JP2023036142A - 支持ピン、減圧乾燥装置および減圧乾燥方法 - Google Patents

Abstract

【課題】簡単な構成で基板の上面に形成された塗膜をより均一に乾燥させる。【解決手段】基板を下方から支持するための支持ピンは、第１磁石を有する本体部と、第２磁石を有し且つ基板の下面に当接させるための当接部と、を備えている。第１磁石と第２磁石とは、第１磁石から第２磁石に向かう第１方向において、離間しているとともに、同一の磁極が対向している状態で位置している。本体部は、第１磁石と第２磁石との間における反発力によって第１方向に向かう力が働いている当接部を係止し且つ第１方向に垂直な方向における当接部の移動を規制する係止部分を含む。当接部は、係止部分によって係止される第１部分と、該第１部分が係止部分によって係止されている状態で本体部よりも第１方向に位置している第１領域を有する第２部分と、を含み、第１方向とは逆の第２方向に移動することで本体部から離間することが可能な空間を本体部との間に介して位置している。【選択図】図９

Description

本発明は、基板の上面に形成された塗膜を減圧によって乾燥させる技術に関する。

例えば、各種の基板に塗布されたフォトレジスト等の塗膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置が知られている。各種の基板には、例えば、各種のデバイスを形成するためのガラス基板、セラミック基板、半導体ウエハ、電子デバイス基板または印刷用の印刷版等の種々の基板が適用される。各種のデバイスには、例えば、半導体装置、表示パネル、太陽電池パネル、磁気ディスク、または光ディスク等が適用される。表示パネルには、例えば、液晶表示パネル、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示パネル、プラズマ表示パネル、または電界放出ディスプレイ等が適用される。

減圧乾燥装置を用いて塗膜を乾燥する際には、例えば、チャンバ内において複数のピンが基板を支持している状態で、チャンバの底部の排気口を介して真空ポンプでチャンバ内から排気を行う。そして、例えば、真空度が所定値に到達するとチャンバ内からの排気を停止し、チャンバ内にガスを供給することでチャンバ内を大気圧に戻す。ガスには、例えば、窒素ガス等の不活性ガスまたは空気等が適用される。

ところで、減圧乾燥装置では、例えば、基板の上面に形成された塗膜において、場所に応じて乾燥速度が違っていれば、その乾燥速度の違いに応じた乾燥のムラ（乾燥ムラともいう）が生じ得る。乾燥ムラは、例えば、乾燥後の塗膜における厚さのばらつき等を生じさせる。

例えば、基板において、複数のピンの接触により、複数のピンによって支持されている部分とその周辺の部分との間に温度差が生じ得る。これにより、例えば、複数のピンに起因する温度差に応じて、塗膜の乾燥速度に違いが生じ得る。その結果、例えば、塗膜において複数のピンの配置に応じた乾燥ムラが生じ得る。ここでは、例えば、塗膜の減圧乾燥時には、塗膜から溶剤等が気化する際に生じる気化熱によって基板の温度が低下するものの、複数のピンの熱容量が大きい場合にも、複数のピンが熱容量の大きなチャンバ等に連結されている場合にも、複数のピンの温度が変化し難い。このため、例えば、基板において複数のピンの配置に応じた温度差が生じ得る。

特許文献１には、基板を支持する複数のピンを、内部空間内の流体が排出されることで冷却される中空ピン、あるいは内部空間内に冷却水等の液体が供給されることで冷却される中空ピンとすることが記載されている。

特許第６５７９７７３号公報

しかしながら、特許文献１に係る減圧乾燥装置では、装置構成が複雑になり装置価格が高くなることにつながる。また、例えば、中空ピンに冷却水を供給する構成では、冷却水の漏れによって、チャンバ内の真空状態に悪影響を及ぼす場合も考えられる。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、簡単な構成によって基板の上面に形成された塗膜をより均一に乾燥させる技術を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、第１の態様に係る支持ピンは、基板を下方から支持するための支持ピンであって、第１磁石を有する本体部と、第２磁石を有するとともに前記基板の下面に当接させるための当接部と、を備えている。前記第１磁石と前記第２磁石とは、前記第１磁石から前記第２磁石に向かう第１方向において、離間しているとともに、同一の磁極が対向している状態で位置している。前記本体部は、前記第１磁石と前記第２磁石との間における反発力によって前記第１方向に向かう力が働いている前記当接部を係止するとともに、前記第１方向に垂直な方向における前記当接部の移動を規制する係止部分、を含む。前記当接部は、前記係止部分によって係止される第１部分と、該第１部分が前記係止部分によって係止されている状態で前記本体部よりも前記第１方向に位置している第１領域を有する第２部分と、を含むとともに、前記第１方向とは逆の第２方向に移動することで前記本体部から離間することが可能な空間を前記本体部との間に介して位置している。

第２の態様に係る支持ピンは、第１の態様に係る支持ピンであって、前記当接部は、前記第１磁石と前記第２磁石との間における反発力に抗して前記第２方向に押されることで、前記本体部から離間する。

第３の態様に係る減圧乾燥装置は、基板の上面に形成された塗膜を乾燥させる減圧乾燥装置であって、前記基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内において前記基板を下方から支持する支持部と、前記チャンバ内の雰囲気を排出する排気部と、を備えている。前記支持部は、前記基板を下方からそれぞれ支持する第１支持ピンおよび第２支持ピン、を含む。前記第１支持ピンは、前記基板が水平方向にずれないように前記基板を下方から支持する。前記第２支持ピンは、第１磁石を有する本体部と、第２磁石を有するとともに前記基板の下面に当接する当接部と、を有する。前記第１磁石と前記第２磁石とは、前記第１磁石から前記第２磁石に向かう上方向において、離間しているとともに、同一の磁極が対向している状態で位置している。前記本体部は、前記第１磁石と前記第２磁石との間における反発力によって上方向に向かう力が働いている前記当接部を係止するとともに、上方向に垂直な水平方向における前記当接部の移動を規制する係止部分、を含む。前記当接部は、前記係止部分によって係止される第１部分と、該第１部分が前記係止部分によって係止されている状態で前記本体部よりも上方向に位置する第１領域を有する第２部分と、を含むとともに、下方向に移動することで前記本体部から離間することが可能な空間を前記本体部との間に介して位置している。

第４の態様に係る減圧乾燥装置は、第３の態様に係る減圧乾燥装置であって、前記第１支持ピンは、前記基板のうちの前記上面に前記塗膜が形成されていない非塗布領域を下方から支持する。

第５の態様に係る減圧乾燥装置は、第４の態様に係る減圧乾燥装置であって、前記非塗布領域は、前記基板の外周部に沿って位置している。

第６の態様に係る減圧乾燥装置は、第３から第５の何れか１つの態様に係る減圧乾燥装置であって、前記本体部は、上方向に沿って延びる筒状の筒状部分を含む。前記第１磁石は、前記筒状部分の中空部分および前記筒状部分の下部に沿った部分のうちの少なくとも一方に位置している部分を含む。前記係止部分は、前記筒状部分の上部に沿って位置しているとともに、上方向に貫通している第１貫通孔を有する。前記当接部は、前記中空部分内において、前記筒状部分の内周面から離間している状態で位置している第３部分を含む。前記第３部分は、前記第２磁石を含む。前記第２部分の前記第１領域は、前記第１部分の上部に接続もしくは連結しており、前記第１部分が前記係止部分によって係止されている状態で前記第１貫通孔から上方向に突出している。

第７の態様に係る減圧乾燥装置は、第６の態様に係る減圧乾燥装置であって、前記第２部分は、前記第１部分から上方向に向かうにつれて、前記第２部分の水平方向に沿った仮想断面の中心を通る上下方向に沿った第１仮想中心線に近づくように該第１仮想中心線に対して傾斜している第１傾斜外周面を有する。

第８の態様に係る減圧乾燥装置は、第７の態様に係る減圧乾燥装置であって、前記第１貫通孔は、上方向に向かうにつれて該第１貫通孔の上下方向に沿った第２仮想中心線に近づくように狭くなっている内部空間を有する。

第９の態様に係る減圧乾燥装置は、第３から第５の何れか１つの態様に係る減圧乾燥装置であって、前記本体部は、上方向に沿って延びる棒状部分を含む。前記第１磁石は、前記棒状部分に固定されている。前記係止部分は、前記棒状部分の上部に沿って位置している。前記第１部分は、前記棒状部分が貫通している第２貫通孔を有し且つ前記棒状部分に沿って上下方向に移動可能に位置している環状の部分を含む。

第１０の態様に係る減圧乾燥装置は、第９の態様に係る減圧乾燥装置であって、前記係止部分は、下方向に向かうにつれて前記棒状部分の上下方向に沿って延びる第３仮想中心線に近づくように該第３仮想中心線に対して傾斜している第２傾斜外周面を有する。

第１１の態様に係る減圧乾燥装置は、第３から第１０の何れか１つの態様に係る減圧乾燥装置であって、前記当接部は、前記支持部が前記基板を下方から支持していない状態において上下方向における第１位置に位置し、前記支持部が前記基板を下方から支持している状態において上下方向における前記第１位置よりも下方の第２位置に位置する。

第１２の態様に係る減圧乾燥方法は、基板の上面に形成された塗膜を乾燥する減圧乾燥方法であって、載置工程と、排気工程と、を有する。前記載置工程において、チャンバ内に配置された複数の支持ピンに前記基板を載置する。前記排気工程において、前記複数の支持ピンのうちの第１支持ピンによって前記基板が水平方向にずれないように前記基板を下方から支持し、前記複数の支持ピンのうちの第２支持ピンにおける本体部から浮上して離間している当接部によって前記基板を下方から支持している状態で、排気部によって前記チャンバ内の雰囲気を排出して、前記チャンバ内を減圧する。

第１および第２の何れの態様に係る支持ピンによっても、例えば、第１方向を上方向として支持ピンを減圧乾燥装置に適用し、当接部上に基板を載置することで、当接部が下方向に移動することで本体部から離間し得る。このため、例えば、本体部に対して浮上して離間している当接部によって基板を下方から支持させることができる。この場合には、例えば、当接部の熱容量が小さく、当接部には熱容量が大きな部分が接続も接触もしていない。これにより、例えば、基板において複数の支持ピンの配置に応じた温度差が生じにくい。その結果、例えば、簡単な構成によって基板の上面に形成された塗膜をより均一に乾燥させることができる。

第２の態様に係る支持ピンによれば、例えば、第１方向を上方向として支持ピンを減圧乾燥装置に適用し、当接部上に基板を載置することで、基板の重量によって、第１磁石と第２磁石との間における反発力に抗して当接部を下方に押し下げることができる。これにより、例えば、本体部に対して浮上して離間している当接部によって基板を下方から支持させることができる。これにより、例えば、基板において複数の支持ピンの配置に応じた温度差が生じにくい。その結果、例えば、簡単な構成によって基板の上面に形成された塗膜をより均一に乾燥させることができる。

第３から第１１の何れの態様に係る減圧乾燥装置によっても、例えば、第１支持ピン上および第２支持ピンの当接部上に基板を載置することで、第１支持ピンによって基板が水平方向にずれないように基板を下方から支持させ、第２支持ピンにおいて本体部に対して浮上して離間している当接部によって基板を下方から支持させることができる。この場合には、例えば、当接部の熱容量が小さく、当接部には熱容量が大きな部分が接続も接触もしていない。これにより、例えば、基板において複数の支持ピンの配置に応じた温度差が生じにくい。その結果、例えば、簡単な構成によって基板の上面に形成された塗膜をより均一に乾燥させることができる。

第４の態様に係る減圧乾燥装置によれば、例えば、基板のうちの上面に塗膜が形成された塗布領域において、複数の支持ピンの配置に応じた温度差が生じにくい。これにより、例えば、簡単な構成によって基板の上面に形成された塗膜をより均一に乾燥させることができる。

第５の態様に係る減圧乾燥装置によれば、例えば、第１支持ピンを容易に配置することができる。

第６の態様に係る減圧乾燥装置によれば、例えば、本体部の係止部分に当接部の第１部分が係止される構成が容易に実現され得る。

第７および第８の何れの態様に係る減圧乾燥装置によっても、例えば、当接部の第２部分のうちの第１貫通孔から上方向に突出している第１領域が、水平方向において第１貫通孔の中心に対して容易に位置決めされ得る。

第９の態様に係る減圧乾燥装置によれば、例えば、本体部の係止部分に当接部の第１部分が係止される構成が容易に実現され得る。

第１０の態様に係る減圧乾燥装置によれば、例えば、第１部分が、水平方向において棒状部分の中心に対して容易に位置決めされ得る。

第１２の態様に係る減圧乾燥方法によれば、例えば、複数の支持ピンによって基板を下方から支持する際に、複数の支持ピンのうちの第２支持ピンの当接部は、熱容量が小さく、熱容量が大きな部分に接続も接触もしていない。これにより、例えば、基板において複数の支持ピンの配置に応じた温度差が生じにくい。その結果、例えば、簡単な構成によって基板の上面に形成された塗膜をより均一に乾燥させることができる。

図１は、一実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を示す図である。 図２は、一実施形態に係る減圧乾燥装置の横断面の一例を示す図である。 図３は、一実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を示す図である。 図４は、基板の一例を示す斜視図である。 図５は、基板の一部分の縦断面の一例を示す図である。 図６は、第１支持ピンの外観の一例を示す正面図である。 図７は、第２支持ピンの外観の一例を示す正面図である。 図８は、第２支持ピンの外観の一例を示す平面図である。 図９は、第２支持ピンの縦断面の一例を示す図である。 図１０は、第２支持ピンの縦断面の一例を示す図である。 図１１は、基板を下方から支持していない状態にある第１支持ピンおよび第２支持ピンの一例を模式的に示す図である。 図１２は、基板を下方から支持している状態にある第１支持ピンおよび第２支持ピンの一例を模式的に示す図である。 図１３は、基板の塗布領域と第１支持ピンおよび第２支持ピンとの関係の一例を示す図である。 図１４は、制御部で実現される機能を概念的に示したブロック図である。 図１５は、一実施形態に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示す流れ図である。 図１６は、第１変形例に係る第２支持ピンの縦断面の一例を示す図である。 図１７は、第２変形例に係る第２支持ピンの外観の一例を示す正面図である。 図１８は、第２変形例に係る第２支持ピンの外観の一例を示す平面図である。 図１９は、第２変形例に係る第２支持ピンの縦断面の一例を示す図である。 図２０は、第２変形例に係る第２支持ピンの縦断面の一例を示す図である。 図２１は、基板を下方から支持していない状態にある第１支持ピンおよび第２支持ピンの一例を模式的に示す図である。 図２２は、基板を下方から支持している状態にある第１支持ピンおよび第２支持ピンの一例を模式的に示す図である。 図２３は、基板の塗布領域と第１支持ピンおよび第２支持ピンとの関係の一変形例を示す図である。

以下、本発明の一実施形態および各種変形例について、図面を参照しつつ説明する。図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。また、本明細書において、下方向は、重力方向であり、上方向は、重力方向とは逆の方向である。

＜１．減圧乾燥装置の構成＞
図１は、一実施形態に係る減圧乾燥装置１の縦断面の一例を模式的に示す図である。図２は、一実施形態に係る減圧乾燥装置１の横断面の一例を模式的に示す図である。図３は、一実施形態に係る減圧乾燥装置１の縦断面の一例を模式的に示す図である。図１の縦断面と図３の縦断面とは、約９０度異なる方向から見た関係を有する。図３では、図面の煩雑化を避けるために、後述する排気部３０、給気部６０、圧力計７０および制御部８０に関する構成が便宜的に省略されている。減圧乾燥装置１は、基板９の上面に形成された塗膜９０（図５参照）を乾燥させる装置である。

基板９には、例えば、ガラス基板、半導体ウエハ、またはセラミック基板等が適用される。基板９は、例えば、第１主面としての第１面Ｆ１（図４および図５参照）と、この第１面とは逆の第２主面としての第２面Ｆ２（図５参照）と、を有する平板状の基板である。例えば、減圧乾燥装置１では、基板９の第１面Ｆ１が基板９の上面とされ、基板９の第２面Ｆ２が基板９の下面とされる。ここでは、基板９に矩形のガラス基板が適用された具体例を適宜挙げて説明する。基板９の第１面Ｆ１には、例えば、予め有機材料および溶剤を含む処理液が塗布されることで、塗膜９０が部分的に形成されている。処理液の塗布は、例えば、スリットコータまたはインクジェット装置等で行われる。処理液には、例えば、ポリイミド前駆体と溶媒とを含む液（ＰＩ液ともいう）またはレジスト液等の塗布液が適用される。ポリイミド前駆体には、例えば、ポリアミド酸（ポリアミック酸）等が適用される。溶媒には、例えば、ＮＭＰ（Ｎ－メチル－２－ピロリドン：N-Methyl-2-Pyrrolidone）が適用される。また、例えば、減圧乾燥装置１が有機ＥＬディスプレイの製造工程に適用される場合には、塗膜９０が、減圧乾燥装置１で乾燥されることによって有機ＥＬディスプレイパネルの正孔注入層、正孔輸送層、または発光層となる態様が採用されてもよい。

図４は、基板９の一例を示す斜視図である。図５は、基板９の一部分の縦断面の一例を示す図である。図４で示されるように、基板９は、例えば、上面視において、縦横の長さが異なる長方形状の形態を有する。基板９には、デバイス等が形成される領域（被形成領域とも塗布領域ともいう）Ａ１が、複数配列されている。図４の例では、上面視において、基板９には、４つの矩形状の塗布領域Ａ１が、２行２列のマトリックス状に配列されている。ただし、塗布領域Ａ１の形状、数、配置は、この例に限定されるものではない。塗膜９０は、減圧乾燥装置１による減圧乾燥工程よりも前の塗布工程において、スリットコータまたはインクジェット装置等によって、各塗布領域Ａ１の上面に、所望のパターンに従って形成される。所望のパターンには、例えば、回路のパターンが適用される。ここでは、例えば、図５で示されるように、各塗布領域Ａ１の上面としての第１面Ｆ１は、塗膜９０に覆われた領域（被覆領域ともいう）Ａ３と、塗膜９０に覆われていない露出した領域（露出領域ともいう）Ａ４と、を有する。また、基板９のうちの塗布領域Ａ１の周囲および隣り合う塗布領域Ａ１の間の領域は、上面としての第１面Ｆ１に塗膜９０が形成されていない領域（非塗布領域ともいう）Ａ２となっている。非塗布領域Ａ２は、塗膜９０に覆われていない露出した領域（露出領域）Ａ４でもある。

図１および図２で示されるように、減圧乾燥装置１は、例えば、チャンバ１０と、支持部２０と、排気部３０と、を備えている。また、減圧乾燥装置１は、例えば、昇降部１００と、給気部６０と、制御部８０と、底面整流板４０と、側面整流板５０と、圧力計７０と、を備えている。

＜＜チャンバ１０＞＞
チャンバ１０は、基板９を収容するための部分である。チャンバ１０には、基板９を収容するための内部空間１０ｓを有する耐圧容器が適用される。チャンバ１０は、例えば、図示を省略した装置フレーム上に固定されている。チャンバ１０の形状は、例えば、扁平な直方体状である。チャンバ１０は、例えば、略正方形状の底板部１１と、４つの側壁部１２と、略正方形状の天板部１３と、を有する。４つの側壁部１２は、例えば、底板部１１の４つの端辺と、天板部１３の４つの端辺とを、上下方向に接続している。例えば、４つの側壁部１２のうちの１つの側壁部１２には、搬入出口１４と、この搬入出口１４を開閉するゲート部（ゲートバルブともいう）１５と、が設けられている。ゲート部１５は、例えば、開閉駆動部１６に連結もしくは接続されている。図３では、図面の煩雑化を避けるために、開閉駆動部１６が概念的に示されている。開閉駆動部１６には、例えば、エアシリンダ等の駆動機構が適用される。ここでは、例えば、開閉駆動部１６の動作によって、ゲート部１５は、搬入出口１４を閉鎖している位置（閉鎖位置ともいう）と、搬入出口１４を開放している位置（開放位置ともいう）との間で移動することができる。

ここで、例えば、ゲート部１５が閉鎖位置に配置された状態では、チャンバ１０の内部空間１０ｓが密閉される。例えば、ゲート部１５が開放位置に配置された状態では、搬入出口１４を介して、チャンバ１０の内部空間１０ｓへの基板９の搬入およびチャンバ１０の内部空間１０ｓからの基板９の搬出を行うことができる。

＜＜支持部２０＞＞
支持部２０は、チャンバ１０内において基板９を下方から支持する部分である。例えば、支持部２０は、チャンバ１０の内部空間１０ｓに位置しており、チャンバ１０の内部空間１０ｓに収容された基板９を下方から支持することができる。支持部２０は、例えば、複数の支持プレート２１と、複数の支持ピン２２と、を有する。複数の支持プレート２１は、例えば、水平方向に間隔をあけて配列されている。各支持プレート２１の上面には、複数の支持ピン２２が立設されている。複数の支持プレート２１は、支持部２０のベースとなる部分である。基板９は、例えば、複数の支持プレート２１の上方に配置され、複数の支持ピン２２の上端部が基板９の下面としての第２面Ｆ２に接触することで、基板９が水平姿勢で支持される。

複数の支持ピン２２は、例えば、第１支持ピン２２ａおよび第２支持ピン２２ｂを含む。換言すれば、支持部２０は、基板９を下方からそれぞれ支持する第１支持ピン２２ａおよび第２支持ピン２２ｂを含む。図１および図３の例では、複数の支持ピン２２は、例えば、複数の第１支持ピン２２ａと、複数の第２支持ピン２２ｂと、を含む。換言すれば、支持部２０は、複数の第１支持ピン２２ａと、複数の第２支持ピン２２ｂと、を含む。図６は、第１支持ピン２２ａの外観の一例を示す正面図である。図７は、第２支持ピン２２ｂの外観の一例を示す正面図である。図８は、第２支持ピン２２ｂの外観の一例を示す平面図である。図７および図８には、隠れている部分が破線で描かれている。図９および図１０は、それぞれ第２支持ピン２２ｂの縦断面の一例を示す図である。

第１支持ピン２２ａは、基板９が水平方向にずれないように基板９を下方から支持することができる。図６で示されるように、第１支持ピン２２ａには、例えば、上下方向に沿って延びる長細い部材が適用される。第１支持ピン２２ａには、例えば、上下方向に沿って延びる棒状の部材が適用されてもよいし、上端部（第１上端部ともいう）１ｔが尖るような円錐状または角錐状等の錐状の部材が適用されてもよい。第１支持ピン２２ａの材料には、例えば、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）もしくはポリイミド（ＰＩ）等の樹脂材料が適用される。例えば、樹脂材料の摩擦力が適宜調整されることで、第１支持ピン２２ａは、第１支持ピン２２ａの第１上端部１ｔと基板９の下面としての第２面Ｆ２との間の摩擦力により、基板９が水平方向にずれないように下方から基板９を支持することができる。

第２支持ピン２２ｂは、本体部２ｂと、当接部２ｃと、を有する。本体部２ｂと、当接部２ｃとは、互いに接続もしくは連結等されていない別体で構成されている。第２支持ピン２２ｂは、基準となる本体部２ｂに対して当接部２ｃを浮上させた状態で、当接部２ｃの上端部（第２上端部ともいう）２ｔによって基板９を下方から支持することができる。このため、第２支持ピン２２ｂは、本体部２ｂから当接部２ｃが離間しており、当接部２ｃの熱容量が小さく、当接部２ｃに熱容量が大きな部分が接続も接触もしていない状態で、基板９を下方から支持することができる。これにより、例えば、基板９において複数の支持ピン２２の配置に応じた温度差が生じにくく、基板９の上面としての第１面Ｆ１に形成された塗膜９０をより均一に乾燥させることができる。

ここで、第２支持ピン２２ｂについてさらに説明する。

本体部２ｂは、第２支持ピン２２ｂが設けられた部材に固定されている部分である。換言すれば、本体部２ｂは、支持部２０のベース部に固定されている部分である。図１および図３の例では、本体部２ｂは、支持部２０のベース部である支持プレート２１の上面に固定されている。換言すれば、本体部２ｂは、熱容量が大きな部分に接続もしくは接触している部分である。また、本体部２ｂは、第１磁石Ｍ１を有する。第１磁石Ｍ１には、永久磁石が適用され得る。

当接部２ｃは、基板９の下面としての第２面Ｆ２に当接する部分である。具体的には、チャンバ１０の内部空間１０ｓに基板９が収容されていない場合には、当接部２ｃは、基板９の下面としての第２面Ｆ２に当接させるための部分である。チャンバ１０の内部空間１０ｓに基板９が収容されている場合には、当接部２ｃは、基板９の下面としての第２面Ｆ２に当接している状態となる。また、当接部２ｃは、第２磁石Ｍ２を有する。第２磁石Ｍ２には、永久磁石が適用され得る。第２磁石Ｍ２は、第１磁石Ｍ１から第１方向としての上方向に離間している状態で位置している。換言すれば、第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２とは、第１磁石Ｍ１から第２磁石Ｍ２に向かう上方向において離間している。図９および図１０の例では、第１磁石Ｍ１は、本体部２ｂの下部に位置しており、第２磁石Ｍ２は、当接部２ｃの下部に位置している。第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２とは、同一の磁極が対向している状態で位置している。図９および図１０の例では、第１磁石Ｍ１において、第１磁極を有する部分（第１磁極部ともいう）Ｍ１１が下部に位置し、第２磁極を有する部分（第２磁極部ともいう）Ｍ１２が上部に位置している。また、第２磁石Ｍ２において、第１磁極を有する部分（第１磁極部）Ｍ２１が上部に位置し、第２磁極を有する部分（第２磁極部）Ｍ２２が下部に位置している。第１磁極がＮ極である場合には、第２磁極はＳ極である。第１磁極がＳ極である場合には、第２磁極はＮ極である。第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２とは、同一の磁極が対向している状態で位置していることで、第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２との間に反発力が生じている状態にある。この反発力によって、本体部２ｂを基準として、当接部２ｃには上方向に向かう力が働く。これにより、当接部２ｃは、本体部２ｂから浮上している状態で、基板９の下方を支持することが可能となる。

本体部２ｂは、係止部分Ｆｋ１を含む。係止部分Ｆｋ１は、第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２との間における反発力によって上方向に向かう力が働いている当接部２ｃを係止するとともに、上方向に垂直な方向（水平方向ともいう）における当接部２ｃの移動を規制する部分である。換言すれば、係止部分Ｆｋ１は、当接部２ｃが本体部２ｂに対して上方向に移動可能な領域を規定するとともに、当接部２ｃが本体部２ｂに対して水平方向に移動可能な領域を規定する部分である。別の観点から言えば、係止部分Ｆｋ１は、第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２との間における反発力および外力等によって、当接部２ｃが本体部２ｂから遠く離れた位置まで移動し過ぎて第２支持ピン２２ｂが分解しないように、本体部２ｂに対して当接部２ｃが移動可能な範囲を規制する部分として働く。

当接部２ｃは、第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２とを含む。第１部分Ｐ１は、本体部２ｂの係止部分Ｆｋ１によって係止される部分である。第２部分Ｐ２は、第１部分Ｐ１が係止部分Ｆｋ１によって係止されている状態で本体部２ｂよりも上方向に位置する領域（第１領域ともいう）Ａｒ１を有する。第１領域Ａｒ１は、当接部２ｃの上端部（第２上端部）２ｔを含む。図９および図１０の例では、第１部分Ｐ１上に第２部分Ｐ２が接続している。第２部分Ｐ２は、例えば、第１部分Ｐ１上に連結していてもよい。また、当接部２ｃは、第２方向としての下方向に移動することで、本体部２ｂから離間することが可能な空間（移動可能空間ともいう）Ｓｐ１を本体部２ｂとの間に介して位置している。図９および図１０の例では、移動可能空間Ｓｐ１は、第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２との間に位置している。ここでは、図１０で示されるように、当接部２ｃは、第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２との間における反発力に抗して下方向に押されることで、本体部２ｂから離間し得る。これにより、当接部２ｃは、本体部２ｂから離間しており、本体部２ｂに対して浮上している状態となる。図１０では、当接部２ｃを下方向に押す力が太い矢印で模式的に描かれている。

一実施形態では、本体部２ｂは、上方向に沿って延びる筒状の部分（筒状部分ともいう）Ｐｐ１を含む。図７から図１０の例では、筒状部分Ｐｐ１は、上方向に沿って中空部分Ｈｐ１が延びるように位置している円筒状の部分である。筒状部分Ｐｐ１は、例えば、上方向に沿って中空部分Ｈｐ１が延びるように位置している円筒状もしくは角筒状等の筒状の部分であってもよい。また、第１磁石Ｍ１は、筒状部分Ｐｐ１の中空部分Ｈｐ１に位置している。図７から図１０の例では、第１磁石Ｍ１は、筒状部分Ｐｐ１の中空部分Ｈｐ１のうちの下方の開口を塞ぐように位置している。第１磁石Ｍ１は、例えば、筒状部分Ｐｐ１の下部に沿って位置していてもよい。換言すれば、例えば、第１磁石Ｍ１は、筒状部分Ｐｐ１の中空部分Ｈｐ１および筒状部分Ｐｐ１の下部に沿った部分のうちの少なくとも一方に位置している部分を含んでいてもよい。また、係止部分Ｆｋ１は、筒状部分Ｐｐ１の上部に沿って位置しているとともに、上方向に貫通している貫通孔（第１貫通孔ともいう）Ｔｈ１を有する。換言すれば、筒状部分Ｐｐ１は、第１磁石Ｍ１と係止部分Ｆｋ１とを連結している部分（連結部分ともいう）としての機能を有する。筒状部分Ｐｐ１と係止部分Ｆｋ１とは、例えば、一体の部材で構成されていてもよいし、相互に接合もしくは連結等によって固定されていてもよい。第１貫通孔Ｔｈ１は、筒状部分Ｐｐ１の中空部分Ｈｐ１と上下方向で接続している。これにより、第１貫通孔Ｔｈ１と中空部分Ｈｐ１とが本体部２ｂの内部空間を構成している。第１貫通孔Ｔｈ１の水平方向に沿った断面（水平断面）は、中空部分Ｈｐ１の水平方向に沿った断面（水平断面）よりも小さい。図７から図１０の例では、本体部２ｂの係止部分Ｆｋ１は、第１貫通孔Ｔｈ１の最上部を囲む円環状の構成を有する。係止部分Ｆｋ１は、例えば、第１貫通孔Ｔｈ１を囲む他の環状の形態を有する部分であってもよい。第１貫通孔Ｔｈ１には、例えば、筒状部分Ｐｐ１の外周部に開口するスリットもしくは切り欠き等が接続していてもよい。本体部２ｂのうちの第１磁石Ｍ１を除く筒状部分Ｐｐ１および係止部分Ｆｋ１等の部分の材料には、例えば、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）もしくはポリイミド（ＰＩ）等の樹脂材料、セラミックスまたは非磁性の金属等の種々の材料が適用され得る。

一実施形態では、当接部２ｃは、当接部２ｃのうちの第１部分Ｐ１よりも下方に位置している部分が、本体部２ｂの内部空間を上下に移動することができる。当接部２ｃは、例えば、中空部分Ｈｐ１内において、筒状部分Ｐｐ１の内周面（第１内周面ともいう）Ｉｗ１から離間している状態で位置している部分（第３部分ともいう）Ｐ３を含む。この第３部分Ｐ３は、第２磁石Ｍ２を含む。当接部２ｃでは、第２部分Ｐ２の第１領域Ａｒ１は、第１部分Ｐ１の上部に接続もしくは連結している。そして、第２部分Ｐ２の第１領域Ａｒ１は、第１部分Ｐ１が本体部２ｂの係止部分Ｆｋ１によって係止されている状態で、第１貫通孔Ｔｈ１から上方向に突出している状態となる。この場合には、本体部２ｂの係止部分Ｆｋ１に当接部２ｃの第１部分Ｐ１が係止される構成が容易に実現され得る。図９および図１０の当接部２ｃの例では、当接部２ｃは、基板９の下面としての第２面Ｆ２に直接接触するための部分（被接触部ともいう）Ｃｐ１と、被接触部Ｃｐ１の下面に固定されている第２磁石Ｍ２と、を有する。被接触部Ｃｐ１は、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２を含む。被接触部Ｃｐ１の材料には、例えば、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）もしくはポリイミド（ＰＩ）等の樹脂材料が適用される。

また、一実施形態では、第２部分Ｐ２は、傾斜している外周面（第１傾斜外周面ともいう）Ｔｓ１を有する。第１傾斜外周面Ｔｓ１は、第１部分Ｐ１から上方向に向かうにつれて、第２部分Ｐ２の水平方向に沿った仮想的な断面（仮想断面ともいう）の中心（重心）を通る上下方向に沿った仮想線（第１仮想中心線ともいう）Ｌｃ１に近づくように、第１仮想中心線Ｌｃ１に対して傾斜している。この場合には、例えば、第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２との間の反発力によって、本体部２ｂに対して当接部２ｃが上方向に移動する際に、第２部分Ｐ２の第１傾斜外周面Ｔｓ１が係止部分Ｆｋ１に対して摺り動いて、第２部分Ｐ２の第１仮想中心線Ｌｃ１が、第１貫通孔Ｔｈ１の上下方向に沿った仮想的な中心線（第２仮想中心線ともいう）Ｌｃ２に近接もしくは一致し得る。その結果、例えば、第１部分Ｐ１が係止部分Ｆｋ１で係止される際に、第２部分Ｐ２のうちの第１貫通孔Ｔｈ１から上方向に突出している第１領域Ａｒ１が、水平方向において第１貫通孔Ｔｈ１の中心に対して容易に位置決めされ得る。第２仮想中心線Ｌｃ２には、例えば、第１貫通孔Ｔｈ１の水平方向に沿った仮想的な断面における中心（重心）を通る上下方向に沿った仮想線が適用される。図９および図１０の例では、第２部分Ｐ２は、上方向に凸の円錐状の形状を有しており、被接触部Ｃｐ１が上方向に凸状の円錐状の形状を有する。第２部分Ｐ２および被接触部Ｃｐ１は、例えば、円錐状もしくは角錐状等の上方向に凸の錐状の形状を有していてもよい。例えば、第２部分Ｐ２が上方向に凸の錐状の形状を有していれば、被接触部Ｃｐ１は全体として錐状の形状を有していなくてもよい。また、例えば、第２部分Ｐ２の外周面のうちの第１部分Ｐ１から第２上端部２ｔに向かう一部の区間が、第１傾斜外周面Ｔｓ１となっていてもよい。

また、一実施形態では、第１貫通孔Ｔｈ１は、上方向に向かうにつれて第１貫通孔Ｔｈ１の上下方向に沿った第２仮想中心線Ｌｃ２に近づくように狭くなっている内部空間（第１内部空間ともいう）Ｉｓ１を有する。換言すれば、係止部分Ｆｋ１のうちの第１貫通孔Ｔｈ１の外周を規定する内周面（第２内周面ともいう）Ｉｗ２は、上方向に向かうにつれて、第２仮想中心線Ｌｃ２に近づくように第２仮想中心線Ｌｃ２に対して傾斜している面である。このような構成が採用されれば、例えば、第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２との間の反発力によって、本体部２ｂに対して当接部２ｃが上方向に移動する際に、第２部分Ｐ２が係止部分Ｆｋ１の傾斜している第２内周面Ｉｗ２に対して摺り動いて、第２部分Ｐ２の第１仮想中心線Ｌｃ１が、第１貫通孔Ｔｈ１の第２仮想中心線Ｌｃ２に近接もしくは一致し得る。その結果、例えば、第１部分Ｐ１が係止部分Ｆｋ１で係止される際に、第２部分Ｐ２のうちの第１貫通孔Ｔｈ１から上方向に突出している第１領域Ａｒ１が、水平方向において第１貫通孔Ｔｈ１の中心に対して容易に位置決めされ得る。図９および図１０の例では、第１貫通孔Ｔｈ１の第１内部空間Ｉｓ１は、円錐台状の形状を有する。第１内部空間Ｉｓ１は、例えば、円錐台状もしくは角錐台状等の上方向に向かうにつれて狭くなっている錐台状の形状を有していてもよい。また、例えば、係止部分Ｆｋ１のうちの第１貫通孔Ｔｈ１の外周を規定する第２内周面Ｉｗ２は、第１貫通孔Ｔｈ１の下端部から上端部に向かう一部の区間において、上方向に向かうにつれて、第２仮想中心線Ｌｃ２に近づくように第２仮想中心線Ｌｃ２に対して傾斜していてもよい。

ここで、支持部２０によって基板９を下方から支持する態様について説明する。図１１は、基板９を下方から支持していない状態にある第１支持ピン２２ａおよび第２支持ピン２２ｂの一例を模式的に示す図である。図１２は、基板９を下方から支持している状態にある第１支持ピン２２ａおよび第２支持ピン２２ｂの一例を模式的に示す図である。図１１および図１２では、それぞれ、図面の複雑化を防ぐために、２本の第１支持ピン２２ａおよび１本の第２支持ピン２２ｂが便宜的に描かれている。また、図１２では、基板９が当接部２ｃを下方向に押す力が太い矢印で模式的に描かれている。

図１１から図１２で示されるように、例えば、第１支持ピン２２ａ上および第２支持ピン２２ｂの当接部２ｃ上に基板９を載置すると、第１支持ピン２２ａによって基板９が水平方向にずれないように下方から支持されている状態となる。このとき、第２支持ピン２２ｂでは、第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２との間における反発力に抗して基板９の重さによって当接部２ｃが下方向に押されることで、当接部２ｃが本体部２ｂから離間している状態となる。これにより、当接部２ｃが、本体部２ｂから離間しており、本体部２ｂに対して浮上している状態となる。このとき、第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２との距離が短くなることで第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２との間の反発力が高まり、第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２との間の反発力と、当接部２ｃにかかる重力と基板９が当接部２ｃを下方向に押す力との合力と、がつり合っている状態となる。この場合には、第２支持ピン２２ｂでは、本体部２ｂから当接部２ｃが離間しており、当接部２ｃの熱容量が小さく、当接部２ｃには熱容量が大きな部分が接続も接触もしていない。これにより、例えば、基板９において複数の支持ピン２２の配置に応じた温度差が生じにくい。その結果、例えば、基板９の上面としての第１面Ｆ１に形成された塗膜９０をより均一に乾燥させることができる。

ここで、図１１で示されるように、支持部２０が基板９を下方から支持していない状態においては、当接部２ｃは、上下方向における第１位置Ｖｐ１に位置している。図１２で示されるように、支持部２０が基板９を下方から支持している状態において、当接部２ｃは、上下方向における第１位置Ｖｐ１よりも下方の第２位置Ｖｐ２に位置している。このため、第２支持ピン２２ｂでは、当接部２ｃは、支持部２０が基板９を下方から支持していない状態において上下方向における第１位置Ｖｐ１に位置し、支持部２０が基板９を下方から支持している状態において上下方向における第１位置Ｖｐ１よりも下方の第２位置Ｖｐ２に位置する。

図１３は、基板９の塗布領域Ａ１と第１支持ピン２２ａおよび第２支持ピン２２ｂとの関係の一例を示す図である。図１３では、基板９の下面としての第２面Ｆ２のうち、第１支持ピン２２ａによって支持される位置が白丸で示されており、第２支持ピン２２ｂによって支持される位置が黒丸で示されている。また、図１３では、基板９のうちの上面としての第１面Ｆ１に塗膜９０が形成された塗布領域Ａ１の外縁が二点鎖線で描かれている。

図１３で示されるように、第１支持ピン２２ａは、基板９のうちの上面としての第１面Ｆ１に塗膜９０が形成されていない非塗布領域Ａ２を下方から支持するように配置されている。第２支持ピン２２ｂは、基板９のうちの上面としての第１面Ｆ１に塗膜９０が形成された塗布領域Ａ１を下方から支持するように配置されている。これにより、例えば、基板９のうちの上面としての第１面Ｆ１に塗膜９０が形成された塗布領域Ａ１において、複数の支持ピン２２の配置に応じた温度差が生じにくい。その結果、例えば、簡単な構成によって基板９の上面としての第１面Ｆ１に形成された塗膜９０をより均一に乾燥させることができる。ここで、複数の第２支持ピン２２ｂのうちの一部の第２支持ピン２２ｂは、例えば、基板９のうちの非塗布領域Ａ２を下方から支持するように配置されてもよい。図１３の例では、非塗布領域Ａ２は、基板９の外周部９ｏｐに沿って位置している。基板９の外周部９ｏｐは、第１面Ｆ１が上面とされ、第２面Ｆ２が下面とされた状態で、基板９の水平方向の周縁に沿った部分である。また、非塗布領域Ａ２は、基板９のうちの隣り合う塗布領域Ａ１の間にも位置している。この場合に、例えば、基板９の外周部９ｏｐに沿った非塗布領域Ａ２を下方から支持するように、複数の第１支持ピン２２ａを配置する構成が採用されれば、第１支持ピン２２ａを容易に配置することができる。

＜＜排気部３０＞＞
排気部３０は、チャンバ１０内の雰囲気を排出する部分である。排気部３０には、例えば、チャンバ１０の内部空間１０ｓから気体を吸引して、チャンバ１０内の圧力を低下させる機構が適用される。図１および図２で示されるように、チャンバ１０の底板部１１には、例えば、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄが設けられている。４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄは、例えば、支持部２０に支持された基板９の下方に位置するように配置されている。また、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄは、例えば、後述する底面整流板４０の下方に位置している。排気部３０は、例えば、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄに接続された排気配管３１と、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄと、主バルブＶｅと、真空ポンプ３２と、を有する。排気配管３１は、例えば、４つの個別配管３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄと、１つの主配管３１ｅと、を有する。例えば、個別配管３１ａの一端は、排気口１６ａに接続しており、個別配管３１ｂの一端は、排気口１６ｂに接続しており、個別配管３１ｃの一端は、排気口１６ｃに接続しており、個別配管３１ｄの一端は、排気口１６ｄに接続している。例えば、４つの個別配管３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄのそれぞれの他端は、合流して主配管３１ｅの一端に接続されている。例えば、主配管３１ｅの他端は、真空ポンプ３２に接続している。例えば、個別バルブＶａは、個別配管３１ａの経路上に設けられており、個別バルブＶｂは、個別配管３１ｂの経路上に設けられており、個別バルブＶｃは、個別配管３１ｃの経路上に設けられており、個別バルブＶｄは、個別配管３１ｄの経路上に設けられている。例えば、主バルブＶｅは、主配管３１ｅの経路上に設けられている。

ここで、例えば、ゲート部１５によって搬入出口１４を閉鎖した状態で、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄの少なくとも一部と、１つの主バルブＶｅとを開放し、真空ポンプ３２を動作させると、チャンバ１０内の気体が、排気配管３１を介してチャンバ１０の外部へ排出される。これにより、例えば、チャンバ１０の内部空間１０ｓの圧力を低下させることができる。

４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄは、例えば、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄからの排気量を、個別に調節するためのバルブである。４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄのそれぞれには、例えば、制御部８０からの指令に基づいて開状態と閉状態との間で切り替えられる弁（開閉弁ともいう）が適用される。主バルブＶｅは、例えば、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄからの合計の排気量を調整するためのバルブである。主バルブＶｅには、例えば、制御部８０からの指令に基づいて開度が調節され得る弁（開度制御弁ともいう）が適用される。

ここでは、例えば、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄが、支持部２０に支持された基板９の下方に位置することで、基板９の上方に排気口がある場合と比べて、基板９の上方における気体の流れの均一化が促進され、基板９の上面に形成された塗膜９０における乾燥ムラの発生が低減され得る。

＜＜昇降部１００＞＞
昇降部１００は、チャンバ１０内において支持部２０を昇降させる部分である。換言すれば、例えば、昇降部１００は、チャンバ１０の内部空間１０ｓに位置している支持部２０を昇降させることができる機構（昇降機構ともいう）を有する。この昇降部１００により、例えば、支持部２０に支持されている基板９が昇降され得る。図１では、図面の煩雑化を避けるために、昇降部１００が概念的に示されている。図３で示されるように、昇降部１００には、例えば、直動型モータまたはエアシリンダ等の駆動装置が適用される。昇降部１００は、例えば、本体部１００ａと、移動部１００ｂと、を有する。本体部１００ａは、例えば、チャンバ１０の外部において、図示を省略した装置フレームに固定されている。移動部１００ｂは、例えば、本体部１００ａに対して、上下方向に移動することができる。移動部１００ｂには、例えば、棒状の部材等が適用される。移動部１００ｂは、例えば、チャンバ１０の底板部１１の貫通孔１１ｈに挿通された状態で位置している。そして、例えば、移動部１００ｂの上端部に、支持部２０が固定されている。ここでは、例えば、底板部１１の下面と移動部１００ｂとの間にベローズ等が設けられれば、底板部１１と移動部１００ｂとの隙間が密閉され得る。例えば、支持部２０が複数の支持プレート２１を有する場合には、移動部１００ｂは、支持プレート２１ごとに支持プレート２１に固定されており且つ底板部１１の貫通孔１１ｈに挿通された棒状の部分（棒状部ともいう）と、複数の棒状部を連結している部分（連結部ともいう）と、連結部に接続されており且つ本体部１００ａに摺動可能に支持された部分（摺動部ともいう）と、を有する。

ここで、例えば、昇降部１００を動作させると、支持部２０は、下降位置Ｈ１（図１および図３で一点鎖線で示した位置）と、下降位置Ｈ１よりも高い上昇位置Ｈ２（図１および図３で二点鎖線で示した位置）との間で、上下方向に昇降する。このとき、例えば、複数の支持プレート２１は、一体的に昇降し得る。

＜＜底面整流板４０＞＞
底面整流板４０は、排気部３０によるチャンバ１０内の減圧時に、内部空間１０ｓにおける気体の流れを規制するためのプレートである。例えば、底面整流板４０は、支持部２０に支持される基板９と、チャンバ１０の底板部１１との間に位置するように配置されている。具体的には、例えば、底面整流板４０は、下降位置Ｈ１に配置されている支持部２０から間隔をあけて位置するように支持部２０の下側に配置されており、且つ底板部１１の上面から間隔をあけて位置するように底板部１１の上側に配置されている。また、底面整流板４０は、例えば、底板部１１の上面に沿って、水平に拡がるように位置している。底面整流板４０は、例えば、チャンバ１０の底板部１１に、図示を省略した複数の支柱を介して固定されている。図２で示されるように、例えば、底面整流板４０は、上面視において正方形状の形状を有する。そして、例えば、底面整流板４０の上面視における各辺の長さは、長方形状の基板９の長辺および短辺のいずれよりも長い。このため、例えば、支持部２０上に配置される基板９の向きに拘わらず、上面視において、底面整流板４０は、基板９よりも大きい。また、底面整流板４０は、例えば、昇降部１００の移動部１００ｂが挿通された状態にある貫通孔４０ｈを有している。貫通孔４０ｈにおいて、底面整流板４０と移動部１００ｂとは、ごく小さな間隔をあけて位置している。

＜＜側面整流板５０＞＞
側面整流板５０は、底面整流板４０とともに、排気部３０によるチャンバ１０内の減圧時に、内部空間１０ｓにおける気体の流れを規制するためのプレートである。例えば、側面整流板５０は、下降位置Ｈ１に配置されている支持部２０によって支持される基板９と、チャンバ１０の側壁部１２との間に位置するように配置されている。具体的には、例えば、側面整流板５０は、下降位置Ｈ１に配置されている支持部２０に支持される基板９の端部から間隔をあけて基板９の外側に配置されており、且つ側壁部１２の内面から間隔をあけて位置するように側壁部１２の内側に位置している。ここでは、例えば、支持部２０に支持される基板９の周囲を囲むように、４つの側面整流板５０が配置されている。各側面整流板５０は、例えば、側壁部１２の内面に沿って拡がるように位置している。このため、例えば、４つの側面整流板５０は、全体として、基板９を包囲する四角筒状の整流板を形成している。また、例えば、底面整流板４０および４つの側面整流板５０は、全体として、有底筒状の箱状の整流板を形成している。

ここで、例えば、排気部３０によるチャンバ１０内の減圧時には、チャンバ１０の内部空間１０ｓの気体は、側面整流板５０と側壁部１２との間の空間、底面整流板４０と底板部１１との間の空間、および排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄをこの記載の順に通って、チャンバ１０の外部へ排出される。このように、例えば、気体が基板９から離れた空間を流れることで、基板９の近傍に気流が形成され難くなる。そして、基板９の周縁部において集中的な気流の発生が生じ難くなる。これにより、例えば、基板９の上面に形成された塗膜９０の乾燥ムラの発生が低減され得る。

また、ここで、例えば、図２で示されるように、底面整流板４０および４つの側面整流板５０によって形成される箱状の整流板は、上面視において正方形状の形状を有する。そして、この箱状の整流板の上面視における各辺の長さは、長方形状の基板９の長辺および短辺のいずれよりも長い。このため、例えば、支持部２０上に配置される基板９の向きに拘わらず、排気部３０によるチャンバ１０内の減圧時において、内部空間１０ｓにおける気体の流れが一様となり、基板９の向きによって内部空間１０ｓにおける気体の流れが異なり難くなる。

また、ここで、例えば、図２で示されるように、上面視において、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄが、いずれも正方形状の底面整流板４０の対角線４１上に位置している構成が採用される。この場合には、例えば、各排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄによって、底面整流板４０の中央（２本の対角線４１の交点）に対して対称な気流が形成され得る。これにより、例えば、チャンバ１０の内部空間１０ｓにおいて、より均一な気流が形成され得る。

また、ここで、例えば、４つの側面整流板５０のうちの３つの側面整流板５０は、チャンバ１０の側壁部１２に固定されている。ただし、４つの側面整流板５０のうちの残りの１つの側面整流板５０は、例えば、チャンバ１０と外部との間における基板９の搬入および搬出の経路を確保するために、側壁部１２および底面整流板４０に対して移動可能となっていてもよい。この場合には、この１つの側面整流板５０は、例えば、ゲート部１５とともに移動するように構成されてもよい。これにより、例えば、ゲート部１５が閉鎖位置から開放位置へ移動すると、この１つの側面整流板５０も移動し、チャンバ１０と外部との間における基板９の搬入および搬出の経路が確保され得る。ここでは、例えば、移動可能な側面整流板５０が、正規の位置（上述した箱状の整流板を構成する位置）に配置される際に、他の側面整流板５０および底面整流板４０とは非接触であれば、移動可能な側面整流板５０と、他の側面整流板５０および底面整流板４０とが摺接しない。これにより、例えば、部材の摺接による粉塵の発生が生じ難い。一方で、例えば、移動可能な側面整流板５０と、他の側面整流板５０および底面整流板４０とを互いに接触させた状態で箱状の整流板が構成されれば、箱状の整流板に隙間が生じ難い。この場合には、例えば、排気部３０によるチャンバ１０内の減圧時に、内部空間１０ｓにおける気体の流れがより規制され得る。

＜＜給気部６０＞＞
給気部６０は、チャンバ１０内に気体を供給する動作（給気ともいう）を行う部分である。給気部６０には、例えば、排気部３０による排気によって圧力が低下したチャンバ１０の内部空間１０ｓに気体を供給して、チャンバ１０内の圧力を大気圧に戻すための機構が適用される。図１で示されるように、チャンバ１０の底板部１１には、例えば、給気口１６ｆが設けられている。給気口１６ｆは、例えば、底面整流板４０の下方に位置している。給気部６０は、給気口１６ｆに接続された給気配管６１と、給気バルブＶｆと、給気源６２と、を有する。例えば、給気配管６１の一端は、給気口１６ｆに接続している。例えば、給気配管６１の他端は、給気源６２に接続している。例えば、給気バルブＶｆは、給気配管６１の経路上に設けられている。

ここで、例えば、給気バルブＶｆを開放すると、給気源６２から給気配管６１および給気口１６ｆを介して、チャンバ１０の内部空間１０ｓに気体が供給される。これにより、チャンバ１０内の気圧を上昇させることができる。給気源６２から供給される気体は、例えば、窒素ガス等の不活性ガスであってもよいし、クリーンドライエアであってもよい。クリーンドライエアは、例えば、一般的な環境における空気に対してパーティクルおよび水分を除去する清浄化を施すことで準備され得る。

＜＜圧力計７０＞＞
圧力計７０は、チャンバ１０の内部空間１０ｓの気圧を計測するセンサである。図１で示されるように、例えば、圧力計７０は、チャンバ１０の一部分に取り付けられている。圧力計７０は、例えば、チャンバ１０の内部空間１０ｓの気圧を計測し、その計測結果を、制御部８０へ出力することができる。

＜＜制御部８０＞＞
制御部８０は、減圧乾燥装置１の各部の動作を制御するためのユニットである。例えば、制御部８０は、排気部３０、給気部６０および昇降部１００等を制御することができる。制御部８０は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサ８０１、ＲＡＭ（Random Access Memory）等のメモリ８０２、およびハードディスクドライブ等の記憶部８０３を有するコンピュータによって構成されている。記憶部８０３には、例えば、減圧乾燥装置１において基板９上の塗膜９０を減圧によって乾燥させる処理（減圧乾燥処理ともいう）を実行させるためのコンピュータプログラム（プログラムともいう）８０３ｐおよび各種のデータが記憶されている。記憶部８０３は、例えば、プログラム８０３ｐを記憶し、コンピュータで読み取り可能な非一時的な記憶媒体としての役割を有する。制御部８０は、例えば、記憶部８０３からメモリ８０２にプログラム８０３ｐおよびデータを読み出して、プロセッサ８０１においてプログラム８０３ｐおよびデータに従った演算処理を行うことで、減圧乾燥装置１の各部の動作を制御する。このため、例えば、プログラム８０３ｐは、減圧乾燥装置１において制御部８０に含まれるプロセッサ８０１によって実行されることで、減圧乾燥処理を実行させることができる。

また、制御部８０には、例えば、入力部８０４、出力部８０５、通信部８０６およびドライブ８０７が接続されていてもよい。入力部８０４は、例えば、ユーザの動作等に応答して各種の信号を制御部８０に入力する部分である。入力部８０４には、例えば、ユーザの操作に応じた信号を入力する操作部、ユーザの音声に応じた信号を入力するマイク、およびユーザの動きに応じた信号を入力する各種センサ等が含まれ得る。出力部８０５は、例えば、各種の情報をユーザが認識可能な態様で出力する部分である。出力部８０５には、例えば、表示部、プロジェクタ、およびスピーカ等が含まれ得る。表示部は、入力部８０４と一体化されたタッチパネルであってもよい。通信部８０６は、例えば、有線もしくは無線の通信手段等によってサーバ等の外部の装置との間で各種の情報の送受信を行う部分である。例えば、通信部８０６によって外部の装置から受信したプログラム８０３ｐが記憶部８０３に記憶されてもよい。ドライブ８０７は、例えば、磁気ディスクまたは光ディスク等の可搬性の記憶媒体８０７ｍの着脱が可能な部分である。このドライブ８０７は、例えば、記憶媒体８０７ｍが装着されている状態で、この記憶媒体８０７ｍと制御部８０との間におけるデータの授受を行う。例えば、プログラム８０３ｐが記憶された記憶媒体８０７ｍがドライブ８０７に装着されることで、記憶媒体８０７ｍから記憶部８０３内にプログラム８０３ｐが読み込まれて記憶されてもよい。ここでは、記憶媒体８０７ｍは、例えば、プログラム８０３ｐを記憶し、コンピュータで読み取り可能な非一時的な記憶媒体としての役割を有する。

図１４は、制御部８０において実現される機能を概念的に示したブロック図である。図１４で示されるように、制御部８０は、例えば、開閉駆動部１６、昇降部１００、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄ、主バルブＶｅ、真空ポンプ３２、給気バルブＶｆ、および圧力計７０と、それぞれ電気的に接続されている。制御部８０は、例えば、圧力計７０から出力される計測値を参照しつつ、上記各部の動作を制御することができる。

図１４で概念的に示したように、制御部８０は、実現される機能的な構成として、例えば、開閉制御部８１、昇降制御部８２、切替制御部８３、排気制御部８４、ポンプ制御部８５、および給気制御部８６を有する。例えば、開閉制御部８１は、開閉駆動部１６の動作を制御する。例えば、昇降制御部８２は、昇降部１００の動作を制御する。例えば、切替制御部８３は、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄの開閉状態を個別に制御する。例えば、排気制御部８４は、主バルブＶｅの開閉状態および開度を制御する。例えば、ポンプ制御部８５は、真空ポンプ３２の動作を制御する。例えば、給気制御部８６は、給気バルブＶｆの開閉状態を制御する。制御部８０における各部の機能は、例えば、上述したプログラム８０３ｐ等に従った演算処理をプロセッサ８０１が行うことで実現される。

＜２．減圧乾燥処理＞
次に、減圧乾燥装置１を用いた基板９の減圧乾燥処理について説明する。図１５は、一実施形態に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示す流れ図である。この減圧乾燥処理のフローは、例えば、制御部８０に含まれるプロセッサ８０１においてプログラム８０３ｐが実行されることで実現される。ここでは、例えば、図１５のステップＳ１からステップＳ４の処理がこの記載の順に行われる。

減圧乾燥装置１を用いて減圧乾燥処理を行う際には、例えば、まず、基板９をチャンバ１０内に搬入する（ステップＳ１）。このとき、基板９の上面には、未乾燥の塗膜９０が形成されている状態にある。ステップＳ１では、例えば、まず、開閉制御部８１が、開閉駆動部１６を動作させて、ゲート部１５を閉鎖位置から開放位置へ移動させることで、搬入出口１４を開放する。そして、例えば、図示を省略した搬送ロボットが、フォーク状のハンドに基板９を載置しつつ、チャンバ１０の搬入出口１４を介して、チャンバ１０の内部空間１０ｓへ基板９を搬入する。この時点では、支持部２０は、例えば、下降位置Ｈ１に配置されている。搬送ロボットは、例えば、支持部２０の複数の支持プレート２１の間へフォーク状のハンドを挿入しつつ、支持部２０上に基板９を載置する。換言すれば、ステップＳ１では、チャンバ１０内に配置された複数の支持ピン２２に基板９を載置する工程（載置工程ともいう）が行われる。このとき、複数の支持ピン２２のうちの複数の第１支持ピン２２ａによって基板９が水平方向にずれないように基板９を下方から支持し、複数の支持ピン２２のうちの複数の第２支持ピン２２ｂのそれぞれにおける本体部２ｂから浮上して離間している当接部２ｃによって基板９を下方から支持している状態となる。支持部２０上に基板９が載置されると、搬送ロボットは、チャンバ１０の外部へ退避する。そして、例えば、開閉制御部８１が、再び開閉駆動部１６を動作させて、ゲート部１５を開放位置から閉鎖位置へ移動させることで、搬入出口１４を閉鎖する。これにより、チャンバ１０の内部空間１０ｓに基板９が収容される。

次に、例えば、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０内の雰囲気を排出する排気を行う（ステップＳ２）。ここでは、例えば、複数の第１支持ピン２２ａによって基板９が水平方向にずれないように基板９を下方から支持し、複数の第２支持ピン２２ｂのそれぞれにおける本体部２ｂから浮上して離間している当接部２ｃによって基板９を下方から支持している状態で、制御部８０が、排気部３０によってチャンバ１０内の雰囲気を排出することでチャンバ１０内を減圧する工程（排気工程ともいう）を実行させる。これにより、例えば、複数の支持ピン２２によって基板９を下方から支持する際に、複数の支持ピン２２のうちの第２支持ピン２２ｂの当接部２ｃは、熱容量が小さく、熱容量が大きな部分に接続も接触もしていない。これにより、例えば、基板９において複数の支持ピン２２の配置に応じた温度差が生じにくい。その結果、例えば、簡単な構成によって基板９の上面に形成された塗膜をより均一に乾燥させることができる。

ステップＳ２では、例えば、制御部８０が、支持部２０を適宜昇降させてもよいし、複数の個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄのそれぞれの開閉状態を個別に適宜制御してもよいし、主バルブＶｅの開度を適宜制御してもよい。ここで、ステップＳ２における減圧乾燥装置１の動作の一具体例を挙げて説明する。ここでは、例えば、下記の［１］から［７］の処理が順に行われる。

［１］減圧乾燥装置１が、支持部２０を上昇させる。具体的には、昇降制御部８２が、昇降部１００を動作させることで、支持部２０を下降位置Ｈ１から上昇位置Ｈ２へ移動させる。このとき、側面整流板５０の上端部は、上昇位置Ｈ２の支持部２０に支持される基板９の高さよりも低い。このため、支持部２０に支持された基板９は、側面整流板５０の上端部よりも上方の位置まで上昇する。これにより、基板９の上面は、チャンバ１０の天板部１３と、僅かな隙間を介して対向する。

［２］チャンバ１０内の減圧を開始する。ここでは、ポンプ制御部８５が、真空ポンプ３２の動作を開始する。また、切替制御部８３が、個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄの一部を開放し、排気制御部８４が、主バルブＶｅを開放する。これにより、チャンバ１０内から排気配管３１への気体の排出を開始する。減圧乾燥装置１は、まず、チャンバ１０の内部空間１０ｓを緩やかに減圧する、第１処理を行う。この第１処理では、排気制御部８４が、主バルブＶｅの開度を、後述する第２処理から第４処理よりも小さい開度に調整する。これにより、チャンバ１０内の気圧が、大気圧から緩やかに低下する。ここでは、上述の通り、支持部２０が上昇位置Ｈ２に配置されている。このため、チャンバ１０内の気体は、基板９の下方の空間から、側面整流板５０と側壁部１２との間の空間、底面整流板４０と底板部１１との間の空間、および排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄを通って、排気配管３１へ流れる。これにより、チャンバ１０内に形成される気流は、基板９の上面に影響を及ぼしにくい。ただし、ここでも、基板９の上面と天板部１３との間の空間において、僅かな気流が生じる。また、減圧により、塗膜９０からの溶剤の気化が始まっている。そこで、切替制御部８３は、基板９の上面と天板部１３との間の気流により、塗膜９０の乾燥ムラが生じることを抑制するために、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄの開閉状態を、順次に切り替える。例えば、切替制御部８３は、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄのうちの１つの個別バルブを閉鎖するとともに、他の個別バルブを開放する。そして、切替制御部８３は、閉鎖する１つの個別バルブを順次に変更する。具体的には、１つの個別バルブＶａを閉鎖して他の３つの個別バルブＶｂ，Ｖｃ，Ｖｄを開放する第１状態と、１つの個別バルブＶｂを閉鎖して他の３つの個別バルブＶａ，Ｖｃ，Ｖｄを開放する第２状態と、１つの個別バルブＶｃを閉鎖して他の３つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｄを開放する第３状態と、１つの個別バルブＶｄを閉鎖して他の３つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃを開放する第４状態と、を順次に切り替える。このようにすれば、第１処理の間に、基板９の上面と天板部１３との間の空間に形成される気流の向きが、個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄの切り替えに応じて変化する。よって、基板９の上面の塗膜９０を、より均一に乾燥させることができる。

［３］減圧乾燥装置１は、支持部２０を下降させる。具体的には、昇降制御部８２が、昇降部１００を動作させることにより、支持部２０を、上昇位置Ｈ２から下降位置Ｈ１へ移動させる。このとき、側面整流板５０の上端部は、下降位置Ｈ１の支持部２０に支持される基板９の高さよりも高い。このため、支持部２０に支持された基板９は、側面整流板５０の上端部よりも下方の位置まで下降する。

［４］減圧乾燥装置１は、チャンバ１０の内部空間１０ｓを急速に減圧する、第２処理を行う。この第２処理では、排気制御部８４が、主バルブＶｅの開度を、第１処理よりも大きい開度に変更する。これにより、チャンバ１０内の気圧が、急速に低下する。第２処理では、上述の通り、支持部２０が下降位置Ｈ１に配置されている。このため、基板９の上面側の空間に存在する気体は、側面整流板５０と側壁部１２との間の空間、底面整流板４０と底板部１１との間の空間、および排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄを通って、排気配管３１へ流れる。これにより、基板９の近傍に強い気流が発生することを抑制できる。特に、基板９の周縁部において気流が集中しにくくなる。よって、気流による塗膜９０の乾燥ムラが生じにくくなる。この第２処理では、塗膜９０から溶剤が活発に気化する。そこで、切替制御部８３は、塗膜９０の乾燥ムラを生じにくくするために、上述した第１処理と同様に、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄの開閉状態を、順次に切り替える。例えば、切替制御部８３は、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄのうちの１つの個別バルブを閉鎖するとともに、他の個別バルブを開放する。そして、切替制御部８３は、閉鎖する１つの個別バルブを順次に変更する。これにより、第２処理の間に、基板９の上面に沿って形成される気流の向きが、個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄの切り替えに応じて変化する。よって、基板９の上面の塗膜９０が、より均一に乾燥し得る。

［５］チャンバ１０の内部空間１０ｓの気圧が、所定の圧力まで低下すると、塗膜９０が沸騰する。そして、塗膜９０の沸騰が始まると、チャンバ１０内の気圧が、ほぼ一定となる。このように、減圧乾燥装置１は、塗膜９０を沸騰させつつ、チャンバ１０内からの排気を継続する、第３処理を行う。この第３処理では、塗膜９０からの溶剤の気化が、第２処理よりもさらに活発となる。そこで、切替制御部８３は、塗膜９０において乾燥ムラが生じにくくなるように、上述した第１処理および第２処理と同様に、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄの開閉状態を、順次に切り替える。例えば、切替制御部８３は、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄのうちの１つの個別バルブを閉鎖するとともに、他の個別バルブを開放する。そして、切替制御部８３は、閉鎖する１つの個別バルブを順次に変更する。このようにすれば、第３処理の間に、基板９の上面に沿って形成される気流の向きが、個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄの切り替えに応じて変化する。よって、基板９の上面の塗膜９０が、より均一に乾燥し得る。

［６］塗膜９０の溶媒成分が十分に気化すると、塗膜９０の沸騰が終了する。これにより、チャンバ１０内の気圧が、再び急速に低下する。このように、減圧乾燥装置１は、塗膜９０の沸騰後に、チャンバ１０の内部空間１０ｓをさらに減圧する、第４処理を行う。この第４処理では、塗膜９０に残存する僅かな溶媒成分が気化するものの、上述した第１処理から第３処理と比べると、溶媒成分の気化は活発ではない。このため、切替制御部８３は、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄを全て開放する。これにより、チャンバ１０からの排気を促進して、チャンバ１０の内部空間１０ｓを目標圧力まで急速に減圧する。

［７］チャンバ１０内の気圧が目標圧力に到達すると、排気制御部８４は、主バルブＶｅを閉鎖する。これにより、チャンバ１０内からの気体の吸引が終了し、塗膜９０の乾燥が完了する。

その後、給気制御部８６が、給気バルブＶｆを開放する。これにより、給気源６２から給気配管６１および給気口１６ｆを通ってチャンバ１０の内部空間１０ｓへ気体が供給される（ステップＳ３）。これにより、チャンバ１０内の気圧が、再び大気圧まで上昇する。このとき、チャンバ１０の内部空間１０ｓには、比較的強い気流が発生するが、塗膜９０は十分に乾燥済みであれば、気流による乾燥ムラが生じにくい。また、給気口１６ｆから供給される気体は、底面整流板４０と底板部１１との間、および、側面整流板５０と側壁部１２との間を通って、チャンバ１０の内側へ流れる。これにより、基板９の近傍に強い気流が発生しにくい。チャンバ１０内の気圧が大気圧に到達すると、給気制御部８６は、給気バルブＶｆを閉鎖する。

そして、例えば、最後に、基板９をチャンバ１０内から搬出する（ステップＳ４）。ステップＳ４では、例えば、まず、開閉制御部８１が、開閉駆動部１６を動作させて、ゲート部１５を閉鎖位置から開放位置へ移動させることで、搬入出口１４を開放する。そして、例えば、図示を省略した搬送ロボットが、支持部２０に載置された乾燥済みの基板９を、チャンバ１０の搬入出口１４を介して、チャンバ１０の外部へ搬出する。これにより、１枚の基板９に対する減圧乾燥処理が終了し得る。

このように、減圧乾燥装置１を用いて基板９の上面としての第１面Ｆ１に形成された塗膜９０を乾燥させる方法（減圧乾燥方法ともいう）は、例えば、載置工程と、排気工程と、を有する。

以上のように、一実施形態に係る減圧乾燥装置１では、例えば、第１支持ピン２２ａ上および第２支持ピン２２ｂの当接部２ｃ上に基板９を載置することで、第１支持ピン２２ａによって基板９が水平方向にずれないように基板９を下方から支持させ、第２支持ピン２２ｂにおいて本体部２ｂに対して浮上して離間している当接部２ｃによって基板９を下方から支持させることができる。この場合には、例えば、当接部２ｃの熱容量が小さく、当接部２ｃには熱容量が大きな部分が接続も接触もしていない。これにより、例えば、基板９において複数の支持ピン２２の配置に応じた温度差が生じにくい。その結果、例えば、簡単な構成によって基板９の上面としての第１面Ｆ１に形成された塗膜９０をより均一に乾燥させることができる。

＜３．変形例＞
本発明は、上述の一実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更および改良等が可能である。

上記一実施形態では、例えば、第２支持ピン２２ｂは、基準となる本体部２ｂに対して当接部２ｃを浮上させた状態で、当接部２ｃの第２上端部２ｔによって基板９を下方から支持することができる構成であれば、種々の構成を有していてもよい。例えば、第２支持ピン２２ｂにおいて、別体で構成されている、第１磁石Ｍ１を有する本体部２ｂと、第２磁石Ｍ２を有する当接部２ｃとが、種々の形態を有していてもよい。ここで、具体例として、第１変形例に係る第２支持ピン２２ｂおよび第２変形例に係る第２支持ピン２２ｂについて説明する。

＜＜第１変形例に係る第２支持ピン＞＞
例えば、第１貫通孔Ｔｈ１の第１内部空間Ｉｓ１は、該第１内部空間Ｉｓ１の水平方向に沿った仮想的な断面（仮想水平断面ともいう）が上下方向の位置に拘わらず略一定の大きさである形状を有していてもよい。図１６は、第１変形例に係る第２支持ピン２２ｂの縦断面の一例を示す図である。図１６の例では、係止部分Ｆｋ１のうちの第１貫通孔Ｔｈ１の外周を規定する第２内周面Ｉｗ２は、上下方向に沿って延びる面である。ここでは、第１貫通孔Ｔｈ１の第１内部空間Ｉｓ１は、例えば、円柱状もしくは角柱状等の上下方向に沿って延びる柱状の形状を有していてもよい。また、筒状部分Ｐｐ１の中空部分Ｈｐ１は、例えば、円柱状もしくは角柱状等の上下方向に沿って延びる柱状の形状を有していてもよい。

＜＜第２変形例に係る第２支持ピン＞＞
上記一実施形態では、第２支持ピン２２ｂは、当接部２ｃの上部を除いた部分を本体部２ｂが囲むように構成されていたが、これに限られない。例えば、当接部２ｃの一部が、本体部２ｂの周囲に位置している構成が採用されてもよい。図１７は、第２変形例に係る第２支持ピン２２ｂの外観の一例を示す正面図である。図１８は、第２変形例に係る第２支持ピン２２ｂの外観の一例を示す平面図である。図１７および図１８には、隠れている部分が破線で描かれている。図１９および図２０は、それぞれ第２変形例に係る第２支持ピン２２ｂの縦断面の一例を示す図である。

第２変形例に係る第２支持ピン２２ｂでは、本体部２ｂは、上方向に沿って延びる棒状の部分（棒状部分ともいう）Ｒｐ１を含む。棒状部分Ｒｐ１には、例えば、上方向に沿って延びるように位置している円柱状もしくは角柱状等の柱状の部分が適用され得る。また、第１磁石Ｍ１は、棒状部分Ｒｐ１に固定されている。第１磁石Ｍ１は、例えば、棒状部分Ｒｐ１の外周部もしくは下部に沿った部分に位置している。換言すれば、例えば、第１磁石Ｍ１は、棒状部分Ｒｐ１の外周部および下部のうちの少なくとも一方に沿って位置している部分を含んでいてもよい。また、係止部分Ｆｋ１は、例えば、棒状部分Ｒｐ１の上部に沿って位置している。換言すれば、棒状部分Ｒｐ１は、第１磁石Ｍ１と係止部分Ｆｋ１とを連結している部分（連結部分）としての機能を有する。棒状部分Ｒｐ１と係止部分Ｆｋ１とは、例えば、一体の部材で構成されていてもよいし、相互に接合もしくは連結等によって固定されていてもよい。係止部分Ｆｋ１の水平方向に沿った仮想的な断面（仮想水平断面）は、棒状部分Ｒｐ１の水平方向に沿った仮想的な断面（仮想水平断面）よりも大きい。例えば、本体部２ｂの係止部分Ｆｋ１は、棒状部分Ｒｐ１上において水平方向に突出している。本体部２ｂの係止部分Ｆｋ１は、例えば、棒状部分Ｒｐ１上において水平方向に突出している円環状等の各種の環状の構成を有していてもよいし、棒状部分Ｒｐ１上において水平方向に放射状に突出している構成を有していてもよい。本体部２ｂのうちの第１磁石Ｍ１を除く棒状部分Ｒｐ１および係止部分Ｆｋ１等の部分の材料には、例えば、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）もしくはポリイミド（ＰＩ）等の樹脂材料、セラミックスまたは非磁性の金属等の種々の材料が適用され得る。

また、当接部２ｃの第１部分Ｐ１は、棒状部分Ｒｐ１が貫通している貫通孔（第２貫通孔ともいう）Ｔｈ２を有しているとともに、棒状部分Ｒｐ１に沿って上下方向に移動可能に位置している環状の部分（環状部分ともいう）Ｒｐ２を含む。この場合には、本体部２ｂの係止部分Ｆｋ１に当接部２ｃの第１部分Ｐ１が係止される構成が容易に実現され得る。環状部分Ｒｐ２は、例えば、全部が第２磁石Ｍ２によって構成されていてもよいし、一部が第２磁石Ｍ２によって構成されていてもよい。第２貫通孔Ｔｈ２の内部空間は、円柱状もしくは角柱状等の柱状の形状を有する。第２貫通孔Ｔｈ２の水平方向に沿った仮想的な断面（水平仮想断面）は、例えば、棒状部分Ｒｐ１の水平方向に沿った仮想的な断面（水平仮想断面）よりも大きく、係止部分Ｆｋ１の水平方向に沿った仮想的な断面（水平仮想断面）よりも小さい。第２貫通孔Ｔｈ２には、例えば、環状部分Ｒｐ２の外周部に開口するようなスリットもしくは切り欠き等が接続していてもよい。

また、当接部２ｃでは、例えば、第１部分Ｐ１上に第２部分Ｐ２が連結もしくは接続している。図１７から図２０の当接部２ｃの例では、当接部２ｃは、基板９の下面としての第２面Ｆ２に直接接触するための被接触部Ｃｐ１と、被接触部Ｃｐ１の下面に固定されている第２磁石Ｍ２と、を有する。被接触部Ｃｐ１は、第２部分Ｐ２を含む。第２磁石Ｍ２は、第１部分Ｐ１を含む。被接触部Ｃｐ１は、例えば、下方向に開口している内部空間（第２内部空間ともいう）Ｉｓ２を有する、上方向に凸の円錐状もしくは角錐状等の上方向に凸の錐状の形状を有する。被接触部Ｃｐ１の材料には、例えば、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）もしくはポリイミド（ＰＩ）等の樹脂材料が適用される。被接触部Ｃｐ１の第２内部空間Ｉｓ２には、本体部２ｂの係止部分Ｆｋ１が位置している。

また、第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２との間に、当接部２ｃが下方向に移動することで本体部２ｂから離間することが可能な移動可能空間Ｓｐ１が位置している。ここでは、図２０で示されるように、当接部２ｃは、第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２との間における反発力に抗して下方向に押されることで、本体部２ｂから離間し得る。これにより、当接部２ｃは、本体部２ｂから離間しており、本体部２ｂに対して浮上している状態となる。図２０では、当接部２ｃを下方向に押す力が太い矢印で模式的に描かれている。

また、第２変形例に係る第２支持ピン２２ｂでは、例えば、係止部分Ｆｋ１は、傾斜している外周面（第２傾斜外周面ともいう）Ｔｓ２を有する。第２傾斜外周面Ｔｓ２は、下方向に向かうにつれて、棒状部分Ｒｐ１の上下方向に沿って延びる仮想的な中心線（第３仮想中心線ともいう）Ｌｃ３に近づくように第３仮想中心線Ｌｃ３に対して傾斜している。第３仮想中心線Ｌｃ３には、例えば、棒状部分Ｒｐ１の水平方向に沿った仮想的な断面の中心（重心）を通る、上下方向に沿った仮想線が適用される。この場合には、例えば、第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２との間の反発力によって、本体部２ｂに対して当接部２ｃが上方向に移動する際に、第１部分Ｐ１が、係止部分Ｆｋ１の第２傾斜外周面Ｔｓ２に対して摺り動いて、第２貫通孔Ｔｈ２の上下方向に沿った仮想的な中心線（第４仮想中心線ともいう）Ｌｃ４が、棒状部分Ｒｐ１の第３仮想中心線Ｌｃ３に近接もしくは一致し得る。その結果、例えば、第１部分Ｐ１が係止部分Ｆｋ１で係止される際に、当接部２ｃの第１部分Ｐ１が、水平方向において棒状部分Ｒｐ１の中心に対して容易に位置決めされ得る。第２傾斜外周面Ｔｓ２は、例えば、係止部分Ｆｋ１のうちの棒状部分Ｒｐ１と接続している部分の外周面に適用される。第２傾斜外周面Ｔｓ２は、例えば、円錐台の側面（円錐台面）に沿った形状を有する。第２傾斜外周面Ｔｓ２は、例えば、円錐台もしくは角錐台等の錐台の側面（錐台面）に沿った形状を有していてもよい。第４仮想中心線Ｌｃ４には、例えば、第２貫通孔Ｔｈ２の水平方向に沿った仮想的な断面の中心（重心）を通る、上下方向に沿った仮想線が適用される。

ここで、支持部２０によって基板９を下方から支持する態様について説明する。図２１は、基板９を下方から支持していない状態にある第１支持ピン２２ａおよび第２支持ピン２２ｂの一例を模式的に示す図である。図２２は、基板９を下方から支持している状態にある第１支持ピン２２ａおよび第２支持ピン２２ｂの一例を模式的に示す図である。図２１および図２２では、図面の複雑化を防ぐために、２本の第１支持ピン２２ａおよび１本の第２支持ピン２２ｂが便宜的に描かれている。また、図２２では、基板９が当接部２ｃを下方向に押す力が太い矢印で模式的に描かれている。

図２１および図２２に示すように、例えば、第１支持ピン２２ａ上および第２支持ピン２２ｂの当接部２ｃ上に基板９を載置すると、第１支持ピン２２ａによって基板９が水平方向にずれないように下方から支持されている状態となる。このとき、第２支持ピン２２ｂでは、第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２との間における反発力に抗して基板９の重さによって当接部２ｃが下方向に押されることで、当接部２ｃが本体部２ｂから離間している状態となる。これにより、当接部２ｃが、本体部２ｂから離間しており、本体部２ｂに対して浮上している状態となる。このとき、第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２との距離が短くなることで第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２との間の反発力が高まり、第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２との間の反発力と、当接部２ｃにかかる重力と基板９が当接部２ｃを下方向に押す力との合力と、がつり合っている状態となる。この場合には、第２支持ピン２２ｂでは、本体部２ｂから当接部２ｃが離間しており、当接部２ｃの熱容量が小さく、当接部２ｃには熱容量が大きな部分が接続も接触もしていない。これにより、例えば、基板９において複数の支持ピン２２の配置に応じた温度差が生じにくい。その結果、例えば、基板９の上面としての第１面Ｆ１に形成された塗膜９０をより均一に乾燥させることができる。

ここでは、図２１で示されるように、支持部２０が基板９を下方から支持していない状態においては、当接部２ｃは、上下方向における第１位置Ｖｐ１に位置している。図２２で示されるように、支持部２０が基板９を下方から支持している状態において、当接部２ｃは、上下方向における第１位置Ｖｐ１よりも下方の第２位置Ｖｐ２に位置している。このため、第２支持ピン２２ｂでは、当接部２ｃは、支持部２０が基板９を下方から支持していない状態において上下方向における第１位置Ｖｐ１に位置し、支持部２０が基板９を下方から支持している状態において上下方向における第１位置Ｖｐ１よりも下方の第２位置Ｖｐ２に位置する。

上記一実施形態では、例えば、複数の第１支持ピン２２ａは、基板９の外周部９ｏｐに沿って位置している非塗布領域Ａ２のみを下方から支持するように配置されていてもよい。図２３は、基板９の塗布領域Ａ１と第１支持ピン２２ａおよび第２支持ピン２２ｂとの関係の一例を示す図である。図２３では、図１３と同様に、基板９の下面としての第２面Ｆ２のうち、第１支持ピン２２ａによって支持される位置が白丸で示されており、第２支持ピン２２ｂによって支持される位置が黒丸で示されている。また、図２３では、図１３と同様に、基板９のうちの上面としての第１面Ｆ１に塗膜９０が形成された塗布領域Ａ１の外縁が二点鎖線で描かれている。図２３の例では、基板９のうちの外周部９ｏｐに沿った領域を除く全域が塗布領域Ａ１となっている。換言すれば、非塗布領域Ａ２は、基板９の外周部９ｏｐに沿って位置している領域である。

上記一実施形態では、例えば、第２支持ピン２２ｂは、基板９を支持するための支持ピン２２として減圧乾燥装置１に適用されるための部品として市場において流通し得る。この場合には、例えば、第２支持ピン２２ｂが置かれている姿勢に応じて、第１方向は、上方向以外の任意の方向となり得る。同様に、第２方向は、下方向以外の任意の方向となり得る。ここでは、部品としての第２支持ピン２２ｂは、上述したように、本体部２ｂと、当接部２ｃと、を備えている。本体部２ｂは、第１磁石Ｍ１を有する。当接部２ｃは、第２磁石Ｍ２を有するとともに、基板９の下面に当接させるための部分である。第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２とは、第１磁石Ｍ１から第２磁石Ｍ２に向かう第１方向において、離間しているとともに、同一の磁極が対向している状態で位置している。本体部２ｂは、係止部分Ｆｋ１を含む。係止部分Ｆｋ１は、第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２との間における反発力によって第１方向に向かう力が働いている当接部２ｃを係止するとともに、第１方向に垂直な方向における当接部２ｃの移動を規制する部分である。当接部２ｃは、第１部分Ｐ１と、第２部分Ｐ２と、を含む。第１部分Ｐ１は、係止部分Ｆｋ１によって係止される部分である。第２部分Ｐ２は、第１部分Ｐ１が係止部分Ｆｋ１によって係止されている状態で本体部２ｂよりも第１方向に位置している第１領域Ａｒ１を有する。また、当接部２ｃは、第１方向とは逆の第２方向に移動することで本体部２ｂから離間することが可能な空間（移動可能空間）Ｓｐ１を本体部２ｂとの間に介して位置している。減圧乾燥装置１においては、第１方向は上方向となり、第２方向は第１方向とは逆の下方向となる。

ここで、例えば、第１方向が上方向となるように第２支持ピン２２ｂを減圧乾燥装置１に適用すると、当接部２ｃ上に基板９を載置することで、当接部２ｃが下方向に移動して本体部２ｂから離間し得る。このため、例えば、本体部２ｂに対して浮上して離間している当接部２ｃによって基板９を下方から支持させることができる。この場合には、例えば、当接部２ｃは、熱容量が小さく、熱容量が大きな部分が接続も接触もしていない。これにより、減圧乾燥装置１では、基板９において複数の支持ピン２２の配置に応じた温度差が生じにくい。その結果、例えば、簡単な構成によって基板９の上面に形成された塗膜９０をより均一に乾燥させることができる。

また、部品としての第２支持ピン２２ｂにおいては、当接部２ｃは、第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２との間における反発力に抗して第２方向に押されることで、本体部２ｂから離間し得る。このため、例えば、第１方向が上方向となるように第２支持ピン２２ｂを減圧乾燥装置１に適用すると、当接部２ｃ上に基板９を載置することで、基板９の重量によって、第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２との間における反発力に抗して当接部２ｃを下方に押し下げることができる。これにより、例えば、本体部２ｂに対して浮上して離間している当接部２ｃによって基板９を下方から支持させることができる。その結果、例えば、簡単な構成によって基板９の上面に形成された塗膜９０をより均一に乾燥させることができる。

上記一実施形態では、第１磁石Ｍ１には、例えば、永久磁石および電磁石の何れが適用されてもよい。

上記一実施形態では、第１磁石Ｍ１は、例えば、本体部２ｂの外面に露出していてもよいし、本体部２ｂの内部に埋め込まれて外面に露出していなくてもよい。第２磁石Ｍ２は、例えば、当接部２ｃの外面に露出していてもよいし、当接部２ｃの内部に埋め込まれて外面に露出していなくてもよい。

上記一実施形態では、複数の支持ピン２２は、例えば、１つ以上の第１支持ピン２２ａと、２つ以上の第２支持ピン２２ｂと、を有していてもよいし、２つ以上の第１支持ピン２２ａと、１つ以上の第２支持ピン２２ｂと、を有していてもよい。また、例えば、複数の支持ピン２２は、１つ以上の第１支持ピン２２ａを有していてもよいし、１つ以上の第２支持ピン２２ｂを有していてもよい。このため、上述した排気工程においては、例えば、１つ以上の第１支持ピン２２ａによって基板９が水平方向にずれないように基板９を下方から支持し、１つ以上の第２支持ピン２２ｂにおける本体部２ｂから浮上して離間している当接部２ｃによって基板９を下方から支持している状態で、排気部３０によってチャンバ１０内の雰囲気を排出することでチャンバ１０内を減圧してもよい。

上記一実施形態では、支持部２０を昇降させる昇降部１００が存在していなくてもよい。この場合には、複数の支持ピン２２は、底面整流板４０の上面等のチャンバ１０内の部分あるいは底板部１１の上面等のチャンバ１０に対して固定されていてもよい。

上記一実施形態では、例えば、チャンバ１０が、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄを有していたが、これに限られない。例えば、チャンバ１０が有する排気口の数は、１つから３つおよび５つ以上の何れであってもよい。また、例えば、個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄは、なくてもよい。

上記一実施形態では、減圧乾燥装置１は、基板９上の塗膜９０を、減圧によって乾燥させるものであったが、これに限られない。例えば、減圧乾燥装置１は、減圧および加熱によって、基板９上の塗膜９０を乾燥させるものであってもよい。

上記一実施形態では、チャンバ１０の側壁部１２に、基板９の搬入出口１４が設けられていたが、これに限られない。例えば、チャンバ１０の４つの側壁部１２および天板部１３が一体の蓋部を構成しており、この蓋部が底板部１１から分離して上方へ退避することができる構造が採用されてもよい。この場合には、例えば、蓋部が開閉駆動部１６等によって上下に移動されてもよい。そして、チャンバ１０は、蓋部がＯリング等のシール材を介して底板部１１に接触して内部空間１０ｓを密閉している状態（密閉状態）と、蓋部が底板部１１から上方へ分離して内部空間１０ｓを開放している状態（開放状態）と、に選択的に設定され得る。ここで、チャンバ１０が開放状態にあれば、チャンバ１０の内部空間１０ｓへの基板９の搬入およびチャンバ１０の内部空間１０ｓからの基板９の搬出を行うことができる。チャンバ１０が閉鎖状態にあれば、内部空間１０ｓからの排気および内部空間１０ｓへの給気によって、基板９上の塗膜９０を減圧によって乾燥させることができる。

上記一実施形態では、例えば、支持部２０は種々の形態を有していてもよい。例えば、複数の支持プレート２１は、一体的な１つの支持プレート２１であってもよい。

上記一実施形態では、例えば、底面整流板４０がなくてもよいし、側面整流板５０がなくてもよい。

上記一実施形態では、例えば、減圧乾燥装置１における各種の動作は、例えば、入力部８０４に対するユーザの動作もしくは通信部８０６に対して外部の装置から入力された信号等に応答して、開始あるいは終了されてもよい。

上記一実施形態では、例えば、制御部８０において、実現される機能的な構成の少なくとも一部が、専用の電子回路等のハードウェアで構成されていてもよい。

なお、上記一実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。

１ 減圧乾燥装置
１０ チャンバ
２０ 支持部
２２ 支持ピン
２２ａ 第１支持ピン
２２ｂ 第２支持ピン
２ｂ 本体部
２ｃ 当接部
３０ 排気部
９ 基板
９０ 塗膜
９ｏｐ 外周部
Ａ１ 塗布領域
Ａ２ 非塗布領域
Ａｒ１ 第１領域
Ｃｐ１ 被接触部
Ｆ１ 第１面（上面）
Ｆ２ 第２面（下面）
Ｆｋ１ 係止部分
Ｈｐ１ 中空部分
Ｉｓ１ 第１内部空間
Ｉｓ２ 第２内部空間
Ｉｗ１ 第１内周面
Ｉｗ２ 第２内周面
Ｌｃ１ 第１仮想中心線
Ｌｃ２ 第２仮想中心線
Ｌｃ３ 第３仮想中心線
Ｌｃ４ 第４仮想中心線
Ｍ１ 第１磁石
Ｍ２ 第２磁石
Ｐ１ 第１部分
Ｐ２ 第２部分
Ｐ３ 第３部分
Ｐｐ１ 筒状部分
Ｒｐ１ 棒状部分
Ｒｐ２ 環状部分
Ｓｐ１ 移動可能空間
Ｔｈ１ 第１貫通孔
Ｔｈ２ 第２貫通孔
Ｔｓ１ 第１傾斜外周面
Ｔｓ２ 第２傾斜外周面
Ｖｐ１ 第１位置
Ｖｐ２ 第２位置

Claims (12)

1. 基板を下方から支持するための支持ピンであって、
   第１磁石を有する本体部と、
   第２磁石を有するとともに前記基板の下面に当接させるための当接部と、を備え、
   前記第１磁石と前記第２磁石とは、前記第１磁石から前記第２磁石に向かう第１方向において、離間しているとともに、同一の磁極が対向している状態で位置し、
   前記本体部は、前記第１磁石と前記第２磁石との間における反発力によって前記第１方向に向かう力が働いている前記当接部を係止するとともに、前記第１方向に垂直な方向における前記当接部の移動を規制する係止部分、を含み、
   前記当接部は、前記係止部分によって係止される第１部分と、該第１部分が前記係止部分によって係止されている状態で前記本体部よりも前記第１方向に位置している第１領域を有する第２部分と、を含むとともに、前記第１方向とは逆の第２方向に移動することで前記本体部から離間することが可能な空間を前記本体部との間に介して位置している、支持ピン。
2. 請求項１に記載の支持ピンであって、
   前記当接部は、前記第１磁石と前記第２磁石との間における反発力に抗して前記第２方向に押されることで、前記本体部から離間する、支持ピン。
3. 基板の上面に形成された塗膜を乾燥させる減圧乾燥装置であって、
   前記基板を収容するチャンバと、
   前記チャンバ内において前記基板を下方から支持する支持部と、
   前記チャンバ内の雰囲気を排出する排気部と、を備え、
   前記支持部は、前記基板を下方からそれぞれ支持する第１支持ピンおよび第２支持ピン、を含み、
   前記第１支持ピンは、前記基板が水平方向にずれないように前記基板を下方から支持し、
   前記第２支持ピンは、第１磁石を有する本体部と、第２磁石を有するとともに前記基板の下面に当接する当接部と、を有し、
   前記第１磁石と前記第２磁石とは、前記第１磁石から前記第２磁石に向かう上方向において、離間しているとともに、同一の磁極が対向している状態で位置し、
   前記本体部は、前記第１磁石と前記第２磁石との間における反発力によって上方向に向かう力が働いている前記当接部を係止するとともに、上方向に垂直な水平方向における前記当接部の移動を規制する係止部分、を含み、
   前記当接部は、前記係止部分によって係止される第１部分と、該第１部分が前記係止部分によって係止されている状態で前記本体部よりも上方向に位置する第１領域を有する第２部分と、を含むとともに、下方向に移動することで前記本体部から離間することが可能な空間を前記本体部との間に介して位置している、減圧乾燥装置。
4. 請求項３に記載の減圧乾燥装置であって、
   前記第１支持ピンは、前記基板のうちの前記上面に前記塗膜が形成されていない非塗布領域を下方から支持する、減圧乾燥装置。
5. 請求項４に記載の減圧乾燥装置であって、
   前記非塗布領域は、前記基板の外周部に沿って位置している、減圧乾燥装置。
6. 請求項３から請求項５の何れか１つの請求項に記載の減圧乾燥装置であって、
   前記本体部は、上方向に沿って延びる筒状の筒状部分を含み、
   前記第１磁石は、前記筒状部分の中空部分および前記筒状部分の下部に沿った部分のうちの少なくとも一方に位置している部分を含み、
   前記係止部分は、前記筒状部分の上部に沿って位置しているとともに、上方向に貫通している第１貫通孔を有し、
   前記当接部は、前記中空部分内において、前記筒状部分の内周面から離間している状態で位置している第３部分を含み、
   前記第３部分は、前記第２磁石を含み、
   前記第２部分の前記第１領域は、前記第１部分の上部に接続もしくは連結しており、前記第１部分が前記係止部分によって係止されている状態で前記第１貫通孔から上方向に突出している、減圧乾燥装置。
7. 請求項６に記載の減圧乾燥装置であって、
   前記第２部分は、前記第１部分から上方向に向かうにつれて、前記第２部分の水平方向に沿った仮想断面の中心を通る上下方向に沿った第１仮想中心線に近づくように該第１仮想中心線に対して傾斜している第１傾斜外周面を有する、減圧乾燥装置。
8. 請求項７に記載の減圧乾燥装置であって、
   前記第１貫通孔は、上方向に向かうにつれて該第１貫通孔の上下方向に沿った第２仮想中心線に近づくように狭くなっている内部空間を有する、減圧乾燥装置。
9. 請求項３から請求項５の何れか１つの請求項に記載の減圧乾燥装置であって、
   前記本体部は、上方向に沿って延びる棒状部分を含み、
   前記第１磁石は、前記棒状部分に固定されており、
   前記係止部分は、前記棒状部分の上部に沿って位置し、
   前記第１部分は、前記棒状部分が貫通している第２貫通孔を有し且つ前記棒状部分に沿って上下方向に移動可能に位置している環状の部分を含む、減圧乾燥装置。
10. 請求項９に記載の減圧乾燥装置であって、
    前記係止部分は、下方向に向かうにつれて前記棒状部分の上下方向に沿って延びる第３仮想中心線に近づくように該第３仮想中心線に対して傾斜している第２傾斜外周面を有する、減圧乾燥装置。
11. 請求項３から請求項１０の何れか１つの請求項に記載の減圧乾燥装置であって、
    前記当接部は、前記支持部が前記基板を下方から支持していない状態において上下方向における第１位置に位置し、前記支持部が前記基板を下方から支持している状態において上下方向における前記第１位置よりも下方の第２位置に位置する、減圧乾燥装置。
12. 基板の上面に形成された塗膜を乾燥する減圧乾燥方法であって、
    チャンバ内に配置された複数の支持ピンに前記基板を載置する載置工程と、
    前記複数の支持ピンのうちの第１支持ピンによって前記基板が水平方向にずれないように前記基板を下方から支持し、前記複数の支持ピンのうちの第２支持ピンにおける本体部から浮上して離間している当接部によって前記基板を下方から支持している状態で、排気部によって前記チャンバ内の雰囲気を排出して、前記チャンバ内を減圧する排気工程と、を有する減圧乾燥方法。

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