JP7381526B2 - 減圧乾燥装置、減圧乾燥方法およびプログラム - Google Patents

減圧乾燥装置、減圧乾燥方法およびプログラム Download PDF

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Description

本発明は、基板の上面に形成された塗膜を減圧によって乾燥させる技術に関する。
例えば、各種の基板に塗布されたフォトレジスト等の塗膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置が知られている（例えば、特許文献１等）。各種の基板には、例えば、各種のデバイスを形成するための半導体ウエハ、ガラス基板、またはセラミック基板等が適用される。各種のデバイスには、例えば、半導体装置、表示パネル、磁気ディスク、または光ディスク等が適用される。表示パネルには、例えば、液晶表示パネル、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示パネル、またはプラズマ表示パネル等が適用される。
減圧乾燥装置を用いて塗膜を乾燥する際には、例えば、チャンバ内において複数のピンが基板を支持している状態で、チャンバの底部の排気口を介して真空ポンプでチャンバ内から排気を行う。そして、例えば、真空度が所定値に到達するとチャンバ内からの排気を停止し、チャンバ内にガスを供給することでチャンバ内を大気圧に戻す。ガスには、例えば、窒素ガス等の不活性ガスまたは空気等が適用される。
特許第４３３５７８６号公報
しかしながら、減圧乾燥装置では、例えば、基板の上面に形成された塗膜において、場所に応じて乾燥速度が違っていれば、その乾燥速度の違いに応じた乾燥のムラ（乾燥ムラともいう）が生じ得る。乾燥ムラは、例えば、乾燥後の塗膜における厚さのばらつき等を生じさせる。
例えば、チャンバ内の減圧時において、排気口を介してチャンバ内の気体を真空ポンプで排気する際に、基板の上方に継続的な特定のパターンの気流（第１定常流ともいう）が生じ得る。これにより、例えば、第１定常流に応じて、場所に応じた塗膜の乾燥速度に違いが生じ得る。その結果、例えば、塗膜のうちの第１定常流に応じた特定の箇所に筋状の乾燥ムラが生じ得る。ここでは、第１定常流は、例えば、チャンバの形状、およびチャンバ内に配置された基板を昇降させるための複数のピンが立設されたプレートの形状等に応じて生じ得る。
また、例えば、排気による減圧後にチャンバ内にガスを供給することでチャンバ内を大気圧に戻す際に、基板の上方に継続的な特定のパターンの気流（第２定常流ともいう）が生じ得る。これにより、例えば、塗膜が半乾きの状態であれば、第２定常流に応じて、場所に応じた塗膜の乾燥速度に違いが生じ得る。その結果、例えば、塗膜のうちの第２定常流に応じた特定の箇所に筋状の乾燥ムラが生じ得る。ここでは、第２定常流は、例えば、チャンバの形状、およびチャンバ内に配置された基板を昇降させるための複数のピンが立設されたプレートの形状等に応じて生じ得る。
また、例えば、基板において、複数のピンの接触により、複数のピンによって支持されている部分とその周辺の部分との間に温度差が生じ得る。これにより、例えば、複数のピンに起因する温度差に応じて、塗膜の乾燥速度に違いが生じ得る。その結果、例えば、塗膜において複数のピンの配置に応じた乾燥ムラが生じ得る。ここでは、例えば、塗膜の減圧乾燥時には、塗膜から溶剤等が気化する際に生じる気化熱によって基板の温度が低下するものの、複数のピンの熱容量が大きい場合にも、複数のピンが熱容量の大きなチャンバ等に連結されている場合にも、複数のピンの温度が変化し難い。このため、例えば、基板において複数のピンの配置に応じた温度差が生じ得る。
また、例えば、チャンバ内の減圧時において、基板の上面のうちの塗膜が形成された領域（塗布領域ともいう）では、塗膜中の溶剤が気化するのに対し、基板の上面のうちの塗膜が形成されていない領域（非塗布領域ともいう）では、溶剤が気化しない。
ここで、例えば、基板の上面の略全面にわたって塗膜が形成されている場合を想定する。この場合には、例えば、塗布領域の端部の上方では、基板上の外側等に向けて蒸発した溶剤の成分が拡散し易いため、蒸発した溶剤の成分の濃度が上昇し難く、塗布領域の端部における塗膜が乾燥し易い。一方、例えば、塗布領域の中央部の上方では、蒸発した溶剤の成分が拡散し難いため、蒸発した溶剤の成分の濃度が上昇し易く、塗布領域の中央部における塗膜が乾燥し難い。これにより、例えば、塗布領域のうちの中央部と端部との間で、乾燥速度に違いが生じ得る。その結果、例えば、塗布領域において、中央部と端部との間における乾燥速度の違いに起因した乾燥ムラが生じ得る。
ここで、例えば、基板の上面のうちの複数のデバイスに応じた複数の領域のそれぞれに塗膜が形成されている場合を想定する。この場合には、例えば、各塗布領域の端部の上方では、基板上の外側もしくは非塗布領域上に向けて蒸発した溶剤の成分が拡散し易いため、蒸発した溶剤の成分の濃度が上昇し難く、各塗布領域の端部における塗膜が乾燥し易い。一方、例えば、各塗布領域の中央部の上方では、蒸発した溶剤の成分が拡散し難いため、蒸発した溶剤の成分の濃度が上昇し易く、各塗布領域の中央部における塗膜が乾燥し難い。これにより、例えば、各塗布領域の中央部と端部との間で、乾燥速度に違いが生じ得る。その結果、例えば、各塗布領域において、中央部と端部との間における乾燥速度の違いに起因した乾燥ムラが生じ得る。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板の上面に形成された塗膜をより均一に乾燥させる技術を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、第１の態様に係る減圧乾燥装置は、基板の上面に形成された塗膜を乾燥させる減圧乾燥装置であって、チャンバと、支持部と、昇降部と、排気部と、給気部と、底面整流板と、複数の側面整流板と、制御部と、を備えている。前記チャンバは、前記基板を収容する。前記支持部は、前記チャンバ内において前記基板を下方から支持する。前記昇降部は、前記チャンバ内において前記支持部を下降位置と該下降位置よりも高い上昇位置との間で上下方向に昇降させる。前記排気部は、前記チャンバの底板部に設けられた排気口から前記チャンバ内の雰囲気を排出する排気を行う。前記給気部は、前記チャンバの底板部に設けられた給気口から前記チャンバ内に気体を供給する給気を行う。前記底面整流板は、前記支持部に支持される基板と前記チャンバの底板部との間に位置するように配置されている。前記複数の側面整流板は、前記下降位置に配置されている前記支持部によって支持される基板と前記チャンバの側壁部との間において該側壁部の内面から間隔をあけて位置するように該側壁部の内側に位置しており、かつ前記下降位置に配置されている前記支持部によって支持される基板の周囲を囲むように配置されている。前記制御部は、前記排気部による排気および前記給気部による給気のうちの少なくとも一方が行われている際に、水平方向において前記支持部に支持される基板と前記側壁部との間に前記複数の側面整流板がある前記下降位置と、前記支持部に支持される基板が前記複数の側面整流板よりも上方に位置する前記上昇位置との間で、前記支持部を繰り返し昇降させるように前記昇降部を制御する。
第２の態様に係る減圧乾燥装置は、第１の態様に係る減圧乾燥装置であって、前記制御部は、前記排気部による排気および前記給気部による給気のそれぞれが行われている際に、前記下降位置と前記上昇位置との間で、前記支持部を繰り返し昇降させるように前記昇降部を制御する。
第３の態様に係る減圧乾燥方法は、基板を収容するチャンバと、該チャンバ内において前記基板を下方から支持する支持部と、前記チャンバ内において前記支持部を下降位置と該下降位置よりも高い上昇位置との間で上下方向に昇降させる昇降部と、前記チャンバの底板部に設けられた排気口から前記チャンバ内の雰囲気を排出する排気部と、前記チャンバの底板部に設けられた給気口から前記チャンバ内に気体を供給する給気部と、前記支持部に支持される基板と前記チャンバの底板部との間に位置するように配置された底面整流板と、前記下降位置に配置されている前記支持部によって支持される基板と前記チャンバの側壁部との間において該側壁部の内面から間隔をあけて位置するように該側壁部の内側に位置しており、かつ前記下降位置に配置されている前記支持部によって支持される基板の周囲を囲むように配置された複数の側面整流板と、を備えた減圧乾燥装置を用いて、前記基板の上面に形成された塗膜を乾燥させる減圧乾燥方法であって、排気工程と、給気工程と、昇降工程と、を有する。前記排気工程においては、前記チャンバ内において前記支持部によって前記基板が下方から支持された状態で、前記排気部によって前記チャンバ内の雰囲気を排出させる。前記給気工程においては、前記排気工程の後に、前記チャンバ内において前記支持部によって前記基板が下方から支持された状態で、前記給気部によって前記チャンバ内に気体を供給させる。前記昇降工程においては、前記排気工程および前記給気工程のうちの少なくとも一方の工程が実行されている際に、水平方向において前記支持部に支持される基板と前記側壁部との間に前記複数の側面整流板がある前記下降位置と、前記支持部に支持される基板が前記複数の側面整流板よりも上方に位置する前記上昇位置との間で、前記昇降部によって前記支持部を繰り返し昇降させる。
第４の態様に係る減圧乾燥方法は、第３の態様に係る減圧乾燥方法であって、前記昇降工程は、前記排気工程が実行されている際に前記昇降部によって前記下降位置と前記上昇位置との間で前記支持部を繰り返し昇降させる第１昇降工程と、前記給気工程が実行されている際に前記昇降部によって前記下降位置と前記上昇位置との間で前記支持部を繰り返し昇降させる第２昇降工程と、を含む。
第５の態様に係るプログラムは、基板を収容するチャンバと、該チャンバ内において前記基板を下方から支持する支持部と、前記チャンバ内において前記支持部を下降位置と該下降位置よりも高い上昇位置との間で上下方向に昇降させる昇降部と、前記チャンバの底板部に設けられた排気口から前記チャンバ内の雰囲気を排出する排気部と、前記チャンバの底板部に設けられた給気口から前記チャンバ内に気体を供給する給気部と、前記支持部に支持される基板と前記チャンバの底板部との間に位置するように配置された底面整流板と、前記下降位置に配置されている前記支持部によって支持される基板と前記チャンバの側壁部との間において該側壁部の内面から間隔をあけて位置するように該側壁部の内側に位置しており、かつ前記下降位置に配置されている前記支持部によって支持される基板の周囲を囲むように配置された複数の側面整流板と、前記排気部、前記給気部および前記昇降部を制御する制御部と、を備えた前記基板の上面に形成された塗膜を乾燥させる減圧乾燥装置において、前記制御部に含まれるプロセッサによって実行される際に、排気工程と、給気工程と、昇降工程と、を実行させる。前記排気工程においては、前記制御部が、前記チャンバ内において前記支持部によって前記基板が下方から支持された状態で、前記排気部によって前記チャンバ内の雰囲気を排出させる。前記給気工程においては、前記制御部が、前記排気工程の後に、前記チャンバ内において前記支持部によって前記基板が下方から支持された状態で、前記給気部によって前記チャンバ内に気体を供給させる。前記昇降工程においては、前記制御部が、前記排気工程および前記給気工程のうちの少なくとも一方の工程を実行させている際に、水平方向において前記支持部に支持される基板と前記側壁部との間に前記複数の側面整流板がある前記下降位置と、前記支持部に支持される基板が前記複数の側面整流板よりも上方に位置する前記上昇位置との間で、前記昇降部によって前記支持部を繰り返し昇降させる。
第６の態様に係るプログラムは、第５の態様に係るプログラムであって、前記昇降工程は、前記制御部が、前記排気工程を実行させている際に前記昇降部によって前記下降位置と前記上昇位置との間で前記支持部を繰り返し昇降させる第１昇降工程と、前記制御部が、前記給気工程を実行させている際に前記昇降部によって前記下降位置と前記上昇位置との間で前記支持部を繰り返し昇降させる第２昇降工程と、を含む。
第１の態様に係る減圧乾燥装置、第３の態様に係る減圧乾燥方法、および第５の態様に係るプログラムの何れによっても、例えば、チャンバ内の雰囲気の排出およびチャンバ内への気体の供給のうちの少なくとも一方が行われている際に、基板を繰り返して昇降させる。これにより、例えば、排気時および給気時のうちの少なくとも一方において、チャンバ内に気流の乱れを生じさせることができる。その結果、例えば、排気時および給気時のうちの少なくとも一方において、チャンバ内では、継続的な特定のパターンの気流が生じ難くなるとともに、塗膜上において塗膜から蒸発した溶剤の成分の濃度が偏り難くなる。したがって、例えば、基板の上面に形成された塗膜がより均一に乾燥され得る。
第２の態様に係る減圧乾燥装置、第４の態様に係る減圧乾燥方法、および第６の態様に係るプログラムの何れによっても、例えば、チャンバ内の雰囲気の排出およびチャンバ内への気体の供給のそれぞれが行われている際に、基板を繰り返して昇降させる。これにより、例えば、排気時にも給気時にも、チャンバ内に気流の乱れを生じさせることができる。その結果、例えば、排気時にも給気時にも、チャンバ内では、継続的な特定のパターンの気流が生じ難くなるとともに、塗膜上において塗膜から蒸発した溶剤の成分の濃度が偏り難くなる。したがって、例えば、基板の上面に形成された塗膜がより均一に乾燥され得る。
図１は、一実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を示す図である。 図２は、一実施形態に係る減圧乾燥装置の横断面の一例を示す図である。 図３は、一実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を示す図である。 図４は、基板の一例を示す斜視図である。 図５は、基板の一部分の縦断面の一例を示す図である。 図６は、制御部において実現される機能を概念的に示したブロック図である。 図７は、一実施形態に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示す流れ図である。 図８は、一変形例に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示す流れ図である。 図９は、一変形例に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示す流れ図である。 図１０は、一変形例に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を示す図である。
以下、本発明の一実施形態および各種変形例について、図面を参照しつつ説明する。図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。
＜１．減圧乾燥装置の構成＞
図１は、一実施形態に係る減圧乾燥装置１の縦断面の一例を模式的に示す図である。図２は、一実施形態に係る減圧乾燥装置１の横断面の一例を模式的に示す図である。図３は、一実施形態に係る減圧乾燥装置１の縦断面の一例を示す模式的に図である。図１の縦断面と図３の縦断面とは、約９０度異なる方向から見た関係を有する。図３では、図面の煩雑化を避けるために、後述する排気部３０、給気部６０、圧力計７０および制御部８０に関する構成が便宜的に省略されている。減圧乾燥装置１は、基板９の上面に形成された塗膜９０（図５参照）を乾燥させる装置である。
基板９には、例えば、ガラス基板、半導体ウエハ、またはセラミック基板等が適用される。基板９は、例えば、第１主面としての第１面Ｆ１（図４および図５参照）と、この第１面とは逆の第２主面としての第２面Ｆ２（図５参照）と、を有する平板状の基板である。例えば、減圧乾燥装置１では、基板９の第１面Ｆ１が基板９の上面とされ、基板９の第２面Ｆ２が基板９の下面とされる。ここでは、基板９に矩形のガラス基板が適用された具体例を適宜挙げて説明する。基板９の第１面Ｆ１には、例えば、予め有機材料および溶剤を含む処理液が塗布されることで、塗膜９０が部分的に形成されている。処理液の塗布は、例えば、スリットコータまたはインクジェット装置等で行われる。処理液には、例えば、ポリイミド前駆体と溶媒とを含む液（ＰＩ液ともいう）またはレジスト液等の塗布液が適用される。ポリイミド前駆体には、例えば、ポリアミド酸（ポリアミック酸）等が適用される。溶媒には、例えば、ＮＭＰ（Ｎ－メチル－２－ピロリドン：N-Methyl-2-Pyrrolidone）が適用される。また、例えば、減圧乾燥装置１が有機ＥＬディスプレイの製造工程に適用される場合には、塗膜９０が、減圧乾燥装置１で乾燥されることによって有機ＥＬディスプレイパネルの正孔注入層、正孔輸送層、または発光層となる態様が採用されてもよい。
図４は、基板９の一例を示す斜視図である。図５は、基板９の一部分の縦断面の一例を示す図である。図４で示されるように、基板９は、例えば、上面視において、縦横の長さが異なる長方形状の形態を有する。基板９の上面には、デバイス等が形成される領域（被形成領域とも塗布領域ともいう）Ａ１が、複数配列されている。図４の例では、基板９の上面に、４つの矩形状の塗布領域Ａ１が、２行２列のマトリックス状に配列されている。ただし、塗布領域Ａ１の形状、数、配置は、この例に限定されるものではない。塗膜９０は、減圧乾燥装置１による減圧乾燥工程よりも前の塗布工程において、スリットコータまたはインクジェット装置等によって、各塗布領域Ａ１に、所望のパターンに従って形成される。所望のパターンには、例えば、回路のパターンが適用される。ここでは、例えば、図５で示されるように、各塗布領域Ａ１は、塗膜９０に覆われた領域（被覆領域ともいう）Ａ３と、塗膜９０に覆われていない露出した領域（露出領域ともいう）Ａ４と、を有する。また、隣り合う塗布領域Ａ１の間の領域（非塗布領域ともいう）Ａ２は、塗膜９０に覆われていない露出した領域（露出領域）Ａ４となっている。
図１および図２で示されるように、減圧乾燥装置１は、例えば、チャンバ１０と、支持部２０と、昇降部１００と、排気部３０と、給気部６０と、制御部８０と、を備えている。また、減圧乾燥装置１は、例えば、底面整流板４０と、側面整流板５０と、圧力計７０と、を備えている。
チャンバ１０は、基板９を収容するための部分である。チャンバ１０には、基板９を収容するための内部空間１０ｓを有する耐圧容器が適用される。チャンバ１０は、例えば、図示を省略した装置フレーム上に固定されている。チャンバ１０の形状は、例えば、扁平な直方体状である。チャンバ１０は、例えば、略正方形状の底板部１１と、４つの側壁部１２と、略正方形状の天板部１３と、を有する。４つの側壁部１２は、例えば、底板部１１の４つの端辺と、天板部１３の４つの端辺とを、上下方向に接続している。例えば、４つの側壁部１２のうちの１つの側壁部１２には、搬入出口１４と、この搬入出口１４を開閉するゲート部（ゲートバルブともいう）１５と、が設けられている。ゲート部１５は、例えば、開閉駆動部１６に接続されている。図３では、図面の煩雑化を避けるために、開閉駆動部１６が概念的に示されている。開閉駆動部１６には、例えば、エアシリンダ等の駆動機構が適用される。ここでは、例えば、開閉駆動部１６の動作によって、ゲート部１５は、搬入出口１４を閉鎖している位置（閉鎖位置ともいう）と、搬入出口１４を開放している位置（開放位置ともいう）との間で移動することができる。
ここで、例えば、ゲート部１５が閉鎖位置に配置された状態では、チャンバ１０の内部空間１０ｓが密閉される。例えば、ゲート部１５が開放位置に配置された状態では、搬入出口１４を介して、チャンバ１０の内部空間１０ｓへの基板９の搬入およびチャンバ１０の内部空間１０ｓからの基板９の搬出を行うことができる。
支持部２０は、チャンバ１０内において基板９を下方から支持する部分である。例えば、支持部２０は、チャンバ１０の内部空間１０ｓに位置しており、チャンバ１０の内部空間１０ｓに収容された基板９を下方から支持することができる。支持部２０は、例えば、複数の支持プレート２１と、複数の支持ピン２２と、を有する。複数の支持プレート２１は、例えば、水平方向に間隔をあけて配列されている。各支持プレート２１の上面には、複数の支持ピン２２が立設されている。基板９は、例えば、複数の支持プレート２１の上方に配置され、複数の支持ピン２２の上端部が基板９の下面に接触することで、基板９が水平姿勢で支持される。
昇降部１００は、チャンバ１０内において支持部２０を昇降させる部分である。換言すれば、例えば、昇降部１００は、チャンバ１０の内部空間１０ｓに位置している支持部２０を昇降させることができる機構（昇降機構ともいう）を有する。この昇降部１００により、例えば、支持部２０に支持されている基板９が昇降され得る。図１では、図面の煩雑化を避けるために、昇降部１００が概念的に示されている。図３で示されるように、昇降部１００には、例えば、直動型モータまたはエアシリンダ等の駆動装置が適用される。昇降部１００は、例えば、本体部１００ａと、移動部１００ｂと、を有する。本体部１００ａは、例えば、チャンバ１０の外部において、図示を省略した装置フレームに固定されている。移動部１００ｂは、例えば、本体部１００ａに対して、上下方向に移動することができる。移動部１００ｂには、例えば、棒状の部材等が適用される。移動部１００ｂは、例えば、チャンバ１０の底板部１１の貫通孔１１ｈに挿通された状態で位置している。そして、例えば、移動部１００ｂの上端部に、支持部２０が固定されている。ここでは、例えば、底板部１１の下面と移動部１００ｂとの間にベローズ等が設けられれば、底板部１１と移動部１００ｂとの隙間が密閉され得る。例えば、支持部２０が複数の支持プレート２１を有する場合には、移動部１００ｂは、支持プレート２１ごとに支持プレート２１に固定されており且つ底板部１１の貫通孔１１ｈに挿通された棒状の部分（棒状部ともいう）と、複数の棒状部を連結している部分（連結部ともいう）と、連結部に接続されており且つ本体部１００ａに摺動可能に支持された部分（摺動部ともいう）と、を有する。
ここで、例えば、昇降部１００を動作させると、支持部２０は、下降位置Ｈ１（図１および図３で一点鎖線で示した位置）と、下降位置Ｈ１よりも高い上昇位置Ｈ２（図１および図３で二点鎖線で示した位置）との間で、上下方向に昇降する。このとき、例えば、複数の支持プレート２１は、一体的に昇降し得る。
排気部３０は、チャンバ１０内の雰囲気を排出する動作（排気ともいう）を行う部分である。排気部３０には、例えば、チャンバ１０の内部空間１０ｓから気体を吸引して、チャンバ１０内の圧力を低下させる機構が適用される。図１および図２で示されるように、チャンバ１０の底板部１１には、例えば、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄが設けられている。４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄは、例えば、支持部２０に支持された基板９の下方に位置するように配置されている。また、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄは、例えば、後述する底面整流板４０の下方に位置している。排気部３０は、例えば、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄに接続された排気配管３１と、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄと、主バルブＶｅと、真空ポンプ３２と、を有する。排気配管３１は、例えば、４つの個別配管３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄと、１つの主配管３１ｅと、を有する。例えば、個別配管３１ａの一端は、排気口１６ａに接続しており、個別配管３１ｂの一端は、排気口１６ｂに接続しており、個別配管３１ｃの一端は、排気口１６ｃに接続しており、個別配管３１ｄの一端は、排気口１６ｄに接続している。例えば、４つの個別配管３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄのそれぞれの他端は、合流して主配管３１ｅの一端に接続されている。例えば、主配管３１ｅの他端は、真空ポンプ３２に接続している。例えば、個別バルブＶａは、個別配管３１ａの経路上に設けられており、個別バルブＶｂは、個別配管３１ｂの経路上に設けられており、個別バルブＶｃは、個別配管３１ｃの経路上に設けられており、個別バルブＶｄは、個別配管３１ｄの経路上に設けられている。例えば、主バルブＶｅは、主配管３１ｅの経路上に設けられている。
ここで、例えば、ゲート部１５によって搬入出口１４を閉鎖した状態で、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄの少なくとも一部と、１つの主バルブＶｅとを開放し、真空ポンプ３２を動作させると、チャンバ１０内の気体が、排気配管３１を介してチャンバ１０の外部へ排出される。これにより、例えば、チャンバ１０の内部空間１０ｓの圧力を低下させることができる。
４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄは、例えば、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄからの排気量を、個別に調節するためのバルブである。４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄのそれぞれには、例えば、制御部８０からの指令に基づいて開放状態と閉鎖状態との間で切り替えられる弁（開閉弁ともいう）が適用される。主バルブＶｅは、例えば、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄからの合計の排気量を調整するためのバルブである。主バルブＶｅには、例えば、制御部８０からの指令に基づいて開度が調節され得る弁（開度制御弁ともいう）が適用される。
ここでは、例えば、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄが、支持部２０に支持された基板９の下方に位置することで、基板９の上方に排気口がある場合と比べて、基板９の上方における気体の流れの均一化が促進され、基板９の上面に形成された塗膜９０における乾燥ムラの発生が低減され得る。
底面整流板４０は、排気部３０によるチャンバ１０内の減圧時に、内部空間１０ｓにおける気体の流れを規制するためのプレートである。例えば、底面整流板４０は、支持部２０に支持される基板９と、チャンバ１０の底板部１１との間に位置するように配置されている。より具体的には、例えば、底面整流板４０は、下降位置Ｈ１に配置されている支持部２０から間隔をあけて位置するように支持部２０の下側に配置されており、且つ底板部１１の上面から間隔をあけて位置するように底板部１１の上側に配置されている。また、底面整流板４０は、例えば、底板部１１の上面に沿って、水平に拡がるように位置している。底面整流板４０は、例えば、チャンバ１０の底板部１１に、図示を省略した複数の支柱を介して固定されている。図２で示されるように、例えば、底面整流板４０は、上面視において正方形状の形状を有する。そして、例えば、底面整流板４０の上面視における各辺の長さは、長方形状の基板９の長辺および短辺のいずれよりも長い。このため、例えば、支持部２０上に配置される基板９の向きに拘わらず、上面視において、底面整流板４０は、基板９よりも大きい。また、底面整流板４０は、例えば、昇降部１００の移動部１００ｂが挿通された状態にある貫通孔４０ｈを有している。貫通孔４０ｈにおいて、底面整流板４０と移動部１００ｂとは、ごく小さな間隔をあけて位置している。
側面整流板５０は、底面整流板４０とともに、排気部３０によるチャンバ１０内の減圧時に、内部空間１０ｓにおける気体の流れを規制するためのプレートである。例えば、側面整流板５０は、下降位置Ｈ１に配置されている支持部２０によって支持される基板９と、チャンバ１０の側壁部１２との間に位置するように配置されている。より具体的には、例えば、側面整流板５０は、下降位置Ｈ１に配置されている支持部２０に支持される基板９の端部から間隔をあけて基板９の外側に配置されており、且つ側壁部１２の内面から間隔をあけて位置するように側壁部１２の内側に位置している。ここでは、例えば、支持部２０に支持される基板９の周囲を囲むように、４つの側面整流板５０が配置されている。各側面整流板５０は、例えば、側壁部１２の内面に沿って拡がるように位置している。このため、例えば、４つの側面整流板５０は、全体として、基板９を包囲する四角筒状の整流板を形成している。また、例えば、底面整流板４０および４つの側面整流板５０は、全体として、有底筒状の箱状の整流板を形成している。
ここで、例えば、排気部３０によるチャンバ１０内の減圧時には、チャンバ１０の内部空間１０ｓの気体は、側面整流板５０と側壁部１２との間の空間、底面整流板４０と底板部１１との間の空間、および排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄをこの記載の順に通って、チャンバ１０の外部へ排出される。このように、例えば、気体が基板９から離れた空間を流れることで、基板９の近傍に気流が形成され難くなる。そして、基板９の周縁部において集中的な気流の発生が生じ難くなる。これにより、例えば、基板９の上面に形成された塗膜９０の乾燥ムラの発生が低減され得る。
また、ここで、例えば、図２で示されるように、底面整流板４０および４つの側面整流板５０によって形成される箱状の整流板は、上面視において正方形状の形状を有する。そして、この箱状の整流板の上面視における各辺の長さは、長方形状の基板９の長辺および短辺のいずれよりも長い。このため、例えば、支持部２０上に配置される基板９の向きに拘わらず、排気部３０によるチャンバ１０内の減圧時において、内部空間１０ｓにおける気体の流れが一様となり、基板９の向きによって内部空間１０ｓにおける気体の流れが異なり難くなる。
また、ここで、例えば、図２で示されるように、上面視において、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄが、いずれも正方形状の底面整流板４０の対角線４１上に位置している構成が採用される。この場合には、例えば、各排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄによって、底面整流板４０の中央（２本の対角線４１の交点）に対して対称な気流が形成され得る。これにより、例えば、チャンバ１０の内部空間１０ｓにおいて、より均一な気流が形成され得る。
また、ここで、例えば、４つの側面整流板５０のうちの３つの側面整流板５０は、チャンバ１０の側壁部１２に固定されている。ただし、４つの側面整流板５０のうちの残りの１つの側面整流板５０は、例えば、チャンバ１０と外部との間における基板９の搬入および搬出の経路を確保するために、側壁部１２および底面整流板４０に対して移動可能となっていてもよい。この場合には、この１つの側面整流板５０は、例えば、ゲート部１５とともに移動するように構成されてもよい。これにより、例えば、ゲート部１５が閉鎖位置から開放位置へ移動すると、この１つの側面整流板５０も移動し、チャンバ１０と外部との間における基板９の搬入および搬出の経路が確保され得る。ここでは、例えば、移動可能な側面整流板５０が、正規の位置（上述した箱状の整流板を構成する位置）に配置される際に、他の側面整流板５０および底面整流板４０とは非接触であれば、移動可能な側面整流板５０と、他の側面整流板５０および底面整流板４０とが摺接しない。これにより、例えば、部材の摺接による粉塵の発生が生じ難い。一方で、例えば、移動可能な側面整流板５０と、他の側面整流板５０および底面整流板４０とを互いに接触させた状態で箱状の整流板が構成されれば、箱状の整流板に隙間が生じ難い。この場合には、例えば、排気部３０によるチャンバ１０内の減圧時に、内部空間１０ｓにおける気体の流れがより規制され得る。
給気部６０は、チャンバ１０内に気体を供給する動作（給気ともいう）を行う部分である。給気部６０には、例えば、排気部３０による排気によって圧力が低下したチャンバ１０の内部空間１０ｓに気体を供給して、チャンバ１０内の圧力を大気圧に戻すための機構が適用される。図１で示されるように、チャンバ１０の底板部１１には、例えば、給気口１６ｆが設けられている。給気口１６ｆは、例えば、底面整流板４０の下方に位置している。給気部６０は、給気口１６ｆに接続された給気配管６１と、給気バルブＶｆと、給気源６２と、を有する。例えば、給気配管６１の一端は、給気口１６ｆに接続している。例えば、給気配管６１の他端は、給気源６２に接続している。例えば、給気バルブＶｆは、給気配管６１の経路上に設けられている。
ここで、例えば、給気バルブＶｆを開放すると、給気源６２から給気配管６１および給気口１６ｆを介して、チャンバ１０の内部空間１０ｓに気体が供給される。これにより、チャンバ１０内の気圧を上昇させることができる。給気源６２から供給される気体は、例えば、窒素ガス等の不活性ガスであってもよいし、クリーンドライエアであってもよい。クリーンドライエアは、例えば、一般的な環境における空気に対してパーティクルおよび水分を除去する清浄化を施すことで準備され得る。
圧力計７０は、チャンバ１０の内部空間１０ｓの気圧を計測するセンサである。図１で示されるように、例えば、圧力計７０は、チャンバ１０の一部分に取り付けられている。圧力計７０は、例えば、チャンバ１０の内部空間１０ｓの気圧を計測し、その計測結果を、制御部８０へ出力することができる。
制御部８０は、減圧乾燥装置１の各部の動作を制御するためのユニットである。例えば、制御部８０は、排気部３０、給気部６０および昇降部１００等を制御することができる。制御部８０は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサ８０１、ＲＡＭ（Random Access Memory）等のメモリ８０２、およびハードディスクドライブ等の記憶部８０３を有するコンピュータによって構成されている。記憶部８０３には、例えば、減圧乾燥装置１において基板９上の塗膜９０を減圧によって乾燥させる処理（減圧乾燥処理ともいう）を実行させるためのコンピュータプログラム（プログラムともいう）８０３ｐおよび各種のデータが記憶されている。記憶部８０３は、例えば、プログラム８０３ｐを記憶し、コンピュータで読み取り可能な非一時的な記憶媒体としての役割を有する。制御部８０は、例えば、記憶部８０３からメモリ８０２にプログラム８０３ｐおよびデータを読み出して、プロセッサ８０１においてプログラム８０３ｐおよびデータに従った演算処理を行うことで、減圧乾燥装置１の各部の動作を制御する。このため、例えば、プログラム８０３ｐは、減圧乾燥装置１において制御部８０に含まれるプロセッサ８０１によって実行されることで、減圧乾燥処理を実行させることができる。
また、制御部８０には、例えば、入力部８０４、出力部８０５、通信部８０６およびドライブ８０７が接続されていてもよい。入力部８０４は、例えば、ユーザの動作等に応答して各種の信号を制御部８０に入力する部分である。入力部８０４には、例えば、ユーザの操作に応じた信号を入力する操作部、ユーザの音声に応じた信号を入力するマイク、およびユーザの動きに応じた信号を入力する各種センサ等が含まれ得る。出力部８０５は、例えば、各種の情報をユーザが認識可能な態様で出力する部分である。出力部８０５には、例えば、表示部、プロジェクタ、およびスピーカ等が含まれ得る。表示部は、入力部８０４と一体化されたタッチパネルであってもよい。通信部８０６は、例えば、有線もしくは無線の通信手段等によってサーバ等の外部の装置との間で各種の情報の送受信を行う部分である。例えば、通信部８０６によって外部の装置から受信したプログラム８０３ｐが記憶部８０３に記憶されてもよい。ドライブ８０７は、例えば、磁気ディスクまたは光ディスク等の可搬性の記憶媒体８０７ｍの着脱が可能な部分である。このドライブ８０７は、例えば、記憶媒体８０７ｍが装着されている状態で、この記憶媒体８０７ｍと制御部８０との間におけるデータの授受を行う。例えば、プログラム８０３ｐが記憶された記憶媒体８０７ｍがドライブ８０７に装着されることで、記憶媒体８０７ｍから記憶部８０３内にプログラム８０３ｐが読み込まれて記憶されてもよい。ここでは、記憶媒体８０７ｍは、例えば、プログラム８０３ｐを記憶し、コンピュータで読み取り可能な非一時的な記憶媒体としての役割を有する。
図６は、制御部８０において実現される機能を概念的に示したブロック図である。図６で示されるように、制御部８０は、例えば、開閉駆動部１６、昇降部１００、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄ、主バルブＶｅ、真空ポンプ３２、給気バルブＶｆ、および圧力計７０と、それぞれ電気的に接続されている。制御部８０は、例えば、圧力計７０から出力される計測値を参照しつつ、上記各部の動作を制御することができる。
図６で概念的に示したように、制御部８０は、実現される機能的な構成として、例えば、開閉制御部８１、昇降制御部８２、切替制御部８３、排気制御部８４、ポンプ制御部８５、および給気制御部８６を有する。例えば、開閉制御部８１は、開閉駆動部１６の動作を制御する。例えば、昇降制御部８２は、昇降部１００の動作を制御する。例えば、切替制御部８３は、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄの開閉状態を個別に制御する。例えば、排気制御部８４は、主バルブＶｅの開閉状態および開度を制御する。例えば、ポンプ制御部８５は、真空ポンプ３２の動作を制御する。例えば、給気制御部８６は、給気バルブＶｆの開閉状態を制御する。制御部８０における各部の機能は、例えば、上述したプログラム８０３ｐ等に従った演算処理をプロセッサ８０１が行うことで実現される。
＜２．減圧乾燥処理＞
次に、減圧乾燥装置１を用いた基板９の減圧乾燥処理について説明する。図７は、一実施形態に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示す流れ図である。この減圧乾燥処理のフローは、例えば、制御部８０に含まれるプロセッサ８０１においてプログラム８０３ｐが実行されることで実現される。ここでは、例えば、図７のステップＳ１からステップＳ１０の処理がこの記載の順に行われる。
減圧乾燥装置１を用いて減圧乾燥処理を行う際には、例えば、まず、基板９をチャンバ１０内に搬入する（ステップＳ１）。このとき、基板９の上面には、未乾燥の塗膜９０が形成されている状態にある。ステップＳ１では、例えば、まず、開閉制御部８１が、開閉駆動部１６を動作させて、ゲート部１５を閉鎖位置から開放位置へ移動させることで、搬入出口１４を開放する。そして、例えば、図示を省略した搬送ロボットが、フォーク状のハンドに基板９を載置しつつ、チャンバ１０の搬入出口１４を介して、チャンバ１０の内部空間１０ｓへ基板９を搬入する。この時点では、支持部２０は、例えば、下降位置Ｈ１に配置されている。搬送ロボットは、例えば、支持部２０の複数の支持プレート２１の間へフォーク状のハンドを挿入しつつ、支持部２０上に基板９を載置する。支持部２０上に基板９が載置されると、搬送ロボットは、チャンバ１０の外部へ退避する。そして、例えば、開閉制御部８１が、再び開閉駆動部１６を動作させて、ゲート部１５を開放位置から閉鎖位置へ移動させることで、搬入出口１４を閉鎖する。これにより、チャンバ１０の内部空間１０ｓに基板９が収容される。
次に、例えば、減圧乾燥装置１は、支持部２０を繰り返し昇降させる動作を開始する（ステップＳ２）。ここでは、例えば、昇降制御部８２が、昇降部１００によって、支持部２０を繰り返し昇降させる動作を開始させる。このとき、例えば、支持部２０が、上下方向において下降位置Ｈ１と上昇位置Ｈ２との間で昇降し始める。これにより、例えば、支持部２０上に載置されている基板９が上下方向に昇降し始める。その結果、例えば、基板９の上面と、チャンバ１０の天板部１３との距離が、長い状態と短い状態との間で繰り返し変更される。ここでは、支持部２０を昇降させる周期（サイクル）は、例えば、数秒程度に設定される。下降位置Ｈ１と上昇位置Ｈ２との間の距離は、例えば、１０ミリメートル（ｍｍ）から１００ｍｍ程度に設定される。
次に、例えば、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０内からの排気を始める（ステップＳ３）。これにより、例えば、制御部８０が、チャンバ１０内において支持部２０によって基板９が下方から支持された状態で、排気部３０によってチャンバ１０内の雰囲気を排出させる工程（排気工程ともいう）を実行させる。このとき、例えば、制御部８０が、排気工程を実行させている際に、昇降部１００によって支持部２０を繰り返し昇降させる工程（第１昇降工程ともいう）を実行させている状態となる。換言すれば、制御部８０は、例えば、排気部３０による排気が行われている際に、支持部２０を繰り返し昇降させるように昇降部１００を制御する。
ここでは、例えば、ポンプ制御部８５が、真空ポンプ３２の動作を開始させ、切替制御部８３が、複数の個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄの少なくとも一部を開放するとともに、排気制御部８４が、主バルブＶｅを開放させる。これにより、例えば、チャンバ１０の内部空間１０ｓから排気配管３１への気体の排出が開始され、チャンバ１０内の気圧が、大気圧から低下し始める。
ここでは、例えば、チャンバ１０内からの排気時に、支持部２０の昇降が繰り返されることで、基板９の上面とチャンバ１０の天板部１３との間の空間が、縮小された状態と拡大された状態との間で繰り返し変更される。このとき、例えば、チャンバ１０内に気流の乱れが生じる。これにより、例えば、塗膜９０上において継続的な特定のパターンの気流（第１定常流ともいう）が発生する現象が生じ難くなる。その結果、例えば、塗膜９０において場所に応じた乾燥速度の違いが生じ難くなり、塗膜９０のうちの特定の箇所に筋状の乾燥ムラが生じる不具合が生じ難くなる。
また、例えば、仮に複数の支持ピン２２の存在によって基板９に温度差が生じても、基板９のうちの支持ピン２２で支持された部分の直上における塗膜９０から蒸発した溶剤の成分の濃度と、その周辺における塗膜９０から蒸発した溶剤の成分の濃度との差が、気流の乱れによる撹拌作用によって低減され得る。換言すれば、例えば、塗膜９０上において塗膜９０から蒸発した溶剤の成分の濃度が偏り難くなる。その結果、例えば、塗膜９０のうちの支持ピン２２の位置に応じた箇所に乾燥ムラが生じる不具合が生じ難くなる。
また、例えば、基板９のうちの塗布領域Ａ１の中央部の直上における塗膜９０から蒸発した溶剤の成分の濃度と、塗布領域Ａ１の端部の直上における塗膜９０から蒸発した溶剤の成分の濃度との差が、気流の乱れによる撹拌作用によって低減され得る。換言すれば、例えば、塗膜９０上において塗膜９０から蒸発した溶剤の成分の濃度が偏り難くなる。その結果、例えば、塗膜９０のうちの塗布領域Ａ１の形状に応じた箇所に乾燥ムラが生じる不具合が生じ難くなる。
したがって、例えば、排気部３０によってチャンバ１０内からの排気が行われている際に、支持部２０を繰り返し昇降させると、基板９の上面に形成された塗膜９０がより均一に乾燥され得る。
なお、例えば、排気部３０による排気が行われている際に、排気制御部８４によって主バルブＶｅの開度が適宜変更されてもよいし、切替制御部８３によって４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄの開閉状態が順に切り替えられてもよい。
次に、例えば、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０の内部空間１０ｓが所定の真空度まで到達したか否か判定する（ステップＳ４）。ここでは、例えば、制御部８０が、圧力計７０による計測結果に応じて、チャンバ１０の内部空間１０ｓが所定の真空度に対応する所定の圧力まで低下したか否か判定する。例えば、内部空間１０ｓが所定の真空度に到達するまで、ステップＳ４の判定が繰り返される。そして、内部空間１０ｓが所定の真空度まで到達すると、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０内からの排気を終了する（ステップＳ５）。ここでは、例えば、排気制御部８４が、主バルブＶｅを閉鎖させるとともに、ポンプ制御部８５が、真空ポンプ３２の動作を終了させる。これにより、例えば、チャンバ１０の内部空間１０ｓから排気配管３１への気体の排出が終了される。ここで、例えば、排気の開始から終了までの時間は、例えば、３００秒から５００秒程度となり得る。
次に、例えば、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０内への給気を始める（ステップＳ６）。これにより、例えば、制御部８０が、排気工程の後に、チャンバ１０内において支持部２０によって基板９が下方から支持された状態で、給気部６０によってチャンバ１０内に気体を供給させる工程（給気工程ともいう）を実行させる。このとき、例えば、制御部８０が、給気工程を実行させている際に、昇降部１００によって支持部２０を繰り返し昇降させる工程（第２昇降工程ともいう）を実行させている状態となる。換言すれば、制御部８０は、例えば、給気部６０による給気が行われている際に、支持部２０を繰り返し昇降させるように昇降部１００を制御する。
ここでは、例えば、給気制御部８６が、給気バルブＶｆを開放させる。これにより、例えば、給気源６２から給気配管６１および給気口１６ｆを通ってチャンバ１０の内部空間１０ｓへ気体が供給され始める。このとき、チャンバ１０内の気圧が、大気圧へ向けて上昇し始める。この給気工程では、例えば、チャンバ１０内には、比較的強い気流が発生し得る。これに対して、例えば、塗膜９０が十分に乾燥されていない半乾きの状態にある場合がある。
ここでは、例えば、チャンバ１０内への給気時に、支持部２０の昇降が繰り返されることで、基板９の上面とチャンバ１０の天板部１３との間の空間が、縮小された状態と拡大された状態との間で繰り返し変更される。このとき、例えば、チャンバ１０内に気流の乱れが生じる。これにより、例えば、塗膜９０上において継続的な特定のパターンの気流（第２定常流ともいう）が発生する現象が生じ難くなる。その結果、例えば、塗膜９０において場所に応じた乾燥速度の違いが生じ難くなり、塗膜９０のうちの特定の箇所に筋状の乾燥ムラが生じる不具合が生じ難くなる。
また、例えば、仮に複数の支持ピン２２の存在によって基板９に温度差が生じても、基板９のうちの支持ピン２２で支持された部分の直上における塗膜９０から蒸発した溶剤の成分の濃度と、その周辺における塗膜９０から蒸発した溶剤の成分の濃度との差が、気流の乱れによる撹拌作用によって低減され得る。換言すれば、例えば、塗膜９０上において塗膜９０から蒸発した溶剤の成分の濃度が偏り難くなる。その結果、例えば、塗膜９０のうちの支持ピン２２の位置に応じた箇所に乾燥ムラが生じる不具合が生じ難くなる。
また、例えば、基板９のうちの塗布領域Ａ１の中央部の直上における塗膜９０から蒸発した溶剤の成分の濃度と、塗布領域Ａ１の端部の直上における塗膜９０から蒸発した溶剤の成分の濃度との差が、気流の乱れによる撹拌作用によって低減され得る。換言すれば、例えば、塗膜９０上において塗膜９０から蒸発した溶剤の成分の濃度が偏り難くなる。その結果、例えば、塗膜９０のうちの塗布領域Ａ１の形状に応じた箇所に乾燥ムラが生じる不具合が生じ難くなる。
したがって、例えば、給気部６０によってチャンバ１０内への給気が行われている際に、支持部２０を繰り返し昇降させると、基板９の上面に形成された塗膜９０がより均一に乾燥され得る。
次に、例えば、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０の内部空間１０ｓが大気圧まで到達したか否か判定する（ステップＳ７）。ここでは、例えば、制御部８０が、圧力計７０による計測結果に応じて、チャンバ１０の内部空間１０ｓが大気圧まで到達したか否か判定する。例えば、内部空間１０ｓが大気圧に到達するまで、ステップＳ７の判定が繰り返される。そして、内部空間１０ｓが大気圧に到達すると、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０内への給気を終了する（ステップＳ８）。ここでは、例えば、給気制御部８６が、給気バルブＶｆを閉鎖させる。これにより、例えば、給気源６２から給気配管６１および給気口１６ｆを介したチャンバ１０の内部空間１０ｓへの気体の供給が終了される。ここで、例えば、給気の開始から終了までの時間は、例えば、５０秒から１５０秒程度となり得る。
次に、例えば、減圧乾燥装置１は、支持部２０を繰り返し昇降させる動作を終了する（ステップＳ９）。ここでは、例えば、昇降制御部８２が、昇降部１００によって支持部２０を繰り返し昇降させる動作を終了させる。このとき、例えば、支持部２０が、下降位置Ｈ１に配置されている状態で、支持部２０の昇降が停止される。
そして、例えば、最後に、基板９をチャンバ１０内から搬出する（ステップＳ１０）。ステップＳ１０では、例えば、まず、開閉制御部８１が、開閉駆動部１６を動作させて、ゲート部１５を閉鎖位置から開放位置へ移動させることで、搬入出口１４を開放する。そして、例えば、図示を省略した搬送ロボットが、支持部２０に載置された乾燥済みの基板９を、チャンバ１０の搬入出口１４を介して、チャンバ１０の外部へ搬出する。これにより、１枚の基板９に対する減圧乾燥処理が終了し得る。
このように、減圧乾燥装置１を用いて基板９の上面に形成された塗膜９０を乾燥させる方法（減圧乾燥方法ともいう）は、例えば、排気工程と、給気工程と、第１昇降工程および第２昇降工程と、を有する。別の観点から言えば、減圧乾燥装置１を用いた減圧乾燥方法は、例えば、排気工程と、給気工程と、第１昇降工程および第２昇降工程を含む、昇降部１００によって支持部２０を繰り返し昇降させる工程（昇降工程ともいう）と、を有する。換言すれば、制御部８０は、例えば、排気部３０による排気および給気部６０による給気のそれぞれが行われている際に、支持部２０を繰り返し昇降させるように昇降部１００を制御する。
以上のように、一実施形態に係る減圧乾燥装置１では、例えば、チャンバ１０内の雰囲気の排出およびチャンバ１０内への気体の供給のそれぞれが行われている際に、基板９を繰り返して昇降させる。これにより、例えば、チャンバ１０内の排気時にもチャンバ１０内への給気時にも、チャンバ１０内において、気流の乱れを生じさせることができる。その結果、チャンバ１０内の排気時にもチャンバ１０内への給気時にも、基板９の上方に継続的な特定のパターンの気流が生じ難くなるとともに、塗膜９０上において塗膜９０から蒸発した溶剤の成分の濃度が偏り難くなる。したがって、例えば、基板９の上面に形成された塗膜９０がより均一に乾燥され得る。
＜３．変形例＞
本発明は、上述の一実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
上記一実施形態では、例えば、制御部８０は、排気部３０による排気および給気部６０による給気のうちの少なくとも一方が行われている際に、支持部２０を繰り返し昇降させるように昇降部１００を制御してもよい。換言すれば、減圧乾燥装置１を用いて減圧乾燥処理を行う際には、制御部８０は、排気工程を実行させている際に昇降部１００によって支持部２０を繰り返し昇降させる工程（第１昇降工程）、および給気工程を実行させている際に昇降部１００によって支持部２０を繰り返し昇降させる工程（第２昇降工程）のうちの少なくとも一方を実行させてもよい。さらに換言すれば、例えば、減圧乾燥装置１を用いた減圧乾燥方法は、排気工程と、給気工程と、第１昇降工程と、を有していてもよいし、排気工程と、給気工程と、第２昇降工程と、を有していてもよい。別の観点から言えば、減圧乾燥装置１を用いた減圧乾燥方法は、例えば、排気工程と、給気工程と、排気工程および給気工程のうちの少なくとも一方の工程が実行されている際に、昇降部１００によって支持部２０を繰り返し昇降させる工程としての昇降工程と、を有していてもよい。換言すれば、昇降工程は、例えば、第１昇降工程および第２昇降工程のうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。
ここでは、例えば、チャンバ１０内の雰囲気の排出およびチャンバ１０内への気体の供給のうちの少なくとも一方が行われている際に、基板９を繰り返して昇降させることができる。これにより、例えば、排気時および給気時のうちの少なくとも一方において、チャンバ１０内に気流の乱れを生じさせることができる。その結果、例えば、排気時および給気時のうちの少なくとも一方において、チャンバ１０内では、継続的な特定のパターンの気流が生じ難くなるとともに、塗膜９０上において塗膜９０から蒸発した溶剤の成分の濃度が偏り難くなる。したがって、例えば、基板９の上面に形成された塗膜９０がより均一に乾燥され得る。
ここで、第１昇降工程および第２昇降工程のうちの第１昇降工程を実行させる減圧乾燥処理の一例について説明する。図８は、一変形例に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示す流れ図である。この減圧乾燥処理のフローは、例えば、制御部８０に含まれるプロセッサ８０１においてプログラム８０３ｐが実行されることで実現される。ここでは、例えば、図８のステップＳａ１からステップＳａ１０の処理がこの記載の順に行われる。
まず、基板９をチャンバ１０内に搬入する（ステップＳａ１）。ここでは、例えば、上述したステップＳ１と同様な動作が行われる。
次に、例えば、減圧乾燥装置１は、支持部２０を繰り返し昇降させる動作を開始する（ステップＳａ２）。ここでは、例えば、上述したステップＳ２と同様な動作が行われる。
次に、例えば、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０内からの排気を始める（ステップＳａ３）。ここでは、例えば、上述したステップＳ３と同様な動作が行われる。
次に、例えば、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０の内部空間１０ｓが所定の真空度まで到達したか否か判定する（ステップＳａ４）。ここでは、例えば、上述したステップＳ４と同様な動作が行われる。ここで、例えば、内部空間１０ｓが所定の真空度に到達するまで、ステップＳａ４の判定が繰り返され、内部空間１０ｓが所定の真空度まで到達すると、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０内からの排気を終了する（ステップＳａ５）。ここでは、例えば、上述したステップＳ５と同様な動作が行われる。
次に、例えば、減圧乾燥装置１は、支持部２０を繰り返し昇降させる動作を終了する（ステップＳａ６）。ここでは、例えば、上述したステップＳ９と同様な動作が行われる。
次に、例えば、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０内への給気を始める（ステップＳａ７）。ここでは、例えば、上述したステップＳ６と同様な動作が行われる。
次に、例えば、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０の内部空間１０ｓが大気圧まで到達したか否か判定する（ステップＳａ８）。ここでは、例えば、上述したステップＳ７と同様な動作が行われる。ここで、例えば、内部空間１０ｓが大気圧に到達すると、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０内への給気を終了する（ステップＳａ９）。ここでは、例えば、上述したステップＳ８と同様な動作が行われる。
そして、例えば、最後に、基板９をチャンバ１０内から搬出する（ステップＳａ１０）。ここでは、例えば、上述したステップＳ１０と同様な動作が行われる。
また、ここで、第１昇降工程および第２昇降工程のうちの第２昇降工程を実行させる減圧乾燥処理の一例について説明する。図９は、一変形例に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示す流れ図である。この減圧乾燥処理のフローは、例えば、制御部８０に含まれるプロセッサ８０１においてプログラム８０３ｐが実行されることで実現される。ここでは、例えば、図９のステップＳｂ１からステップＳｂ１０の処理がこの記載の順に行われる。
まず、基板９をチャンバ１０内に搬入する（ステップＳｂ１）。ここでは、例えば、上述したステップＳ１およびステップＳａ１と同様な動作が行われる。
次に、例えば、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０内からの排気を始める（ステップＳｂ２）。ここでは、例えば、上述したステップＳ３およびステップＳａ３と同様な動作が行われる。
次に、例えば、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０の内部空間１０ｓが所定の真空度まで到達したか否か判定する（ステップＳｂ３）。ここでは、例えば、上述したステップＳ４およびステップＳａ４と同様な動作が行われる。ここで、例えば、内部空間１０ｓが所定の真空度に到達するまで、ステップＳｂ３の判定が繰り返され、内部空間１０ｓが所定の真空度まで到達すると、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０内からの排気を終了する（ステップＳｂ４）。ここでは、例えば、上述したステップＳ５およびステップＳａ５と同様な動作が行われる。
次に、例えば、減圧乾燥装置１は、支持部２０を繰り返し昇降させる動作を開始する（ステップＳｂ５）。ここでは、例えば、上述したステップＳ２およびステップＳａ２と同様な動作が行われる。
次に、例えば、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０内への給気を始める（ステップＳｂ６）。ここでは、例えば、上述したステップＳ６およびステップＳａ７と同様な動作が行われる。
次に、例えば、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０の内部空間１０ｓが大気圧まで到達したか否か判定する（ステップＳｂ７）。ここでは、例えば、上述したステップＳ７およびステップＳａ８と同様な動作が行われる。ここで、例えば、内部空間１０ｓが大気圧に到達すると、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０内への給気を終了する（ステップＳｂ８）。ここでは、例えば、上述したステップＳ８およびステップＳａ９と同様な動作が行われる。
次に、例えば、減圧乾燥装置１は、支持部２０を繰り返し昇降させる動作を終了する（ステップＳｂ９）。ここでは、例えば、上述したステップＳ９およびステップＳａ６と同様な動作が行われる。
そして、例えば、最後に、基板９をチャンバ１０内から搬出する（ステップＳｂ１０）。ここでは、例えば、上述したステップＳ１０およびステップＳａ１０と同様な動作が行われる。
上記一実施形態では、例えば、制御部８０は、排気部３０による排気が行われている期間のうちの一部の期間において、支持部２０を繰り返し昇降させるように昇降部１００を制御してもよい。また、例えば、制御部８０は、給気部６０による給気が行われている期間のうちの一部の期間において、支持部２０を繰り返し昇降させるように昇降部１００を制御してもよい。換言すれば、減圧乾燥装置１を用いて減圧乾燥処理を行う際には、例えば、排気工程が実行されている期間のうちの一部の期間において第１昇降工程が実行されてもよいし、給気工程が実行されている期間のうちの一部の期間において第２昇降工程が実行されてもよい。ここでは、例えば、排気工程の実行が開始された後に、第１昇降工程の実行が開始されてもよいし、排気工程の実行が終了される前に、第１昇降工程の実行が終了されてもよい。また、例えば、給気工程の実行が開始された後に、第２昇降工程の実行が開始されてもよいし、給気工程の実行が終了される前に、第２昇降工程の実行が終了されてもよい。
上記一実施形態では、例えば、チャンバ１０が、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄを有していたが、これに限られない。例えば、チャンバ１０が有する排気口の数は、１つから３つおよび５つ以上の何れであってもよい。また、例えば、個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄは、なくてもよい。
上記一実施形態では、減圧乾燥装置１は、基板９上の塗膜９０を、減圧によって乾燥させるものであったが、これに限られない。例えば、減圧乾燥装置１は、減圧および加熱によって、基板９上の塗膜９０を乾燥させるものであってもよい。
上記一実施形態では、チャンバ１０の側壁部１２に、基板９の搬入出口１４が設けられていたが、これに限られない。例えば、チャンバ１０の４つの側壁部１２および天板部１３が一体の蓋部１０ｌを構成しており、この蓋部１０ｌが底板部１１から分離して上方へ退避することができる構造が採用されてもよい。図１０は、一変形例に係る減圧乾燥装置１の縦断面の一例を模式的に示す図である。ここでは、例えば、図１０で示されるように、蓋部１０ｌが、Ｏリング等のシール材１０ｂ介して底板部１１に接触している状態にあれば、チャンバ１０の内部空間１０ｓが閉鎖された状態にある。ここで、例えば、開閉駆動部１６によって、蓋部１０ｌが上方に移動されることで、底板部１１から上方へ分離し、チャンバ１０の内部空間１０ｓが開放される。このとき、例えば、チャンバ１０の内部空間１０ｓへの基板９の搬入およびチャンバ１０の内部空間１０ｓからの基板９の搬出を行うことができる。また、例えば、開閉駆動部１６によって、蓋部１０ｌが下方に移動されることで、この蓋部１０ｌが、底板部１１上のシール材１０ｂに押し付けられることで、チャンバ１０の内部空間１０ｓが閉鎖される。また、ここでは、例えば、４つの側面整流板５０は、蓋部１０ｌに固定され、蓋部１０ｌとともに上方へ移動可能であってもよい。このような構成が採用される場合には、例えば、内部空間１０ｓを小さくすることが容易であり、排気の開始から終了までの時間は、６０秒から１００秒程度となり、給気の開始から終了までの時間は、１０秒から３０秒程度となり得る。
上記一実施形態では、例えば、支持部２０は種々の形態を有していてもよい。例えば、複数の支持プレート２１は、一体的な１つの支持プレート２１であってもよい。
上記一実施形態では、例えば、底面整流板４０がなくてもよいし、側面整流板５０がなくてもよい。
上記一実施形態では、例えば、減圧乾燥装置１における各種の動作は、例えば、入力部８０４に対するユーザの動作もしくは通信部８０６に対して外部の装置から入力された信号等に応答して、開始あるいは終了されてもよい。
上記一実施形態では、例えば、制御部８０において、実現される機能的な構成の少なくとも一部が、専用の電子回路等のハードウェアで構成されていてもよい。
なお、上記一実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。
１ 減圧乾燥装置
１０ チャンバ
１０ｓ 内部空間
２０ 支持部
３０ 排気部
６０ 給気部
８０ 制御部
８０１ プロセッサ
８０３ 記憶部
８０３ｐ プログラム
８０７ｍ 記憶媒体
９ 基板
９０ 塗膜
１００ 昇降部
Ｆ１ 第１面（上面）
Ｆ２ 第２面（下面）

Claims (6)

  1. 基板の上面に形成された塗膜を乾燥させる減圧乾燥装置であって、
    前記基板を収容するチャンバと、
    前記チャンバ内において前記基板を下方から支持する支持部と、
    前記チャンバ内において前記支持部を下降位置と該下降位置よりも高い上昇位置との間で上下方向に昇降させる昇降部と、
    前記チャンバの底板部に設けられた排気口から前記チャンバ内の雰囲気を排出する排気を行う排気部と、
    前記チャンバの底板部に設けられた給気口から前記チャンバ内に気体を供給する給気を行う給気部と、
    前記支持部に支持される基板と前記チャンバの底板部との間に位置するように配置された底面整流板と、
    前記下降位置に配置されている前記支持部によって支持される基板と前記チャンバの側壁部との間において該側壁部の内面から間隔をあけて位置するように該側壁部の内側に位置しており、かつ前記下降位置に配置されている前記支持部によって支持される基板の周囲を囲むように配置された複数の側面整流板と、
    前記排気部による排気および前記給気部による給気のうちの少なくとも一方が行われている際に、水平方向において前記支持部に支持される基板と前記側壁部との間に前記複数の側面整流板がある前記下降位置と、前記支持部に支持される基板が前記複数の側面整流板よりも上方に位置する前記上昇位置との間で、前記支持部を繰り返し昇降させるように前記昇降部を制御する制御部と、
    を備えている、減圧乾燥装置。
  2. 請求項１に記載の減圧乾燥装置であって、
    前記制御部は、前記排気部による排気および前記給気部による給気のそれぞれが行われている際に、前記下降位置と前記上昇位置との間で、前記支持部を繰り返し昇降させるように前記昇降部を制御する、減圧乾燥装置。
  3. 基板を収容するチャンバと、該チャンバ内において前記基板を下方から支持する支持部と、前記チャンバ内において前記支持部を下降位置と該下降位置よりも高い上昇位置との間で上下方向に昇降させる昇降部と、前記チャンバの底板部に設けられた排気口から前記チャンバ内の雰囲気を排出する排気部と、前記チャンバの底板部に設けられた給気口から前記チャンバ内に気体を供給する給気部と、前記支持部に支持される基板と前記チャンバの底板部との間に位置するように配置された底面整流板と、前記下降位置に配置されている前記支持部によって支持される基板と前記チャンバの側壁部との間において該側壁部の内面から間隔をあけて位置するように該側壁部の内側に位置しており、かつ前記下降位置に配置されている前記支持部によって支持される基板の周囲を囲むように配置された複数の側面整流板と、を備えた減圧乾燥装置を用いて、前記基板の上面に形成された塗膜を乾燥させる減圧乾燥方法であって、
    前記チャンバ内において前記支持部によって前記基板が下方から支持された状態で、前記排気部によって前記チャンバ内の雰囲気を排出させる排気工程と、
    該排気工程の後に、前記チャンバ内において前記支持部によって前記基板が下方から支持された状態で、前記給気部によって前記チャンバ内に気体を供給させる給気工程と、
    前記排気工程および前記給気工程のうちの少なくとも一方の工程が実行されている際に、水平方向において前記支持部に支持される基板と前記側壁部との間に前記複数の側面整流板がある前記下降位置と、前記支持部に支持される基板が前記複数の側面整流板よりも上方に位置する前記上昇位置との間で、前記昇降部によって前記支持部を繰り返し昇降させる昇降工程と、
    を有する、減圧乾燥方法。
  4. 請求項３に記載の減圧乾燥方法であって、
    前記昇降工程は、前記排気工程が実行されている際に前記昇降部によって前記下降位置と前記上昇位置との間で前記支持部を繰り返し昇降させる第１昇降工程と、前記給気工程が実行されている際に前記昇降部によって前記下降位置と前記上昇位置との間で前記支持部を繰り返し昇降させる第２昇降工程と、を含む、減圧乾燥方法。
  5. 基板を収容するチャンバと、該チャンバ内において前記基板を下方から支持する支持部と、前記チャンバ内において前記支持部を下降位置と該下降位置よりも高い上昇位置との間で上下方向に昇降させる昇降部と、前記チャンバの底板部に設けられた排気口から前記チャンバ内の雰囲気を排出する排気部と、前記チャンバの底板部に設けられた給気口から前記チャンバ内に気体を供給する給気部と、前記支持部に支持される基板と前記チャンバの底板部との間に位置するように配置された底面整流板と、前記下降位置に配置されている前記支持部によって支持される基板と前記チャンバの側壁部との間において該側壁部の内面から間隔をあけて位置するように該側壁部の内側に位置しており、かつ前記下降位置に配置されている前記支持部によって支持される基板の周囲を囲むように配置された複数の側面整流板と、前記排気部、前記給気部および前記昇降部を制御する制御部と、を備えた前記基板の上面に形成された塗膜を乾燥させる減圧乾燥装置において、前記制御部に含まれるプロセッサによって実行される際に、
    前記制御部が、前記チャンバ内において前記支持部によって前記基板が下方から支持された状態で、前記排気部によって前記チャンバ内の雰囲気を排出させる排気工程と、
    前記制御部が、前記排気工程の後に、前記チャンバ内において前記支持部によって前記基板が下方から支持された状態で、前記給気部によって前記チャンバ内に気体を供給させる給気工程と、
    前記制御部が、前記排気工程および前記給気工程のうちの少なくとも一方の工程を実行させている際に、水平方向において前記支持部に支持される基板と前記側壁部との間に前記複数の側面整流板がある前記下降位置と、前記支持部に支持される基板が前記複数の側面整流板よりも上方に位置する前記上昇位置との間で、前記昇降部によって前記支持部を繰り返し昇降させる昇降工程と、を実行させる、プログラム。
  6. 請求項５に記載のプログラムであって、
    前記昇降工程は、前記制御部が、前記排気工程を実行させている際に前記昇降部によって前記下降位置と前記上昇位置との間で前記支持部を繰り返し昇降させる第１昇降工程と、前記制御部が、前記給気工程を実行させている際に前記昇降部によって前記下降位置と前記上昇位置との間で前記支持部を繰り返し昇降させる第２昇降工程と、を含む、プログラム。
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