JP2024057845A - 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】塗布膜に対する乾燥ムラの発生を抑制する技術を提供する。【解決手段】減圧乾燥装置１はチャンバ１０と支持部２０と冷却部４０と第１昇降部１００と減圧機構３０と制御部８０とを備える。支持部２０はチャンバ１０内において基板９を支持する。冷却部４０は、基板９の上面と対面する冷却面４０ａを冷却する。第１昇降部１００は、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第１間隔となる第１状態と、該間隔が前記第１間隔よりも広い第２間隔となる第２状態との間で、支持部２０および冷却面４０ａの少なくともいずれか一方を昇降させる。減圧機構３０は、チャンバ１０内の気体を吸引して、チャンバ１０内の気圧を低下させる。制御部８０は、第１状態においてチャンバ１０内の気圧を第１気圧とした後、第２状態においてチャンバ１０内の気圧を第１気圧よりも低い第２気圧とするように、第１昇降部１００および減圧機構３０を制御する。【選択図】図１

Description

本開示は、減圧乾燥装置および減圧乾燥方法に関する。
従来から、各種の基板に塗布されたフォトレジスト等の塗布膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置が知られている。各種の基板には、例えば、各種のデバイスを形成するためのガラス基板、セラミック基板、半導体ウエハ、電子デバイス基板または印刷用の印刷版等の種々の基板が適用される。各種のデバイスには、例えば、半導体装置、表示パネル、太陽電池パネル、磁気ディスク、または光ディスク等が適用される。表示パネルには、例えば、液晶表示パネル、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示パネル、プラズマ表示パネル、または電界放出ディスプレイ等が適用される。
減圧乾燥装置を用いて塗布膜を乾燥する際には、例えば、チャンバ内において複数のピンが基板を支持している状態で、チャンバの底部の排気口を介して真空ポンプでチャンバ内から排気を行う。該排気により、チャンバ内の気圧が低下する。チャンバ内の気圧が低下すると、塗布膜の溶媒が蒸発するので、塗布膜を乾燥させることができる。そして、例えば、真空度が所定値に到達するとチャンバ内からの排気を停止し、チャンバ内に気体を供給することでチャンバ内を大気圧に戻す。気体には、例えば、窒素気体等の不活性気体または空気等が適用される。
ところで、減圧乾燥装置では、減圧初期においてチャンバ内の気圧を急激に低下させると、基板上の塗布膜に突沸が生じる可能性がある。突沸が発生すると、例えば、塗布膜の膜厚がばらつき得る。
特許文献１に記載された減圧乾燥装置は、このような突沸の発生を抑制することができる。特許文献１に記載の減圧乾燥装置では、基板を支持する支持ピンを昇降させる昇降部が設けられている。昇降部は減圧初期において支持ピンを上昇させることにより、基板とチャンバの天井面との間隔を狭くする。これにより、基板と天井面との間の気圧の低下速度が小さくなり、突沸の発生を抑制することができる。
特開２０２２－０８６７６６号公報
しかしながら、基板と天井面との間隔が狭くなると、基板上の塗布膜からの溶媒蒸気が基板と天井面との間の空間に滞留してしまう。特に、塗布膜の中央付近からの溶媒蒸気は滞留しやすい。つまり、塗布膜の周縁付近からの溶媒蒸気は、濃度拡散により、水平方向で外側に流れ得るものの、塗布膜の中央付近では濃度勾配が小さいのでそのまま滞留してしまう。このため、塗布膜の溶媒は、その中央部分よりも周縁部分において蒸発しやすくなる。つまり、塗布膜の乾燥ムラを招いてしまう。乾燥ムラは、例えば、乾燥した塗布膜の膜厚のばらつきを生じさせる、という問題がある。
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、塗布膜に対する乾燥ムラの発生を抑制する技術を提供することを目的とする。
第１の態様は、基板の上面に塗布された塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置であって、前記基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内において、前記基板を支持する支持部と、前記支持部によって支持された前記基板の前記上面と対面する冷却面を冷却する冷却部と、前記支持部によって支持された前記基板と前記冷却面との間隔が第１間隔となる第１状態と、前記支持部によって支持された前記基板と前記冷却面との間隔が前記第１間隔よりも広い第２間隔となる第２状態との間で、前記支持部および前記冷却面の少なくともいずれか一方を昇降させる第１昇降部と、前記チャンバ内の気体を吸引して、前記チャンバ内の気圧を低下させる減圧機構と、前記第１状態において前記チャンバ内の気圧を第１気圧とした後、前記第２状態において前記チャンバ内の気圧を前記第１気圧よりも低い第２気圧とするように、前記第１昇降部および前記減圧機構を制御する制御部とを備える。
第２の態様は、第１の態様にかかる減圧乾燥装置であって、前記冷却面は、前記チャンバの天井面であり、前記第１昇降部は前記支持部を昇降させる。
第３の態様は、第２の態様にかかる減圧乾燥装置であって、前記冷却部は、前記チャンバの天板部の上面に取り付けられており、前記天板部を冷却して前記天板部の下面である前記冷却面を冷却する。
第４の態様は、第３の態様にかかる減圧乾燥装置であって、前記天板部の前記上面に接した冷却位置と、前記天板部から離れた離間位置との間で、前記冷却部を昇降させる第２昇降部をさらに備える。
第５の態様は、第２の態様にかかる減圧乾燥装置であって、前記冷却部の少なくとも一部は、前記チャンバの天板部に埋設されている。
第６の態様は、第１の態様にかかる減圧乾燥装置であって、前記冷却部は、前記チャンバ内に設けられ、前記冷却面を下面として有する冷却部材を含む。
第７の態様は、第６の態様にかかる減圧乾燥装置であって、前記支持部によって支持された前記基板を包囲する側面整流板と、前記支持部によって支持された前記基板の下面と対面する底面整流板とをさらに備え、前記第１昇降部は、前記冷却部材を昇降させ、前記第１状態および前記第２状態の両方において、前記支持部によって支持された前記基板は前記側面整流板に包囲される。
第８の態様は、基板の上面に塗布された塗布膜を乾燥させる減圧乾燥方法であって、チャンバ内の支持部によって支持された前記基板の前記上面と対面する冷却面を冷却し、かつ、前記基板と前記冷却面との間隔が第１間隔となる状態で、前記チャンバ内の気圧を第１気圧に低下させて、前記基板上の前記塗布膜の溶媒を蒸発させつつ、前記溶媒の蒸気を前記冷却面で凝縮させる第１工程と、前記第１工程の後に、前記基板と前記冷却面との間隔が前記第１間隔よりも広い第２間隔となる状態で、前記チャンバ内の気圧を前記第１気圧よりも低い第２気圧に低下させて、前記基板上の前記塗布膜の溶媒および前記冷却面の溶媒の両方を蒸発させて前記塗布膜および前記冷却面を乾燥させる第２工程とを備える。
第９の態様は、第８の態様にかかる減圧乾燥方法であって、前記第１工程において、冷却部を前記チャンバの天板部の上面に接触する冷却位置に下降させて、前記天板部の下面である前記冷却面を冷却し、前記第２工程において、前記冷却部を前記チャンバの前記天板部から離れた離間位置に上昇させている。
第１の態様によれば、第１状態において、チャンバ内の気体が第１気圧に低下する。これにより、塗布膜の溶媒が蒸発する。第１状態では、基板と冷却面との間隔は狭いので、塗布膜における突沸の発生を抑制することができる。一方で、塗布膜からの溶媒蒸気はすぐに冷却面に衝突し、上方に拡散することができない。溶媒蒸気は塗布膜の周縁付近では濃度拡散により水平方向の外側に流れるものの、塗布膜の中央付近では外側に流れにくく、留まりやすい。このため、溶媒蒸気の流れという観点では、塗布膜の溶媒は、その中央部分よりも周縁部分において蒸発しやすく、乾燥ムラが生じ得る。しかるに、第１態様によれば、冷却部が冷却面を冷却する。このため、溶媒蒸気を冷却面で凝縮させることができる。したがって、塗布膜の中央付近でも溶媒蒸気が滞留しにくく、塗布膜の中央部分と周縁部分との蒸発量の差を低減させることができる。つまり、塗布膜の乾燥ムラの発生を抑制することができる。
その後、第２状態でチャンバ内の気圧がさらに低下するので、基板上の塗布膜の溶媒はさらに蒸発する。第２状態では、基板と冷却面との間隔が広いので、溶媒蒸気は容易に上方に拡散する。このため、第２状態では、塗布膜の乾燥ムラが生じにくい。しかも、チャンバ内の気圧がさらに低下するので、冷却面に付着した溶媒も蒸発させることができ、塗布膜のみならず冷却面も乾燥させることができる。
第２の態様によれば、既設の第１昇降部を流用することができる。
第３の態様によれば、上面視における温度分布のばらつきは、天板部における熱伝達により、天板部の上面から下面（冷却面）に向かうにつれて緩和される。つまり、冷却面における温度分布をより均一化させることができる。このため、塗布膜からの溶媒蒸気はより均一（言い換えれば、より一様）に冷却面で凝縮する。したがって、基板と冷却面との間における濃度分布の均一性を向上させることができ、塗布膜の乾燥ムラの発生をさらに抑制することができる。
第４の態様によれば、第２状態において、第２昇降部が冷却部を離間位置に上昇させることにより、冷却面の温度を上昇させ得る。このため、冷却面をより確実に乾燥させることができる。
第５の態様によれば、冷却部は高い効率で冷却面を冷却することができる。
第６の態様によれば、冷却部材の材料をチャンバとは別に選定できる。
第７の態様によれば、第１状態および第２状態の両方において、側面整流板が基板を包囲する。このため、第１状態でも第２状態でも、基板の周縁部への気流の集中を抑制できる。したがって、気流による乾燥ムラの発生を抑制することができる。
第８の態様によれば、第１工程において、チャンバ内の気圧が第１気圧に低下して塗布膜の溶媒が蒸発する。第１工程では、基板と冷却面との間隔は狭いので、塗布膜における突沸の発生を抑制することができる。一方で、塗布膜からの溶媒蒸気はすぐに冷却面に衝突し、上方に拡散することができない。溶媒蒸気は塗布膜の周縁付近では濃度拡散により水平方向の外側に流れるものの、塗布膜の中央付近では外側に流れにくく、留まりやすい。このため、溶媒蒸気の流れという観点では、塗布膜の溶媒は、その中央部分よりも周縁部分において蒸発しやすく、乾燥ムラが生じ得る。しかしながら、第８態様によれば、冷却面を冷却することにより、溶媒蒸気を冷却面で凝縮させる。このため、塗布膜の中央付近でも溶媒蒸気が滞留しにくく、塗布膜の中央部分と周縁部分との蒸発量の差を低減させることができる。したがって、塗布膜の乾燥ムラの発生を抑制することができる。
第２工程では、チャンバ内の気圧がより低い第２気圧に低下する。これにより、基板上の塗布膜の溶媒はさらに蒸発する。第２工程では、基板と冷却面との間隔が広いので、溶媒蒸気は容易に上方に拡散する。このため、第２工程では、塗布膜の乾燥ムラが生じにくい。しかも、チャンバ内の気圧がさらに低下するので、冷却面の溶媒も蒸発させることができ、塗布膜のみならず冷却面も乾燥させることができる。
第９の態様によれば、第１工程において、より確実に溶媒蒸気を冷却面で凝縮させつつ、第２工程において、冷却面をより確実に乾燥させることができる。
第１実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を概略的に示す図である。 第１実施形態に係る減圧乾燥装置の横断面の一例を概略的に示す図である。 第１実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を示す図である。 基板の一例を示す斜視図である。 基板の一部分の縦断面の一例を示す図である。 制御部において実現される機能を概念的に示したブロック図である。 第１実施形態に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示すフローチャートである。 第１減圧処理におけるチャンバ内の様子の一例を概略的に示す図である。 第１減圧処理におけるチャンバ内のうちの冷却面および基板の近傍を拡大して示す図である。 比較構造にかかるチャンバの天板部および基板を拡大して示す図である。 比較構造における上部空間内の溶媒蒸気の濃度分布の一例を示す図である。 冷却部が冷却している状態での上部空間内の溶媒蒸気の濃度分布の一例を示す図である。 第２減圧処理におけるチャンバ内の様子の一例を概略的に示す図である。 第２実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を概略的に示す図である。 第２実施形態に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示すフローチャートである。 第３実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を概略的に示す図である。 第４実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を概略的に示す図である。 第５実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を概略的に示す図である。
以下、本開示の一実施形態および各種変形例について、図面を参照しつつ説明する。図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。また、本明細書において、下方向は、重力方向であり、上方向は、重力方向とは逆の方向である。
＜１．第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る減圧乾燥装置１の縦断面の一例を概略的に示す図である。図２は、第１実施形態に係る減圧乾燥装置１の横断面の一例を概略的に示す図である。図３は、第１実施形態に係る減圧乾燥装置１の縦断面の一例を概略的に示す図である。図１の縦断面と図３の縦断面とは、約９０度異なる方向からそれぞれ見たときの減圧乾燥装置１の構成を示している。図３では、図面の煩雑化を避けるために、後述する減圧機構３０、給気部６０、気圧計７０および制御部８０に関する構成が便宜的に省略されている。
減圧乾燥装置１は、基板９の上面に形成された塗布膜９０（図５参照）を乾燥させる装置である。
基板９には、例えば、ガラス基板、半導体ウエハ、またはセラミック基板等が適用される。基板９は、例えば、第１主面としての第１面Ｆ１（図４および図５参照）と、この第１面Ｆ１とは逆の第２主面としての第２面Ｆ２（図５参照）と、を有する平板状の基板である。例えば、減圧乾燥装置１では、基板９の第１面Ｆ１が基板９の上面とされ、基板９の第２面Ｆ２が基板９の下面とされる。ここでは、基板９に矩形のガラス基板が適用された具体例を適宜挙げて説明する。基板９の第１面Ｆ１には、例えば、予め有機材料および溶媒を含む処理液が塗布されることで、塗布膜９０が部分的に形成されている。処理液の塗布は、例えば、スリットコータまたはインクジェット装置等で行われる。処理液には、例えば、ポリイミド前駆体と溶媒とを含む液（ＰＩ液ともいう）またはレジスト液等の塗布液が適用される。ポリイミド前駆体には、例えば、ポリアミド酸（ポリアミック酸）等が適用される。溶媒には、例えば、ＮＭＰ（Ｎ－メチル－２－ピロリドン：N-Methyl-2-Pyrrolidone）が適用される。また、例えば、減圧乾燥装置１が有機ＥＬディスプレイの製造工程に適用される場合には、塗布膜９０が、減圧乾燥装置１で乾燥されることによって有機ＥＬディスプレイパネルの正孔注入層、正孔輸送層、または発光層となる態様が採用されてもよい。
図４は、基板９の一例を示す斜視図である。図５は、基板９の一部分の縦断面の一例を示す図である。図４に示されるように、基板９は、例えば、上面視において、縦横の長さが異なる長方形状の形態を有する。基板９には、デバイス等が形成される領域（被形成領域とも塗布領域ともいう）Ａ１が、複数配列されている。図４の例では、上面視において、基板９には、４つの矩形状の塗布領域Ａ１が、２行２列のマトリックス状に配列されている。ただし、塗布領域Ａ１の形状、数、配置は、この例に限定されるものではない。塗布膜９０は、減圧乾燥装置１による減圧乾燥工程よりも前の塗布工程において、スリットコータまたはインクジェット装置等によって、各塗布領域Ａ１の上面に、所望のパターンに従って形成される。所望のパターンには、例えば、回路のパターンが適用される。ここでは、例えば、図５で示されるように、各塗布領域Ａ１の上面としての第１面Ｆ１は、塗布膜９０に覆われた領域（被覆領域ともいう）Ａ３と、塗布膜９０に覆われていない露出した領域（露出領域ともいう）Ａ４と、を有する。また、基板９のうちの塗布領域Ａ１の周囲および隣り合う塗布領域Ａ１の間の領域は、上面としての第１面Ｆ１に塗布膜９０が形成されていない領域（非塗布領域ともいう）Ａ２となっている。非塗布領域Ａ２は、塗布膜９０に覆われていない露出した領域（露出領域）Ａ４でもある。
＜１－１．減圧乾燥装置の構成の概要＞
次に減圧乾燥装置１の構成について概説する。図１および図２に示されるように、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０と、支持部２０と、減圧機構３０と、第１昇降部１００と、冷却部４０と、制御部８０とを含んでいる。
チャンバ１０は、基板９を収容するための部分である。支持部２０はチャンバ１０内に設けられており、基板９を水平姿勢で支持する。ここでいう水平姿勢とは、基板９の厚み方向が上下方向に沿う姿勢である。
減圧機構３０はチャンバ１０内の気体を吸引して、気体をチャンバ１０の外部に排出する。この吸引により、チャンバ１０内の気圧が低下する。チャンバ１０内の気圧が低下することにより、基板９の第１面Ｆ１上の塗布膜９０の溶媒が蒸発し、塗布膜９０が乾燥する。
冷却部４０は冷却面４０ａを冷却する。冷却面４０ａは、支持部２０によって支持された基板９の第１面Ｆ１と上下方向において対面する面である。図１の例では、冷却面４０ａはチャンバ１０の天井面に相当する。冷却面４０ａは上面視において基板９よりも大きいサイズを有してもよい。つまり、冷却面４０ａは、基板９の第１面Ｆ１の全面と対面することができる程度のサイズを有していてもよい。冷却面４０ａは例えば水平な平坦面である。冷却部４０が冷却面４０ａを冷却することにより、冷却面４０ａの温度を低下させることができる。
基板９の第１面Ｆ１上の塗布膜９０から蒸発した溶媒の蒸気（以下、溶媒蒸気と呼ぶ）は、冷却面４０ａにおいて冷却されて凝縮し得る。このため、冷却面４０ａには液状の溶媒９１（後に説明する図８も参照）が付着し得る。この凝縮によって、後に詳述するように、塗布膜９０の乾燥ムラの発生を抑制することができる。また、チャンバ１０内の気圧のさらなる低下により、冷却面４０ａに付着した溶媒９１を蒸発させることもできる。この凝縮および蒸発についても後に詳述する。
図１の例では、第１昇降部１００は支持部２０を昇降させる。具体的には、第１昇降部１００は上昇位置Ｈ１と下降位置Ｈ２との間で支持部２０を昇降させる。上昇位置Ｈ１は、支持部２０によって支持された基板９と冷却面４０ａとの間隔が第１間隔となるときの支持部２０の位置である。図１の例では、上昇位置Ｈ１に位置する支持部２０および基板９を仮想線で示している。下降位置Ｈ２は、支持部２０によって支持された基板９と冷却面４０ａとの間隔が第１間隔よりも広い第２間隔となるときの支持部２０の位置である。つまり、第１昇降部１００は、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第１間隔となる第１状態と、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第２間隔となる第２状態との間で、支持部２０を昇降させる。第１間隔は例えば１０ｍｍ以下であり、より具体的な一例として５ｍｍ程度である。第２間隔は例えば第１間隔の５倍以上であってもよく、１０倍以上であってもよい。数値の具体例を説明すると、第２間隔は例えば５０ｍｍ以上であり、より具体的な一例として、８０ｍｍ程度である。
後に詳述するように、減圧初期において、第１昇降部１００は支持部２０を上昇位置Ｈ１に位置させる。その後、第１昇降部１００は支持部２０を下降位置Ｈ２に下降させる。この技術的意義についても後に詳述する。
また、図１および図２の例では、減圧乾燥装置１は、給気部６０と、底面整流板５０と、側面整流板５１と、気圧計７０と、をさらに含んでいる。給気部６０はチャンバ１０内に気体を供給する。これにより、チャンバ１０内の気圧を大気圧に戻すことができる。底面整流板５０および側面整流板５１はチャンバ１０内に設けられており、チャンバ１０内の気流を整える。気圧計７０はチャンバ１０内の気圧を計測し、その計測結果を示す電気信号を制御部８０に出力する。制御部８０は上述の減圧乾燥装置１の各種構成を制御する。例えば、制御部８０は、気圧計７０によって計測された気圧に基づいて減圧機構３０を制御して、チャンバ１０内の気圧を調整する。また、制御部８０は冷却部４０を制御して、冷却面４０ａの温度を調整し、第１昇降部１００を制御して、支持部２０の位置を調整する。
次に、減圧乾燥装置１の各構成の詳細な一例について述べる。
＜１－１－１．チャンバ１０＞
チャンバ１０には、基板９を収容するための内部空間１０ｓを有する耐圧容器が適用される。チャンバ１０は、例えば、図示を省略した装置フレーム上に固定されている。チャンバ１０の形状は、例えば、扁平な直方体状である。チャンバ１０は、例えば、略正方形状の底板部１１と、４つの側壁部１２と、略正方形状の天板部１３と、を有する。４つの側壁部１２は、例えば、底板部１１の４つの端辺と、天板部１３の４つの端辺とを、上下方向に接続している。例えば、４つの側壁部１２のうちの１つの側壁部１２には、搬入出口１４と、この搬入出口１４を開閉するゲート部（ゲートバルブともいう）１５と、が設けられている。ゲート部１５は、例えば、開閉駆動部１６に連結もしくは接続されている。図３では、図面の煩雑化を避けるために、開閉駆動部１６が概念的に示されている。開閉駆動部１６には、例えば、エアシリンダ等の駆動装置が適用される。ここでは、例えば、開閉駆動部１６の動作によって、ゲート部１５は、搬入出口１４を閉鎖している位置（閉鎖位置ともいう）と、搬入出口１４を開放している位置（開放位置ともいう）との間で移動することができる。
ここで、例えば、ゲート部１５が閉鎖位置に位置する状態では、チャンバ１０の内部空間１０ｓが密閉される。例えば、ゲート部１５が開放位置に位置する状態では、搬入出口１４を介して、チャンバ１０の内部空間１０ｓへの基板９の搬入およびチャンバ１０の内部空間１０ｓからの基板９の搬出を行うことができる。
＜１－１－２．支持部２０＞
支持部２０は、チャンバ１０の内部空間１０ｓに位置しており、チャンバ１０の内部空間１０ｓに収容された基板９を下方から支持することができる。支持部２０は、例えば、複数の支持プレート２１と、複数の支持ピン２２と、を有する。複数の支持プレート２１は、例えば、水平方向に間隔をあけて配列されている。各支持プレート２１の上面には、複数の支持ピン２２が立設されている。複数の支持ピン２２は上面視において２次元的に分散配置される。複数の支持プレート２１は、支持部２０のベースとなる部分である。基板９は複数の支持プレート２１の上方に配置され、複数の支持ピン２２の上端部が基板９の下面としての第２面Ｆ２に接触することで、基板９が水平姿勢で支持される。
＜１－１－３．減圧機構３０＞
図１および図２に示されるように、チャンバ１０の底板部１１のうち基板９と上下方向において対向する部分には、例えば、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄが設けられている。減圧機構３０は、例えば、排気配管３１と、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄと、主バルブＶｅと、真空ポンプ３２と、を有する。排気配管３１は、例えば、４つの個別配管３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄと、１つの主配管３１ｅと、を有する。例えば、個別配管３１ａの一端は、排気口１６ａに接続しており、個別配管３１ｂの一端は、排気口１６ｂに接続しており、個別配管３１ｃの一端は、排気口１６ｃに接続しており、個別配管３１ｄの一端は、排気口１６ｄに接続している。例えば、４つの個別配管３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄのそれぞれの他端は、合流して主配管３１ｅの一端に接続されている。例えば、主配管３１ｅの他端は、真空ポンプ３２に接続している。例えば、個別バルブＶａは、個別配管３１ａの経路上に設けられており、個別バルブＶｂは、個別配管３１ｂの経路上に設けられており、個別バルブＶｃは、個別配管３１ｃの経路上に設けられており、個別バルブＶｄは、個別配管３１ｄの経路上に設けられている。例えば、主バルブＶｅは、主配管３１ｅの経路上に設けられている。
ここで、例えば、ゲート部１５によって搬入出口１４を閉鎖した状態で、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄの少なくとも１つと、１つの主バルブＶｅとを開放し、真空ポンプ３２を動作させると、チャンバ１０内の気体が、排気配管３１を介してチャンバ１０の外部へ排出される。これにより、例えば、チャンバ１０の内部空間１０ｓの気圧を低下させることができる。４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄは、例えば、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄからの排気量（吸引流量）を、個別に調節するためのバルブである。４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄのそれぞれには、例えば、制御部８０からの指令に基づいて開状態と閉状態との間で切り替えられる弁（開閉弁ともいう）が適用される。主バルブＶｅは、例えば、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄからの合計の排気量を調整するためのバルブである。主バルブＶｅには、例えば、制御部８０からの指令に基づいて開度が調節され得る弁（開度制御弁ともいう）が適用される。
＜１－１－４．第１昇降部１００＞
第１実施形態では、第１昇降部１００はチャンバ１０内において支持部２０を昇降させる。換言すれば、第１昇降部１００は、支持部２０を昇降させることができる機構（昇降機構ともいう）を有する。図１では、図面の煩雑化を避けるために、第１昇降部１００が概念的に示されている。第１昇降部１００には、例えば、直動型モータまたはエアシリンダ等の駆動装置が適用される。図３に示されるように、第１昇降部１００は、例えば、本体部１００ａと、移動部１００ｂと、を有する。本体部１００ａは、例えば、チャンバ１０の外部において、図示を省略した装置フレームに固定されている。移動部１００ｂは、例えば、本体部１００ａに対して、上下方向に移動することができる。移動部１００ｂには、例えば、棒状の部材等が適用される。移動部１００ｂは、例えば、チャンバ１０の底板部１１の貫通孔１１ｈに挿通された状態で位置している。そして、例えば、移動部１００ｂの上端部に、支持部２０が固定されている。ここでは、例えば、底板部１１の下面と移動部１００ｂとの間にベローズ等が設けられれば、底板部１１と移動部１００ｂとの隙間が密閉され得る。例えば、支持部２０が複数の支持プレート２１を有する場合には、移動部１００ｂは、支持プレート２１ごとに支持プレート２１に固定されており且つ底板部１１の貫通孔１１ｈに挿通された棒状の部分（棒状部ともいう）と、複数の棒状部を連結している部分（連結部ともいう）と、連結部に接続されており且つ本体部１００ａに摺動可能に支持された部分（摺動部ともいう）と、を有する。第１昇降部１００が支持部２０を昇降させることにより、支持部２０によって支持された基板９も昇降する。
＜１－１－５．冷却部４０＞
冷却部４０の具体的な構成は特に制限されないものの、図１の例では、冷却部４０は、冷却部材４１と、第１冷媒配管４２と、第２冷媒配管４３と、冷媒冷却源４４とを含む。なお図３では、図面の煩雑化を避けるために、冷却部４０の構成を簡易的に示している。冷却部材４１は板状形状を有する。この場合、冷却部材４１は冷却板とも呼ばれ得る。冷却部材４１は、その厚み方向が上下方向に沿う姿勢で、天板部１３の上面に取り付けられている。冷却部材４１は上面視において例えば長方形状を有する。冷却部材４１の下面は天板部１３の上面に密着しているとよい。冷却部材４１は熱伝導率の高い材料（例えば金属など）によって形成され得る。
図１の例では、冷却部材４１の内部には冷媒流路４１ａが形成されている。冷媒流路４１ａは例えば上面視において蛇行していてもよく、渦巻き状に延びていてもよい。図１の例では、冷媒流路４１ａの流入口４１ｂおよび流出口４１ｃは冷却部材４１の上面に形成されている。流入口４１ｂは第１冷媒配管４２の下流端に接続され、流出口４１ｃは第２冷媒配管４３の上流端に接続される。第１冷媒配管４２の上流端および第２冷媒配管４３の下流端は、冷媒冷却源４４に接続されている。
冷媒冷却源４４には第２冷媒配管４３の下流端から冷媒が流入する。冷媒は、液体であってもよく、気体であってもよい。具体的な一例として、冷媒には水を適用することができる。冷媒冷却源４４は冷媒を冷却し、冷却後の冷媒を第１冷媒配管４２の上流端に供給する。冷媒冷却源４４は例えばヒートポンプであってもよい。冷媒冷却源４４によって冷却された冷媒は第１冷媒配管４２の上流端に流入し、第１冷媒配管４２を通じて冷媒流路４１ａに流入する。低温の冷媒が冷媒流路４１ａを流れることにより、冷媒が冷却部材４１と熱交換して冷却部材４１を冷却する。この冷却部材４１は天板部１３と熱交換するので、天板部１３も冷却される。冷媒流路４１ａを流れて温められた冷媒は第２冷媒配管４３を通じて再び冷媒冷却源４４に流入し、冷媒冷却源４４によって再び冷却される。
冷却部４０がチャンバ１０の天板部１３を冷却すると、天板部１３の下面（つまり、チャンバ１０の天井面）である冷却面４０ａも冷却される。図１の例では、冷却部材４１は上面視において基板９よりも大きなサイズを有する。つまり、上面視において冷却部材４１の輪郭は基板９の輪郭を囲う。冷却部材４１が上面視において長方形状を有している場合には、冷却部材４１の長辺は基板９の長辺よりも長く、冷却部材４１の短辺は基板９の短辺よりも長い。これにより、冷却部材４１は、基板９の第１面Ｆ１の全面と対向する冷却面４０ａの全面を適切に冷却することができる。また、冷却部材４１は上面視において正方形状を有していてもよい。この場合、冷却部材４１の１辺は基板９の短辺よりも長くてもよい。これによれば、支持部２０上に配置される基板９の向きに拘わらず、上面視において、冷却部材４１は基板９よりも大きい。このため、基板９の向きに拘わらず、冷却部材４１は、基板９の第１面Ｆ１の全面と対向する冷却面４０ａの全面を適切に冷却することができる。
＜１－１－６．底面整流板５０＞
底面整流板５０は、減圧機構３０によるチャンバ１０内の減圧時に、内部空間１０ｓにおける気体の流れを規制するためのプレートである。例えば、底面整流板５０は、支持部２０に支持される基板９と、チャンバ１０の底板部１１との間に位置するように配置されている。底面整流板５０は、例えば、チャンバ１０の底板部１１に、図示を省略した複数の支柱を介して固定されている。図２に示されるように、例えば、底面整流板５０は、上面視において正方形状の形状を有する。そして、例えば、底面整流板５０の上面視における各辺の長さは、長方形状の基板９の短辺よりも長い。このため、例えば、支持部２０上に配置される基板９の向きに拘わらず、上面視において、底面整流板５０は、基板９よりも大きい。また、底面整流板５０は、例えば、第１昇降部１００の移動部１００ｂが挿通された状態にある貫通孔５０ｈを有している。貫通孔５０ｈにおいて、底面整流板５０と移動部１００ｂとは、ごく小さな間隔をあけて位置している。
＜１－１－７．側面整流板５１＞
側面整流板５１は、底面整流板５０とともに、減圧機構３０によるチャンバ１０内の減圧時に、内部空間１０ｓにおける気体の流れを規制するためのプレートである。例えば、側面整流板５１は、下降位置Ｈ２に位置した支持部２０によって支持される基板９と、チャンバ１０の側壁部１２との間に位置するように配置されている。ここでは、例えば、支持部２０に支持される基板９の周囲を囲むように、４つの側面整流板５１が配置されている。例えば、４つの側面整流板５１は、全体として、基板９を包囲する四角筒状の整流板を形成している。また、例えば、底面整流板５０および４つの側面整流板５１は、全体として、有底筒状の箱状の整流板を形成している。なお、図１の例では、側面整流板５１の上端は、上昇位置Ｈ１に位置した支持部２０によって支持される基板９の第２面Ｆ２よりも下方に位置している。このため、支持部２０が上昇位置Ｈ１に位置する第１状態では、基板９は４つの側面整流板５１によって包囲されていない。
ここで、例えば、支持部２０が下降位置Ｈ２に位置した第２状態でのチャンバ１０内の減圧時には、基板９の直上の気体は主として側面整流板５１の上端に向かって流れる（後に説明する図１３も参照）。該気体は、側面整流板５１と側壁部１２との間の空間、底面整流板５０と底板部１１との間の空間、および排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄをこの記載の順に通って、チャンバ１０の外部へ排出される。このように、気体が基板９から離れた空間を流れることで、基板９の近傍に気流が形成されにくくなる。そして、基板９の周縁部において集中的な気流の発生が生じにくくなる。これにより、例えば、基板９の上面に形成された塗布膜９０の乾燥ムラの発生が抑制され得る。
また、ここで、例えば、図２に示されるように、上面視において、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄが、いずれも正方形状の底面整流板５０の対角線５２上に位置している構成が採用される。この場合には、例えば、各排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄによって、底面整流板５０の中央（２本の対角線５２の交点）に対して対称な気流が形成され得る。これにより、例えば、チャンバ１０の内部空間１０ｓにおいて、より均一な気流が形成され得る。
＜１－１－８．給気部６０＞
給気部６０は、チャンバ１０内に気体を供給する動作（給気ともいう）を行う部分である。図１で示されるように、チャンバ１０の底板部１１には、例えば、給気口１６ｆが設けられている。給気口１６ｆは、例えば、底面整流板５０の下方に位置している。給気部６０は、給気口１６ｆに接続された給気配管６１と、給気バルブＶｆと、給気源６２と、を有する。例えば、給気配管６１の一端は、給気口１６ｆに接続している。例えば、給気配管６１の他端は、給気源６２に接続している。例えば、給気バルブＶｆは、給気配管６１の経路上に設けられている。
ここで、例えば、給気バルブＶｆを開放すると、給気源６２から給気配管６１および給気口１６ｆを介して、チャンバ１０の内部空間１０ｓに気体が供給される。これにより、チャンバ１０内の気圧を上昇させることができる。給気源６２から供給される気体は、例えば、窒素気体等の不活性気体であってもよいし、クリーンドライエアであってもよい。クリーンドライエアは、例えば、一般的な環境における空気に対してパーティクルおよび水分を除去する清浄化を施すことで準備され得る。
＜１－１－９．気圧計７０＞
気圧計７０は、チャンバ１０の内部空間１０ｓの気圧を計測するセンサである。図１に示されるように、気圧計７０はチャンバ１０の一部分に取り付けられている。気圧計７０はチャンバ１０の内部空間１０ｓの気圧を計測し、その計測結果を制御部８０へ出力することができる。
＜１－１－１０．制御部８０＞
制御部８０は、減圧乾燥装置１の各部の動作を制御するためのユニット（電子回路）である。制御部８０は、減圧機構３０、冷却部４０、給気部６０および第１昇降部１００等の構成を制御することができる。制御部８０は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサ８０１、ＲＡＭ（Random Access Memory）等のメモリ８０２、およびハードディスクドライブ等の記憶部８０３を有するコンピュータによって構成されている。記憶部８０３には、例えば、減圧乾燥装置１において基板９上の塗布膜９０を減圧によって乾燥させる処理（減圧乾燥処理ともいう）を実行させるためのコンピュータプログラム（プログラムともいう）８０３ｐおよび各種のデータが記憶されている。記憶部８０３は、例えば、プログラム８０３ｐを記憶し、コンピュータで読み取り可能な非一時的な記憶媒体としての役割を有する。制御部８０は、例えば、記憶部８０３からメモリ８０２にプログラム８０３ｐおよびデータを読み出して、プロセッサ８０１においてプログラム８０３ｐおよびデータに従った演算処理を行うことで、減圧乾燥装置１の各部の動作を制御する。このため、例えば、プログラム８０３ｐは、減圧乾燥装置１において制御部８０に含まれるプロセッサ８０１によって実行されることで、減圧乾燥処理を実行させることができる。
また、制御部８０には、例えば、入力部８０４、出力部８０５、通信部８０６およびドライブ８０７が接続されていてもよい。入力部８０４は、例えば、ユーザの動作等に応答して各種の信号を制御部８０に入力する部分である。入力部８０４には、例えば、ユーザの操作に応じた信号を入力する操作部、ユーザの音声に応じた信号を入力するマイク、およびユーザの動きに応じた信号を入力する各種センサ等が含まれ得る。出力部８０５は、例えば、各種の情報をユーザが認識可能な態様で出力する部分である。出力部８０５には、例えば、表示部、プロジェクタ、およびスピーカ等が含まれ得る。表示部は、入力部８０４と一体化されたタッチパネルであってもよい。通信部８０６は、例えば、有線もしくは無線の通信手段等によってサーバ等の外部の装置との間で各種の情報の送受信を行う部分である。例えば、通信部８０６によって外部の装置から受信したプログラム８０３ｐが記憶部８０３に記憶されてもよい。ドライブ８０７は、例えば、磁気ディスクまたは光ディスク等の可搬性の記憶媒体８０７ｍの着脱が可能な部分である。このドライブ８０７は、例えば、記憶媒体８０７ｍが装着されている状態で、この記憶媒体８０７ｍと制御部８０との間におけるデータの授受を行う。例えば、プログラム８０３ｐが記憶された記憶媒体８０７ｍがドライブ８０７に装着されることで、記憶媒体８０７ｍから記憶部８０３内にプログラム８０３ｐが読み込まれて記憶されてもよい。ここでは、記憶媒体８０７ｍは、例えば、プログラム８０３ｐを記憶し、コンピュータで読み取り可能な非一時的な記憶媒体としての役割を有する。
図６は、制御部８０において実現される機能を概念的に示したブロック図である。図６に示されるように、制御部８０は、例えば、開閉駆動部１６、第１昇降部１００、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄ、主バルブＶｅ、真空ポンプ３２、給気バルブＶｆ、冷却部４０および気圧計７０と、それぞれ電気的に接続されている。制御部８０は、例えば、気圧計７０から出力される計測値を参照しつつ、上記各部の動作を制御することができる。
図６に概念的に示したように、制御部８０は、実現される機能的な構成として、例えば、開閉制御部８１、昇降制御部８２、切替制御部８３、排気制御部８４、ポンプ制御部８５、給気制御部８６および冷却制御部８７を有する。例えば、開閉制御部８１は、開閉駆動部１６の動作を制御する。例えば、昇降制御部８２は、第１昇降部１００の動作を制御する。例えば、切替制御部８３は、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄの開閉状態を個別に制御する。例えば、排気制御部８４は、主バルブＶｅの開閉状態および開度を制御する。例えば、ポンプ制御部８５は、真空ポンプ３２の動作を制御する。例えば、給気制御部８６は、給気バルブＶｆの開閉状態を制御する。例えば、冷却制御部８７は、冷却部４０の動作を制御する。制御部８０における各部の機能は、例えば、上述したプログラム８０３ｐ等に従った演算処理をプロセッサ８０１が行うことで実現される。
＜１－２．減圧乾燥処理＞
次に、減圧乾燥装置１を用いた基板９の減圧乾燥処理について説明する。図７は、第１実施形態に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示すフローチャートである。この減圧乾燥処理のフローは、例えば、制御部８０に含まれるプロセッサ８０１においてプログラム８０３ｐが実行されることで実現される。ここでは、例えば、図７のステップＳ１からステップＳ８の処理がこの記載の順に行われる。
減圧乾燥装置１を用いて減圧乾燥処理を行う際には、例えば、まず、基板９をチャンバ１０内に搬入する（ステップＳ１）。このとき、基板９の第１面Ｆ１には、未乾燥の塗布膜９０が形成されている状態にある。ステップＳ１では、例えば、ゲート部１５が制御部８０の制御下で搬入出口１４を開放し、図示を省略した搬送ロボットが、フォーク状のハンドに基板９を載置しつつ、チャンバ１０の搬入出口１４を介して、チャンバ１０の内部空間１０ｓへ基板９を搬入する。この時点では、支持部２０は、例えば、下降位置Ｈ２に位置している。なお、側面整流板５１が搬送ロボットと干渉しないように、側面整流板５１が移動可能に構成されてもよい。搬送ロボットは、例えば、支持部２０の複数の支持プレート２１の間へフォーク状のハンドを挿入しつつ、支持部２０上に基板９を載置し、その後、チャンバ１０の外部にフォークを退避させる。そして、ゲート部１５は制御部８０の制御下で搬入出口１４を閉鎖する。以上のように、ステップＳ１では、チャンバ１０内に配置された複数の支持ピン２２に基板９を載置する工程（載置工程ともいう）が行われる。
次に、減圧乾燥装置１は冷却処理を行う（ステップＳ２）。冷却処理は、冷却面４０ａを冷却する処理である。具体的には、制御部８０が冷却部４０を動作させることにより、冷却部４０が冷却面４０ａを冷却し、冷却面４０ａの温度を低下させる。冷却部４０は冷却面４０ａの温度を目標温度まで低下させる。目標温度は例えば摂氏５度以上かつ摂氏１５度以下である。より具体的な一例として、目標温度は摂氏１０度程度である。冷却部４０は、基板９に対する減圧乾燥処理が完了するまで冷却面４０ａに対する冷却動作を継続してもよい。なお、冷却部４０により冷却動作は、ステップＳ１よりも前に開始されてもよい。
次に、減圧乾燥装置１は第１間隔調整処理を行う（ステップＳ３）。第１間隔調整処理は、基板９と冷却面４０ａとの間隔を第１間隔にする処理である。具体的には、制御部８０が第１昇降部１００を制御して、支持部２０を上昇位置Ｈ１に上昇させる。支持部２０が上昇位置Ｈ１に位置する第１状態では、基板９は側面整流板５１の上端よりも上方に位置する（図１も参照）。
次に、減圧乾燥装置１は第１減圧処理を行う（ステップＳ４：第１工程に相当）。第１減圧処理は、チャンバ１０内の気圧を第１気圧（以下、第１目標気圧と呼ぶ）まで低下させる処理である。第１目標気圧は標準大気圧よりも低く、例えば１０ｋＰａ以上に設定される。具体的には、制御部８０は減圧機構３０にチャンバ１０内の気体を小さい第１吸引流量で吸引させることにより、チャンバ１０内の気圧を低下させる。例えば、制御部８０が主バルブＶｅの開度を後述の第２減圧処理時の開度よりも小さくしてもよい。これによれば、第１減圧処理において、チャンバ１０内の気圧はより低い低下速度で低下する。
ステップＳ３では、例えば、制御部８０が、複数の個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄのそれぞれの開閉状態を個別に適宜制御してもよい。これにより、基板９の乾燥ムラの発生を抑制するように、チャンバ１０内の気流を制御することができる。
図８および図９は、第１減圧処理におけるチャンバ１０内の様子の一例を概略的に示す図である。図８は、チャンバ１０の全体を示しており、図９は、チャンバ１０内のうちの冷却面４０ａおよび基板９の近傍を拡大して示している。
図８に示されるように、第１減圧処理において、支持部２０が上昇位置Ｈ１に位置する第１状態では、基板９と冷却面４０ａとの間隔は非常に狭い。そのため、上部空間１０ｓ１内の気圧の低下速度がより低くなり、基板９の第１面Ｆ１上の塗布膜９０における突沸の発生を抑制することができる。
一方で、第１状態では、支持部２０によって支持された基板９は側面整流板５１の上端よりも上方に位置している。このため、側面整流板５１による整流機能は、基板９と冷却面４０ａとの間の上部空間１０ｓ１にはほとんど作用しない。したがって、側面整流板５１による乾燥ムラの発生抑制効果はあまり招来できない。第１状態では、基板９よりも下方の下部空間１０ｓ２は広いので、下部空間１０ｓ２内の気体は速やかに排出される。具体的には、下部空間１０ｓ２内の気体は側面整流板５１とチャンバ１０の側壁部１２との間を通って、チャンバ１０から排出される。図８では、この気流を模式的に破線の矢印で示している。
第１減圧処理によって、チャンバ１０内の気圧は低下するので、基板９の第１面Ｆ１上の塗布膜９０の溶媒は蒸発する。図９では、塗布膜９０からの溶媒蒸気の流れを破線の矢印で模式的に示している。第１減圧処理においては、冷却部４０が冷却面４０ａを冷却しているので、塗布膜９０からの溶媒蒸気は冷却面４０ａにおいて冷却されて凝縮する。つまり、図９に示されるように、冷却面４０ａに液状の溶媒９１が付着する。言い換えれば、冷却面４０ａの目標温度は、チャンバ１０内の気圧が第１目標気圧となる状態で、溶媒蒸気が凝縮する程度の温度に設定される。より具体的な一例として、冷却面４０ａの目標温度は、溶媒の蒸気圧曲線において圧力が第１目標気圧となるときの温度以下に設定される。これにより、冷却面４０ａのうち塗布膜９０と対面する領域には、溶媒９１がほぼ均一に一様に付着し得る。このように、上部空間１０ｓ１内の溶媒蒸気が冷却面４０ａで凝縮することにより、上部空間１０ｓ１内の溶媒蒸気の濃度が低下し、その上面視における溶媒蒸気の濃度分布がより均一化される。
比較のために、冷却部４０が設けられていない比較構造について説明する。図１０は、比較構造にかかるチャンバ１０の天板部１３および基板９を拡大して示す図である。図９の例では、チャンバ１０の天板部１３の下面１３ａは冷却部４０によって冷却されていない。天板部１３の下面１３ａの温度は例えばおおむね常温である。
第１減圧処理においては、基板９と下面１３ａとの間隔は狭いので、塗布膜９０からの溶媒蒸気はすぐに天板部１３の下面１３ａに衝突する。このため、上部空間１０ｓ１のうちの塗布膜９０の中央部分と対向する中央領域では、溶媒蒸気が留まりやすい。一方、上部空間１０ｓ１のうちの塗布膜９０の周縁部分と対向する周縁領域では、濃度拡散により溶媒蒸気は水平方向に流出することができる。そのため、塗布膜９０の周縁部分は中央部分に比べて蒸発しやすくなる。つまり、塗布膜９０に乾燥ムラが生じ得る。
図１１は、比較構造における上部空間１０ｓ１内の溶媒蒸気の濃度分布の一例を示す図である。図１１（ａ）は、上面視における溶媒蒸気の濃度分布を示し、図１１（ｂ）は、側面視における溶媒蒸気の濃度分布を示している。図１１（ａ）では、溶媒蒸気の濃度分布を等高線Ｔ１から等高線Ｔ１０で示している。等高線Ｔ１から等高線Ｔ１０は、その符号の数字が小さいほど高い濃度を示している。つまり、等高線Ｔ１が等高線Ｔ１から等高線Ｔ１０の間で最も高い濃度を示している。図１１（ｂ）では、溶媒蒸気の濃度分布を等高線Ｔ１１から等高線Ｔ２１で示している。等高線Ｔ１１から等高線Ｔ２１は、その符号の数字が小さいほど高い濃度を示している。つまり、等高線Ｔ１１が等高線Ｔ１１から等高線Ｔ２１の間で最も高い濃度を示している。
図１１（ａ）から理解できるように、比較構造では、塗布膜９０の周囲から外側に溶媒蒸気が流れている。また、図１１（ｂ）に示されているように、上部空間１０ｓ１のうちの塗布膜９０の周縁部分と対面する周縁領域１０ｒでは、溶媒蒸気の濃度は塗布膜９０の外側に向かうにつれて低下する。このため、塗布膜９０の周縁部分は中央部分に比べてより蒸発しやすくなることが分かる。
図１２は、冷却部４０が冷却している状態での上部空間１０ｓ１内の溶媒蒸気の濃度分布の一例を示す図である。図１２（ａ）は、上面視における溶媒蒸気の濃度分布を示し、図１２（ｂ）は、側面視における溶媒蒸気の濃度分布を示している。図１２（ａ）から理解できるように、溶媒蒸気は塗布膜９０の周囲から外側にはあまり流れ出ていない。これは、塗布膜９０からの溶媒蒸気が冷却面４０ａにおいて冷却されて凝縮するからである。つまり、塗布膜９０のうちの中央部分からの溶媒蒸気も周縁部分からの溶媒蒸気も、冷却面４０ａとの温度差に応じた上昇気流で上方に流れて、冷却面４０ａで凝縮するのである（図９も参照）。このように周縁部分からの溶媒蒸気も冷却面４０ａにおいて凝縮するので、溶媒蒸気の外側への流れはあまり生じない。また、塗布膜９０からの溶媒蒸気は上部空間１０ｓ１においてあまり滞留しない。
図１２（ｂ）に示されているように、周縁領域１０ｒにおいても、溶媒蒸気の濃度は上下方向において塗布膜９０から離れるにしたがって低下するものの、水平方向においてはほぼ均一である。
したがって、塗布膜９０の中央部分における蒸発量と周縁部分における蒸発量との差を低減させることができ、乾燥ムラの発生を抑制することができる。また、冷却面４０ａでの溶媒蒸気の凝縮により、上部空間１０ｓ１における溶媒蒸気の濃度を低下させるので、塗布膜９０の蒸発を促進させることもできる。このため、減圧乾燥処理におけるスループットを向上させることもできる。
次に、例えばチャンバ１０内の気圧が第１目標気圧に達すると、減圧乾燥装置１は第２間隔調整処理を行う（ステップＳ５）。第２間隔調整処理は、基板９と冷却面４０ａとの間隔を第２間隔とする処理である。具体的には、制御部８０は第１昇降部１００を制御して、支持部２０を下降位置Ｈ２に下降させる。支持部２０が下降位置Ｈ２に位置する第２状態では、基板９は側面整流板５１の上端よりも下方に位置している。
次に、減圧乾燥装置１は第２減圧処理を行う（ステップＳ６：第２工程に相当）。第２減圧処理は、チャンバ１０内の気圧を第１目標気圧よりも低い第２気圧（以下、第２目標気圧と呼ぶ）に低下させる処理である。具体的には、制御部８０は減圧機構３０にチャンバ１０内の気体を第１吸引流量よりも大きい第２吸引流量で吸引させることにより、チャンバ１０内の気圧を低下させる。例えば、制御部８０が主バルブＶｅの開度を第１減圧処理時の開度よりも大きくしてもよい。チャンバ１０内の気圧は、第１減圧処理時の低下速度よりも高い低下速度で第２目標気圧まで低下する。第２減圧処理では、減圧乾燥装置１はチャンバ１０内の気圧を所定期間に亘って第２目標気圧で維持させてもよい。第２目標気圧は例えば１０ｋＰａ未満かつ０．１Ｐａ以上である。
ステップＳ６でも、例えば、制御部８０が、複数の個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄのそれぞれの開閉状態を個別に適宜制御してもよい。これにより、基板９の乾燥ムラを抑制するように、チャンバ１０内の気流を制御することができる。
図１３は、第２減圧処理におけるチャンバ１０内の様子の一例を概略的に示す図である。図１３に示されるように、支持部２０が下降位置Ｈ２に位置する第２状態では、基板９と冷却面４０ａとの間隔は広い。言い換えれば、上部空間１０ｓ１の高さは大きい。このため、第１減圧処理とは異なって、塗布膜９０からの溶媒蒸気は上方にも流れやすく、溶媒蒸気の滞留を招きにくい。上部空間１０ｓ１が大きいので、上部空間１０ｓ１内の気圧をより適切かつ速やかに第２目標気圧に低下させることができる。
また、第２状態では、支持部２０によって支持された基板９は４つの側面整流板５１によって包囲される。このため、側面整流板５１による整流機能が基板９と冷却面４０ａとの間の上部空間１０ｓ１に作用する。つまり、基板９の周縁部への気流の集中を側面整流板５１によって抑制することができる。したがって、気流による塗布膜９０の乾燥ムラの発生をさらに抑制することができる。
チャンバ１０内の気圧が第２目標気圧に達すると、塗布膜９０の溶媒が沸騰して塗布膜９０の乾燥がより高い速度で進行する。減圧機構３０はチャンバ１０内の気圧が第２目標気圧で略一定となるようにチャンバ１０内の気体を吸引してもよい。つまり、減圧機構３０は所定期間に亘ってチャンバ１０内の気圧を第２目標気圧に維持してもよい。本実施の形態では、第２減圧処理において、冷却面４０ａに付着した溶媒９１も蒸発する。言い換えれば、冷却面４０ａの目標温度は、チャンバ１０内の気圧が第２目標気圧となる状態で、溶媒が蒸発する程度の温度に設定される。より具体的な一例として、冷却面４０ａの目標温度は、溶媒の蒸気圧曲線において圧力が第２目標気圧となるときの温度以上に設定される。
塗布膜９０および冷却面４０ａからの溶媒蒸気は、側面整流板５１の上端側から、側面整流板５１とチャンバ１０の側壁部１２との間の空間へ流入し、排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄを通じて外部に排出される。図１３では、これらの溶媒蒸気の流れを破線の矢印で模式的に示している。
塗布膜９０の沸騰が終了すると、つまり、所定期間が経過すると、減圧機構３０はチャンバ１０内の気圧をさらに低下させてもよい。言い換えれば、減圧機構３０はチャンバ１０内の気圧を第２目標気圧よりも低い第３目標気圧まで低下させてもよい。これにより、塗布膜９０および冷却面４０ａをより確実に乾燥させることができる。
以上のように、第２減圧処理においては、第１昇降部１００が支持部２０を下降位置Ｈ２に下降させ、かつ、減圧機構３０がチャンバ１０内の気圧を第２目標気圧以下とする。これにより、減圧乾燥装置１は第２減圧処理において、基板９の第１面Ｆ１上の塗布膜９０のみならず冷却面４０ａをも乾燥させることができる。
塗布膜９０および冷却面４０ａの両方が十分に乾燥すると、制御部８０は給気バルブＶｆを開放する。これにより、給気源６２から給気配管６１および給気口１６ｆを通ってチャンバ１０の内部空間１０ｓへ気体が供給される（ステップＳ７）。これにより、チャンバ１０内の気圧が、再び大気圧まで上昇する。
そして、例えば、最後に、基板９をチャンバ１０内から搬出する（ステップＳ８）。ステップＳ８では、例えば、まず、ゲート部１５が制御部８０の制御下で搬入出口１４を開放し、図示を省略した搬送ロボットが、支持部２０に載置された乾燥済みの基板９を、チャンバ１０の搬入出口１４を介して、チャンバ１０の外部へ搬出する。これにより、１枚の基板９に対する減圧乾燥処理が終了し得る。
以上のように、本実施の形態では、制御部８０は、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第１間隔となる第１状態においてチャンバ１０内の気圧を第１気圧とした後、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第２間隔となる第２状態においてチャンバ１０内の気圧を第２気圧とするように、第１昇降部１００および減圧機構３０を制御する。
具体的には、まず第１減圧処理において、冷却部４０が冷却面４０ａを冷却し、かつ、第１昇降部１００が支持部２０を上昇位置Ｈ１に上昇させた状態で、減圧機構３０がチャンバ１０内の気圧を第１目標気圧まで低下させる。第１減圧処理では、支持部２０が上昇位置Ｈ１に位置しているので、基板９と冷却面４０ａとの間隔は狭い。このため、基板９と冷却面４０ａとの間の上部空間１０ｓ１内の気圧の急激な低下を抑制することができ、塗布膜９０の突沸の発生を抑制することができる。
また、第１減圧処理において、冷却部４０が冷却面４０ａを冷却している。より具体的には、冷却部４０は、第１目標気圧下で溶媒蒸気が凝縮する程度の目標温度まで冷却面４０ａの温度を低下させる。このため、基板９上の塗布膜９０からの溶媒蒸気が冷却面４０ａで凝縮する。したがって、上部空間１０ｓ１（特に中央領域）における溶媒蒸気の滞留を抑制することができ、塗布膜９０の乾燥ムラの発生を抑制することができる。
一方、第１減圧処理の後の第２減圧処理においては、第１昇降部１００が支持部２０を下降位置Ｈ２に下降させた状態で、減圧機構３０がチャンバ１０内の気圧を第２目標気圧以下に低下させる。支持部２０が下降位置Ｈ２に位置しているので、基板９と冷却面４０ａとの間隔は広い。これにより、チャンバ１０内の気圧をより適切かつ速やかに低下させることができる。したがって、塗布膜９０をより適切かつ速やかに乾燥させることができる。なお、第２減圧処理では、基板９と冷却面４０ａとの間隔は広いので、溶媒蒸気の滞留は生じにくく、乾燥ムラの発生を招きにくい。
また、第２減圧処理において、冷却面４０ａの温度は、第２目標気圧下で溶媒が蒸発する程度の温度である。このため、第２減圧処理において、基板９上の塗布膜９０のみならず冷却面４０ａをも乾燥させることができる。したがって、次の基板９に対する減圧乾燥処理を行う前に、冷却面４０ａの乾燥処理を別途に行う必要がなく、次の基板９に対する減圧乾燥処理を速やかに行うことができる。これによれば、複数の基板９に対する減圧乾燥処理のスループットを向上させることができる。
また、第１実施形態では、チャンバ１０の天井面が冷却面４０ａに相当する。このため、冷却部４０をチャンバ１０の上面に外付けすれば、既設のチャンバ１０をそのまま流用することができる。
また、第１実施形態では、冷却部材４１が天板部１３を冷却することで、天板部１３の下面である冷却面４０ａを冷却している。上面視における冷却部材４１内の温度分布は、冷媒流路４１ａの延在形状に応じてややばらつき得るものの、天板部１３内の熱伝達により、温度分布のばらつきは冷却面４０ａに向かうにつれて緩和される。つまり、天板部１３の冷却面４０ａにおける温度分布をより均一化することができる。このため、基板９の第１面Ｆ１上の塗布膜９０からの溶媒蒸気を、より均一に冷却面４０ａにおいて凝縮させることができる。したがって、上部空間１０ｓ１における溶媒蒸気の濃度分布の均一性を高めることができる。これにより、乾燥ムラの発生をさらに抑制することができる。
また、第１実施形態では、基板９と冷却面４０ａとの間隔調整に、支持部２０を昇降させる第１昇降部１００を用いている。このため、既設の第１昇降部１００をそのまま流用することができる。
＜２．第２実施形態＞
図１４は、第２実施形態に係る減圧乾燥装置１Ａの縦断面の一例を概略的に示す図である。減圧乾燥装置１Ａは第２昇降部４５を除いて、減圧乾燥装置１と同様の構成を有している。第２昇降部４５は、冷却部４０の冷却部材４１を冷却位置Ｈ３と離間位置Ｈ４との間で昇降させる。冷却位置Ｈ３は、冷却部材４１の下面がチャンバ１０の天板部１３の上面に接する位置であり、離間位置Ｈ４は、冷却部材４１が天板部１３から離れた位置である。図１４の例では、離間位置Ｈ４に位置する冷却部材４１が仮想線で模式的に示されている。第２昇降部４５には、例えば、直動型モータまたはエアシリンダ等の駆動装置が適用される。
図１５は、第２実施形態に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示すフローチャートである。ここでは、例えば、図１５のステップＳ１１からステップＳ１９の処理がこの記載の順に行われる。冷却部材４１は初期的には、冷却位置Ｈ３に位置している。
減圧乾燥装置１ＡはまずステップＳ１１からステップＳ１５をこの順で行う。ステップＳ１１からステップＳ１５はそれぞれステップＳ１からステップＳ５と同様である。ただし、冷却部４０による冷却面４０ａへの冷却動作は、実質的にはステップＳ１５で終了し得る。
ステップＳ１５の次に、減圧乾燥装置１Ａは冷却部離間処理を行う（ステップＳ１６）。冷却部離間処理は、冷却部４０を離間位置Ｈ４へ移動させる処理である。具体的には、制御部８０は第２昇降部４５を制御して、冷却部材４１を冷却位置Ｈ３から離間位置Ｈ４へ上昇させる。冷却部材４１が離間位置Ｈ４へ上昇することにより、冷却面４０ａに対する冷却動作は実質的に中断され得る。
次に、減圧乾燥装置１ＡはステップＳ１７からステップＳ１９を行う。ステップＳ１７からステップＳ１９はそれぞれステップＳ６からステップＳ８と同様である。
以上のように、第２実施形態によれば、第１減圧処理（ステップＳ１４）において、冷却部材４１は冷却位置Ｈ３に下降しており、天板部１３の下面である冷却面４０ａを冷却する。このため、減圧乾燥装置１Ａは第１減圧処理において溶媒蒸気をより確実に冷却面４０ａで凝縮させることができる。しかも、第２実施形態によれば、第２減圧処理（ステップＳ１７）において、冷却部材４１は離間位置Ｈ４に上昇している。このため、第２減圧処理において、冷却面４０ａに対する冷却動作は実質的に中断され得る。冷却部材４１が冷却面４０ａから遠ざかることにより、冷却面４０ａの温度は時間の経過とともに上昇するので、冷却面４０ａに付着した溶媒９１の蒸発を促進させることができる。したがって、減圧乾燥装置１Ａは第２減圧処理において冷却面４０ａをより確実に乾燥させることができる。
＜３．第３実施形態＞
図１６は、第３実施形態に係る減圧乾燥装置１Ｂの縦断面の一例を概略的に示す図である。減圧乾燥装置１Ｂは、冷却部４０の内部構成を除いて減圧乾燥装置１と同様の構成を有している。
図１６に示されるように、減圧乾燥装置１Ｂの冷却部４０の一部は、チャンバ１０の天板部１３に埋設されている。ここでは、天板部１３が冷却部材４１として機能する。天板部１３は熱伝導率の高い材料（例えば金属）によって形成されてもよい。図１６の例では、天板部１３の内部には、冷却部４０の一部である冷媒流路４１ａが形成されている。冷媒流路４１ａは例えば上面視において天板部１３の内部を蛇行していてもよく、渦巻き状に延びていてもよい。図１６の例では、冷媒流路４１ａの流入口４１ｂおよび流出口４１ｃは天板部１３の上面に形成されている。流入口４１ｂは第１冷媒配管４２の下流端に接続され、流出口４１ｃは第２冷媒配管４３の上流端に接続される。
冷媒冷却源４４が冷媒を冷却しつつ循環させることにより、チャンバ１０の天板部１３を冷却することができる。つまり、天板部１３の下面である冷却面４０ａが冷却される。
減圧乾燥装置１Ｂを用いた減圧乾燥処理の流れの一例は第１実施形態における減圧乾燥処理と同様である。これにより、第３実施形態でも、乾燥ムラの発生を抑制しつつ、複数の基板９に対する減圧乾燥処理のスループットを向上させることができる。
しかも、第３実施形態では、天板部１３が冷却部材４１として機能する。したがって、減圧乾燥装置１Ｂの部品点数を低減させることができ、減圧乾燥装置１Ｂのサイズおよび製造コストを低減させることができる。また、冷媒流路４１ａと冷却面４０ａとの間隔を低減させることができるので、冷却部４０はより高い効率で冷却面４０ａを冷却することができる。
なお、天板部１３に埋設される冷却部４０の一部は、天板部１３から熱を吸収する低温部分であり、例えば、冷却部４０がペルチェ素子等の冷却素子を有している場合には、該冷却素子が天板部１３に埋設される。
＜４．第４実施形態＞
図１７は、第４実施形態に係る減圧乾燥装置１Ｃの縦断面の一例を概略的に示す図である。減圧乾燥装置１Ｃは、冷却部４０の内部構成を除いて減圧乾燥装置１と同様の構成を有している。
図１７に示されるように、減圧乾燥装置１Ｃの冷却部４０の一部は、チャンバ１０の内部空間１０ｓに位置している。具体的には、冷却部材４１がチャンバ１０の内部空間１０ｓに位置している。冷却部材４１は、チャンバ１０内において、支持部２０によって支持された基板９の第１面Ｆ１と対面する位置に設けられている。つまり、冷却部材４１は支持部２０によって支持された基板９よりも上方に設けられている。冷却部材４１は、チャンバ１０内において、その厚み方向が上下方向に沿う姿勢で設けられる。冷却部材４１は不図示の固定部を通じてチャンバ１０に固定される。冷却部材４１は例えばネジ等の固定部によってチャンバ１０の天板部１３に固定されていてもよい。第４実施形態では、冷却部材４１の下面が冷却面４０ａに相当する。
図１７の例では、第１冷媒配管４２および第２冷媒配管４３は天板部１３を貫通しており、冷媒冷却源４４はチャンバ１０の外部に設けられている。冷媒冷却源４４が冷媒を冷却しつつ冷媒を循環させることにより、冷却部材４１が冷却される。つまり、冷却部材４１の冷却面４０ａが冷却される。
図１７の例では、冷却部材４１は上面視において基板９よりも大きなサイズを有する。冷却部材４１の冷却面４０ａは上面視において基板９と同様の長方形状を有してもよい。この場合、冷却面４０ａの長辺は基板９の長辺よりも長く、冷却面４０ａの短辺は基板９の短辺よりも長い。これによれば、冷却面４０ａは上下方向において基板９の第１面Ｆ１の全面と対面することができる。また、冷却面４０ａは上面視において正方形状を有していてもよい。この場合、冷却面４０ａの１辺は基板９の短辺よりも長くてもよい。これによれば、支持部２０上に配置される基板９の向きに拘わらず、上面視において、冷却面４０ａは基板９よりも大きい。このため、基板９の向きに拘わらず、冷却面４０ａは、基板９の第１面Ｆ１の全面と対向することができる。
減圧乾燥装置１Ｃを用いた減圧乾燥処理の流れの一例は第１実施形態における減圧乾燥処理と同様である。これにより、第４実施形態でも、乾燥ムラの発生を抑制しつつ、複数の基板９に対する減圧乾燥処理のスループットを向上させることができる。
しかも、第４実施形態では、冷却面４０ａは、チャンバ１０とは別体の冷却部材４１の下面である。このため、冷却面４０ａを有する冷却部材４１の材料をチャンバ１０への仕様要求とは別に選定することができる。つまり、冷却部材４１の材料の選択性を向上させることができる。また、冷却面４０ａは冷却部材４１の下面であるので、冷却部４０の低温部分（ここでは冷媒流路４１ａ）と冷却面４０ａとの間隔を狭くすることができる。このため、冷却部４０はより高い効率で冷却面４０ａを冷却することができる。
＜５．第５実施形態＞
図１８は、第５実施形態に係る減圧乾燥装置１Ｄの縦断面の一例を概略的に示す図である。減圧乾燥装置１Ｄは、第１昇降部１００の昇降対象を除いて減圧乾燥装置１Ｃと同様の構成を有している。図１８に示されるように、第１昇降部１００は冷却部４０を昇降させる。具体的には、第１昇降部１００は冷却部４０の冷却部材４１を上昇位置Ｈ１１と下降位置Ｈ１２との間で昇降させる。下降位置Ｈ１２は、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第１間隔となるときの冷却部材４１の位置である。図１８では、下降位置Ｈ１２に位置する冷却部材４１を仮想線で示している。上昇位置Ｈ１１は、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第２間隔となるときの冷却部材４１の位置である。つまり、第１昇降部１００は、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第１間隔となる第１状態と、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第２間隔となる第２状態との間で、冷却部材４１を昇降させる。
図１８に示されるように、支持部２０は、第１実施形態から第４実施形態でいう下降位置Ｈ２に位置している。つまり、支持部２０によって支持された基板９は側面整流板５１の上端よりも低い位置にあり、４つの側面整流板５１によって包囲されている。第５実施形態では、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第１間隔となる第１状態、および、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第２間隔となる第２状態の両方において、基板９は４つの側面整流板５１によって包囲される。
下降位置Ｈ１２は、冷却部材４１の冷却面４０ａが側面整流板５１の上端よりも下方となる位置であってもよい。つまり、冷却部材４１は、上面視において、４つの側面整流板５１によって囲まれた空間よりも小さいサイズを有する。
上昇位置Ｈ１１は、冷却部材４１の冷却面４０ａが側面整流板５１の上端よりも上方となる位置である。冷却部材４１が上昇位置Ｈ１１に位置する状態で、冷却面４０ａと側面整流板５１の上端との間隔は、例えば、第１間隔の２倍以上であってもよく、５倍以上であってもよい。これによれば、基板９の直上の気体が側面整流板５１の上端側から側面整流板５１とチャンバ１０の側壁部１２との間の空間に流入しやすい。
第１昇降部１００には、例えば、直動型モータまたはエアシリンダ等の駆動装置が適用される。第１昇降部１００の本体部１００ａは、例えば、チャンバ１０の外部において、図示を省略した装置フレームに固定される。第１昇降部１００の移動部１００ｂは、例えば、本体部１００ａに対して、上下方向に移動することができる。移動部１００ｂには、例えば、棒状の部材等が適用される。移動部１００ｂは、例えば、チャンバ１０の天板部１３の貫通孔１３ｈに挿通された状態で位置している。そして、例えば、移動部１００ｂの下端部に、冷却部材４１が固定されている。ここでは、例えば、天板部１３の上面と移動部１００ｂとの間にベローズ等が設けられれば、天板部１３と移動部１００ｂとの隙間が密閉され得る。
減圧乾燥装置１Ｄを用いた減圧乾燥処理の流れの一例は第１実施形態における減圧乾燥処理と同様である。ただし、第１間隔調整処理（ステップＳ３）では、第１昇降部１００は、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第１間隔となるように、冷却部材４１を下降位置Ｈ１２に下降させる。また、第２間隔調整処理（ステップＳ５）では、第１昇降部１００は、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第２間隔となるように、冷却部材４１を上昇位置Ｈ１１に上昇させる。これにより、第５実施形態でも、乾燥ムラの発生を抑制しつつ、複数の基板９に対する減圧乾燥処理のスループットを向上させることができる。
しかも、第５実施形態では、冷却部材４１がチャンバ１０とは別体である。このため、第４実施形態と同様に、冷却部材４１の材料の選択性を向上させることができる。また、冷却面４０ａは冷却部材４１の下面であるので、第４実施形態と同様に、冷却部４０はより高い効率で冷却面４０ａを冷却することができる。
また、第５実施形態では、基板９と冷却面４０ａとの間隔がより狭い第１間隔となる第１状態においても、支持部２０によって支持された基板９は４つの側面整流板５１によって包囲される。このため、第１減圧処理（ステップＳ４）においても、４つの側面整流板５１による整流機能が、基板９と冷却面４０ａとの間の上部空間１０ｓ１にも作用する。したがって、乾燥ムラの発生をさらに抑制することができる。
＜６．変形例＞
本開示は、上述の一実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更および改良等が可能である。
上記一実施の形態では、第１昇降部１００は支持部２０または冷却部４０を昇降させているものの、支持部２０および冷却部４０の両方を昇降させてもよい。要するに、第１昇降部１００は、支持部２０によって支持された基板９と冷却面４０ａとの間隔が第１間隔となる第１状態と、支持部２０によって支持された基板９と冷却面４０ａとの間隔が第１間隔よりも広い第２間隔となる第２状態との間で、支持部２０および冷却面４０ａの少なくともいずれか一方を昇降させればよい。
上記一実施形態では、例えば、チャンバ１０が、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄを有していたが、これに限られない。例えば、チャンバ１０が有する排気口の数は、１つから３つおよび５つ以上の何れであってもよい。また、例えば、個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄは、なくてもよい。
上記一実施形態では、減圧乾燥装置１，１Ａ～１Ｄは、基板９上の塗布膜９０を減圧によって乾燥させるものであったが、これに限られない。例えば、減圧乾燥装置１，１Ａ～１Ｄは、減圧および加熱によって、基板９上の塗布膜９０を乾燥させるものであってもよい。
上記一実施形態では、チャンバ１０の側壁部１２に、基板９の搬入出口１４が設けられていたが、これに限られない。例えば、チャンバ１０の４つの側壁部１２および天板部１３が一体の蓋部を構成しており、この蓋部が底板部１１から分離して上方へ退避することができる構造が採用されてもよい。この場合には、例えば、蓋部が開閉駆動部１６等によって上下に移動されてもよい。そして、チャンバ１０は、蓋部がＯリング等のシール材を介して底板部１１に接触して内部空間１０ｓを密閉している状態（密閉状態）と、蓋部が底板部１１から上方へ分離して内部空間１０ｓを開放している状態（開放状態）と、に選択的に設定され得る。ここで、チャンバ１０が開放状態にあれば、チャンバ１０の内部空間１０ｓへの基板９の搬入およびチャンバ１０の内部空間１０ｓからの基板９の搬出を行うことができる。チャンバ１０が閉鎖状態にあれば、内部空間１０ｓからの排気および内部空間１０ｓへの給気によって、基板９上の塗布膜９０を減圧によって乾燥させることができる。
上記一実施形態では、例えば、支持部２０は種々の形態を有していてもよい。例えば、複数の支持プレート２１は、一体的な１つの支持プレート２１であってもよい。
上記一実施形態では、例えば、底面整流板５０がなくてもよいし、側面整流板５１がなくてもよい。
上記一実施形態では、例えば、減圧乾燥装置１における各種の動作は、例えば、入力部８０４に対するユーザの動作もしくは通信部８０６に対して外部の装置から入力された信号等に応答して、開始あるいは終了されてもよい。
上記一実施形態では、例えば、制御部８０において、実現される機能的な構成の少なくとも一部が、専用の電子回路等のハードウェアで構成されていてもよい。
なお、上記一実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。
１，１Ａ～１Ｄ 減圧乾燥装置
１０ チャンバ
１３ 天板部
１００ 第１昇降部
２０ 支持部
３０ 減圧機構
４０ 冷却部
４０ａ 冷却面
４５ 第２昇降部
５０ 底面整流板
５１ 側面整流板
８０ 制御部
９ 基板
９０ 塗布膜
Ｆ１ 上面（第１面）
Ｓ４，Ｓ１４ 第１工程（ステップ）
Ｓ６，Ｓ１７ 第２工程（ステップ）

Claims (9)

  1. 基板の上面に塗布された塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置であって、
    前記基板を収容するチャンバと、
    前記チャンバ内において、前記基板を支持する支持部と、
    前記支持部によって支持された前記基板の前記上面と対面する冷却面を冷却する冷却部と、
    前記支持部によって支持された前記基板と前記冷却面との間隔が第１間隔となる第１状態と、前記支持部によって支持された前記基板と前記冷却面との間隔が前記第１間隔よりも広い第２間隔となる第２状態との間で、前記支持部および前記冷却面の少なくともいずれか一方を昇降させる第１昇降部と、
    前記チャンバ内の気体を吸引して、前記チャンバ内の気圧を低下させる減圧機構と、
    前記第１状態において前記チャンバ内の気圧を第１気圧とした後、前記第２状態において前記チャンバ内の気圧を前記第１気圧よりも低い第２気圧とするように、前記第１昇降部および前記減圧機構を制御する制御部と
    を備える、減圧乾燥装置。
  2. 請求項１に記載の減圧乾燥装置であって、
    前記冷却面は、前記チャンバの天井面であり、
    前記第１昇降部は前記支持部を昇降させる、減圧乾燥装置。
  3. 請求項２に記載の減圧乾燥装置であって、
    前記冷却部は、前記チャンバの天板部の上面に取り付けられており、前記天板部を冷却して前記天板部の下面である前記冷却面を冷却する、減圧乾燥装置。
  4. 請求項３に記載の減圧乾燥装置であって、
    前記天板部の前記上面に接した冷却位置と、前記天板部から離れた離間位置との間で、前記冷却部を昇降させる第２昇降部をさらに備える、減圧乾燥装置。
  5. 請求項２に記載の減圧乾燥装置であって、
    前記冷却部の少なくとも一部は、前記チャンバの天板部に埋設されている、減圧乾燥装置。
  6. 請求項１に記載の減圧乾燥装置であって、
    前記冷却部は、前記チャンバ内に設けられ、前記冷却面を下面として有する冷却部材を含む、減圧乾燥装置。
  7. 請求項６に記載の減圧乾燥装置であって、
    前記支持部によって支持された前記基板を包囲する側面整流板と、
    前記支持部によって支持された前記基板の下面と対面する底面整流板と
    をさらに備え、
    前記第１昇降部は、前記冷却部材を昇降させ、
    前記第１状態および前記第２状態の両方において、前記支持部によって支持された前記基板は前記側面整流板に包囲される、減圧乾燥装置。
  8. 基板の上面に塗布された塗布膜を乾燥させる減圧乾燥方法であって、
    チャンバ内の支持部によって支持された前記基板の前記上面と対面する冷却面を冷却し、かつ、前記基板と前記冷却面との間隔が第１間隔となる状態で、前記チャンバ内の気圧を第１気圧に低下させて、前記基板上の前記塗布膜の溶媒を蒸発させつつ、前記溶媒の蒸気を前記冷却面で凝縮させる第１工程と、
    前記第１工程の後に、前記基板と前記冷却面との間隔が前記第１間隔よりも広い第２間隔となる状態で、前記チャンバ内の気圧を前記第１気圧よりも低い第２気圧に低下させて、前記基板上の前記塗布膜の溶媒および前記冷却面の溶媒の両方を蒸発させて前記塗布膜および前記冷却面を乾燥させる第２工程と
    を備える、減圧乾燥方法。
  9. 請求項８に記載の減圧乾燥方法であって、
    前記第１工程において、冷却部を前記チャンバの天板部の上面に接触する冷却位置に下降させて、前記天板部の下面である前記冷却面を冷却し、
    前記第２工程において、前記冷却部を前記チャンバの前記天板部から離れた離間位置に上昇させている、減圧乾燥方法。
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