装置框架上。腔室10的形状例如为扁平的长方体状。腔室10例如具有大致正方形形状的底板部11、四个侧壁部12、以及大致正方形形状的顶板部13。四个侧壁部12例如在上下方向上将底板部11的四个端边与顶板部13的四个端边连接。例如,在四个侧壁部12中的一个侧壁部12设置有搬入搬出口14与使所述搬入搬出口14开闭的闸门部(也称为闸门阀)15。闸门部15例如连接于开闭驱动部16。在图3中,为了避免附图的复杂化,概念性地示出了开闭驱动部16。对于开闭驱动部16,例如可应用气缸等驱动机构。此处,例如,通过开闭驱动部16的动作,闸门部15可在关闭搬入搬出口14的位置(也称为关闭位置)与打开搬入搬出口14的位置(也称为打开位置)之间移动。
此处,例如,在闸门部15配置于关闭位置的状态下,将腔室10的内部空间10s密闭。例如,在闸门部15配置于打开位置的状态下,可经由搬入搬出口14进行基板9向腔室10的内部空间10s的搬入及基板9从腔室10的内部空间10s的搬出。
支撑部20是在腔室10内从下方支撑基板9的部分。例如,支撑部20位于腔室10的内部空间10s,且可从下方支撑收容于腔室10的内部空间10s的基板9。支撑部20例如具有多个支撑板21与多个支撑销22。多个支撑板21例如在水平方向上空开间隔地排列。在各支撑板21的上表面竖立设置有多个支撑销22。基板9例如配置于多个支撑板21的上方,多个支撑销22的上端部与基板9的下表面接触,由此基板9以水平姿势受到支撑。
升降部100是在腔室10内使支撑部20升降的部分。换言之,例如,升降部100具有可使位于腔室10的内部空间10s的支撑部20升降的机构(也称为升降机构)。例如,由支撑部20支撑的基板9能够通过所述升降部100升降。在图1中,为了避免附图的复杂化,概念性地示出了升降部100。如图3所示,对于升降部100,例如可应用直动型马达或气缸等驱动装置。升降部100例如具有本体部100a与移动部100b。本体部100a例如在腔室10的外部固定于省略了图示的装置框架。移动部100b例如可相对于本体部100a沿上下方向移动。对于移动部100b,例如可应用棒状的构件等。移动部100b例如以插通至腔室10的底板部11的贯通孔11h的状态存在。而且,例如在移动部100b的上端部固定有支撑部20。此处,例如,若在底板部11的下表面与移动部100b之间设置波纹管等,则能够密闭底板部11与移动部100b之间的间隙。例如,在支撑部20具有多个支撑板21的情况下,移动部100b具有针对每个支撑板21固定于支撑板21且插通至底板部11的贯通孔11h的棒状的部分(也称为棒状部)、将多个棒状部连结的部分(也称为连结部)、以及连接于连结部且能够滑动地支撑于本体部100a的部分(也称为滑动部)。
此处,例如,当使升降部100运行时,支撑部20在下降位置H1(图1及图3中点划线所示的位置)与比下降位置H1高的上升位置H2(图1及图3中双点划线所示的位置)之间沿上下方向升降。此时,例如,多个支撑板21能够一体地升降。
排气部30是进行排出腔室10内的气体环境的动作(也称为排气)的部分。对于排气部30,例如可应用从腔室10的内部空间10s抽吸气体,而使腔室10内的压力下降的机构。如图1及图2所示,在腔室10的底板部11,例如设置有四个排气口16a、16b、16c、16d。四个排气口16a、16b、16c、16d例如配置成位于由支撑部20支撑的基板9的下方。另外,四个排气口16a、16b、16c、16d例如位于后述的底面整流板40的下方。排气部30例如具有与四个排气口16a、16b、16c、16d连接的排气配管31、四个单独阀Va、Vb、Vc、Vd、主阀Ve、以及真空泵32。排气配管31例如具有四个单独配管31a、31b、31c、31d与一个主配管31e。例如,单独配管31a的一端连接于排气口16a,单独配管31b的一端连接于排气口16b,单独配管31c的一端连接于排气口16c,单独配管31d的一端连接于排气口16d。例如,四个单独配管31a、31b、31c、31d各自的另一端合流而连接于主配管31e的一端。例如,主配管31e的另一端连接于真空泵32。例如,单独阀Va设置于单独配管31a的路径上,单独阀Vb设置于单独配管31b的路径上,单独阀Vc设置于单独配管31c的路径上,单独阀Vd设置于单独配管31d的路径上。例如,主阀Ve设置于主配管31e的路径上。
此处,例如,当在通过闸门部15关闭搬入搬出口14的状态下,打开四个单独阀Va、Vb、Vc、Vd的至少一部分与一个主阀Ve,使真空泵32运行时,腔室10内的气体经由排气配管31向腔室10的外部排出。由此,例如,可使腔室10的内部空间10s的压力下降。
四个单独阀Va、Vb、Vc、Vd例如是用于各别地调节来自四个排气口16a、16b、16c、16d的排气量的阀。对于四个单独阀Va、Vb、Vc、Vd的各者,例如可应用基于来自控制部80的指令在打开状态与关闭状态之间切换的阀(也称为开闭阀)。主阀Ve例如是用于调整来自四个排气口16a、16b、16c、16d的合计的排气量的阀。对于主阀Ve,例如可应用能够基于来自控制部80的指令调节开度的阀(也称为开度控制阀)。
此处,例如,通过四个排气口16a、16b、16c、16d位于由支撑部20支撑的基板9的下方,与在基板9的上方存在排气口的情况相比,可促进基板9的上方的气体的流动的均匀化,能够减少形成于基板9的上表面的涂膜90的干燥不均的产生。
底面整流板40是用于在利用排气部30对腔室10内的减压时限制内部空间10s中的气体流动的板。例如,底面整流板40配置成位于由支撑部20支撑的基板9与腔室10的底板部11之间。更具体而言,例如,底面整流板40以从配置于下降位置H1的支撑部20空开间隔地存在的方式配置于支撑部20的下侧,且以从底板部11的上表面空开间隔地存在的方式配置于底板部11的上侧。另外,底面整流板40例如以沿着底板部11的上表面水平地扩展的方式存在。底面整流板40例如经由省略了图示的多个支柱固定于腔室10的底板部11。如图2所示,例如,底面整流板40在俯视时具有正方形形状的形状。而且,例如,底面整流板40的俯视时的各边的长度比长方形形状的基板9的长边及短边中的任一者长。因此,例如,无论配置于支撑部20上的基板9的朝向如何,在俯视时,底面整流板40均比基板9大。另外,底面整流板40例如具有处于插通有升降部100的移动部100b的状态的贯通孔40h。在贯通孔40h中,底面整流板40与移动部100b空开极小的间隔地存在。
侧面整流板50是与底面整流板40一并用于在利用排气部30对腔室10内的减压时限制内部空间10s中的气体的流动的板。例如,侧面整流板50配置成位于由配置于下降位置H1的支撑部20支撑的基板9与腔室10的侧壁部12之间。更具体而言,例如,侧面整流板50从由配置于下降位置H1的支撑部20支撑的基板9的端部空开间隔地配置于基板9的外侧,且以从侧壁部12的内表面空开间隔地存在的方式位于侧壁部12的内侧。此处,例如,以包围由支撑部20支撑的基板9的周围的方式配置有四个侧面整流板50。各侧面整流板50例如以沿着侧壁部12的内表面扩展的方式存在。因此,例如,四个侧面整流板50作为整体形成包围基板9的四角筒状的整流板。另外,例如,底面整流板40及四个侧面整流板50作为整体形成有底筒状的箱状的整流板。
此处,例如,在利用排气部30对腔室10内的减压时,腔室10的内部空间10s的气体按照所述记载的顺序通过侧面整流板50与侧壁部12之间的空间、底面整流板40与底板部11之间的空间、及排气口16a、排气口16b、排气口16c、排气口16d,排出至腔室10的外部。如此,例如,通过气体在远离基板9的空间中流动,而在基板9的附近难以形成气流。而且,在基板9的周缘部难以产生集中的气流。由此,例如,能够减少形成于基板9的上表面的涂膜90的干燥不均的产生。
另外,此处,例如,如图2所示,由底面整流板40及四个侧面整流板50形成的箱状的整流板在俯视时具有正方形形状的形状。而且,所述箱状的整流板的俯视时的各边的长度比长方形形状的基板9的长边及短边中的任一者长。因此,例如,无论配置于支撑部20上的基板9的朝向如何,在利用排气部30对腔室10内的减压时,内部空间10s中的气体的流动均一,内部空间10s中的气体的流动难以根据基板9的朝向而不同。
另外,此处,例如,如图2所示,采用在俯视时四个排气口16a、16b、16c、16d均位于正方形形状的底面整流板40的对角线41上的结构。在此情况下,例如,通过各排气口16a、排气口16b、排气口16c、排气口16d,能够形成相对于底面整流板40的中央(两条对角线41的交点)对称的气流。由此,例如,在腔室10的内部空间10s中,能够形成更均匀的气流。
另外,此处,例如,四个侧面整流板50中的三个侧面整流板50固定于腔室10的侧壁部12。但是,四个侧面整流板50中的其余的一个侧面整流板50例如也可能够相对于侧壁部12及底面整流板40移动,以确保腔室10与外部之间的基板9的搬入及搬出的路径。在此情况下,所述一个侧面整流板50例如也可构成为与闸门部15一并移动。由此,例如,当闸门部15从关闭位置向打开位置移动时,所述一个侧面整流板50也移动,能够确保腔室10与外部之间的基板9的搬入及搬出的路径。此处,例如,在能够移动的侧面整流板50配置于正规的位置(构成所述箱状的整流板的位置)时,若与其他侧面整流板50及底面整流板40不接触,则能够移动的侧面整流板50与其他侧面整流板50及底面整流板40不滑接。由此,例如难以产生由构件的滑接而产生的粉尘。另一方面,例如,若在使能够移动的侧面整流板50、其他侧面整流板50及底面整流板40相互接触的状态下构成箱状的整流板,则在箱状的整流板难以产生间隙。在此情况下,例如,在利用排气部30对腔室10内的减压时,能够进一步限制内部空间10s中的气体的流动。
供气部60是进行向腔室10内供给气体的动作(也称为供气)的部分。对于供气部60,例如可应用用于向通过利用排气部30的排气而压力下降的腔室10的内部空间10s供给气体,而使腔室10内的压力恢复成大气压的机构。如图1所示,在腔室10的底板部11,例如设置有供气口16f。供气口16f例如位于底面整流板40的下方。供气部60具有与供气口16f连接的供气配管61、供气阀Vf、以及供气源62。例如,供气配管61的一端连接于供气口16f。例如,供气配管61的另一端连接于供气源62。例如,供气阀Vf设置于供气配管61的路径上。
此处,例如,当打开供气阀Vf时,从供气源62经由供气配管61及供气口16f向腔室10的内部空间10s供给气体。由此,可使腔室10内的气压上升。从供气源62供给的气体例如可为氮气等惰性气体,也可为清洁干燥空气。清洁干燥空气例如能够通过对一般的环境中的空气实施去除粒子及水分的净化而准备。
压力计70是测量腔室10的内部空间10s的气压的传感器。如图1所示,例如,压力计70安装于腔室10的一部分。压力计70例如可测量腔室10的内部空间10s的气压,并将其测量结果输出至控制部80。
控制部80是用于对减压干燥装置1的各部的动作进行控制的单元。例如,控制部80可对排气部30、供气部60及升降部100等进行控制。控制部80例如包括具有中央处理器(Central Processing Unit,CPU)等处理器801、随机存取存储器(Random Access Memory,RAM)等存储器802及硬盘驱动器的存储部803的计算机。在存储部803例如存储有用于在减压干燥装置1中执行通过减压使基板9上的涂膜90干燥的处理(也称为减压干燥处理)的计算机程序(也称为程序)803p及各种数据。存储部803例如存储程序803p,具有作为由计算机可读取的非暂时的存储介质的作用。控制部80例如从存储部803向存储器802读出程序803p及数据,在处理器801中进行按照程序803p及数据的运算处理,由此对减压干燥装置1的各部的动作进行控制。因此,例如,程序803p通过在减压干燥装置1中由控制部80中所包含的处理器801执行,而可执行减压干燥处理。
另外,在控制部80例如也可连接有输入部804、输出部805、通信部806及驱动器807。输入部804例如是响应于用户的动作等将各种信号输入至控制部80的部分。输入部804中例如能够包括输入与用户的操作相应的信号的操作部、输入与用户的声音相应的信号的麦克风、及输入与用户的运动相应的信号的各种传感器等。输出部805例如是以用户能够识别的实施方式输出各种信息的部分。输出部805中例如能够包括显示部、投影仪、及扬声器等。显示部也可为与输入部804一体化的触摸屏。通信部806例如是通过有线或无线的通信部件等在与服务器等外部的装置之间进行各种信息的收发的部分。例如,也可在存储部803中存储通过通信部806从外部的装置接收的程序803p。驱动器807例如是能够装卸磁盘或光盘等可移动的存储介质807m的部分。所述驱动器807例如在装设有存储介质807m的状态下,进行所述存储介质807m与控制部80之间的数据的授受。例如,也可通过存储有程序803p的存储介质807m装设于驱动器807,而从存储介质807m读入程序803p并存储于存储部803内。此处,存储介质807m例如存储程序803p,具有作为由计算机可读取的非暂时的存储介质的作用。
图6是概念性地示出了在控制部80中实现的功能的方块图。如图6所示,控制部80例如与开闭驱动部16、升降部100、四个单独阀Va、Vb、Vc、Vd、主阀Ve、真空泵32、供气阀Vf、及压力计70分别电连接。控制部80例如可参照从压力计70输出的测量值来对所述各部的动作进行控制。
如图6中概念性地所示,控制部80例如具有开闭控制部81、升降控制部82、切换控制部83、排气控制部84、泵控制部85、及供气控制部86作为所实现的功能性结构。例如,开闭控制部81对开闭驱动部16的动作进行控制。例如,升降控制部82对升降部100的动作进行控制。例如,切换控制部83各别地控制四个单独阀Va、Vb、Vc、Vd的开闭状态。例如,排气控制部84对主阀Ve的开闭状态及开度进行控制。例如,泵控制部85对真空泵32的动作进行控制。例如,供气控制部86对供气阀Vf的开闭状态进行控制。控制部80的各部的功能例如是通过处理器801进行按照所述程序803p等的运算处理来实现。
<2.减压干燥处理>
接着,对使用了减压干燥装置1的基板9的减压干燥处理进行说明。图7是表示一实施方式的减压干燥处理的流程的一例的流程图。所述减压干燥处理的流程例如是通过在控制部80中所包含的处理器801中执行程序803p来实现。此处,例如,按照所述顺序进行图7的步骤S1至步骤S10的处理。
在使用减压干燥装置1进行减压干燥处理时,例如,首先,将基板9搬入至腔室10内(步骤S1)。此时,处于在基板9的上表面形成有未干燥的涂膜90的状态。在步骤S1中,例如,首先,开闭控制部81使开闭驱动部16运行,而使闸门部15从关闭位置向打开位置移动,由此打开搬入搬出口14。然后,例如,省略了图示的搬送机器人在将基板9载置于叉子状的机械手的同时,经由腔室10的搬入搬出口14将基板9搬入至腔室10的内部空间10s。在此时间点,支撑部20例如配置于下降位置H1。搬送机器人例如在将叉子状的机械手插入至支撑部20的多个支撑板21之间的同时,将基板9载置于支撑部20上。当将基板9载置于支撑部20上时,搬送机器人退避至腔室10的外部。然后,例如,开闭控制部81再次使开闭驱动部16运行,而使闸门部15从打开位置向关闭位置移动,由此关闭搬入搬出口14。由此,在腔室10的内部空间10s收容基板9。
接着,例如,减压干燥装置1开始使支撑部20反复升降的动作(步骤S2)。此处,例如,升降控制部82通过升降部100开始使支撑部20反复升降的动作。此时,例如,支撑部20在上下方向上在下降位置H1与上升位置H2之间开始升降。由此,例如,载置于支撑部20上的基板9沿上下方向开始升降。其结果,例如,基板9的上表面与腔室10的顶板部13的距离在长的状态与短的状态之间反复变更。此处,使支撑部20升降的周期(循环)例如设定为几秒左右。下降位置H1与上升位置H2之间的距离例如设定为10毫米(mm)至100mm左右。
接着,例如,减压干燥装置1开始来自腔室10内的排气(步骤S3)。由此,例如,控制部80执行在腔室10内由支撑部20从下方支撑基板9的状态下,通过排气部30排出腔室10内的气体环境的工序(也称为排气工序)。此时,例如,控制部80在执行排气工序时,成为执行通过升降部100使支撑部20反复升降的工序(也称为第一升降工序)的状态。换言之,控制部80例如在进行利用排气部30的排气时,对升降部100进行控制,以使支撑部20反复升降。
此处,例如,泵控制部85开始真空泵32的动作,切换控制部83打开多个单独阀Va、Vb、Vc、Vd的至少一部分,并且排气控制部84打开主阀Ve。由此,例如,开始气体从腔室10的内部空间10s向排气配管31的排出,腔室10内的气压从大气压开始下降。
此处,例如,在来自腔室10内的排气时,通过反复进行支撑部20的升降,基板9的上表面与腔室10的顶板部13之间的空间在经缩小的状态与扩大的状态之间反复变更。此时,例如,在腔室10内产生气流的紊乱。由此,例如,难以产生在涂膜90上产生持续的特定模式的气流(也称为第一稳定流)的现象。其结果,例如,在涂膜90中难以产生与场所相应的干燥速度的差异,难以产生在涂膜90中的特定部位产生条状的干燥不均的不良状况。
另外,例如,即便假设由于多个支撑销22的存在而在基板9产生温度差,也能够通过由气流的紊乱引起的搅拌作用而减少基板9中的由支撑销22支撑的部分的正上方的从涂膜90蒸发的溶剂的成分的浓度与其周边的从涂膜90蒸发的溶剂的成分的浓度之差。换言之,例如,在涂膜90上从涂膜90蒸发的溶剂的成分的浓度难以偏向。其结果,例如,难以产生在涂膜90中的与支撑销22的位置相应的部位产生干燥不均的不良状况。
另外,例如,能够通过由气流的紊乱引起的搅拌作用而减少基板9中的涂布区域A1的中央部的正上方的从涂膜90蒸发的溶剂的成分的浓度与涂布区域A1的端部的正上方的从涂膜90蒸发的溶剂的成分的浓度之差。换言之,例如,在涂膜90上从涂膜90蒸发的溶剂的成分的浓度难以偏向。其结果,例如,难以产生在涂膜90中的与涂布区域A1的形状相应的部位产生干燥不均的不良状况。
因此,例如,在由排气部30进行来自腔室10内的排气时,若使支撑部20反复升降,则形成于基板9的上表面的涂膜90能够更均匀地干燥。
此外,例如,在进行利用排气部30的排气时,可通过排气控制部84适宜变更主阀Ve的开度,也可通过切换控制部83依次切换四个单独阀Va、Vb、Vc、Vd的开闭状态。
接着,例如,减压干燥装置1判定腔室10的内部空间10s是否达到规定的真空度(步骤S4)。此处,例如,控制部80根据利用压力计70所得的测量结果,判定腔室10的内部空间10s是否下降至与规定的真空度对应的规定的压力。例如,反复进行步骤S4的判定,直至内部空间10s达到规定的真空度为止。然后,当内部空间10s达到规定的真空度时,减压干燥装置1结束来自腔室10内的排气(步骤S5)。此处,例如,排气控制部84关闭主阀Ve,并且泵控制部85结束真空泵32的动作。由此,例如,气体从腔室10的内部空间10s向排气配管31的排出结束。此处,例如,从排气的开始至结束为止的时间例如能够成为300秒至500秒左右。
接着,例如,减压干燥装置1开始向腔室10内的供气(步骤S6)。由此,例如,控制部80在排气工序之后,执行在腔室10内由支撑部20从下方支撑基板9的状态下,通过供气部60向腔室10内供给气体的工序(也称为供气工序)。此时,例如,控制部80在执行供气工序时,成为执行通过升降部100使支撑部20反复升降的工序(也称为第二升降工序)的状态。换言之,控制部80例如在进行利用供气部60的供气时,对升降部100进行控制,以使支撑部20反复升降。
此处,例如,供气控制部86打开供气阀Vf。由此,例如,开始从供气源62通过供气配管61及供气口16f向腔室10的内部空间10s供给气体。此时,腔室10内的气压开始向大气压上升。在所述供气工序中,例如,在腔室10内可能产生相对较强的气流。与此相对,例如,有时涂膜90处于未充分干燥的半干的状态。
此处,例如,在向腔室10内的供气时,通过反复进行支撑部20的升降,基板9的上表面与腔室10的顶板部13之间的空间在缩小的状态与扩大的状态之间反复变更。此时,例如,在腔室10内产生气流的紊乱。由此,例如,难以产生在涂膜90上产生持续的特定模式的气流(也称为第二稳定流)的现象。其结果,例如,在涂膜90中难以产生与场所相应的干燥速度的差异,难以产生在涂膜90中的特定部位产生条状的干燥不均的不良状况。
另外,例如,即便假设由于多个支撑销22的存在而在基板9产生温度差,也能够通过由气流的紊乱引起的搅拌作用而减少基板9中的由支撑销22支撑的部分的正上方的从涂膜90蒸发的溶剂的成分的浓度与其周边的从涂膜90蒸发的溶剂的成分的浓度之差。换言之,例如,在涂膜90上从涂膜90蒸发的溶剂的成分的浓度难以偏向。其结果,例如,难以产生在涂膜90中的与支撑销22的位置相应的部位产生干燥不均的不良状况。
另外,例如,能够通过由气流的紊乱引起的搅拌作用而减少基板9中的涂布区域A1的中央部的正上方的从涂膜90蒸发的溶剂的成分的浓度与涂布区域A1的端部的正上方的从涂膜90蒸发的溶剂的成分的浓度之差。换言之,例如,在涂膜90上从涂膜90蒸发的溶剂的成分的浓度难以偏向。其结果,例如,难以产生在涂膜90中的与涂布区域A1的形状相应的部位产生干燥不均的不良状况。
因此,例如,在通过供气部60进行向腔室10内的供气时,若使支撑部20反复升降,则形成于基板9的上表面的涂膜90能够更均匀地干燥。
接着,例如,减压干燥装置1判定腔室10的内部空间10s是否达到大气压(步骤S7)。此处,例如,控制部80根据利用压力计70所得的测量结果,判定腔室10的内部空间10s是否达到大气压。例如,反复进行步骤S7的判定,直至内部空间10s达到大气压为止。然后,当内部空间10s达到大气压时,减压干燥装置1结束向腔室10内的供气(步骤S8)。此处,例如,供气控制部86关闭供气阀Vf。由此,例如,结束气体从供气源62向经由供气配管61及供气口16f的腔室10的内部空间10s的供给。此处,例如,从供气的开始至结束为止的时间例如能够成为50秒至150秒左右。
接着,例如,减压干燥装置1结束使支撑部20反复升降的动作(步骤S9)。此处,例如,升降控制部82结束通过升降部100使支撑部20反复升降的动作。此时,例如,在支撑部20配置于下降位置H1的状态下,停止支撑部20的升降。
然后,例如,最后将基板9从腔室10内搬出(步骤S10)。在步骤S10中,例如,首先,开闭控制部81使开闭驱动部16运行,而使闸门部15从关闭位置向打开位置移动,由此打开搬入搬出口14。然后,例如,省略了图示的搬送机器人经由腔室10的搬入搬出口14将载置于支撑部20的干燥完毕的基板9搬出至腔室10的外部。由此,能够结束对一片基板9的减压干燥处理。
如此,使用减压干燥装置1使形成于基板9的上表面的涂膜90干燥的方法(也称为减压干燥方法)例如具有排气工序、供气工序、第一升降工序及第二升降工序。就其他观点而言,使用减压干燥装置1的减压干燥方法例如具有排气工序、供气工序、以及包含第一升降工序及第二升降工序的、通过升降部100使支撑部20反复升降的工序(也称为升降工序)。换言之,控制部80例如在分别进行利用排气部30的排气及利用供气部60的供气时,对升降部100进行控制,以使支撑部20反复升降。
如以上所述,在一实施方式的减压干燥装置1中,例如,在分别进行腔室10内的气体环境的排出及气体向腔室10内的供给时,使基板9反复升降。由此,例如,无论是在腔室10内的排气时还是在向腔室10内的供气时,均可在腔室10内产生气流的紊乱。其结果,无论是在腔室10内的排气时还是在向腔室10内的供气时,均难以在基板9的上方产生持续的特定模式的气流,并且在涂膜90上从涂膜90蒸发的溶剂的成分的浓度难以偏向。因此,例如,形成于基板9的上表面的涂膜90能够更均匀地干燥。
<3.变形例>
本发明并不限定于所述的一实施方式,能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变更、改良等。
在所述一实施方式中,例如,控制部80可在进行利用排气部30的排气及利用供气部60的供气中的至少其中一者时,对升降部100进行控制,以使支撑部20反复升降。换言之,在使用减压干燥装置1进行减压干燥处理时,控制部80可执行在执行排气工序时通过升降部100使支撑部20反复升降的工序(第一升降工序)、及在执行供气工序时通过升降部100使支撑部20反复升降的工序(第二升降工序)中的至少其中一者。进而换言之,例如使用了减压干燥装置1的减压干燥方法可具有排气工序、供气工序、以及第一升降工序,也可具有排气工序、供气工序、以及第二升降工序。就其他观点而言,使用了减压干燥装置1的减压干燥方法例如具有排气工序、供气工序、以及在执行排气工序及供气工序中的至少其中一个工序时作为通过升降部100使支撑部20反复升降的工序的升降工序。换言之,升降工序例如也可包括第一升降工序及第二升降工序中的至少其中一者。
此处,例如,在进行腔室10内的气体环境的排出及气体向腔室10内的供给中的至少其中一者时,可使基板9反复升降。由此,例如,在排气时及供气时中的至少其中一者中,可在腔室10内产生气流的紊乱。其结果,例如,在排气时及供气时中的至少其中一者中,在腔室10内,难以产生持续的特定模式的气流,并且在涂膜90上从涂膜90蒸发的溶剂的成分的浓度难以偏向。因此,例如,形成于基板9的上表面的涂膜90能够更均匀地干燥。
此处,对执行第一升降工序及第二升降工序中的第一升降工序的减压干燥处理的一例进行说明。图8是表示一变形例的减压干燥处理的流程的一例的流程图。所述减压干燥处理的流程例如是通过在控制部80中所包含的处理器801中执行程序803p来实现。此处,例如,按照所述记载的顺序进行图8的步骤Sa1至步骤Sa10的处理。
首先,将基板9搬入至腔室10内(步骤Sa1)。此处,例如,进行与所述步骤S1同样的动作。
接着,例如,减压干燥装置1开始使支撑部20反复升降的动作(步骤Sa2)。此处,例如,进行与所述步骤S2同样的动作。
接着,例如,减压干燥装置1开始来自腔室10内的排气(步骤Sa3)。此处,例如,进行与所述步骤S3同样的动作。
接着,例如,减压干燥装置1判定腔室10的内部空间10s是否达到规定的真空度(步骤Sa4)。此处,例如,进行与所述步骤S4同样的动作。此处,例如,反复进行步骤Sa4的判定,直至内部空间10s达到规定的真空度为止,当内部空间10s达到规定的真空度时,减压干燥装置1结束来自腔室10内的排气(步骤Sa5)。此处,例如,进行与所述步骤S5同样的动作。
接着,例如,减压干燥装置1结束使支撑部20反复升降的动作(步骤Sa6)。此处,例如,进行与所述步骤S9同样的动作。
接着,例如,减压干燥装置1开始向腔室10内的供气(步骤Sa7)。此处,例如,进行与所述步骤S6同样的动作。
接着,例如,减压干燥装置1判定腔室10的内部空间10s是否达到大气压(步骤Sa8)。此处,例如,进行与所述步骤S7同样的动作。此处,例如,当内部空间10s达到大气压时,减压干燥装置1结束向腔室10内的供气(步骤Sa9)。此处,例如,进行与所述步骤S8同样的动作。
然后,例如,最后将基板9从腔室10内搬出(步骤Sa10)。此处,例如,进行与所述步骤S10同样的动作。
另外,此处,对执行第一升降工序及第二升降工序中的第二升降工序的减压干燥处理的一例进行说明。图9是表示一变形例的减压干燥处理的流程的一例的流程图。所述减压干燥处理的流程例如是通过在控制部80中所包含的处理器801中执行程序803p来实现。此处,例如,按照所述顺序进行图9的步骤Sb1至步骤Sb10的处理。
首先,将基板9搬入至腔室10内(步骤Sb1)。此处,例如,进行与所述步骤S1及步骤Sa1同样的动作。
接着,例如,减压干燥装置1开始来自腔室10内的排气(步骤Sb2)。此处,例如,进行与所述步骤S3及步骤Sa3同样的动作。
接着,例如,减压干燥装置1判定腔室10的内部空间10s是否达到规定的真空度(步骤Sb3)。此处,例如,进行与所述步骤S4及步骤Sa4同样的动作。此处,例如,反复进行步骤Sb3的判定,直至内部空间10s达到规定的真空度为止,当内部空间10s达到规定的真空度时,减压干燥装置1结束来自腔室10内的排气(步骤Sb4)。此处,例如,进行与所述步骤S5及步骤Sa5同样的动作。
接着,例如,减压干燥装置1开始使支撑部20反复升降的动作(步骤Sb5)。此处,例如,进行与所述步骤S2及步骤Sa2同样的动作。
接着,例如,减压干燥装置1开始向腔室10内的供气(步骤Sb6)。此处,例如,进行与所述步骤S6及步骤Sa7同样的动作。
接着,例如,减压干燥装置1判定腔室10的内部空间10s是否达到大气压(步骤Sb7)。此处,例如,进行与所述步骤S7及步骤Sa8同样的动作。此处,例如,当内部空间10s达到大气压时,减压干燥装置1结束向腔室10内的供气(步骤Sb8)。此处,例如,进行与所述步骤S8及步骤Sa9同样的动作。
接着,例如,减压干燥装置1结束使支撑部20反复升降的动作(步骤Sb9)。此处,例如,进行与所述步骤S9及步骤Sa6同样的动作。
然后,例如,最后将基板9从腔室10内搬出(步骤Sb10)。此处,例如,进行与所述步骤S10及步骤Sa10同样的动作。
在所述一实施方式中,例如,控制部80可在进行利用排气部30的排气的期间中的一部分期间中,对升降部100进行控制,以使支撑部20反复升降。另外,例如,控制部80可在进行利用供气部60的供气的期间中的一部分期间中,对升降部100进行控制,以使支撑部20反复升降。换言之,在使用减压干燥装置1进行减压干燥处理时,例如,可在执行排气工序的期间中的一部分期间中执行第一升降工序,也可在执行供气工序的期间中的一部分期间中执行第二升降工序。此处,例如,可在排气工序的执行开始之后开始第一升降工序的执行,也可在排气工序的执行结束之前结束第一升降工序的执行。另外,例如,可在供气工序的执行开始之后开始第二升降工序的执行,也可在供气工序的执行结束之前结束第二升降工序的执行。
在所述一实施方式中,例如腔室10具有四个排气口16a、16b、16c、16d,但并不限于此。例如,腔室10所具有的排气口的数量可为一个至三个及五个以上的任一者。另外,例如也可无单独阀Va、单独阀Vb、单独阀Vc、单独阀Vd。
在所述一实施方式中,减压干燥装置1通过减压使基板9上的涂膜90干燥,但并不限于此。例如,减压干燥装置1也可通过减压及加热使基板9上的涂膜90干燥。
在所述一实施方式中,在腔室10的侧壁部12设置有基板9的搬入搬出口14,但并不限于此。例如,也可采用腔室10的四个侧壁部12及顶板部13构成一体的盖部10l,且所述盖部10l可从底板部11分离而向上方退避的结构。图10是示意性地表示一变形例的减压干燥装置1的纵剖面的一例的图。此处,例如,如图10所示,若盖部10l处于经由O形环等密封材料10b与底板部11接触的状态,则腔室10的内部空间10s处于关闭的状态。此处,例如,通过利用开闭驱动部16而使盖部10l向上方移动,从而从底板部11向上方分离,腔室10的内部空间10s打开。此时,例如,可进行基板9向腔室10的内部空间10s的搬入及基板9从腔室10的内部空间10s的搬出。另外,例如,通过利用开闭驱动部16而使盖部10l向下方移动,从而所述盖部10l推压至底板部11上的密封材料10b,由此腔室10的内部空间10s关闭。另外,此处,例如,四个侧面整流板50固定于盖部10l,也能够与盖部10l一并向上方移动。在采用此种结构的情况下,例如,容易减小内部空间10s,从排气的开始至结束为止的时间能够成为60秒至100秒左右,从供气的开始至结束为止的时间能够成为10秒至30秒左右。
在所述一实施方式中,例如,支撑部20可具有各种形态。例如,多个支撑板21也可为一体的一个支撑板21。
在所述一实施方式中,例如,可无底面整流板40,也可无侧面整流板50。
在所述一实施方式中,例如,减压干燥装置1中的各种动作例如也可响应于用户对输入部804的动作或从外部的装置对通信部806输入的信号等而开始或结束。
在所述一实施方式中,例如,在控制部80中,所实现的功能性结构的至少一部分也可包括专用的电子电路的硬件。
此外,当然能够将分别构成所述一实施方式及各种变形例的全部或一部分适宜在不矛盾的范围内进行组合。
Claims (6)
1.一种减压干燥装置,是使形成于基板的上表面的涂膜干燥的减压干燥装置,包括:
腔室,收容所述基板;
支撑部,在所述腔室内从下方支撑所述基板;
升降部,在所述腔室内使所述支撑部升降;
排气部,进行排出所述腔室内的气体环境的排气;
供气部,进行向所述腔室内供给气体的供气;以及
控制部,在进行利用所述排气部的排气及利用所述供气部的供气中的至少其中一者时,对所述升降部进行控制,以使所述支撑部反复升降。
2.根据权利要求1所述的减压干燥装置,其中,
所述控制部在分别进行利用所述排气部的排气及利用所述供气部的供气时,对所述升降部进行控制,以使所述支撑部反复升降。
3.一种减压干燥方法,是使用包括腔室、支撑部、升降部、排气部以及供气部的减压干燥装置使形成于所述基板的上表面的涂膜干燥的减压干燥方法,所述腔室收容基板,所述支撑部在所述腔室内从下方支撑所述基板,所述升降部在所述腔室内使所述支撑部升降,所述排气部排出所述腔室内的气体环境,所述供气部向所述腔室内供给气体,且所述减压干燥方法包括:
排气工序,在所述腔室内由所述支撑部从下方支撑所述基板的状态下,通过所述排气部排出所述腔室内的气体环境;
供气工序,在所述排气工序之后,在所述腔室内由所述支撑部从下方支撑所述基板的状态下,通过所述供气部向所述腔室内供给气体;以及
升降工序,在执行所述排气工序及所述供气工序中的至少其中一个工序时,通过所述升降部使所述支撑部反复升降。
4.根据权利要求3所述的减压干燥方法,其中,
所述升降工序包括:第一升降工序,在执行所述排气工序时通过所述升降部使所述支撑部反复升降;以及第二升降工序,在执行所述供气工序时通过所述升降部使所述支撑部反复升降。
5.一种程序,在包括腔室、支撑部、升降部、排气部、供气部以及控制部的使形成于所述基板的上表面的涂膜干燥的减压干燥装置中,在由所述控制部所包含的处理器执行时,执行以下工序,所述腔室收容基板,所述支撑部在所述腔室内从下方支撑所述基板,所述升降部在所述腔室内使所述支撑部升降,所述排气部排出所述腔室内的气体环境,所述供气部向所述腔室内供给气体,所述控制部对所述排气部、所述供气部及所述升降部进行控制,即:
排气工序,所述控制部在所述腔室内由所述支撑部从下方支撑所述基板的状态下,通过所述排气部排出所述腔室内的气体环境;
供气工序,所述控制部在所述排气工序之后,在所述腔室内由所述支撑部从下方支撑所述基板的状态下,通过所述供气部向所述腔室内供给气体;以及
升降工序,所述控制部在执行所述排气工序及所述供气工序中的至少其中一个工序时,通过所述升降部使所述支撑部反复升降。
6.根据权利要求5所述的程序,其中,
所述升降工序包括:第一升降工序,所述控制部在执行所述排气工序时通过所述升降部使所述支撑部反复升降;以及第二升降工序,所述控制部在执行所述供气工序时通过所述升降部使所述支撑部反复升降。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021-134759 | 2021-08-20 | ||
JP2021134759A JP7381526B2 (ja) | 2021-08-20 | 2021-08-20 | 減圧乾燥装置、減圧乾燥方法およびプログラム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115889135A true CN115889135A (zh) | 2023-04-04 |
Family
ID=85326584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210512910.2A Pending CN115889135A (zh) | 2021-08-20 | 2022-05-12 | 减压干燥装置、减压干燥方法及程序 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7381526B2 (zh) |
KR (1) | KR20230028151A (zh) |
CN (1) | CN115889135A (zh) |
TW (1) | TW202309457A (zh) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1076211A (ja) * | 1996-09-03 | 1998-03-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 減圧乾燥装置 |
JP2003269859A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-09-25 | Tokyo Electron Ltd | 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法 |
JP2004186419A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Tokyo Electron Ltd | 減圧乾燥装置、塗布膜形成装置及び減圧乾燥方法 |
CN1781614A (zh) * | 2004-11-29 | 2006-06-07 | 精工爱普生株式会社 | 减压干燥装置 |
CN106513273A (zh) * | 2015-09-11 | 2017-03-22 | 株式会社思可林集团 | 减压干燥装置及减压干燥方法 |
CN110548658A (zh) * | 2018-05-31 | 2019-12-10 | 株式会社斯库林集团 | 减压干燥装置及减压干燥方法 |
CN216605955U (zh) * | 2020-11-30 | 2022-05-27 | 株式会社斯库林集团 | 减压干燥装置 |
CN114570621A (zh) * | 2020-11-30 | 2022-06-03 | 株式会社斯库林集团 | 减压干燥装置 |
CN115532558A (zh) * | 2021-06-30 | 2022-12-30 | 株式会社斯库林集团 | 减压干燥装置及减压干燥方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0642862A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-02-18 | Toshiba Corp | 水洗浄乾燥方法 |
JP2002372368A (ja) | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 減圧乾燥装置 |
JP4335786B2 (ja) | 2004-11-29 | 2009-09-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 減圧乾燥装置 |
JP5134317B2 (ja) | 2007-09-06 | 2013-01-30 | 東京応化工業株式会社 | 減圧処理装置および減圧処理方法 |
JP5022855B2 (ja) | 2007-10-05 | 2012-09-12 | 古河機械金属株式会社 | リフトピン機構、加熱処理装置、減圧乾燥装置 |
JP2009111234A (ja) | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
KR20090115308A (ko) * | 2008-05-01 | 2009-11-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 배향막 예비 건조 장치 |
JP5371605B2 (ja) | 2008-09-25 | 2013-12-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法 |
JP4879304B2 (ja) | 2009-09-17 | 2012-02-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法 |
-
2021
- 2021-08-20 JP JP2021134759A patent/JP7381526B2/ja active Active
-
2022
- 2022-05-12 CN CN202210512910.2A patent/CN115889135A/zh active Pending
- 2022-05-23 TW TW111119144A patent/TW202309457A/zh unknown
- 2022-08-03 KR KR1020220096567A patent/KR20230028151A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1076211A (ja) * | 1996-09-03 | 1998-03-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 減圧乾燥装置 |
JP2003269859A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-09-25 | Tokyo Electron Ltd | 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法 |
JP2004186419A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Tokyo Electron Ltd | 減圧乾燥装置、塗布膜形成装置及び減圧乾燥方法 |
CN1781614A (zh) * | 2004-11-29 | 2006-06-07 | 精工爱普生株式会社 | 减压干燥装置 |
CN106513273A (zh) * | 2015-09-11 | 2017-03-22 | 株式会社思可林集团 | 减压干燥装置及减压干燥方法 |
CN110548658A (zh) * | 2018-05-31 | 2019-12-10 | 株式会社斯库林集团 | 减压干燥装置及减压干燥方法 |
CN216605955U (zh) * | 2020-11-30 | 2022-05-27 | 株式会社斯库林集团 | 减压干燥装置 |
CN114570621A (zh) * | 2020-11-30 | 2022-06-03 | 株式会社斯库林集团 | 减压干燥装置 |
CN115532558A (zh) * | 2021-06-30 | 2022-12-30 | 株式会社斯库林集团 | 减压干燥装置及减压干燥方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202309457A (zh) | 2023-03-01 |
JP2023028831A (ja) | 2023-03-03 |
JP7381526B2 (ja) | 2023-11-15 |
KR20230028151A (ko) | 2023-02-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8626330B2 (en) | Atomic layer deposition apparatus | |
KR101871006B1 (ko) | 감압 건조 장치 및 감압 건조 방법 | |
JP4429943B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP4571525B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP5208800B2 (ja) | 基板処理システム及び基板搬送方法 | |
JP5036290B2 (ja) | 基板処理装置および基板搬送方法、ならびにコンピュータプログラム | |
US11408070B2 (en) | Wafer processing apparatus and wafer processing method | |
JP2013167451A (ja) | 風速計測方法及び風速計測装置 | |
CN114570621A (zh) | 减压干燥装置 | |
JP5622701B2 (ja) | 減圧乾燥装置 | |
US20020174950A1 (en) | Apparatus for manufacturing a semiconductor device | |
CN115889135A (zh) | 减压干燥装置、减压干燥方法及程序 | |
JP2006059844A (ja) | 減圧乾燥装置 | |
CN216605955U (zh) | 减压干燥装置 | |
JP2003007594A (ja) | 基板熱処理装置 | |
JP2011058656A (ja) | 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法 | |
TW202204050A (zh) | 緣部平坦化設備及包含該設備之塗覆乾燥系統 | |
CN117358548A (zh) | 减压干燥装置 | |
CN117583215A (zh) | 减压干燥装置 | |
TWI836297B (zh) | 減壓乾燥裝置 | |
JP2024057845A (ja) | 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法 | |
JP2006071185A (ja) | 減圧乾燥装置 | |
TW202413869A (zh) | 減壓乾燥裝置 | |
JP3170799U (ja) | 減圧乾燥装置 | |
KR20180021263A (ko) | 기판 냉각 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 설비 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |