JPH0485918A - X線露光装置用ウエハ冷却装置 - Google Patents
X線露光装置用ウエハ冷却装置Info
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- JPH0485918A JPH0485918A JP2199103A JP19910390A JPH0485918A JP H0485918 A JPH0485918 A JP H0485918A JP 2199103 A JP2199103 A JP 2199103A JP 19910390 A JP19910390 A JP 19910390A JP H0485918 A JPH0485918 A JP H0485918A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はX線露光装置用ウェハ冷却装置に関し、特に冷
却水によるウェハの振動を抑えたX線露光装置用ウェハ
冷却装置に関するものである。
却水によるウェハの振動を抑えたX線露光装置用ウェハ
冷却装置に関するものである。
〔従来の技術]
半導体装置、特に半導体メモリの大容量化に伴ない、半
導体製造装置における微細化技術の向上が叫ばれている
。
導体製造装置における微細化技術の向上が叫ばれている
。
該微細化技術の向上の一手段として、シンクロトロン放
射光を光源とするX線露光装置があるが、該X線露光装
置は従来の遠紫外光などを光源とする露光装置と異なり
、ウェハおよびマスクを縦にして露光する構成となって
いる(たとえば、特開平2−100311号)。
射光を光源とするX線露光装置があるが、該X線露光装
置は従来の遠紫外光などを光源とする露光装置と異なり
、ウェハおよびマスクを縦にして露光する構成となって
いる(たとえば、特開平2−100311号)。
第10図はこのようなX線露光装置において使用される
ウェハ保持ブロックの一例を示す概略構成図である。
ウェハ保持ブロックの一例を示す概略構成図である。
このウェハ保持ブロックは、ウェハのマスクに対する図
示X、y、z軸方向の大まかな位置合せを行う粗動ステ
ージ113と、粗動ステージ113に固定された支持台
112と、支持台112の中央部に設けられている、ウ
ェハのマスクに対する細かな位置合せを行う微動ステー
ジ108と、微動ステージ108に固定さたウェハチャ
ック101とから構成されている。
示X、y、z軸方向の大まかな位置合せを行う粗動ステ
ージ113と、粗動ステージ113に固定された支持台
112と、支持台112の中央部に設けられている、ウ
ェハのマスクに対する細かな位置合せを行う微動ステー
ジ108と、微動ステージ108に固定さたウェハチャ
ック101とから構成されている。
ここで、ウェハチャック101は、不図示のアクチュエ
ータにより駆動される粗動ステージ113によって図示
x、y、z軸方向にそれぞれ移動させられるとともに、
微動ステージによって図示X。
ータにより駆動される粗動ステージ113によって図示
x、y、z軸方向にそれぞれ移動させられるとともに、
微動ステージによって図示X。
y、z軸方向およびω1.ω9.ω2方向(x。
y、z軸の回転方向)にそれぞれ微動可能となっている
。しかし、第10図には簡単のため、図示ω2方向にの
み微動可能な微動ステージ108について示した。すな
わち、微動ステージ108は、その四隅およびその四辺
の中央においてそれぞれ板ばね110を介して支持台1
12に支持されており、図示右側の板ばね110を挟ん
で設けられているゴム109とピエゾ素子111によっ
て駆動されて図示ω2方向に微動する。なお、微動ステ
ージ108の四辺の中央の各板ばね110を挟んでゴム
109とピエゾ素子111を設けることにより、微動ス
テージ108を図示x、y、z軸方向およびωz 、
(13F 。
。しかし、第10図には簡単のため、図示ω2方向にの
み微動可能な微動ステージ108について示した。すな
わち、微動ステージ108は、その四隅およびその四辺
の中央においてそれぞれ板ばね110を介して支持台1
12に支持されており、図示右側の板ばね110を挟ん
で設けられているゴム109とピエゾ素子111によっ
て駆動されて図示ω2方向に微動する。なお、微動ステ
ージ108の四辺の中央の各板ばね110を挟んでゴム
109とピエゾ素子111を設けることにより、微動ス
テージ108を図示x、y、z軸方向およびωz 、
(13F 。
ω1方向にそれぞれ微動可能とすることができる。さら
に、ウェハチャック101には、ウェハ真空吸着用に十
文字状の溝107が設けられており、溝107は不図示
の真空ポンプに配管(不図示)を介して接続されている
。
に、ウェハチャック101には、ウェハ真空吸着用に十
文字状の溝107が設けられており、溝107は不図示
の真空ポンプに配管(不図示)を介して接続されている
。
このようなシンクロトロン放射光を用いたX線露光装置
では、ウェハに転写するパターンが極く微細であるため
、約100 mW/cm2の強度を有するX線の照射に
より生じる温度上昇が原因となるウェハの熱歪が無視で
きなくなる。そのため、露光中のウェハを冷却するウェ
ハ冷却装置が必須となる。
では、ウェハに転写するパターンが極く微細であるため
、約100 mW/cm2の強度を有するX線の照射に
より生じる温度上昇が原因となるウェハの熱歪が無視で
きなくなる。そのため、露光中のウェハを冷却するウェ
ハ冷却装置が必須となる。
このようなウェハ冷却装置としては、次に示すようなも
のが考えられる。
のが考えられる。
(1)特開昭59−117128号公報、特開昭61−
172357号公報および特開昭63−193447号
公報に記載されているような、ウェハ冷却装置とウェハ
チャックとの間に、またはウェハとウェハチャックとの
間に水銀、金属織物あるいは細い銅線などの自由度と変
形を有する熱伝導材を介在させるもの。
172357号公報および特開昭63−193447号
公報に記載されているような、ウェハ冷却装置とウェハ
チャックとの間に、またはウェハとウェハチャックとの
間に水銀、金属織物あるいは細い銅線などの自由度と変
形を有する熱伝導材を介在させるもの。
(2)特開昭63−98119号公報に記載されている
ような、ウェハチャック101内に温度調節された冷却
水を循環させてウェハチャック101の温度を一定に保
つもの。
ような、ウェハチャック101内に温度調節された冷却
水を循環させてウェハチャック101の温度を一定に保
つもの。
(3)特開昭63−65066号公報に記載されている
ような、ウェハチャックを蒸発部としてヒートパイプを
構成するもの。
ような、ウェハチャックを蒸発部としてヒートパイプを
構成するもの。
しかしながら、上記したウェハ冷却装置では、次に示す
ような問題点がある。
ような問題点がある。
(1)ウェハ冷却装置とウェハチャックとの間に、また
はウェハとウェハチャックとの間に自由度と変形を有す
る熱伝導材を介在させるものでは、ウェハの変形を矯正
するために必要な平面度(たとえば、lOcmX 10
cmの範囲で1μm以下)が保てなくなり、パターン転
写精度の悪化を招く。また、このような熱伝導材は、−
船釣に熱伝導率があまりよくない。
はウェハとウェハチャックとの間に自由度と変形を有す
る熱伝導材を介在させるものでは、ウェハの変形を矯正
するために必要な平面度(たとえば、lOcmX 10
cmの範囲で1μm以下)が保てなくなり、パターン転
写精度の悪化を招く。また、このような熱伝導材は、−
船釣に熱伝導率があまりよくない。
(2)温度調節された冷却水によりウェハチャック10
1の温度を一定に保つものでは、ウェハチャック+01
は第10図に示すように剛性の弱い微動ステージ108
に固定されているため、前記冷却水の流れによる振動(
たとえば、第11図に示す一実験結果によると、120
cc/secの流量に対して約0.20μmの変位)
が生じ、パターン転写精度の悪化を招く。
1の温度を一定に保つものでは、ウェハチャック+01
は第10図に示すように剛性の弱い微動ステージ108
に固定されているため、前記冷却水の流れによる振動(
たとえば、第11図に示す一実験結果によると、120
cc/secの流量に対して約0.20μmの変位)
が生じ、パターン転写精度の悪化を招く。
(3)ウェハチャックを蒸発部としてヒートパイプを構
成するものでは、該ヒートパイプの凝縮部に供給される
冷却水によりウェハチャックが振動するため、パターン
転写精度の悪化を招く。
成するものでは、該ヒートパイプの凝縮部に供給される
冷却水によりウェハチャックが振動するため、パターン
転写精度の悪化を招く。
本発明の目的は、パターン転写精度の悪化を招くことな
くウェハを冷却することができるX線露光用ウェハ冷却
装置を提供することにある。
くウェハを冷却することができるX線露光用ウェハ冷却
装置を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明のX線露光用ウェハ冷却装置は、微動ステージに
固定された、熱伝導性のよい材質からなるウェハチャッ
クと、 粗動ステージに固定された、熱伝導性のよい材質からな
る、冷却水が循環可能な内部構造を有する熱交換器と、 該熱交換器と前記ウェハチャックとの間で伝熱を行わせ
るためのフレキシブルなヒートパイプとを具備する。
固定された、熱伝導性のよい材質からなるウェハチャッ
クと、 粗動ステージに固定された、熱伝導性のよい材質からな
る、冷却水が循環可能な内部構造を有する熱交換器と、 該熱交換器と前記ウェハチャックとの間で伝熱を行わせ
るためのフレキシブルなヒートパイプとを具備する。
また、前記ヒートパイプは、両端の接触部が熱伝導性の
よい材質からなり、中央部のパイプが樹脂材からなり、
作動液で湿ったウィックがその内面に貼付けられていて
もよい。
よい材質からなり、中央部のパイプが樹脂材からなり、
作動液で湿ったウィックがその内面に貼付けられていて
もよい。
さらに、前記ウェハチャックが、減圧された中空部を有
し、作動液で湿ったウィックがその内面に貼付けられて
いてもよい。
し、作動液で湿ったウィックがその内面に貼付けられて
いてもよい。
または、前記熱交換器が、減圧された中空部を有し、作
動液で湿ったウィックがその内面に貼付けられており、 該熱交換器内のウィックと前記ヒートパイプ内のウィッ
ク、および前記ウェハチャック内のウィックと前記ヒー
トパイプ内のウィックとがそれぞれ接続されており、 前記ウェハチャック内の中空部と前記熱交換器内の中空
部とが、前記ヒートパイプにより連通されていてもよい
。
動液で湿ったウィックがその内面に貼付けられており、 該熱交換器内のウィックと前記ヒートパイプ内のウィッ
ク、および前記ウェハチャック内のウィックと前記ヒー
トパイプ内のウィックとがそれぞれ接続されており、 前記ウェハチャック内の中空部と前記熱交換器内の中空
部とが、前記ヒートパイプにより連通されていてもよい
。
また、微動ステージに固定された、熱伝導性のよい材質
からなり、減圧された中空部を有し、かつ作動液で湿っ
たウィックがその内面に貼付けられたウェハチャックと
、 粗動ステージに固定された、熱伝導性のよい材質からな
り、冷却水が循環可能な内部構造および減圧された中空
部を有し、かつ作動液で湿ったウィックがその内面に貼
付けられた熱交換器と、該熱交換器内の中空部と前記ウ
ェハチャック内の中空部とを連通させるフレキシブルな
パイプと、 前記ウェハチャック内のウィックに補給する作動液を貯
える作動液用タンクと、 該作動液用タンクと前記ウェハチャック内のウィックと
を接続する、フレキシブルな作動液用配管と、 該作動液用配管の途中に設けられた作動液用バルブと、 前記ウェハチャック内の中空部と真空発生源とを接続す
る、フレキシブルな真空引き用配管と、該真空引き用配
管の途中に設けられた真空引き用バルブとを具備してい
てもよい。
からなり、減圧された中空部を有し、かつ作動液で湿っ
たウィックがその内面に貼付けられたウェハチャックと
、 粗動ステージに固定された、熱伝導性のよい材質からな
り、冷却水が循環可能な内部構造および減圧された中空
部を有し、かつ作動液で湿ったウィックがその内面に貼
付けられた熱交換器と、該熱交換器内の中空部と前記ウ
ェハチャック内の中空部とを連通させるフレキシブルな
パイプと、 前記ウェハチャック内のウィックに補給する作動液を貯
える作動液用タンクと、 該作動液用タンクと前記ウェハチャック内のウィックと
を接続する、フレキシブルな作動液用配管と、 該作動液用配管の途中に設けられた作動液用バルブと、 前記ウェハチャック内の中空部と真空発生源とを接続す
る、フレキシブルな真空引き用配管と、該真空引き用配
管の途中に設けられた真空引き用バルブとを具備してい
てもよい。
[作用コ
本発明のX線露光装置用ウェハ冷却装置では、露光中の
ウニへの温度上昇に伴なう熱は、ヒートパイプにおける
作動液の蒸発に費やされるため、前記ウェハの温度を一
定に保つことができる。また、前記熱交換器は剛性の強
い粗動ステージに固定されているため、前記冷却水の循
環によるウェハチャックの振動(すなわち、ウニへの振
動)を防止することができる。さらに、前記ヒートパイ
プはフレキシブルであるため、前記ウェハチャックの微
動ステージによる細かい位置合せを行うこともできる。
ウニへの温度上昇に伴なう熱は、ヒートパイプにおける
作動液の蒸発に費やされるため、前記ウェハの温度を一
定に保つことができる。また、前記熱交換器は剛性の強
い粗動ステージに固定されているため、前記冷却水の循
環によるウェハチャックの振動(すなわち、ウニへの振
動)を防止することができる。さらに、前記ヒートパイ
プはフレキシブルであるため、前記ウェハチャックの微
動ステージによる細かい位置合せを行うこともできる。
また、両端の接触部を熱伝導性のよい材質で、中央部の
パイプな樹脂材で構成し、かつ作動液で湿ったウィック
をその内面に貼付けることにより、フレキシブルなヒー
トパイプを容易に構成することができる。
パイプな樹脂材で構成し、かつ作動液で湿ったウィック
をその内面に貼付けることにより、フレキシブルなヒー
トパイプを容易に構成することができる。
さらに、減圧された中空部を有し、作動液で湿ったウィ
ックがその内面に貼付けられたウェハチャックを用いる
ことにより、ウェハチャックを一般的なヒートパイプの
熱源部と同様の構造とすることができるので、ウェハ全
体の温度を効率よく一定に保つことができる。
ックがその内面に貼付けられたウェハチャックを用いる
ことにより、ウェハチャックを一般的なヒートパイプの
熱源部と同様の構造とすることができるので、ウェハ全
体の温度を効率よく一定に保つことができる。
また、減圧された中空部を有し、作動液で湿ったウィッ
クがその内面に貼付けられた熱交換器を用い、該熱交換
器内のウィックと前記ヒートパイプ内のウィックとを接
続するとともに、前記ウェハチャック内のウィックと前
記ヒートパイプ内のウィックとを接続し、さらに、前記
ウェハチャック内の中空部と前記熱交換器内の中空部と
を前記ヒートパイプにより連通ずることにより、ウェハ
冷却装置自体を一つのヒートパイプ構造とすることがで
きるので、効率よくウェハの温度を一定に保つことがで
きる。
クがその内面に貼付けられた熱交換器を用い、該熱交換
器内のウィックと前記ヒートパイプ内のウィックとを接
続するとともに、前記ウェハチャック内のウィックと前
記ヒートパイプ内のウィックとを接続し、さらに、前記
ウェハチャック内の中空部と前記熱交換器内の中空部と
を前記ヒートパイプにより連通ずることにより、ウェハ
冷却装置自体を一つのヒートパイプ構造とすることがで
きるので、効率よくウェハの温度を一定に保つことがで
きる。
また、前記ウェハチャック内の中空部と前記熱交換器内
の中空部とを連通させるフレキシブルなパイプと、前記
ウェハチャック内のウィックに作動液を補給する手段と
を設けても、前記ウェハチャック内のウィックから蒸発
する作動液を前記パイプを介して前記熱交換器に移動さ
せることができるとともに、前記ウェハチャック内のウ
ィックに作動液を適宜補給することができるので、同様
な効果が得られる。
の中空部とを連通させるフレキシブルなパイプと、前記
ウェハチャック内のウィックに作動液を補給する手段と
を設けても、前記ウェハチャック内のウィックから蒸発
する作動液を前記パイプを介して前記熱交換器に移動さ
せることができるとともに、前記ウェハチャック内のウ
ィックに作動液を適宜補給することができるので、同様
な効果が得られる。
[実施例]
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明のX線露光装置用ウェハ冷却装置の第1
の実施例を示すウェハ保持ブロックの概略構成図である
。
の実施例を示すウェハ保持ブロックの概略構成図である
。
このウェハ保持ブロックは、ウェハのマスクに対する図
示x、y、z軸方向の大まかな位置合せを行う粗動ステ
ージ13と、粗動ステージ13に固定された支持台12
と、支持台12の中央部に設けられている、ウェハのマ
スクに対する細かな位置合せを行う微動ステージ8と、
微動ステージ8に固定さたウェハチャック1とから構成
されている。また、ウェハチャック1は、不図示のアク
チュエータにより駆動される粗動ステージ13によって
図示x、y、z軸方向にそれぞれ移動させられるととも
に、微動ステージによって図示X。
示x、y、z軸方向の大まかな位置合せを行う粗動ステ
ージ13と、粗動ステージ13に固定された支持台12
と、支持台12の中央部に設けられている、ウェハのマ
スクに対する細かな位置合せを行う微動ステージ8と、
微動ステージ8に固定さたウェハチャック1とから構成
されている。また、ウェハチャック1は、不図示のアク
チュエータにより駆動される粗動ステージ13によって
図示x、y、z軸方向にそれぞれ移動させられるととも
に、微動ステージによって図示X。
y、z軸方向およびω8.ωつ、ω2方向(x。
y、z軸の回転方向)にそれぞれ微動可能となっている
が、本実施例では簡単のため図示ω2方向にのみ微動可
能な微動ステージ8を用いている。
が、本実施例では簡単のため図示ω2方向にのみ微動可
能な微動ステージ8を用いている。
すなわち、微動ステージ8は、第2図に示すようにその
四隅およびその四辺の中央においてそれぞれ板ばね10
を介して支持台12に支持されており、その四辺の右側
の板ばね10を挟んで設けられているゴム9とピエゾ素
子11によって駆動される。なお、微動ステージ8の四
辺の中央の各板ばね10を挟んでゴム9とピエゾ素子1
1とを設けることにより、微動ステージ8を図示x、y
。
四隅およびその四辺の中央においてそれぞれ板ばね10
を介して支持台12に支持されており、その四辺の右側
の板ばね10を挟んで設けられているゴム9とピエゾ素
子11によって駆動される。なお、微動ステージ8の四
辺の中央の各板ばね10を挟んでゴム9とピエゾ素子1
1とを設けることにより、微動ステージ8を図示x、y
。
z軸方向およびω1.ωア、ω2方向にそれぞれ微動可
能とすることができる。さらに、ウェハチャック1には
、ウェハ真空吸着用に十文字状の溝7が設けられており
、溝7は不図示の真空ポンプに配管(不図示)を介して
接続されている。以上の点については、第10図に示し
た従来のものと同じである。
能とすることができる。さらに、ウェハチャック1には
、ウェハ真空吸着用に十文字状の溝7が設けられており
、溝7は不図示の真空ポンプに配管(不図示)を介して
接続されている。以上の点については、第10図に示し
た従来のものと同じである。
しかし、ウェハチャック1が熱伝導性のよいAl1材か
らなり、また、熱伝導性のよいAn材からなる、冷却水
が循環可能なように、2本の冷却水用配管5.6と接続
される配管が内部に設けられている熱交換器2が、粗動
ステージ13に固定されており、さらに、2本のフレキ
シブルなヒートパイプ3,4が熱交換器2とウェハチャ
・ツクlとの間で伝熱を行わせるために設けられている
点が、従来のものと異なる。なお、2本のヒートパイプ
3,4はそれぞれ第3図に示すように、両端の接触部2
1.22が熱伝導性のよいAβ材からなり、中央部のパ
イプ23がテフロンなどの耐熱性のよい樹脂材からなり
、水やアルコールなどの作動液で湿ったウィック24が
その内面に貼付けられている。また、各ヒートパイプ3
,4の内部は、前記作動液の沸点が約20.0℃となる
圧力に減圧されている。
らなり、また、熱伝導性のよいAn材からなる、冷却水
が循環可能なように、2本の冷却水用配管5.6と接続
される配管が内部に設けられている熱交換器2が、粗動
ステージ13に固定されており、さらに、2本のフレキ
シブルなヒートパイプ3,4が熱交換器2とウェハチャ
・ツクlとの間で伝熱を行わせるために設けられている
点が、従来のものと異なる。なお、2本のヒートパイプ
3,4はそれぞれ第3図に示すように、両端の接触部2
1.22が熱伝導性のよいAβ材からなり、中央部のパ
イプ23がテフロンなどの耐熱性のよい樹脂材からなり
、水やアルコールなどの作動液で湿ったウィック24が
その内面に貼付けられている。また、各ヒートパイプ3
,4の内部は、前記作動液の沸点が約20.0℃となる
圧力に減圧されている。
次に、このウェハ保持ブロックの動作について説明する
。
。
約20.0℃に温度制御された、大量の冷却水が不図示
の恒温槽より冷却水用配管5を介して熱交換器2に送ら
れ、該冷却水が熱交換器2内の配管および冷却水用配管
6を介して前記恒温槽に戻されることにより、熱交換器
2は約20.0℃に一定に保たれる。ここで、熱交換器
2は、剛性の強い粗動ステージ13に固定されているの
で、大量の冷却水が流し込まれても振動することがない
。
の恒温槽より冷却水用配管5を介して熱交換器2に送ら
れ、該冷却水が熱交換器2内の配管および冷却水用配管
6を介して前記恒温槽に戻されることにより、熱交換器
2は約20.0℃に一定に保たれる。ここで、熱交換器
2は、剛性の強い粗動ステージ13に固定されているの
で、大量の冷却水が流し込まれても振動することがない
。
マスクパターンが転写されるウェハは、公知の搬送ハン
ド(不図示)により、ウェハチャック1の位置まで搬送
されたのち、十文字状の溝7と前記真空ポンプとが連通
されることにより、ウェハチャックlに真空吸着される
。その後、粗動ステージ13が不図示のアクチュエータ
により駆動され、また、微動ステージ8がピエゾ素子1
1により駆動されることにより、ウェハのマスクに対す
る位置合せが行われる。
ド(不図示)により、ウェハチャック1の位置まで搬送
されたのち、十文字状の溝7と前記真空ポンプとが連通
されることにより、ウェハチャックlに真空吸着される
。その後、粗動ステージ13が不図示のアクチュエータ
により駆動され、また、微動ステージ8がピエゾ素子1
1により駆動されることにより、ウェハのマスクに対す
る位置合せが行われる。
該位置合せが完了すると、X線によるウェハの露光が開
始される。露光中、X線の照射によりウニへの温度が上
昇すると、ウェハチャック1の温度も上昇するが、ウェ
ハチャックlは熱伝導性のよいAβ材からなるため、ウ
ェハチャツク1全体の温度が一様に上昇する。したがっ
て、ウェハチャック1と接触する2本のヒートパイプ3
゜4の接触部21の温度が上昇し、各ヒートパイプ3.
4の接触部21の内面に貼付けられたウィック24の温
度も上がり、その飽和蒸気圧が上昇してウィック24内
の作動液が気化熱を奪って蒸発する。該蒸発した作動液
は、このとき生じる各ヒートパイプ3,4内の圧力分布
により各ヒートパイプ3.4の熱交換器2側の接触部2
2まで瞬時に移動する。ここで、前述したように熱交換
器2は約20.0℃に温度制御されているため、各ヒー
トパイプ3.4の接触部22もまた約20.0℃に一定
になっているので、前記蒸発した作動液は凝縮して液体
となりウィック24に吸収される。なお、該吸収された
作動液はウィック24内の毛細管現象により拡散されて
、各ヒートパイプ34の接触部21付近のウィック24
に還元される。
始される。露光中、X線の照射によりウニへの温度が上
昇すると、ウェハチャック1の温度も上昇するが、ウェ
ハチャックlは熱伝導性のよいAβ材からなるため、ウ
ェハチャツク1全体の温度が一様に上昇する。したがっ
て、ウェハチャック1と接触する2本のヒートパイプ3
゜4の接触部21の温度が上昇し、各ヒートパイプ3.
4の接触部21の内面に貼付けられたウィック24の温
度も上がり、その飽和蒸気圧が上昇してウィック24内
の作動液が気化熱を奪って蒸発する。該蒸発した作動液
は、このとき生じる各ヒートパイプ3,4内の圧力分布
により各ヒートパイプ3.4の熱交換器2側の接触部2
2まで瞬時に移動する。ここで、前述したように熱交換
器2は約20.0℃に温度制御されているため、各ヒー
トパイプ3.4の接触部22もまた約20.0℃に一定
になっているので、前記蒸発した作動液は凝縮して液体
となりウィック24に吸収される。なお、該吸収された
作動液はウィック24内の毛細管現象により拡散されて
、各ヒートパイプ34の接触部21付近のウィック24
に還元される。
その結果、露光中にウェハの温度が上昇しても、該温度
上昇に伴なう熱のほとんどは、2本のヒートパイプ3.
4における作動液の蒸発に費やされるので、ウェハの温
度を一定に保つことができる。
上昇に伴なう熱のほとんどは、2本のヒートパイプ3.
4における作動液の蒸発に費やされるので、ウェハの温
度を一定に保つことができる。
なお、作動液としてたとえば水を用いた場合、各ヒート
パイプ3,4の内部は、水の沸点が約20.0℃となる
ように約20[Torr]に減圧される。
パイプ3,4の内部は、水の沸点が約20.0℃となる
ように約20[Torr]に減圧される。
一方、X線露光装置においては、X線の減衰を防ぐため
にウェハチャック1が設置される雰囲気は、一般に20
0 [Torr]前後の圧力に保たれたヘリウム・ガス
であるため、各ヒートパイプ3,4の内外の圧力差は約
180 [Torr] となる。したがって、各ヒート
パイプ3,4の中央部のパイプ23は、径20[mm]
以内、肉厚1 [mm1以上とすることによりテフロン
などの樹脂材を用いても構成することができる。また、
各ヒートパイプ3,4のパイプ23の外形を第3図に示
すように蛇腹状としてフレキシビリティをもたせること
により、微動ステージ8によるウェハの細かな位置合せ
に応じて、各ヒートパイプ3.4を第1図に示した)c
、y、z軸方向およびω8.ωy、ω2方向に微動可能
とすることができる。
にウェハチャック1が設置される雰囲気は、一般に20
0 [Torr]前後の圧力に保たれたヘリウム・ガス
であるため、各ヒートパイプ3,4の内外の圧力差は約
180 [Torr] となる。したがって、各ヒート
パイプ3,4の中央部のパイプ23は、径20[mm]
以内、肉厚1 [mm1以上とすることによりテフロン
などの樹脂材を用いても構成することができる。また、
各ヒートパイプ3,4のパイプ23の外形を第3図に示
すように蛇腹状としてフレキシビリティをもたせること
により、微動ステージ8によるウェハの細かな位置合せ
に応じて、各ヒートパイプ3.4を第1図に示した)c
、y、z軸方向およびω8.ωy、ω2方向に微動可能
とすることができる。
水辺外の作動液を用いても、各ヒートパイプ3.4の内
外の圧力差はたかだか200[Torr]前後であるた
め、各ヒートパイプ3,4のパイプ23を同様にして樹
脂材を用いて構成しても問題ない。また、各ヒートパイ
プ3,4のパイプ23は、AI2材などの金属を用いて
も同様の構造とすることにより、フレキシビリティをも
たせることができる。
外の圧力差はたかだか200[Torr]前後であるた
め、各ヒートパイプ3,4のパイプ23を同様にして樹
脂材を用いて構成しても問題ない。また、各ヒートパイ
プ3,4のパイプ23は、AI2材などの金属を用いて
も同様の構造とすることにより、フレキシビリティをも
たせることができる。
第4図は本発明のX線露光装置用ウェハ冷却装置の第2
の実施例におけるウェハチャックの概略構成図である。
の実施例におけるウェハチャックの概略構成図である。
本実施例のX線露光装置用ウェハ冷却装置が、第1図に
示したものと異なる点は、ウェハチャック31の構造で
ある。すなわち、第4図に示すように、本実施例で用い
られているウェハチャック31は、Aρ材などの熱伝導
性のよい材質からなり、ウェハを真空吸着するための十
文字状の溝37が設けられている点については、第1図
に示したウェハチャックlと同じである。しかし、減圧
された中空部39を有し、作動液で湿ったウィック38
がその内面に貼付けられている点が、第1図に示したも
のと異なる。なお、ウェハチャック31内の中空部39
は、前記作動液の沸点が約200℃となる圧力に減圧さ
れている。
示したものと異なる点は、ウェハチャック31の構造で
ある。すなわち、第4図に示すように、本実施例で用い
られているウェハチャック31は、Aρ材などの熱伝導
性のよい材質からなり、ウェハを真空吸着するための十
文字状の溝37が設けられている点については、第1図
に示したウェハチャックlと同じである。しかし、減圧
された中空部39を有し、作動液で湿ったウィック38
がその内面に貼付けられている点が、第1図に示したも
のと異なる。なお、ウェハチャック31内の中空部39
は、前記作動液の沸点が約200℃となる圧力に減圧さ
れている。
本実施例のX線露光装置用ウェハ冷却装置では、露光中
にウェハの温度が上昇すると、ウェハチャック31の温
度も上昇し、ウェハチャック31と接触する不図示の2
本のヒートパイプ(第1図参照)のウェハチャック31
側の接触部の温度も上がって、該各ヒートパイプの接触
部の内面に貼付けられたウィックの温度が上昇し、該ウ
ィック内の作動液が気化熱を奪って蒸発する。該蒸発し
た作動液は、このとき生じる前記各ヒートパイプ内の圧
力分布により、該各ヒートパイプの熱交換器側の接触部
まで瞬時に移動する。ここで、該熱交換器は、第1図に
示した熱交換器2と同様にして約20.0℃に温度制御
されているため、前記各ヒートパイプの該熱交換器側の
接触部もまた約20.0℃に一定になっているので、前
記蒸発した作動液は凝縮して液体となり前記ウィックに
吸収される。該吸収された作動液は前記ウィック内の毛
細管現象により拡散されて、前記各ヒートパイプのウェ
ハチャック31側の接触部付近のウィックに還元される
。
にウェハの温度が上昇すると、ウェハチャック31の温
度も上昇し、ウェハチャック31と接触する不図示の2
本のヒートパイプ(第1図参照)のウェハチャック31
側の接触部の温度も上がって、該各ヒートパイプの接触
部の内面に貼付けられたウィックの温度が上昇し、該ウ
ィック内の作動液が気化熱を奪って蒸発する。該蒸発し
た作動液は、このとき生じる前記各ヒートパイプ内の圧
力分布により、該各ヒートパイプの熱交換器側の接触部
まで瞬時に移動する。ここで、該熱交換器は、第1図に
示した熱交換器2と同様にして約20.0℃に温度制御
されているため、前記各ヒートパイプの該熱交換器側の
接触部もまた約20.0℃に一定になっているので、前
記蒸発した作動液は凝縮して液体となり前記ウィックに
吸収される。該吸収された作動液は前記ウィック内の毛
細管現象により拡散されて、前記各ヒートパイプのウェ
ハチャック31側の接触部付近のウィックに還元される
。
その結果、ウェハチャック31の2本のヒートパイプと
接触する部分の温度は、常に約20.0℃一定に保たれ
る。
接触する部分の温度は、常に約20.0℃一定に保たれ
る。
一方、露光中にウニへの温度が上昇すると、ウェハが真
空吸着されている部分のウェハチャック31の内面に貼
付けられたウィック38の温度も上昇して、ウィック3
8内の作動液が気化熱を奪って蒸発する。該蒸発した作
動液は、このときウェハチャック31内の中空部39内
に生じる圧力分布により、ウェハチャック31の前記2
本のヒートパイプが接触している部分まで瞬時に移動す
るが、ウェハチャック31の当該部分の温度は前述した
ように常に約20,0℃に一定に保たれているため、前
記蒸発した作動液は凝縮して液体となりウィック38に
吸収される。なお、該吸収された作動液はウィック38
内の毛細管現象により拡散されて、ウェハチャック31
のウェハが真空吸着されている部分のウィック38に還
元される。
空吸着されている部分のウェハチャック31の内面に貼
付けられたウィック38の温度も上昇して、ウィック3
8内の作動液が気化熱を奪って蒸発する。該蒸発した作
動液は、このときウェハチャック31内の中空部39内
に生じる圧力分布により、ウェハチャック31の前記2
本のヒートパイプが接触している部分まで瞬時に移動す
るが、ウェハチャック31の当該部分の温度は前述した
ように常に約20,0℃に一定に保たれているため、前
記蒸発した作動液は凝縮して液体となりウィック38に
吸収される。なお、該吸収された作動液はウィック38
内の毛細管現象により拡散されて、ウェハチャック31
のウェハが真空吸着されている部分のウィック38に還
元される。
したがって、露光中にウェハの温度が上昇しても、該温
度上昇に伴なう熱のほとんどは、ウェハチャック31お
よび2本のヒートパイプにおける作動液の蒸発に費やさ
れるので、ウニへの温度が一定に保たれる。
度上昇に伴なう熱のほとんどは、ウェハチャック31お
よび2本のヒートパイプにおける作動液の蒸発に費やさ
れるので、ウニへの温度が一定に保たれる。
第5図は本発明のX線露光装置用ウェハ冷却装置の第3
の実施例におけるウェハチャック41とヒートパイプ5
0の接続を示す図である。
の実施例におけるウェハチャック41とヒートパイプ5
0の接続を示す図である。
本実施例のX線露光装置用ウェハ冷却装置は、ウェハチ
ャック41が、Aj2村などの熱伝導性のよい材質から
なり、ウェハを真空吸着するための十文字状の溝(不図
示)が設けられ、減圧された中空部49を有し、作動液
で湿ったウィック48がその内面に貼付けられている点
については、第4図に示したX線露光装置用ウェハ冷却
装置と同じである。しかし、ヒートパイプ50のウェハ
チャック41側の接触部51がドーナッツ状になってお
り、また、ウェハチャック41のヒートパイプ50との
接触部分に、ヒートパイプ50の内径にほぼ等しい孔が
設けられており、ウェハチャック41のウィック48と
ヒートパイプ50のウィック54とが接続されていると
ともに、ウェハチャック41内の中空部49とヒートパ
イプ50内の中空部とが連通されている点が、第4図に
示したものと異なる。なお、ウェハチャック4】内およ
びヒートパイプ50内の圧力は、作動液の沸点が約20
0℃となる圧力に減圧されている。
ャック41が、Aj2村などの熱伝導性のよい材質から
なり、ウェハを真空吸着するための十文字状の溝(不図
示)が設けられ、減圧された中空部49を有し、作動液
で湿ったウィック48がその内面に貼付けられている点
については、第4図に示したX線露光装置用ウェハ冷却
装置と同じである。しかし、ヒートパイプ50のウェハ
チャック41側の接触部51がドーナッツ状になってお
り、また、ウェハチャック41のヒートパイプ50との
接触部分に、ヒートパイプ50の内径にほぼ等しい孔が
設けられており、ウェハチャック41のウィック48と
ヒートパイプ50のウィック54とが接続されていると
ともに、ウェハチャック41内の中空部49とヒートパ
イプ50内の中空部とが連通されている点が、第4図に
示したものと異なる。なお、ウェハチャック4】内およ
びヒートパイプ50内の圧力は、作動液の沸点が約20
0℃となる圧力に減圧されている。
本実施例のX線露光装置用ウェハ冷却装置では、露光中
にウェハの温度が上昇すると、ウェハが真空吸着されて
いる部分のウェハチャック41の内面に貼付けられたウ
ィック48の温度も上昇し、ウィック48内の作動液が
気化熱を奪って蒸発する。該蒸発した作動液は、このと
きウェハチャック41内およびヒートパイプ50内に生
じる圧力分布により、ウェハチャック41のビートパイ
プ50との接触部分、ヒートパイプ5oの接触部51お
よびパイプ53内の中空部を経由してヒートパイプ50
の接触部52まで瞬時に移動する。該接触部52は第1
図に示した熱交換器2と同様な構造を有する熱交換器4
2により温度20.0℃に一定に保たれているため、該
接触部52まで移動してきた前記蒸発した作動液は凝縮
して液体となり、ウィック54に吸収される。なお、該
吸収された作動液はウィック54内の毛細管現象により
拡散されて、ヒートパイプ5oの接触部51の部分のウ
ィック54に還元されたのち、ウェハチャック41の当
該部分のウィック48に拡散され、ウェハチャック41
のウェハが真空吸着されている部分のウィック48に還
元される。
にウェハの温度が上昇すると、ウェハが真空吸着されて
いる部分のウェハチャック41の内面に貼付けられたウ
ィック48の温度も上昇し、ウィック48内の作動液が
気化熱を奪って蒸発する。該蒸発した作動液は、このと
きウェハチャック41内およびヒートパイプ50内に生
じる圧力分布により、ウェハチャック41のビートパイ
プ50との接触部分、ヒートパイプ5oの接触部51お
よびパイプ53内の中空部を経由してヒートパイプ50
の接触部52まで瞬時に移動する。該接触部52は第1
図に示した熱交換器2と同様な構造を有する熱交換器4
2により温度20.0℃に一定に保たれているため、該
接触部52まで移動してきた前記蒸発した作動液は凝縮
して液体となり、ウィック54に吸収される。なお、該
吸収された作動液はウィック54内の毛細管現象により
拡散されて、ヒートパイプ5oの接触部51の部分のウ
ィック54に還元されたのち、ウェハチャック41の当
該部分のウィック48に拡散され、ウェハチャック41
のウェハが真空吸着されている部分のウィック48に還
元される。
したがって、露光中にウェハの温度が上昇しても、該温
度上昇に伴なう熱のほとんどは、ウェハチャック41に
おける作動液の蒸発に費やされるので、ウェハの温度が
一定に保たれる。
度上昇に伴なう熱のほとんどは、ウェハチャック41に
おける作動液の蒸発に費やされるので、ウェハの温度が
一定に保たれる。
第6図は本発明のX線露光装置用ウェハ冷却装置の第4
の実施例における熱交換器62の構造を示す図、第7図
は第6図に示した熱交換器62とヒートパイプ70との
接続を示す図である。
の実施例における熱交換器62の構造を示す図、第7図
は第6図に示した熱交換器62とヒートパイプ70との
接続を示す図である。
本実施例のX線露光装置用ウェハ冷却装置は、ウェハチ
ャック(不図示)とヒートパイプ7oと熱交換器62と
を一つのヒートパイプ構造とするものであり、ウェハチ
ャックは第5図に示したウェハチャック41と同様の構
造を有する。また、第6図に示すように、熱交換器62
は減圧された中空部65を有し、作動液で湿ったウィッ
ク64がその内面に貼付けられているとともに、冷却水
が循環可能なように冷却水用溝63が設けられている。
ャック(不図示)とヒートパイプ7oと熱交換器62と
を一つのヒートパイプ構造とするものであり、ウェハチ
ャックは第5図に示したウェハチャック41と同様の構
造を有する。また、第6図に示すように、熱交換器62
は減圧された中空部65を有し、作動液で湿ったウィッ
ク64がその内面に貼付けられているとともに、冷却水
が循環可能なように冷却水用溝63が設けられている。
さらに、ヒートパイプ70の熱交換器62側の接触部7
2はドーナッツ状になっており、熱交換器62のヒート
パイプ70との接触部分に、ヒートパイプ70の内径に
ほぼ等しい孔を設けることにより、熱交換器62のウィ
ック64とヒートパイプ70のウィック78とを接続す
るとともに、熱交換器62の中空部65と前記ウェハチ
ャックの中空部とをヒートパイプ70により連通してい
る。
2はドーナッツ状になっており、熱交換器62のヒート
パイプ70との接触部分に、ヒートパイプ70の内径に
ほぼ等しい孔を設けることにより、熱交換器62のウィ
ック64とヒートパイプ70のウィック78とを接続す
るとともに、熱交換器62の中空部65と前記ウェハチ
ャックの中空部とをヒートパイプ70により連通してい
る。
本実施例のX線露光装置用ウェハ冷却装置は、以上説明
したように一つのヒートパイプ構造となっているため、
公知のビートパイプの原理によりウェハの温度を一定に
保つことができる。
したように一つのヒートパイプ構造となっているため、
公知のビートパイプの原理によりウェハの温度を一定に
保つことができる。
なお、熱交換器の構造としては、第8図に示す熱交換器
80のように、冷却水用溝81を有する熱伝導性のよい
材質からなる中空部の容器の内側に、減圧された中空部
84を有し、その内面に作動液で湿ったウィック83が
貼付けられた、熱伝導性のよい材質からなるコンテナ8
2を、その外面を前記容器の内面と接触させて設けるこ
とにより、前記容器とコンテナ82とを違う材質のもの
としてもよい。
80のように、冷却水用溝81を有する熱伝導性のよい
材質からなる中空部の容器の内側に、減圧された中空部
84を有し、その内面に作動液で湿ったウィック83が
貼付けられた、熱伝導性のよい材質からなるコンテナ8
2を、その外面を前記容器の内面と接触させて設けるこ
とにより、前記容器とコンテナ82とを違う材質のもの
としてもよい。
第9図は本発明のX線露光装置用ウェハ冷却装置の第4
の実施例を示す概略構成図である。
の実施例を示す概略構成図である。
本実施例のX線露光装置用ウェハ冷却装置は、第8図に
示したX線露光装置用ウェハ冷却装置におけるヒートパ
イプ70の代わりに、ウェハチャック91内の中空部と
熱交換器92内の中空部とを連通させるフレキシブルな
パイプ93と、ウェハチャック91内のウィックに補給
する作動液を貯える作動液用タンク97と、作動液用タ
ンク97とウェハチャック9I内のウィックとを接続す
る、フレキシブルな作動液用配管96と、作動液用配管
96の途中に設けられた作動液用バルブ98と、ウェハ
チャック91内の中空部と真空発生源(不図示)とを接
続する、フレキシブルな真空引き用配管9つと、真空引
き用配管99の途中に設けられた真空引き用バルブ10
0とを具備する。なお、作動液用タンク971作動液用
配管96、作動液用バルブ98.真空引き用配管99お
よび真空引き用バルブ100は、ウェハチャック91内
のウィックに作動液を補給する手段として機能する。
示したX線露光装置用ウェハ冷却装置におけるヒートパ
イプ70の代わりに、ウェハチャック91内の中空部と
熱交換器92内の中空部とを連通させるフレキシブルな
パイプ93と、ウェハチャック91内のウィックに補給
する作動液を貯える作動液用タンク97と、作動液用タ
ンク97とウェハチャック9I内のウィックとを接続す
る、フレキシブルな作動液用配管96と、作動液用配管
96の途中に設けられた作動液用バルブ98と、ウェハ
チャック91内の中空部と真空発生源(不図示)とを接
続する、フレキシブルな真空引き用配管9つと、真空引
き用配管99の途中に設けられた真空引き用バルブ10
0とを具備する。なお、作動液用タンク971作動液用
配管96、作動液用バルブ98.真空引き用配管99お
よび真空引き用バルブ100は、ウェハチャック91内
のウィックに作動液を補給する手段として機能する。
ここで、図示はしていないが、第1図に示したものと同
様に、ウェハチャック91は微動ステージに、熱交換器
92は粗動ステージにそれぞれ固定されている。また、
バイ1931作動液用配管96および真空引き用配管9
9の構造をそれぞれ、第3図に示したピートパイプ3の
構造と同様とすることにより、これらを金属を用いて構
成しても前記微動ステージによるウニへの細かな位置合
せが可能となる。
様に、ウェハチャック91は微動ステージに、熱交換器
92は粗動ステージにそれぞれ固定されている。また、
バイ1931作動液用配管96および真空引き用配管9
9の構造をそれぞれ、第3図に示したピートパイプ3の
構造と同様とすることにより、これらを金属を用いて構
成しても前記微動ステージによるウニへの細かな位置合
せが可能となる。
本実施例のX線露光装置用ウェハ冷却装置は、以上の構
成とすることにより擬似的に一つのヒートパイプ構造と
するものであり、第7図に示したものと同様にして、公
知のヒートパイプの原理によりウェハの温度を一定に保
つことができる。
成とすることにより擬似的に一つのヒートパイプ構造と
するものであり、第7図に示したものと同様にして、公
知のヒートパイプの原理によりウェハの温度を一定に保
つことができる。
すなわち、露光中にウェハの温度が上昇すると、ウェハ
が真空吸着されている部分のウェハチャック91の内面
に貼付けられたウィックの温度も上昇し、該ウィック内
の作動液が気化熱を奪って蒸発する。該蒸発した作動液
は、ウェハチャック91内、パイプ93内および熱交換
器92内の圧力分布により、ウェハチャック91のパイ
プ93との接触部分およびパイプ93を経由して熱交換
器92まで瞬時に移動する。したがって、露光中にウェ
ハの温度が上昇しても、該温度上昇に伴なう熱のほとん
どは、ウェハチャック91における作動液の蒸発に費や
されるので、ウェハの温度が一定に保たれる。
が真空吸着されている部分のウェハチャック91の内面
に貼付けられたウィックの温度も上昇し、該ウィック内
の作動液が気化熱を奪って蒸発する。該蒸発した作動液
は、ウェハチャック91内、パイプ93内および熱交換
器92内の圧力分布により、ウェハチャック91のパイ
プ93との接触部分およびパイプ93を経由して熱交換
器92まで瞬時に移動する。したがって、露光中にウェ
ハの温度が上昇しても、該温度上昇に伴なう熱のほとん
どは、ウェハチャック91における作動液の蒸発に費や
されるので、ウェハの温度が一定に保たれる。
なお、本実施例のX線露光装置用ウェハ冷却装置では、
熱交換器92が第6図および第7図に示した熱交換器6
2と同様な構造を有し、2本の冷却水用配管951.9
52により循環される冷却水により温度一定に保たれて
いるため、熱交換器92まで移動してきた前記蒸発した
作動液は、熱交換器92内において凝縮して液体となり
、熱交換器92内のウィックに吸収される。しかし、パ
イプ93内にはウィックが設けられていないため、前記
凝縮して液体となった作動液は、ウェハチャック91に
は戻らない。その結果、露光を何回か繰返すうちに、ウ
ェハチャック91内の作動液はしだいに減少し、ウェハ
が真空吸着される部分のウェハチャック91内のウィッ
クが作動液で浸されていない現象が生じてくる。このよ
うな現象が生じると、ウェハの温度が上昇しても作動液
が気化熱を奪って蒸発することができなくなる、いわゆ
るドライアウト状態が発生する。
熱交換器92が第6図および第7図に示した熱交換器6
2と同様な構造を有し、2本の冷却水用配管951.9
52により循環される冷却水により温度一定に保たれて
いるため、熱交換器92まで移動してきた前記蒸発した
作動液は、熱交換器92内において凝縮して液体となり
、熱交換器92内のウィックに吸収される。しかし、パ
イプ93内にはウィックが設けられていないため、前記
凝縮して液体となった作動液は、ウェハチャック91に
は戻らない。その結果、露光を何回か繰返すうちに、ウ
ェハチャック91内の作動液はしだいに減少し、ウェハ
が真空吸着される部分のウェハチャック91内のウィッ
クが作動液で浸されていない現象が生じてくる。このよ
うな現象が生じると、ウェハの温度が上昇しても作動液
が気化熱を奪って蒸発することができなくなる、いわゆ
るドライアウト状態が発生する。
そこで、本実施例では、このドライアウト状態の発生を
防止するため、定期的に作動液用バルブ98を開くこと
により、作動液用タンク97から作動液用配管96を介
してウェハチャック91内のウィックに作動液を補給で
きるようにしている。このとき、前記作動液を補給する
前に、真空引き用バルブ100を開いて、真空引き用配
管99を介してウェハチャック91内と前記真空ポンプ
とを連通させて真空引きを行うことにより、ウェハチャ
ック91内および熱交換器92内にある前記作動液をす
べて蒸発させて(約20.0℃の飽和蒸気圧は約20
Torrであるため、真空つまり約OTorrでは前記
作動液はすべて蒸発する。)、真空引き用配管99から
排出することができる。
防止するため、定期的に作動液用バルブ98を開くこと
により、作動液用タンク97から作動液用配管96を介
してウェハチャック91内のウィックに作動液を補給で
きるようにしている。このとき、前記作動液を補給する
前に、真空引き用バルブ100を開いて、真空引き用配
管99を介してウェハチャック91内と前記真空ポンプ
とを連通させて真空引きを行うことにより、ウェハチャ
ック91内および熱交換器92内にある前記作動液をす
べて蒸発させて(約20.0℃の飽和蒸気圧は約20
Torrであるため、真空つまり約OTorrでは前記
作動液はすべて蒸発する。)、真空引き用配管99から
排出することができる。
また、作動液とウィックとの適合性がよくないと、ウェ
ハチャック91内に不凝縮性ガスが発生して動作不能と
なるが、このような場合には、真空引き用バルブ100
を開くことにより、真空引き用配管99を介してウェハ
チャック91内と前記真空ポンプとを連通させて再度真
空引きを行ったあと、作動液用バルブ98を開いて作動
液用タンク97から作動液用配管96を介してウェハチ
ャック91内のウィックに作動液を補給することにより
、正常状態に戻すことができるようにしている。
ハチャック91内に不凝縮性ガスが発生して動作不能と
なるが、このような場合には、真空引き用バルブ100
を開くことにより、真空引き用配管99を介してウェハ
チャック91内と前記真空ポンプとを連通させて再度真
空引きを行ったあと、作動液用バルブ98を開いて作動
液用タンク97から作動液用配管96を介してウェハチ
ャック91内のウィックに作動液を補給することにより
、正常状態に戻すことができるようにしている。
なお、本実施例においては、熱交換器92内に溜ってく
る前記作動液を真空引き用配管99から排出したが、該
作動液を排出する手段を別途設けてもよい。
る前記作動液を真空引き用配管99から排出したが、該
作動液を排出する手段を別途設けてもよい。
以上の説明においては、ウェハチャックと熱交換器とを
接続する各ヒートパイプの本数を2本としたが(第1図
参照)、1本または3本以上であってもよい。
接続する各ヒートパイプの本数を2本としたが(第1図
参照)、1本または3本以上であってもよい。
また、各ウェハチャック内、各ヒートパイプ内および各
熱交換器内の圧力は、作動液の沸点が約20.0°Cと
なる圧力に減圧されたが、これに限るものではなく、作
動液の沸点が熱交換器内に循環される冷却水の温度(2
00℃以外でも可)と一致する圧力に減圧されていれば
よい。
熱交換器内の圧力は、作動液の沸点が約20.0°Cと
なる圧力に減圧されたが、これに限るものではなく、作
動液の沸点が熱交換器内に循環される冷却水の温度(2
00℃以外でも可)と一致する圧力に減圧されていれば
よい。
さらに、ウェハチャックおよび熱交換器の強度を確保す
るため、特開昭58−96992号公報に記載されてい
るように、各ウェハチャック内および各熱交換器内に支
柱を設けてもよい。
るため、特開昭58−96992号公報に記載されてい
るように、各ウェハチャック内および各熱交換器内に支
柱を設けてもよい。
ウェハチャックに設けられる真空吸着用の溝の形状は十
文字状に限らず、放射線状など他の形状であってもよい
。
文字状に限らず、放射線状など他の形状であってもよい
。
[発明の効果]
本発明は、上述のとおり構成されているので、次に記載
する効果を奏する。
する効果を奏する。
請求項第1項記載のX線露光装置用ウェハ冷却装置では
、露光中のウェハの温度上昇に伴なう熱は、ヒートパイ
プにおける作動液の蒸発に費やされるため、前記ウェハ
の温度を一定に保つことができ、また、前記熱交換器は
剛性の強い粗動ステージに固定されているため、前記冷
却水の循環によるウェハチャックの振動を防止すること
ができ、さらに、前記ヒートパイプはフレキシブルであ
るため、前記ウェハチャックの微動ステージによる細か
い位置合せを行うこともできるので、パターン転写精度
の悪化を招くことなくウェハを冷却することができるX
線露光用ウェハ冷却装置を提供することができるという
効果がある。
、露光中のウェハの温度上昇に伴なう熱は、ヒートパイ
プにおける作動液の蒸発に費やされるため、前記ウェハ
の温度を一定に保つことができ、また、前記熱交換器は
剛性の強い粗動ステージに固定されているため、前記冷
却水の循環によるウェハチャックの振動を防止すること
ができ、さらに、前記ヒートパイプはフレキシブルであ
るため、前記ウェハチャックの微動ステージによる細か
い位置合せを行うこともできるので、パターン転写精度
の悪化を招くことなくウェハを冷却することができるX
線露光用ウェハ冷却装置を提供することができるという
効果がある。
請求項第2項記載のX線露光装置用ウェハ冷却装置では
、両端の接触部を熱伝導性のよい材質で、中央部のパイ
プな樹脂材で構成し、かつ作動液で湿ったウィックをそ
の内面に貼付けることにより、フレキシブルなヒートパ
イプを容易に構成することができるという効果がある。
、両端の接触部を熱伝導性のよい材質で、中央部のパイ
プな樹脂材で構成し、かつ作動液で湿ったウィックをそ
の内面に貼付けることにより、フレキシブルなヒートパ
イプを容易に構成することができるという効果がある。
請求項第3項記載のX線露光装置用ウェハ冷却装置では
、減圧された中空部を有し、作動液で湿ったウィックが
その内面に貼付けられたウェハチャックを用いることに
より、ウェハ全体の温度を効率よく一定に保つことがで
きるという効果がある。
、減圧された中空部を有し、作動液で湿ったウィックが
その内面に貼付けられたウェハチャックを用いることに
より、ウェハ全体の温度を効率よく一定に保つことがで
きるという効果がある。
請求項第4項記載のX線露光装置用ウェハ冷却装置では
、減圧された中空部を有し、作動液で湿ったウィックが
その内面に貼付けられた熱交換器を用い、該熱交換器内
のウィックとヒートパイプ内のウィックとを接続すると
ともに、ウェハチャック内のウィックと前記ヒートパイ
プ内のウィックとを接続して、ウェハ冷却装置自体を一
つのヒートパイプ構造とすることにより、効率よくウェ
ハの温度を一定に保つことができるという効果がある。
、減圧された中空部を有し、作動液で湿ったウィックが
その内面に貼付けられた熱交換器を用い、該熱交換器内
のウィックとヒートパイプ内のウィックとを接続すると
ともに、ウェハチャック内のウィックと前記ヒートパイ
プ内のウィックとを接続して、ウェハ冷却装置自体を一
つのヒートパイプ構造とすることにより、効率よくウェ
ハの温度を一定に保つことができるという効果がある。
請求項第5項記載のX線露光装置用ウェハ冷却装置では
、ビートパイプの代わりに、ウェハチャック内の中空部
と熱交換器内の中空部とを連通させるフレキシブルなパ
イプと、前記ウェハチャック内のウィックに作動液を補
給する手段とを設けることにより、蒸発した作動液を前
記熱交換器に移動させるとともに、ウェハチャック内の
ウィックに作動液を適宜補給することができるので、第
4項記載のものと同様な効果が得られる。
、ビートパイプの代わりに、ウェハチャック内の中空部
と熱交換器内の中空部とを連通させるフレキシブルなパ
イプと、前記ウェハチャック内のウィックに作動液を補
給する手段とを設けることにより、蒸発した作動液を前
記熱交換器に移動させるとともに、ウェハチャック内の
ウィックに作動液を適宜補給することができるので、第
4項記載のものと同様な効果が得られる。
第1図は本発明のX線露光装置用ウェハ冷却装置の第1
の実施例を示すウェハ保持ブロックの概略構成図、第2
図は第1図の支持台付近の拡大図、第3図は第1図のヒ
ートパイプの構造を示す図、第4図は本発明のX線露光
装置用ウェハ冷却装置の第2の実施例におけるウェハチ
ャックの概略構成図、第5図は本発明のX、ljl露光
装置用ウェハ冷却装置の第3の実施例におけるウェハチ
ャックとヒートパイプの接続を示す図、第6図は熱交換
器の構造を示す図、第7図は熱交換器とビートパイプの
接続を示す図、第8図は熱交換器の他の構成を示す図、
第9図は本発明のX線露光装置用ウェハ冷却装置の第4
の実施例を示す概略構成図、第10図はX線露光装置に
おいて使用される従来のウェハ保持ブロックの一例を示
す概略構成図、第11図は流量と変位の関係を求めたー
実験結果を示すグラフである。 1.31.41.91・・・ウェハチャック、2.42
,62,80.92・・・熱交換器、3 4.50.7
0・・・ ヒートパイプ、5.6.95..95□・・
・冷却水用配管、7.37.94・・・溝、 8・・・微動ステージ、 9・・・ゴム、10・・・
板ばね、 11 12・・・支持台、 13 21.22,51 52,7 23.53.73 93・・・ 24、 38. 48. 54. 6 ・・・ピエゾ素子、 ・・・粗動ステージ、 2・・・接触部、 パイプ、 4.78.83 ・・・ウィック、 中空部、 39、 49. 65. 84・・・ 63.81・・・冷却水用溝、 82・・・コンテナ、 96・・・97・・・作動
液用タンク、 98・・・作動液用バルブ、 99・・・真空引き用配管、 100・・・真空引き用バルブ、 x、y、z・・・軸、 ωm+ ωy 、 ω2−・ 回転方向。 作動液用配管、 特許出願人 キャノン株式会社
の実施例を示すウェハ保持ブロックの概略構成図、第2
図は第1図の支持台付近の拡大図、第3図は第1図のヒ
ートパイプの構造を示す図、第4図は本発明のX線露光
装置用ウェハ冷却装置の第2の実施例におけるウェハチ
ャックの概略構成図、第5図は本発明のX、ljl露光
装置用ウェハ冷却装置の第3の実施例におけるウェハチ
ャックとヒートパイプの接続を示す図、第6図は熱交換
器の構造を示す図、第7図は熱交換器とビートパイプの
接続を示す図、第8図は熱交換器の他の構成を示す図、
第9図は本発明のX線露光装置用ウェハ冷却装置の第4
の実施例を示す概略構成図、第10図はX線露光装置に
おいて使用される従来のウェハ保持ブロックの一例を示
す概略構成図、第11図は流量と変位の関係を求めたー
実験結果を示すグラフである。 1.31.41.91・・・ウェハチャック、2.42
,62,80.92・・・熱交換器、3 4.50.7
0・・・ ヒートパイプ、5.6.95..95□・・
・冷却水用配管、7.37.94・・・溝、 8・・・微動ステージ、 9・・・ゴム、10・・・
板ばね、 11 12・・・支持台、 13 21.22,51 52,7 23.53.73 93・・・ 24、 38. 48. 54. 6 ・・・ピエゾ素子、 ・・・粗動ステージ、 2・・・接触部、 パイプ、 4.78.83 ・・・ウィック、 中空部、 39、 49. 65. 84・・・ 63.81・・・冷却水用溝、 82・・・コンテナ、 96・・・97・・・作動
液用タンク、 98・・・作動液用バルブ、 99・・・真空引き用配管、 100・・・真空引き用バルブ、 x、y、z・・・軸、 ωm+ ωy 、 ω2−・ 回転方向。 作動液用配管、 特許出願人 キャノン株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、微動ステージに固定された、熱伝導性のよい材質か
らなるウェハチャックと、 粗動ステージに固定された、熱伝導性のよい材質からな
る、冷却水が循環可能な内部構造を有する熱交換器と、 該熱交換器と前記ウェハチャックとの間で伝熱を行わせ
るためのフレキシブルなヒートパイプとを具備するX線
露光装置用ウェハ冷却装置。 2、ヒートパイプは、両端の接触部が熱伝導性のよい材
質からなり、中央部のパイプが樹脂材からなり、作動液
で湿ったウイックがその内面に貼付けられていることを
特徴とする請求項第1項記載のX線露光装置用ウェハ冷
却装置。 3、ウェハチャックが、減圧された中空部を有し、作動
液で湿ったウイックがその内面に貼付けられていること
を特徴とする請求項第1項または第2項記載のX線露光
装置用ウェハ冷却装置。 4、熱交換器が、減圧された中空部を有し、作動液で湿
ったウイックがその内面に貼付けられており、 該熱交換器内のウイックとヒートパイプ内のウイック、
およびウェハチャック内のウイックと前記ヒートパイプ
内のウイックとがそれぞれ接続されており、 前記ウェハチャック内の中空部と前記熱交換器内の中空
部とが、前記ヒートパイプにより連通されていることを
特徴とする請求項第3項記載のX線露光装置用ウェハ冷
却装置。 5、微動ステージに固定された、熱伝導性のよい材質か
らなり、減圧された中空部を有し、かつ作動液で湿った
ウイックがその内面に貼付けられたウェハチャックと、 粗動ステージに固定された、熱伝導性のよい材質からな
り、冷却水が循環可能な内部構造および減圧された中空
部を有し、かつ作動液で湿ったウイックがその内面に貼
付けられた熱交換器と、該熱交換器内の中空部と前記ウ
ェハチャック内の中空部とを連通させるフレキシブルな
パイプと、 前記ウェハチャック内のウイックに補給する作動液を貯
える作動液用タンクと、 該作動液用タンクと前記ウェハチャック内のウイックと
を接続する、フレキシブルな作動液用配管と、 該作動液用配管の途中に設けられた作動液用バルブと、 前記ウェハチャック内の中空部と真空発生源とを接続す
る、フレキシブルな真空引き用配管と、該真空引き用配
管の途中に設けられた真空引き用バルブとを具備するX
線露光装置用ウェハ冷却装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2199103A JP2928603B2 (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | X線露光装置用ウエハ冷却装置 |
DE69128264T DE69128264T2 (de) | 1990-07-30 | 1991-07-16 | Kühlvorrichtung für ein Wafer |
EP91306453A EP0469744B1 (en) | 1990-07-30 | 1991-07-16 | Wafer cooling device |
US08/235,146 US5413167A (en) | 1990-07-30 | 1994-04-28 | Wafer cooling device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2199103A JP2928603B2 (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | X線露光装置用ウエハ冷却装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0485918A true JPH0485918A (ja) | 1992-03-18 |
JP2928603B2 JP2928603B2 (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=16402177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2199103A Expired - Fee Related JP2928603B2 (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | X線露光装置用ウエハ冷却装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5413167A (ja) |
EP (1) | EP0469744B1 (ja) |
JP (1) | JP2928603B2 (ja) |
DE (1) | DE69128264T2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001307978A (ja) * | 2000-04-18 | 2001-11-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置台 |
JP2005064391A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-03-10 | Canon Inc | 光学部材の冷却方法、冷却装置、露光装置、及び、デバイスの製造方法 |
JP2005340719A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ステージ機構 |
JP2010232415A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板熱処理装置 |
JP2012033940A (ja) * | 2004-05-11 | 2012-02-16 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2017501434A (ja) * | 2013-12-20 | 2017-01-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィにおけるオブジェクトを位置決めするシステム |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3894509B2 (ja) * | 1995-08-07 | 2007-03-22 | キヤノン株式会社 | 光学装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
US5854819A (en) * | 1996-02-07 | 1998-12-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask supporting device and correction method therefor, and exposure apparatus and device producing method utilizing the same |
JP3814359B2 (ja) | 1996-03-12 | 2006-08-30 | キヤノン株式会社 | X線投影露光装置及びデバイス製造方法 |
US5699853A (en) * | 1996-08-30 | 1997-12-23 | International Business Machines Corporation | Combined heat sink and sink plate |
US5920457A (en) * | 1996-09-25 | 1999-07-06 | International Business Machines Corporation | Apparatus for cooling electronic devices using a flexible coolant conduit |
US5822187A (en) * | 1996-10-25 | 1998-10-13 | Thermal Corp. | Heat pipes inserted into first and second parallel holes in a block for transferring heat between hinged devices |
US5794454A (en) * | 1996-12-04 | 1998-08-18 | International Business Machines Corporation | Cooling device for hard to access non-coplanar circuit chips |
US5964279A (en) * | 1997-02-10 | 1999-10-12 | Fujikura Ltd. | Cooler for electronic devices |
JP3942248B2 (ja) | 1997-02-24 | 2007-07-11 | 富士通株式会社 | ヒートシンクおよびそれを搭載した情報処理装置 |
US6152213A (en) * | 1997-03-27 | 2000-11-28 | Fujitsu Limited | Cooling system for electronic packages |
DE10050125A1 (de) | 2000-10-11 | 2002-04-25 | Zeiss Carl | Vorrichtung zum Temperaturausgleich für thermisch belastete Körper mit niederer Wärmeleitfähigkeit, insbesondere für Träger reflektierender Schichten oder Substrate in der Optik |
US7164466B2 (en) * | 2002-08-27 | 2007-01-16 | Nikon Corporation | Detachable heat sink |
KR100897552B1 (ko) * | 2003-03-14 | 2009-05-15 | 삼성전자주식회사 | 히트 파이프를 이용한 냉각장치가 구비된 베이크 시스템 |
US20050047085A1 (en) * | 2003-08-26 | 2005-03-03 | Nagui Mankaruse | High performance cooling systems |
US20050174735A1 (en) * | 2003-08-26 | 2005-08-11 | Nagui Mankaruse | High performance cooling systems |
US7129731B2 (en) * | 2003-09-02 | 2006-10-31 | Thermal Corp. | Heat pipe with chilled liquid condenser system for burn-in testing |
JP3814598B2 (ja) * | 2003-10-02 | 2006-08-30 | キヤノン株式会社 | 温度調整装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
DE10355598B3 (de) * | 2003-11-28 | 2005-05-25 | Fujitsu Siemens Computers Gmbh | Kühlvorrichtung zur Kühlung einer wärmeerzeugende Bauteile aufweisenden elektrischen Komponente |
US7106416B2 (en) | 2003-12-10 | 2006-09-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050128449A1 (en) * | 2003-12-12 | 2005-06-16 | Nikon Corporation, A Japanese Corporation | Utilities transfer system in a lithography system |
US20070252499A1 (en) * | 2004-10-18 | 2007-11-01 | Leica Microsystems Cms Gmbh | Scanning microscope |
US7647961B2 (en) * | 2004-10-25 | 2010-01-19 | Thermal Corp. | Heat pipe with axial and lateral flexibility |
US7119877B2 (en) * | 2004-11-30 | 2006-10-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including a non-contact utilities transfer assembly |
JP2006295146A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-10-26 | Canon Inc | 位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
US7649611B2 (en) * | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1843206B1 (en) * | 2006-04-06 | 2012-09-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20080253082A1 (en) * | 2007-04-12 | 2008-10-16 | Lev Jeffrey A | Cooling system with flexible heat transport element |
CN101307433B (zh) * | 2007-05-16 | 2011-07-27 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 一种用于溅镀机台的承载台 |
US8994917B2 (en) * | 2008-08-08 | 2015-03-31 | Asml Netherlands B.V. | Temperature stabilization system to stabilize a temperature of an article |
DE102011010462A1 (de) * | 2011-01-28 | 2012-08-02 | Carl Zeiss Laser Optics Gmbh | Optische Anordnung für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zum Kühlen eines optischen Bauelements |
US9677793B2 (en) * | 2011-09-26 | 2017-06-13 | Raytheon Company | Multi mode thermal management system and methods |
CN103367216A (zh) * | 2012-03-26 | 2013-10-23 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 一种导水管和带有导水管的静电吸盘 |
JP6064032B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2017-01-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
US10433458B1 (en) * | 2018-05-08 | 2019-10-01 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Conducting plastic cold plates |
KR20210011548A (ko) * | 2019-07-22 | 2021-02-02 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
US11488927B2 (en) | 2021-02-18 | 2022-11-01 | Abb Schweiz Ag | Press-pack semiconductor fixtures |
DE102022101921A1 (de) * | 2022-01-27 | 2023-07-27 | Toptica Photonics Ag | Halteanordung für ein optisches Element |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3604503A (en) * | 1968-08-02 | 1971-09-14 | Energy Conversion Systems Inc | Heat pipes |
DE2417031A1 (de) * | 1974-04-08 | 1975-10-16 | Siemens Ag | Thyristorsaeule |
DE2417106A1 (de) * | 1974-04-08 | 1975-10-16 | Siemens Ag | Thyristorsaeule |
DE2841051A1 (de) * | 1978-09-21 | 1980-04-03 | Daimler Benz Ag | Waermeuebertragung nach dem prinzip des waermerohres |
JPS5896992A (ja) * | 1981-12-07 | 1983-06-09 | Hitachi Ltd | ヒ−トパイプ構造回路基板 |
JPS59117128A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Hitachi Ltd | 温度制御装置を備えたウエハ搭載台 |
JPS61172357A (ja) * | 1985-01-26 | 1986-08-04 | Toshiba Mach Co Ltd | 半導体基板の冷却装置 |
FR2588072B1 (fr) * | 1985-09-30 | 1987-12-11 | Jeumont Schneider | Installation de dissipation pour elements semi-conducteurs de puissance |
JPS6398119A (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-28 | Nec Corp | 真空装置等のステ−ジ冷却方法 |
JPS63193447A (ja) * | 1987-02-03 | 1988-08-10 | Nissin Electric Co Ltd | 試料保持装置 |
US4951740A (en) * | 1988-06-27 | 1990-08-28 | Texas A & M University System | Bellows heat pipe for thermal control of electronic components |
JP2623123B2 (ja) * | 1988-08-17 | 1997-06-25 | キヤノン株式会社 | 微動ステージ装置 |
JP2770960B2 (ja) * | 1988-10-06 | 1998-07-02 | キヤノン株式会社 | Sor−x線露光装置 |
-
1990
- 1990-07-30 JP JP2199103A patent/JP2928603B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-07-16 EP EP91306453A patent/EP0469744B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-16 DE DE69128264T patent/DE69128264T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-04-28 US US08/235,146 patent/US5413167A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001307978A (ja) * | 2000-04-18 | 2001-11-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置台 |
JP2005064391A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-03-10 | Canon Inc | 光学部材の冷却方法、冷却装置、露光装置、及び、デバイスの製造方法 |
JP2012033940A (ja) * | 2004-05-11 | 2012-02-16 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
US8749762B2 (en) | 2004-05-11 | 2014-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9285689B2 (en) | 2004-05-11 | 2016-03-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005340719A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ステージ機構 |
JP2010232415A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板熱処理装置 |
JP2017501434A (ja) * | 2013-12-20 | 2017-01-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィにおけるオブジェクトを位置決めするシステム |
US9946172B2 (en) | 2013-12-20 | 2018-04-17 | Asml Netherlands B.V. | System for positioning an object in lithography |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5413167A (en) | 1995-05-09 |
EP0469744A1 (en) | 1992-02-05 |
EP0469744B1 (en) | 1997-11-26 |
DE69128264D1 (de) | 1998-01-08 |
JP2928603B2 (ja) | 1999-08-03 |
DE69128264T2 (de) | 1998-04-02 |
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