TWI461646B - 減壓乾燥裝置及減壓乾燥方法 - Google Patents

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TWI461646B
TWI461646B TW099129081A TW99129081A TWI461646B TW I461646 B TWI461646 B TW I461646B TW 099129081 A TW099129081 A TW 099129081A TW 99129081 A TW99129081 A TW 99129081A TW I461646 B TWI461646 B TW I461646B
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Yousuke Mine
Tatsumi Oonishi
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Tokyo Electron Ltd
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Description

減壓乾燥裝置及減壓乾燥方法
本發明係關於對形成於被處理基板上的塗佈液薄膜(塗佈膜)於減壓狀態下施行乾燥處理之減壓乾燥裝置及減壓乾燥方法。
製造例如FPD(平面顯示器)時，係藉由於玻璃基板等被處理基板使既定薄膜成膜後，塗佈係處理液之光抗蝕劑(以下稱光阻)以形成光阻膜，對應電路圖案使光阻膜曝光，對此進行顯影處理，所謂光微影步驟形成電路圖案。
在相關製造FPD之光微影步驟中，為於對塗佈在玻璃基板等被處理基板上的光阻液塗佈膜進行預烤之前，先適度使其乾燥，可使用減壓乾燥裝置。
習知之代表性的減壓乾燥裝置(50)例如專利文獻1所記載，包含：托盤或淺底容器型下部腔室(51)，上表面形成開口；及蓋狀上部腔室(52)，可氣密性地密接或嵌合此下部腔室上表面。
於下部腔室中配置平台，隔著固定鰭板(54)將基板(G)水平載置在此平台上，再關閉腔室(使上部腔室密接下部腔室)以進行減壓乾燥處理(參照圖23)。
於此種減壓乾燥處理中，可藉由外部之真空泵，通過設於下部腔室底部之排氣口(55)進行腔室內之真空排氣。藉由此真空排氣，腔室內壓力自至此為止之大氣壓狀態變為減壓狀態，在此減壓狀態下溶劑(稀釋劑)自基板上的光阻塗佈膜蒸發，於光阻塗佈膜表面形成變質層(堅硬層)。又，在自減壓乾燥開始經過一定時間之時點，或是到達設定壓力之時點結束減壓乾燥處理。為此，由設於下部腔室內角落之吹掃埠噴出或擴散釋放非活性氣體(例如氮氣或是空氣)，使腔室內壓力回到大氣壓。此後，舉起上部腔室開啟腔室，送出基板。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2000-181079
又，近年來用於FPD等之玻璃基板大型化，於減壓乾燥處理單元中收納玻璃基板之腔室亦大型化。
因此，腔室內容積增加，為進行至既定壓為止之減壓需要時間。且塗佈在基板上的光阻液量增加，故橫跨基板全面均一地使光阻液乾燥為止需要長時間，有生產效率降低之課題。
針對如此之課題，本申請案申請人提倡一種減壓乾燥裝置及減壓乾燥方法，藉由於腔室內設置整流構件，於基板上表面附近可形成朝一方向流動之氣流，以在更短時間內針對基板處理面進行乾燥處理(日本特願2009-172834)。
然而，乾燥時間或乾燥不均之產生狀況會依光阻液種類、膜厚等處理條件不同，故於1座腔室實行複數種處理條件時，在所有基板上未必可在短時間內形成良好的薄膜。
亦即，雖為在處理條件不同之所有基板上形成良好的薄膜(乾燥處理)，至少需因應處理條件變更配置於腔室內之基板高度，但即使變更基板高度，就以同一整流構件對應所有處理條件而言仍不充分。
舉具體例來說，依光阻液種類或膜厚，於腔室內基板下方空間狹窄時，在光阻膜上容易因基板下方構件產生轉印痕跡。
為防止產生如此之轉印痕跡，宜提高於腔室內基板之位置，以遠離腔室底面。
然而，若基板遠離腔室底面，設於腔室內之整流構件即無法充分發揮功能，於基板背側產生間隙而無法在基板上形成充分之氣流，無法於短時間進行乾燥處理。且因通過基板背側(基板與整流構件之間隙)之氣流，有乾燥不均易於發生於光阻膜之問題。
且光阻圖案殘膜率與圖案剖面形狀及線寬之間有相關關係，殘膜率愈高光阻圖案鉛直方向上部角隅部愈為擴張，下部愈窄(亦即剖面形狀呈倒錐狀)，殘膜率愈低光阻圖案鉛直方向上部愈窄，下部愈為擴大(亦即剖面形狀呈梯狀)。通常為使元件微細化吾人會期待出現殘膜率高之前者圖案特性，但在多層配線構造中使配線交叉時，有時亦會希望出現殘膜率低之後者的圖案特性。因此，可因應元件規格等選擇殘膜率高之減壓乾燥處理或是殘膜率低之減壓乾燥處理其中任一者。無論選擇何者皆需要求裝置性能，俾減壓乾燥處理後的光阻塗佈膜在面內均一地具有所期待之膜質特性。
鑑於上述情事，本發明之目的在於提供一種減壓乾燥裝置及減壓乾燥方法，對塗佈有處理液之被處理基板進行該處理液之乾燥處理，以形成塗佈膜，其特徵在於可分別針對處理條件不同之複數被處理基板縮短處理液之乾燥時間，且形成良好的薄膜。
且本發明之目的在於提供一種減壓乾燥裝置及減壓乾燥方法，可選擇性地切換急速針對被處理基板上的塗佈膜進行減壓乾燥處理之步驟，與緩慢針對被處理基板上的塗佈膜進行減壓乾燥處理之步驟，且無論以任一步驟皆可在基板上於面內均一地獲得所期待之膜質特性。
為解決上述課題，依本發明之減壓乾燥裝置對塗佈有處理液之被處理基板進行該處理液之減壓乾燥處理，形成塗佈膜，其特徵在於包含：腔室，收納被處理基板，形成處理空間；固持部，設於該腔室內，固持該被處理基板；第1昇降機構，使該固持部昇降移動；氣流控制部，設於該固持部下方；第2昇降機構，使該氣流控制部昇降移動；排氣口，形成於該腔室內；及排氣機構，使腔室內蒙氣自該排氣口排氣。
依如此之構成，在減壓乾燥處理期間內，藉由變化固持被處理基板之固持部高度及氣流控制部之高度，可控制形成於腔室內之氣流。
藉此，即使依被處理基板光阻液種類或膜厚等處理條件不同，亦可對應各處理條件施行適當之乾燥處理，縮短光阻液乾燥時間，且可形成良好薄膜。
且本發明之減壓乾燥裝置用以在減壓狀態下使形成於被處理基板上的塗佈液膜乾燥，其特徵在於包含：腔室，以可進出之方式收納基板並可減壓；固持部，在該腔室內載置基板；非活性氣體供給部，包含沿水平之第1方向設於該腔室內該固持部之單側之第1供氣埠，經由該第1供氣埠將非活性氣體供給至該腔室內；排氣部，包含設在除於該腔室內該第1供氣埠與該固持部之間之第1區域外之第2區域之排氣埠，經由該排氣埠使該腔室內真空排氣；及氣流控制部，可在以下二個模式間進行切換：第1模式，限制非活性氣體氣流之路線，俾由該第1供氣埠噴出之非活性氣體之多半通過該固持部上而到達該排氣埠；與第2模式，實質上解除針對非活性氣體的該氣流路線之限制。
且依本發明之減壓乾燥方法藉由該減壓乾燥裝置對塗佈有處理液之被處理基板進行該處理液之減壓乾燥處理，形成塗佈膜，其特徵在於實行下列步驟：將被處理基板固持於該固持部；藉由該第1昇降機構使該固持部上昇，由該固持部固持之該被處理基板接近該腔室頂棚部；藉由該排氣機構使該腔室內之處理空間減壓；及於經過既定時間後，藉由該第2昇降機構使該氣流控制部上昇移動，令該氣流控制部接近由該固持部所固持之被處理基板。
且依本發明之減壓乾燥方法藉由該減壓乾燥裝置對塗佈有處理液之被處理基板進行該處理液之減壓乾燥處理，形成塗佈膜，其特徵在於實行下列步驟：將被處理基板固持於該固持部；藉由該第1昇降機構使該固持部下降移動，該被處理基板接近該氣流控制部；藉由該排氣機構使該腔室內之處理空間減壓；及於經過既定時間後，藉由該第1昇降機構及第2昇降機構使固持該被處理基板之該固持部與該氣流控制部在維持彼此之距離的狀態下上昇移動，停止於腔室內之既定位置。
且依本發明之減壓乾燥方法藉由該減壓乾燥裝置對塗佈有處理液之被處理基板進行該處理液之減壓乾燥處理，形成塗佈膜，其特徵在於實行下列步驟：將被處理基板固持於該固持部；藉由該第1昇降機構使該固持部上昇，由該固持部固持之該被處理基板接近該腔室之頂棚部；藉由該排氣機構使該腔室內之處理空間減壓；及於經過既定時間後，藉由該第2昇降機構使該氣流控制部上昇移動，令該氣流控制部接近由該固持部所固持之被處理基板，且藉由該供氣機構將非活性氣體供給至該腔室內。
且依本發明之減壓乾燥方法藉由該減壓乾燥裝置對塗佈有處理液之被處理基板進行該處理液之減壓乾燥處理，形成塗佈膜，其特徵在於實行下列步驟：將被處理基板固持於該固持部；藉由該排氣機構使該腔室內之處理空間減壓；藉由該第1昇降機構使該固持部下降移動，該被處理基板接近該氣流控制部，且藉由該供氣機構將非活性氣體供給至該腔室內；及於經過既定時間後，藉由該第1昇降機構及第2昇降機構使固持該被處理基板之該固持部與該氣流控制部在維持彼此之距離的狀態下上昇移動，停止於腔室內之既定位置。
且依本發明之減壓乾燥方法藉由該減壓乾燥裝置對塗佈有處理液之被處理基板進行該處理液之減壓乾燥處理，形成塗佈膜，其特徵在於實行下列步驟：將被處理基板固持於該固持部；藉由該第1昇降機構使該固持部下降移動，該被處理基板接近該氣流控制部；藉由該排氣機構使該腔室內之處理空間減壓；藉由該供氣機構將非活性氣體供給至該腔室內；及於經過既定時間後，藉由該第1昇降機構及第2昇降機構使固持該被處理基板之該固持部與該氣流控制部在維持彼此之距離的狀態下上昇移動，停止於腔室內之既定位置。
藉由實施如此之方法，即使依被處理基板光阻液種類或膜厚等處理條件不同，亦可對應各處理條件施行適當之乾燥處理，縮短光阻液乾燥時間，且可形成良好薄膜。
且本發明之減壓乾燥方法用以使用一減壓乾燥裝置在減壓狀態下使形成於被處理基板上的塗佈液膜乾燥，該減壓乾燥裝置包含：腔室，以可進出之方式收納基板並可減壓；固持部，在該腔室內載置基板；非活性氣體供給部，包含沿水平之第1方向設於該腔室內該固持部單側之第1供氣埠，經由該第1供氣埠將非活性氣體供給至該腔室內；及排氣口，包含設在除於該腔室內該第1供氣埠與該固持部之間之第1區域外之第2區域之排氣埠，經由該排氣埠對該腔室內進行真空排氣；該減壓乾燥方法之特徵為：可在以下二個模式間進行切換：第1模式，限制非活性氣體氣流之路線，俾由該第1供氣埠噴出之非活性氣體之多半通過該固持部上而到達該排氣埠；與第2模式，實質上解除針對非活性氣體的該氣流路線之限制。
依本發明，氣流控制部選擇第1模式時，於減壓乾燥處理中由第1供氣埠對腔室內供給之非活性氣體多半(大部分佳)在基板上朝一方向流動，自基板上的塗佈膜揮發之溶劑可迅速由非活性氣體之氣流運輸，故可促進減壓乾燥，可進行急速‧短時間之減壓乾燥處理，且可於面內均一地獲得針對基板上的塗佈膜之膜質特性急速減壓乾燥之效果。
且氣流控制部選擇第2模式時，於腔室內，特別是於固持部及基板周圍，非活性氣體之氣流不受限制，故不僅可高效率地在減壓乾燥處理開始後馬上進行抽真空或在減壓乾燥處理結束時進行次掃，亦可在減壓乾燥處理中不在基板上形成一方向之氣流而對腔室內供給非活性氣體。藉此，亦可穩定、良好地實施緩慢‧長時間之減壓乾燥步驟，可在面內均一地獲得針對基板上的塗佈膜之膜質特性緩慢減壓乾燥之效果。
依本發明可獲得一種減壓乾燥裝置及減壓乾燥方法，對塗佈有處理液之被處理基板進行該處理液之乾燥處理，以形成塗佈膜，其特徵在於可分別針對處理條件不同之複數被處理基板縮短處理液之乾燥時間，且形成良好的薄膜。
且依本發明，可選擇性地切換急速針對被處理基板上的塗佈膜進行減壓乾燥處理之步驟，與緩慢針對被處理基板上的塗佈膜進行減壓乾燥處理之步驟，且無論以任一減壓乾燥步驟皆可在基板上於面內均一地獲得所期待之膜質特性。
以下就依本發明之第1實施形態，根據圖1至圖5進行說明。本發明之減壓乾燥裝置可適用於在光微影步驟中形成光阻膜於被處理基板之塗佈裝置內之減壓乾燥單元。
如圖1、圖2所示，塗佈裝置100中，在支持台110上，依處理步驟順序橫向呈一列配置有包含噴嘴122之光阻塗佈單元112與減壓乾燥單元114。於支持台110兩側舖設有一對導軌116，藉由沿此導軌116平行移動之一群組運送臂118，可自光阻塗佈單元112朝減壓乾燥單元114運送基板G。
該光阻塗佈單元112如上述包含噴嘴122，此噴嘴122由固定在支持台110上的閘門120以懸垂狀態固定之。由光阻液供給機構(未經圖示)對此噴嘴122供給係處理液之光阻液R，可自因運送臂118在閘門120下通過移動之基板G一端橫跨另一端塗佈光阻液R。
且減壓乾燥單元114包含：淺底容器型下部腔室124，上表面形成開口；及蓋狀上部腔室126，可氣密地密接此下部腔室124上表面。
如圖1、圖3所示下部腔室124大致呈四角形，於中心部配置有用以水平載置基板G並加以吸附固持之板狀平台130(固持部)。該上部腔室126藉由上部腔室移動機構128以可任意昇降之方式配置於該平台130上方，減壓乾燥處理時上部腔室126下降密接下部腔室124而關閉，呈將載置在平台130上的基板G收納於處理空間之狀態。
又，如圖4、5所示，該平台130藉由例如以馬達為驅動源，由滾珠螺桿機構所構成之昇降裝置194(第1昇降機構)可昇降移動。
且如圖3、圖4所示，於基板G側方設有排氣口134。更具體而言，排氣口134設於下部腔室124底面一邊附近之二處。各排氣口134分別連接排氣管152，各排氣管14通往真空泵15(排氣機構)。又，在該上部腔室126包覆下部腔室124之狀態下，可藉由該真空泵148使腔室內處理空間減壓至既定真空度。
且於腔室內，在夾隔著基板G與該排氣口134相反一側之基板側方設有供氣口132。此供氣口132如圖3、圖4所示，設於大致呈四角形之下部腔室9底面，與設有該排氣口134之一邊相對向之另一邊附近。由此供氣口132對腔室內供給非活性氣體(例如氮氣)，以吹掃腔室內蒙氣。如圖4所示，連接供氣口132之供氣管142連接非活性氣體供給部136(供氣機構)。
由該供氣口132供給非活性氣體係在腔室內氣壓達既定值(例如400Pa以下)時，或是腔室內減壓開始再經過既定時間後開始。此係為維持因減壓流量減少之腔室內氣流，以幫助減壓乾燥處理之時間縮短。
又，為在減壓乾燥處理期間內維持經常保持穩定之氣流，開始供給非活性氣體亦可在腔室內減壓開始前，或是同時進行。
且於供氣口132側基板G之緣部下方作為氣流控制部配置有方塊構件160。且在供氣口132與排氣口134之間，基板G左右兩側之緣部下方，作為氣流控制部分別配置有方塊構件161。
此等方塊構件160、161如圖4、圖5所示，其大部分可收納在形成於下部腔室124底面之收納溝槽124a。
且此等方塊構件160、161可藉由例如以馬達為驅動源，由滾珠螺桿機構所構成之昇降裝置164(第2昇降機構)昇降移動。
亦即，方塊構件160、161藉由昇降裝置164昇降移動，配置於腔室內空間，藉此可用作為氣流控制部。
又，如此作為氣流控制部之方塊構件160、161可分別設置，或是亦可一體(ㄇ字型)設置。
且於該方塊構件160、161左右兩側，分別設有用以在基板G左右側方形成障壁，抑制非活性氣體流往基板側方之側桿構件162。
此側桿構件162例如圖示呈板狀形成，設置其上端面接觸上部腔室126，可遮蔽基板G左右側方空間。或是亦可設置側桿構件162其上端面不接觸上部腔室126而可遮蔽基板G左右側方空間。
且側桿構件162不限定於板狀，亦可設置為填滿基板G左右側方空間之形狀。
且為易於在基板G上形成氣流，可形成此側桿構件162氣流方向之長度至少長於基板G左右側邊，但如圖3、圖4所示，亦可設置其端部162a(特別是排氣口134側)不接觸腔室內壁124b。即使在此時，亦呈遮蔽基板G左右側方空間一部分之狀態，可充分抑制非活性氣體流往基板側方。
且不限於圖示之例，亦可形成各側桿構件162呈其兩端部接觸相對向之腔室內壁之長度，完全遮蔽(填滿)基板G左右側方空間。
接著根據圖6、圖7說明關於如此構成之塗佈裝置100之動作。
首先，送入基板G，一旦將其載置在運送臂118上，運送臂118即在導軌116上移動，在光阻塗佈單元112閘門120下通過移動。此時，由固定於閘門120之噴嘴122對在其下移動之基板G噴吐光阻液R，自基板G一邊朝另一邊塗佈光阻液R(圖6之步驟S1)。
又，於橫跨基板G全面塗佈光阻液之時點(塗佈結束位置)，基板G呈位於減壓乾燥單元114上部腔室126下之狀態。
接著，載置基板G於減壓乾燥單元114之平台130，自其上方藉由因上部腔室移動機構128下降移動之上部腔室126包覆之。又，收納基板G在藉由相對於下部腔室124關閉上部腔室126形成之處理空間內(圖6之步驟S2)。
一旦藉由該上部腔室126關閉下部腔室124，如圖7(a)所示，平台130即藉由驅動昇降裝置194上昇移動至腔室內之上方位置，基板G以接近腔室頂棚部之狀態停止(圖6之步驟S3)。此時，方塊構件160、161呈接觸下部腔室124底部之狀態。
真空泵148自此狀態起作動，由排氣口134經由排氣管152抽吸處理空間內之空氣，處理空間之氣壓減壓至既定真空狀態(圖6之步驟S4)。
在此，基板G上表面接近腔室頂棚部，於基板G上表面呈蒙氣大致不流動之狀態。藉此，以減壓對成膜於基板G之光阻液R施以自然乾燥(預備乾燥)，而抑制轉印痕跡、橘皮形狀、劇沸等之產生。
腔室內氣壓一旦達既定值(例如400Pa以下)，或是自減壓開始經過既定時間(圖6之步驟S5)，平台130及方塊構件160、161即因應所需上昇或下降移動，停止於腔室內之既定位置。
在此，於腔室內基板G之高度位置雖係根據光阻液種類或膜厚、乾燥時間等處理條件決定，但至少方塊構件160、161於基板G緣部下方呈接近基板G之狀態(圖6之步驟S6)。
於圖7(b)所示之例中，在此步驟S6，平台130之位置不變化，僅方塊構件160、161藉由昇降裝置194上昇，接近靜止狀態之基板G下而配置之。
且驅動非活性氣體供給部136，自供氣口132對腔室內供給既定流量之非活性氣體，開始正式乾燥處理(圖6之步驟S7)。又，開始對腔室內供給此非活性氣體之時間點不限於如上述步驟S6中平台130及方塊構件160、161之昇降移動後，亦可在昇降移動前。或是，亦可在平台130及方塊構件160、161昇降移動之途中開始供給非活性氣體。
在此，於基板G側方設有側桿構件162，故呈大致無基板G側方之間隙之狀態。且設置方塊構件160、161接近基板G下方，故方塊構件20側面用作為將由供氣口26供給之非活性氣體導向基板G上方之氣流控制部。
因此，由供氣口132供給之非活性氣體形成於基板上方朝一方向流動之氣流，且由排氣口134排氣。
藉此可提升塗佈於基板上表面之光阻液R之乾燥速度，在短時間內進行減壓乾燥處理，且乾燥狀態在不發生乾燥不均之情形下良好。
於此正式乾燥處理中，一旦因經過既定時間減壓乾燥處理結束(圖6之步驟S8)，上部腔室126即藉由上部腔室移動機構128上昇移動，自減壓乾燥單元114朝下一處理步驟送出基板G。
又，於該圖6之流程中，正式乾燥處理時方塊構件160、161雖藉由昇降裝置164上昇呈接近基板G(平台130)下方之狀態，於基板上表面形成氣流，但在本發明中不限定於該形態。
亦即，可依光阻液R之種類或膜厚等處理條件，分別移動配置平台130及方塊構件160、161於適當之高度位置，藉此控制形成於腔室內之氣流。舉具體例而言，於正式乾燥處理途中，欲變化在基板上表面流動之氣流量時，可藉由例如依序進行下列步驟實現。
又，在基板G接近腔室頂棚部之狀態下進行減壓乾燥之預備乾燥步驟依處理條件未必需要，故於以下說明省略該預備乾燥步驟。
一旦載置塗佈有光阻液之基板G於減壓乾燥單元114之平台130，處理空間即藉由上部腔室126加以關閉。且令固持基板G之平台130下降移動。
如圖8(a)所示，方塊構件160、161在收納於收納溝槽124a之狀態下，呈方塊構件160、161上端接近由平台130固持之基板G周緣部之狀態。
且自排氣口134抽吸處理空間內之空氣，使處理空間之氣壓減壓至既定真空狀態。又，此減壓開始之時間點亦可在腔室關閉後、如上述平台130下降移動前、後，或是移動中其中任一者。
且自供氣口132對腔室內供給非活性氣體。在此如圖示，於基板上方形成廣闊之空間，故於基板上表面附近呈多量非活性氣體朝一方向流動之狀態，開始正式乾燥處理。
又，對腔室內開始供給此非活性氣體之時間點亦可因應處理條件在平台130及方塊構件160、161昇降移動至對基板G進行正式乾燥之位置前、後，或是移動中其中任一者。
在圖8(a)所示之狀態下乾燥處理一旦經過既定時間，平台130與方塊構件160、161即呈相互維持距離之狀態，如圖8(b)所示在腔室內同時上昇，於既定位置停止。
在此如圖示，基板G上方空間更為狹窄，故在基板G上表面附近流動之氣流流量減少，持續以小流量進行正式乾燥處理。
又，在如此減壓乾燥處理中，昇降移動平台130及方塊構件160、161之控制不限定於如上述使用圖8說明之控制形態，亦可因應處理條件任意變更。且於減壓乾燥中腔室內之平台130及方塊構件160、161之高度位置宜因應處理條件詳細設定驅動控制之。
按照如以上依本發明之第1實施形態，在減壓乾燥處理期間內，藉由變化固持基板G之平台130之高度及方塊構件160、161之高度，可控制形成於腔室內之氣流。
藉此，即使依被處理基板光阻液R之種類或膜厚等處理條件不同，亦可因應各處理條件施行適當之乾燥處理，縮短光阻液R之乾燥時間，且可形成良好之薄膜。
又，於該實施形態中雖係示以包含供氣口132及非活性氣體供給部136之例，但於本發明中不限定於此，亦可係不具備供氣口132及非活性氣體供給部136之構成。此時，作為氣流控制部之方塊構件160設在相對於排氣口134夾隔著由平台130所固持之基板G相反側的基板緣部之下方空間。
亦即，雖不進行供氣，但藉由以排氣口13進行排氣處理，於正式乾燥處理中可在腔室內形成氣流，因在基板上方朝一方向流動之氣流可提升基板上表面光阻液R之乾燥速度，在更短時間內進行減壓乾燥處理。
且於該實施形態中，作為排氣口雖係示以2個排氣口134於低於基板G之下方位置，但不限定其數量或排列(佈局)。
且雖已示以排氣口134形成於處理空間底面之例，但不限定於此，亦可形成於腔室內壁等。
且雖已示以排氣口134形狀呈正圓形，但不限定於此，亦可呈長孔、方形等其他形狀。
且雖已示以供氣口132形成於處理空間底面之例，但不限定於此，亦可例如設於下部腔室124內壁部等。
且雖已示以供氣口132之形狀呈1個橫向較長之方形，但不限於此，亦可呈正圓形、長孔等其他形狀，其數量不受限定。
或是，排氣口134及供氣口132分別非設於腔室之孔，亦可為噴嘴型口。
以下參照附圖說明本發明之較佳第2實施形態。
圖9及圖10顯示可適用依本發明第2實施形態之減壓乾燥裝置或減壓乾燥方法之FPD製造用光阻塗佈裝置之另一構成例。
依此第2實施形態之光阻塗佈裝置200中，在支持台210上併設有光阻塗佈部單元212與減壓乾燥單元214。減壓乾燥單元214係依本發明第2實施形態之減壓乾燥裝置。依第2實施形態之塗佈裝置200除如後述氣流控制部等一部分構成外與該第1實施形態之塗佈裝置100相同，故省略關於同一構件重複之說明。
此第2實施形態中光阻塗佈部單元212如後述，就基板G上的光阻塗佈膜可選擇性地實施適於獲得高殘膜率(例如殘膜率99%以上)之膜質特性，急速且短時間之減壓乾燥步驟，與適於獲得低殘膜率(例如殘膜率95%以下)之膜質特性，緩慢且長時間之減壓乾燥步驟其中任一者，無論選擇何種減壓乾燥步驟皆可於面內均一地獲得所期待之光阻膜質特性。
且一旦於減壓乾燥單元214結束1次(基板1片分)減壓乾燥處理，腔室開合機構228即舉起上部腔室226以呈腔室解放狀態，運送臂218接近該處，自平台230接收處理完畢之基板G以送出之，朝進行下一步驟預烤之預烤單元(未經圖示)運送基板G。
以下說明減壓乾燥單元214之詳細構成及作用。
下部腔室224如圖10所示，以俯視觀察呈矩形。於此下部腔室224內側，分別鄰接其四邊腔室壁部224(1)、224(2)、224(3)、224(4)設有4個(或是4群組)供氣埠232(1)、232(2)、232(3)、232(4)，且於四角隅設有4個(或是4群組)排氣埠234(1)、234(2)、234(3)、234(4)。
圖11顯示此減壓乾燥單元214中供氣系統之一例。供氣埠232(1)、232(2)、232(3)、232(4)分別經由氣體供給管242(1)、242(2)、242(3)、242(4)連接包含非活性氣體儲存槽236及送風機(或壓縮機)238，共通之非活性氣體供給源240。於氣體供給管242(1)、242(2)、242(3)、242(4)途中，分別設有流量調整閥244(1)、244(2)、244(3)、244(4)及開合閥246(1)、246(2)、246(3)、246(4)。所使用之非活性氣體係例如氮氣。
圖12顯示此減壓乾燥單元214中排氣系統之一例。排氣埠234(1)、234(2)、234(3)、234(4)分別經由排氣管252(1)、252(2)、252(3)、252(4)連接包含真空泵248及壓力控制閥250，共通之排氣裝置51。於氣體排氣管252(1)、252(2)、252(3)、252(4)途中分別設有開合閥254(1)、254(2)、254(3)、254(4)。
圖13~圖15顯示係此減壓乾燥單元214主要特徵部分之氣流控制部之構成。圖13係顯示下部腔室224內構成之部分剖面俯視圖，圖14A及圖14B係關於圖5之I-I線之縱剖面圖，圖15A及圖15B係關於圖13之II-II線之縱剖面圖。
圖13中，氣流控制部260包含：第1分隔板(或分隔壁)262A、262B，配置於下部腔室224沿Y方向相對向之側壁224(2)、224(4)內側，平台230之兩側(盡量接近平台230之位置佳)；及第1昇降機構264，在圖14A所示之第1高度位置與圖14B所示之第2高度位置之間昇降移動該第1分隔板262A、262B。
第1分隔板262A、262B如圖13所示，自接近設於沿X方向平台230之單側(圖之左側)之供氣埠232(1)之位置，亦即大致接觸腔室壁部224(1)之位置延伸至平台230之相反側(右側)之供氣埠232(3)及排氣埠234(3)、234(4)前之位置。且第1分隔板262A、262B其尺寸宜沿鉛直方向(Z方向)自下部腔室224底面達上部腔室226之下表面(頂棚)。
又，第1分隔板262A、262B於第1高度位置自下部腔室224底面沿鉛直方向突出至達上部腔室226下表面(腔室頂棚)之高度，或接近此之高度止(圖14A)，於第2高度位置下降至第1分隔板262A、262B上端接近下部腔室224底面之高度，或低於此之高度(圖14B)。於下部腔室224底壁，形成第1分隔板262A、262B分別用以下降(退避)至第2高度位置之凹部265A、265B。
第1昇降機構264包含：各1根或各複數根支持棒266A、266B，分別連接第1分隔板262A、262B下端，沿鉛直方向延伸；水平支持板268，平行支持此等支持棒266A、66B；及昇降致動器272，經由昇降驅動軸270結合此水平支持板268。
昇降致動器272由例如空壓缸或電動線性馬達所構成。支持棒266A、266B以可上下移動之方式穿通下部腔室224底壁，藉由密封構件274真空封裝之。
且氣流控制部260如圖13所示，包含：第2分隔板(或分隔壁)276，配置於平台230周圍或旁邊，橫剖面呈ㄇ字狀；及第2昇降機構278，在圖14A或圖15A所示之第3高度位置與圖14B或圖15B所示之第4高度位置之間昇降移動此第2分隔板76。
第2分隔板276包含：第1平板部276a，於平台230與第1供氣埠232(1)對向之圖左側旁邊沿Y方向延伸；及第2平板部276b、276c，於平台230與第1分隔板262A、262B對向之圖上側及下側旁邊沿X方向延伸。
雖亦可以第2分隔板276分隔平台230之相反側(圖之右側)而構成之，但就平台230下空間排氣性之觀點而言宜如此實施形態解放而構成之。
又，第2分隔板276於第3高度位置自下部腔室224底面沿鉛直方向突出至接觸由平台230載置之基板G背面(下表面)之高度，或接近於此之高度止(圖14A、圖15A)，於第4高度位置其上端下降至接近下部腔室224底面之高度或低於此之高度(圖14B、圖15B)。於下部腔室224底壁形成有第2分隔板276用以下降(退避)至第4高度位置之凹部280。
又，當第1分隔板262A、262B處於第1高度，且第2分隔板276處於第3高度時，在第1分隔板262A、262B與第2分隔板276之第2平板部276b、276c之間，宜隔著兩者大致不接觸，盡量小的間隙接近。
第2昇降機構278包含：1根或複數根支持棒282，連接第2分隔板276下端，沿鉛直方向延伸；水平支持板284，平行支持此等支持棒282；及昇降致動器288，經由昇降驅動軸286結合此水平支持板284。
昇降致動器288由例如空壓缸或電動線性馬達所構成。支持棒282以可上下移動之方式穿通下部腔室224底壁，藉由密封構件290真空封裝之。
平台230經由沿鉛直方向延伸之昇降驅動軸292結合昇降致動器294，與運送臂218(圖1、圖2)傳遞基板G時，或是減壓乾燥處理中為調節與腔室頂棚(上部腔室226下表面)之距離或間隙H可昇降移動。昇降驅動軸292以可上下移動之方式穿通下部腔室224底壁，藉由密封構件296真空封裝之。
此實施形態中，圖左側供氣埠232(1)係第1供氣埠，其他供氣埠232(2)、232(3)、232(4)係第2供氣埠。且如圖13所示，於腔室(224、226)內，供氣埠232(1)與第2分隔板276之間之區域係第1區域[E1 ]，除此第1區域[E1 ]外之區域，特別是自供氣埠232(1)觀察位在分別處於第1及第3位置時之第1分隔板262A、262B及第2分隔板276陰影中之所有區域係第2區域[E2 ]。
此減壓乾燥單元214中包含控制各部及整體動作之主控制器(未經圖示)。氣流控制部260亦可包含在主控制器控制下控制第1及第2昇降機構264、278昇降動作之局部控制器(未經圖示)。
其次就圖16~圖20，揭示此減壓乾燥單元214中氣流控制部260之作用。
氣流控制部260藉由其構成如上述，可選擇性地在以下二個模式間進行切換：第1模式，限制非活性氣體之氣流路線，俾由圖左側之第1供氣埠232(1)噴出之非活性氣體大部分通過平台230及基板G上而到達圖右側之排氣埠234(3)、234(4)；及第2模式，針對非活性氣體或是其他氣體實質上解除如上述氣流路線之限制。
且以此減壓乾燥單元214可選擇性地實施適於獲得高殘膜率膜質特性，快速且短時間之減壓乾燥步驟，與適於獲得低殘膜率膜質特性，緩慢且長時間之減壓乾燥步驟其中任一者。無論選擇何種減壓乾燥步驟，皆宜以第2模式開始減壓乾燥處理。
圖16A及圖16B顯示緊接在減壓乾燥處理開始後腔室(224、226)內之狀態。宜關閉所有供氣埠232(1)~232(4)，不導入非活性氣體，使排氣系統(圖12)作動，經由所有排氣埠234(1)~234(4)進行真空排氣。如圖示，將殘留於腔室(224、226)內之空氣，以及自基板G上光阻塗佈膜揮發之溶劑(稀釋劑)以均一抽吸力導入腔室四角隅之排氣埠234(1)~234(4)，並迅速排出之。事實上，作為另一實施例，亦可在此開始後馬上抽真空時開啟供氣埠232(1)~232(4)，以既定流量導入非活性氣體。
針對收納於腔室(224、226)內之處理對象之基板G選擇快速‧短時間之減壓乾燥步驟時，可在自減壓乾燥處理開始經過既定時間之時點，或是腔室內壓力達設定值(例如約400Pa)之時點自圖16A及圖16B所示之第2模式切換為圖17A及圖17B所示之第1模式。
此時，氣流控制部260使第1昇降機構264作動，令第1分隔板262A、262B自至此為止之第2高度位置上昇移動至第1高度位置，並使第2昇降機構278作動，令第2分隔板276自至此為止之第4高度位置上昇移動至第3高度位置。
且於供氣系統(圖11)中，開啟開合閥246(1)，保持其他所有開合閥246(2)、246(3)、246(4)呈關閉狀態。藉此，於腔室(224、226)內，僅第1供氣埠232(1)噴出非活性氣體。其他供氣埠232(2)、232(3)、232(4)皆保持關閉。在此調節流量控制閥244(1)，俾由供氣埠232(1)供給之非活性氣體流量為設定值(例如20L(公升)/min)。
另一方面，於排氣系統(圖12)中，開合閥254(3)、254(4)維持開啟狀態，其他開合閥254(1)、254(2)則切換為關閉狀態。藉此，於腔室(224、226)內，自第1供氣埠232(1)觀察位於平台230相反側之排氣埠234(3)、234(4)持續進行排氣動作，接近供氣埠232(1)之排氣埠234(1)、234(2)則排氣動作休止。在此，對應由供氣埠232(1)對腔室內供給之非活性氣體流量調節壓力控制閥250，俾於腔室內獲得既定壓力或是排氣速度。
如圖17A及圖17B所示，於第1模式中，藉由因第1分隔板262A、262B及第2分隔板76造成之分隔壁作用或氣流限制作用，由供氣埠232(1)噴出之氮氣大致或大部分(90%以上佳)在平台230及基板G上沿X方向流動(通過)，朝對面側之排氣埠234(3)、234(4)被吸入。
如此，藉由於正在進行減壓乾燥處理中，使非活性氣體在基板G上沿一方向(X方向)甚至以層流之方式均一流動，可順著氣流迅速排除自基板G上的光阻塗佈膜揮發之溶劑，提高溶劑揮發速度，最終會促進光阻表面變質(固化)，且在基板G上於面內均一地獲得高殘膜率之光阻膜質特性。如此，減壓乾燥處理所需時間短(例如約30秒)，藉此即可進行減壓乾燥處理。
又，依第2實施形態之減壓乾燥處理中，不僅壓力或非活性氣體流量，基板G與腔室226之間之距離間隔(間隙)H亦係重要的步驟參數，為此平台230之高度位置有時可變。此時，如圖18所示，配合平台230之高度位置調整，氣流控制部260令第2分隔板276之第3高度位置為可變調整，於第1模式，相對於任意間隙H，第2分隔板276上表面經常保持接近基板G下表面如接觸般之狀態。藉此，可徹底防止由供氣埠232(1)噴出之非活性氣體一部分通過基板G下。
針對處理對象之基板G選擇緩慢‧長時間減壓乾燥步驟時，於減壓乾燥處理開始再經過既定時間之時點，或是腔室內壓力達設定值(例如約400Pa)之時點，維持第2模式並直接自圖16A及圖16B之狀態切換為如圖19所示之狀態。
此時，供氣系統(圖11)中，開啟所有開合閥246(1)、246(2)、246(3)、246(4)。藉此，於腔室(224、226)內，所有供氣埠232(1)、232(2)、232(3)、232(4)噴出非活性氣體。惟調節流量調整閥244(1)、244(2)、244(3)、244(4)，設定非活性氣體供給流量偏少(例如2L/min)。且供氣埠234(1)、234(2)、234(3)、234(4)之噴吐流量宜均一。
另一方面，排氣系統(圖12)中，維持所有開合閥254(1)、254(2)、254(3)、254(4)呈開啟狀態，所有排氣埠234(1)、234(2)、234(3)、234(4)持續進行排氣。惟配合由供氣埠232(1)、232(2)、232(3)、232(4)供給之非活性氣體流量調節壓力控制閥250，俾於腔室內維持既定壓力。且供氣埠232(1)、232(2)、232(3)、232(4)之噴吐流量於平台230上的基板G宜均一。
如此，在減壓乾燥處理中，於第2模式所有供氣埠232(1)、232(2)、232(3)、232(4)呈開啟(導通)狀態，非活性氣體均一且以小流量朝平台230上的基板G噴吐，且所有排氣埠234(1)、234(2)、234(3)、234(4)以開啟(導通)狀態進行排氣時，對腔室內供給之非活性氣體多半在基板G乃至於平台230下或周圍流動而易於排氣，在基板G上大致不形成氣流，特別是一方向之氣流。因此，自基板G光阻塗佈膜揮發之溶劑易於滯留在附近，揮發速度受到抑制。藉此，因減壓乾燥光阻表面之變質(固化)緩慢，可在基板G上於面內均一地獲得低殘膜率光阻膜質特性。且減壓乾燥處理所需時間長(例如約60秒)。
又，選擇緩慢‧長時間減壓乾燥步驟時，作為另一實施例，亦可在減壓乾燥處理開始再經過既定時間後，或是腔室內壓力達設定值後，保持所有供氣埠232(1)、232(2)、232(3)、232(4)呈關閉(切斷)狀態，直接使用所有排氣埠234(1)、234(2)、234(3)、234(4)持續進行排氣動作。此時，自基板G光阻塗佈膜揮發之溶劑係主要排氣氣體。
於此減壓乾燥單元214中，減壓乾燥處理結束時，如圖20所示，選擇第2模式，所有供氣埠232(1)、232(2)、232(3)、232(4)呈開啟(導通)狀態，以大流量噴吐非活性氣體，同時所有排氣埠234(1)、234(2)、234(3)、234(4)呈開啟(導通)狀態，暫時進行高速排氣(吹掃)，接著關閉所有排氣埠234(1)、234(2)、234(3)、234(4)。藉此，自減壓狀態切換腔室(224、226)內蒙氣為大氣壓狀態，上部腔室224可進行開啟操作(腔室解放)。
如上述，於此實施形態中，選擇快速‧短時間減壓乾燥步驟時，當減壓乾燥處理開始後馬上抽真空及減壓乾燥處理結束時進行吹掃，可選擇第1分隔板262A、262B分別退避至第2高度位置及第4高度位置之第2模式，使用所有供氣埠232(1)、232(2)、232(3)、232(4)對腔室內供給非活性氣體，使用所有排氣埠234(1)、234(2)、234(3)、234(4)使腔室內排氣，故可以更高效率進行此類型之減壓乾燥步驟，亦可實現處理時間進一步縮短化。
事實上，作為另一程序，效率雖稍微降低，但亦可自減壓乾燥處理開始起至結束完全不選擇第2模式，保持第1模式。即使在此時亦需對應各階段切換非活性氣體流量及排氣速度。
且於減壓乾燥處理開始再經過既定時間，或是腔室內壓力達設定值起至減壓乾燥處理結束止之期間內，亦可依序或交互切換依第1模式使用非活性氣體之減壓乾燥(圖17A、圖17B)與依第2模式使用非活性氣體之減壓乾燥(圖19)。
以上雖已說明本發明較佳實施形態，但本發明不限定於上述實施形態，於其技術性構想範圍內可進行各種變形或變更。
例如圖21A及圖21B所示，亦可包含一方塊構造，俾載置基板G之平台230填滿基板G下的空間，直到下部腔室224底面。如此之平台構造中，包含自下而上穿通下部腔室224底壁及平台230並可昇降之升降銷231與昇降致動器295之升降機構204在平台上舉起基板G或使基板下降以裝載/卸載基板。
此時，於第1模式下，方塊構造平台230阻止由供氣埠232(1)噴出之非活性氣體通過基板G下，藉由與第1分隔板262A、262B協同，使在基板G上形成一方向(X方向)之氣流之功能奏效。因此，可以平台230替代第2分隔板276。
事實上，為如上述使間隙H可變調整，在減壓乾燥處理中基板G朝上遠離平台230上表面時，雖省略圖示但與上述實施形態相同，其構成宜包含第2分隔板276。
且關於排氣系統，如圖22A及圖22B所示，亦可構成在平台230下設有1個或複數排氣埠206。此時，於第1模式下，由供氣埠232(1)噴出之非活性氣體大致或大部分在平台230及基板G上沿一方向(X方向)流動，通過基板G相反側(圖之右側)一端再迴繞(潛入)至基板G及平台230下，由排氣埠206吸入。
且上述實施形態中，藉由第1昇降機構264及第2昇降機構278使第1分隔板262A、262B及第2分隔板276昇降移動，故即使在關閉腔室(224、226)之期間內亦可切換模式。作為另一實施形態，亦可構成為切換模式可以手動裝卸之方式安裝或裝設第1分隔板262A、262B及/或第2分隔板276於腔室內。
腔室本身構造或形狀當然不限於上述實施形態，腔室內外各部，特別是平台、供氣埠、排氣埠之構造、個數、配置位置等亦不限於上述實施形態，可進行各種變形。
本發明中被處理基板不限於LCD用玻璃基板，亦可係其他平面顯示器用基板或半導體晶圓、CD基板、光罩、印刷基板等。減壓乾燥處理對象之塗佈液亦不限於光阻液，亦可係例如層間絕緣材料、介電質材料、配線材料等處理液。
9、51、124、224．．．下部腔室
13、134．．．排氣口
14、152．．．排氣管
15、148、248．．．真空泵
20．．．方塊構件
26、132．．．供氣口
50．．．減壓乾燥裝置
51．．．排氣裝置
52、126、226．．．上部腔室
54．．．固定鰭板
76．．．第2分隔板
100．．．塗佈裝置
110、210．．．支持台
112、212．．．光阻塗佈單元
114、214．．．減壓乾燥單元
116．．．導軌
118、218．．．運送臂
120．．．閘門
122．．．噴嘴
124a．．．收納溝槽
124b．．．腔室內壁
128．．．上部腔室移動機構
130、230．．．平台
136．．．非活性氣體供給部
142．．．供氣管
160、161．．．方塊構件
162．．．側桿構件
162a．．．端部
164、194．．．昇降裝置
200．．．光阻塗佈裝置(塗佈裝置)
204．．．升降機構
206、234(1)、234(2)、234(3)、234(4)．．．排氣埠
224(1)、224(3)．．．腔室壁部
224(2)、224(4)．．．側壁(腔室壁部)
228．．．腔室開合機構
231．．．升降銷
232(1)、232(2)、232(3)、232(4)．．．供氣埠
242(1)、242(2)、242(3)、242(4)．．．氣體供給管
244(1)、244(2)、244(3)、244(4)．．．流量調整閥
236．．．非活性氣體儲存槽
238．．．送風機
240．．．非活性氣體供給源
246(1)、246(2)、246(3)、246(4)、254(1)、254(2)、254(3)、254(4)‧‧‧開合閥
250‧‧‧壓力控制閥
252(1)、252(2)、252(3)、252(4)‧‧‧氣體排氣管(排氣管)
260‧‧‧氣流控制部
262A、262B‧‧‧第1分隔板
264‧‧‧第1昇降機構
265A、265B、280‧‧‧凹部
266A、266B、282‧‧‧支持棒
268、284‧‧‧水平支持板
270、286、292‧‧‧昇降驅動軸
272、288、294、295‧‧‧昇降致動器
274、290、296‧‧‧密封構件
276a‧‧‧第1平板部
276b、276c‧‧‧第2平板部
276‧‧‧第2分隔板
278‧‧‧第2昇降機構
G‧‧‧基板
[E1 ]‧‧‧第1區域
[E2 ]‧‧‧第2區域
H‧‧‧距離間隔(間隙)
R‧‧‧光阻液
S1~S8‧‧‧步驟
圖1係顯示具備依本發明之減壓乾燥裝置之塗佈裝置整體構成之俯視圖。
圖2係圖1塗佈裝置之側視圖。
圖3係依本發明之減壓乾燥裝置一實施形態之俯視圖。
圖4係圖3之A-A箭視剖面圖。
圖5係圖3之B-B箭視剖面圖。
圖6係顯示依本發明之減壓乾燥裝置動作流程之流程。
圖7(a)~(b)係用以說明依本發明之減壓乾燥裝置狀態變遷之剖面圖。
圖8(a)~(b)係用以說明依本發明之減壓乾燥裝置狀態變遷之剖面圖。
圖9係顯示一實施形態中FPD製造用光阻塗佈裝置構成之部分分解側視圖。
圖10係顯示上述光阻塗佈裝置構成之俯視圖。
圖11係顯示實施形態光阻塗佈單元中供氣系統一構成例圖。
圖12係顯示實施形態光阻塗佈單元中排氣系統一構成例圖。
圖13係顯示實施形態光阻塗佈單元中腔室內部構成之部分剖面俯視圖。
圖14A係關於以氣流控制部選擇第1模式時圖5之I-I線之縱剖面圖。
圖14B係關於以氣流控制部選擇第2模式時圖5之I-I線之縱剖面圖。
圖15A係關於以氣流控制部選擇第1模式時圖5之II-II線之縱剖面圖。
圖15B係關於以氣流控制部選擇第2模式時圖5之II-II線之縱剖面圖。
圖16A係顯示緊接在減壓乾燥處理開始後腔室內各部及氣流狀態之俯視圖。
圖16B係顯示緊接在減壓乾燥處理開始後腔室內各部及氣流狀態之縱剖面圖。
圖17A係顯示於減壓乾燥處理中選擇第1模式時腔室內各部及氣流狀態之俯視圖。
圖17B係顯示於減壓乾燥處理中選擇第1模式時腔室內各部及氣流狀態之縱剖面圖。
圖18係顯示相對於基板上的間隙調整氣流控制部之對應之縱剖面圖。
圖19係顯示於減壓乾燥處理中在選擇以第2模式對腔室內供給非活性氣體時之情形下各部及氣流狀態之俯視圖。
圖20係顯示於減壓乾燥處理結束時以非活性氣體吹掃腔室內時各部及氣流狀態之縱剖面圖。
圖21A係顯示使用方塊構造平台與升降銷之實施形態裝置構成及作用之一縱剖面圖。
圖21B係顯示使用方塊構造平台與升降銷之實施形態裝置構成及作用之另一縱剖面圖。
圖22A係顯示於平台下設置排氣埠之實施形態裝置構成之俯視圖。
圖22B係顯示於平台下設置排氣埠之實施形態裝置構成及作用之縱剖面圖。
圖23係顯示習知減壓乾燥單元概略構成之剖面圖。
214．．．減壓乾燥單元
224．．．下部腔室
226．．．上部腔室
230．．．平台
232(2)．．．供氣埠
234(1)．．．排氣埠
242(2)．．．氣體供給管
252(1)．．．氣體排氣管(排氣管)
260．．．氣流控制部
262A、262B．．．第1分隔板
264．．．第1昇降機構
265A、265B、280．．．凹部
266A、266B、282．．．支持棒
268、284．．．水平支持板
270、286、292．．．昇降驅動軸
272、288、294．．．昇降致動器
274、290、296．．．密封構件
276a．．．第1平板部
276b、276c．．．第2平板部
276．．．第2分隔板
278．．．第2昇降機構
G．．．基板
H．．．距離間隔(間隙)

Claims (30)

  1. 一種減壓乾燥裝置，對塗佈有處理液之被處理基板進行該處理液之減壓乾燥處理，形成塗佈膜，其特徵在於包含：腔室，收納被處理基板，形成處理空間；固持部，設於該腔室內的中心部，固持該被處理基板；第1昇降機構，使該固持部昇降移動；氣流控制部，設於該固持部所固持被處理基板的緣部下方；第2昇降機構，使該氣流控制部昇降移動；排氣口，形成於該腔室內的該腔室底面的一邊附近；及排氣機構，使腔室內蒙氣自該排氣口排氣。
  2. 如申請專利範圍第1項之減壓乾燥裝置，其中，藉由該第1昇降機構與該第2昇降機構執行在該腔室內之該固持部與該氣流控制部的配置，在該氣流控制部接近由該固持部所固持之被處理基板之狀態下，藉由該排氣機構之排氣動作，形成於該基板上表面朝一方向流動之氣流流路。
  3. 如申請專利範圍第1項之減壓乾燥裝置，其中，該排氣口形成於該被處理基板側方，該氣流控制部設在相對於該排氣口，至少夾隔著由該固持部所固持之被處理基板的相反側之基板緣部的下方空間。
  4. 如申請專利範圍第1項之減壓乾燥裝置，其中，在形成於該被處理基板上表面之流路的左右兩側，設有填滿或是遮蔽該基板的左右側方空間之至少一部分的側桿構件。
  5. 如申請專利範圍第3項之減壓乾燥裝置，其中，包含：供氣口，形成於該腔室內，夾隔著該被處理基板與該排氣口相反側之基板側方；及供氣機構，自該供氣口對腔室內的處理空間供給非活性氣體。
  6. 如申請專利範圍第5項之減壓乾燥裝置，其中，在形成於該被處理基板上表面之流路的左右兩側，設有填滿或是遮蔽該基板的左右側方空間之至少一部分的側桿構件。
  7. 一種減壓乾燥裝置，用以在減壓狀態下使形成於被處理基板上的塗佈液膜乾燥，其特徵在於包含：腔室，以可進出之方式收納基板並可減壓；固持部，在該腔室內載置基板；非活性氣體供給部，包含沿水平之第1方向設於該腔室內之該固持部單側的第1供氣埠，經由該第1供氣埠將非活性氣體供給至該腔室內；排氣部，包含設在該腔室內除去該第1供氣埠與該固持部間之第1區域以外的第2區域之排氣埠，經由該排氣埠使該腔室內真空排氣；及氣流控制部，可在以下二個模式間進行切換：第1模式，限制非活性氣體氣流之路線，俾由該第1供氣埠噴出之非活性氣體之多半通過該固持部上而到達該排氣埠；與第2模式，實質上解除針對非活性氣體的該氣流路線之限制。
  8. 如申請專利範圍第7項之減壓乾燥裝置，其中，該氣流控制部包含：第1分隔板，沿與該第1方向正交之水平之第2方向配置於該腔室側壁之內側的該固持部兩側；及第1昇降機構，使該第1分隔板在該第1模式用第1高度位置，與該第2模式用第2高度位置之間昇降移動。
  9. 如申請專利範圍第8項之減壓乾燥裝置，其中，該第1分隔板，於該第1高度位置，自該腔室底面沿鉛直方向突出至接觸頂棚之高度或接近於此之高度；於該第2高度位置，其上端下降至接近該腔室底面之高度或低於此之高度。
  10. 如申請專利範圍第8項之減壓乾燥裝置，其中，該第1分隔板沿該第1方向自接近該第1供氣埠之位置延伸至該固持部相反側之位置。
  11. 如申請專利範圍第8項之減壓乾燥裝置，其中，該氣流控制部包含：第2分隔板，配置於該固持部的至少與該第1供氣埠對向一側的旁邊；及第2昇降機構，使該第2分隔板在該第1模式用第3高度位置與該第2模式用第4高度位置之間昇降移動。
  12. 如申請專利範圍第11項之減壓乾燥裝置，其中，該第2分隔板，於該第3高度位置，自該腔室底面沿鉛直方向突出至接觸基板背面之高度或接近於此之高度；於該第4高度位置，其上端下降至接近該腔室底面之高度或低於此之高度。
  13. 如申請專利範圍第11項之減壓乾燥裝置，其中，該第2分隔板包含：第1平板部，在該固持部之與該第1供氣埠對向一側的旁邊沿該第2方向延伸；及第2平板部，在該固持部之與該第1分隔板對向一側的旁邊沿該第1方向延伸。
  14. 如申請專利範圍第7項之減壓乾燥裝置，其中，該非活性氣體供給部於該第2區域具有第2供氣埠，基板上的塗佈膜在該第1模式下接受減壓乾燥處理時，於此處理中關閉該第2供氣埠並開啟該第1供氣埠以將非活性氣體供給至該腔室內；於減壓乾燥處理結束後，在該第2模式下，該腔室內壓力回到大氣壓時，開啟全部該第1及第2供氣埠以將非活性氣體供給至該腔室內。
  15. 如申請專利範圍第14項之減壓乾燥裝置，其中，該非活性氣體供給部於基板上的塗佈膜在該第2模式下接受減壓乾燥處理時，於此處理中開啟全部該第1及第2供氣埠以將非活性氣體供給至該腔室內。
  16. 如申請專利範圍第14項之減壓乾燥裝置，其中，該腔室以俯視觀察呈矩形，接近其四邊中一邊的腔室側壁設有該第1供氣埠，接近其他三邊之一部分或全部腔室側壁設有該第2供氣埠。
  17. 如申請專利範圍第7至16項中任一項之減壓乾燥裝置，其中，該排氣部中，於該第2區域內在該固持部周圍設有複數該排氣埠，於該第1模式下使該腔室內進行真空排氣時，關閉自該固持部觀察相對接近該第1供氣埠之排氣埠，開啟相對遠離該第1供氣埠之排氣埠；在該第2模式下使該腔室內進行真空排氣時，開啟全部該複數排氣埠。
  18. 一種減壓乾燥方法，對於在如申請專利範圍第1至4項中任一項之減壓乾燥裝置中被塗佈處理液之被處理基板，進行該處理液之減壓乾燥處理，形成塗佈膜，其特徵在於實行下列步驟：將被處理基板固持於該固持部；藉由該第1昇降機構使該固持部上昇，令由該固持部固持之該被處理基板接近該腔室頂棚部；藉由該排氣機構使該腔室內之處理空間減壓；及於經過既定時間後，藉由該第2昇降機構使該氣流控制部上昇移動，令該氣流控制部接近由該固持部所固持之被處理基板。
  19. 一種減壓乾燥方法，對於在如申請專利範圍第1至4項中任一項之減壓乾燥裝置中被塗佈處理液之被處理基板，進行該處理液之減壓乾燥處理，形成塗佈膜，其特徵在於實行下列步驟：將被處理基板固持於該固持部；藉由該第1昇降機構使該固持部下降移動，令該被處理基板接近該氣流控制部；藉由該排氣機構使該腔室內之處理空間減壓；及於經過既定時間後，藉由該第1昇降機構及第2昇降機構使固持該被處理基板之該固持部與該氣流控制部在維持彼此之距離的狀態下上昇移動，停止於腔室內之既定位置。
  20. 一種減壓乾燥方法，對於在如申請專利範圍第5或6項之減壓乾燥裝置中被塗佈處理液之被處理基板，進行該處理液之減壓乾燥處理，形成塗佈膜，其特徵在於實行下列步驟：將被處理基板固持於該固持部；藉由該第1昇降機構使該固持部上昇，令由該固持部所固持之該被處理基板接近該腔室之頂棚部；藉由該排氣機構使該腔室內之處理空間減壓；及於經過既定時間後，藉由該第2昇降機構使該氣流控制部上昇移動，令該氣流控制部接近由該固持部所固持之被處理基板，且藉由該供氣機構將非活性氣體供給至該腔室內。
  21. 一種減壓乾燥方法，藉由如申請專利範圍第5或6項之減壓乾燥裝置對塗佈有處理液之被處理基板進行該處理液之減壓乾燥處理，形成塗佈膜，其特徵在於實行下列步驟：將被處理基板固持於該固持部；藉由該排氣機構使該腔室內之處理空間減壓；藉由該第1昇降機構使該固持部下降移動，該被處理基板接近該氣流控制部，且藉由該供氣機構將非活性氣體供給至該腔室內；及於經過既定時間後，藉由該第1昇降機構及第2昇降機構使固持該被處理基板之該固持部與該氣流控制部在維持彼此之距離的狀態下上昇移動，停止於腔室內之既定位置。
  22. 一種減壓乾燥方法，藉由如申請專利範圍第5或6項之減壓乾燥裝置對塗佈有處理液之被處理基板進行該處理液之減壓乾燥處理，形成塗佈膜，其特徵在於實行下列步驟：將被處理基板固持於該固持部；藉由該第1昇降機構使該固持部下降移動，該被處理基板接近該氣流控制部；藉由該排氣機構使該腔室內之處理空間減壓；藉由該供氣機構將非活性氣體供給至該腔室內；及於經過既定時間後，藉由該第1昇降機構及第2昇降機構使固持該被處理基板之該固持部與該氣流控制部在維持彼此之距離的狀態下上昇移動，停止於腔室內之既定位置。
  23. 一種減壓乾燥方法，利用一減壓乾燥裝置令形成於被處理基板上的塗佈液膜在減壓狀態下乾燥，該減壓乾燥裝置包含：腔室，以可進出之方式收納基板並可減壓；固持部，在該腔室內載置基板；非活性氣體供給部，包含沿水平之第1方向設於該腔室內的該固持部的單側之第1供氣埠，經由該第1供氣埠將非活性氣體供給至該腔室內；及排氣部，包含設在除於該腔室內的該第1供氣埠與該固持部間之第1區域以外之第2區域的排氣埠，經由該排氣埠對該腔室內進行真空排氣；該減壓乾燥方法之特徵為：可在以下二個模式間進行切換：第1模式，限制非活性氣體氣流之路線，俾由該第1供氣埠噴出之非活性氣體之多半通過該固持部上而到達該排氣埠；與第2模式，實質上解除針對非活性氣體的該氣流路線之限制。
  24. 如申請專利範圍第23項之減壓乾燥方法，其中，使用沿著與該第1方向正交之水平之第2方向配置於該腔室側壁內側的該固持部之兩側的第1分隔板，在該第1模式用第1高度位置，與該第2模式用第2高度位置之間，切換該第1分隔板之高度位置。
  25. 如申請專利範圍第23項之減壓乾燥方法，其中，該第1分隔板，於該第1高度位置，自該腔室底面沿鉛直方向突出至接觸頂棚之高度或接近於此之高度；於該第2高度位置，其上端下降至接近該腔室底面之高度或低於此之高度。
  26. 如申請專利範圍第23項之減壓乾燥方法，其中，使用配置於該固持部的至少與該第1供氣埠對向一側的旁邊之第2分隔板，在該第1模式用第3高度位置與該第2模式用第4高度位置之間，切換該第2分隔板之高度位置。
  27. 如申請專利範圍第26項之減壓乾燥方法，其中，該第2分隔板，於該第3高度位置，自該腔室底面沿鉛直方向突出至接觸基板背面之高度或接近於此之高度；於該第4高度位置，其上端下降至接近該腔室底面之高度或低於此之高度。
  28. 如申請專利範圍第26項之減壓乾燥方法，其中，該第2分隔板包含： 第1平板部，在該固持部與該第1供氣埠對向一側的旁邊沿該第2方向延伸；及第2平板部，在該固持部與該第1分隔板對向一側的旁邊沿該第1方向延伸。
  29. 如申請專利範圍第23至28項中任一項之減壓乾燥方法，其中，基板上的塗佈膜在該第1模式下接受減壓乾燥處理時，於此處理中關閉設於該第2區域之第2供氣埠，並開啟該第1供氣埠，以將非活性氣體供給至該腔室內；於減壓乾燥處理結束後，在該第2模式下該腔室內壓力回到大氣壓時，開啟全部該第1及第2供氣埠，以將非活性氣體供給至該腔室內。
  30. 如申請專利範圍第29項之減壓乾燥方法，其中，基板上的塗佈膜在該第2模式下接受減壓乾燥處理時，於此處理中開啟全部該第1及第2供氣埠以將非活性氣體供給至該腔室內。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6093172B2 (ja) * 2012-12-26 2017-03-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法
JP2015002292A (ja) * 2013-06-17 2015-01-05 東京エレクトロン株式会社 化合物半導体膜成膜用基板の移載装置および移載方法、ならびに化合物半導体膜の成膜システムおよび成膜方法
JP2017073338A (ja) * 2015-10-09 2017-04-13 東京エレクトロン株式会社 検査装置、減圧乾燥装置および減圧乾燥装置の制御方法
JP6747815B2 (ja) * 2016-02-02 2020-08-26 東レエンジニアリング株式会社 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法
JP7132592B2 (ja) * 2018-04-05 2022-09-07 株式会社松井製作所 乾燥システム及び乾燥方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW509987B (en) * 1999-12-17 2002-11-11 Tokyo Electron Ltd Coating film forming apparatus and coating unit
TWI312857B (en) * 2005-09-08 2009-08-01 Dainippon Screen Mfg Low pressure dryer and substrate drying method

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5900103A (en) * 1994-04-20 1999-05-04 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
JP3798491B2 (ja) * 1997-01-08 2006-07-19 東京エレクトロン株式会社 ドライエッチング方法
JP3585215B2 (ja) 1999-05-24 2004-11-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US6524389B1 (en) * 1999-05-24 2003-02-25 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP3920699B2 (ja) 2001-09-19 2007-05-30 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置及び塗布膜形成方法
US6796054B2 (en) * 2002-03-12 2004-09-28 Tokyo Electron Limited Low-pressure dryer and low-pressure drying method
US6953654B2 (en) * 2002-03-14 2005-10-11 Tokyo Electron Limited Process and apparatus for removing a contaminant from a substrate
JP2006105524A (ja) * 2004-10-07 2006-04-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW509987B (en) * 1999-12-17 2002-11-11 Tokyo Electron Ltd Coating film forming apparatus and coating unit
TWI312857B (en) * 2005-09-08 2009-08-01 Dainippon Screen Mfg Low pressure dryer and substrate drying method

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