JP3177614U - 減圧乾燥装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ステージ上面に載置され、塗布液が塗布された被処理基板に対して、前記ステージ上面からの熱伝達量を均一にすることができ、塗布膜における転写斑を無くすことができる減圧乾燥装置を提供する。
【解決手段】被処理基板を支持する支持部１１は、板状の支持プレート２４と、支持プレートの上面側に設けられた基板支持部２０とを有し、基板支持部は、支持プレートの上面に沿って互いに直交する第１の方向と第２の方向とに連続的に形成された凹凸部であり、凹凸部で被処理基板を支持する。凹凸部の凸部先端５０から凹部５１底部までの距離寸法が、少なくとも２ｍｍ以下に形成され、かつ凸部先端５０から隣接する凸部先端５０までの寸法が、少なくとも２ｍｍ以下に形成されている。
【選択図】図５

Description

本考案は減圧乾燥装置に関し、特に塗布液が塗布された被処理基板に対して、減圧環境下で乾燥処理を施す減圧乾燥装置に関する。

例えばＦＰＤ（フラット・パネル・ディスプレイ）の製造においては、ガラス基板等の被処理基板に所定の膜を成膜した後、塗布液であるフォトレジスト（以下、レジストと呼ぶ）を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ工程により回路パターンを形成している。
そして前記レジスト膜の形成工程において、基板へのレジスト塗布後、塗布膜としての前記レジスト膜を減圧により乾燥させる減圧乾燥処理が行われる。
従来、このような減圧乾燥処理を行う装置としては、例えば、特許文献１に示される減圧乾燥処理ユニットが知られている。

この減圧乾燥処理ユニットを、図１２に基づいて説明する。
この減圧乾燥処理ユニット３０は、下部チャンバ３１に対して、上部チャンバ３２を閉じることにより、内部に処理空間が形成されるように構成されている。その処理空間には、被処理基板を載置するためのステージ３３が設けられている。このステージ３３には基板Ｇを載置するための複数の固定ピン３４が設けられている。

この減圧乾燥処理ユニット３０においては、被処理面にレジスト塗布された基板Ｇが搬入されると、基板Ｇはステージ３３上に固定ピン３４を介して載置される。
その後、下部チャンバ３１に対して上部チャンバ３２を閉じることにより、基板Ｇは気密状態の処理空間内に置かれた状態となる。
次いで、処理空間内の雰囲気が排気口３５から排気され、所定の減圧雰囲気となされる。この減圧状態が所定時間、維持されることにより、レジスト液中のシンナー等の溶剤がある程度蒸発され、レジスト液中の溶剤が徐々に放出され、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥が促進される。

特開２０００−１８１０７９号公報

ところで、近年にあっては、例えばＦＰＤ等に用いられるガラス基板が大型化し、減圧乾燥処理ユニットにおいても、ガラス基板を収容するチャンバが大型化している。
このようなチャンバを用いて、レジスト膜が形成された基板を減圧乾燥する場合、チャンバ内には、その気流は基板表面及び基板裏面を伝い、排気口に向かう気流が生じる。
この排気口に向かう気流によって、基板を支持する固定ピン３４とそれ以外の基板エリアで温度差が発生し、基板への熱伝達量が固定ピン３４とそれ以外の基板エリアと異なることがあった。
このように、基板への熱伝達量が異なると塗布液の均一な乾燥が行えず、固定ピン３４の支持痕である、いわゆるピン跡が形成されることがあった。特に、近年では、特に感度の高い塗布液が使われることが多く、ピン跡が形成され易いという課題があった。即ち、前記したピン跡が転写斑となり、基板の品質を低下させ、また、歩留まりを低下させるという解決すべき課題があった。
この課題に対して従来から、図１３のように、ピン跡が製品エリア３７に形成されないように、固定ピン３４を製品エリア３７以外のエリアに配置する方法が取られていた。即ち、図１３（ａ）に示される製品エリア３７の配置にあっては、固定ピン３４を図に示す位置に１２個配置される。一方、図１３（ｂ）に示される製品エリア３７配置にあっては、固定ピン３４を図に示す位置に９個配置される。
このように製品エリア３７が変更されると固定ピン３４の配置も変更になり、固定ピン３４の配置換えによる段取り換えの時間が必要である。特に、昨今は、基板における製品エリア３７の配置がロット毎に複雑に形成されているため、固定ピン３４の配置換えによる段取り換えの時間が必要となり、装置の稼働率の低下を招くという別の課題が生じていた。

本考案は、上記課題を解決するためになされたものであり、ステージ上面に載置され、塗布液が塗布された被処理基板に対して、前記ステージ上面からの熱伝達量を均一にすることができ、塗布膜における転写斑を無くすことができる減圧乾燥装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するためになされた本考案に係る減圧乾燥装置は、塗布液が塗布された被処理基板に対し前記塗布液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥装置であって、被処理基板を収容し、処理空間を形成するチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、前記被処理基板を支持する支持部と、前記支持部を昇降移動させる昇降手段と、前記チャンバに形成された給気口と、前記給気口から不活性ガスをチャンバ内の処理空間に供給する供給手段と、前記チャンバに形成された排気口と、前記排気口からチャンバ内の雰囲気を排気する排気手段とを備え、前記支持部は、板状の支持プレートと、前記支持プレートの上面側に設けられた基板支持部とを有し、前記基板支持部は、前記支持プレートの上面に沿って互いに直交する第１の方向と第２の方向とに連続的に形成された凹凸部を有し、前記凹凸部の凸部先端から凹部底部までの距離寸法が、少なくとも２ｍｍ以下であり、かつ前記凸部先端から隣接する凸部先端までの寸法が、少なくとも２ｍｍ以下であることに特徴を有する。

このような減圧乾燥装置によれば、被処理基板に対する接触部と非接触部とが近接されることにより、前記基板における前記接触部と前記非接触部との間の温度差が小さくなる。その結果、基板への熱伝達量を均一にすることができ、基板に塗布形成された塗布膜における転写斑を無くすことができる。

特に、前記基板支持部における凹凸部の凸部先端から凹部底部までの距離寸法が少なくとも２ｍｍ以下であり、前記凸部先端から隣接する凸部先端までの寸法が少なくとも２ｍｍ以下であることが望ましい。
尚、前記基板支持部における前記凸凹部は千鳥配置にされていることが望ましい。

また、上記目的を達成するためになされた本考案に係る減圧乾燥装置は、塗布液が塗布された被処理基板に対し前記塗布液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥装置であって、被処理基板を収容し、処理空間を形成するチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、前記被処理基板を支持する支持ブロックと、前記支持ブロックを支持する支持シャフトと、前記支持シャフトを昇降移動させる昇降手段と、前記チャンバ内に設けられ、前記支持シャフトが降下された時に、前記被処理基板を支持ブロックと共に支持する支持プレートと、前記チャンバに形成された給気口と、前記給気口から不活性ガスをチャンバ内の処理空間に供給する供給手段と、前記チャンバに形成された排気口と、前記排気口からチャンバ内の雰囲気を排気する排気手段と、を備え、前記支持ブロック及び支持プレートは、それぞれの上面側に設けられた基板支持部を有し、前記基板支持部は、前記支持ブロックまたは前記支持プレートの上面に沿って互いに直交する第１の方向と第２の方向とに連続的に形成された凹凸部を有し、前記凹凸部の凸部先端から凹部底部までの距離寸法が、少なくとも２ｍｍ以下であり、かつ前記凸部先端から隣接する凸部先端までの寸法が、少なくとも２ｍｍ以下であることに特徴を有する。

このような減圧乾燥装置によれば、被処理基板に対する接触部と非接触部とが近接されることにより、前記基板における前記接触部と前記非接触部との間の温度差が小さくなる。その結果、支持ブロック表面及び支持プレート表面から前記基板への熱伝達量を均一にすることができ、基板に塗布形成された塗布膜における転写斑を無くすことができる。

ここで、前記基板支持部における前記凹凸部の凸部先端から凹部底部までの距離寸法は、少なくとも２ｍｍ以下であり、前記凸部先端から隣接する凸部先端までの寸法は、少なくとも２ｍｍ以下であることが望ましい。
また、前記支持ブロック及び支持ブロックを支持する支持シャフトは、１つまたは複数に設けられていることが望ましい。
更に、前記支持ブロックの凸部先端に近接する支持プレートの凸部先端との距離は、少なくとも２ｍｍ以下に形成されていることが望ましい。
また、前記基板支持部における前記凸凹部は千鳥配置にされていることが望ましい。

本考案によれば、ステージ上面に載置され、塗布液が塗布された被処理基板に対して、前記ステージ上面からの熱伝達量を均一にすることができ、塗布膜における転写斑を無くすことができる。

本考案に係る減圧乾燥装置の一実施形態の塗布プロセス部（上部チャンバ側を除く）全体構成を示す平面図である。 図１の塗布プロセス部（上部チャンバ側を含む）全体構成を示す一部断面図である。 本考案の一実施形態にかかる下部チャンバの平面図である。 図２に示された減圧乾燥装置の断面図である。 本考案に係る一実施形態の支持部の斜視図である。 本考案に係る一実施形態の支持部の平面図である。 本考案に係る一実施形態の動作の流れを示すフローチャート図である。 本考案に係る他の一実施形態の減圧乾燥装置の断面図である。 本考案に係る他の一実施形態の動作を示す側面図である。 本考案に係る他の一実施形態の側面図である。 本考案に係る他の一実施形態の平面図である。 従来の減圧乾燥処理ユニットの概略構成を示す断面図である。 従来の減圧乾燥処理ユニットの固定ピン配置を示す平面図である。

以下、本考案にかかる一実施の形態につき、図１乃至図６に基づいて説明する。尚、図１では、図２に示された蓋状の上部チャンバ１０側の構成を省略して図示している。
本考案の減圧乾燥装置は、例えば、フォトリソグラフィ工程において被処理基板にレジスト膜を形成する塗布プロセス部１内の減圧乾燥ユニット５に適用することができる。

図１、図２に示すように、塗布プロセス部１は、支持台２の上に、ノズル３を有するレジスト塗布ユニット４と、減圧乾燥ユニット５とが処理工程の順序に従い横一列に配置されている。
この支持台２の両側には一対のガイドレール６が敷設され、このガイドレール６に沿って平行移動する一組の搬送アーム７により、基板Ｇがレジスト塗布ユニット４から減圧乾燥ユニット５へ搬送できるようになされている。

前記レジスト塗布ユニット４は、前記したようにノズル３を有し、このノズル３は支持台２上に固定されたゲート８に懸垂状態で固定されている。このノズル３にはレジスト液供給手段（図示せず）から塗布液であるレジスト液Ｒが供給され、搬送アーム７によってゲート８の下を通過移動する基板Ｇの一端から他端にわたりレジスト液Ｒを塗布するようになされている。
また、減圧乾燥ユニット５は、上面が開口している底浅容器型の下部チャンバ９と、この下部チャンバ９の上面に気密に密着可能に構成された蓋状の上部チャンバ１０とを有している。

また、図１乃至図３に示すように、下部チャンバ９は略四角形で、中心部には基板Ｇを水平に載置して保持するための板状のステージ１１（支持部）が配置されている。
一方、前記上部チャンバ１０は、上部チャンバ移動手段１２によって前記ステージ１１の上方に昇降自在に配置されている。そして、減圧乾燥処理の際には、上部チャンバ１０が下降して下部チャンバ９と密着して閉じ、ステージ１１上に載置された基板Ｇを処理空間に収容した状態とする。
尚、図４に示すように、前記ステージ１１は、例えばモータを駆動源とするボールねじ機構からなる昇降装置２５（昇降手段）によって昇降移動可能となされている

また、下部チャンバ９における基板Ｇの搬送方向下流側（基板の流れ方向）端部には、所定の間隔をおいて一対の排気口１３が設けられている。この排気口１３には、排気管１４が接続されており、さらに排気管１４には真空ポンプ１５が接続されている。これにより、前記チャンバ内の雰囲気は、前記排気口１３から排気される。
そして、前記下部チャンバ９に前記上部チャンバ１０を被せた状態で、チャンバ内の処理空間を前記排気口１３から前記排気管１４を介して前記真空ポンプ１５により排気することで所定の真空度まで減圧できるようになっている。

また、下部チャンバ９における、基板Ｇの搬送方向の上流側には、下部チャンバ９の幅方向に延設された給気口１６が設けられている。
前記給気口１６には、図４に示すように給気管１７が接続され、さらに給気管１７には、不活性ガス供給部１８（給気手段）が接続されている。
そして、前記不活性ガス供給部１８（給気手段）から給気管１７を介して給気口１６には不活性ガス（例えば窒素ガス）が供給され、チャンバ内雰囲気がパージされる。

ここで、前記給気口１６からの不活性ガスの供給は、チャンバ内気圧が所定値（例えば４００Ｐａ以下）に達したとき、もしくは、チャンバ内が減圧開始されてから所定時間の経過後に開始される。この前記給気口１６からの不活性ガスの供給制御は、図示しない制御装置によってなされる。

続いて、前記ステージ１１（支持部）について説明する。図５は、前記ステージ１１の斜視図であり、図６は、前記ステージ１１の平面図（上面）である。
図５に示すように、ステージ１１は、方形状に形成された板状の基板支持プレート２４を有し、その上面側には基板支持部２０が設けられている。
前記基板支持プレート２４は、例えばアルミニウムで形成され、前記基板支持部２０（凸部５０、凹部５１含む）は、例えば、PEEK（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂で形成されている。尚、基板支持プレート２４及び基板支持部２０をPEEK（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂で形成しても良い。
また、前記基板支持部２０と基板支持プレート２４は、貼着もしくは、ネジにより固定されている。

前記基板支持部２０は、前記基板支持プレート２４の上面に沿って互いに直交する第１の方向（例えばＸ軸方向）と第２の方向（例えばＹ方向）とに規則的に連続的に形成された凹凸部を備えている（凹凸形状となされている）。このため基板支持部２０は、上方に突出する複数の凸部先端５０が敷き詰められた状態となっており、それら複数の凸部先端５０によりガラス基板Ｇの下面が支持される。また、前記複数の凸部先端５０は、ガラス基板Ｇと接する部分であり、その形状は、先端が尖り、ガラス基板Ｇと略点接触するようになされている。
このように基板支持部２０にあっては、基板Ｇにおいて製品に使用するエリアに拘わらず、複数の凸部先端５０によってガラス基板Ｇの下面を支持するようになっている。

また、前記基板支持部２０の凹凸形状（凹凸部）において、凸部先端５０間の距離寸法Ｌ１（Ｘ方向）及びＬ３（Ｙ方向）は、少なくとも２ｍｍ以下（好ましくは１ｍｍ）に形成され、前記凸部先端５０から凹部５１底部までの寸法Ｌ２は、少なくとも２ｍｍ以下（好ましくは１ｍｍ）に形成されている。
このように、前記ステージ１１上面の基板Ｇに対する接触部（前記凸部先端５０）と非接触部（前記凹部５１）とを近接させることにより、前記基板Ｇにおける接触部と非接触部との間の温度差が小さくなる。その結果、前記ステージ１１上面から基板Ｇへの熱伝達量を均一にする（接触部と非接触部の熱伝達量の差を小さくする）ことができ、転写斑を無くすことができる。
尚、この実施形態によるステージ１１上面の凹凸部の配置については、図６のように前記凸部先端５０を千鳥配置にすることが好ましい。

続いて、このように形成された塗布プロセス部１の動作について図１乃至図７に基づき説明する。
先ず、基板Ｇが搬入され搬送アーム７上に載置されると、搬送アーム７はガイドレール６上を移動し、レジスト塗布ユニット４のゲート８下を通過移動する。その際、ゲート８に固定されたノズル３からは、その下を移動する基板Ｇに対しレジスト液Ｒが吐出され、基板Ｇの一辺から他辺に向かってレジスト液Ｒが塗布される（図７のステップＳ１）。
尚、レジスト液Ｒが基板Ｇの全面にわたり塗布された時点（塗布終了位置）では、基板Ｇは減圧乾燥ユニット５の上部チャンバ１０の下に位置する状態となる。

次いで、基板Ｇは減圧乾燥ユニット５のステージ１１に載置され（図７のステップＳ２）、ステージ１１は、昇降装置２５の駆動によりチャンバ内の下方位置まで下降移動し、基板Ｇが下部チャンバ９の底部に近接した状態で停止する（図７のステップＳ３）。

その後、基板Ｇは、その上方から上部チャンバ移動手段１２により下降移動する上部チャンバ１０によって覆われる。そして基板Ｇは、下部チャンバ９に対して上部チャンバ１０を閉じることにより形成された処理空間内に収容される（図７のステップＳ４）。

前記上部チャンバ１０によって下部チャンバ９が閉じられると、この状態から真空ポンプ１５が作動され（図７のステップＳ５）、排気口１３から処理空間内の気体が吸引され、処理空間の気圧が所定の真空状態となるまで減圧される。このとき、前記排気口１３は例えば２箇所に配置されており、チャンバ内のガスは、２箇所の排気口１３に分かれて排気されることになる。この排気口１３からの気体の吸引により、チャンバ内には排気口に向かう気流が生じると共に、温度が低下する。

ここで、前記したように、ステージ１１上面の基板支持部２０は、ステージ面に沿って互いに直交する第１の方向と第２の方向とに規則的に連続的に形成された凹凸部であり、ガラス基板Ｇに対し複数の凸部先端５０が略点接触するようになされている。また、凸部先端５０間の距離寸法Ｌ１（Ｘ方向）及びＬ３（Ｙ方向）は、少なくとも２ｍｍ以下（好ましくは１ｍｍ）に形成され、前記凸部先端５０から凹部５１底部までの寸法Ｌ２は、少なくとも２ｍｍ以下（好ましくは１ｍｍ）に形成されている。
即ち、ステージ１１上面の基板Ｇに対する接触部（凸部先端５０）と非接触部（前記凹部５１）とは近接しており、それにより前記基板Ｇにおける接触部と非接触部との間の温度差が小さくなる。その結果、ステージ１１上面から基板Ｇへの熱伝達量は均一になり（接触部と非接触部の熱伝達量の差を小さくする）、減圧乾燥時における転写斑の発生が抑制される。

そして、更にステージ１１の上に基板Ｇを載せて減圧乾燥処理を行い、チャンバ内の気圧が所定値（例えば４００Ｐａ以下）に達する、もしくは、減圧開始から所定時間が経過すると（図７のステップＳ６）、給気口１６から不活性ガスが供給される（図７のステップ７）。

チャンバ内が常気圧に達した（図７のステップ８）ところで、上部チャンバ移動手段１２により上部チャンバ１０が上昇移動され（図７のステップＳ９）、ステージ１１が基板搬送位置まで上昇し（図７のステップＳ１０）、基板Ｇは減圧乾燥ユニット５から次の処理工程に向け搬出される。

以上のように本考案に係る実施の形態によれば、ステージ１１上面の基板Ｇに対する接触部（凸部先端５０）と非接触部（凹部５１）とを近接させることにより、前記基板Ｇにおける接触部と非接触部との間の温度差を小さくすることができる。その結果、ステージ１１上面から基板Ｇへの熱伝達量を均一にする（接触部と非接触部の熱伝達量の差を小さくする）ことができ、減圧乾燥時に発生する転写斑を無くすことができる。

続いて、図８乃至図１１に基づいて、本考案に係る他の一実施形態について説明する。
図８に示す減圧乾燥ユニット５は、図４に示した減圧乾燥ユニット５と比較し、基板支持形態が異なる以外は全く同様の構成となっているので、同様の部分については同じ符号で示し、詳細な説明を省略する。

以下、図８の減圧乾燥ユニット５における基板支持形態について、さらに詳しく説明する。
下部チャンバ９の浅底部上には、減圧乾燥処理時に基板Ｇを戴置する為の複数の基板支持プレート２４と、基板Ｇを搬送アーム７にて受取受渡しする為の複数の基板支持ブロック２１が配置されている。また、複数の基板支持ブロック２１は複数の支持シャフト２２にて支持され、複数の支持シャフト２２は、連結シャフト２３によって連結され、昇降装置２５によって昇降できる構造となっている。

図９に基づいて基板受取時の動作について説明する。
図９（ａ）に示すように、下部チャンバ９の浅底部上には、基板支持プレート２４が配置され、基板支持ブロック２１が下降状態にて待機している。
その後、図９（ｂ）に示すように、搬送アーム７から基板Ｇを受取る為に、昇降装置２５により複数の基板支持シャフト２２が上昇し、基板支持ブロック２１にて基板受取可能な状態となる。

その後、搬送アーム７は、図９（ｃ）に示すように、基板Ｇを基板支持ブロック２１上に戴置する。
そして、図９（ｄ）に示すように、基板支持ブロック２１上に基板Ｇが戴置された状態にて昇降装置２５により基板支持ブロック２１を下降し、更に基板Ｇを基板支持ブロック２１および基板支持プレート２４に戴置した状態にて上部チャンバ１０が下降し減圧乾燥処理が開始される。

続いて、基板支持ブロック２１および基板支持プレート２４の構造について説明する。図１０に示すように基板支持ブロック２１および基板支持プレート２４の上面には、基板支持部２０が形成されている。前記基板支持部２０は、前記基板支持ブロック２１または基板支持プレート２４の上面に沿って、互いに直交する第１の方向と第２の方向とに規則的に連続的に形成された凹凸部を備えている（凹凸形状となされている）。前記基板支持部２０に複数形成された凸部先端５０は、ガラス基板Ｇと接する部分であるが、その形状は、先端が尖り、ガラス基板Ｇと略点接触するようになされている。
尚、基板支持ブロック２１および基板支持プレート２４は、例えばアルミニウムで形成され、前記基板支持部２０（凸部５０、凹部５１含む）は、例えば、PEEK（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂で形成されている。尚、基板支持ブロック２１、基板支持プレート２４及び基板支持部２０をPEEK（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂で形成しても良い。
また、前記基板支持部２０と、基板支持プレート２４、基板支持ブロック２１は、貼着もしくは、ネジにより固定されている。

また、基板支持ブロック２１及び基板支持プレート２４における基板支持部２０の凹凸部（凹凸形状）において、凸部先端５０間の距離寸法Ｌ１’は、少なくとも２ｍｍ以下（好ましくは１ｍｍ）に形成され、凸部先端５０から凹部５１底部までの寸法Ｌ２’は、少なくとも２ｍｍ以下（好ましくは１ｍｍ）に形成されている。
さらに、基板支持ブロック２１における基板支持プレート２４側の凸部先端５０と基板支持プレート２４における基板支持ブロック２１側の凸部先端５０との距離寸法Ｌ４は、寸法Ｌ１’と同様の寸法（少なくとも２ｍｍ以下）にすることにより、基板支持ブロック２１の凸部先端５０と基板支持プレート２４の凸部先端５０とが連続した形状となっている。
尚、図示しないが、図９乃至図１０に示す形状においても、Ｌ１’の方向と水平方向に直交する方向については、図５に記載のＬ３の寸法と同様の寸法になされた形状となされている。

このように、基板支持ブロック２１と基板支持プレート２４の基板Ｇに対する接触部（凸部先端５０）と非接触部（凹部５１）とを近接させることにより、前記基板Ｇにおける接触部と非接触部との間の温度差が小さくなる。その結果、基板支持ブロック２１及び基板支持プレート２４から基板Ｇへの熱伝達量を均一にする（接触部と非接触部の熱伝達量の差を小さくする）ことができ、転写斑を無くすことができる。

また、この実施形態による基板支持ブロック２１の形状については、図１１に示すように、搬送アーム７の形状に対応した種々の形状にすることが可能である。図１１（ａ）には、基板支持ブロック２１が３列に配置された形状になっている。また、図１１（ｂ）には、９個の基板支持ブロック２１が配置された形状になっており、図１１（ｃ）の基板支持ブロック２１は、リング状の形状に形成されている。基板支持プレート２４は、いずれも基板支持ブロック２１を取り囲むように形成され、基板支持ブロック２１及び基板支持プレート２４にて基板全体を支持する構造にすることが可能である。
尚、この図１１に示された基板支持ブロック２１の凸部先端５０の距離寸法、及び基板支持プレート２４の凸部先端５０の距離寸法は、図９、図１０に示された凸部先端５０の距離寸法と同様に形成されている。

さらに、図６の実施形態同様に、この図９乃至図１１に示された実施形態についても、基板支持ブロック２１上面及び基板支持プレート２４上面の凹凸部の配置については、千鳥配置とすることが好ましい。

Ｇ 被処理基板
５ 減圧乾燥ユニット（減圧乾燥装置）
９ 下部チャンバ
１０ 上部チャンバ
１１ ステージ
１２ 上部チャンバ移動手段
１３ 排気口
１４ 排気管
１５ 真空ポンプ
１６ 給気口
１７ 給気管
１８ 不活性ガス供給部
２０ 基板支持部
２１ 基板支持ブロック
２４ 基板支持プレート
５０ 凸部先端
５１ 凹部

Claims (6)

1. 塗布液が塗布された被処理基板に対し前記塗布液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥装置であって、
   被処理基板を収容し、処理空間を形成するチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、前記被処理基板を支持する支持部と、前記支持部を昇降移動させる昇降手段と、前記チャンバに形成された給気口と、前記給気口から不活性ガスをチャンバ内の処理空間に供給する供給手段と、前記チャンバに形成された排気口と、前記排気口からチャンバ内の雰囲気を排気する排気手段とを備え、
   前記支持部は、板状の支持プレートと、前記支持プレートの上面側に設けられた基板支持部とを有し、
   前記基板支持部は、前記支持プレートの上面に沿って互いに直交する第１の方向と第２の方向とに連続的に形成された凹凸部を有し、
   前記凹凸部の凸部先端から凹部底部までの距離寸法が、少なくとも２ｍｍ以下であり、かつ前記凸部先端から隣接する凸部先端までの寸法が、少なくとも２ｍｍ以下であることを特徴とする減圧乾燥装置。
2. 前記基板支持部における前記凸凹部は千鳥配置にされていることを特徴とする請求項１に記載の減圧乾燥装置。
3. 塗布液が塗布された被処理基板に対し前記塗布液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥装置であって、
   被処理基板を収容し、処理空間を形成するチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、前記被処理基板を支持する支持ブロックと、前記支持ブロックを支持する支持シャフトと、前記支持シャフトを昇降移動させる昇降手段と、前記チャンバ内に設けられ、前記支持シャフトが降下された時に、前記被処理基板を支持ブロックと共に支持する支持プレートと、前記チャンバに形成された給気口と、前記給気口から不活性ガスをチャンバ内の処理空間に供給する供給手段と、前記チャンバに形成された排気口と、前記排気口からチャンバ内の雰囲気を排気する排気手段と、を備え、
   前記支持ブロック及び支持プレートは、それぞれの上面側に設けられた基板支持部を有し、
   前記基板支持部は、前記支持ブロックまたは前記支持プレートの上面に沿って互いに直交する第１の方向と第２の方向とに連続的に形成された凹凸部を有し、
   前記凹凸部の凸部先端から凹部底部までの距離寸法が、少なくとも２ｍｍ以下であり、かつ前記凸部先端から隣接する凸部先端までの寸法が、少なくとも２ｍｍ以下であることを特徴とする減圧乾燥装置。
4. 前記支持ブロック及び支持ブロックを支持する支持シャフトは、１つまたは複数に設けられていることを特徴とする請求項３に記載の減圧乾燥装置。
5. 前記支持ブロックの凸部先端に近接する支持プレートの凸部先端との距離は、少なくとも２ｍｍ以下に形成されている請求項３または請求項４に記載の減圧乾燥装置。
6. 前記基板支持部における前記凸凹部は千鳥配置にされていることを特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれかに記載の減圧乾燥装置。

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