TWI646403B - 圖案化裝置冷卻系統及熱調節圖案化裝置的方法 - Google Patents

圖案化裝置冷卻系統及熱調節圖案化裝置的方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI646403B
TWI646403B TW106109281A TW106109281A TWI646403B TW I646403 B TWI646403 B TW I646403B TW 106109281 A TW106109281 A TW 106109281A TW 106109281 A TW106109281 A TW 106109281A TW I646403 B TWI646403 B TW I646403B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
patterning device
exposure
substrate
layer
temperature
Prior art date
Application number
TW106109281A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201800870A (zh
Inventor
哈奇 爾金 希可利
葛尼斯 奈其巴格魯
波克特 法蘭克 喬漢斯 賈柏斯 凡
丹姆 尚－飛利浦 強維爾 凡
哈倫 理查 喬哈奈 法蘭西卡斯 凡
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Publication of TW201800870A publication Critical patent/TW201800870A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI646403B publication Critical patent/TWI646403B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本發明係關於一種用於熱調節一微影設備之一圖案化裝置之圖案化裝置冷卻系統，其中在使用中由曝光輻射輻照該圖案化裝置，其中該圖案化裝置冷卻系統包含：一熱調節器，其經組態以熱調節該圖案化裝置；及一控制器，其經組態以取決於由該圖案化裝置吸收之該曝光輻射之一量而控制該熱調節器以熱調節該圖案化裝置。

Description

圖案化裝置冷卻系統及熱調節圖案化裝置的方法
本發明係關於圖案化裝置冷卻系統及熱調節圖案化裝置之方法。
微影設備為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影設備可用以(例如)製造積體電路(IC)。在此狀況下，圖案化裝置(例如，光罩或倍縮光罩)可產生待形成於經曝光基板之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。通常，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。習知微影設備包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。
在使用微影設備期間，輻射光束入射於圖案化裝置上。來自輻射光束之能量中之一些係由圖案化裝置吸收，從而造成圖案化裝置變熱。圖案化裝置之加熱可造成(例如)疊對之增加。此係因為圖案化裝置之加熱可造成圖案化裝置膨脹且機械地變形。若圖案化裝置膨脹及/或機械地變形，則形成於經曝光基板之個別層上之電路圖案可受到不當影響。 舉例而言，需要降低圖案化裝置之加熱對經曝光基板之層之間的疊對之影響。 根據本發明之一態樣，提供一種用於熱調節一微影設備之一圖案化裝置之圖案化裝置冷卻系統，其中在使用中由曝光輻射輻照該圖案化裝置，其中該圖案化裝置冷卻系統包含：一熱調節器，其經組態以熱調節該圖案化裝置；及一控制器，其經組態以取決於由該圖案化裝置吸收之該曝光輻射之一量而控制該熱調節器。 根據本發明之一態樣，提供一種熱調節一微影設備之一圖案化裝置之方法，在使用中由曝光輻射輻照該圖案化裝置，該方法包含：取決於由該圖案化裝置吸收之該曝光輻射之一量而熱調節該圖案化裝置。
所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示之該(等)實施例。本發明係由隨附於此處之申請專利範圍界定。 所描述實施例及在本說明書中對「一實例」、「一個實施例」、「一實施例」、「一實例實施例」、「一些實施例」等等之參考指示所描述實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必指代同一實施例。此外，當結合一實施例描述特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否作明確描述，結合其他實施例實現此特徵、結構或特性為屬於熟習此項技術者所瞭解。 然而，在較詳細地描述此等實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例之實例環境。 圖1及圖2分別為微影設備100及微影設備100'之示意性說明，其中可實施本發明之實施例。微影設備100及微影設備100'各自包括以下各者：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，DUV輻射或EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台) MT，其經組態以支撐圖案化裝置(例如，光罩、倍縮光罩或動態圖案化裝置) MA且連接至經組態以準確地定位該圖案化裝置MA之第一定位器PM；及基板台(例如，晶圓台) WT，其經組態以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至經組態以準確地定位基板W之第二定位器PW。微影設備100及100'亦具有投影系統PS，該投影系統PS經組態以將由圖案化裝置MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分(例如，包含一或多個晶粒之部分) C上。在微影設備100中，圖案化裝置MA及投影系統PS為反射性的。在微影設備100'中，圖案化裝置MA及投影系統PS為透射性的。在一些實施例中，投影系統PS為反射折射性的。 照明系統IL可包括用於導引、塑形或控制輻射光束B之各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。 支撐結構MT以取決於圖案化裝置MA之定向、微影設備100及100'之設計及其他條件(諸如，圖案化裝置MA是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可視需要而固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化裝置MA(例如)相對於投影系統PS處於所要位置。 術語「圖案化裝置」MA應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束B之橫截面中向輻射光束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何裝置。被賦予至輻射光束B之圖案可對應於目標部分C中所產生之裝置(諸如，積體電路)中之特定功能層。 圖案化裝置MA可為透射性的(如在圖2之微影設備100'中)或反射性的(如在圖1之微影設備100中)。圖案化裝置MA之實例包括倍縮光罩、光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之實例採用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束B中賦予圖案。 術語「投影系統」PS可涵蓋如適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可將真空環境用於EUV或電子束輻射，此係由於其他氣體可吸收過多輻射或電子。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。 微影設備100及/或微影設備100'可屬於具有兩個或多於兩個台(或載物台或支撐件)(例如，兩個或多於兩個基板台WT (或支撐結構MA)或一或多個基板台WT與經組態以量測投影系統PS之屬性而非經組態以固持基板W之一或多個感測器或量測台之組合)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外基板台WT，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他基板台WT用於曝光。 參看圖1及圖2，照明系統IL自輻射源SO接收輻射光束B。舉例而言，當源SO為準分子雷射時，源SO及微影設備100、100'可為分離實體。在此等狀況下，不認為源SO形成微影設備100或100'之部分，且輻射光束B係憑藉包括(例如)合適導引鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD (在圖2中)而自源SO傳遞至照明系統IL。在其他狀況下，舉例而言，當源SO為水銀燈時，源SO可為微影設備100、100'之整體部分。源SO及照明系統IL連同光束遞送系統BD在需要時可被稱作輻射系統。 照明系統IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD (在圖2中)。通常，可調整照明系統IL之光瞳平面中的強度分佈之至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明系統IL可包含各種其他組件(在圖2中)，諸如積光器IN及聚光器CO。照明系統IL可用以調節輻射光束B以在其橫截面中具有所要之均勻性及強度分佈。相似於源SO，照明系統IL可被認為或可不被認為形成微影設備之部分。舉例而言，照明系統IL可為微影設備之整體部分，或可為與微影設備分離之實體。在後一狀況下，微影設備可經組態以允許照明系統IL安裝於其上。視情況，照明系統IL可拆卸且可被分離地提供(例如，由微影設備製造商或另一供應商提供)。 參看圖1，輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台) MT上之圖案化裝置(例如，光罩) MA上，且係由圖案化裝置MA圖案化。在微影設備100中，自圖案化裝置(例如，光罩) MA反射輻射光束B。在自圖案化裝置(例如，光罩) MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，該投影系統PS將輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF2 (例如，干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT (例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化裝置(例如，光罩) MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置(例如，光罩) MA及基板W。 參看圖2，輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台) MT上之圖案化裝置(例如，光罩) MA上，且係由圖案化裝置MA圖案化。在已橫穿光罩的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。投影系統具有與照明系統光瞳IPU共軛之光瞳PPU。輻射之部分自照明系統光瞳IPU處之強度分佈發散且橫穿光罩圖案而不受到光罩圖案處之繞射影響，產生照明系統光瞳IPU處之強度分佈的影像。 憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT (例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(圖2中未展示)可用以(例如，在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間)相對於輻射光束B之路徑準確地定位光罩。 一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，光罩台可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置MA及基板W。儘管基板對準標記P1、P2 (如所說明)佔據專用目標部分C，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在將多於一個晶粒提供於光罩上之情形中，光罩對準標記M1、M2可位於晶粒之間。 支撐結構MT及圖案化裝置MA可在真空腔室中，在該真空腔室中，真空內機器人IVR可用以將諸如光罩之圖案化裝置MA移進真空腔室中及將該圖案化裝置MA自真空腔室移出來。替代地，當支撐結構MT及圖案化裝置MA在真空腔室外部時，相似於真空內機器人IVR，真空外機器人可用於各種輸送操作。真空內機器人及真空外機器人兩者需要經校準以用於任何有效負載(例如，光罩)至轉移站之固定運動安裝台的平滑轉移。 微影設備100及100'可用於以下模式中之至少一者中： 1. 在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上的同時，使支撐結構(例如，光罩台) MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。 2. 在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上的同時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台) MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台) MT之速度及方向。 3. 在另一模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上的同時，使支撐結構(例如，光罩台) MT保持實質上靜止，從而固持可程式化圖案化裝置，且移動或掃描基板台WT。可使用脈衝式輻射源SO，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化裝置(諸如，如本文中所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。 亦可使用對所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。 儘管在本文中可特定地參考微影設備在IC之製造中之使用，但應理解本文中所描述之圖案化設備及微影設備可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)及薄膜磁頭。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理多於一次，(例如)以便產生多層經曝光基板，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指已經含有一個或多個經處理層之基板。 儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對實施例之使用，但應瞭解，實施例可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化裝置中之構形界定產生於基板上之圖案。可將圖案化裝置之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化裝置移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。 在本文中所描述之實施例中，術語「透鏡」及「透鏡元件」在內容背景允許的情況下可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。 此外，本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長λ)、極紫外線(EUV或軟X射線)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長，諸如，13.5奈米)或在小於5奈米下工作之硬X射線，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。通常，具有介於約780奈米至3000奈米(或更大)之間的波長之輻射被視為IR輻射。UV係指具有大約100奈米至400奈米之波長的輻射。在微影內，術語「UV」亦應用於可由水銀放電燈產生之波長：G線436奈米；H線405奈米；及/或I線365奈米。真空UV或VUV (亦即，由氣體吸收之UV)係指具有大約100奈米至200奈米之波長的輻射。深UV (DUV)通常係指具有在126奈米至428奈米之範圍內的波長之輻射，且在一實施例中，準分子雷射可產生在微影設備內使用之DUV輻射。應瞭解，具有在(例如) 5奈米至20奈米之範圍內的波長之輻射係關於具有某一波長帶之輻射，該波長帶之至少部分係在5奈米至20奈米之範圍內。 術語「透鏡」在內容背景允許的情況下可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。 如諸圖中所描繪，設備可屬於基板W不浸潤在液體中之乾式類型。替代地，設備可屬於基板W浸潤在液體中之浸潤類型。 圖3以橫截面形式描繪根據本發明之實施例之圖案化裝置冷卻系統30。在一實施例中，微影設備包含經組態以支撐圖案化裝置MA之圖案化裝置支撐結構23。圖案化裝置支撐結構23可與如關於圖1及圖2中所描述之支撐結構MT (例如，光罩台)相同，且自此被稱為支撐結構23。支撐結構23經組態以支撐圖案化裝置MA。 輻射光束B可經導引至圖案化裝置MA，使得圖案化裝置MA可用以將圖案賦予至輻射光束B。輻射光束B可包含(例如) DUV輻射或EUV輻射。通常，輻射光束B係自圖案化裝置MA反射或傳遞通過該圖案化裝置MA。因此，輻射光束B通常入射於圖案化裝置MA之表面上。圖案化裝置MA之輻射光束B及/或溫度變化可加熱圖案化裝置MA周圍的氣體。因此，溫度變化可經引入至圖案化裝置MA。 圖案化裝置MA之表面可為平坦表面22，且該平坦表面22可由輻射光束B加熱。平坦表面22可為實質上平整的。然而，平坦表面22可不平整，且該平坦表面22可為用於參考之平面。舉例而言，平坦表面22可為圖案化裝置MA之表面之頂部處的平面，例如，圖案化裝置MA之最高點位於其中之平面。 支撐結構23可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以將圖案化裝置MA固持在適當位置，及/或以視情況將圖案化裝置MA固持至支撐台(圖3中未展示)，該支撐台將圖案化裝置MA直接支撐在支撐結構23上。支撐結構23可經組態以確保圖案化裝置MA (例如)相對於微影設備之其他組件處於特定位置處。舉例而言，在一實施例中，支撐結構23包含可移動組件，諸如短衝程模組及/或長衝程模組，其經組態以(例如，沿著X軸及/或Y軸)準確地定位圖案化裝置MA。支撐結構23可為任何適當形狀以支撐圖案化裝置MA，且可具有在如圖3中所展示之圖案化裝置MA下方之開口，或可為在圖案化裝置MA下方之固體(圖中未繪示)。 在一實施例中，圖案化裝置冷卻系統30包含熱調節器20，該熱調節器可包含為氣體出口之噴嘴。自圖3中之側視圖描繪噴嘴。熱調節器20經組態以在使用中時在圖案化裝置MA之平坦表面22上方提供氣流25。熱調節器20可包含(例如)跨越圖案化裝置MA之寬度之多個氣體出口。 如上文所描述，當輻射光束B經導引至圖案化裝置MA時，輻射光束B產生圖案化裝置MA之熱變化，輻射光束B入射在該圖案化裝置MA上。圖案化裝置MA之加熱為疊對退化之已知源。詳言之，當結合具有低透射率之圖案化裝置MA使用高曝光劑量時，圖案化裝置MA接著明顯變熱，從而引起圖案化裝置MA之明顯膨脹。當圖案化裝置MA之參數(諸如曝光劑量及透射率(亦即由圖案化裝置MA透射之輻射光束B之分率))在經曝光基板之兩個個別層之間係不同時，圖案化裝置MA之膨脹可針對兩個不同層以不同方式出現。此可引起經曝光基板之兩個層之間的疊對損失。 圖案化裝置MA之溫度影響疊對，此係因為圖案化裝置MA可膨脹，亦即機械地變形。另外，在圖案化裝置MA下方，氣體可升溫，藉此改變接近圖案化裝置MA之氣體的折射率。 舉例而言，經曝光基板之一個層可被稱作接觸層。接觸層可包含用於形成於經曝光基板中之電晶體之觸點。經曝光基板之另一層可被稱作閘極層。閘極層可包含用於形成於經曝光基板中之複數個電晶體之閘極端子。相較於用於閘極層之電路圖案，當形成用於接觸層之電路圖案時，可使用較高曝光劑量(亦即具有較高能量之輻射光束B)。此外，相較於用於閘極層之電路圖案，當形成用於接觸層之電路圖案時，可使用不同圖案化裝置MA。由不同圖案裝置MA吸收之輻射光束B之分率可不同。因此，相較於形成閘極層時，圖案化裝置MA可在形成接觸層時以不同方式膨脹。此可引起用於接觸層及閘極層之電路圖案以不同方式受圖案化裝置MA之加熱影響。此可引起(例如)接觸層與閘極層之間的疊對之增加。此現象不限於接觸層及閘極層。此現象可出現在經曝光基板之任何兩個層之間。 在已知系統中，圖案化裝置冷卻概念已被引入以藉由自安裝在支撐結構23上之噴嘴提供冷卻流來降低圖案化裝置MA之溫度，如圖3中所展示。儘管冷卻概念在一定程度上係成功的，但在經曝光基板之層之間仍可存在顯著疊對退化。此係因為圖案化裝置MA在一個層之曝光期間之熱回應通常不同於圖案化裝置MA在另一層之曝光期間之熱回應。此引起疊對損失。圖5中說明此情形。 在圖5中，x軸表示一批基板W中之基板W之基板數目WN。y軸表示圖案化裝置MA之溫度T。上部實曲線展示圖案化裝置MA之溫度T在向基板W上之接觸層提供電路圖案時如何貫穿該批基板W增加。下部虛曲線展示在曝光用於基板W上之閘極層之電路圖案時圖案化裝置MA之溫度T與該批基板W中之基板數目WN之間的不同關係。 如圖5中所展示，相比於針對閘極層，圖案化裝置MA針對接觸層在溫度方面增加較迅速。因此，在接觸層與閘極層之間存在疊對損失。該疊對損失係與如由圖5中之加陰影區域及雙端箭頭表示之兩個曲線之間的差相關。如可在圖5中看出，疊對損失可貫穿該批基板W而增加。 相較於針對閘極層，圖案化裝置MA可針對接觸層在溫度方面增加較多之原因為接觸層通常具有較多特徵且使用具有較低透射率(且因此吸收較大比例之入射輻射)之圖案化裝置MA。換言之，相較於用於形成基板W上之閘極層之不同圖案化裝置MA，圖案化裝置MA在接觸層形成於基板W上時吸收較多能量。相比於接觸層，閘極層通常具有較少特徵。 圖3中所展示之圖案化裝置冷卻系統30係用於熱調節圖案化裝置MA。在使用中由曝光輻射輻照圖案化裝置MA。在一實施例中，圖案化裝置冷卻系統30包含熱調節器20。作為一實例，熱調節器20包含(例如)如圖3中所展示之噴嘴。熱調節器20經組態以熱調節圖案化裝置MA。舉例而言，在一實施例中，熱調節器20經組態以冷卻圖案化裝置MA (亦即，降低圖案化裝置MA之溫度)。 在一實施例中，圖案化裝置冷卻系統30包含控制器500。控制器500經組態以控制熱調節器20以熱調節圖案化裝置MA。在一實施例中，控制器500經組態以取決於由圖案化裝置MA吸收之曝光輻射之量而控制熱調節器20。 在一實施例中，控制器500經組態以取決於每單位時間入射於圖案化裝置MA上之曝光輻射之量而控制熱調節器20以熱調節圖案化裝置MA。每單位時間入射於圖案化裝置MA上之曝光輻射之量係與曝光劑量相關。劑量愈大，則每單位時間入射於圖案化裝置MA上之曝光輻射之量愈大。 舉例而言，相比於對於閘極層，每單位時間入射於圖案化裝置MA上之曝光輻射之量對於接觸層可更大。藉由取決於每單位時間入射於圖案化裝置MA上之曝光輻射之量而熱調節圖案化裝置MA，可降低經曝光基板之兩個層之間的疊對損失。舉例而言，在一實施例中，當每單位時間入射於圖案化裝置MA上之曝光輻射之量較大時，控制器500經組態以控制熱調節器20以較強有力地冷卻圖案化裝置MA。因此，可縮減經曝光基板之兩個層之間的圖案化裝置MA之溫度變化之差。 在理想情形中，圖案化裝置MA在一批基板W之曝光期間的溫度變化對於經曝光基板之兩個不同層係實質上相同的。圖4中展示此情形，圖4展示圖案化裝置MA之溫度變化對於接觸層(由實曲線展示)及閘極層(由虛曲線展示)兩者係相同的。當然，可能無法完全及/或確切地針對經曝光基板之兩個不同層匹配圖案化裝置MA之溫度變化。然而，預期溫度變化之差的任何縮減(相對於圖5中之兩個曲線之間的差)達成兩個層之間的疊對之縮減。 圖案化裝置MA之溫度針對經曝光基板之兩個不同層可不同。相比於針對一個「較冷」層，圖案化裝置MA之溫度針對另一「較熱」層可更高。在一實施例中，控制器500經組態以針對「較熱」層降低圖案化裝置MA之溫度，從而針對「較冷」層匹配圖案化裝置MA之溫度。在一替代實施例中，控制器500經組態以針對「較冷」層升高圖案化裝置MA之溫度，從而針對「較熱」層匹配圖案化裝置MA之溫度。 每單位時間入射於圖案化裝置MA上之曝光輻射之量並非為可造成兩個不同層之間的圖案化裝置MA之溫度變化的差之唯一參數。在一實施例中，控制器500經組態以取決於由圖案化裝置MA吸收之入射於圖案化裝置MA上之曝光輻射的比例而控制熱調節器20以熱調節圖案化裝置MA。若圖案化裝置MA吸收較高比例之曝光輻射，則圖案化裝置MA將較迅速地變熱。不同圖案化裝置MA可用於針對經曝光基板之不同層形成電路圖案。藉由取決於由圖案化裝置MA吸收之入射於圖案化裝置MA上之曝光輻射的比例而熱調節圖案化裝置MA，可降低經曝光基板之兩個不同層之間的疊對損失。 在一實施例中，當由圖案化裝置MA吸收之入射於圖案化裝置MA上之曝光輻射之比例係較大時，控制器500經組態以控制熱調節器20以較強有力地冷卻圖案化裝置MA。因此，較強有力地冷卻吸收較多輻射之圖案化裝置MA，使得降低兩個不同圖案化裝置MA之間的溫度變化之差。因此，可降低兩個不同層之間的疊對損失。 由圖案化裝置MA吸收之入射於圖案化裝置MA上之曝光輻射之比例係與圖案化裝置MA之透射率相關。一般而言，若圖案化裝置MA透射較小比例之輻射光束B，則圖案化裝置MA吸收較大比例之輻射光束B。 在一實施例中，控制器500經組態以取決於曝光輻射掃描圖案化裝置MA所藉以的掃描速度而控制熱調節器20以熱調節圖案化裝置MA。掃描速度係來自曝光輻射之輻射光束B之光點跨越圖案化裝置MA之平坦表面22移動所藉以的速度。若掃描速度較低，則曝光輻射在用於基板W之曝光操作期間入射於圖案化裝置MA上維持較長時間段。若掃描速度較低，則形成用於基板上之個別層之電路圖案所花費的時間較長。因此，由圖案化裝置MA吸收之輻射量係較大，從而潛在地導致圖案化裝置MA之溫度T之較大增加。 藉由取決於曝光輻射掃描圖案化裝置MA所藉以的掃描速度而熱調節圖案化裝置MA，可降低經曝光基板之兩個不同層之間的疊對損失。在一實施例中，當掃描速度係較低時，控制器500經組態以控制熱調節器20較強有力地冷卻圖案化裝置MA及/或冷卻圖案化裝置MA維持較長時間段。因此，可降低用於具有兩個不同掃描速度之兩個不同層之圖案化裝置MA的溫度變化之差。因此，可降低兩個不同層之間的疊對損失。 在一實施例中，控制器500經組態以取決於曝光輻射掃描圖案化裝置MA所沿著之曝光路徑之長度而控制熱調節器20以熱調節圖案化裝置MA。曝光路徑為來自輻射光束B之光點沿著圖案化裝置MA之平坦表面22移動所沿著的路徑。若曝光路徑較長，則圖案化裝置MA吸收較大輻射量，從而潛在地導致圖案化裝置MA之溫度T的較大增加。 藉由取決於曝光路徑之長度而熱調節圖案化裝置MA，可降低經曝光基板之兩個層之間的疊對損失。在一實施例中，當曝光路徑之長度係較長時，控制器500經組態以控制熱調節器20以較強有力地冷卻圖案化裝置MA及/或冷卻圖案化裝置MA維持較長時間段。因此，可縮減由曝光路徑之長度對於兩個不同層係不同而造成的圖案化裝置MA之溫度變化的差。因此，降低兩個不同層之間的疊對損失。 如上文所解釋，存在影響圖案化裝置MA之溫度變化之不同參數。此等參數包括每單位時間入射於圖案化裝置MA上之曝光輻射之量、由圖案化裝置MA吸收之入射於圖案化裝置MA上之曝光輻射之比例、曝光輻射掃描圖案化裝置MA所藉以的掃描速度及曝光輻射掃描圖案化裝置MA所沿著之曝光路徑之長度。控制器500可經組態以取決於此等參數之任何子集或取決於所有此等參數而控制熱調節器20以熱調節圖案化裝置MA。 控制器500沒有必要考慮所有此等不同參數。在一實施例中，控制器500經組態以取決於此等參數中之僅一者(例如，經發現對兩個層之間的疊對具有最大影響之參數)而控制熱調節器20以熱調節圖案化裝置MA。 如圖3中所描繪，在一實施例中，熱調節器20包含經組態以將氣體作為熱調節流供應至圖案化裝置MA的噴嘴。在一實施例中，控制器500經組態以控制由熱調節器20供應之氣體的溫度。在一實施例中，控制器500經組態以控制由熱調節器20提供之氣體的流動速率。若由熱調節器20供應之氣體的溫度較低，則熱調節流較強有力地降低圖案化裝置MA之溫度。若由熱調節器20供應之氣體的流動速率較大，則熱調節流較強有力地降低圖案化裝置MA之溫度。 影響圖案化裝置MA之溫度變化的參數係與特定層相關聯。舉例而言，圖案化裝置MA之曝光劑量及類型針對在基板W上形成不同層可不同。可考慮此等參數以用於熱調節圖案化裝置MA。此基於特定層參數對圖案化裝置MA之溫度T的已知影響調適圖案化裝置MA之冷卻速率。有可能針對每一層具有特定熱調節配方。舉例而言，基於用於特定層之已知曝光參數，控制器500可控制熱調節器20以特定方式(亦即，根據特定配方)熱調節圖案化裝置MA。 上文所提及之參數可被稱作與基板堆疊之特定層之曝光相關聯的物理量。在一實施例中，提供一種熱調節微影設備之圖案化裝置MA之方法。在一實施例中，該方法包含取決於與基板堆疊之第一層之曝光相關聯的至少一個物理量而熱調節圖案化裝置MA。該基板堆疊為形成複數個個別層以產生經曝光基板所在之基板W。在一實施例中，該方法包含取決於與基板堆疊之第二層之曝光相關聯的至少一個物理量而熱調節圖案化裝置MA (其可為與用於第一層之圖案化裝置MA不同的圖案化裝置MA)。與第一層之曝光相關聯的至少一個物理量不同於與第二層之曝光相關聯的至少一個物理量。舉例而言，可針對兩個層使用不同圖案化裝置MA。曝光劑量、掃描速度及/或曝光路徑之長度針對兩個不同層可不同。 在一實施例中，該方法包含控制供應至圖案化裝置MA之氣體的溫度，使得曝光第一層時的氣體之溫度不同於曝光第二層時的氣體之溫度。在一實施例中，該方法包含控制供應至圖案化裝置MA之流動速率，使得曝光第一層時的氣體之流動速率不同於曝光第二層時的流動速率。因此，可取決於形成於曝光操作中之層而以不同方式冷卻圖案化裝置MA。 如上文所解釋，可控制圖案化裝置MA之熱調節，使得圖案化裝置MA之溫度T在一整批基板W之曝光期間針對兩個不同層以實質上相同的方式變化。在一實施例中，該方法包含在用於在一批基板W中之每一者上形成經圖案化層之成批曝光操作期間熱調節圖案化裝置MA，使得成批曝光操作期間之圖案化裝置MA之溫度實質上匹配用於在該批基板W中之每一者上形成另一圖案層之另一成批曝光操作期間之圖案化裝置MA之已知溫度。 因此，預期本發明之一實施例達成電路圖案在基板W之兩個不同層之間的位置之漂移之縮減。此藉由根據曝光條件使冷卻速率變化而完成。當前認為，與加熱圖案化裝置MA相關之最重要曝光條件為圖案化裝置MA之透射率(其係與圖案化裝置MA吸收之輻射光束B之比例相關)、曝光劑量及曝光速度(亦即，曝光輻射掃描圖案化裝置MA所藉以的掃描速度)。由於受控冷卻，有可能針對如圖4中所展示之兩個不同層來匹配圖案化裝置MA之加熱特性。若兩個層均具有來自加熱圖案化裝置MA之較相似或相同影響，則可縮減或甚至消除兩個不同層之間的疊對貢獻。 在一實施例中，來自熱調節器20之氣體流動的溫度及/或流動速率可貫穿該批基板W而變化。 可以比整批基板W之粒度更精細之粒度實現本發明。舉例而言，已發現，在曝光單一基板W之過程內(以及在曝光上文所描述之整批基板W之過程內)在兩個不同層之間可存在圖案化裝置MA之溫度變化之差。因此，本發明可用以縮減由在單一基板W之曝光操作內加熱圖案化裝置MA造成之漂移。 如圖6中所展示，在單一基板之曝光操作內可存在圖案化裝置MA之溫度之漂移(亦即，自第一目標部分C至最後目標部分C)。單一基板W之曝光內之此漂移尤其對於一批基板W中之第一基板W可係明顯的，如圖6中之帶圓圈區中所展示。由熱調節器20提供之熱調節流之流動速率及/或溫度可經調諧以便縮減單一基板W內之此漂移。有可能縮減甚至單一基板W內之兩個不同層之溫度變化的差。 圖7示意性地描繪圖案化裝置MA之溫度T可在基板W之曝光操作期間如何變化。圖7示意性地展示基板W之目標部分C。圖7中之每一矩形表示基板W之目標部分C。曲摺線表示基板W上之輻射光束B之路徑。在曲折路徑之開頭處，圖案化裝置MA之溫度T相對較低。在曲折路徑之末端，圖案化裝置MA之溫度T增加，此係因為圖案化裝置MA自輻射光束B吸收了能量。在圖7中，較深陰影表示圖案化裝置MA之較低溫度T。較淺陰影表示圖案化裝置MA之較高溫度T。藉由取決於由圖案化裝置MA吸收之曝光輻射之量而熱調節圖案化裝置MA，可降低經曝光基板之兩個層之間的疊對損失。舉例而言，在一實施例中，控制器500經組態以當由圖案化裝置MA在曝光基板W期間吸收之曝光輻射之量較大時控制熱調節器20以較強有力地冷卻圖案化裝置MA。因此，可縮減經曝光基板之兩個層之間的圖案化裝置MA之溫度變化的差，甚至在曝光單一基板W之時間段內亦如此。因此，可以與補償在曝光一批基板W期間之溫度漂移相同的方式來補償在用於曝光單一基板W之時間段期間的溫度漂移。 在一實施例中，該方法包含在於基板W上執行經圖案化層之基板曝光操作期間熱調節圖案化裝置MA，使得在基板曝光操作期間的圖案化裝置MA之溫度實質上匹配在於基板W上執行另一經圖案化層之另一基板曝光操作期間的圖案化裝置MA之已知溫度。 預期本發明之實施例藉由移除圖案化裝置MA中導致疊對之加熱效應來改良疊對。預期本發明之實施例對產出率無負面影響。 在以上實施例中之任一者中，微影設備可進一步包含如圖3中所描繪之氣體提取器26。氣體提取器26經組態以提取圖案化裝置MA上方之氣體，亦即提取氣流25。氣體提取器26可視情況包括在實施例中之任一者中，但對於本發明並非必不可少。氣體提取器26經定位且組態以接收跨越圖案化裝置MA之平坦表面22行進之氣流25。 氣體提取器26可經定位在圖案化裝置MA之與熱調節器20實質上相對之側上(當在平面視圖中檢視時)。當氣流25到達圖案化裝置MA之與熱調節器20相對之側上(當在平面視圖中檢視時)時，氣體提取器26可提取氣體。在一些實施例中，氣體提取器26處之氣體的提取可為主動的或被動的。氣體提取器26可包含任何數目個氣體入口開口且可包含用於牽入氣體之低壓系統。 在一實施例中，微影設備包含淨化板27，如圖3中所展示。在一實施例中，氣體提取器26由淨化板27包圍，使得淨化板27與氣體提取器26之間不存在間隙。淨化板27形成一障壁以阻擋可另外垂直於氣流25流動之氣體。淨化板27經組態以形成用於氣流25之微環境之邊界。 已在乾式微影設備之內容背景中描述以上實例中之許多實例。然而，本發明同等地適用於浸沒微影設備。如應瞭解，上述特徵中之任一者可與任何其他特徵一起使用，且本申請案中不僅涵蓋明確描述之彼等組合。 如應瞭解，上述特徵中之任一者可與任何其他特徵一起使用，且本申請案不僅涵蓋明確描述之彼等組合。此外，儘管上文出於方便起見已在乾式微影設備之內容背景中描述本發明之實施例，但應瞭解，本發明之實施例可結合任何形式之微影設備來使用。 雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性的，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
20‧‧‧熱調節器
22‧‧‧平坦表面
23‧‧‧圖案化裝置支撐結構
25‧‧‧氣流
26‧‧‧氣體提取器
27‧‧‧淨化板
30‧‧‧圖案化裝置冷卻系統
100‧‧‧微影設備
100'‧‧‧微影設備
500‧‧‧控制器
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IF1‧‧‧位置感測器
IF2‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統
IN‧‧‧積光器
IPU‧‧‧照明系統光瞳
IVR‧‧‧真空內機器人
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化裝置
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PPU‧‧‧光瞳
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧輻射源
T‧‧‧溫度
W‧‧‧基板
WN‧‧‧基板數目
WT‧‧‧基板台
現將參考隨附示意性圖式僅作為實例來描述本發明之實施例，在隨附示意性圖式中，對應參考符號指示對應部分，且其中： 圖1為根據實施例之反射微影設備之示意性說明； 圖2為根據實施例之透射微影設備之示意性說明； 圖3以橫截面形式描繪根據本發明之實施例之圖案化裝置冷卻系統； 圖4為展示根據本發明之實施例的一批基板內之基板之數目與圖案化裝置之溫度之間的關係之曲線圖； 圖5及圖6為展示根據先前技術的一批基板內之基板之數目與圖案化裝置之溫度之間的關係之曲線圖；且 圖7示意性地描繪基板之曝光期間的圖案化裝置之溫度之變化。

Claims (10)

  1. 一種用於熱調節一微影設備之一圖案化裝置的圖案化裝置冷卻系統，其中在使用中由曝光輻射輻照該圖案化裝置，其中該圖案化裝置冷卻系統包含：一熱調節器，其經組態以熱調節該圖案化裝置；及一控制器，其經組態以取決於(dependent on)由該圖案化裝置吸收之該曝光輻射之一量而控制該熱調節器。
  2. 如請求項1之圖案化裝置冷卻系統，其中該控制器經組態以取決於以下各者中之至少一者而控制該熱調節器：每單位時間入射於該圖案化裝置上之該曝光輻射之一量；由該圖案化裝置吸收之入射於該圖案化裝置上之該曝光輻射之一比例；該曝光輻射掃描該圖案化裝置所藉以的一掃描速度；及該曝光輻射掃描該圖案化裝置所沿著的一曝光路徑之一長度。
  3. 如請求項1或2之圖案化裝置冷卻系統，其中該熱調節器包含經組態以將氣體作為一熱調節流供應至該圖案化裝置的一噴嘴，其中該控制器經組態以控制以下各者中之至少一者：由該熱調節器供應之該氣體之一溫度；及由該熱調節器供應之該氣體之一流動速率。
  4. 一種熱調節一微影設備之一圖案化裝置的方法，在使用中由曝光輻射輻照該圖案化裝置，該方法包含：取決於由該圖案化裝置吸收之該曝光輻射之一量而熱調節該圖案化裝置。
  5. 如請求項4之方法，其包含取決於表示以下各者中之至少一者之至少一個物理量而熱調節該圖案化裝置：每單位時間入射於該圖案化裝置上之該曝光輻射之一量；由該圖案化裝置吸收之入射於該圖案化裝置上之該曝光輻射之一比例；該曝光輻射掃描該圖案化裝置所藉以的一掃描速度；及該曝光輻射掃描該圖案化裝置所沿著的一曝光路徑之一長度。
  6. 如請求項4之方法，其進一步包含：將氣體作為一熱調節流供應至該圖案化裝置；及控制以下各者中之至少一者：供應至該圖案化裝置之該氣體之一溫度；及供應至該圖案化裝置之該氣體之一流動速率。
  7. 如請求項4之方法，其包含：取決於與一基板堆疊之一第一層之曝光相關聯的至少一個物理量而熱調節該圖案化裝置；及取決於與一基板堆疊之一第二層之曝光相關聯的至少一個物理量而熱調節該圖案化裝置；其中與該第一層之曝光相關聯的該至少一個物理量不同於與該第二層之曝光相關聯的該至少一個物理量。
  8. 如請求項7之方法，其包含：控制以下各者中之至少一者：經供應至該圖案化裝置的氣體之一溫度，使得曝光該第一層時之氣體之該溫度不同於曝光該第二層時之氣體之該溫度；及供應至該圖案化裝置的氣體之一流動速率，使得曝光該第一層時之氣體之該流動速率不同於曝光該第二層時之氣體之該流動速率。
  9. 如請求項4至8中任一項之方法，其包含在用於在一批基板中之每一者上形成一經圖案化層之一成批曝光操作期間熱調節該圖案化裝置，使得在該成批曝光操作期間之該圖案化裝置的該溫度實質上匹配在用於在一批基板中之每一者上形成另一經圖案化層之另一成批曝光操作期間之一圖案化裝置的一已知溫度。
  10. 如請求項4至8中任一項之方法，其包含在用於在一基板上形成一經圖案化層之一基板曝光操作期間熱調節該圖案化裝置，使得在該基板曝光操作期間之該圖案化裝置的該溫度實質上匹配在用於在一基板上形成另一經圖案化層之另一基板曝光操作期間之一圖案化裝置的一已知溫度。
TW106109281A 2016-03-24 2017-03-21 圖案化裝置冷卻系統及熱調節圖案化裝置的方法 TWI646403B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP16162204 2016-03-24
??16162204.8 2016-03-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201800870A TW201800870A (zh) 2018-01-01
TWI646403B true TWI646403B (zh) 2019-01-01

Family

ID=55637240

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106109281A TWI646403B (zh) 2016-03-24 2017-03-21 圖案化裝置冷卻系統及熱調節圖案化裝置的方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10495986B2 (zh)
JP (1) JP2019509521A (zh)
CN (1) CN108885406B (zh)
NL (1) NL2018383A (zh)
TW (1) TWI646403B (zh)
WO (1) WO2017162377A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2018383A (en) * 2016-03-24 2017-10-02 Asml Netherlands Bv Patterning device cooling system and method of thermally conditioning a patterning device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001217177A (ja) * 2000-02-01 2001-08-10 Canon Inc 露光装置及び露光方法
TW201227858A (en) * 2010-11-30 2012-07-01 Asml Netherlands Bv Method of operating a patterning device and lithographic apparatus

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57169244A (en) 1981-04-13 1982-10-18 Canon Inc Temperature controller for mask and wafer
US4617622A (en) 1985-06-27 1986-10-14 Westinghouse Electric Corp. Switching time correction circuit for electronic inverters
JPH06260387A (ja) * 1993-03-09 1994-09-16 Nippon Steel Corp 縮小投影露光装置
JP3622867B2 (ja) 1995-04-13 2005-02-23 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JPH09102450A (ja) 1995-10-04 1997-04-15 Hitachi Ltd 露光装置
JPH09275070A (ja) 1996-04-05 1997-10-21 Sony Corp 露光装置
JP2000068193A (ja) * 1998-08-18 2000-03-03 Canon Inc 露光方法およびデバイス製造方法
US6445439B1 (en) * 1999-12-27 2002-09-03 Svg Lithography Systems, Inc. EUV reticle thermal management
JP2004063847A (ja) 2002-07-30 2004-02-26 Nikon Corp 露光装置、露光方法、及びステージ装置
US7132206B2 (en) 2002-09-17 2006-11-07 International Business Machines Corporation Process and apparatus for minimizing thermal gradients across an advanced lithographic mask
JP2006295148A (ja) * 2005-03-18 2006-10-26 Canon Inc 露光装置
JP2008103409A (ja) 2006-10-17 2008-05-01 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd 露光装置
JP2010080855A (ja) 2008-09-29 2010-04-08 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
JP5438670B2 (ja) 2009-03-27 2014-03-12 株式会社アドバンテスト マルチコラム電子線描画用マスク保持装置及びマルチコラム電子線描画装置
DE102009036953A1 (de) 2009-08-11 2011-02-24 Süss Micro Tec Lithography GmbH Verfahren und Vorrichtung zum Konstanthalten der Maskenabmessungen in der Maskenebene bei der Lithografie
JP5717045B2 (ja) 2010-06-14 2015-05-13 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
WO2014005780A1 (en) * 2012-07-06 2014-01-09 Asml Netherlands B.V. A lithographic apparatus
US20150212432A1 (en) 2012-09-25 2015-07-30 Asml Netherlands B.V. Reticle Heater to Keep Reticle Heating Uniform
WO2014067802A1 (en) * 2012-10-31 2014-05-08 Asml Holding N.V. Patterning device support, lithographic apparatus, and method of controlling patterning device temperature
US9081293B2 (en) * 2013-03-12 2015-07-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for lithography exposure with correction of overlay shift induced by mask heating
NL2018383A (en) * 2016-03-24 2017-10-02 Asml Netherlands Bv Patterning device cooling system and method of thermally conditioning a patterning device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001217177A (ja) * 2000-02-01 2001-08-10 Canon Inc 露光装置及び露光方法
TW201227858A (en) * 2010-11-30 2012-07-01 Asml Netherlands Bv Method of operating a patterning device and lithographic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017162377A1 (en) 2017-09-28
TW201800870A (zh) 2018-01-01
US20200103767A1 (en) 2020-04-02
JP2019509521A (ja) 2019-04-04
US10495986B2 (en) 2019-12-03
CN108885406A (zh) 2018-11-23
US20190101837A1 (en) 2019-04-04
US11036148B2 (en) 2021-06-15
CN108885406B (zh) 2020-09-11
NL2018383A (en) 2017-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI420258B (zh) 微影裝置及元件製造方法
KR100705497B1 (ko) 기판을 지지하거나 및/또는 열적으로 콘디셔닝하는 장치,방법, 지지테이블 및 척
TWI592767B (zh) 在光罩載台環境中之氣流最佳化
JP2007318131A (ja) リソグラフィ装置および熱ひずみを小さくする方法
TWI590007B (zh) 藉由非均勻氣流的光罩冷卻
US10642166B2 (en) Patterning device cooling apparatus
KR101676741B1 (ko) 리소그래피 방법 및 장치
TWI596441B (zh) 用於微影裝置之調節系統及方法及包含一調節系統之微影裝置
TWI646403B (zh) 圖案化裝置冷卻系統及熱調節圖案化裝置的方法
JP6726792B2 (ja) パターニングデバイス冷却装置
TWI575336B (zh) 微影裝置及元件製造方法
WO2024260740A2 (en) Reticle conditioning for lithography applications
TW202105078A (zh) 具有改進污染微粒捕獲之微影設備及方法
TW202043935A (zh) 具有熱控制系統之微影裝置及方法