JPH04168716A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JPH04168716A
JPH04168716A JP2293624A JP29362490A JPH04168716A JP H04168716 A JPH04168716 A JP H04168716A JP 2293624 A JP2293624 A JP 2293624A JP 29362490 A JP29362490 A JP 29362490A JP H04168716 A JPH04168716 A JP H04168716A
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真一 原
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は露光装置用ウェハ冷却装置に関し、特に剛性の
弱いステージに固定されたウェハチャックに冷却水など
の冷却媒体を流してウェハを冷却する露光装置用ウェハ
冷却装置に関するものである。
[従来の技術] 半導体メモリの大容量化に伴い、半導体製造装置におけ
る微細化技術の向上が叫ばれている。
該微細化技術の向上の一手段として、シンクロトロン放
射光を光源とするX線露光装置がある。
このX線露光装置は、レチクル(マスク)上の1〜数個
のマスクパターンなウェハ上に投影し、ステップアンド
リピート(繰返し)露光により前記ウェハ全面に前記マ
スクパターンを配列して焼付けるものであるが、従来の
遠紫外光などを光源とする露光装置と異なりウェハおよ
びレチクルを縦にして露光する構成となっている(たと
えば、特開平2−100311号)。
第5図は、このようなX線露光装置において使用される
ウェハ保持ブロックの一例を示す概略構成図である。
このウェハ保持ブロックは、ウェハのレチクルに対する
図示x、y、z軸方向の大まかな位置合せを行う粗動ス
テージ113と、粗動ステージ113に固定された支持
台1.12と、支持台112の中央部に設けられている
、ウニへのレチクルに対する細かな位置合せを行う微動
ステージ105と、微動ステージ105に固定さたウェ
ハチャック101とから構成されている。
ここで、ウェハチャック101は、不図示のアクチュエ
ータにより駆動される粗動ステージ113によって図示
x、y、z軸方向にそれぞれ移動させられるとともに、
微動ステージによって図示X。
y、z軸方向およびω8.ω7.ω2方向(x。
y、z軸の回転方向)にそれぞれ微動可能となっている
。しかし、第5図には簡単のため、図示ω2方向にのみ
微動可能な微動ステージ105について示した。すなわ
ち、微動ステージ105は、その四隅およびその四辺の
中央においてそれぞれ板ばね110を介して支持台11
2に支持されており、図示右側の板ばね110を挟んで
設けられているゴム109とピエゾ素子111によって
駆動されて図示ω2方向に微動する。なお、微動ステー
ジ105の四辺の中央の各板ばね110を挟んてゴム1
09とピエゾ素子111とをそれぞれ設けることにより
、微動ステージ105を図示x、y、z軸方向およびω
つ、ωつ、ω2方向に微動可能とすることができる。さ
らに、ウェハチャック101には、十文字状の真空吸着
用溝102が設けられており、真空吸着用溝102は不
図示の真空ポンプに配管(不図示)を介して接続されて
いる。
また、このX線露光装置における露光は、ウェハに転写
するパターンが極く微細であるため、約100mW/c
m2の強度を有するX線を照射することにより行われる
。その結果、X線照射によるウニへの温度上昇に伴う熱
歪が無視てきなくなるので、露光中のウェハを冷却する
ウェハ冷却装置が必須となる。
このようなウェハ冷却装置としては、次に示すようなも
のが考えられる。
(イ)特開昭59−117128号公報、特開昭61−
172357号公報および特開昭63−193447号
公報に記載されているような、ウェハ冷却装置とウェハ
チャックとの間にまたはウェハとウェハチャックとの間
に、水銀、金属織物あるいは細い銅線などの自由度と変
形を有する熱伝導材を介在させるもの。    “ (ロ)特開昭63−65066号公報に記載されている
ような、ウェハチャックを蒸発部としてヒートパイプを
構成するもの。
(ハ)特開昭63−98119号公報に記載されている
ような、ウェハチャック101内に温度調節された冷却
水を循環させてウェハチャック101の温度を一定に保
つもの。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上記したウェハ冷却装置では、次に示す
ような問題点がある。
(イ)ウェハ冷却装置とウェハチャックとの間にまたは
ウェハとウェハチャックとの間に、自由度と変形を有す
る熱伝導材を介在させるものでは、ウニへの変形を矯正
するために必要な平面度(たとえば、]OcmX 10
cmの範囲で1μm以下)が保てなくなり、パターン転
写精度の悪化を招く。また、このような熱伝導材は、一
般的に熱伝導率があまりよくない。
(ロ)ウェハチャックを蒸発部としてヒートパイプを構
成するものでは、冷却水が供給される凝縮部と前記ウェ
ハチャックとを前記ヒートパイプにより接続する必要が
あるため、前記ウェハチャックを固定して使用する真空
蒸着装置などには適するが、ウェハチャックlO1の位
置を調節する必要がある前記X線露光装置には適さない
(ハ)温度調節された冷却水によりウェハチャック10
1の温度を一定に保つものでは、第7図に示す一実験結
果からも明らかなように、ウェハチャック101が、剛
性の弱いステージである微動ステージ105に固定され
ているときには、ウェハチャック101に吸着・保持さ
れているウェハに生じる変位は前記冷却水の流量の2乗
に比例するため(たとえば、4.0 m/secの流量
の冷却水を流すと前記ウェハに約0.20μmの変位が
生じるのに対して、前記冷却水の流量を半分の2.0 
m/secとすると前記ウェハの変位は約0.05μm
となる。)、前記冷却水の流量はできるだけ小さくする
必要がある。しかしながら、ウェハチャック101の吸
着面(ウェハが吸着される面)の温度上昇を避けるため
には、第6図に示すように7本の冷却水用流路104、
〜1047を前記吸着面の近傍に設けて、該吸着面と冷
却面(各冷却水用流路104I〜104□の前記吸着面
側の面)との距離を短くするのが一般的であるが、前記
距離が短い場合には図示xy平面への温度の拡散は少な
くなるため、前記冷却面の熱流密度は前記吸着面に流入
した熱流密度とほぼ等しくなり、前記温度上昇を防止す
るためには大量の冷却水を各冷却水用流路1041−1
04.に流す必要が生じるので、前記ウェハの変位によ
るパターン転写精度の悪化が問題となる。
本発明の目的は、パターン転写精度の悪化を招くことな
くウェハを冷却することができる露光用ウェハ冷却装置
を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 本発明の露光用ウェハ冷却装置は、 剛性の弱いステージに固定されたウェハチャックを備え
た露光装置に用いられる露光装置用ウェハ冷却装置であ
って、 前記ウェハチャックが、ヒートパイプ構造を有する中空
体からなり、 該ウェハチャックと前記ステージとの間に、冷却媒体が
循環可能な内部構造を有する冷却板が介在されている。
また、前記中空体が、縦方向に分割されていてもよい。
[作用] 本発明の露光用ウェハ冷却装置では、ウェハチャックが
ヒートパイプ構造を有する中空体からなることより、露
光中に該ウェハチャックの受熱面に入射してくる熱流束
は、該ウェハチャックの前記中空体内部で拡散するため
、前記ウェハチャックの冷却面(冷却媒体が循環可能な
内部構造を有する冷却板と接する面)における熱流密度
は、前記受熱面に入射した熱流密度よりも該受熱面と前
記冷却面との面積比だけ小さくなるので、前記冷却板に
流す前記冷却媒体の流量を大幅に小さくすることができ
る。
なお、シンクロトロン放射光を光源とするX線露光装置
においては、前記ウェハチャックは縦にして使用される
ため、前記中空体を縦方向に分割することにより、前記
作動液を効率的に還流することができるので、ドライア
ウト現象の発生を防止することができる。
[実施例] 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第2図は、本発明の露光装置用ウニ八冷却装置の第1の
実施例を示すウェハ保持ブロックの概略構成図である。
このウェハ保持ブロックは、ウニへのレチクルに対する
図示x、y、z軸方向の大まかな位置合せを行う粗動ス
テージ13と、粗動ステージ13に固定された支持台1
2と、支持台12の中央部に設けられている、ウェハの
レチクルに対する細かな位置合せを行う微動ステージ5
と、微動ステージ5に固定さたウェハチャック1とから
構成されている。また、ウェハチャック1は、不図示の
アクチュエータにより駆動される粗動ステージ13によ
って図示x、y、z軸方向にそれぞれ移動させられると
ともに、微動ステージ5によって図示x、y、z軸方向
およびω8.ω2.ω2方向(x、y、z軸の回転方向
)にそれぞれ微動可能となっているが、本実施例では簡
単のため図示ω2方向にのみ微動可能な微動ステージ5
を用いている。すなわち、微動ステージ5は、剛性の弱
いステージであり、その四隅およびその四辺の中央にお
いてそれぞれ板ばねlOを介して支持台12に支持され
ており、その四辺の右側の板ばね10を挟んで設けられ
ているゴム9とピエゾ素子11によって駆動されて図示
ω2方向に微動する。なお、微動ステージ5の四辺の中
央の各板ばね10を挟んでゴム9とピエゾ素子11とを
それぞれ設けることにより、微動ステージ5を図示x、
y、z軸方向およびω8.ωア、ω2方向に微動可能と
することができる。さらに、ウェハチャック1には、十
文字状の真空吸着用溝2が設けられており、真空吸着用
溝2は不図示の真空ポンプに真空吸着用配管3を介して
接続されている。以上の点については、第5図に示した
従来のものと同じである。
しかし、第1図に示すように、ウェハチャック1がヒー
トバイブ構造を有する中空体からなる点(すなわち、ウ
ェハチャック1が、熱伝導性のよいAf2材からなり、
減圧された中空部8を有し、作動液で湿ったウィック7
が内面に貼付けられている点)、および7本の冷却水用
流路4、〜47が図示X軸方向に等間隔に配設された冷
却板14が、微動ステージ5とウェハチャック1との間
に介在されている点が、第5図に示した従来のものと異
なる。
なお、中空部8は、前記作動液の沸点が約20.0℃と
なる圧力に減圧されている。また、各冷却水用流路4.
〜47には、恒温槽により約20.0℃に温度調節され
た冷却水が、冷却媒体として循環させられている。
次に、このウェハ保持ブロックの動作について説明する
前記冷却水が、前記恒温槽より冷却水用流路41〜47
に循環させられることにより、ウェハチャック1の冷却
面(冷却板14との接触面)は約20.0℃に一定に保
たれている。
マスクパターンが転写されるウェハは、ウェハチャック
1の吸着面と互いに対向する位置まで公知の搬送ハンド
(不図示)により搬送されたのち、十文字状の真空吸着
用溝2と前記真空ポンプとが真空吸着用配管3を介して
連通されることにより、ウェハチャック1に真空吸着さ
れる。その後、粗動ステージ13が不図示のアクチュエ
ータにより駆動され、また、微動ステージ5がピエゾ素
子11で駆動されることにより、ウェハのレチクルに対
する位置合せが行われる。
該位置合せが完了すると、第1図図示Z軸方向にX線(
シンクロトロン放射光)が入射されて露光が開始される
。該露光は前述したようにステップアンドリピート露光
により行われるため、1回の露光におけるX線の照射範
囲は約3cm角(90m2)である。
このとき、ウェハチャック1の吸着面と該吸着面側のウ
ィック7との間隔および前記ウェハの厚さは小さいため
、露光中に該ウェハに発生した熱は、第1図図示xy平
面に拡散することなく前記吸着面側のウィック7まで伝
導される。したがって、X線の入射熱流密度を100m
W/cm2とすると、前記吸着面側のウィック7には、
X線の照射範囲に対応する約3cm角の面積に約100
mW/cm2の熱流密度が入射することになる。
しかし、前記熱流密度が入射すると、該入射した部分の
ウィック7の温度が上がるため、飽和蒸気圧が上昇して
ウィック7内の作動液が気化熱を奪って蒸発する。該蒸
発した作動液は、このとき生しる中空部8内の圧力分布
により瞬時に拡散して前記冷却面に達する。該冷却面の
温度は前述したように前記冷却水により約20.0℃に
保たれているため、該冷却面に達した前記蒸発した作動
液は凝縮して液体となり、該冷却面側のウィック7に吸
収される。その結果、露光中にウェハの温度が上昇して
も、該温度上昇に伴う熱のほとんどは、前記作動液の蒸
発に費やされるので、ウェハの温度を一定に保つことが
できる。なお、前記吸収された作動液は、ウィック7内
の毛細管現象により拡散されて、前記作動液が蒸発した
前記吸着面側のウィック7に還流される。
また、前記蒸発した作動液は拡散して前記冷却面に達す
るため、該冷却面における熱流密度は、該冷却面の面積
を15cm角(225cm2)とすると約4 mW/c
m2(= 100mW/cm2X 9cm2÷225c
m2)に減少するので、各冷却水用流路4、〜47に流
す前記冷却水の流速を従来の場合よりも小さくすること
ができる。すなわち、第5図に示した従来例では、10
0mW/cm2熱流密度に対してウェハの温度上昇を0
.05℃以下に抑えるためには、たとえば各冷却水用流
路1041〜1047に約5 m/secの流速で冷却
水を流す必要があったときでも、本実施例の場合には、
前記冷却面における熱流密度は約4 mW/cm2に減
少しているので、各冷却水用流路41〜4゜には約0.
5m/sec以下の流速で冷却水を流すだけても充分に
ウニへの温度上昇を0.05℃以下に抑えることができ
る。。その結果、本実施例においては従来例と比較して
約100分の1にウェハの変位を抑えることができる。
なお、前記作動液としてたとえば水を用いた場合には、
ウェハチャック1の中空部8は、水の沸点が約20.0
℃となるように約20[Torr]に減圧しておけばよ
い。
第3図は、本発明の露光装置用ウェハ冷却装置の第2の
実施例を示すウェハチャックの内部構造を示す断面図で
ある。
本実施例の露光装置用ウェハ冷却装置が、第2図に示し
たものと異なる点は、ウェハチャック21が、ヒートパ
イプ構造を有する中空体である、縦方向に2個に分割さ
れたコンテナ261゜26□を内部に具備することであ
る。
ここで、各コンテナ26゜、262は熱伝導性のよいA
l2材からなり、減圧された中空部281゜282を有
し、作動液で湿ったウィック271゜27□が内面に貼
付けられている。
本実施例の露光装置用ウェハ冷却装置においても、第3
図図示上方からステップアンドリピート露光が行われる
とすると、ウェハチャック21の吸着面と各コンテナ2
61,262の受熱面(前記吸着面と互いに対向する面
)との間隔、および前記ウニへの厚さは小さいため、最
初の露光中にウェハに発生した熱は図示xy平面に拡散
することなく、コンテナ26+の受熱面まで伝導される
このとき、コンテナ26□の前記受熱面の内側に張付け
られたウィック27.の温度が上がるため、飽和蒸気圧
が上昇してウィック271内の作動液が気化熱を奪って
蒸発する。該蒸発した作動液は、このとき生じる中空部
28.内の圧力分布により瞬時に拡散して、コンテナ2
6□の冷却面(冷却板34と接触する面)に達する。該
冷却面の温度は、冷却水用流路241〜247内を循環
する温度調節された冷却水により約20.0℃に保たれ
ているため、該冷却面に達した前記蒸発した作動液は凝
縮して液体となり、該冷却面側のウィック271に吸収
される。その結果、露光中にウニへの温度が上昇しても
、該温度上昇に伴う熱のほとんどは、前記作動液の蒸発
に費やされるので、ウェハの温度を一定に保つことがで
きる。なお、前記吸収された作動液は、ウィック27.
内の毛細管現象により拡散されて、前記作動液が蒸発し
た部分のウィック271に還流される。
したがって、本実施例の露光装置用ウェハ冷却装置では
、前記蒸発した作動液は拡散してコンテナ26゜の冷却
面に達するため、第1図に示したウェハチャック1と同
様にして各冷却水用流路241〜247に流す前記冷却
水の流速を従来の場合よりも小さくすることができる。
また、本実施例においては、ウェハチャック21が内蔵
するコンテナを縦方向に2分割することにより、前記作
動液を効率的に還流することができるので、ドライアウ
ト現象の発生を防止することができる。すなわち、シン
クロトロン故射光を光源とするX線露光装置のようにウ
ェハチャック21が縦に配置されて露光が行われるとき
には、前記冷却面で冷却され凝縮して液体となった作動
液は、重力に逆らって毛細管現象により前記作動液が蒸
発した部分のウィック271に還流するため、ウィック
271の縦方向の長さは短いほど前記作動液を効率的に
還流することができる。
なお、本実施例では、ウェハチャックが内蔵するコンテ
ナを縦方向に2分割したが、露光時間が長い場合などに
は、コンテナの分割数を多くした方が、前記受熱面に生
しるドライアウト現象の発生を防止する点で有効となる
ため、ウェハの振動の防止が確保される範囲内であれば
、コンテナの分割数を増やしてもよい。
また、本実施例では、ヒートパイプ構造を有する中空体
からなるウェハチャック21は、各コンテナ261.2
6□と各ウィック27.,272と各中空部28.,2
8□とを用いて構成されたが、第1図に示したウェハチ
ャック1の中空部8を縦に2分割して構成されてもよい
以上の実施例において、各ウェハチャック1゜21は、
第2図に示した構造を有する微動ステージ5.25にそ
れぞれ固定されたが、微動ステージ5,25の構造はこ
れに限るものではなく、たとえば第4図に示すようなも
のであってもよい。
この微動ステージ45は、微動ステージ45のウェハチ
ャック41と反対側に設けられている不図示の粗動ステ
ージに、微動ステージ45の左右側面にそれぞれ設けら
れた、2つの固定部551゜552により取付けられて
いるものである。ここで、微動ステージ45と図示右斜
め下側の固定部55、との間には、2つのアクチュエー
タ571゜57□が介在されており、また、微動ステー
ジ45と図示左斜め上側の固定部55□との間には、微
動ステージ45を常時2つのアクチュエータ57 r 
、 572側に付勢するひんじばね56が介在されてい
る。
この微動ステージ45は、2つのアクチュエータ57.
.57□がともに駆動されることにより、図示y軸方向
に沿って両方向に微動し、2つのアクチュエータ571
,572の一方が駆動されるごとにより図示ω2方向に
微動する。
この微動ステージ45に、第1図に示したウェハチャッ
ク1または第3図に示したウェハチャック21と同じ構
造を有するウェハチャック41を、温度調節された冷却
水が循環される7本の冷却水用流路44、〜447が図
示X軸方向に等間隔に配設された冷却板54を介して固
定することにより、同様の効果を有する露光装置用ウェ
ハ冷却装置を構成することができる。
以上説明した実施例では、各ウェハチャック1.21.
41に形成された各真空吸着用溝2゜22.42の形状
を十文字状としたが、放射線状など他の形状としてもよ
い。また、各冷却水用流路41〜4□、24.〜247
.44 r〜44フの本数を7本としたが、それ以外の
本数としてもよい。
さらに、各ウェハチャック1.’21,41は、各真空
排気用配管3,23.43と不図示の真空ポンプとによ
り真空吸着するものとしたが、公知の磁気吸着または静
電吸着するものであってもよい。
以上の説明では、シンクロトロン放射光を光源とするX
線露光装置に使用される露光装置ウェハ冷却装置につい
て詳しく述べたが、本発明の露光装置ウェハ冷却装置は
、シンクロトロン放射光以外の光(たとえば、g線、i
線、エキシマレーザなど)を光源とする露光装置に使用
しても、同様の効果が得られるものである。
[発明の効果コ 本発明は、上述のとおり構成されているので、次に記載
する効果を奏する。
本発明の露光装置用ウェハ冷却装置では、ウェハチャッ
クがヒートパイプ構造を有する中空体からなることより
、冷却媒体が循環可能な内部構造を有する冷却板と接す
る該ウェハチャックの冷却面における熱流密度は、受熱
面に入射した熱流密度よりも該受熱面と前記冷却面との
比だけ小さくなり、前記冷却媒体の流量を大幅に小さく
することができるため、ウェハが吸着・保持される前記
ウェハチャックが、剛性の弱いステージに固定されてい
ても、露光中の前記ウニへの変位を十分小さい値に抑え
ることができるので、パターン転写精度の悪化を招くこ
となく前記ウェハを冷却することができるという効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は第2図のウェハチャックの内部構造を示す断面
図、第2図は本発明の露光装置用ウェハ冷却装置の第1
の実施例を示すウェハ保持ブロックの概略構成図、第3
図は本発明の露光装置用ウェハ冷却装置の第2の実施例
を示すウェハチャックの内部構造を示す断面図、第4図
は微動ステージの他の例を示すウェハ保持ブロックの概
略構成図、第5図はシンクロトロン放射光を光源とする
X線露光装置において使用されるウェハ保持ブロックの
一例を示す概略構成図、第6図は冷却媒体を流してウェ
ハを冷却する露光装置用ウェハ冷却装置の従来例の一つ
を示すウェハチャックの内部構造を示す断面図、第7図
は流量と変位との関係を測定したー実験結果を示すグラ
フである。 1.21.41・・・ウェハチャック、2.22.42
・・・真空吸着用溝、 3.23.43・・・真空吸着用配管、41〜47,2
41〜24..441〜447・・・冷却水用流路、 5.25.45・・・微動ステージ、 7.271.27□・・・ウィック、 8.281.28□・・・中空、 9・・・ゴム、     10・・・板ばね、11・・
・ピエゾ素子、  12・・・支持台、13・・・粗動
ステージ、 14.34.54・・・冷却板、 26、.262・・・コンテナ、 55、.552・・・固定部、 56・・・ひんじばね、 571.572・・・アクチュエータ、x、y、z・・
・軸、 ω8.ωつ、ω2・・・回転方向。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、剛性の弱いステージに固定されたウェハチャックを
    備えた露光装置に用いられる露光装置用ウェハ冷却装置
    において、 前記ウェハチャックが、ヒートパイプ構造を有する中空
    体からなり、 該ウェハチャックと前記ステージとの間に、冷却媒体が
    循環可能な内部構造を有する冷却板が介在されているこ
    とを特徴とする露光装置用ウェハ冷却装置。 2、中空体が、縦方向に分割されていることを特徴とす
    る請求項第1項記載の露光装置用ウェハ冷却装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2001307978A (ja) * 2000-04-18 2001-11-02 Tokyo Electron Ltd 基板載置台
JP2005064391A (ja) * 2003-08-19 2005-03-10 Canon Inc 光学部材の冷却方法、冷却装置、露光装置、及び、デバイスの製造方法
JP2009545157A (ja) * 2006-07-28 2009-12-17 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. リソグラフィ・システム、熱放散の方法、及びフレーム
JP2020526012A (ja) * 2017-06-23 2020-08-27 ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー 高温ヒートプレートペデスタル

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001307978A (ja) * 2000-04-18 2001-11-02 Tokyo Electron Ltd 基板載置台
JP2005064391A (ja) * 2003-08-19 2005-03-10 Canon Inc 光学部材の冷却方法、冷却装置、露光装置、及び、デバイスの製造方法
JP2009545157A (ja) * 2006-07-28 2009-12-17 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. リソグラフィ・システム、熱放散の方法、及びフレーム
JP2020526012A (ja) * 2017-06-23 2020-08-27 ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー 高温ヒートプレートペデスタル

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