JPH09275070A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH09275070A JPH09275070A JP8108712A JP10871296A JPH09275070A JP H09275070 A JPH09275070 A JP H09275070A JP 8108712 A JP8108712 A JP 8108712A JP 10871296 A JP10871296 A JP 10871296A JP H09275070 A JPH09275070 A JP H09275070A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レチクルの温度を調節することによりレチク
ルの熱膨張を防止し、アライメント精度を保持すること
ができる露光装置を提供する。 【解決手段】 温度調節器２２により窒素ガス２１の温
度を調節し、吹き出し口２３ａからレチクル６に吹きつ
ける。吹き出し口２３ａは、レチクル６の片側に対向し
て形成されている。レチクル６の近傍には、レチクル６
と同一の材質で形成された温度観測体２５が配設されて
いる。温度センサ２６がこの温度観測体２５の温度を測
定することにより、レチクル６の温度を検出する。制御
装置２８は、この測定温度に基づき、窒素ガス２１の調
節温度を決定し、温度調節器２２を制御する。
ルの熱膨張を防止し、アライメント精度を保持すること
ができる露光装置を提供する。 【解決手段】 温度調節器２２により窒素ガス２１の温
度を調節し、吹き出し口２３ａからレチクル６に吹きつ
ける。吹き出し口２３ａは、レチクル６の片側に対向し
て形成されている。レチクル６の近傍には、レチクル６
と同一の材質で形成された温度観測体２５が配設されて
いる。温度センサ２６がこの温度観測体２５の温度を測
定することにより、レチクル６の温度を検出する。制御
装置２８は、この測定温度に基づき、窒素ガス２１の調
節温度を決定し、温度調節器２２を制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレチクル（フォトマ
スク）に形成されたパターンを被露光体に転写するため
の露光装置に係り、特に、短波長の光源を用いて露光を
行う露光装置に関する。
スク）に形成されたパターンを被露光体に転写するため
の露光装置に係り、特に、短波長の光源を用いて露光を
行う露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の製造においては、露光装置
によるパターン形成が広く行われている。この露光装置
において一般的に使用される露光波長は４３６ｎｍ（ｇ
線）であり、レチクルには合成石英製のものが用いられ
ている。これは、合成石英は紫外線透過率が高いので、
露光光のエネルギー集中による熱膨張があまり問題とな
らず、アライメント（重ね合わせ）精度を高く保持する
ことができるからである。
によるパターン形成が広く行われている。この露光装置
において一般的に使用される露光波長は４３６ｎｍ（ｇ
線）であり、レチクルには合成石英製のものが用いられ
ている。これは、合成石英は紫外線透過率が高いので、
露光光のエネルギー集中による熱膨張があまり問題とな
らず、アライメント（重ね合わせ）精度を高く保持する
ことができるからである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
半導体素子の高集積化（すなわち微細化）に伴い、露光
波長は３６５ｎｍ（ｉ線）と短波長化してきており、露
光光の透過率はｇ線の場合に比べて低下してしまってい
る。そのため、露光時におけるレチクルのエネルギー集
中による熱膨張を無視することができなくなってきた。
半導体素子の高集積化（すなわち微細化）に伴い、露光
波長は３６５ｎｍ（ｉ線）と短波長化してきており、露
光光の透過率はｇ線の場合に比べて低下してしまってい
る。そのため、露光時におけるレチクルのエネルギー集
中による熱膨張を無視することができなくなってきた。
【０００４】すなわち、ウエハ内の全ショットを確定し
たのちその位置を基準として露光をする通常の露光工程
では、このように露光中にレチクルが熱膨張するとアラ
イメント精度が低下してしまうという問題があった。そ
のため高い精度でパターンを転写することができず、近
年の半導体素子の微細化の要求に十分答えることができ
なかった。
たのちその位置を基準として露光をする通常の露光工程
では、このように露光中にレチクルが熱膨張するとアラ
イメント精度が低下してしまうという問題があった。そ
のため高い精度でパターンを転写することができず、近
年の半導体素子の微細化の要求に十分答えることができ
なかった。
【０００５】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、レチクルの温度を調節することによ
りレチクルの熱膨張を防止し、アライメント精度を保持
することができる露光装置を提供することにある。
ので、その目的は、レチクルの温度を調節することによ
りレチクルの熱膨張を防止し、アライメント精度を保持
することができる露光装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る露光装置
は、光源と被露光体との間の光路中にレチクルを配設し
レチクルに形成されたパターンを被露光体に転写するも
のにおいて、レチクルに温調媒体を吹きつけることによ
りレチクルの温度を調節するためのレチクル温度調節手
段を備えたものである。
は、光源と被露光体との間の光路中にレチクルを配設し
レチクルに形成されたパターンを被露光体に転写するも
のにおいて、レチクルに温調媒体を吹きつけることによ
りレチクルの温度を調節するためのレチクル温度調節手
段を備えたものである。
【０００７】この露光装置では、光源から発生された露
光光がレチクルに形成されたパターンに応じてレチクル
を通過し、被露光体に到達する。これにより被露光体が
選択的に露光される。このとき、レチクル温度調節手段
は、レチクルに温調媒体を吹きつけレチクルを所定の温
度に調節する。
光光がレチクルに形成されたパターンに応じてレチクル
を通過し、被露光体に到達する。これにより被露光体が
選択的に露光される。このとき、レチクル温度調節手段
は、レチクルに温調媒体を吹きつけレチクルを所定の温
度に調節する。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【０００９】図１は本発明の第１の実施の形態に係る露
光装置の構成を表すものである。この露光装置は光源と
して超高圧水銀灯１を備えている。この超高圧水銀灯１
から発生された露光光は、超高圧水銀灯１の周囲に配設
された楕円鏡２および光路中に配設された４枚の反射板
３を介してウエハ載置台４の上に載置されたウエハＭ
（すなわち被露光体）に照射されるようになっている。
光装置の構成を表すものである。この露光装置は光源と
して超高圧水銀灯１を備えている。この超高圧水銀灯１
から発生された露光光は、超高圧水銀灯１の周囲に配設
された楕円鏡２および光路中に配設された４枚の反射板
３を介してウエハ載置台４の上に載置されたウエハＭ
（すなわち被露光体）に照射されるようになっている。
【００１０】超高圧水銀灯１とウエハＭとの間の光路中
には、コンデンサレンズ５，合成石英製のレチクル６お
よび縮小投影レンズ７が超高圧水銀灯１の方から順番に
配設されている。コンデンサレンズ５は、超高圧水銀灯
１から発生された露光光をレチクル６に集めるものであ
る。レチクル６には、ウエハＭに転写するパターンが形
成されており、このパターンに応じて超高圧水銀灯１か
ら発生された露光光を選択的に通過させるようになって
いる。縮小投影レンズ７は、レチクル６を通過した露光
光をウエハＭに向かって集光するものであって、レチク
ル６のパターンが縮小されてウエハＭに投影されるよう
になっている。また、レチクル６にはレチクル温度調節
部２０が配設されているが、その詳細な構成については
後述する。
には、コンデンサレンズ５，合成石英製のレチクル６お
よび縮小投影レンズ７が超高圧水銀灯１の方から順番に
配設されている。コンデンサレンズ５は、超高圧水銀灯
１から発生された露光光をレチクル６に集めるものであ
る。レチクル６には、ウエハＭに転写するパターンが形
成されており、このパターンに応じて超高圧水銀灯１か
ら発生された露光光を選択的に通過させるようになって
いる。縮小投影レンズ７は、レチクル６を通過した露光
光をウエハＭに向かって集光するものであって、レチク
ル６のパターンが縮小されてウエハＭに投影されるよう
になっている。また、レチクル６にはレチクル温度調節
部２０が配設されているが、その詳細な構成については
後述する。
【００１１】コンデンサレンズ５と超高圧水銀灯１との
間の光路中には、シャッター８，フライアイレンズ９お
よびレチクルブラインド１０が超高圧水銀灯１の方から
順番に配設されている。このシャッター８は、超高圧水
銀灯１から発生された露光光を間欠的に遮断するもので
ある。フライアイレンズ９は、１つの点光源である超高
圧水銀灯１から発生された露光光を複数の点光源から発
生されたように見せかけ、ウエハＭに照射する露光光の
強度をウエハＭに対して均一とするものである。レチク
ルブラインド１０はレチクルパターンの露光範囲外の領
域を覆うための遮光板である。
間の光路中には、シャッター８，フライアイレンズ９お
よびレチクルブラインド１０が超高圧水銀灯１の方から
順番に配設されている。このシャッター８は、超高圧水
銀灯１から発生された露光光を間欠的に遮断するもので
ある。フライアイレンズ９は、１つの点光源である超高
圧水銀灯１から発生された露光光を複数の点光源から発
生されたように見せかけ、ウエハＭに照射する露光光の
強度をウエハＭに対して均一とするものである。レチク
ルブラインド１０はレチクルパターンの露光範囲外の領
域を覆うための遮光板である。
【００１２】図２は本実施の形態に係る露光装置のレチ
クル温度調節部２０の構成を表すものである。このレチ
クル温度調節部２０は、レチクル６の温度を所定の基準
温度に保持するためのものであり、媒体温度調節手段と
しての温度調節器２２により温度が調節された温調媒体
を用いてレチクル６の温度を調節するようになってい
る。なお、本実施の形態においては、温度媒体として窒
素（Ｎ2 ）ガス２１を用いている。
クル温度調節部２０の構成を表すものである。このレチ
クル温度調節部２０は、レチクル６の温度を所定の基準
温度に保持するためのものであり、媒体温度調節手段と
しての温度調節器２２により温度が調節された温調媒体
を用いてレチクル６の温度を調節するようになってい
る。なお、本実施の形態においては、温度媒体として窒
素（Ｎ2 ）ガス２１を用いている。
【００１３】温度調節器２２は、ガス取入口２２ａから
取り入れた窒素ガス２１の温度を調節するものである。
ガス取入口２２ａにはファン２２ｂが配設されており、
窒素ガス２１を順次取り入れることができるようになっ
ている。また、温度調節器２２は、温度を調節した窒素
ガス２１をガス排出口２２ｃを介して媒体供給管として
のガス供給管２３に順次排出するようになっている。温
度調節器２２にはフィルター２２ｄが配設されており、
窒素ガス２１に含まれるダストなどを除去することがで
きるようになっている。なお、温度調節器２２は、所望
に応じて窒素ガス２１の湿度も適宜に調節することがで
きるようになっている。
取り入れた窒素ガス２１の温度を調節するものである。
ガス取入口２２ａにはファン２２ｂが配設されており、
窒素ガス２１を順次取り入れることができるようになっ
ている。また、温度調節器２２は、温度を調節した窒素
ガス２１をガス排出口２２ｃを介して媒体供給管として
のガス供給管２３に順次排出するようになっている。温
度調節器２２にはフィルター２２ｄが配設されており、
窒素ガス２１に含まれるダストなどを除去することがで
きるようになっている。なお、温度調節器２２は、所望
に応じて窒素ガス２１の湿度も適宜に調節することがで
きるようになっている。
【００１４】ガス供給管２３は、温度調節器２２からレ
チクル６の近傍まで延長されている。なお、レチクル６
はレチクル載置台６ａの上に載置されており、レチクル
載置台６ａの上にはレチクル６の周囲を囲うように囲い
部２４が設けられている。なお、この囲い部２４は、レ
チクル６が矩形状であることに対応して矩形状となって
いる。ガス供給管２３は、この囲い部２４の内側まで案
内されており、囲い部２４の内周面にそって配設されて
いる。
チクル６の近傍まで延長されている。なお、レチクル６
はレチクル載置台６ａの上に載置されており、レチクル
載置台６ａの上にはレチクル６の周囲を囲うように囲い
部２４が設けられている。なお、この囲い部２４は、レ
チクル６が矩形状であることに対応して矩形状となって
いる。ガス供給管２３は、この囲い部２４の内側まで案
内されており、囲い部２４の内周面にそって配設されて
いる。
【００１５】囲い部２４の内部に配設されたガス供給管
２３の内周面には、複数の吹き出し口２３ａが形成され
ており、窒素ガス２１をレチクル６に向かって吹き出す
ことができるようになっている。この各吹き出し口２３
ａは、レチクル６の片側に対向するようにそれぞれ形成
されている。なお、本実施の形態においては、図２にお
いて一点破線で示したレチクル６の対角線を境界線とし
て、その片側（図２においては上方側）の側面に対向す
るようにそれぞれ形成されている。
２３の内周面には、複数の吹き出し口２３ａが形成され
ており、窒素ガス２１をレチクル６に向かって吹き出す
ことができるようになっている。この各吹き出し口２３
ａは、レチクル６の片側に対向するようにそれぞれ形成
されている。なお、本実施の形態においては、図２にお
いて一点破線で示したレチクル６の対角線を境界線とし
て、その片側（図２においては上方側）の側面に対向す
るようにそれぞれ形成されている。
【００１６】これは、囲い部２４の内側に吹き出し口２
３ａが設けられた吹き出し側２４ａと吹き出し口２３ａ
が設けられた非吹き出し側２４ｂとを互いに対向するよ
うに形成することにより、図３に示したように、窒素ガ
ス２１を吹き出し側２４ａから非吹き出し側２４ｂに向
かって効率よく流動させ、レチクル６に窒素ガス２１を
効率よく吹きつけるためである。
３ａが設けられた吹き出し側２４ａと吹き出し口２３ａ
が設けられた非吹き出し側２４ｂとを互いに対向するよ
うに形成することにより、図３に示したように、窒素ガ
ス２１を吹き出し側２４ａから非吹き出し側２４ｂに向
かって効率よく流動させ、レチクル６に窒素ガス２１を
効率よく吹きつけるためである。
【００１７】囲い部２４の内側には、また、レチクル６
に近接して複数の温度観測体２５が配設されている。こ
の各温度観測体２５は、レチクル６と同一の材質（すな
わち合成石英）によってそれぞれ構成されている。各温
度観測体２５には、温度検出手段としての温度センサ２
６がそれぞれ配設されており、各温度観測体２５の温度
を測定することによりこの温度をレチクル６の温度と擬
制して間接的にレチクル６の温度を測定するようになっ
ている。
に近接して複数の温度観測体２５が配設されている。こ
の各温度観測体２５は、レチクル６と同一の材質（すな
わち合成石英）によってそれぞれ構成されている。各温
度観測体２５には、温度検出手段としての温度センサ２
６がそれぞれ配設されており、各温度観測体２５の温度
を測定することによりこの温度をレチクル６の温度と擬
制して間接的にレチクル６の温度を測定するようになっ
ている。
【００１８】各温度センサ２６は、温度モニタ部２７を
介して制御装置２８にそれぞれ接続されており、測定温
度を温度モニタ部２７および制御装置２８にそれぞれ送
信するようになっている。制御装置２８は、それらの測
定温度を基準温度と比較し窒素ガス２１の温度を変更す
る必要があるか否かを判断し、変更する必要がある場合
には温度調節器２２に信号を送信して温度調節器２２を
制御するようになっている。
介して制御装置２８にそれぞれ接続されており、測定温
度を温度モニタ部２７および制御装置２８にそれぞれ送
信するようになっている。制御装置２８は、それらの測
定温度を基準温度と比較し窒素ガス２１の温度を変更す
る必要があるか否かを判断し、変更する必要がある場合
には温度調節器２２に信号を送信して温度調節器２２を
制御するようになっている。
【００１９】なお、ガス供給管２３には、所望に応じて
ダストなどを除去するフィルター２３ｂが配設されてい
る。
ダストなどを除去するフィルター２３ｂが配設されてい
る。
【００２０】このような構成を有する露光装置は、次の
ようにして用いられる。
ようにして用いられる。
【００２１】まず、超高圧水銀灯１を点灯し、ウエハ載
置台４にウエハＭを載置したのち、シャッター８を開放
する。これにより、超高圧水銀灯１から発生された露光
光は、フライアイレンズ９，レチクルブラインド１０お
よびコンデンサレンズ５を通過してレチクル６に照射さ
れる。レチクル６に照射された光は、そのパターンに応
じてレチクル６を通過し、縮小投影レンズ７によって縮
小されてウエハＭに照射される。
置台４にウエハＭを載置したのち、シャッター８を開放
する。これにより、超高圧水銀灯１から発生された露光
光は、フライアイレンズ９，レチクルブラインド１０お
よびコンデンサレンズ５を通過してレチクル６に照射さ
れる。レチクル６に照射された光は、そのパターンに応
じてレチクル６を通過し、縮小投影レンズ７によって縮
小されてウエハＭに照射される。
【００２２】ウエハＭは、これによりレチクル６のパタ
ーンに応じて露光され、レチクル６のパターンが転写さ
れる。
ーンに応じて露光され、レチクル６のパターンが転写さ
れる。
【００２３】このとき、レチクル６は、レチクル温度調
節部２０により次のようにして基準温度に保持される。
図４は温度調節部２０の動作手順を表すものである。
節部２０により次のようにして基準温度に保持される。
図４は温度調節部２０の動作手順を表すものである。
【００２４】まず、温度調節器２２では、ファン２２ｂ
によって窒素ガス２１をガス取入口２２ａから取り入
れ、適宜の温度に設定する（ステップＳ１）。
によって窒素ガス２１をガス取入口２２ａから取り入
れ、適宜の温度に設定する（ステップＳ１）。
【００２５】次いで、この窒素ガス２１をガス排出口２
２ｃを介してガス供給管２３に排出し、各吹き出し口２
３ａからそれぞれ吹き出させ、レチクル６に吹きつける
（ステップＳ２）。これによりレチクル６は窒素ガス２
１の温度に応じた温度となる。また、レチクル６に近接
して配設された各温度観測体２５も、レチクル６とほぼ
同じ温度となる。
２ｃを介してガス供給管２３に排出し、各吹き出し口２
３ａからそれぞれ吹き出させ、レチクル６に吹きつける
（ステップＳ２）。これによりレチクル６は窒素ガス２
１の温度に応じた温度となる。また、レチクル６に近接
して配設された各温度観測体２５も、レチクル６とほぼ
同じ温度となる。
【００２６】ここにおいて、各温度センサ２６では、各
温度観測体２５の温度をそれぞれ測定してレチクル６の
温度を間接的に測定する（ステップＳ３）。そののち、
この各測定温度を温度モニタ部２７を介して制御装置２
８にそれぞれ送る（ステップＳ４）。
温度観測体２５の温度をそれぞれ測定してレチクル６の
温度を間接的に測定する（ステップＳ３）。そののち、
この各測定温度を温度モニタ部２７を介して制御装置２
８にそれぞれ送る（ステップＳ４）。
【００２７】各測定温度が送られてくると、制御装置２
８では、その各測定温度に基づき、窒素ガス２１の温度
を変更する必要があるか否かを判断する（ステップＳ
５）。すなわち、各測定温度がレチクル６の基準温度と
ほぼ一致しているときには、窒素ガス２１の温度を変更
する必要がないと判断し、一致していないときには、窒
素ガス２１の温度を変更する必要があると判断する。
８では、その各測定温度に基づき、窒素ガス２１の温度
を変更する必要があるか否かを判断する（ステップＳ
５）。すなわち、各測定温度がレチクル６の基準温度と
ほぼ一致しているときには、窒素ガス２１の温度を変更
する必要がないと判断し、一致していないときには、窒
素ガス２１の温度を変更する必要があると判断する。
【００２８】窒素ガス２１の温度を変更する必要がない
と判断した場合には（ステップＳ５；Ｎ）、制御装置２
８は、温度調節器２２に信号を送らず、現状を維持す
る。すなわち、現在の温度でステップＳ２からステップ
Ｓ５が再び繰り返される。
と判断した場合には（ステップＳ５；Ｎ）、制御装置２
８は、温度調節器２２に信号を送らず、現状を維持す
る。すなわち、現在の温度でステップＳ２からステップ
Ｓ５が再び繰り返される。
【００２９】一方、窒素ガス２１の温度を変更する必要
があると判断した場合（ステップＳ５；Ｙ）には、制御
装置２８は、窒素ガス２１の調節温度を算出する（ステ
ップＳ６）。そののち、この調節温度を温度調節器２２
に送る（ステップＳ７）。
があると判断した場合（ステップＳ５；Ｙ）には、制御
装置２８は、窒素ガス２１の調節温度を算出する（ステ
ップＳ６）。そののち、この調節温度を温度調節器２２
に送る（ステップＳ７）。
【００３０】温度調節器２２では、それに基づき、窒素
ガス２１の温度を変更する（ステップＳ８）。そして、
変更した温度でステップＳ２からステップＳ５が再び繰
り返される。
ガス２１の温度を変更する（ステップＳ８）。そして、
変更した温度でステップＳ２からステップＳ５が再び繰
り返される。
【００３１】これによりレチクル６の温度は基準温度に
保持される。
保持される。
【００３２】このように本実施の形態に係る露光装置に
よれば、温度調節器２２により温度を調節した窒素ガス
２１をレチクル６に吹きつけることによりレチクル６の
温度を調節するようにしたので、レチクル６を一定の基
準温度に保持することができ、熱膨張によるアライメン
ト精度の低下を防止することができる。よって、ｉ線等
の短波長により露光を行っても高い精度でパターンを転
写することができ、半導体素子の微細化を図ることがで
きる。
よれば、温度調節器２２により温度を調節した窒素ガス
２１をレチクル６に吹きつけることによりレチクル６の
温度を調節するようにしたので、レチクル６を一定の基
準温度に保持することができ、熱膨張によるアライメン
ト精度の低下を防止することができる。よって、ｉ線等
の短波長により露光を行っても高い精度でパターンを転
写することができ、半導体素子の微細化を図ることがで
きる。
【００３３】また、各吹き出し口２３ａをレチクル６の
片側に対応するように形成しているので、窒素ガス２１
をレチクル６の周辺で効率よく流動させることができ、
レチクル６の温度を精度良く調節することができる。
片側に対応するように形成しているので、窒素ガス２１
をレチクル６の周辺で効率よく流動させることができ、
レチクル６の温度を精度良く調節することができる。
【００３４】更に、レチクル６に近接してレチクル６と
同一の材質で形成した温度観測体２５を配設し、この温
度観測体２５の温度を温度センサ２６によって測定する
ようにしたので、レチクル６の温度を簡単かつ正確に測
定することができる。従って、レチクル６の温度を精度
良く調節することができる。
同一の材質で形成した温度観測体２５を配設し、この温
度観測体２５の温度を温度センサ２６によって測定する
ようにしたので、レチクル６の温度を簡単かつ正確に測
定することができる。従って、レチクル６の温度を精度
良く調節することができる。
【００３５】図５は本発明の第２の実施の形態に係る露
光装置のレチクル温度調節部３０の構成を表すものであ
る。この露光装置は、レチクル温度調節部３０の構成の
一部が異なることを除き、他は第１の実施の形態と実質
的に同一である。よって、同一の構成要素には同一の符
号を付してその詳細な説明を省略する。
光装置のレチクル温度調節部３０の構成を表すものであ
る。この露光装置は、レチクル温度調節部３０の構成の
一部が異なることを除き、他は第１の実施の形態と実質
的に同一である。よって、同一の構成要素には同一の符
号を付してその詳細な説明を省略する。
【００３６】このレチクル温度調節部３０は、レチクル
６の近傍から温度調節器３２まで延長された媒体回収管
としてのガス回収管３９を有している。ガス回収管３９
のレチクル６側は囲い部２４の内側に案内されており、
非吹き出し側２４ｂの内周面にそって配設されている。
その内周面には複数の吸引口３９ａが形成されており、
各吹き出し口２３ａからレチクル６に吹き出された窒素
ガス２１を吸引口３９ａを介して回収管３９内に吸引す
るようになっている。すなわち、本実施の形態において
は、各吹き出し口２３ａと各吸引口３９ａとはレチクル
６の互いに対向する側に形成されており、窒素ガス２１
を効率よく流動させることができるようになっている。
６の近傍から温度調節器３２まで延長された媒体回収管
としてのガス回収管３９を有している。ガス回収管３９
のレチクル６側は囲い部２４の内側に案内されており、
非吹き出し側２４ｂの内周面にそって配設されている。
その内周面には複数の吸引口３９ａが形成されており、
各吹き出し口２３ａからレチクル６に吹き出された窒素
ガス２１を吸引口３９ａを介して回収管３９内に吸引す
るようになっている。すなわち、本実施の形態において
は、各吹き出し口２３ａと各吸引口３９ａとはレチクル
６の互いに対向する側に形成されており、窒素ガス２１
を効率よく流動させることができるようになっている。
【００３７】囲い部２４の上面には、図示しないが、合
成石英製の閉鎖板が配設されている。また、囲い部２４
の下面は、レチクル載置台６ａとレチクル６によって閉
鎖されている。すなわち、突条部２４の内側はガス供給
管２３およびガス回収管３９が配設されていることを除
き、閉鎖空間となっている。
成石英製の閉鎖板が配設されている。また、囲い部２４
の下面は、レチクル載置台６ａとレチクル６によって閉
鎖されている。すなわち、突条部２４の内側はガス供給
管２３およびガス回収管３９が配設されていることを除
き、閉鎖空間となっている。
【００３８】温度調節器３２のガス取入口２２ａには、
上記実施の形態におけるファン２２ｂに変えてガス回収
管３９が配設されている。また、温度調節器３２は、図
示しないが内部にファンを有しており、窒素ガスをガス
供給管２３，囲い部２４の内側およびガス回収管３９に
おいて循環させることができるようになっている。
上記実施の形態におけるファン２２ｂに変えてガス回収
管３９が配設されている。また、温度調節器３２は、図
示しないが内部にファンを有しており、窒素ガスをガス
供給管２３，囲い部２４の内側およびガス回収管３９に
おいて循環させることができるようになっている。
【００３９】このような構成を有する本実施の形態に係
る露光装置では、レチクル温度調節部３０において、露
光の際に窒素ガス２１を循環させることを除き、第１の
実施の形態と同様にしてレチクル６の温度を調節する。
る露光装置では、レチクル温度調節部３０において、露
光の際に窒素ガス２１を循環させることを除き、第１の
実施の形態と同様にしてレチクル６の温度を調節する。
【００４０】このように本実施の形態に係る露光装置に
よれば、窒素ガス２１を閉鎖空間内において循環させる
ので、窒素ガス２１の純度を高く保持することができ、
高純度が要求される半導体素子であっても精度よく露光
することができる。
よれば、窒素ガス２１を閉鎖空間内において循環させる
ので、窒素ガス２１の純度を高く保持することができ、
高純度が要求される半導体素子であっても精度よく露光
することができる。
【００４１】また、各吹き出し口２３ａと各吸引口３９
ａとは互いに対向する側に形成されているので、窒素ガ
ス２１をレチクル６の周辺で効率よく流動させることが
でき、レチクル６の温度を精度良く調節することができ
る。
ａとは互いに対向する側に形成されているので、窒素ガ
ス２１をレチクル６の周辺で効率よく流動させることが
でき、レチクル６の温度を精度良く調節することができ
る。
【００４２】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
においては、温調媒体として窒素ガス２１を用いたが、
窒素ガス２１に限ることなく、露光波長の吸収が少ない
その他のガスや液体などを用いることができる。すなわ
ち温調媒体の種類は露光波長に応じて適宜に決定するこ
とができる。例えば、半導体素子の製造で露光光として
一般的に用いられる遠紫外線に対しては、窒素ガス２１
などが適している。
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
においては、温調媒体として窒素ガス２１を用いたが、
窒素ガス２１に限ることなく、露光波長の吸収が少ない
その他のガスや液体などを用いることができる。すなわ
ち温調媒体の種類は露光波長に応じて適宜に決定するこ
とができる。例えば、半導体素子の製造で露光光として
一般的に用いられる遠紫外線に対しては、窒素ガス２１
などが適している。
【００４３】また、上記実施の形態においては、レチク
ル６を合成石英により形成したが、露光波長に応じて露
光波長の吸収が少ないものを選択することができる。
ル６を合成石英により形成したが、露光波長に応じて露
光波長の吸収が少ないものを選択することができる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る露光装
置によれば、レチクル温度調節手段によって温調媒体を
吹きつけてレチクルの温度を調節するようにしたので、
レチクルを基準温度に保持することができ、熱膨張によ
るアライメント精度の低下を防止することができる。よ
って、短波長により露光を行っても高い精度でパターン
を転写することができ、半導体素子の微細化を図ること
ができるという効果を奏する。
置によれば、レチクル温度調節手段によって温調媒体を
吹きつけてレチクルの温度を調節するようにしたので、
レチクルを基準温度に保持することができ、熱膨張によ
るアライメント精度の低下を防止することができる。よ
って、短波長により露光を行っても高い精度でパターン
を転写することができ、半導体素子の微細化を図ること
ができるという効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る露光装置を説
明するための構成図である。
明するための構成図である。
【図２】図１に示した露光装置のレチクル温度調節部を
説明するための構成図である。
説明するための構成図である。
【図３】図２に示したレチクル温度調節部内における温
調媒体の流れを説明するための概念図である。
調媒体の流れを説明するための概念図である。
【図４】図２において示したレチクル温度調節部の動作
手順を説明するための流れ図である。
手順を説明するための流れ図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る露光装置を説
明するための構成図である。
明するための構成図である。
１…超高圧水銀灯（光源）、６…レチクル、６ａ…レチ
クル載置台、２０，３０…レチクル温度調節部、２１…
窒素ガス（温調媒体）、２２，３２…温度調節器（媒体
温度調節手段）、２２ａ…ガス取入口、２２ｂ…ファ
ン、２２ｃ…ガス排出口、２２ｄ…フィルタ、２３…ガ
ス供給管（媒体供給管）、２３ａ…吹き出し口、２３ｂ
…フィルタ、２４…囲い部、２４ａ…吹き出し側、２４
ｂ…非吹き出し側、２５…温度観測体、２６…温度セン
サ（温度検出手段）、２７…温度モニタ部、２８…制御
装置、３９…ガス回収管（媒体回収管）、３９ａ…吸引
口、Ｍ…ウエハ（被露光体）
クル載置台、２０，３０…レチクル温度調節部、２１…
窒素ガス（温調媒体）、２２，３２…温度調節器（媒体
温度調節手段）、２２ａ…ガス取入口、２２ｂ…ファ
ン、２２ｃ…ガス排出口、２２ｄ…フィルタ、２３…ガ
ス供給管（媒体供給管）、２３ａ…吹き出し口、２３ｂ
…フィルタ、２４…囲い部、２４ａ…吹き出し側、２４
ｂ…非吹き出し側、２５…温度観測体、２６…温度セン
サ（温度検出手段）、２７…温度モニタ部、２８…制御
装置、３９…ガス回収管（媒体回収管）、３９ａ…吸引
口、Ｍ…ウエハ（被露光体）
Claims (9)
- 【請求項１】 光源と被露光体との間の光路中にレチク
ルを配設しレチクルに形成されたパターンを被露光体に
転写する露光装置であって、 レチクルに温調媒体を吹きつけることによりレチクルの
温度を調節するレチクル温度調節手段を備えたことを特
徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記レチクル温度調節手段は、 レチクルに吹きつけレチクルの温度を調節する温調媒体
と、 この温調媒体の温度を調節する媒体温度調節手段と、 レチクルと対向する位置に少なくとも１つの吹き出し口
を有し、温調媒体を前記媒体温度調節手段からレチクル
の近傍に案内して吹き出す媒体供給管とを備えたことを
特徴とする請求項１記載の露光装置。 - 【請求項３】 前記吹き出し口は、レチクルの片側に対
向して形成されたことを特徴とする請求項２記載の露光
装置。 - 【請求項４】 前記レチクル温度調節手段は、更に、 レチクルと対向する位置に少なくとも１つの吸引口を有
し、前記媒体供給管の吹き出し口から吹き出された温調
媒体をレチクルの近傍から吸引し前記媒体温度調節手段
に案内する媒体回収管とを備えたことを特徴とする請求
項２記載の露光装置。 - 【請求項５】 前記吹き出し口はレチクルの片側に対向
して形成されると共に、前記吸引口は前記吹き出し口に
対向する側に形成されたことを特徴とする請求項４記載
の露光装置。 - 【請求項６】 前記レチクル温度調節手段は、更に、 レチクルと同一の材質によって形成されると共に、レチ
クルの近傍であって前記吹き出し口から吹き出された前
記温調媒体が接触する位置に配設された温度観測体と、 この温度観測体に対して配設されており前記温度観測体
の温度を測定することによりレチクルの温度を間接的に
検出する温度検出手段とを備えたことを特徴とする請求
項２記載の露光装置。 - 【請求項７】 前記温調媒体は、気体であることを特徴
とする請求項１記載の露光装置。 - 【請求項８】 前記気体は、窒素ガスであることを特徴
とする請求項７記載の露光装置。 - 【請求項９】 前記レチクルは、石英により形成された
ことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8108712A JPH09275070A (ja) | 1996-04-05 | 1996-04-05 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8108712A JPH09275070A (ja) | 1996-04-05 | 1996-04-05 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09275070A true JPH09275070A (ja) | 1997-10-21 |
Family
ID=14491690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8108712A Pending JPH09275070A (ja) | 1996-04-05 | 1996-04-05 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09275070A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100555467B1 (ko) * | 1999-03-15 | 2006-03-03 | 삼성전자주식회사 | 온도 센서가 구비된 노광장치의 레티클 스테이지 및 이를 이용한 정렬 보정방법 |
| JP2012004157A (ja) * | 2010-06-14 | 2012-01-05 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| JP2012129558A (ja) * | 2003-05-28 | 2012-07-05 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| CN107976868A (zh) * | 2016-10-21 | 2018-05-01 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 一种浸没式掩模冷却装置及冷却方法 |
| EP3327506A1 (en) * | 2016-11-29 | 2018-05-30 | Semiconductor Manufacturing International Corporation (Shanghai) | Mask cooling apparatus and mask cooling method |
| US10495986B2 (en) | 2016-03-24 | 2019-12-03 | Asml Netherlands B.V. | Patterning device cooling system and method of thermally conditioning a patterning device |
| JP2020013140A (ja) * | 2012-07-06 | 2020-01-23 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置 |
-
1996
- 1996-04-05 JP JP8108712A patent/JPH09275070A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100555467B1 (ko) * | 1999-03-15 | 2006-03-03 | 삼성전자주식회사 | 온도 센서가 구비된 노광장치의 레티클 스테이지 및 이를 이용한 정렬 보정방법 |
| JP2012129558A (ja) * | 2003-05-28 | 2012-07-05 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
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| JP2020013140A (ja) * | 2012-07-06 | 2020-01-23 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置 |
| US10788763B2 (en) | 2012-07-06 | 2020-09-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| US10495986B2 (en) | 2016-03-24 | 2019-12-03 | Asml Netherlands B.V. | Patterning device cooling system and method of thermally conditioning a patterning device |
| US11036148B2 (en) | 2016-03-24 | 2021-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Patterning device cooling system and method of thermally conditioning a patterning device |
| CN107976868A (zh) * | 2016-10-21 | 2018-05-01 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 一种浸没式掩模冷却装置及冷却方法 |
| EP3327506A1 (en) * | 2016-11-29 | 2018-05-30 | Semiconductor Manufacturing International Corporation (Shanghai) | Mask cooling apparatus and mask cooling method |
| US10345719B2 (en) | 2016-11-29 | 2019-07-09 | Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | Mask cooling apparatus and mask cooling method |
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