JP2006295146A - 位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】位置決め装置において、可動体の駆動に伴う発熱による温度変動を効果的に低減する。
【解決手段】位置決め装置１００は、ステージ定盤２に沿ってステージ（可動体）を駆動し位置決めする。ステージ駆動プロファイラ１２０によって提供されるステージ駆動プロファイルに基づいてステージ定盤２を冷却するための冷媒を制御し、ステージ定盤２の温度をフィードフォワード制御する。
【選択図】図２

Description

本発明は、位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法に係り、特に、定盤に沿って可動体を駆動し位置決めする位置決め装置、該位置決め装置が組み込まれた露光装置、該露光装置を利用したデバイス製造方法に関する。

レチクル等の原板のパターンをウエハ等の基板に塗布された感光剤に転写したり、電子線等の荷電粒子線により基板上の感光剤にパターンを描画又は転写したりして、感光剤に潜像パターンを形成する露光装置がある。このような露光装置は、原板や基板を位置決めするための位置決め装置を有する。

図１１は、可動体を１軸方向に駆動する位置決め装置の一例を模式的に示す平面図である。可動体としてのステージ１０１は、ステージ定盤１０２上に滑らかに移動可能に案内されており、不図示のアクチュエータによって駆動されてステージ定盤１０２上を移動する。案内方法としては、例えば、リニアガイド等の摩擦が発生するものと、静圧エアーによって非接触で案内するものがある。リニアガイドを用いた構成は、ステージの位置決め精度やガイド機能を維持のためのメンテナンスが定期的に必要であることから、高精度と高い生産性が要求される露光装置における利用には不向きである。静圧エアーを用いた構成は、非接触で摩擦が極めて少なく、ステージを高精度で制御可能である。

静圧エアーによる案内では、エアー圧を上げて支持剛性を高めるために、ステージを案内するステージ定盤とステージとの間に与圧力（吸引力）を与えることが一般的である。与圧方法としては、磁石（磁力）を用いる方法と、真空負圧を用いる方法とがある。一般には、磁石を用いる方法の方が与圧を効率良く与えることができ、ステージを高い精度で案内することができる。しかし、絶縁抵抗の低い磁性体の上を磁界が移動することで、渦電流が発生し、これがステージの駆動に対する外乱やステージ定盤の発熱をもたらす。近年、スループットの向上のためのステージの高速化によって、渦電流による発熱が顕著になっている。

そこで、渦電流によるステージ定盤の発熱を冷媒で回収する構成が知られている。図１１に示す例では、冷媒は、冷媒入口１０３を通してステージ定盤１０２内の冷媒流路１０４に提供され、冷媒流路１０４を通りながら熱を回収し、冷媒出口１０５から排出される。冷媒の温度制御には、ステージ定盤１０２の適当な個所に配置された温度センサ１０６が使われたり、冷媒温度を直接測定する温度センサが使われたりしうる。ステージ定盤１０２の温度上昇を最も抑えたい場所は、ステージ定盤１０２の中心付近である場合が多いが、温度センサをその場所に配置できないことが多い。そのため、ステージ定盤１０２全体の温度安定のために長時間を要し、また、ステージ駆動プロファイルの変更、或いは、ステージの停止及び駆動による温度変化に対する十分な応答性が得られていない。

図１２は、平面モータ構成によるツインステージタイプの位置決め装置の構成を模式的に示す平面図である。図１１と同様の構成要素には、同一の符号が付されている。この位置決め装置は、２つのステージを有し、露光処理のスループットの向上に寄与する。具体的には、一方のステージを使ってアライメント用の計測処理を実施している間に、既にアライメント用の計測処理が終了したウエハについて他方のステージを使って露光処理が実施される。

一般的に、露光処理とアライメント用計測処理とでは、ステージの駆動プロファイルが異なるため、両ステージの駆動によりステージ定盤１０２に生じる渦電流による発熱量も異なる。このようなツインステージタイプの位置決め装置において、冷却系統が１つしか備えられていない場合には、露光処理用エリアとアライメント計測用エリアにおける発熱量の相違により不均一な温度分布が生じうる。これがステージ位置の計測精度を低下させうる。また、ウエハの温度が変動し、露光精度、特に重ね合わせ精度が悪化しうる。
特開２００４−２５４４８９号公報

本発明は、上記の背景に鑑みてなされたものであり、例えば、可動体の駆動に伴う発熱による温度変動を効果的に低減する技術を提供することを目的とする。

本発明の第１の側面は、定盤に沿って可動体を駆動し位置決めする位置決め装置に係り、該位置決め装置は、前記可動体の駆動プロファイルに基づいて前記定盤を冷却するための冷媒を制御し、前記定盤の温度を制御する温度制御系を備える。

本発明の好適な実施形態によれば、前記温度制御系は、前記駆動プロファイルに基づいて冷媒の流量を制御する冷媒制御器を含みうる。

本発明の好適な実施形態によれば、前記温度制御系は、前記駆動プロファイルに基づいて冷媒の温度を制御する冷媒制御器を含みうる。

本発明の好適な実施形態によれば、前記温度制御系は、前記定盤又は冷媒の温度を測定する温度センサを更に含み、前記駆動プロファイルのほか、前記温度センサによる測定結果に基づいて冷媒を制御することができる。

本発明の好適な実施形態によれば、前記可動体は、例えば、前記定盤上で２次元方向に駆動されうる。

本発明の好適な実施形態によれば、前記可動体は、互いに分離した第１、第２可動体を含みうる。ここで、前記温度制御系は、前記第１、第２可動体がそれぞれ位置する第１、第２領域を独立して温度制御することが好ましい。前記温度制御系は、前記第１、第２領域をそれぞれ温調する第１、第２ヒータを含むことが好ましい。

本発明の好適な実施形態によれば、前記定盤は、第１、第２定盤を含むことができ、前記温度制御系は、前記第１、第２定盤を独立して温度制御する第１、第２温度制御系を含むことができる。

本発明の好適な実施形態によれば、前記可動体は、静圧によって前記定盤上に浮上し、前記可動体と前記定盤との間には磁気によって与圧が与えられうる。

本発明の好適な実施形態によれば、前記温度制御系は、前記可動体の移動にともなって前記定盤に生じる渦電流によって発生する熱を回収することにより前記定盤の温度変動を低減するように、前記駆動プロファイルに基づいて前記定盤を冷却するための冷媒を制御することが好ましい。

本発明の第２の側面は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に潜像パターンを形成するための露光装置に係り、該露光装置は、前記基板を位置決めする位置決め装置として、上記の位置決め装置を備える。

本発明の第３の側面は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に原板のパターンを投影し潜像パターンを形成するための露光装置に係り、該露光装置は、前記原板及び／又は前記基板を位置決めする位置決め装置として、上記の位置決め装置を備える。

本発明の第４の側面は、フォトリソグラフィーによりデバイスを製造するデバイス製造方法に係り、該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の露光装置によって潜像パターンを形成する工程と、前記潜像パターンを現像する工程とを含む。

本発明によれば、例えば、可動体の駆動に伴う発熱による温度変動を効果的に低減する技術を提供することができる。

以下、本発明の好適な実施形態を説明する。

図１は、本発明の好適な実施形態の位置決め装置の構成を模式的に示す平面図である。図１に示す位置決め装置において、可動体としてのステージ１は、ステージ定盤２上に滑らかに移動可能に案内されており、不図示のアクチュエータ（例えば、リニアモータ）によって駆動されてステージ定盤２上を移動する。ステージ１の案内は、静圧エアーによって非接触でなされ、ステージ定盤２とステージ１との間には、ステージ１に配置された磁石が発生する磁力によって与圧が与えられる。ステージ定盤２は、絶縁抵抗の低い磁性体プレートを有し、その上をステージ１とともに与圧発生用の磁石が移動することで、磁性体プレートに渦電流が発生する。これがステージの駆動に対する外乱やステージ定盤の発熱をもたらす。

そこで、ステージ定盤２の発熱を回収しステージ定盤２の温度を一定に制御するための温度制御系が備えられている。この温度制御系において、冷媒は、冷媒入口３を通してステージ定盤２内の冷媒流路４に提供され、冷媒流路４を通りながらステージ定盤２から熱を回収し、冷媒出口５から排出される。

この実施形態では、ステージ定盤２又はそれを冷却する冷媒の温度を温度センサ６によって測定してこれをフィードバックするとともに、ステージ１の駆動プロファイルをフィードフォワードすることによりステージ定盤２の温度を制御する。

図２は、図１に示すステージ定盤２の冷却のための温度制御系の構成を示すブロック図である。ステージ定盤２の目標温度は、目標温度設定器１４０により与えられる。目標温度設定器１４０によって与えられる目標温度と温度センサ６によって測定される温度（ステージ定盤２又はそれを冷却する冷媒の温度）との差分(偏差）がＰＩＤ補償器１５０に提供される。ＰＩＤ補償器１５０は、入力される偏差に基づいて冷媒の流量を演算し、その結果を加算器１７０に提供する。

一方、ステージ駆動プロファイラ１２０は、ステージ１の駆動プロファイルを流量演算器１３０に提供し、流量演算器１３０は、後述の計算式にしたがって、冷媒の流量を演算し、その結果を加算器１７０に提供する。

加算器１７０は、ＰＩＤ補償器１５０及び流量演算器１３０からそれぞれ提供される冷媒の流量を加算し、その加算結果を冷媒制御器１６０に提供する。冷媒制御器１６０は、加算器１７０から提供される冷媒の流量にしたがって、ステージ定盤２に設けられた冷媒入口３に供給する冷媒の流量を調節する。

ここで、温度センサ６、ＰＩＤ補償器１５０、加算器１７０、冷媒制御器１６０、ステージ定盤２（制御対象）によってフィードバックループが構成されていることが分かる。また、ステージ駆動プロファイル１２０、流量演算器１３０、加算器１７０、ステージ定盤２（制御対象）によってフィードフォワード系が構成されていることが分かる。なお、本発明の趣旨からすると、フィードバックループは、必ずしも必要はない。

図３は、ステージ駆動プロファイラ１２０によって提供されるステージ駆動プロファイルの一例を簡略化して示す図である。縦軸は、ステージ２の駆動速度の絶対値、横軸は時間を示す。ステージ２の駆動速度の絶対値を時間積分した値をＳとする。また、駆動速度の絶対値の最大値をＶｍａｘとする。

流量演算器１３０は、ステージ駆動プロファイルに基づいて、以下の方法によって、冷媒の質量流量Ｗを演算する。

ステージ駆動プロファイルが与えられたとき、駆動デューティーＶ＿Ｄｕｔｙは、（１）式で表現される。

Ｖ＿Ｄｕｔｙ＝Ｓ／（Ｖｍａｘ × ｔ） ・・・（１）
ステージ２の移動に伴って発生する渦電流による発熱量Ｑｖは、（２）式で表現される。

Ｑｖ＝Ａ × Ｖｍａｘ^２ × Ｖ＿Ｄｕｔｙ ・・・（２）
ここで、Ａは、定数であり、実験又は解析によって決定することができる。冷媒の冷却対象の入口温度（Ｔ１）、出口温度（Ｔ２）、上昇温度をＴ２−Ｔ１ ＝ ΔＴ（Ｋ：定数）とすると、ΔＴは装置精度に大きく影響を与える要因となる。ΔＴは露光精度に影響を与えない範囲の温度である必要があり、冷却対象ごとに決める必要がある。ΔＴの決定は、解析、実験によって行うことが出来る。高精度な部分においては、一般的に１℃よりも十分に小さい温度となる場合が多い。

さらに、ステージ定盤２の冷却に必要な質量流量をＷ（ｋｇ／ｓ）、冷媒の比熱をＣ（Ｊ／ｋｇ・Ｋ）とすると発熱量Ｑｖとの関係は、（３）式で表現される。

Ｑｖ＝Ｃ × Ｗ × ΔＴ ・・・（３）
したがって、ステージ定盤２の冷却に必要な質量流量Ｗは、（４）式のようになる。

Ｗ＝Ａ × Ｖｍａｘ^２ × Ｖ＿Ｄｕｔｙ／（Ｃ × ΔＴ） ・・・（５）
したがって、流量演算器１３０は、（５）式にしたがって、ステージ駆動プロファイルに対応する、ステージ定盤２に供給すべき質量流量Ｗを演算することができる。

図４（ａ）は、フィードバックループのみによってステージ定盤の温度を制御した場合の温度変化の例を示す図である。図４（ｂ）は、本実施形態にしたがってフィードバックループ及びフィードフォワード系を併用してステージ定盤の温度制御した場合の温度変化の例を示す図である。

ステージ定盤２の温度を測定する温度センサ６は、ステージ定盤２の温調が必要な領域（制御対象部分）の近傍に配置することができない場合が殆どであり、そのため、制御対象部分と測定位置とが離隔し、温度測定結果に遅れが生じる。したがって、図４（ａ）に示すように、フィードバックループのみでステージ定盤２の温度を制御した場合には、ステージ定盤２の制御対象部分の温度は、目標温度から大きくオーバーシュートし、長い整定時間を要する。結果として、ステージ１の駆動によるステージ定盤２の温度変動に対して、温度制御系が追随しないことになる。一方、フィードフォワード系を導入することにより、図４（ｂ）に示すように、目標温度への整定時間を改善することができる。

上記の実施形態では、冷媒の流量を制御することによってステージ定盤２の温度を制御するが、これに代えて、冷媒の温度を制御するように温度制御系を構成してもよい（以下の実施形態においても同じ）。

［第２実施形態］
図５は、それぞれ本発明の第２実施形態の位置決め装置の構成を模式的に示す平面図（ａ）及び側面図（ｂ）である。図２に示す位置決め装置は、ツインステージ構成の位置決め装置であり、２つのステージ２Ａ、２Ｂを有し、露光処理のスループットの向上に寄与する。具体的には、一方のステージを使ってアライメント用の計測を実施している間に、既にアライメント用の計測が終了したウエハについて他方のステージを使って露光が実施される。計測処理及び露光処理が流量すると、２つのステージ２Ａ、２Ｂの位置が交換される。

この位置決め装置では、ステージ２Ａ、２Ｂは、例えば平面パルスモータによってステージ定盤２Ａ、２Ｂ上を２次元駆動される。アライメント用の計測領域には、計測用ステージ定盤２Ａが配置され、露光処理領域には、露光用ステージ定盤２Ｂが配置されている。両ステージ定盤２Ａ、２Ｂは、互いに分離して配置され、更に、両ステージ定盤２Ａ、２Ｂの間には、遮断部材１４が配置され、両ステージ定盤２Ａ、２Ｂ間における熱移動が遮断されている。両ステージ定盤２Ａ、２Ｂは、別個の温度制御系によって温度制御される。

計測用ステージ定盤２Ａに関しては、冷媒は、冷媒入口１０Ａを通して計測領域ステージ定盤２Ａ内の冷媒流路４Ａに提供され、冷媒流路４Ａを通りながら計測領域ステージ定盤２Ａから熱を回収し、冷媒出口１１Ａから排出される。計測用ステージ定盤２Ａの温度は、温度センサ６Ａによって測定される。計測用ステージ定盤２Ａの温度は、図２に示す制御系を適用した計測領域温度制御系によって制御される。

露光用ステージ定盤２Ｂに関しては、冷媒は、冷媒入口１０Ｂを通して露光領域ステージ定盤２Ｂ内の冷媒流路４Ｂに提供され、冷媒流路４Ｂを通りながら露光領域ステージ定盤２Ｂから熱を回収し、冷媒出口１１Ｂから排出される。露光領域ステージ定盤２Ｂの温度は、温度センサ６Ｂによって測定される。露光領域ステージ定盤２Ｂの温度は、図２に示す制御系を適用した露光領域温度制御系によって制御される。

計測用ステージ定盤２Ａと露光用ステージ定盤２Ｂの温度が異なる場合、ステージ１Ａ、１Ｂの位置決め用（位置計測用）の干渉計の計測誤差が生じたり、ステージ定盤２Ａ、２Ｂの熱変形量に差が生じたりしうる。この場合、アライメント精度（例えば、パターンの重ね合わせ精度）が低下しうる。

一般に、露光処理を行うためのステージ、すなわち、露光用ステージ定盤２Ｂ上に位置しているステージ（図５ではステージ１Ｂであるが、次のウエハの露光のためにステージが入れ替えられた場合はステージ１Ａに相当する。）と、アライメント用の計測処理を行うためのステージ、すなわち、計測用ステージ定盤２Ａ上に位置しているステージ（図５ではステージ１Ａであるが、次のウエハの計測のためにステージが入れ替えられた場合はステージ１Ｂに相当する。）とでは、それらを駆動するためのステージ駆動プロファイルが異なる。したがって、両ステージ定盤２Ａ、２Ｂに発生する渦電流による発熱も互いに異なるプロファイルとなる。

そこで、上記の計測領域温度制御系と露光領域温度制御系とを設けて、それぞれのステージのステージ駆動プロファイルをフィードフォワードすることにより両ステージ定盤２Ａ、２Ｂを個別に温度制御する。また、この際に、温度センサ６Ａ、６Ｂによる測定結果を用いるフィードバック制御も実施することにより、ステージ定盤２Ａ、２Ｂをより高精度に温度制御し、両ステージ定盤２Ａ、２Ｂ間の温度差を低減することができる。

［第３実施形態］
図６は、本発明の第３実施形態の位置決め装置の構成を模式的に示す平面図である。なお、第２実施形態と実質的に同一の構成要素には同一の符号が付されている。第３実施形態は、冷媒流路４Ａ’、４Ｂ’が第２実施形態の冷媒流路４Ａ、４Ｂと異なり、また、これに応じて冷媒入口及び冷媒出口の位置が変更されている。第２実施形態では、冷媒流路４Ａ、４Ｂは、それぞれ、ステージ定盤２Ａ、２Ｂ内の蛇行する１本のチャネルで構成されている。一方、第３実施形態では、冷媒流路４Ａ’、４Ｂ’は、それぞれ、ステージ定盤２Ａ、２Ｂ内において、複数本に分岐され、その後に合流する構成を有する。

冷媒流路の構成は、第２、第３実施形態の構成に限定されるものではなく、温調効果の最適化のために適宜変形されうる。

[第４実施形態]
図７は、本発明の第４実施形態の位置決め装置の構成を模式的に示す平面図である。なお、第１〜第２実施形態と実質的に同一の構成要素には同一の符号が付されている。この実施形態の位置決め装置は、１つのステージ定盤２上で２つのステージ１Ａ、１Ｂを移動させる構成を有する。ステージ定盤２の冷却は、図２に示す制御系により制御されうる。計測処理領域には、ヒータ１５Ａが配置され、露光処理領域には、ヒータ１５Ｂが配置され、計測処理領域内のステージ（図７に示す状態では、ステージ１Ａ。）と露光処理領域内のステージ（図７に示す状態では、ステージ１Ｂ。）との温度が等しくなるように不図示のヒータ駆動装置によって駆動される。ヒータ１５Ａ、１５Ｂもまた、前述の温度制御の例にならって、フィーフォフォワード制御により、又は、フィードフォワード及びフィードバック制御によって制御されうる。

［第５実施形態］
図８は、第１〜第４実施形態として例示的に説明された本発明の位置決め装置を組み込んだ露光装置の概略構成を示す図である。なお、本発明の位置決め装置はウエハステージ装置ＷＳとして組み込まれてもよいし、レチクルステージ装置ＲＳとして組み込まれてもよい。

レチクルステージＲＳによって保持されたレチクル（原板）Ｒは、照明光学系によって照明されて、そのパターンが光学系ＰＬを介して、ウエハステージ装置ＷＳのステージＳによって駆動されるウエハＷに投影される。これにより、ウエハＷ上の感光剤に潜像パターンが形成される。

アライメント用の計測処理は、ウエハをアライメント用の計測領域に移動させて、計測装置ＡＳによってなされうる。ウエハステージ装置として、ツインステージタイプの位置決め装置（例えば、第２〜第４実施形態）を採用した場合には、アライメント用の計測処理と露光処理とを並行して実施することができる。

電子線等の荷電粒子線によってウエハ上の感光剤にパターンを描画する露光装置には、原板を使用しないタイプと、原板（ステンシルマスク）を使用するタイプとがある。

[第６実施形態]
この実施形態は、第５実施形態に代表される本発明の露光装置を適用したデバイス製造方法を提供する。ここでは、一例として半導体デバイスの製造方法を説明する。

次に上記の露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図９は、半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク作製）では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。

図１０は、上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では本発明の露光装置によって回路パターンをウエハ上の感光剤に転写して、該感光剤に潜像パターンを形成する。ステップ１７（現像）では、ウエハ上の感光剤に形成された潜像パターンを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。

本発明の第１実施形態の位置決め装置の構成を模式的に示す平面図である。 ステージ定盤の冷却のための制御系の構成を示すブロック図である。 ステージ駆動プロファイルの一例を簡略化して示す図である。 フィードバックループのみによってステージ定盤の温度を制御した場合の温度変化と、本実施形態にしたがってフィードバックループ及びフィードフォワード系を併用してステージ定盤の温度制御した場合の温度変化の例を示す図である。 本発明の第２実施形態の位置決め装置の構成を模式的に示す平面図（ａ）及び側面図（ｂ）である。 本発明の第３実施形態の位置決め装置の構成を模式的に示す平面図である。 本発明の第４実施形態の位置決め装置の構成を模式的に示す平面図である。 第１〜第４実施形態として例示的に説明された本発明の位置決め装置を組み込んだ露光装置の概略構成を示す図である。 半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。 ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。 可動体を１軸方向に駆動する位置決め装置の一例を模式的に示す平面図である。 平面モータ構成によるツインステージタイプの位置決め装置の構成を模式的に示す平面図である。

Claims (13)

1. 定盤に沿って可動体を駆動し位置決めする位置決め装置であって、
   前記可動体の駆動プロファイルに基づいて前記定盤を冷却するための冷媒を制御することにより前記定盤の温度を制御する温度制御系を備えることを特徴とする位置決め装置。
2. 前記温度制御系は、前記駆動プロファイルに基づいて冷媒の流量を制御する冷媒制御器を含むことを特徴とする請求項１に記載の位置決め装置。
3. 前記温度制御系は、前記駆動プロファイルに基づいて冷媒の温度を制御する冷媒制御器を含むことを特徴とする請求項１に記載の位置決め装置。
4. 前記温度制御系は、前記定盤及び冷媒の少なくとも一方の温度を測定する温度センサを更に含み、前記駆動プロファイルのほか、前記温度センサによる測定結果に基づいて冷媒を制御することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の位置決め装置。
5. 前記可動体は、前記定盤上で２次元方向に駆動されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の位置決め装置。
6. 前記可動体は、互いに分離した第１、第２可動体を含み、
   前記温度制御系は、前記第１、第２可動体がそれぞれ位置する第１、第２領域を独立して温度制御することを特徴とする請求項５に記載の位置決め装置。
7. 前記温度制御系は、前記第１、第２領域をそれぞれ温調する第１、第２ヒータを含むことを特徴とする請求項６に記載の位置決め装置。
8. 前記定盤は、第１、第２定盤を含み、
   前記温度制御系は、前記第１、第２定盤を独立して温度制御する第１、第２温度制御系を含むことを特徴とする請求項６に記載の位置決め装置。
9. 前記可動体は、静圧によって前記定盤上に浮上し、前記可動体と前記定盤との間には磁気によって与圧が与えられることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の位置決め装置。
10. 前記温度制御系は、前記可動体の移動にともなって前記定盤に生じる渦電流によって発生する熱を回収することにより前記定盤の温度変動を低減するように、前記駆動プロファイルに基づいて前記定盤を冷却するための冷媒を制御することを特徴とする請求項９に記載の位置決め装置。
11. 感光剤が塗布された基板の該感光剤に潜像パターンを形成するための露光装置であって、
    前記基板を位置決めする位置決め装置として、請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の位置決め装置を備えることを特徴とする露光装置。
12. 感光剤が塗布された基板の該感光剤に原板のパターンを投影し潜像パターンを形成するための露光装置であって、
    前記原板及び前記基板の少なくとも一方を位置決めする位置決め装置として、請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の位置決め装置を備えることを特徴とする露光装置。
13. フォトリソグラフィーによりデバイスを製造するデバイス製造方法であって、
    感光剤が塗布された基板の該感光剤に請求項１１又は請求項１２に記載の露光装置によって潜像パターンを形成する工程と、
    前記潜像パターンを現像する工程と、
    を含むことを特徴とするデバイス製造方法。

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