JP2001307978A - 基板載置台 - Google Patents
基板載置台Info
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Abstract
することができる基板載置台を提供すること。 【解決手段】 基板Gに対して加熱処理を行う際に基板
が載置される基板載置台51であって、載置台本体52
と、この載置台本体52を加熱する発熱体54と、載置
台本体52内に設けられたヒートパイプ55とを具備す
る。
Description
体ウエハ等の基板に所定の処理を行う際に基板を載置す
る基板載置台に関する。
ては、LCD基板にフォトレジスト液を塗布してレジス
ト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露
光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソ
グラフィー技術により回路パターンが形成される。従来
から、このような一連の工程を実施するための複数の処
理ユニットを備えたレジスト塗布現像処理システムが用
いられている。
において、基板は、アドヒージョン処理ユニットにて疎
水化処理が施され、次いでレジスト塗布ユニットにてレ
ジスト液が塗布されてレジスト膜が形成された後、加熱
処理ユニットにてプリベーク処理される。その後、基板
は、露光装置にて所定のパターンが露光された後、現像
ユニットにて現像液が塗布されて所定のパターンが現像
され、その後加熱処理ユニットにてポストベーク処理が
施される。また、疎水化処理やベーク処理の後には、冷
却処理ユニットにて基板が冷却される。
トでは基板を基板載置台に載せた状態で処理が行われ
る。例えば加熱処理ユニットにおいては、基板載置台と
して、その内部または底面に発熱体が設けられた加熱プ
レートを用い、発熱体に通電することにより加熱プレー
トを加熱し、その熱で基板を加熱する。また、冷却処理
ユニットにおいては、基板載置台として、その内部に冷
媒通路を設けた冷却プレートを用い、冷媒通路に冷却水
等の冷媒を通流させることにより冷却プレートを冷却
し、その冷熱で基板を冷却する。さらに、スピナー系ユ
ニットであるレジスト塗布処理ユニットや現像処理ユニ
ットは、基板載置台として、真空吸着機能を有しかつ回
転可能に設けられたスピンチャックを用いている。これ
らスピナー系ユニットは、基本的に常温処理であるた
め、加熱機構や冷却機構は存在しない。
の大型化や高精度化に伴ない、上記のようなレジスト塗
布現像処理システムにおいては、加熱処理や冷却処理に
対する均一性の要求がますます厳しくなっている。しか
しながら、従来の加熱処理ユニットでは、発熱体で発生
した熱を熱伝導によって加熱プレートに供給し、加熱プ
レートに蓄積された熱により基板を所定の温度に加熱す
るため、何らかの原因で加熱プレート面内の温度バラン
スがくずれた場合に応答性が悪く、必ずしも所望の温度
均一性が得られない場合がある。冷却処理ユニットにつ
いても、冷却プレートに冷却水等の冷媒を通流させて熱
伝導により熱を移動させるため、同様に応答性が悪いと
いう問題点を有する。
理の種類等によって異なるため、これら種々の温度に対
応する必要があるが、従来の加熱処理ユニットにおいて
は上述のように加熱プレートの応答性が悪いため、その
都度温度変更しようとすると極めて長時間を要し、しか
も所望の温度均一性を得ることは困難である。したがっ
て、従来はこれらに対応可能なように、加熱プレートの
温度を種々の温度に設定した多数の加熱処理ユニットを
準備して処理を行っている。しかしながら、このように
種々の温度に設定した加熱プレートを準備することは極
めて煩雑であることから、できるだけその数を減らした
いという要望がある。また、究極的には加熱と冷却とを
一ユニットで行いたいという要望がある。
は、スピンチャックにより基板を吸着した際に、基板の
スピンチャックと接している部分と雰囲気が接している
部分との間に温度差が生じ、レジスト膜が不均一になっ
たり、レジスト膜にスピンチャックの跡が転写されるこ
とがある。
のであって、面内温度均一性が高い状態で基板を加熱処
理することができる基板載置台を提供することを目的と
する。また、面内温度均一性が高い状態で基板を冷却処
理することができる基板載置台を提供することを目的と
する。さらに、速やかに面内温度均一性が高い状態で所
望の温度にすることができ、加熱処理および冷却処理の
両方が可能な基板載置台を提供することを目的とする。
さらにまた、常温において基板を載置した際に、基板に
温度差がを生じない基板載置台を提供することを目的と
する。
に、本発明の第1の観点によれば、基板に対して加熱処
理を行う際に基板が載置される基板載置台であって、載
置台本体と、この載置台本体を加熱する加熱手段と、前
記載置台本体内に設けられたヒートパイプとを具備する
ことを特徴とする基板載置台が提供される。
は、載置台本体を加熱する加熱手段を設けた上で載置台
本体内にヒートパイプを設けるが、ヒートパイプは内部
に充填した作動液の蒸発現象と凝縮現象を利用して一端
から他端に大量の熱を容易に輸送する機能およびその中
に温度の高低がある場合に速やかに熱を輸送して温度を
均一化する機能を有するため、加熱手段による載置台本
体の加熱に面内不均一が生じても迅速に温度を均一化す
ることができ、面内温度均一性が高い状態で基板を加熱
処理することができる。
て冷却処理を行う際に基板が載置される基板載置台であ
って、載置台本体と、前記載置台本体を冷却する冷却手
段と前記載置台本体内に設けられたヒートパイプとを具
備することを特徴とする基板載置台が提供される。
は、載置台本体を冷却する冷却手段を設けた上で載置台
本体内にヒートパイプを設けるが、ヒートパイプの上記
機能により、冷却手段による載置第本体の冷却に面内不
均一が生じても迅速に温度を均一化することができ、面
内温度均一性が高い状態で基板を冷却処理することがで
きる。
て加熱処理または冷却処理を行う際に基板が載置される
基板載置台であって、載置台本体と、前記載置台本体を
加熱する加熱手段と、前記載置台本体を冷却する冷却手
段と前記載置台本体内に設けられたヒートパイプとを具
備することを特徴とする基板載置台が提供される。
は、載置台本体を加熱する加熱手段および載置台本体を
冷却する冷却手段を設けた上で、載置台本体内に上記機
能を有するヒートパイプを設けたので、その優れた熱輸
送機能および温度均一化機能により、載置台本体の温度
を大きく変化させた場合にも速やかに面内温度均一性の
高い状態とすることができ、基板の加熱および冷却を択
一的に行うことが可能となる。また、このようなヒート
パイプの優れた熱輸送機能および温度均一化機能によ
り、加熱手段および冷却手段により、それぞれ載置台本
体の温度を上昇または下降させる際にも、載置台本体を
迅速に面内温度均一性が高い状態で所望の温度にするこ
とができるので、加熱処理または冷却処理を行う温度の
変更を容易に行うことができる。
て基板に対して所定の処理を行うために基板を載置する
基板載置台であって、載置台本体と、前記載置台本体内
に設けられたヒートパイプとを具備し、前記ヒートパイ
プの一端が載置台本体から露出していることを特徴とす
る基板載置台が提供される。
は、常温において基板に対して所定の処理を行うために
基板を載置する基板載置台において、載置台本体にヒー
トパイプを設け、ヒートパイプの一端を載置台本体から
露出させるので、ヒートパイプの温度均一化効果により
載置台本体と載置台本体外の雰囲気とをほぼ同じ温度に
することができ、基板を載置した場合に、基板の載置台
本体が接する部分と雰囲気が接する部分との間に温度差
が生じることを防ぐことができる。したがって、基板表
面に形成されたレジスト膜等の塗布膜の膜厚が不均一に
なることや、基板に載置台の跡が転写されることを防止
することができる。
明の実施の形態について説明する。まず、本発明の基板
載置台が適用された各処理ユニットが組み込まれたLC
D基板のレジスト塗布・現像処理システムについて説明
する。図1は、このようなLCD基板のレジスト塗布・
現像処理システムを示す平面図である。
板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーシ
ョン1と、基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
2と、露光装置(図示せず)との間で基板Gの受け渡し
を行うためのインターフェイス部3とを備えており、処
理部2の両端にそれぞれカセットステーション1および
インターフェイス部3が配置されている。
処理部2との間でLCD基板の搬送を行うための搬送機
構10を備えている。そして、カセットステーション1
においてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機
構10はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路
10a上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬送
アーム11によりカセットCと処理部2との間で基板G
の搬送が行われる。
段部2cとに分かれており、それぞれ中央に搬送路1
2、13、14を有し、これら搬送路の両側に各処理ユ
ニットが配設されている。そして、これらの間には中継
部15、16が設けられている。
能な主搬送装置17を備えており、搬送路12の一方側
には、2つの洗浄ユニット(SCR)21a、21bが
配置されており、搬送路12の他方側には紫外線照射ユ
ニット(UV)と冷却ユニット(COL)とが2段に重
ねられた処理ブロック25、加熱処理ユニット(HP)
が2段に重ねられてなる処理ブロック26および冷却ユ
ニット(COL)が2段に重ねられてなる処理ブロック
27が配置されている。
移動可能な主搬送装置18を備えており、搬送路13の
一方側には、レジスト塗布処理ユニット(CT)22お
よび基板Gの周縁部のレジストを除去する周縁レジスト
除去ユニット(ER)23が一体的に設けられており、
搬送路13の他方側には、加熱処理ユニット(HP)が
2段に重ねられてなる処理ブロック28、加熱処理およ
び冷却処理の両方を行うことができ、かつ加熱温度設定
も変更可能な加熱・冷却処理ユニット(HP/COL)
が2段に重ねられてなる処理ブロック29、およびアド
ヒージョン処理ユニット(AD)と冷却ユニット(CO
L)とが上下に重ねられてなる処理ブロック30が配置
されている。
て移動可能な主搬送装置19を備えており、搬送路14
の一方側には、3つの現像処理ユニット24a、24
b、24cが配置されており、搬送路14の他方側には
加熱処理ユニット(HP)が2段に重ねられてなる処理
ブロック31、およびともに加熱・冷却処理ユニット
(HP/COL)が2段に重ねられてなる処理ブロック
32、33が配置されている。
側に洗浄処理ユニット21a、レジスト処理ユニット2
2、現像処理ユニット24aのようなスピナー系ユニッ
トのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや
冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する
構造となっている。
ット配置側の部分には、薬液供給ユニット34が配置さ
れており、さらに主搬送装置のメンテナンスを行うため
のスペース35が設けられている。
ぞれ水平面内の2方向のX軸駆動機構、Y軸駆動機構、
および垂直方向のZ軸駆動機構を備えており、さらにZ
軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞ
れ基板Gを支持するアーム17a,18a,19aを有
している。
ーム11との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、前
段部2aの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬
出、さらには中継部15との間で基板Gの受け渡しを行
う機能を有している。また、主搬送装置18は中継部1
5との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、中段部2
bの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さら
には中継部16との間の基板Gの受け渡しを行う機能を
有している。さらに、主搬送装置19は中継部16との
間で基板Gの受け渡しを行うとともに、後段部2cの各
処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらにはイ
ンターフェイス部3との間の基板Gの受け渡しを行う機
能を有している。なお、中継部15、16は冷却プレー
トとしても機能する。
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション36と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファーカセットを配置する2つのバッファーステージ
37と、これらと露光装置(図示せず)との間の基板G
の搬入出を行う搬送機構38とを備えている。搬送機構
38はエクステンション36およびバッファステージ3
7の配列方向に沿って設けられた搬送路38a上を移動
可能な搬送アーム39を備え、この搬送ア
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。
像処理システムにおいては、カセットC内の基板Gが、
処理部2に搬送され、処理部2では、まず、前段部2a
の処理ブロック25の紫外線照射ユニット(UV)で表
面改質・洗浄処理が行われ、冷却処理ユニット(CO
L)で冷却された後、洗浄ユニット(SCR)21a,
21bでスクラバー洗浄が施され、処理ブロック26の
いずれかの加熱処理ユニット(HP)で加熱乾燥された
後、処理ブロック27のいずれかの冷却ユニット(CO
L)で冷却される。
レジストの定着性を高めるために、処理ブロック30の
上段のアドヒージョン処理ユニット(AD)にて疎水化
処理(HMDS処理)され、下段の冷却処理ユニット
(COL)で冷却後、レジスト塗布処理ユニット(C
T)22でレジストが塗布され、周縁レジスト除去ユニ
ット(ER)23で基板Gの周縁の余分なレジストが除
去される。その後、基板Gは、中段部2bの中の処理ブ
ロック28の加熱処理ユニット(HP)の一つまたは処
理ブロック29の加熱・冷却ユニット(HP/COL)
の一つでプリベーク処理され、処理ブロック30の下段
の冷却ユニット(COL)または処理ブロック29の加
熱・冷却ユニット(HP/COL)の一つで冷却され
る。
置19にてインターフェイス部3を介して露光装置に搬
送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Gは再びインターフェイス部3を介して搬入され、
必要に応じて後段部2cの処理ブロック31,32,3
3のいずれかの加熱処理ユニット(HP)でポストエク
スポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユニット
(DEV)24a,24b,24cのいずれかで現像処
理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理さ
れた基板Gは、後段部2cの処理ブロック31のいずれ
かの加熱処理ユニット(HP)または処理ブロック3
2,33のいずれかの加熱・冷却ユニット(HP/CO
L)にてポストベーク処理が施された後、いずれかの加
熱・冷却ユニット(HP/COL)にて冷却され、主搬
送装置19,18,17および搬送機構10によってカ
セットステーション1上の所定のカセットに収容され
る。
ムにおいて、本発明の基板載置台が適用された、加熱処
理ユニット(HP)、冷却処理ユニット(COL)、加
熱/冷却処理ユニット(HP/COL)、レジスト塗布
処理ユニット(CT)22について説明する。
ト(HP)について説明する。図2は、加熱処理ユニッ
ト(HP)を模式的に示す断面図である。この加熱処理
ユニット(HP)は、ケーシング50を有し、その内部
には基板載置台51が配置されている。基板載置台51
は、基板Gより若干大きな矩形状をなし例えばアルミニ
ウムで構成された載置台本体(加熱プレート)52と、
載置台本体52の裏面側に設けられた発熱体54と、載
置台本体52の内部に水平に設けられたヒートパイプ5
5とを有している。載置台本体52の表面にはプロキシ
ミティピン53が設けられており、このプロキシミティ
ピン53により基板Gが載置台本体52の表面に近接し
た状態で載置されるようになっている。なお、載置台本
体52は、図示しない支持部材に支持されている。
ための複数の昇降ピン56が図示しない貫通孔を昇降自
在に設けられている。これら昇降ピン56は支持板57
に支持されており、この支持板57を介してモータ58
によりベルト駆動により昇降される。
1を囲繞するシャッタ59が昇降自在に設けられてい
る。このシャッタ59は昇降シリンダ60により昇降さ
れるようになっている。また、ケーシング50の側壁上
部には開口61が形成されており、ケーシング50の天
板50aの中央部には排気口62が設けられていて、シ
ャッタ59が上昇して加熱処理が行われる際にはシャッ
タ59と天板50aの隙間からケーシング50内の処理
空間に空気が供給され、排気口62から排気されるよう
になっている。なお、基板Gの搬送に際しては、シャッ
タ59が下降した状態で開口61を介して搬送される。
は、複数の温度センサー63が設けられ、これにより載
置台本体52の温度が計測されるようになっている。こ
の温度センサー63からの検出信号は、図3に示すよう
に、この加熱処理ユニット(HP)を制御するためのユ
ニットコントローラ64に送信され、その検出情報に基
づいてコントローラ64から温調器65に制御信号が送
信され、その制御信号に基づいて温調器65から発熱体
電源66に出力調整信号が送信され、発熱体電源66か
ら発熱体54へ供給される出力が調整される。また、こ
のユニットコントローラ64は、加熱処理に際して、モ
ータ58に制御信号を送って昇降ピン56の昇降を制御
するとともに、シャッタ59の昇降シリンダ60の昇降
をも制御する。さらに、ユニットコントローラ64は、
排気口62に連続する排気管に設けられた排気弁67を
制御して排気量を制御する。なお、ユニットコントロー
ラ64は、塗布・現像処理システムのシステムコントロ
ーラ(図示略)からの指令に基づいて制御信号を出力す
るようになっている。
4に示すように、両端を閉塞した筒状の金属、例えば銅
または銅合金からなる外殻部材としてのコンテナ71
と、その内周壁に設けられた多孔質部材または網状部材
からなるウイック72とを有し、その中に水などの作動
液が充填された密閉構造を有している。ウィック72は
毛細管現象を利用して作動液を移動させる機能を有して
いる。この直線状のヒートパイプ55は、内部に充填し
た作動液の蒸発現象と凝縮現象を利用して、一端から他
端に大量の熱を容易に輸送する機能、およびその中に温
度の高低がある場合に速やかに熱を輸送して温度を均一
化する機能を有する。具体的には、例えばヒートパイプ
55の一端を加熱すると作動液が蒸発し、蒸気流となっ
て低温部へ高速移動し、次いで管壁に接触して冷却され
て凝縮する。凝縮液はウィック72の毛細管現象により
加熱部へ戻る。なお、ウィック72を用いる代わりに凝
縮液を重力で戻すようにすることもできる。
いが、図5に示すように、載置台本体52の中央部から
周縁部へ向けて放射状に配置することが好ましい。この
ようにすることによりヒートパイプ55による均熱効果
を一層高めることができる。
(HP)では、以下のようにして、基板Gの加熱処理が
行われる。
17aまたは18aにより基板Gが加熱処理ユニット
(HP)のケーシング50内に搬入されて、昇降ピン5
6に受け渡され、この昇降ピン56が降下されて、基板
Gが所定温度に加熱された状態にある載置台本体52の
表面に設けられたプロミキシティピン53に載置され
る。
間が形成される。この状態で排気バルブ67が開の状態
にされて排気管に設けられた図示しないポンプが作動さ
れ、基板Gの上方に基板Gの外周側から中央に向かう気
流が形成されるとともに排気口62を介して排気され
る。
が、単に発熱体54で発生した熱を熱伝導によって載置
台本体52に供給し、載置台本体52に蓄積された熱に
より基板Gを所定の温度に加熱する際には、発熱体54
に不均一が生じた場合等の原因で載置台本体52面内の
温度バランスがくずれた場合に応答性が悪く、必ずしも
所望の温度均一性が得られない場合がある。
52内にヒートパイプ55を設けたので、載置台本体5
2面内の温度バランスがくずれた場合にも、上述したヒ
ートパイプ55の優れた熱輸送機能および温度均一化機
能により、速やかに載置台本体52面内の温度を均一化
することができる。
射状に配置することにより、基板Gの周縁部と中央部と
の温度差を極めて迅速に解消することができる。すなわ
ち、基板Gを加熱する際には、基板Gの周縁部の温度が
低くなりやすいが、図5のようにヒートパイプ55を放
射状に設けることにより、基板Gの中央部から周縁部へ
の熱の移動が極めて高効率に進行し、極めて迅速に載置
台本体52面内の温度を均一化することができる。
り迅速な熱移動を生じさせることができるので、必ずし
も発熱体を載置台本体52の全面に設ける必要はなく発
熱体54の設置面積を小さくすることができる。
放射状に設けた場合の効果をより一層効率良く発揮する
ためには、図6に示すように、発熱体54′を載置台本
体52の周縁部に設けることが好ましい。このようにす
ることにより、まず、基板Gにおいて温度が低くなる傾
向にある周縁部が加熱され、その熱がヒートパイプ55
により中央部に輸送されるので、基板Gの周縁部の温度
が低くなるという不都合をより効果的に解消することが
できる。
ニット(COL)について説明する。図7は、冷却処理
ユニット(COL)の基板載置台部分を模式的に示す断
面図である。基板載置台部分以外は上記加熱処理ユニッ
ト(HP)とほぼ同様に構成されているため説明を省略
する。なお、後述する図8では第1の実施形態と共通の
ものは同じ符号を付して説明する。
81は、基板Gより若干大きな矩形状をなし例えばアル
ミニウムで構成された載置台本体(冷却プレート)82
と、載置台本体82内の裏面側に設けられた冷媒流路8
4と、載置台本体82の内部に水平に設けられたヒート
パイプ85とを有している。載置台本体82の表面には
プロキシミティピン83が設けられており、このプロキ
シミティピン83により基板Gが載置台本体82の表面
に近接した状態で載置されるようになっている。冷媒通
路84には冷媒として例えば水が通流される。ヒートパ
イプ85は第1の実施形態におけるヒートパイプ55と
全く同一に構成される。
は、複数の温度センサー86が設けられ、これにより載
置台本体82の温度が計測されるようになっている。こ
の温度センサー86からの検出信号は、図8に示すよう
に、この冷却処理ユニット(COL)を制御するための
ユニットコントローラ87に送信され、その検出情報に
基づいてコントローラ87から温調器88に制御信号が
送信され、その制御信号に基づいて温調器88が冷媒の
温度を制御する。また、ユニットコントローラ87は、
第1の実施形態のユニットコントローラ64と同様、冷
却処理に際して、モータ58に制御信号を送って昇降ピ
ン56の昇降を制御するとともに、シャッタ59の昇降
シリンダ60の昇降をも制御する。さらに、ユニットコ
ントローラ87は、排気口62に連続する排気管に設け
られた排気弁67を制御して排気量を制御する。なお、
ユニットコントローラ87は、塗布・現像処理システム
のシステムコントローラ(図示略)からの指令に基づい
て制御信号を出力するようになっている。
いが、本実施形態においても図9に示すように、載置台
本体82の中央部から周縁部へ向けて放射状に配置する
ことが好ましい。このようにすることによりヒートパイ
プ85による均熱効果を一層高めることができる。
(COL)では、以下のようにして、基板Gの冷却処理
が行われる。
17aまたは18aにより第1の実施形態と同様の動作
により、基板Gが所定温度に冷却された状態にある載置
台本体82の表面に設けられたプロミキシティピン83
に載置され、冷却処理が行われる。
を通流する冷媒の冷熱を熱伝導によって載置台本体82
に供給し、その冷熱により基板Gを所定の温度に冷却す
る際には、冷媒温度に不均一が生じた場合等の原因で載
置台本体82面内の温度バランスがくずれた場合に応答
性が悪く、必ずしも所望の温度均一性が得られない場合
がある。
82内にヒートパイプ85を設けたので、載置台本体8
2面内の温度バランスがくずれた場合にも、上述したヒ
ートパイプ85の優れた熱輸送機能および温度均一化機
能により、速やかに載置台本体82面内の温度を均一化
することができる。
射状に配置することにより、基板Gの周縁部と中央部と
の温度差を極めて迅速に解消することができる。すなわ
ち、基板Gを冷却する際には、基板Gの周縁部の温度が
低くなりやすいが、図9のようにヒートパイプ55を放
射状に設けることにより、基板Gの中央部から周縁部へ
の熱の移動が極めて高効率に進行し、極めて迅速に載置
台本体82面内の温度を均一化することができる。ま
た、このようなヒートパイプ85の効果により、冷媒通
路84の設置面積を小さくすることができる。
た場合の効果をより一層効率良く発揮するためには、図
10に示すように、冷媒流路84′を載置台本体82の
中央部に設けることが好ましい。基板Gを放置すると外
周部は外気温に近づきやすいが中央部は外周部よりも冷
えにくい。したがって、冷却流路84′を載置台本体8
2の中央部に設けることにより、まず冷えにくい中央部
が冷却され、次いでヒートパイプ85により冷熱が基板
Gの周縁部に輸送されるので、温度の不均一を一層効果
的に解消することができる。
理ユニット(HP/COL)について説明する。図11
は、加熱/冷却処理ユニット(HP/COL)の基板載
置台部分を模式的に示す断面図である。基板載置台部分
以外は上記加熱処理ユニット(HP)とほぼ同様に構成
されているため説明を省略する。なお、後述する図12
では第1の実施形態と共通のものは同じ符号を付して説
明する。
の基板載置台91は、基板Gより若干大きな矩形状をな
し例えばアルミニウムで構成された載置台本体(加熱/
冷却プレート)92と、載置台本体92内に設けられた
発熱体94と、載置台本体92内の裏面側に設けられた
冷媒流路95と、載置台本体92の内部に水平に設けら
れたヒートパイプ96とを有している。載置台本体92
の表面にはプロキシミティピン93が設けられており、
このプロキシミティピン93により基板Gが載置台本体
92の表面に近接した状態で載置されるようになってい
る。冷媒通路95には冷媒として例えば水が通流され
る。ヒートパイプ96は第1の実施形態におけるヒート
パイプ55と全く同一に構成される。
は、複数の温度センサー97が設けられ、これにより載
置台本体92の温度が計測されるようになっている。こ
の温度センサー97からの検出信号は、図12に示すよ
うに、この加熱/冷却処理ユニット(HP/COL)を
制御するためのユニットコントローラ98に送信され
る。このユニットで加熱を行う場合には、温度センサー
97の検出情報に基づいてコントローラ98から発熱体
温調器99に制御信号が送信され、その制御信号に基づ
いて発熱体温調器99から発熱体電源100に出力調整
信号が送信され、発熱体電源100から発熱体94へ供
給される出力が調整される。また、このユニットで冷却
を行う場合には、温度センサー97の検出上方に基づい
てコントローラ98から冷媒温調器101に制御信号が
送信され、冷媒温調器101が冷媒の温度を制御する。
また、ユニットコントローラ98は、第1の実施形態の
ユニットコントローラ64と同様、冷却処理に際して、
モータ58に制御信号を送って昇降ピン56の昇降を制
御するとともに、シャッタ59の昇降シリンダ60の昇
降をも制御する。さらに、ユニットコントローラ98
は、排気口62に連続する排気管に設けられた排気弁6
7を制御して排気量を制御する。なお、ユニットコント
ローラ98は、塗布・現像処理システムのシステムコン
トローラ(図示略)からの指令に基づいて制御信号を出
力するようになっている。
いが、本実施形態においても図13に示すように、載置
台本体92の中央部から周縁部へ向けて放射状に配置す
ることが好ましい。このようにすることによりヒートパ
イプ96による均熱効果を一層高めることができる。
ニット(HP/COL)では、以下のようにして、基板
Gの冷却処理が行われる。
17aまたは18aにより第1の実施形態と同様の動作
により、基板Gが所定温度に設定された状態にある載置
台本体92の表面に設けられたプロミキシティピン93
に載置され、所定の処理が行われる。すなわち、加熱処
理の場合には、発熱体94により載置台本体92を加熱
して基板Gを加熱し、冷却処理の場合には、冷媒流路9
5に冷媒を通流させて載置台本体92を冷却して基板G
を冷却する。また、発熱体94は載置台本体92の設定
温度を上昇させる場合にも作動され、冷媒流路95は載
置台本体92の設定温度を下降させる際にも冷媒が通流
される。
L)では、載置台本体92を加熱する発熱体94および
載置台本体92を冷却する冷媒通路95を設けた上で、
載置台本体92内に上記機能を有するヒートパイプ96
を設けたので、その優れた熱輸送機能および温度均一化
機能により、載置台本体92の温度を大きく変化させた
場合にも速やかに面内温度均一性の高い状態とすること
ができ、発熱体94による加熱および冷却媒体による冷
却の両方を択一的に行うことが可能となる。また、発熱
体94および冷却媒体流路95を通流する冷媒により、
それぞれ載置台本体92の温度を上昇または下降させる
際にも、ヒートパイプ96の優れた熱輸送機能および温
度均一化機能により、載置台本体92を迅速に面内温度
均一性が高い状態で所望の温度にすることができるの
で、加熱処理または冷却処理を行う温度の変更を容易に
行うことができる。
ートパイプ96を放射状に配置することにより、基板G
の周縁部と中央部との温度差を極めて迅速に解消するこ
とができる。すなわち、基板Gを加熱する際および冷却
する際には、基板Gの周縁部の温度が低くなりやすい
が、図13のようにヒートパイプ96を放射状に設ける
ことにより、基板Gの中央部から周縁部への熱の移動が
極めて高効率に進行し、極めて迅速に載置台本体92面
内の温度を均一化することができる。また、このような
ヒートパイプ96の効果により、発熱体94および冷媒
通路95の設置面積を小さくすることができる。
た場合の効果をより一層効率良く発揮するためには、図
14に示すように、発熱体94′を載置台本体92の周
縁部に設け、冷媒流路95′を載置台本体92の中央部
に設けることが好ましい。このようにすることにより、
加熱の際には、まず、基板Gにおいて温度が低くなる傾
向にある周縁部が加熱され、その熱がヒートパイプ96
により中央部に輸送され、冷却の際にも、まず、基板G
において冷えにくい傾向にある中央部が冷却され、これ
に伴って基板Gの周縁部の熱が中央部に輸送されるの
で、載置台本体92および基板Gの温度の不均一を一層
効果的に解消することができる。
布処理ユニット(CT)22について説明する。図15
は、レジスト塗布処理ユニットを模式的に示す断面図で
ある。この図に示すように、レジスト塗布処理ユニット
(CT)22には、基板Gがその面を水平にした状態で
載置され、かつ吸着保持される基板載置台(スピンチャ
ック)110が回転自在に設けられている。この基板載
置台110は、載置台本体111と、載置台本体内に設
けられたヒートパイプ112とを有している。載置台本
体111の下面中央からは下方に向けて回転軸113が
延びており、基板載置台110は図示しない回転手段に
より回転されるようになっている。載置台本体111の
上面中央には、吸着口114が形成されており、この吸
着口114からは、下方に向かって延び、回転軸113
の中央を通る排気路115が設けられている。この排気
路115は図示しない排気機構に接続されており、この
排気機構により排気することにより基板Gを載置台本体
111の上面に真空吸着されるようになっている。ヒー
トパイプ112は、図16に示すように、載置台本体1
11の中央から外周へ向けて放射状に配置されており、
その外周側端部が載置台本体111の外周面から露出し
ている。なお、ヒートパイプ112は第1の実施形態に
おけるヒートパイプ55と同じ構造を有している。
10上の基板Gを下方から包囲するように有底円筒形状
を有する処理容器としての回転カップ116が回転可能
に設けられている。この回転カップ116は、基板載置
台110の回転とともに回転されるようになっている。
カップ116の外周側と下方側を覆う中空リング状の外
カップ117が配置され、さらにその外側にドレインカ
ップ118が配置されている。このドレインカップ11
8は、レジスト塗布の際に飛散したレジスト液を下方に
導いてその底部に設けられたドレイン排出口118aか
らドレインを排出することが可能となっている。また、
気体はドレインカップ118の外側に設けられた図示し
ない排気手段により排気口118bから排出されるよう
になっている。
ない蓋体が着脱自在に設けられている。この蓋体は、レ
ジスト液の吐出が終了して回転カップ116が基板Gと
ともに回転されてレジスト膜の膜厚が整えられる際に回
転カップ116に装着されるようになっている。
立設されており、支持柱120からは、基板Gにレジス
ト液や溶剤を供給するための噴頭122を先端に有する
アーム121が延出している。この噴頭122は、塗布
液であるレジスト液を吐出するためのレジスト液吐出ノ
ズル123と、シンナー等の溶剤を吐出するための溶剤
吐出ノズル124とを有している。
機構(図示せず)により回動可能および昇降可能に構成
され、レジスト液や溶剤の吐出時には、レジスト液吐出
ノズル123や溶剤吐出ノズル124が基板G中央の上
方に位置され、レジスト液等の吐出後には、待避位置に
移動されるようになっている。
布処理ユニット(CT)22における処理動作について
説明する。
り基板載置台110上に搬送し、載置台本体111に載
置するとともに吸着口114を介して基板Gを真空吸着
させる。その際に、載置台本体111にヒートパイプ1
12を設け、ヒートパイプ112の一端を載置台本体1
11から露出させるので、ヒートパイプ112の温度均
一化効果により載置台本体111と載置台本体111外
の雰囲気とをほぼ同じ温度にすることができ、基板Gを
載置した場合に、基板Gの載置台本体111が接する部
分と雰囲気が接する部分との間に温度差が生じることを
防ぐことができる。したがって、基板G表面に形成され
たレジスト膜の膜厚が不均一になることや、基板Gに載
置台本体111や吸着口114の跡が転写されることを
防止することができる。
られているので、極めて迅速に載置台本体111を雰囲
気温度にすることができる。
ず、種々の変形が可能である。例えば上記実施の形態で
は、ヒートパイプを直線状にしたが、これに限らず他の
形状であってもよい。また、レジスト塗布・現像処理シ
ステムに用いる基板載置台について示したが、それ以外
に用いられる基板載置台に用いることも可能である。さ
らにまた、上記実施形態では加熱および冷却処理の際に
基板をプロキシミティピンを介して基板載置台に載置し
た場合について示したが、基板載置台に直接載置しても
よい。さらにまた、冷却手段として冷媒流路に冷媒を通
流させた場合について説明したが、ペルチェ素子等の他
の冷却手段を用いてもよい。さらにまた、上記実施形態
では基板としてLCD基板を用いた場合について説明し
たが、LCD基板以外の他の基板、例えば半導体ウエハ
に適用することも可能である。
置台本体を加熱する加熱手段を設けた上で載置台本体内
にヒートパイプを設けるが、ヒートパイプは内部に充填
した作動液の蒸発現象と凝縮現象を利用して一端から他
端に大量の熱を容易に輸送する機能およびその中に温度
の高低がある場合に速やかに熱を輸送して温度を均一化
する機能を有するため、加熱手段による載置台本体の加
熱に面内不均一が生じても迅速に温度を均一化すること
ができ、面内温度均一性が高い状態で基板を加熱処理す
ることができる。
する冷却手段を設けた上で載置台本体内にヒートパイプ
を設けるが、ヒートパイプの上記機能により、冷却手段
による載置第本体の冷却に面内不均一が生じても迅速に
温度を均一化することができ、面内温度均一性が高い状
態で基板を冷却処理することができる。
熱する加熱手段および載置台本体を冷却する冷却手段を
設けた上で、載置台本体内に上記機能を有するヒートパ
イプを設けたので、その優れた熱輸送機能および温度均
一化機能により、載置台本体の温度を大きく変化させた
場合にも速やかに面内温度均一性の高い状態とすること
ができ、基板の加熱および冷却を択一的に行うことが可
能となる。また、このようなヒートパイプの優れた熱輸
送機能および温度均一化機能により、加熱手段および冷
却手段により、それぞれ載置台本体の温度を上昇または
下降させる際にも、載置台本体を迅速に面内温度均一性
が高い状態で所望の温度にすることができるので、加熱
処理または冷却処理を行う温度の変更を容易に行うこと
ができる。
て基板に対して所定の処理を行うために基板を載置する
基板載置台において、載置台本体にヒートパイプを設
け、ヒートパイプの一端を載置台本体から露出させるの
で、ヒートパイプの温度均一化効果により載置台本体と
載置台本体外の雰囲気とをほぼ同じ温度にすることがで
き、基板を載置した場合に、基板の載置台本体が接する
部分と雰囲気が接する部分との間に温度差が生じること
を防ぐことができる。したがって、基板表面に形成され
たレジスト膜等の塗布膜の膜厚が不均一になることや、
基板に載置台の跡が転写されることを防止することがで
きる。
トが組み込まれたLCD基板のレジスト塗布・現像処理
システムを示す平面図。
を模式的に示す断面図。
図。
イプを一部切り欠いて示す断面図。
の好ましい配置を示す平面図。
および発熱体の好ましい配置を示す図。
の基板載置台部分を模式的に示す断面図。
図。
の好ましい配置を示す平面図。
プおよび冷媒流路の好ましい配置を示す断面図。
ユニットの基板載置台部分を模式的に示す断面図。
示す構成図。
ートパイプの好ましい配置を示す平面図。
ートパイプならびに発熱体および冷媒流路の好ましい配
置を示す断面図。
理ユニットを示す断面図。
を示す平面図。
Claims (12)
- 【請求項1】 基板に対して加熱処理を行う際に基板が
載置される基板載置台であって、 載置台本体と、 この載置台本体を加熱する加熱手段と、 前記載置台本体内に設けられたヒートパイプとを具備す
ることを特徴とする基板載置台。 - 【請求項2】 前記ヒートパイプは、前記載置台本体の
中央部から周縁部へ向けて放射状に配置されていること
を特徴とする請求項1に記載の基板載置台。 - 【請求項3】 前記加熱手段は前記載置台本体の周縁部
を加熱することを特徴とする請求項2に記載の基板載置
台。 - 【請求項4】 基板に対して冷却処理を行う際に基板が
載置される基板載置台であって、 載置台本体と、 この載置台本体を冷却する冷却手段と、 前記載置台本体内に設けられたヒートパイプとを具備す
ることを特徴とする基板載置台。 - 【請求項5】 前記ヒートパイプは、前記載置台本体の
中央部から周縁部へ向けて放射状に配置されていること
を特徴とする請求項4に記載の基板載置台。 - 【請求項6】 前記冷却手段は、前記載置台本体の中央
部を冷却することを特徴とする請求項5に記載の基板載
置台。 - 【請求項7】 基板に対して加熱処理または冷却処理を
行う際に基板が載置される基板載置台であって、 載置台本体と、 前記載置台本体を加熱する加熱手段と、 前記載置台本体を冷却する冷却手段と前記載置台本体内
に設けられたヒートパイプとを具備することを特徴とす
る基板載置台。 - 【請求項8】 前記載置台本体の中央部から周縁部へ向
けて放射状に配置されていることを特徴とする請求項7
に記載の基板載置台。 - 【請求項9】 前記加熱手段は前記載置台本体の周縁部
を加熱し、前記冷却手段は前記載置台本体の中央部を冷
却することを特徴とする請求項8に記載の基板載置台。 - 【請求項10】 常温において基板に対して所定の処理
を行うために基板を載置する基板載置台であって、 載置台本体と、 前記載置台本体内に設けられたヒートパイプとを具備
し、 前記ヒートパイプの一端が載置台本体から露出している
ことを特徴とする基板載置台。 - 【請求項11】 前記載置台本体に基板を吸着する吸着
手段をさらに具備し、前記載置台本体は回転可能に設け
られていることを特徴とする請求項10に記載の基板載
置台。 - 【請求項12】 前記ヒートパイプは、前記載置台本体
の中央から外周へ向けて放射状に配置されていることを
特徴とする請求項10または請求項11に記載の基板載
置台。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000116875A JP4485646B2 (ja) | 2000-04-18 | 2000-04-18 | 基板載置台 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001307978A true JP2001307978A (ja) | 2001-11-02 |
JP4485646B2 JP4485646B2 (ja) | 2010-06-23 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090331 |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090529 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090707 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091002 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20091020 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100325 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160402 Year of fee payment: 6 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |