JP3170799U - 減圧乾燥装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】塗布液が塗布された被処理基板に対し、塗布液を均一に乾燥させることで、基板の減圧乾燥処理時に起因するムラが発生することを防止し、且つ良好な膜形成を行うことのできる減圧乾燥装置を提供する。【解決手段】被処理基板Gを収容し、下部チャンバ9と上部チャンバ10とで形成された処理空間としてのチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、前記被処理基板を保持する保持部11と、前記保持部11を昇降移動させる昇降手段としての昇降装置24と、前記チャンバ内に形成された給気口25と、保持部11の上方に設けられた整流手段としての整流板18と、チャンバ内に形成された排気口26と、前記排気口26からチャンバ内の雰囲気を排気する排気手段としての真空ポンプ16と、前記排気口26と前記排気手段16との間に排気量を調整する排気量調整手段21とを備える。【選択図】図4
Description
本考案は、処理液が塗布された被処理基板に対して、減圧環境下で乾燥処理を施す減圧乾燥装置に関する。
例えばFPD(フラット・パネル・ディスプレイ)の製造においては、ガラス基板等の被処理基板に所定の膜を成膜した後、処理液であるフォトレジスト(以下、レジストと呼ぶ)を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ工程により回路パターンを形成している。そして前記レジスト膜の形成工程において、基板へのレジスト塗布後、減圧により塗布膜を乾燥させる減圧乾燥処理が行われる。
従来、このような減圧乾燥処理を行う装置としては、例えば図10に示す減圧乾燥処理ユニット30が知られている。
従来、このような減圧乾燥処理を行う装置としては、例えば図10に示す減圧乾燥処理ユニット30が知られている。
この減圧乾燥処理ユニット30は、下部チャンバ31に対して、上部チャンバ32を閉じることにより、内部に処理空間が形成されるように構成されている。その処理空間には、被処理基板を載置するためのステージ33が設けられている。ステージ33には基板Gを載置するための複数の固定ピン34が設けられている。
この減圧乾燥処理ユニット30においては、被処理面にレジスト塗布された基板Gが搬入されると、基板Gはステージ33上に固定ピン34を介して載置される。
その後、下部チャンバ31に対して上部チャンバ32を閉じることにより、基板Gは気密状態の処理空間内に置かれた状態となる。
次いで、処理空間内の雰囲気が排気口35から排気され、所定の減圧雰囲気となされる。この減圧状態が所定時間、維持されることにより、レジスト液中のシンナー等の溶剤がある程度蒸発され、レジスト液中の溶剤が徐々に放出され、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥が促進される(特許文献1)。
その後、下部チャンバ31に対して上部チャンバ32を閉じることにより、基板Gは気密状態の処理空間内に置かれた状態となる。
次いで、処理空間内の雰囲気が排気口35から排気され、所定の減圧雰囲気となされる。この減圧状態が所定時間、維持されることにより、レジスト液中のシンナー等の溶剤がある程度蒸発され、レジスト液中の溶剤が徐々に放出され、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥が促進される(特許文献1)。
ところで近年にあっては、例えばFPD等に用いられるガラス基板が大型化し、減圧乾燥処理ユニットにおいても、ガラス基板を収容するチャンバが大型化している。
このようなチャンバを用いてレジスト膜が形成された基板を減圧乾燥した場合には、減圧時に基板表面を伝って排気口に向うように気流が形成される為に、排気口周辺の流速が最も早くなり、基板全面における乾燥度合が異なる為、それが乾燥ムラとなり、減圧乾燥後に行われる加熱処理(以下、プリベーク処理という)後の残膜に差ができる。このようなムラの発生が、基板の品質を低下させ、また、歩留まりを低下させるという解決すべき課題があった。
このようなチャンバを用いてレジスト膜が形成された基板を減圧乾燥した場合には、減圧時に基板表面を伝って排気口に向うように気流が形成される為に、排気口周辺の流速が最も早くなり、基板全面における乾燥度合が異なる為、それが乾燥ムラとなり、減圧乾燥後に行われる加熱処理(以下、プリベーク処理という)後の残膜に差ができる。このようなムラの発生が、基板の品質を低下させ、また、歩留まりを低下させるという解決すべき課題があった。
本考案は、上記事情の問題点を解決するためになされたものであり、塗布液が塗布された被処理基板に対して、チャンバ内の流速のバラツキを抑制し、塗布液が塗布された被処理基板に対し、塗布液を均一に乾燥させることで乾燥ムラの発生を抑制し、且つ良好な残膜形成を行うことのできる減圧乾燥装置を提供することを目的とする。
本考案に係る減圧乾燥装置は、処理液が塗布された被処理基板に対し前記処理液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥処理であって、被処理基板を収容し、処理空間を形成するチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、前期被処理基板を保持する保持部と、前記保持部を昇降移動させる昇降手段と、前記チャンバ内に形成された給気口と、前記給気口から不活性ガスをチャンバ内の処理空間に供給する供給手段と、前記保持部の上方に設けられた整流手段と、前記チャンバ上方に形成された複数の排気口と、前記整流板を経て前記複数の排気口からチャンバ内の雰囲気を排気する排気手段と、前記排気口と前記排気手段との間に排気量を調整する排気量調整手段を備えることに特徴を有する。
また、前記整流手段は被処理基板の上方に配置され、前記排気手段の排気動作により、被処理基板上面から上方に向って一方向に流れる流路が形成されるのが好ましい。
このような本考案の基板処理装置によれば、基板表面を流れる気流を、複数の排気口によって排気するため、複数の排気口に対応する基板表面のエリア毎に制御可能となり、基板表面の塗布膜乾燥均一性を高く維持することができる。
本考案によれば、塗布液が塗布された被処理基板に対し、塗布液を均一に乾燥させることで、基板の減圧乾燥処理時に起因するムラが発生することを防止し、且つ良好な膜形成を行うことができる。
以下、本考案にかかる一実施の形態につき、図1乃至図5に基づいて説明する。尚、図1では、図2に示された蓋状の上部チャンバ10側の構成を省略して図示している。
本考案の減圧乾燥装置は、例えば、フォトリソグラフィ工程において被処理基板にレジスト膜を形成する塗布プロセス部1内の減圧乾燥ユニット5に適用することができる。
本考案の減圧乾燥装置は、例えば、フォトリソグラフィ工程において被処理基板にレジスト膜を形成する塗布プロセス部1内の減圧乾燥ユニット5に適用することができる。
図1、図2に示すように、塗布プロセス部1は、支持台2の上に、ノズル3を有するレジスト塗布ユニット4と、減圧乾燥ユニット5とが処理工程の順序に従い横一列に配置されている。
この支持台2の両側には一対のガイドレール6が敷設され、このガイドレール6に沿って平行移動する一組の搬送アーム7により、基板Gがレジスト塗布ユニット4から減圧乾燥ユニット5へ搬送できるようになされている。
この支持台2の両側には一対のガイドレール6が敷設され、このガイドレール6に沿って平行移動する一組の搬送アーム7により、基板Gがレジスト塗布ユニット4から減圧乾燥ユニット5へ搬送できるようになされている。
前記レジスト塗布ユニット4は、前記したようにノズル3を有し、このノズル3は支持台2上に固定されたゲート8に懸垂状態で固定されている。このノズル3にはレジスト液供給手段(図示せず)から処理液であるレジスト液Rが供給され、搬送アーム7によってゲート8の下を通過移動する基板Gの一端から他端にわたりレジスト液Rを塗布するようになされている。
また、減圧乾燥ユニット5は、上面が開口している底浅容器型の下部チャンバ9と、この下部チャンバ9の上面に気密に密着可能に構成された蓋状の上部チャンバ10とを有している。
図1乃至図3に示すように下部チャンバ9は略四角形で、中心部には基板Gを水平に載置して吸着保持するための板状のステージ11(保持部)が配置されている。前記上部チャンバ10は、上部チャンバ移動手段12によって前記ステージ11の上方に昇降自在に配置されている。そして、減圧乾燥処理の際には、上部チャンバ10が下降して下部チャンバ9と密着して閉じ、ステージ11上に載置された基板Gを処理空間に収容した状態とされる。
尚、図4,5に示すように、前記ステージ11は、例えばモータを駆動源とするボールねじ機構からなる昇降装置24(昇降手段)によって昇降移動可能となされている
図1乃至図3に示すように下部チャンバ9は略四角形で、中心部には基板Gを水平に載置して吸着保持するための板状のステージ11(保持部)が配置されている。前記上部チャンバ10は、上部チャンバ移動手段12によって前記ステージ11の上方に昇降自在に配置されている。そして、減圧乾燥処理の際には、上部チャンバ10が下降して下部チャンバ9と密着して閉じ、ステージ11上に載置された基板Gを処理空間に収容した状態とされる。
尚、図4,5に示すように、前記ステージ11は、例えばモータを駆動源とするボールねじ機構からなる昇降装置24(昇降手段)によって昇降移動可能となされている
また、図4、図5に示すように、上部チャンバの上方には、複数の排気口26(排気管13)が設けられている。この排気口26(排気管13)は、例えば図8に示すように、基板の搬送方向に所定の間隔をおいて、4つ設けられ、基板の幅方向に所定の間隔をおいて3つ設けられている。
排気口26には、それぞれ排気管13が接続され、各排気管13は排気管路14に接続され、その後集合管15にて結合されて真空ポンプ16(排気手段)に通じている。
そして、前記下部チャンバ9に前記上部チャンバ10を被せた状態で、チャンバ内の処理空間を前記真空ポンプ16により所定の真空度まで減圧できるようになっている。
排気口26には、それぞれ排気管13が接続され、各排気管13は排気管路14に接続され、その後集合管15にて結合されて真空ポンプ16(排気手段)に通じている。
そして、前記下部チャンバ9に前記上部チャンバ10を被せた状態で、チャンバ内の処理空間を前記真空ポンプ16により所定の真空度まで減圧できるようになっている。
また、下部チャンバ9における、基板Gの搬送方向の両側側壁には、基板Gを挟んで対向するように、給気口25が設けられている。
この給気口25からチャンバ内に不活性ガス(例えば窒素ガス)が供給され、チャンバ内雰囲気がパージされる。図4に示すように、前記給気口25に接続された給気管22は、不活性ガス供給部23(給気手段)に接続されている。
前記給気口25からの不活性ガスの供給は、チャンバ内気圧が所定値(例えば400Pa以下)に達したとき、もしくは、チャンバ内が減圧開始されてから所定時間の経過後に開始される。
この給気口25からチャンバ内に不活性ガス(例えば窒素ガス)が供給され、チャンバ内雰囲気がパージされる。図4に示すように、前記給気口25に接続された給気管22は、不活性ガス供給部23(給気手段)に接続されている。
前記給気口25からの不活性ガスの供給は、チャンバ内気圧が所定値(例えば400Pa以下)に達したとき、もしくは、チャンバ内が減圧開始されてから所定時間の経過後に開始される。
また、上部チャンバ10の直下には、上部チャンバ10から懸垂状態に固定されている整流板18(整流手段)が配置される。前記整流板18には、複数の穴が開いており、チャンバ内の空間を排気する場合は、この整流板18の穴を介してガスが排気される。
また、前記チャンバ内から前記整流板18を介して前記排気口26からガスが排気されるが、前記排気口26に接続された排気管13の内部には、それぞれ排気流量調整ダンパー21(排気量調整手段)が設けられており、この排気量調整ダンパー21によって流量が制御される。この排気量調整ダンパー21は各排気管13に設けられており、夫々の排気管13から排出される気体の流量を、各排気管13毎に調整することができる。
また、前記チャンバ内から前記整流板18を介して前記排気口26からガスが排気されるが、前記排気口26に接続された排気管13の内部には、それぞれ排気流量調整ダンパー21(排気量調整手段)が設けられており、この排気量調整ダンパー21によって流量が制御される。この排気量調整ダンパー21は各排気管13に設けられており、夫々の排気管13から排出される気体の流量を、各排気管13毎に調整することができる。
このように、被処理基板Gの上部に複数の排気口26が設けられ、各排気口26の流量を調整することができる。即ち、排気口26に対応した、基板の上部のエリア毎に排気量調整ダンパー21の開度を調整することによって、被処理基板Gの上部の各エリアの流量を調整することができる。即ち、被処理基板Gの上部の各エリアの流速のバラツキを抑制することにより、乾燥ムラを抑制する。
続いて、このように形成された塗布プロセス部1の動作について図6、図7に基づき説明する。
先ず、基板Gが搬入され搬送アーム7上に載置されると、搬送アーム7はレール6上を移動し、レジスト塗布ユニット4のゲート8下を通過移動する。その際、ゲート8に固定されたノズル3からは、その下を移動する基板Gに対しレジスト液Rが吐出され、基板Gの一辺から他辺に向かってレジスト液Rが塗布される(図6のステップS1)。
尚、レジスト液Rが基板Gの全面にわたり塗布された時点(塗布終了位置)では、基板Gは減圧乾燥ユニット5の上部チャンバ10の下に位置する状態となる。
先ず、基板Gが搬入され搬送アーム7上に載置されると、搬送アーム7はレール6上を移動し、レジスト塗布ユニット4のゲート8下を通過移動する。その際、ゲート8に固定されたノズル3からは、その下を移動する基板Gに対しレジスト液Rが吐出され、基板Gの一辺から他辺に向かってレジスト液Rが塗布される(図6のステップS1)。
尚、レジスト液Rが基板Gの全面にわたり塗布された時点(塗布終了位置)では、基板Gは減圧乾燥ユニット5の上部チャンバ10の下に位置する状態となる。
次いで、基板Gは減圧乾燥ユニット5のステージ11に載置され(図6のステップS2)、ステージ11は、昇降装置24の駆動によりチャンバ内の下方位置まで下降移動し、基板Gがチャンバ底部に近接した状態で停止する(図6のステップS3)。
その後、基板Gは、その上方から上部チャンバ移動手段12により下降移動する上部チャンバ10によって覆われる。そして基板Gは、下部チャンバ9に対して上部チャンバ10を閉じることにより形成された処理空間内に収容される(図6のステップS4)。
前記上部チャンバ10によって下部チャンバ9が閉じられると、この状態から真空ポンプ16が作動され(図6のステップS5)、排気口26から排気管13を通り排気管路14を介して処理空間内の気体が吸引され、処理空間の気圧が所定の真空状態となるまで減圧される。
ここで、基板Gの上面は整流板18に近接しており、基板Gの上面にある気体は、整流板18を通って排気口26へ流れる。
このように、基板Gの上面に整流板18を配置することにより、チャンバ内に形成される気流が制御され、乾燥ムラが抑制され良好な膜形成を行うことができる
ここで、基板Gの上面は整流板18に近接しており、基板Gの上面にある気体は、整流板18を通って排気口26へ流れる。
このように、基板Gの上面に整流板18を配置することにより、チャンバ内に形成される気流が制御され、乾燥ムラが抑制され良好な膜形成を行うことができる
続いて、図7を参照し、チャンバ内のガスの流れについて詳しく説明する。
上部チャンバ10に接続された排気管13には、排気量を調整するための、排気量調整ダンパー21(排気量調整手段)が組み込まれており、この排気量調整ダンパー21の開度により、排気流量が決められる。排気量調整ダンパー21の開度が高い場合は、より多くのガスが排気され、排気量調整ダンパー21の開度が低い場合は、より少ないガスを排気する。
上部チャンバ10に接続された排気管13には、排気量を調整するための、排気量調整ダンパー21(排気量調整手段)が組み込まれており、この排気量調整ダンパー21の開度により、排気流量が決められる。排気量調整ダンパー21の開度が高い場合は、より多くのガスが排気され、排気量調整ダンパー21の開度が低い場合は、より少ないガスを排気する。
こうして、基板表面の上方を流れるガスの流量を調整する(流速を調整する)ことにより、基板表面のレジスト溶剤の乾燥状態を制御することができる。特に、被処理基板Gの上部に複数の排気口26が設けられ、各排気口26の流量を調整する(流速を調整する)ことができるため、複数の排気口26に対応した各エリアの流速のバラツキを抑えることができ、乾燥ムラを抑制することができる。
ここで、仮にレジスト塗布装置にて均一な膜厚塗布ができなかった場合でも、減圧乾燥装置にてレジスト表面の溶剤乾燥をエリア毎に制御することで、基板表面の膜厚乾燥状態が均一になるように補正することが可能となる。
ここで、仮にレジスト塗布装置にて均一な膜厚塗布ができなかった場合でも、減圧乾燥装置にてレジスト表面の溶剤乾燥をエリア毎に制御することで、基板表面の膜厚乾燥状態が均一になるように補正することが可能となる。
チャンバ内の気圧が所定値(例えば400Pa以下)に達する、もしくは、減圧開始から所定時間が経過すると(図6のステップS6)、給気口25から不活性ガスが供給される(図6のステップ7)。チャンバ内が常気圧に達した(図6のステップ8)ところで、上部チャンバ移動手段12により上部チャンバ10が上昇移動され、ステージ11が基板搬送位置まで上昇し、基板Gは減圧乾燥ユニット5から次の処理工程に向け搬出される。
以上のように本考案に係る実施の形態によれば、減圧乾燥処理の間に、基板Gの上面に整流板18を配置することにより、チャンバ内に形成される気流が制御される。
これにより、被処理基板の表面から上方に向かって気流が形成されることで、良好な膜形成を行うことができる
これにより、被処理基板の表面から上方に向かって気流が形成されることで、良好な膜形成を行うことができる
また、前記実施の形態において、図8に示すように、排気管13は、上部チャンバ上方位置に12箇所の配置にて示したが、その数や配列(レイアウト)は限定されるものではない。
さらに排気管13の形状は、正円形を示したが、それに限定されず、長穴、方形等、他の形状であってもよい。また排気口26の数や配列、形状も排気管同様に限定されるものではない。
さらに排気管13の形状は、正円形を示したが、それに限定されず、長穴、方形等、他の形状であってもよい。また排気口26の数や配列、形状も排気管同様に限定されるものではない。
また、給気口25は、図4にあるように基板Gの両側方に基板Gを挟んで対抗するように配置された例を示したが、それに限定されず、例えば、下部チャンバ9の側面以外の底面に設けられていてもよいし、上部チャンバ10に設けられていてもよい。
さらに給気管22の形状は、図8に示したように1つの円柱状の形状としたが、それに限らず、角柱状や他の形状であってもよく、その数が限定されるものではない。
さらに給気管22の形状は、図8に示したように1つの円柱状の形状としたが、それに限らず、角柱状や他の形状であってもよく、その数が限定されるものではない。
また、整流板18には、図9にあるよう複数の整流口19を円形の形状で示したが、それに限らず、長穴、方形等、他の形状であってもよい。
また、前記実施の形態において、基板Gは、減圧乾燥ユニット5に対し、搬送アーム7により搬入出がなされる例を示したが、それに限定されず、コロ搬送により基板搬入出を行う構造にも本発明の減圧乾燥装置を適用することができる。
また、前記実施の形態においては、基板Gを保持する保持部として板状のステージ11を設けたが、その形態に限らず、チャンバ内で基板Gを水平に保持可能な構成であればよい。例えば、保持部としての支持ピン(リフトピン)により基板Gを保持する構成としてもよい
G 基板
5 減圧乾燥ユニット
9 下部チャンバ
10 上部チャンバ
11 ステージ
12 上部チャンバ移動手段
13 排気管
14 排気管路
16 排気ポンプ
18 整流板
19 整流口
21 排気量調整ダンパー(排気量調整手段)
22 給気管
23 不活性ガス供給部(供給手段)
24 昇降装置
25 給気口
26 排気口
5 減圧乾燥ユニット
9 下部チャンバ
10 上部チャンバ
11 ステージ
12 上部チャンバ移動手段
13 排気管
14 排気管路
16 排気ポンプ
18 整流板
19 整流口
21 排気量調整ダンパー(排気量調整手段)
22 給気管
23 不活性ガス供給部(供給手段)
24 昇降装置
25 給気口
26 排気口
Claims (2)
- 処理液が塗布された被処理基板に対し前記処理液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥処理であって、
被処理基板を収容し、処理空間を形成するチャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、前期被処理基板を保持する保持部と、
前記保持部を昇降移動させる昇降手段と、
前記チャンバ内に形成された給気口と、
前記給気口から不活性ガスをチャンバ内の処理空間に供給する供給手段と、
前記保持部の上方に設けられた整流手段と、
前記チャンバ上方に形成された複数の排気口と、
前記整流板を経て前記複数の排気口からチャンバ内の雰囲気を排気する排気手段と、前記排気口と前記排気手段との間に排気量を調整する排気量調整手段と、
を備えることを特徴とする減圧乾燥装置。 - 前記整流手段は被処理基板の上方に配置され、前記排気手段の排気動作により、前記被処理基板上面から上方に向かって一方向に流れる流路が形成されることを特徴とする請求項1に記載の減圧乾燥装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011004223U JP3170799U (ja) | 2011-07-21 | 2011-07-21 | 減圧乾燥装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10549551B2 (en) * | 2015-04-13 | 2020-02-04 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Drying device and drying method using the same |
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