JP7316323B2

JP7316323B2 - 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法

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Publication number: JP7316323B2
Application number: JP2021108894A
Authority: JP
Inventors: 幸宏高村
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd
Priority date: 2021-06-30
Filing date: 2021-06-30
Publication date: 2023-07-27
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Description

本発明は、基板の上面に形成された塗布層を、減圧により乾燥させる減圧乾燥装置および減圧乾燥方法に関する。

従来、有機ＥＬティスプレイの製造工程では、基板の上面に、正孔注入層、正孔輸送層、または発光層となる塗布層を形成する。塗布層は、インクジェット装置により、基板の上面に、部分的に塗布される。そして、塗布層が形成された基板は、減圧乾燥装置のチャンバ内に搬送されて、減圧乾燥処理を受ける。これにより、塗布層に含まれる溶剤が気化して、塗布層が乾燥する。

減圧乾燥装置は、基板を収容するチャンバと、チャンバから気体を吸引する減圧機構とを備える。従来の減圧乾燥装置については、例えば、特許文献１に記載されている。

特開２０１１－８６３８９号公報

特許文献１には、基板上に形成されたバンク内に充填した塗布液を減圧乾燥させる際に、バンク内で膜厚が不均一になりやすいという問題点が記載されている。この他にも、基板上に塗布された塗布液を乾燥させる際、基板の中央部における乾燥不良、基板のエッジ部における膜厚異常等に起因して、塗布層が均一に形成されないという問題が起こり得る。

本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、基板の上面に形成された塗布層を、厚みが均一になるように乾燥させることができる減圧乾燥装置および減圧乾燥方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本願の第１発明は、基板の表面に形成された溶剤を含む塗布層を、減圧により乾燥させる減圧乾燥装置であって、基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内の気体を吸引する減圧機構と、前記チャンバ内に気体を供給する給気機構と、前記減圧機構および前記給気機構を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記減圧機構を駆動させて所定の目標圧力値まで前記チャンバ内の圧力を下げることにより前記塗布層を乾燥させる減圧乾燥処理の過程で、ａ）所定の第１減圧速度で前記チャンバ内の気体を吸引する第１処理と、ｂ）前記処理ａ）の後で、前記第１減圧速度よりも大きい第２減圧速度で前記チャンバ内の気体を吸引する第２処理と、ｃ）前記処理ｂ）の後で、前記第２減圧速度よりも小さい第３減圧速度で、または、前記チャンバ内の圧力が一定となるように前記チャンバ内の気体を吸引する第３処理と、を実行し、前記制御部は、前記処理ａ）、前記処理ｂ）および前記処理ｃ）の少なくとも１つにおいて、ｐ）前記減圧機構を駆動させ、所定の減圧速度で前記チャンバ内の気体を吸引する減圧工程と、ｑ）前記工程ｐ）の後で、前記給気機構を駆動させ、前記チャンバ内に気体を供給する給気工程と、ｒ）前記工程ｑ）の後で、前記減圧機構を駆動させ、前記減圧速度で前記チャンバ内の気体を吸引する減圧工程と、を実行する。

本願の第２発明は、第１発明の減圧乾燥装置であって、前記制御部は、少なくとも前記処理ａ）において、前記工程ｐ）、前記工程ｑ）および前記工程ｒ）を実行し、前記処理ａ）における前記工程ｐ）および前記工程ｒ）では、減圧速度が前記第１減圧速度である。

本願の第３発明は、第１発明の減圧乾燥装置であって、前記制御部は、前記処理ａ）および前記処理ｂ）においてそれぞれ、前記工程ｐ）、前記工程ｑ）および前記工程ｒ）を実行し、前記処理ａ）における前記工程ｐ）および前記工程ｒ）では、減圧速度が前記第１減圧速度であり、前記処理ｂ）における前記工程ｐ）および前記工程ｒ）では、減圧速度が前記第２減圧速度である。

本願の第４発明は、基板の上面に形成された溶剤を含む塗布層を、チャンバ内の圧力を下げる減圧乾燥処理により乾燥させる減圧乾燥方法であって、前記減圧乾燥処理は、Ａ）所定の第１減圧速度で前記チャンバ内の気体を吸引する第１処理と、Ｂ）前記処理Ａ）の後で、前記第１減圧速度よりも大きい第２減圧速度で前記チャンバ内の気体を吸引する第２処理と、Ｃ）前記処理Ｂ）の後で、前記第２減圧速度よりも小さい第３減圧速度で、または、前記チャンバ内の圧力が一定となるように前記チャンバ内の気体を吸引する第３処理と、を含み、前記処理Ａ）、前記処理Ｂ）および前記処理Ｃ）の少なくとも１つが、Ｐ）所定の減圧速度で前記チャンバ内の気体を吸引する減圧工程と、Ｑ）前記工程Ｐ）の後で、前記チャンバ内に気体を供給する給気工程と、Ｒ）前記工程Ｑ）の後で、前記減圧速度で前記チャンバ内の気体を吸引する減圧工程と、を含む。

本願の第５発明は、第４発明の減圧乾燥方法であって、少なくとも前記処理Ａ）は、前記工程Ｐ）、前記工程Ｑ）および前記工程Ｒ）を含み、前記処理Ａ）における前記工程Ｐ）および前記工程Ｒ）では、減圧速度が前記第１減圧速度である。

本願の第６発明は、第４発明の減圧乾燥方法であって、前記処理Ａ）および前記処理Ｂ）はそれぞれ、前記工程Ｐ）、前記工程Ｑ）および前記工程Ｒ）を含み、前記処理Ａ）における前記工程Ｐ）および前記工程Ｒ）では、減圧速度が前記第１減圧速度であり、前記処理Ｂ）における前記工程Ｐ）および前記工程Ｒ）では、減圧速度が前記第２減圧速度である。

本願の第１発明～第６発明によれば、塗布層内において塗布液の粘度が均一化されたり、乾燥の進行により流動性の低くなった塗布液にリフローを生じさせたりすることができる。その結果、塗布層の厚みのばらつきを抑制し、より均一に塗布層を乾燥させることができる。

特に、本願の第２発明および第５発明によれば、減圧乾燥処理の序盤である第１処理の途中に給気工程を行うことで、塗布液中の溶剤の気化が進む前に塗布液の粘土や流動性を均一化できる。これにより、塗布層の厚みのばらつきをより抑制し、さらに均一に塗布層を乾燥させることができる。

特に、本願の第３発明および第６発明によれば、塗布液からの溶剤の気化が最も活発になる第３処理の前の第１処理と第２処理との双方において給気工程を行うことで、塗布層の厚みのばらつきをより抑制し、さらに均一に塗布層を乾燥させることができる。

減圧乾燥装置の縦断面図である。減圧乾燥装置の横断面図である。基板の斜視図である。減圧乾燥処理の流れを示すフローチャートである。従来の減圧乾燥処理におけるチャンバ内の気圧変化レシピを示すグラフである。ステージが上昇位置に配置されたときのチャンバ内の様子を示した図である。ステージが下降位置に配置されたときのチャンバ内の様子を示した図である。第１実施形態の減圧乾燥処理におけるチャンバ内の気圧変化レシピを示すグラフである。第１実施形態の第１処理の流れを示すフローチャートである。第２実施形態の減圧乾燥処理におけるチャンバ内の気圧変化レシピを示すグラフである。第２実施形態の第１処理の流れを示すフローチャートである。第３実施形態の減圧乾燥処理におけるチャンバ内の気圧変化レシピを示すグラフである。第３実施形態の第１処理の流れを示すフローチャートである。第４実施形態の減圧乾燥処理におけるチャンバ内の気圧変化レシピを示すグラフである。第４実施形態の第１処理の流れを示すフローチャートである。第５実施形態の減圧乾燥処理におけるチャンバ内の気圧変化レシピを示すグラフである。第５実施形態の第１処理および第２処理の流れを示すフローチャートである。第６実施形態の減圧乾燥処理におけるチャンバ内の気圧変化レシピを示すグラフである。第６実施形態の第１処理および第２処理の流れを示すフローチャートである。第７実施形態の減圧乾燥処理におけるチャンバ内の気圧変化レシピを示すグラフである。第７実施形態の第１処理および第２処理の流れを示すフローチャートである。第８実施形態の減圧乾燥処理におけるチャンバ内の気圧変化レシピを示すグラフである。第８実施形態の第１処理および第２処理の流れを示すフローチャートである。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。

＜１．減圧乾燥装置の構成について＞
図１は、本発明の一実施形態に係る減圧乾燥装置１の縦断面図である。図２は、減圧乾燥装置１の横断面図である。この減圧乾燥装置１は、有機ＥＬディスプレイの製造工程において、基板９に対して、減圧乾燥処理を行う装置である。基板９には、矩形のガラス基板が使用される。基板９の上面には、予め、有機材料および溶剤を含む塗布層が、部分的に形成されている。塗布層は、減圧乾燥装置１で乾燥されることにより、有機ＥＬディスプレイの正孔注入層、正孔輸送層、または発光層となる。

図３は、基板９の斜視図である。基板９は、上面視において、縦横の長さが異なる長方形状である。図２に示すように、基板９の上面には、有機ＥＬディスプレイの回路パターンを形成する回路領域Ａ１が、複数配列されている。図２の例では、基板９の上面に、４つの矩形の回路領域Ａ１が、２行２列のマトリクス状に配列されている。ただし、回路領域Ａ１の形状、数、配置は、この例に限定されるものではない。塗布層は、減圧乾燥工程よりも前の塗布工程において、インクジェット装置により、各回路領域Ａ１内に、回路パターンに従って形成される。したがって、各回路領域Ａ１は、塗布層に覆われた部分と、塗布層から露出した部分とを有する。また、隣り合う回路領域Ａ１の間の境界領域Ａ２は、塗布層から露出した部分となる。

図１および図２に示すように、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０、ステージ２０、減圧機構３０、底面整流板４０、側面整流板５０、給気機構６０、圧力計７０、および制御部８０を備えている。

チャンバ１０は、基板９が収容される内部空間を有する耐圧容器である。チャンバ１０は、図示を省略した装置フレーム上に固定される。チャンバ１０の形状は、扁平な直方体状である。チャンバ１０は、略正方形状の底板部１１、４つの側壁部１２、および略正方形状の天面部１３を有する。４つの側壁部１２は、底板部１１の４つの端辺と、天面部１３の４つの端辺とを、上下方向に接続する。

４つの側壁部１２のうちの１つには、搬入出口１４と、搬入出口１４を開閉するシャッタ１５とが設けられている。シャッタ１５は、エアシリンダ等により構成されるシャッタ駆動機構１６と接続されている。シャッタ駆動機構１６を動作させると、シャッタ１５は、搬入出口１４を閉鎖する閉鎖位置と、搬入出口１４を開放する開放位置との間で、移動する。シャッタ１５が閉鎖位置に配置された状態では、チャンバ１０の内部空間が密閉される。シャッタ１５が開放位置に配置された状態では、搬入出口１４を介して、チャンバ１０への基板９の搬入およびチャンバ１０からの基板９の搬出を行うことができる。

ステージ２０は、チャンバ１０の内部において、基板９を支持する支持部である。ステージ２０は、複数の支持プレート２１を有する。複数の支持プレート２１は、水平方向に間隔をあけて配列されている。各支持プレート２１の上面には、複数の支持ピン２２が立設されている。基板９は、複数の支持プレート２１の上部に配置される。そして、複数の支持ピン２２の上端部が基板９の下面に接触することにより、基板９が水平姿勢で支持される。

ステージ２０の複数の支持プレート２１は、昇降機構２３に接続されている。図面の煩雑化を避けるため、昇降機構２３は、図１において概念的に示されているが、実際には、昇降機構２３は、エアシリンダ等のアクチュエータにより構成される。昇降機構２３を動作させると、ステージ２０は、下降位置Ｈ１（図１において実線で示した位置）と、下降位置Ｈ１よりも高い上昇位置Ｈ２（図１において二点鎖線で示した位置）との間で、上下方向に昇降移動する。このとき、複数の支持プレート２１は、一体として昇降移動する。

減圧機構３０は、チャンバ１０の内部空間から気体を吸引して、チャンバ１０内の圧力を低下させる機構である。図１および図２に示すように、チャンバ１０の底板部１１には、４つの排気口１６１が設けられている。４つの排気口１６１はそれぞれ、ステージ２０に支持された基板９の下方、かつ、後述する底面整流板４０の下方に位置する。減圧機構３０は、４つの排気口１６１に接続された排気配管３１と、４つの個別バルブＶ１と、主バルブＶ２と、真空ポンプ３２とを有する。

排気配管３１は、４つの個別配管３１１と、１つの主配管３１２とを有する。４つの個別配管３１１はそれぞれ、一端が４つの排気口１６１のいずれかに接続されている。４つの個別配管３１１の他端は、１本に合流して、主配管３１２の一端に接続されている。主配管３１２の他端は、真空ポンプ３２に接続されている。４つの個別バルブＶ１は、４つの個別配管３１１の経路上に、それぞれ設けられている。主バルブＶ２は、主配管３１２の経路上に設けられている。

シャッタ１５により搬入出口１４を閉鎖した状態で、４つの個別バルブＶ１の少なくとも一部と、１つの主バルブ２とを開放し、真空ポンプ３２を動作させると、チャンバ１０内の気体が、排気配管３１を通って、チャンバ１０の外部へ排出される。これにより、チャンバ１０の内部空間の圧力を低下させることができる。

４つの個別バルブＶ１は、４つの排気口１６１からの排気量を、個別に調節するためのバルブである。本実施形態の個別バルブＶ１は、制御部８０からの指令に基づいて、開放状態と閉鎖状態とを切り替える開閉弁である。主バルブＶ２は、４つの排気口１６１からの合計の排気量を調整するためのバルブである。本実施形態の主バルブＶ２は、制御部８０からの指令に基づいて、開度を調節可能な開度制御弁である。

底面整流板４０は、チャンバ１０内の減圧時における気体の流れを規制するためのプレートである。図２に示すように、上面視において、底面整流板４０は、基板９よりも大きい。底面整流板４０は、ステージ２０に支持される基板９と、チャンバ１０の底板部１１との間において、水平に拡がる。底面整流板４０は、チャンバ１０の底板部１１に、複数の支柱（図示省略）を介して固定されている。

側面整流板５０は、底面整流板４０とともに、チャンバ１０内の減圧時における気体の流れを規制するためのプレートである。側面整流板５０は、下降位置Ｈ１のステージ２０に支持される基板９と、チャンバ１０の側壁部１２との間に位置する。本実施形態では、ステージ２０に支持される基板９の周囲に、４つの側面整流板５０が配置されている。４つの側面整流板５０は、全体として、基板９を包囲する四角筒状の整流板を形成している。また、底面整流板４０および４つの側面整流板５０は、全体として、有底筒状の箱状整流板を形成している。３つの側面整流板５０は、チャンバ１０の側壁部１２に固定されている。残りの１つの側面整流板５０は、シャッタ１５とともに移動するように構成される。

チャンバ１０の内部空間を減圧するときには、チャンバ１０内の気体は、側面整流板５０と側壁部１２との間の空間、底面整流板４０と底板部１１との間の空間を通り、排気口１６１からチャンバ１０の外部へ排出される。このように、気体が基板９から離れた空間を流れることで、基板９の近傍に形成される気流を低減できる。その結果、基板９の上面に形成された塗布層の乾燥ムラを抑制できる。

給気機構６０は、チャンバ１０内に気体を供給して、減圧されたチャンバ１０内の圧力を上昇させるための機構である。図１に示すように、チャンバ１０の底板部１１には、給気口１６２が設けられている。給気口１６２は、底面整流板４０の下方に位置する。給気機構６０は、給気口１６２に接続された給気配管６１と、給気バルブＶ３と、給気源６２とを有する。給気配管６１の一端は、給気口１６２に接続されている。給気配管６１の他端は、給気源６２に接続されている。給気バルブＶ３は、給気配管６１の経路上に設けられている。

給気バルブＶ３を開放すると、給気源６２から給気配管６１および給気口１６２を通ってチャンバ１０の内部空間へ、気体が供給される。これにより、チャンバ１０内の気圧を上昇させることができる。なお、給気源６２から供給される気体は、窒素ガス等の不活性ガスであってもよく、あるいは、クリーンドライエアであってもよい。

圧力計７０は、チャンバ１０内の気圧を計測するセンサである。図１に示すように、圧力計７０は、チャンバ１０の一部分に取り付けられている。圧力計７０は、チャンバ１０内の気圧を計測し、その計測結果を、制御部８０へ出力する。

制御部８０は、減圧乾燥装置１の各部を動作制御するためのユニットである。制御部８０は、ＣＰＵ等のプロセッサ８０１、ＲＡＭ等のメモリ８０２、およびハードディスクドライブ等の記憶部８０３を有するコンピュータにより構成される。記憶部８０３には、減圧乾燥処理を実行するためのコンピュータプログラムおよび各種データが記憶されている。制御部８０は、記憶部８０３からメモリ８０２にコンピュータプログラムおよび各種データを読み出し、当該コンピュータプログラムおよびデータに従ってプロセッサ８０１が演算処理を行うことにより、減圧乾燥装置１内の各部を動作制御する。

＜２．従来の減圧乾燥処理について＞
次に、上記の減圧乾燥装置１を用いた基板９の減圧乾燥処理について、説明する。はじめに、従来のレシピを用いた減圧乾燥処理の流れについて、図４および図５を参照しつつ説明する。なお、レシピとは、減圧乾燥処理中にどのような気圧変化を行うかを示すのもである。図４は、減圧乾燥処理の流れを示すフローチャートである。図５は、従来の減圧乾燥処理におけるチャンバ１０内の気圧変化レシピを示すグラフである。なお、図５の縦軸は対数軸である。

減圧乾燥処理を行うときには、まず、基板９をチャンバ１０内に搬入する（ステップＳＴ１）。基板９の上面には、未乾燥の塗布層が形成されている。制御部８０は、シャッタ１５を動作させて搬入出口１４を開放する。そして、図示を省略した搬送ロボットが、搬入出口１４を介して、チャンバ１０の内部へ、基板９を搬入する。その後、制御部８０は、シャッタ１５を動作させて搬入出口１４を閉鎖する。これにより、チャンバ１０の内部空間に基板９が収容される。この時点では、ステージ２０は、下降位置Ｈ１に配置されている。

次に、減圧乾燥装置１は、ステージ２０を上昇させる（ステップＳＴ２）。具体的には、制御部８０が昇降機構２３を動作させることにより、ステージ２０を下降位置Ｈ１から上昇位置Ｈ２へ移動させる。図６は、ステージ２０が上昇位置Ｈ２に配置されたときのチャンバ１０内の様子を示した図である。図６に示すように、ステップＳＴ２において、基板９は、側面整流板５０の上端部よりも上方に配置される。

続いて、チャンバ１０内の減圧を開始する。すなわち、制御部８０が、真空ポンプ３２の動作を開始するとともに、個別バルブＶ１の１つまたは全部と主バルブＶ２とを開放する。これにより、チャンバ１０から排気配管３１への気体の排出を開始する。以後の減圧乾燥処理において、制御部８０は、図５に示すようなレシピに従って、所望の減圧速度で減圧を行うための制御を行う。

減圧乾燥装置１は、まず、チャンバ１０の内部空間を比較的緩やかな第１減圧速度Ｓ１で減圧する、第１処理を行う（ステップＳＴ３）。ステップＳＴ３では、上述の通り、ステージ２０が上昇位置Ｈ２に配置されている。このため、チャンバ１０内の気体は、図６中に破線矢印で示すように、基板９の下方の空間から、側面整流板５０と側壁部１２との間の空間および底面整流板４０と底板部１１との間の空間を通って、排気口１６１から排気配管３１へ流れる。このため、チャンバ１０内に形成される気流は、基板９の上面に影響を及ぼしにくい。

なお、気圧変化レシピ通りの減圧速度でチャンバ１０内からの排気を行うために、圧力計７０の測定値を参照してフィードバック制御を行ってもよいし、所望の減圧速度を実現できる個別バルブＶ１および主バルブＶ２の開度を経験的に取得したものを使用して減圧処理を行ってもよい。

次に、減圧乾燥装置１は、ステージ２０を下降させる（ステップＳＴ４）。具体的には、制御部８０が昇降機構２３を動作させて、ステージ２０を上昇位置Ｈ２から下降位置Ｈ１へ移動させる。図７は、ステージ２０が下降位置Ｈ１に配置されたときのチャンバ１０内の様子を示した図である。図７に示すように、ステップＳＴ４において、基板９は、側面整流板５０の上端部よりも下方の位置に配置される。

続いて、減圧乾燥装置１は、第１処理よりも大きい第２減圧速度Ｓ２で減圧を行う第２処理を行う（ステップＳＴ５）。この第２処理では、主バルブＶ２の開度を、第１処理よりも大きい開度に変更する。これにより、図５の期間Ｔ２のように、チャンバ１０内の気圧が、期間Ｔ１と比べて急速に低下する。

第２処理では、上述の通り、ステージ２０が下降位置Ｈ１に配置されている。第２処理では、第１処理と比較して、塗布層から溶剤が活発に気化する。このため、基板９の上面側に溶剤の蒸気が発生しやすい。基板９の上面側の空間に存在する気体は、図７中に破線矢印で示すように、側面整流板５０と側壁部１２との間の空間および底面整流板４０と底板部１１との間の空間を通って、排気口１６１から排気配管３１へ流れる。これにより、基板９の近傍に強い気流が発生することを抑制できる。特に、基板９の周縁部において気流が集中することを抑制できる。したがって、気流による塗布層の乾燥ムラを抑制できる。

チャンバ１０の内部空間の気圧が、所定の圧力Ｐ２まで低下すると、塗布層からの溶剤の気化がさらに活発になる。そこで、続く第３処理では、塗布層の沸騰を抑制するために再び減圧速度を緩め、図５の期間Ｔ３のように、第２処理における第２減圧速度Ｓ２よりも小さい第３減圧速度Ｓ３でチャンバ１０内からの排気を継続する（ステップＳＴ６）。

なお、塗布液の種類によっては、第３処理において、チャンバ１０内の圧力がほぼ一定となるようにチャンバ１０内からの排気を行ってもよい。

やがて、塗布層の溶媒成分が十分に気化し、チャンバ１０内の気圧が圧力Ｐ３程度まで低下すると、塗布層からの溶剤の気化がほぼ終了する。そうすると、図５の期間Ｔ４のように、チャンバ１０内の気圧が、再び急速に低下する。このように、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０の内部空間をさらに減圧する、第４処理を行う（ステップＳＴ７）。図５中、第４処理における減圧速度が、第４減圧速度Ｓ４で示されている。

この第４処理では、塗布層に残存する僅かな溶媒成分が気化するものの、上述した第１処理～第３処理と比べると、溶媒成分の気化は活発ではない。このため、制御部８０は、４つの個別バルブＶ１および主バルブＶ２を全て開放する。これにより、チャンバ１０からの排気を促進して、チャンバ１０の内部空間を目標圧力Ｐ４まで急速に減圧する。

チャンバ１０内の気圧が目標圧力Ｐ４に到達すると、制御部８０は、主バルブＶ２を閉鎖する。これにより、チャンバ１０からの気体の吸引が終了し、塗布層の乾燥が完了する。

その後、制御部８０は、給気バルブＶ３を開放する。そうすると、給気源６２から給気配管６１および給気口１６２を通ってチャンバ１０の内部へ、気体が供給される（ステップＳＴ８）。これにより、チャンバ１０内の気圧が、再び大気圧Ｐ０まで上昇する。このとき、チャンバ１０内には、比較的強い気流が発生するが、塗布層は十分に乾燥済みであるため、気流による乾燥ムラは生じにくい。また、給気口１６２から供給される気体は、底面整流板４０と底板部１１との間、および、側面整流板５０と側壁部１２との間を通って、チャンバ１０の内側へ流れる。これにより、基板９の近傍に強い気流が発生することを抑制できる。

チャンバ１０内の気圧が大気圧Ｐ０に到達すると、制御部８０は、給気バルブＶ３を閉鎖する。そして、制御部８０が、シャッタ駆動機構１６を動作させる。これにより、シャッタ１５を閉鎖位置から開放位置へ移動させて、搬入出口１４を開放する。そして、図示を省略した搬送ロボットが、ステージ２０に支持された乾燥済みの基板９を、チャンバ１０の外部へ搬出する（ステップＳＴ９）。以上をもって、１枚の基板９に対する減圧乾燥処理を終了する。

なお、この減圧乾燥装置１では、第１処理～第３処理において、４つの個別バルブＶ１の開閉状態を順次に切り替える切替処理を行なってもよい。このようにすれば、第１処理～第３処理の各処理の間に、４つの排気口１６１からの排気量が、順次に切り替わる。これにより、基板９の上面に沿って形成される気流の向きが変化する。したがって、基板９の上面の塗布層を、より均一に乾燥させることができる。

＜３．第１実施形態＞
続いて、第１実施形態に係る減圧乾燥処理中の気圧変化について、図８および図９を参照しつつ説明する。図８は、第１実施形態の減圧乾燥処理におけるチャンバ１０内の気圧変化レシピを示すグラフである。図９は、第１実施形態の減圧乾燥処理における第１処理の流れを示したフローチャートである。

第１実施形態の減圧乾燥処理は、上述した従来の減圧乾燥処理と、ステップＳＴ３の第１処理において異なる。なお、その他のステップについては、上述した従来の減圧乾燥処理と同様であるため、説明を省略する。

第１実施形態における第１処理（ステップＳＴ３ａ）では、図８に示すように、第１処理が行われる期間Ｔ１において、チャンバ１０内の気圧が大気圧から当該期間の目標圧力Ｐ１へ減圧される過程において、２回の圧力を上げる工程（給気工程）が行われる。

具体的には、図９に示すように、第１処理（ステップＳＴ３ａ）において、制御部８０はまず、個別バルブＶ１の少なくとも１つおよび主バルブＶ２を開放し、大気圧Ｐ０のチャンバ１０からの排気を開始する。そして、チャンバ１０内の圧力が所定の圧力Ｐａとなるまで第１減圧速度Ｓ１で減圧を行う（ステップＳＴ３１ａ）。なお、圧力Ｐａは、大気圧Ｐ０よりも低く、かつ、第１処理の目標圧力Ｐ１よりも高い圧力である。

チャンバ１０内の圧力が所定の圧力Ｐａに達すると、制御部８０は、主バルブＶ２を閉鎖してチャンバ１０内からの減圧を停止する。続いて、制御部８０は、給気バルブＶ３を開放し、給気源６２からチャンバ１０内へ気体を供給する（ステップＳＴ３２ａ）。このステップＳＴ３２ａでは、チャンバ１０内の気圧が大気圧Ｐ０になるまで気体が供給される。

チャンバ１０内の気圧が大気圧Ｐ０に達すると、制御部８０は、給気バルブＶ３を閉鎖し、チャンバ１０への給気を停止する。そして、再び個別バルブＶ１の少なくとも１つおよび主バルブＶ２を開放し、大気圧Ｐ０のチャンバ１０からの排気を開始する。そして、チャンバ１０内の圧力が所定の圧力Ｐａとなるまで第１減圧速度Ｓ１で減圧を行う（ステップＳＴ３３ａ）。

チャンバ１０内の圧力が所定の圧力Ｐａに達すると、制御部８０は、主バルブＶ２を閉鎖してチャンバ１０内からの減圧を停止する。続いて、制御部８０は、給気バルブＶ３を開放し、給気源６２からチャンバ１０内へ気体を供給する（ステップＳＴ３４ａ）。このステップＳＴ３４ａでは、チャンバ１０内の気圧が再び大気圧Ｐ０になるまで気体が供給される。

そして、チャンバ１０内の気圧が再び大気圧Ｐ０に達すると、制御部８０は、チャンバ１０への給気を停止する。そして、個別バルブＶ１の少なくとも１つおよび主バルブＶ２を開放し、大気圧Ｐ０のチャンバ１０からの排気を開始する。そして、チャンバ１０内の圧力が第１処理の目標圧力Ｐ１となるまで第１減圧速度Ｓ１で減圧を行う（ステップＳＴ３５ａ）。

このように、第１実施形態では、減圧機構３０を駆動させて所定の目標圧力Ｐ１までチャンバ１０内の圧力を下げる減圧乾燥処理である第１処理（ステップＳＴ３ａ）の過程で、一時的に、減圧機構３０を停止させつつ吸気機構６０を駆動させてチャンバ内に気体を供給する供給工程（ステップＳＴ３２ａ，ＳＴ３４ａ）が行われる。すなわち、第１実施形態の第１処理（ステップＳＴ３ａ）では、第１減圧速度Ｓ１での減圧工程、給気工程、そして再度の減圧工程を行う。

減圧処理の途中に給気工程を行って意図的に圧力を上げることにより、塗布層からの溶剤の気化が止まる。また、条件によっては、塗布層から気化した溶剤の一部が一時的に塗布層の表面に結露する。これにより、塗布層内において塗布液の粘度が均一化されたり、乾燥の進行により流動性の低くなった塗布液にリフローを生じさせたりすることができる。その結果、塗布層の厚みのばらつきを抑制し、より均一に塗布層を乾燥させることができる。

特に、減圧乾燥処理の序盤である第１処理の途中に給気工程を行うことで、塗布液中の溶剤の気化が進む前に塗布液の粘土や流動性を均一化できる。これにより、塗布層の厚みのばらつきをより抑制し、さらに均一に塗布層を乾燥させることができる。

なお、第１実施形態において、ある程度減圧処理が進む減圧工程（ステップＳＴ３１ａ，ＳＴ３３ａ）の後に給気を行う給気工程（ステップＳＴ３２ａ，ＳＴ３４ａ）が２回実行されるが、給気工程の回数は２回に限られない。このような給気工程の回数は１回でもよく、３回以上であってもよい。

＜４．第２実施形態＞
第２実施形態に係る減圧乾燥処理中の気圧変化について、図１０および図１１を参照しつつ説明する。図１０は、第２実施形態の減圧乾燥処理におけるチャンバ１０内の気圧変化レシピを示すグラフである。図１１は、第２実施形態の減圧乾燥処理における第１処理の流れを示したフローチャートである。

図１０に示すように、第２実施形態では、第１実施形態と同様に、第１処理中に２回給気を行う。第１実施形態と異なる点は、給気開始直前におけるチャンバ１０内の圧力である。

第２実施形態における第１処理（ステップＳＴ３ｂ）では、図１０に示すように、第１処理が行われる期間Ｔ１において、チャンバ１０内の気圧が大気圧から当該期間の目標圧力Ｐ１へ減圧される過程において、２回の圧力を上げる工程（給気工程）が行われる。

具体的には、図１１に示すように、第１処理（ステップＳＴ３ｂ）において、制御部８０はまず、個別バルブＶ１の少なくとも１つおよび主バルブＶ２を開放し、大気圧Ｐ０のチャンバ１０からの排気を開始する。そして、チャンバ１０内の圧力が所定の圧力Ｐｂとなるまで第１減圧速度Ｓ１で減圧を行う（ステップＳＴ３１ｂ）。なお、圧力Ｐｂは、大気圧Ｐ０よりも低く、かつ、第１処理の目標圧力Ｐ１よりも高い圧力である。

チャンバ１０内の圧力が所定の圧力Ｐａに達すると、制御部８０は、主バルブＶ２を閉鎖してチャンバ１０内からの減圧を停止する。続いて、制御部８０は、給気バルブＶ３を開放し、給気源６２からチャンバ１０内へ気体を供給する（ステップＳＴ３２ｂ）。このステップＳＴ３２ｂでは、チャンバ１０内の気圧が大気圧Ｐ０になるまで気体が供給される。

チャンバ１０内の気圧が大気圧Ｐ０に達すると、制御部８０は、給気バルブＶ３を閉鎖し、チャンバ１０への給気を停止する。そして、再び個別バルブＶ１の少なくとも１つおよび主バルブＶ２を開放し、大気圧Ｐ０のチャンバ１０からの排気を開始する。そして、チャンバ１０内の圧力が、所定の圧力Ｐｃとなるまで第１減圧速度Ｓ１で減圧を行う（ステップＳＴ３３ｂ）。なお、圧力Ｐｃは、圧力Ｐｂよりも低く、かつ、第１処理の目標圧力Ｐ１よりも高い圧力である。

チャンバ１０内の圧力が所定の圧力Ｐｃに達すると、制御部８０は、主バルブＶ２を閉鎖してチャンバ１０内からの減圧を停止する。続いて、制御部８０は、給気バルブＶ３を開放し、給気源６２からチャンバ１０内へ気体を供給する（ステップＳＴ３４ａ）。このステップＳＴ３４ａでは、チャンバ１０内の気圧が再び大気圧Ｐ０になるまで気体が供給される。

このように、第２実施形態の第１処理（ステップＳＴ３ｂ）では、２回ある給気工程（ステップＳＴ３２ｂ，３４ｂ）の直前のチャンバ１０内の気圧が、１回目よりも２回目の方が低い。このように、減圧処理の進行を段階的に行ってもよい。

＜５．第３実施形態＞
第３実施形態に係る減圧乾燥処理中の気圧変化について、図１２および図１３を参照しつつ説明する。図１２は、第３実施形態の減圧乾燥処理におけるチャンバ１０内の気圧変化レシピを示すグラフである。図１３は、第３実施形態の減圧乾燥処理における第１処理の流れを示したフローチャートである。

図１２に示すように、第３実施形態では、第１実施形態および第２実施形態と同様に、第１処理中に２回給気を行う。第１実施形態および第２実施形態と異なる点は、給気開始直前におけるチャンバ１０内の圧力である。

第３実施形態における第１処理（ステップＳＴ３ｃ）では、図１２に示すように、第１処理が行われる期間Ｔ１において、チャンバ１０内の気圧が大気圧から当該期間の目標圧力Ｐ１への減圧工程と、給気工程とが繰り返し行われる。

具体的には、図１３に示すように、第１処理（ステップＳＴ３ｃ）において、制御部８０はまず、個別バルブＶ１の少なくとも１つおよび主バルブＶ２を開放し、大気圧Ｐ０のチャンバ１０からの排気を開始する。そして、チャンバ１０内の圧力が第１処理の目標圧力Ｐ１となるまで第１減圧速度Ｓ１で減圧を行う（ステップＳＴ３１ｃ）。

チャンバ１０内の圧力が目標圧力Ｐ１に達すると、制御部８０は、主バルブＶ２を閉鎖してチャンバ１０内からの減圧を停止する。続いて、制御部８０は、給気バルブＶ３を開放し、給気源６２からチャンバ１０内へ気体を供給する（ステップＳＴ３２ｃ）。このステップＳＴ３２ｃでは、チャンバ１０内の気圧が大気圧Ｐ０になるまで気体が供給される。

チャンバ１０内の気圧が大気圧Ｐ０に達すると、制御部８０は、給気バルブＶ３を閉鎖し、チャンバ１０への給気を停止する。そして、再び個別バルブＶ１の少なくとも１つおよび主バルブＶ２を開放し、大気圧Ｐ０のチャンバ１０からの排気を開始する。そして、チャンバ１０内の圧力が、第１処理の目標圧力Ｐ１となるまで第１減圧速度Ｓ１で減圧を行う（ステップＳＴ３３ｃ）。

チャンバ１０内の圧力が目標圧力Ｐ１に達すると、制御部８０は、主バルブＶ２を閉鎖してチャンバ１０内からの減圧を停止する。続いて、制御部８０は、給気バルブＶ３を開放し、給気源６２からチャンバ１０内へ気体を供給する（ステップＳＴ３４ｃ）。このステップＳＴ３４ｃでは、チャンバ１０内の気圧が再び大気圧Ｐ０になるまで気体が供給される。

そして、チャンバ１０内の気圧が再び大気圧Ｐ０に達すると、制御部８０は、チャンバ１０への給気を停止する。そして、個別バルブＶ１の少なくとも１つおよび主バルブＶ２を開放し、大気圧Ｐ０のチャンバ１０からの排気を開始する。そして、チャンバ１０内の圧力が第１処理の目標圧力Ｐ１となるまで第１減圧速度Ｓ１で減圧を行う（ステップＳＴ３５ｃ）。そして、３度目に目標圧力Ｐ１に達したところで、第１処理（ステップＳＴ３ｃ）を終了する。

このように、第１処理（ステップＳＴ３ｃ）において、目標圧力Ｐ１までの減圧工程を複数回繰り返してもよい。

＜６．第４実施形態＞
第４実施形態に係る減圧乾燥処理中の気圧変化について、図１４および図１５を参照しつつ説明する。図１４は、第４実施形態の減圧乾燥処理におけるチャンバ１０内の気圧変化レシピを示すグラフである。図１５は、第４実施形態の減圧乾燥処理における第１処理の流れを示したフローチャートである。

図１４に示すように、第４実施形態において給気回数以外で第１実施形態～第３実施形態と異なる点は、給気工程において大気圧Ｐ０まで給気を行うのではなく、所定時間給気を行う点である。

第４実施形態における第１処理（ステップＳＴ３ｄ）では、第１処理が行われる期間Ｔ１において、チャンバ１０内の気圧が大気圧から当該期間の目標圧力Ｐ１へ減圧される過程において、３回の圧力を上げる工程（給気工程）が行われる。

具体的には、図１５に示すように、第１処理（ステップＳＴ３ｄ）において、制御部８０はまず、個別バルブＶ１の少なくとも１つおよび主バルブＶ２を開放し、大気圧Ｐ０のチャンバ１０からの排気を開始する。そして、チャンバ１０内の圧力が所定の圧力Ｐｄとなるまで第１減圧速度Ｓ１で減圧を行う（ステップＳＴ３１ｄ）。なお、圧力Ｐｄは、大気圧Ｐ０よりも低く、かつ、第１処理の目標圧力Ｐ１よりも高い圧力である。

チャンバ１０内の圧力が所定の圧力Ｐｄに達すると、制御部８０は、主バルブＶ２を閉鎖してチャンバ１０内からの減圧を停止する。続いて、制御部８０は、給気バルブＶ３を開放し、給気源６２からチャンバ１０内へ気体を供給する（ステップＳＴ３２ｄ）。このステップＳＴ３２ｂでは、所定時間（例えば２ｓｅｃ）気体が供給される。

所定時間経過後、制御部８０は、給気バルブＶ３を閉鎖し、チャンバ１０への給気を停止する。そして、再び個別バルブＶ１の少なくとも１つおよび主バルブＶ２を開放し、チャンバ１０からの排気を開始する。そして、チャンバ１０内の圧力が、所定の圧力Ｐｅとなるまで第１減圧速度Ｓ１で減圧を行う（ステップＳＴ３３ｄ）。なお、圧力Ｐｅは、圧力Ｐｄよりも低く、かつ、第１処理の目標圧力Ｐ１よりも高い圧力である。

チャンバ１０内の圧力が所定の圧力Ｐｅに達すると、制御部８０は、主バルブＶ２を閉鎖してチャンバ１０内からの減圧を停止する。続いて、制御部８０は、給気バルブＶ３を開放し、給気源６２からチャンバ１０内へ気体を供給する（ステップＳＴ３４ｄ）。このステップＳＴ３４ｄでは、１回目の給気工程（ステップＳＴ３２ｄ）と同じ所定時間の間、気体が供給される。

所定時間経過後、制御部８０は、チャンバ１０への給気を停止する。そして、個別バルブＶ１の少なくとも１つおよび主バルブＶ２を開放し、チャンバ１０からの排気を開始する。そして、チャンバ１０内の圧力が、所定の圧力Ｐｆとなるまで第１減圧速度Ｓ１で減圧を行う（ステップＳＴ３５ｄ）。なお、圧力Ｐｆは、圧力Ｐｅよりも低く、かつ、第１処理の目標圧力Ｐ１よりも高い圧力である。

チャンバ１０内の圧力が所定の圧力Ｐｆに達すると、制御部８０は、主バルブＶ２を閉鎖してチャンバ１０内からの減圧を停止する。続いて、制御部８０は、給気バルブＶ３を開放し、給気源６２からチャンバ１０内へ気体を供給する（ステップＳＴ３６ｄ）。このステップＳＴ３６ｄでは、１回目の給気工程（ステップＳＴ３２ｄ）および２回目の給気工程（ステップＳＴ３４ｄ）と同じ所定時間の間、気体が供給される。

所定時間経過後、制御部８０は、チャンバ１０への給気を停止する。そして、個別バルブＶ１の少なくとも１つおよび主バルブＶ２を開放し、チャンバ１０からの排気を開始する。そして、チャンバ１０内の圧力が第１処理（ステップＳＴ３ｄ）の目標圧力Ｐ１となるまで第１減圧速度Ｓ１で減圧を行う（ステップＳＴ３７ｄ）。

第４実施形態の第１処理（ステップＳＴ３ｄ）では、各給気工程（ステップＳＴ３２ｄ，３４ｄ，３６ｄ）において、所定時間の給気を行い、大気圧Ｐ０までチャンバ１０内の気圧を戻さない。このように、第１処理中に行う給気工程では、大気圧Ｐ０まで給気を行わなくてもよい。これにより、給気工程で大気圧Ｐ０までの給気を同じ回数行った場合と比べて、減圧乾燥処理にかかる時間を短縮できる。

＜７．第５実施形態＞
第５実施形態に係る減圧乾燥処理中の気圧変化について、図１６および図１７を参照しつつ説明する。図１６は、第５実施形態の減圧乾燥処理におけるチャンバ１０内の気圧変化レシピを示すグラフである。図１７は、第５実施形態の減圧乾燥処理における第１処理および第２処理の流れを示したフローチャートである。

図１６および図１７に示すように、第５実施形態では、第５実施形態における第１処理（ステップＳＴ３ｅ）行われる期間Ｔ１において１回の給気工程が行われるとともに、第２処理（ステップＳＴ５ｅ）が行われる期間Ｔ２において１回の給気工程が行われる。

具体的には、図１７に示すように、第１処理（ステップＳＴ３ｅ）において、制御部８０はまず、個別バルブＶ１の少なくとも１つおよび主バルブＶ２を開放し、大気圧Ｐ０のチャンバ１０からの排気を開始する。そして、チャンバ１０内の圧力が所定の圧力Ｐｇとなるまで第１減圧速度Ｓ１で減圧を行う（ステップＳＴ３１ｅ）。なお、圧力Ｐｇは、大気圧Ｐ０よりも低く、かつ、第１処理の目標圧力Ｐ１よりも高い圧力である。

チャンバ１０内の圧力が所定の圧力Ｐｇに達すると、制御部８０は、主バルブＶ２を閉鎖してチャンバ１０内からの減圧を停止する。続いて、制御部８０は、給気バルブＶ３を開放し、給気源６２からチャンバ１０内へ気体を供給する（ステップＳＴ３２ｅ）。このステップＳＴ３２ｅでは、チャンバ１０内の気圧が大気圧Ｐ０になるまで気体が供給される。

チャンバ１０内の気圧が大気圧Ｐ０に達すると、制御部８０は、給気バルブＶ３を閉鎖し、チャンバ１０への給気を停止する。そして、再び個別バルブＶ１の少なくとも１つおよび主バルブＶ２を開放し、大気圧Ｐ０のチャンバ１０からの排気を開始する。そして、チャンバ１０内の圧力が、第１処理の目標圧力Ｐ１となるまで第１減圧速度Ｓ１で減圧を行う（ステップＳＴ３５ｅ）。このように、第１処理中に１回の給気工程（ステップＳＴ３２ｅ）が行われる。

第１処理（ステップＳＴ３ｅ）が完了し、ステージ位置変更（ステップＳＴ４）がなされた後、第２処理（ステップＳＴ５ｅ）が行われる。この第２処理（ステップＳＴ５ｅ）では、まず、制御部８０は、個別バルブＶ１の少なくとも１つおよび主バルブＶ２を開放し、圧力Ｐ１のチャンバ１０からの排気を開始する。そして、チャンバ１０内の圧力が所定の圧力Ｐｈとなるまで第２減圧速度Ｓ２で減圧を行う（ステップＳＴ５１ｅ）。なお、圧力Ｐｈは、第１処理の目標圧力Ｐ１よりも低く、かつ、第２処理の目標圧力Ｐ２よりも高い圧力である。

チャンバ１０内の圧力が所定の圧力Ｐｈに達すると、制御部８０は、主バルブＶ２を閉鎖してチャンバ１０内からの減圧を停止する。続いて、制御部８０は、給気バルブＶ３を開放し、給気源６２からチャンバ１０内へ気体を供給する（ステップＳＴ５２ｅ）。このステップＳＴ５２ｅでは、チャンバ１０内の気圧が大気圧Ｐ０になるまで気体が供給される。

チャンバ１０内の気圧が大気圧Ｐ０に達すると、制御部８０は、給気バルブＶ３を閉鎖し、チャンバ１０への給気を停止する。そして、再び個別バルブＶ１の少なくとも１つおよび主バルブＶ２を開放し、大気圧Ｐ０のチャンバ１０からの排気を開始する。そして、チャンバ１０内の圧力が、第２処理の目標圧力Ｐ２となるまで第２減圧速度Ｓ２で減圧を行う（ステップＳＴ５３ｅ）。このように、第２処理中に１回の給気工程（ステップＳＴ５２ｅ）が行われる。

この第５実施形態のように、第１処理中と、第２処理中との双方において給気工程が行われてもよい。塗布液からの溶剤の気化が最も活発になる第３処理の前の第１処理と第２処理との双方において給気工程を行うことで、第１処理中に加えて第２処理においても給気工程を行い、塗布液の粘度を均一化させたり、塗布液にリフローを生じさせたりすることができる。その結果、塗布層の厚みのばらつきを抑制し、より均一に塗布層を乾燥させることができる。

なお、第１処理中に給気工程が行われず、第２処理中のみ給気工程が行われてもよい。また、第１処理中および第２処理中に行われる給気工程は１回に限られず、複数回であってもよい。

また、この第５実施形態では、第２処理中、給気工程（ステップＳＴ５２ｅ）の後に行われる減圧工程（ステップＳＴ５３ｅ）において、大気圧Ｐ０から圧力Ｐ１に達する間に、第１処理（ステップＳＴ３ｅ）よりも早い第２減圧速度Ｓ２で減圧処理を行っている。これにより、後述する第６実施形態と比較して減圧乾燥処理を全体として短くすることができる。

＜８．第６実施形態＞
第６実施形態に係る減圧乾燥処理中の気圧変化について、図１８および図１９を参照しつつ説明する。図１８は、第６実施形態の減圧乾燥処理におけるチャンバ１０内の気圧変化レシピを示すグラフである。図１９は、第６実施形態の減圧乾燥処理における第１処理および第２処理の流れを示したフローチャートである。

図１８および図１９に示すように、第６実施形態では、第５実施形態と同様に、第１処理（ステップＳＴ３ｆ）行われる期間Ｔ１において１回の給気工程が行われるとともに、第２処理（ステップＳＴ５ｆ）が行われる期間Ｔ２において１回の給気工程が行われる。なお、第６実施形態の第１処理（ステップＳＴ３ｆ）は、第５実施形態の第１処理（ステップＳＴ３ｅ）と同様であるため、説明を省略する。

第１処理（ステップＳＴ３ｆ）が完了し、ステージ位置変更（ステップＳＴ４）がなされた後、第２処理（ステップＳＴ５ｆ）が行われる。この第２処理（ステップＳＴ５ｆ）では、まず、制御部８０は、個別バルブＶ１の少なくとも１つおよび主バルブＶ２を開放し、圧力Ｐ１のチャンバ１０からの排気を開始する。そして、チャンバ１０内の圧力が所定の圧力Ｐｈとなるまで第２減圧速度Ｓ２で減圧を行う（ステップＳＴ５１ｆ）。

チャンバ１０内の圧力が所定の圧力Ｐｈに達すると、制御部８０は、主バルブＶ２を閉鎖してチャンバ１０内からの減圧を停止する。続いて、制御部８０は、給気バルブＶ３を開放し、給気源６２からチャンバ１０内へ気体を供給する（ステップＳＴ５２ｆ）。このステップＳＴ５２ｆでは、チャンバ１０内の気圧が大気圧Ｐ０になるまで気体が供給される。

チャンバ１０内の気圧が大気圧Ｐ０に達すると、制御部８０は、給気バルブＶ３を閉鎖し、チャンバ１０への給気を停止する。そして、再び個別バルブＶ１の少なくとも１つおよび主バルブＶ２を開放し、大気圧Ｐ０のチャンバ１０からの排気を開始する。そして、チャンバ１０内の圧力が、第１処理の目標圧力Ｐ１となるまで第１減圧速度Ｓ１で減圧を行う（ステップＳＴ５３ｆ）。

チャンバ１０内の気圧が第１処理の目標圧力Ｐ１に達すると、制御部８０は、主バルブＶ２の開度を変更し、チャンバ１０内の圧力が、第２処理の目標圧力Ｐ２となるまで第２減圧速度Ｓ２で減圧を行う（ステップＳ５４ｆ）。

この第６実施形態のように、第２処理中に、第１処理の目標圧力Ｐ１を超える圧力まで給気を行った場合に、目標圧力Ｐ１を超える圧力帯域において第１処理と同じ第１減圧速度Ｓ１で減圧処理を行ってもよい。このようにすれば、当該圧力帯域における塗布液の突沸を抑制することができる。

＜９．第７実施形態＞
第７実施形態に係る減圧乾燥処理中の気圧変化について、図２０および図２１を参照しつつ説明する。図２０は、第７実施形態の減圧乾燥処理におけるチャンバ１０内の気圧変化レシピを示すグラフである。図２１は、第７実施形態の減圧乾燥処理における第１処理および第２処理の流れを示したフローチャートである。

図２０に示すように、第７実施形態では、第５実施形態と同様に、第１処理（ステップＳＴ３ｇ）行われる期間Ｔ１において１回の給気工程が行われるとともに、第２処理（ステップＳＴ５ｇ）が行われる期間Ｔ２において１回の給気工程が行われる。なお、第６実施形態の第１処理（ステップＳＴ３ｇ）は、第５実施形態の第１処理（ステップＳＴ３ｅ）と同様であるため、説明を省略する。

第１処理（ステップＳＴ３ｇ）が完了し、ステージ位置変更（ステップＳＴ４）がなされた後、第２処理（ステップＳＴ５ｇ）が行われる。この第２処理（ステップＳＴ５ｇ）では、まず、制御部８０は、個別バルブＶ１の少なくとも１つおよび主バルブＶ２を開放し、圧力Ｐ１のチャンバ１０からの排気を開始する。そして、チャンバ１０内の圧力が所定の圧力Ｐｈとなるまで第２減圧速度Ｓ２で減圧を行う（ステップＳＴ５１ｇ）。

チャンバ１０内の圧力が所定の圧力Ｐｈに達すると、制御部８０は、主バルブＶ２を閉鎖してチャンバ１０内からの減圧を停止する。続いて、制御部８０は、給気バルブＶ３を開放し、給気源６２からチャンバ１０内へ気体を供給する（ステップＳＴ５２ｇ）。このステップＳＴ５２ｇでは、チャンバ１０内の気圧が第１処理の目標圧力Ｐ１になるまで気体が供給される。

チャンバ１０内の気圧が圧力Ｐ１に達すると、制御部８０は、給気バルブＶ３を閉鎖し、チャンバ１０への給気を停止する。そして、再び個別バルブＶ１の少なくとも１つおよび主バルブＶ２を開放し、圧力Ｐ１のチャンバ１０からの排気を開始する。そして、チャンバ１０内の圧力が、第２処理の目標圧力Ｐ２となるまで第２減圧速度Ｓ２で減圧を行う（ステップＳＴ５ｇ）。

この第６実施形態のように、第２処理中に、第１処理の目標圧力Ｐ１を超える圧力まで給気を行わず、第２処理が開始される圧力である圧力Ｐ１までの給気を行う。このようにすれば、第５実施形態および第６実施形態と比べて減圧乾燥処理の時間を短縮できる。

＜１０．第８実施形態＞
第８実施形態に係る減圧乾燥処理中の気圧変化について、図２２および図２３を参照しつつ説明する。図２２は、第８実施形態の減圧乾燥処理におけるチャンバ１０内の気圧変化レシピを示すグラフである。図２３は、第８実施形態の減圧乾燥処理における第１処理および第２処理の流れを示したフローチャートである。

図２２および図２３に示すように、第８実施形態では、第４実施形態と同様に、第１処理（ステップＳＴ３ｈ）が行われる期間Ｔ１において３回所定時間の給気工程が行われるとともに、第２処理（ステップＳＴ５ｈ）が行われる期間Ｔ２において２回所定時間の給気工程が行われる。なお、第８実施形態の第１処理（ステップＳＴ３ｈ）は、第４実施形態の第１処理（ステップＳＴ３ｄ）と同様であるため、説明を省略する。

第１処理（ステップＳＴ３ｈ）が完了し、ステージ位置変更（ステップＳＴ４）がなされた後、第２処理（ステップＳＴ５ｈ）が行われる。この第２処理（ステップＳＴ５ｈ）では、まず、制御部８０は、個別バルブＶ１の少なくとも１つおよび主バルブＶ２を開放し、圧力Ｐ１のチャンバ１０からの排気を開始する。そして、チャンバ１０内の圧力が所定の圧力Ｐｍとなるまで第２減圧速度Ｓ２で減圧を行う（ステップＳＴ５１ｈ）。なお、圧力Ｐｍは、第１処理の目標圧力Ｐ１よりも低く、かつ、第２処理の目標圧力Ｐ２よりも高い圧力である。

チャンバ１０内の圧力が所定の圧力Ｐｍに達すると、制御部８０は、主バルブＶ２を閉鎖してチャンバ１０内からの減圧を停止する。続いて、制御部８０は、給気バルブＶ３を開放し、給気源６２からチャンバ１０内へ気体を供給する（ステップＳＴ５２ｈ）。このステップＳＴ５２ｈでは、所定時間（例えば２ｓｅｃ）気体が供給される。

所定時間経過後、制御部８０は、給気バルブＶ３を閉鎖し、チャンバ１０への給気を停止する。そして、再び個別バルブＶ１の少なくとも１つおよび主バルブＶ２を開放し、大気圧Ｐ０のチャンバ１０からの排気を開始する。そして、チャンバ１０内の圧力が、所定の圧力Ｐｎとなるまで第２減圧速度Ｓ２で減圧を行う（ステップＳＴ５３ｈ）。なお、圧力Ｐｎは、圧力Ｐｍよりも低く、かつ、第２処理の目標圧力Ｐ２よりも高い圧力である。

チャンバ１０内の圧力が所定の圧力Ｐｎに達すると、制御部８０は、主バルブＶ２を閉鎖してチャンバ１０内からの減圧を停止する。続いて、制御部８０は、給気バルブＶ３を開放し、給気源６２からチャンバ１０内へ気体を供給する（ステップＳＴ５４ｈ）。このステップＳＴ５４ｈでは、１回目の給気工程（ステップＳＴ５２ｈ）と同じ所定時間の間、気体が供給される。

所定時間経過後、制御部８０は、チャンバ１０への給気を停止する。そして、個別バルブＶ１の少なくとも１つおよび主バルブＶ２を開放し、チャンバ１０からの排気を開始する。そして、チャンバ１０内の圧力が、第２処理の目標圧力Ｐ２となるまで第２減圧速度Ｓ２で減圧を行う（ステップＳＴ５５ｈ）。

第８実施形態の第１処理（ステップＳＴ３ｈ）および第２処理（ステップＳＴ５ｈ）では、各給気工程（ステップＳＴ３２ｈ，３４ｈ，３６ｈおよびステップＳＴ５２ｈ，５４ｈ）において、所定時間の給気を行い、大気圧Ｐ０までチャンバ１０内の気圧を戻さない。このように、第１処理中および第２処理中に行う給気工程では、大気圧Ｐ０まで給気を行わなくてもよい。これにより、給気工程で大気圧Ｐ０までの給気を同じ回数行った場合と比べて、減圧乾燥処理にかかる時間を短縮できる。

＜１１．変形例＞
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。

上記の実施形態では、第１処理～第４処理の４段階の減圧乾燥処理のうち、第１処理のみ、または、第１処理および第２処理において、給気工程を行ったが、本発明はこれに限られない。第２処理、第３処理、および第４処理のいずれかのみにおいて給気工程を行ってもよいし、第１処理および第３処理、第２処理および第３処理、あるいは、第２処理～第４処理のように、第１処理～第４処理のうち任意の複数の処理において給気工程を行ったりしてもよい。

上記の実施形態では、第１処理～第４処理の４段階の減圧乾燥処理が行われたが、本発明はこれに限られない。無段階で減圧乾燥処理を行ったり、２段階、３段階、または５段階以上の区分けを行った減圧乾燥処理を行う中で、減圧工程の途中に給気工程を行ってもよい。

上記の実施形態では、チャンバ１０が、４つの排気口１６１を有していた。しかしながら、チャンバ１０が有する排気口の数は、１つ、２つ、３つ、または５つ以上であってもよい。また、上記の実施形態では、チャンバ１０が、給気口１６２を１つ有していた。しかしながら、チャンバ１０が有する給気口の数は、２つ以上であってもよい。

上記の実施形態では、最も圧力が低くなる最終的な目標圧力Ｐ４が１００～１０Ｐａの間の圧力であったが、本発明はこの限りではない。最終的な目標圧力は１０～１Ｐａであってもよい。

上記の実施形態の減圧乾燥装置１は、基板９上の塗布層を、減圧のみにより乾燥させるものであった。しかしながら、減圧乾燥装置１は、減圧および加熱により、基板９上の塗布層を乾燥させるものであってもよい。

また、上記の実施形態の減圧乾燥装置１は、有機ＥＬディスプレイ用の基板を処理するものであった。しかしながら、本発明の減圧乾燥装置は、液晶ディスプレイや半導体ウェハなどの他の精密電子部品用の基板を処理するものであってもよい。

また、上記の実施形態および変形例に登場した各要素を、矛盾が生じない範囲で、適宜に組み合わせてもよい。

１減圧乾燥装置
９基板
１０チャンバ
３０減圧機構
６０給気機構
８０制御部
Ｓ１第１減圧速度
Ｓ２第２減圧速度
Ｓ３第３減圧速度

Claims

基板の表面に形成された溶剤を含む塗布層を、減圧により乾燥させる減圧乾燥装置であって、
基板を収容するチャンバと、
前記チャンバ内の気体を吸引する減圧機構と、
前記チャンバ内に気体を供給する給気機構と、
前記減圧機構および前記給気機構を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記減圧機構を駆動させて所定の目標圧力値まで前記チャンバ内の圧力を下げることにより前記塗布層を乾燥させる減圧乾燥処理の過程で、
ａ）所定の第１減圧速度で前記チャンバ内の気体を吸引する第１処理と、
ｂ）前記処理ａ）の後で、前記第１減圧速度よりも大きい第２減圧速度で前記チャンバ内の気体を吸引する第２処理と、
ｃ）前記処理ｂ）の後で、前記第２減圧速度よりも小さい第３減圧速度で、または、前記チャンバ内の圧力が一定となるように前記チャンバ内の気体を吸引する第３処理と、
を実行し、
前記制御部は、前記処理ａ）、前記処理ｂ）および前記処理ｃ）の少なくとも１つにおいて、
ｐ）前記減圧機構を駆動させ、所定の減圧速度で前記チャンバ内の気体を吸引する減圧工程と、
ｑ）前記工程ｐ）の後で、前記給気機構を駆動させ、前記チャンバ内に気体を供給する給気工程と、
ｒ）前記工程ｑ）の後で、前記減圧機構を駆動させ、前記減圧速度で前記チャンバ内の気体を吸引する減圧工程と、
を実行する、減圧乾燥装置。
請求項１に記載の減圧乾燥装置であって、
前記制御部は、少なくとも前記処理ａ）において、前記工程ｐ）、前記工程ｑ）および前記工程ｒ）を実行し、
前記処理ａ）における前記工程ｐ）および前記工程ｒ）では、減圧速度が前記第１減圧速度である、減圧乾燥装置。
請求項１に記載の減圧乾燥装置であって、
前記制御部は、前記処理ａ）および前記処理ｂ）においてそれぞれ、前記工程ｐ）、前記工程ｑ）および前記工程ｒ）を実行し、
前記処理ａ）における前記工程ｐ）および前記工程ｒ）では、減圧速度が前記第１減圧速度であり、
前記処理ｂ）における前記工程ｐ）および前記工程ｒ）では、減圧速度が前記第２減圧速度である、減圧乾燥装置。
基板の上面に形成された溶剤を含む塗布層を、チャンバ内の圧力を下げる減圧乾燥処理により乾燥させる減圧乾燥方法であって、
前記減圧乾燥処理は、
Ａ）所定の第１減圧速度で前記チャンバ内の気体を吸引する第１処理と、
Ｂ）前記処理Ａ）の後で、前記第１減圧速度よりも大きい第２減圧速度で前記チャンバ内の気体を吸引する第２処理と、
Ｃ）前記処理Ｂ）の後で、前記第２減圧速度よりも小さい第３減圧速度で、または、前記チャンバ内の圧力が一定となるように前記チャンバ内の気体を吸引する第３処理と、
を含み、
前記処理Ａ）、前記処理Ｂ）および前記処理Ｃ）の少なくとも１つが、
Ｐ）所定の減圧速度で前記チャンバ内の気体を吸引する減圧工程と、
Ｑ）前記工程Ｐ）の後で、前記チャンバ内に気体を供給する給気工程と、
Ｒ）前記工程Ｑ）の後で、前記減圧速度で前記チャンバ内の気体を吸引する減圧工程と、
を含む、減圧乾燥方法。
請求項４に記載の減圧乾燥方法であって、
少なくとも前記処理Ａ）は、前記工程Ｐ）、前記工程Ｑ）および前記工程Ｒ）を含み、
前記処理Ａ）における前記工程Ｐ）および前記工程Ｒ）では、減圧速度が前記第１減圧速度である、減圧乾燥方法。
請求項４に記載の減圧乾燥方法であって、
前記処理Ａ）および前記処理Ｂ）はそれぞれ、前記工程Ｐ）、前記工程Ｑ）および前記工程Ｒ）を含み、
前記処理Ａ）における前記工程Ｐ）および前記工程Ｒ）では、減圧速度が前記第１減圧速度であり、
前記処理Ｂ）における前記工程Ｐ）および前記工程Ｒ）では、減圧速度が前記第２減圧速度である、減圧乾燥方法。