JP5438670B2 - マルチコラム電子線描画用マスク保持装置及びマルチコラム電子線描画装置 - Google Patents
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
Description
図8は、マスク保持装置本体54の表面に形成される気体供給溝及び気体吸収溝の一例を示した平面図である。
また、気体供給溝88は適宜その面積を狭くして、内側の気体吸収溝83〜86と外側の気体吸収溝87の間にCPマスク基板51との吸着状態をより高めるために静電チャックを設けるようにしてもよい。
Claims (6)
- 複数のコラムからなるマルチコラム電子線描画装置に使用されるマルチコラム電子線描画用マスク保持装置であって、
マスクを保持するとともに当該マスクを冷却する保持装置本体部と、
前記マスクの冷却用の気体を発生する気体発生部と、
前記気体の温度及び流量を制御する制御部と、
を有し、
前記マスク保持装置本体部は、
前記気体発生部で発生された気体を前記マスクに供給する気体供給管と、
前記気体を吸収する気体吸収管と、
前記各コラムで使用される一群のキャラクタープロジェクションパターン(CPパターン)が一つの基板の各コラム毎の領域に形成された一体基板が載置されたときに前記各一群のCPパターンの周囲を二重に囲むように形成され前記気体吸収管と接続された気体吸収溝と、
前記二重の気体吸収溝の間に形成され前記気体供給管と接続された気体供給溝と、
を備えることを特徴とするマルチコラム電子線描画用マスク保持装置。 - 前記気体は、ヘリウムガス、オゾンガス、酸素ガス、窒素ガス又は水素ガスのいずれかであることを特徴とする請求項1に記載のマルチコラム電子線描画用マスク保持装置。
- 更に、前記マスク保持装置本体部は、前記一体基板を吸着するジョンソンラーベック型の静電チャックを備えることを特徴とする請求項1に記載のマルチコラム電子線描画用マスク保持装置。
- 前記制御部は、前記気体を0.2〜0.5[sccm]で供給することを特徴とする請求項1に記載のマルチコラム電子線描画用マスク保持装置。
- 請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のマルチコラム電子線描画用マスク保持装置を備えたことを特徴とするマルチコラム電子線描画装置。
- 複数のコラムからなるマルチコラム電子線描画装置に使用されるマルチコラム電子線描画用マスク保持装置であって、
マスクを保持するとともに当該マスクを冷却する保持装置本体部と、
前記マスクの冷却用の気体を発生する気体発生部と、
前記気体の温度及び流量を制御する制御部と、
を有し、
前記マスク保持装置本体部は、
前記気体発生部で発生された気体を前記マスクに供給する気体供給管と、
前記気体を吸収する気体吸収管と、
前記各コラムで使用される一群のキャラクタープロジェクションパターン(CPパターン)が一つの基板の各コラム毎の領域に形成された一体基板が載置されたときに前記各一群のCPパターンの周囲を一重に囲み、かつ、前記各一群のCPパターンの全体の周囲を一重に囲むように形成された気体吸収溝と、
前記二重の気体吸収溝の間に形成され前記気体供給管と接続された気体供給溝と、
を有することを特徴とするマルチコラム電子線描画用マスク保持装置。
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