JPH04171453A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JPH04171453A JPH04171453A JP2297910A JP29791090A JPH04171453A JP H04171453 A JPH04171453 A JP H04171453A JP 2297910 A JP2297910 A JP 2297910A JP 29791090 A JP29791090 A JP 29791090A JP H04171453 A JPH04171453 A JP H04171453A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- atmosphere
- inert gas
- mask substrate
- inactive gas
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 37
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 12
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- -1 but in general Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 150000002371 helium Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
微細パターンを形成するためのりソグラフィ技術のうち
、エキシマレーザを光源に用いてマスク基板のパターン
をレジストに転写する露光方法に関し、 レーザ光吸収による材料の寸法精度の低下を抑え、寸法
誤差の小さい微細パターンを形成することを目的とし、 マスク基板の置かれている雰囲気を不活性ガスにして露
光する。
、エキシマレーザを光源に用いてマスク基板のパターン
をレジストに転写する露光方法に関し、 レーザ光吸収による材料の寸法精度の低下を抑え、寸法
誤差の小さい微細パターンを形成することを目的とし、 マスク基板の置かれている雰囲気を不活性ガスにして露
光する。
本発明は、微細パターンを形成するためのリングラフィ
技術のうち、エキシマレーザを光源に用いた露光方法に
関する。
技術のうち、エキシマレーザを光源に用いた露光方法に
関する。
近年の半導体装置の集積化に伴って各素子の寸法はます
ます微細になり、現在では例えばＩＭｂｉｔＤＲＡＭて
既にサブミクロンのパターン形成か求められている。更
に集積化か進むと、従来の水銀光源を用いたリングラフ
ィ技術では十分な解像度か得られなくなるため、次世代
の光源として水銀光より波長の短いエキシマレーザを用
いた露光方法か求められている。
ます微細になり、現在では例えばＩＭｂｉｔＤＲＡＭて
既にサブミクロンのパターン形成か求められている。更
に集積化か進むと、従来の水銀光源を用いたリングラフ
ィ技術では十分な解像度か得られなくなるため、次世代
の光源として水銀光より波長の短いエキシマレーザを用
いた露光方法か求められている。
そこで、いくつかの研究機関でエキシマレーザを用いた
露光方法の試作機か作られており、例えば０．３μｍ程
度のパターン作成が報告されている。
露光方法の試作機か作られており、例えば０．３μｍ程
度のパターン作成が報告されている。
この場合、微細になるほどレジスト形成のためのマスク
に求められる要求も厳しくなり、このため、レジスト露
光時に照射されるエキシマレーザ光の吸収によるマスク
基板や光学系等の材料の熱膨張による寸法誤差を最小に
抑える必要がある。
に求められる要求も厳しくなり、このため、レジスト露
光時に照射されるエキシマレーザ光の吸収によるマスク
基板や光学系等の材料の熱膨張による寸法誤差を最小に
抑える必要がある。
チャンバ内にレジスト付きシリコン基板及びその」二方
にマスク基板を設置し、チャンバ内を真空にする。この
状態て、チャン／＜外からエキシマレーザ光をマスク基
板に照射し、マスク基板上のマスク微細パターンをシリ
コン基板上のレジストに転写する。以後、レジスト付き
シリコン基板を現像工程に送り、シリコン基板にパター
ンを形成する。このようなレンズ）・露光工程における
真空チャンバの構造は、微細加工に対して障害となる大
気中の塵埃を遮断する点て有効である。
にマスク基板を設置し、チャンバ内を真空にする。この
状態て、チャン／＜外からエキシマレーザ光をマスク基
板に照射し、マスク基板上のマスク微細パターンをシリ
コン基板上のレジストに転写する。以後、レジスト付き
シリコン基板を現像工程に送り、シリコン基板にパター
ンを形成する。このようなレンズ）・露光工程における
真空チャンバの構造は、微細加工に対して障害となる大
気中の塵埃を遮断する点て有効である。
上述のようなエキシマレーザを光源に用いた露光方法で
は、マスク基板の材料として、現在、石英か用いられて
いるが、一般に、石英はエキシマレーザ光を１００％透
過するわけではなく、僅かに吸収する。従って、マスク
基板（石英）に吸収されたレーザ光は熱に変り、マスク
基板（一般に、石英は熱伝導率がそれほと大きくない）
は熱膨張する（熱歪を生じる）。このため、従来装置は
、マスク基板上のマスク微細パターンか歪んでしまい、
このためにシリコン基板上のレジストに転写される微細
パターンに寸法誤差が大きく出てしまう問題点かあった
。
は、マスク基板の材料として、現在、石英か用いられて
いるが、一般に、石英はエキシマレーザ光を１００％透
過するわけではなく、僅かに吸収する。従って、マスク
基板（石英）に吸収されたレーザ光は熱に変り、マスク
基板（一般に、石英は熱伝導率がそれほと大きくない）
は熱膨張する（熱歪を生じる）。このため、従来装置は
、マスク基板上のマスク微細パターンか歪んでしまい、
このためにシリコン基板上のレジストに転写される微細
パターンに寸法誤差が大きく出てしまう問題点かあった
。
これと同様に、レンズやミラー等の光学系材料にも石英
を用いた場合、前記した理由から熱膨張を生じ、レンズ
の集光効率やミラーの反射効率か悪くなり、更に、レジ
ストに転写される微細パターンに寸法誤差か出る問題点
かあった。
を用いた場合、前記した理由から熱膨張を生じ、レンズ
の集光効率やミラーの反射効率か悪くなり、更に、レジ
ストに転写される微細パターンに寸法誤差か出る問題点
かあった。
本発明は、レーザ光吸収による材料の寸法精度の低下を
抑え、寸法誤差の小さい微細パターンを形成てきる露光
方法を提供することを目的とする。
抑え、寸法誤差の小さい微細パターンを形成てきる露光
方法を提供することを目的とする。
第１図は本発明の原理図を示す。同図中、２０はマスク
基板、２１はレジストである。本発明は、マスク基板２
０の置かれている雰囲気を不活性ガスにして露光する。
基板、２１はレジストである。本発明は、マスク基板２
０の置かれている雰囲気を不活性ガスにして露光する。
この場合、該雰囲気を閉鎖空間にして不活性ガスをこの
閉鎖空間に導入するか、又は、上記雰囲気を開放空間に
して不活性ガスをこの開放空間に導入し、ここから放出
する。更に、本発明は、光学系２２の置かれている雰囲
気をも不活性ガスにする。
閉鎖空間に導入するか、又は、上記雰囲気を開放空間に
して不活性ガスをこの開放空間に導入し、ここから放出
する。更に、本発明は、光学系２２の置かれている雰囲
気をも不活性ガスにする。
マスク基板２０はエキシマレーザ光の照射によって熱を
もつか、不活性ガスの雰囲気にさらされることによって
冷却され、その熱膨張を抑えられる。従って、マスク基
板２０上のマスク微細パターンを寸法誤差か少なくレジ
スト２１に転写できる。この場合、不活性ガスを導入し
、放出する構成にすれば、マスク基板２０には常に冷た
い不活性ガスが当ることになり、マスク基板２０の冷却
効率がよい。又、光学系２２の置かれている雰囲気をも
不活性ガスにすれば、光学系２２の熱膨張も抑えられ、
レンズ集光効率やミラー反射効率の低下か抑えられ、更
にレジストに転写される微細パターンの寸法誤差を小さ
くできる。
もつか、不活性ガスの雰囲気にさらされることによって
冷却され、その熱膨張を抑えられる。従って、マスク基
板２０上のマスク微細パターンを寸法誤差か少なくレジ
スト２１に転写できる。この場合、不活性ガスを導入し
、放出する構成にすれば、マスク基板２０には常に冷た
い不活性ガスが当ることになり、マスク基板２０の冷却
効率がよい。又、光学系２２の置かれている雰囲気をも
不活性ガスにすれば、光学系２２の熱膨張も抑えられ、
レンズ集光効率やミラー反射効率の低下か抑えられ、更
にレジストに転写される微細パターンの寸法誤差を小さ
くできる。
第２図は本発明の第１実施例を説明する図を示す。同図
中、１はチャンバで、内部にレジスト付きシリコン基板
２及びその上方に石英製のマスク基板３が夫々設置され
ている。チャンバ１の内部は真空にされる。４は不活性
ガス導入口で、ヘリウム又はアルゴン等の不活性ガスを
チャンバ１内に導入する。不活性ガスを用いる理由は、
光によってマスク基板３と反応を示さないようにするた
めである。５はエキシマレーザ発生装置、６はレンズ、
７はミラー、８はチャンバ１のビューポートである。
中、１はチャンバで、内部にレジスト付きシリコン基板
２及びその上方に石英製のマスク基板３が夫々設置され
ている。チャンバ１の内部は真空にされる。４は不活性
ガス導入口で、ヘリウム又はアルゴン等の不活性ガスを
チャンバ１内に導入する。不活性ガスを用いる理由は、
光によってマスク基板３と反応を示さないようにするた
めである。５はエキシマレーザ発生装置、６はレンズ、
７はミラー、８はチャンバ１のビューポートである。
エキシマレーザ発生装置５からのレーザ光はレンズ６、
ミラー７、ビューポート８を介してマスク基板３に照射
され、マスク基板３上の微細パターンかレジスト付きシ
リコン基板２上のレジストに転写される。このとき、不
活性ガス導入口４から例えばヘリウム等の不活性ガスが
チャンバ１内に導入されており、マスク基板３はこのヘ
リウムガス雰囲気にさらされる。
ミラー７、ビューポート８を介してマスク基板３に照射
され、マスク基板３上の微細パターンかレジスト付きシ
リコン基板２上のレジストに転写される。このとき、不
活性ガス導入口４から例えばヘリウム等の不活性ガスが
チャンバ１内に導入されており、マスク基板３はこのヘ
リウムガス雰囲気にさらされる。
マスク基板３はエキシマレーザ光の照射によって熱をも
つが、ヘリウムガスの雰囲気にさらされることによって
冷却され、その熱膨張を抑えられる。従って、特にマス
ク基板３に石英製のものを用いた場合、このような冷却
を行なわない従来装置に比し、マスク基板３のマスク微
細パターンを寸法誤差少なく、レジスト付きシリコン基
板２のレジストに転写でき、シリコン基板に寸法誤差の
少ない微細パターンを形成できる。
つが、ヘリウムガスの雰囲気にさらされることによって
冷却され、その熱膨張を抑えられる。従って、特にマス
ク基板３に石英製のものを用いた場合、このような冷却
を行なわない従来装置に比し、マスク基板３のマスク微
細パターンを寸法誤差少なく、レジスト付きシリコン基
板２のレジストに転写でき、シリコン基板に寸法誤差の
少ない微細パターンを形成できる。
なお、冷却能はガスの熱伝導率で決定され、例えば、水
素は１．８２Ｘ １０−２Ｗ／ ａｎ−ｄｅｇ 、ヘリ
ウムは１．５１Ｘ １０−２Ｗ／ａｎ−ｄｅｇ 、窒素
は０．２６Ｘ１０−’Ｗ／ ａｎ −ｄｅｇである。こ
の値からみると冷却能の点では水素か最も優れていてヘ
リウムはそれに続くものであるが、化学的安定性なと取
扱い易さを考慮すると実用的にはヘリウムか適当てあり
、一実施例としてヘリウムを用いる。
素は１．８２Ｘ １０−２Ｗ／ ａｎ−ｄｅｇ 、ヘリ
ウムは１．５１Ｘ １０−２Ｗ／ａｎ−ｄｅｇ 、窒素
は０．２６Ｘ１０−’Ｗ／ ａｎ −ｄｅｇである。こ
の値からみると冷却能の点では水素か最も優れていてヘ
リウムはそれに続くものであるが、化学的安定性なと取
扱い易さを考慮すると実用的にはヘリウムか適当てあり
、一実施例としてヘリウムを用いる。
第３図は本発明の第２実施例を説明する図を示し、同図
中、第２図と同一部分には同一番号を付してその説明を
省略する。第３図中、１０はチャンバで、不活性ガス導
入口１１及びガス放出口１２が設けられている。１３は
チャンバ１０のビューポートである。
中、第２図と同一部分には同一番号を付してその説明を
省略する。第３図中、１０はチャンバで、不活性ガス導
入口１１及びガス放出口１２が設けられている。１３は
チャンバ１０のビューポートである。
不活性ガス導入口１１から例えばヘリウム等の不活性ガ
スがチャンバ１０内に導入され、導入された不活性ガス
はガス放出口１２から放出され、再び不活性ガス導入口
１１から導入される。即ち、不活性ガスは循環され、こ
の場合、マスク基板３に当って僅かに温められた不活性
ガスはガス放出口１２から放出されるので、マスク基板
３には常に冷たい不活性ガスか当ることになる。従って
、第１実施例のものよりもマスク基板３に対する冷却効
率かよい。又、ヘリウムは比較的高価であるため、この
ように循環させれば、消費量少なく、低コストにできる
。その他の効果は第１実施例のものと同様である。
スがチャンバ１０内に導入され、導入された不活性ガス
はガス放出口１２から放出され、再び不活性ガス導入口
１１から導入される。即ち、不活性ガスは循環され、こ
の場合、マスク基板３に当って僅かに温められた不活性
ガスはガス放出口１２から放出されるので、マスク基板
３には常に冷たい不活性ガスか当ることになる。従って
、第１実施例のものよりもマスク基板３に対する冷却効
率かよい。又、ヘリウムは比較的高価であるため、この
ように循環させれば、消費量少なく、低コストにできる
。その他の効果は第１実施例のものと同様である。
第４図は本発明の第３実施例を説明する構成図を示し、
同図中、第２図と同一部分には同一番号を付してその説
明を省略する。第４図中、１５はチャンバで、内部にレ
ジスト付きシリコン基板２゜マスク基板３２石英製のレ
ンズ６、石英製のミラー７が夫々設置されている。１６
は不活性ガス導入口である。
同図中、第２図と同一部分には同一番号を付してその説
明を省略する。第４図中、１５はチャンバで、内部にレ
ジスト付きシリコン基板２゜マスク基板３２石英製のレ
ンズ６、石英製のミラー７が夫々設置されている。１６
は不活性ガス導入口である。
不活性ガス導入口１６から例えばヘリウム等の不活性ガ
スがチャンバ１５内に導入され、マスク基板３．レンズ
６、ミラー７はこの不活性ガス雰囲気にさらされる。こ
の場合、マスク基板３．レンズ６、ミラー７はエキシマ
レーザ光の照射によって熱をもつが、これらは不活性ガ
スの雰囲気にさらされることによって冷却され、夫々そ
の熱膨張を抑えられる。特に、レンズ６やミラー７等の
光学系材料の熱膨張か抑えられることにより、レンズ６
の集光効率の低下やミラー７の反射効率の低下か抑えら
れるため、マスク基板３のみを不活性ガス雰囲気にさら
す場合よりも更にレジストに転写される微細パターンの
寸法誤差を小さくすることができる。
スがチャンバ１５内に導入され、マスク基板３．レンズ
６、ミラー７はこの不活性ガス雰囲気にさらされる。こ
の場合、マスク基板３．レンズ６、ミラー７はエキシマ
レーザ光の照射によって熱をもつが、これらは不活性ガ
スの雰囲気にさらされることによって冷却され、夫々そ
の熱膨張を抑えられる。特に、レンズ６やミラー７等の
光学系材料の熱膨張か抑えられることにより、レンズ６
の集光効率の低下やミラー７の反射効率の低下か抑えら
れるため、マスク基板３のみを不活性ガス雰囲気にさら
す場合よりも更にレジストに転写される微細パターンの
寸法誤差を小さくすることができる。
なお、第３実施例において、チャンバ１５にガス放出口
を設け、第２実施例のようにチャンバ１５内にヘリウム
を導入し、かつ、ここから放出するようにしてもよい。
を設け、第２実施例のようにチャンバ１５内にヘリウム
を導入し、かつ、ここから放出するようにしてもよい。
以上説明した如く、本発明によれは、マスク基板の雰囲
気を不活性ガスにしたため、エキシマレーザ光の照射か
あってもその熱膨張を抑えられ、マスク微細パターンを
寸法誤差少なくレジストに転写でき、又、光学系の雰囲
気も不活性ガスにすれば光学系の熱膨張も抑えられ、更
に寸法誤差少なくレジスト転写できる。更に、不活性ガ
スを導入し、放出するようにすれば、マスク基板の冷却
効率を高めることかできる。
気を不活性ガスにしたため、エキシマレーザ光の照射か
あってもその熱膨張を抑えられ、マスク微細パターンを
寸法誤差少なくレジストに転写でき、又、光学系の雰囲
気も不活性ガスにすれば光学系の熱膨張も抑えられ、更
に寸法誤差少なくレジスト転写できる。更に、不活性ガ
スを導入し、放出するようにすれば、マスク基板の冷却
効率を高めることかできる。
第１図は本発明の原理図、
第２図は本発明の第１実施例を説明する図、第３図は本
発明の第２実施例を説明する図、第４図は本発明の第３
実施例を説明する図である。 図において、 １．１０．１５はチャンバ、 ２はレジスト付きシリコン基板、 ３．２０はマスク基板、 ４．１１．１６は不活性ガス導入口、 ５はエキシマレーサ発生装置、 ６はレンズ、 ７はミラー、 １２はガス放出口、 ２１はレジスト、 ２２は光学系 を示す。 特許出願人 富 士 通 株式会社
発明の第２実施例を説明する図、第４図は本発明の第３
実施例を説明する図である。 図において、 １．１０．１５はチャンバ、 ２はレジスト付きシリコン基板、 ３．２０はマスク基板、 ４．１１．１６は不活性ガス導入口、 ５はエキシマレーサ発生装置、 ６はレンズ、 ７はミラー、 １２はガス放出口、 ２１はレジスト、 ２２は光学系 を示す。 特許出願人 富 士 通 株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）エキシマレーザを光源としてマスク基板（２０）
のパターンをレジスト（２１）に転写する露光方法にお
いて、 上記マスク基板（２０）の置かれている雰囲気を不活性
ガスにして露光することを特徴とする露光方法。 （２）上記不活性ガスを閉鎖空間に導入することを特徴
とする請求項１記載の露光方法。（３）上記不活性ガス
を導入口と放出口とを有する開放空間に導入し、上記不
活性ガスを該導入口から導入するとともに、該放出口か
ら放出する構成である構成であることを特徴とする請求
項１記載の露光方法。 （４）光学系（２２）の置かれている雰囲気をも上記不
活性ガスにすることを特徴とする請求項１記載の露光方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2297910A JPH04171453A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2297910A JPH04171453A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04171453A true JPH04171453A (ja) | 1992-06-18 |
Family
ID=17852680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2297910A Pending JPH04171453A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04171453A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011155160A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Ushio Inc | 光処理装置および光処理方法 |
-
1990
- 1990-11-02 JP JP2297910A patent/JPH04171453A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011155160A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Ushio Inc | 光処理装置および光処理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI289736B (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| JP2001308003A (ja) | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 | |
| US6224248B1 (en) | Light-source device and exposure apparatus | |
| US20070127004A1 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| JP2004343116A (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれにより製造されたデバイス | |
| JP5214771B2 (ja) | リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置の冷却方法 | |
| JP3567146B2 (ja) | 平板投影装置および素子製造方法 | |
| US6984472B2 (en) | Exposure method and apparatus | |
| US7106416B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| JP2004247438A (ja) | 冷却装置 | |
| JP4628087B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
| JP2004246039A (ja) | 保持装置、当該保持装置を有する露光装置、及びデバイス製造方法 | |
| JP2006332518A (ja) | 静電チャックおよび露光装置 | |
| JP2003172858A (ja) | 光学部品保持装置及び露光装置 | |
| JP2004080025A (ja) | 冷却装置及び方法、当該冷却装置を有する露光装置 | |
| JPH04171453A (ja) | 露光方法 | |
| JPH1092728A (ja) | 基板保持装置およびこれを用いた露光装置 | |
| JPH07142356A (ja) | レジスト・パターン形成方法およびこれに用いるレジスト・パターン形成システム | |
| US5623529A (en) | SOR exposure system and mask manufactured thereby | |
| JP2005123651A (ja) | レジスト膜の処理装置、およびレジストパターン形成方法 | |
| JP2001222099A (ja) | 荷電ビーム描画装置および荷電ビーム描画方法 | |
| JP2007096347A (ja) | 被処理基板のローテーション補正装置、レジスト膜の処理装置、被処理基板のローテーション補正方法、レジスト膜の処理方法 | |
| JP2002075856A (ja) | ロードロックチャンバ及びそれを用いた露光装置 | |
| WO2000068980A1 (fr) | Procede et appareil d'exposition | |
| JP2001023890A (ja) | 露光装置およびこれを用いたデバイス製造方法 |