JPH0982626A - 投影露光装置 - Google Patents

投影露光装置

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JPH0982626A
JPH0982626A JP7259366A JP25936695A JPH0982626A JP H0982626 A JPH0982626 A JP H0982626A JP 7259366 A JP7259366 A JP 7259366A JP 25936695 A JP25936695 A JP 25936695A JP H0982626 A JPH0982626 A JP H0982626A
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JP
Japan
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temperature
exposure apparatus
projection exposure
gas
projection
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JP7259366A
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English (en)
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Shinichi Takagi
伸一 高木
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Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece

Abstract

(57)【要約】 【課題】 投影光学系を支持する架台内部に設置された
ウエハステージ用の干渉計光路の温度ゆらぎを防止する
ことができる機構を備えた投影露光装置を提供する。 【解決手段】 投影露光装置は、レチクルRのパターン
の像をウエハW上に投影する投影光学系PLと、ウエハ
Wを保持して移動可能なウエハステージWSTと、ウエ
ハステージWSTの位置を測定するための干渉計60と
を備える。投影光学系PLを支持する架台23と隔壁5
4,55,56,57で囲まれ且つウエハステージWS
T及び干渉計60のビーム光路を含む空間内に、気体供
給手段35により温度センサ31,31’で測定された
上面39の内側温度とほぼ等しい温度に制御した気体を
供給する。架台23の内部空間を架台上面39の内側温
度とほぼ等しく且つ均一な温度で維持する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路や
液晶デバイス製造用の投影露光装置に関し、さらに詳細
には、投影光学系を支持する架台内部の温度を均一且つ
所定温度に維持するための空調系を備えた投影露光装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路や液晶基板の回路パター
ンをフォトリソグラフィー技術により半導体ウエハ上に
形成するための装置として投影露光装置が使用されてい
る。かかる投影露光装置は、照明系から射出された照明
光をレチクル(マスク)に照射してレチクルパターン像
を投影光学系を介して感光性基板上に結像する。この種
の装置は、微細な回路パターンを形成するために、高精
度な結像特性が要求され、さらに、基板上の同一領域に
複数のパターンを重ね合わせて露光するために、露光処
理する層と前回露光処理された層との間で高い重ね合わ
せ精度が要求される。一方、複数のレンズエレメント群
から構成された投影光学系は、周囲温度により倍率等の
結像特性が変化するために、上記のような高精度な結像
特性及び重ね合わせ特性を維持するには、周囲温度に対
して装置の安定性が必要となる。このため、従来より投
影露光装置は、温度コントロールされた恒温チャンバの
中に設置されている。例えば、チャンバ内の塵等が投影
露光装置に付着するのを防止するためにチャンバの天井
から投影光学系の光軸に平行に温度調節された空気を流
す所謂ダウンフロー型のチャンバが採用されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】投影露光装置におい
て、通常、投影光学系は装置の定盤上に固定された架台
に投影光学系の鏡筒部のフランジ等を介して支持されて
おり、架台内部の空間にはウエハ(感光性基板)を保持
し且つ走査方向に移動するためのウエハステージが設置
されている。また、ウエハステージの位置を観測するた
めに、ウエハステージの端部に設置した移動鏡にレーザ
ビームを照射しその反射光から測距する干渉計光路も架
台内部に含まれている。従来、この架台内部の空間に、
装置全体の空調系の温度と同じ温度の空気を供給する架
台内部専用の空調系を備えた投影露光装置が知られてい
る。
【0004】しかしながら、架台上面には、かかる干渉
計のレーザ光源や電気基板等が載置されており、これら
は装置内の発熱源となり得る。また、架台が支持してい
る投影光学系も照明光が透過するために熱を発生する。
それゆえ、架台上面の表面温度は恒温チャンバ内部の設
定温度よりも0.5〜1.5℃程度高くなっており、こ
れに伴い、架台内部の空間において架台上面と接する架
台上面の内側の温度は架台内部の中央及び下部の温度よ
り高くなり、架台内部空間において温度勾配を生じてい
た。この温度勾配は、干渉計光路上の空気の温度ゆらぎ
(屈折率の変動)をもたらし、干渉計によるウエハステ
ージの測距結果に数10nm程度の誤差を生じていた。
干渉計の測距誤差はウエハ上のショット領域の照射位置
誤差の原因となり、また、スリット状の照明光でレチク
ルを照明しながらレチクルとウエハを同期して走査する
走査型投影露光装置においてはレチクルステージとウエ
ハステージの移動の同期誤差という問題を生じ、ウエハ
上に形成されるレチクルパターン像の結像特性に重大な
影響を及ぼす。
【0005】本発明の目的は前記従来技術の問題点を解
決し、架台内部に設置されたウエハステージ用の干渉計
光路上の温度ゆらぎを防止することができる機構を備え
た投影露光装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の態様に従
えば、マスク上のパターンの像を感光基板上に投影する
投影光学系と、前記感光基板を保持して移動可能な基板
ステージと、該基板ステージの位置を測定するための干
渉計とを備えた投影露光装置において、前記投影光学系
を支持する架台と隔壁で囲まれた前記基板ステージ及び
前記干渉計ビーム光路を含む空間内に、該空間と接する
前記架台表面の温度とほぼ等しい温度に制御した気体を
供給する気体供給手段を備えたことを特徴とする上記投
影露光装置が提供される。架台内部に温度制御された気
体を供給する手段により、架台内部空間の温度を、架台
上面の内側面の温度とほぼ等しくし且つ架台内部で均一
化することができる。
【0007】本発明の投影露光装置において、上記気体
供給手段は、前記空間と接する前記架台表面に設けられ
る温度センサを有することが好ましく、この温度センサ
によって測定された架台表面温度にほぼ一致するような
温度の気体を架台内部に供給することができる。
【0008】また、前記気体供給手段は、前記気体の温
度を、前記空間と接する前記架台表面の複数点での温度
の平均値に設定することができる。架台上面には干渉計
用光源や電気基板等の種々の熱源が存在するために架台
内部表面の位置によって温度が異なるため、複数の温度
センサで各点の温度を測定し、供給気体温度をそれらの
平均温度に設定することが好ましい。特に、干渉計光路
付近での温度ゆらぎを防止するために、前記気体供給手
段から干渉計光路付近までの間に複数の温度センサを配
置し、それらの測定温度の平均温度に気体温度を設定す
るのが好ましい。
【0009】架台内部への活性な化学物質等の流入を防
止するために、前記気体供給手段は、それらの化学物質
等を供給する気体から除去又は不活性化するためのケミ
カルフィルタを有することが好ましい。
【0010】本発明の投影露光装置においては、前記マ
スクを遠紫外光で照射する照明光学系を有し、前記気体
供給手段は、前記気体として空気、窒素又はヘリウムを
使用することができる。特に、窒素又はヘリウムを使用
するのは、遠紫外の光源を使用することにより活性な励
起状態酸素の発生を防止するためである。
【0011】本発明は、前記干渉計の光源と、前記基板
ステージの移動を制御するための電気基板との少なくと
も一方が前記架台上に設置されている投影露光装置に適
用できる。これらの発熱源の存在による架台内部に設置
された干渉計用光路上の温度ゆらぎを本発明により有効
に防止することができる。
【0012】本発明は、前記投影露光装置を収納するチ
ャンバ内の温度をほぼ一定に維持するために、前記マス
クの上方から前記投影光学系の光軸とほぼ平行に温度制
御された気体を流す空調手段を備えた投影露光装置に適
用できる。
【0013】
【実施例】以下、本発明による投影露光装置の一実施例
を図面を参照しながら説明する。図1に、レチクルRと
ウエハWとをレチクルRの照明領域に対して同期して走
査しながら露光する走査型の投影露光装置の一例を示
す。この走査型投影露光装置は、光源及び照明光学系
(共に図示しない)、レチクルRを走査方向に移動する
レチクルステージRST、レチクルRに形成されたパタ
ーン像をウエハW上に投影する投影光学系PL、ウエハ
WをレチクルRの走査と同期して移動するウエハステー
ジWST、ウエハの位置合わせ用のアライメント系13
〜18、投影光学系PLを支持する架台23から主に構
成されている。これらの主要構成要素は、光源及び照明
光学系を除いて、恒温チャンバ1内に設置されている。
恒温チャンバ1内では、通常のクリーンルームよりも精
度の高い温度制御がなされており、例えば、クリーンル
ームの温度制御が±2〜3℃の範囲であるのに対して、
恒温チャンバ1内では±0.1℃程度に保たれている。
また、図示した投影露光装置は、ダウンフロー型の投影
露光装置であり、空気中に浮遊する粒子が装置に付着す
るのを防止するためにチャンバ1の天井に空気流吹き出
し口2が設置されており、吹き出し口2から投影光学系
PLの光軸に沿ってチャンバ床方向に温度制御された空
気流が流動する。チャンバ1、特に投影光学系PLを含
む露光装置本体部にクリーンルーム内に浮遊する異物
(ゴミ)、硫酸イオンやアンモニウムイオン等が流入す
るのを防止するため、HEPA(またはULPA)フィ
ルター、及びケミカルフィルターが、チャンバ1の空気
取り入れ口または吹き出し口2の近傍に配置されてい
る。
【0014】投影露光装置本体において、光源及び照明
光学系は、一般に、レチクルステージRSTの上方に配
置されている。照明光源は、例えば、超高圧水銀ランプ
の輝線であるi線やg線、KrF,ArFエキシマレー
ザ光、あるいは金属蒸気レーザ光等の紫外域の光源が用
いられる。照明光学系は均一な照度を達成するためのフ
ライアイレンズ、光路を開閉するためのシャッター、照
明領域を制限するための可変ブラインドあるいは、リレ
ーレンズ等により構成されており、光源及び照明光学系
からの照明光で、回路パターン等が描かれたレチクルR
をほぼ照度均一且つ所定の立体角で照明する。近年で
は、解像力を増すために、輪帯状照明、あるいは、傾斜
照明等が可能な構成になっている。
【0015】レチクルステージRSTは、投影光学系P
Lの上方に設置され、リニアモータ等で構成されたレチ
クル駆動部(図示しない)により、走査方向(X方向)
に所定の走査速度(Vr)で移動可能である。レチクル
ステージRSTは、そのX方向端部に、干渉計6からの
レーザビームを反射する移動鏡5を固定して備え、レチ
クルステージRSTの走査方向の位置は干渉計6によっ
て例えば0.01μm単位で測定される。干渉計6によ
る測定結果は、ステージコントローラ20に送られ、常
時レチクルステージRSTの高精度な位置決めが行われ
る。レチクルステージRST上には、レチクルホルダR
Hが設置され、レチクルRがレチクルホルダ上に真空チ
ャック等により吸着されて載置されている。また、レチ
クルステージRSTの上方には、光軸AXを挟んで対向
するレチクルアライメント系4が装着され、このレチク
ルアライメント系によりレチクルRに形成された基準マ
ークを観測して、レチクルRが所定の基準位置に精度良
く位置決められるようにレチクルステージRSTの初期
位置を決定する。従って、移動鏡5と干渉計6によりレ
チクルステージRSTの位置を測定するだけでレチクル
Rの位置を十分高精度に調整できる。
【0016】レチクルステージRST上では、レチクル
RはレチクルRの走査方向(X方向)に対して垂直な方
向(Y方向)を長手とする長方形(スリット状)の照明
領域で照明される。この照明領域は、レチクルステージ
の上方であって且つレチクルRと共役な面またはその近
傍に配置された視野絞り(図示しない)により画定され
る。
【0017】レチクルRを透過した照明光は投影光学系
PLに入射する。ここで、レチクルR上のスリット状の
照明領域(中心は光軸AXにほぼ一致)内のレチクルパ
ターンが、投影光学系PLによりウエハW上に投影され
る。ウエハW上に投影されるレチクルRのパターン像の
投影倍率は投影光学系PLのレンズエレメントの倍率及
び配置により決定され、通常、投影光学系PLにより1
/5または1/4に縮小される。投影光学系PLには、
複数のレンズエレメントが光軸AXを共通の光軸とする
ように収容されている。投影光学系PLは、その外周部
上であって光軸方向の中央部にフランジ24を備え、フ
ランジ24により露光装置本体の架台23に固定され
る。
【0018】図1に示した走査型露光装置は、ウエハW
上にすでに露光されたパターンに対して、新たなパター
ンを精度よく重ねて露光するためのウエハアライメント
系を備える。このウエハアライメント系として、投影光
学系PLとは別に設けられた光学式ウエハアライメント
系13〜18によりウエハW上の位置合わせ用のマーク
の位置を読取、重ね合わせ露光を行う位置を決定する。
光源13として、ウエハW上のフォトレジスト膜に対し
て非感光性の波長の光を発生するレーザ、ハロゲンラン
プ等が用いられる。光源13から照射された照明光は、
ハーフミラー16、ミラー17を介して、ミラー18に
よりウエハW上の位置合わせマークを照明する。ウエハ
Wの位置合わせマークからの反射光あるいは回折光は、
照明光と逆の経路を通り、ハーフミラー16を通って受
光部14において光電変換される。受光部14からの信
号は、アンプ15で十分な出力に増幅されて、図示しな
いアライメント制御系に信号が送られる。光源13は、
架台23上に設置されており架台上面の温度を上昇させ
る発熱源となり得る。
【0019】ウエハWを移動するウエハステージWST
は架台23内に設置されている。本発明の投影露光装置
では、図1に示すように架台23の側面は隔壁54〜5
7で覆われているため、架台内に設置されたウエハステ
ージWSTについて、図2の投影露光装置の下方断面図
を用いて説明する。また、図3は図2の矢視図であり、
ウエハステージWSTの平面図を示す。ウエハステージ
WSTは架台23の基台40上に設置されている。ウエ
ハステージWST上にはウエハホルダ(図示しない)を
備え、ウエハWはウエハホルダにより真空吸着されてい
る。ウエハステージWSTは、X方向に移動可能なXス
テージ33とY方向に移動可能なYステージ34とから
構成され、ウエハWを前述の走査方向(X方向)の移動
のみならず、ウエハ上の複数のショット領域をそれぞれ
走査露光できるように走査方向と垂直な方向(Y方向)
にも移動可能であり、ウエハW上の各ショット領域を走
査する動作と、次のショット領域の露光開始位置まで移
動する動作を繰り返す。ウエハステージWSTは投影光
学系PLの光軸AX方向(Z方向)にも微動が可能であ
る。また、ウエハステージWSTは、図示しないレベリ
ングステージにより光軸AXに対して傾斜することも可
能である。ウエハステージWSTは、モータ等のウエハ
ステージ駆動部(図示しない)により駆動される。ウエ
ハWは投影光学系PLを介してレチクルRとは倒立像関
係にあるため、レチクルRが露光時に−X方向(または
+X方向)に速度Vrで走査されると、ウエハステージ
WST上のウエハWはレチクルステージRSTとは逆の
+X方向(または−X方向)にレチクルRに同期して速
度Vwで走査される。レチクルステージRSTとウエハ
ステージWSTの移動速度の比(Vr/Vw)は前述の
投影光学系PLの縮小倍率で決定される。ウエハステー
ジ駆動部はステージコントローラ20(図1)により制
御されて、レチクルステージRSTと同期するようにウ
エハステージWSTが駆動される。
【0020】ウエハステージWSTの端部には干渉計6
0からのレーザビームを反射する移動鏡8が固定されて
いる。干渉計60からのレーザビームはビームスプリッ
タ44により2つのビームに分離され、一方の光はレチ
クルステージRSTの移動鏡8に向かい、もう一方の光
は投影光学系PLの下端外周上に設置された固定鏡32
に向かう(図3参照)。移動鏡8及び固定鏡32からの
反射光の位相差を干渉計によって検出することによって
ウエハステージWSTのX方向の座標位置が常時モニタ
される。Y方向の座標位置についてもウエハステージW
STのY方向端部に設置された移動鏡46及び投影光学
系PL下端外周上に設置された別の固定鏡47にビーム
スプリッタ45からのレーザビームを照射し、それらの
反射光の位相差を検出することで計測される。ウエハス
テージWSTのXY座標位置は、かかる干渉計60によ
り、例えば、0.01μm程度の分解能で検出される。
干渉計60のレーザ光源12は架台の上面39上に設置
されており、架台の上面39の温度を上昇させる発熱源
となる。架台の上面39には、レーザ光源12やステー
ジコントローラ20のための電気基板61も設置されて
おりこれらも同様に発熱源となる。
【0021】本発明では、架台23内のビームスプリッ
タ44,45と移動鏡8,46及び固定鏡32及び47
との光路は、架台23の内部空間に含まれている。すな
わち、架台23の隣接し合う支柱(50,51,52,
53)間が隔壁54,55,56,57がよって覆われ
おり、それらの隔壁54〜57、架台の上面39及び基
台40により架台23内部は密閉された空間を形成して
いる。X方向の一方の隔壁55には、送風器65及びそ
の気体吹き出し口35が設けられており、そこから温度
制御された気体が供給される。気体吹き出し口35に
は、架台内部への活性な化学物質等の流入を防止するた
めの、HEPA(またはULPA)フィルター及びケミ
カルフィルターが設置されている。供給する気体として
は、例えば、空気を用いることができるが、遠紫外のレ
ーザ光源を使用する場合には、空気中から活性な励起状
態酸素の発生を防止するために窒素又はヘリウムを使用
することが好ましい。供給される気体は送風器65内に
設けられた温度調節器(図示しない)により、後述する
設定温度に調節される。X方向の他方の隔壁57には排
出口36が設けられており、排出された気体はチャンバ
1外部を通って送風器65に循環されて再び設定温度に
温度調節されて、気体吹き出し口35から架台内部に供
給される。
【0022】図2において、架台23の上面39の内側
の2か所に温度センサ31、31’が配置されており、
それぞれの上面39の内側の温度を測定することができ
る。かかる温度センサ31、31’は、上面39上の発
熱源の存在によって比較的温度が高くなる位置に対応す
る上面39の内側に設置するのがよい。架台内部にかか
る高温度部の温度とほぼ等しい温度の気体を供給するこ
とによって、架台内部の温度を均一にできるからであ
る。この実施例では、アライメント系のレーザ光源13
及び電気基板61とウエハステージ用干渉計のレーザ光
源12とが設置された位置の架台上面39の内側にそれ
ぞれ温度センサ31,31’が設置されている。温度セ
ンサ31,31’で測定された温度情報は、送風器65
の温度調節器に送られ、そこで2つの温度センサからの
平均温度が求めれ、架台23内部に供給される気体の温
度がその平均温度になるように調節される。上記のよう
にして、架台内部に供給する気体温度を調節し且つ架台
内部の温度を均一化することによって、架台内部に設置
されたウエハステージWST用の干渉計の光路上の温度
ゆらぎが防止される。
【0023】上記実施例において、ウエハステージのX
Y方向座標測定用の干渉計光路について説明したが、ウ
エハステージZ方向位置を干渉計を用いて測距する場合
もその干渉計光路が上記のように温度制御された架台内
部空間に含まれるためにウエハステージのZ座標を高精
度に測定できる。また、上記実施例において、架台の上
面39の温度を2か所で測定したが、1か所または3か
所以上で温度を測定し測定温度または測定温度の平均温
度になるように架台内部に供給する気体の温度を調節し
てもよい。複数の温度センサを設ける場合には、前述の
ように、干渉計光路上の気体の温度ゆらぎを防止するた
めに、気体供給手段から干渉計光路付近までの間に複数
の温度センサを設け、それらの平均温度に気体温度を調
整するのが好ましい。
【0024】上記実施例において、本発明を走査型の投
影露光装置を用いて説明したが、一括露光方式のステッ
プアンドリピート型投影露光装置等の、ウエハステージ
用の干渉計システムを有する任意の投影露光装置に適用
することができる。また、空気吹き出し口2から流出す
るチャンバ全体の空調用の空気に代えて、特に光源とし
て遠紫外のレーザ光を使用する場合には、窒素又はヘリ
ウムを用いることが好ましい。
【0025】
【発明の効果】本発明の投影露光装置は、基板ステージ
及び干渉計ビーム光路を架台と隔壁で囲まれた空間内に
隔離し、該空間と接する前記架台表面の温度とほぼ等し
い温度に制御した気体を該空間内に供給する機構を備え
たことにより、干渉計光路上の気体の温度ゆらぎを防止
して、干渉計による基板ステージの高精度な位置測定及
び基板ステージによる基板の正確な位置合わせを行うこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例の投影露光装置の概略側面図である。
【図2】図1の投影露光装置の投影光学系を支持する架
台内部の断面図である。
【図3】図2のA方向から見た架台内部の平面図であ
る。
【符号の説明】
R レチクル W ウエハ RH レチクルホルダ PL 投影光学系 RST レチクルステージ WST ウエハステージ 1 チャンバ 2 気体吹き出し口 5,8,46 移動鏡 32,47 固定鏡 6,60 干渉計 12 干渉系用光源 13 アライメント系光源 23 架台 31,31’ 温度センサ 35 気体吹き出し口 40 基台 44,45 ビームスプリッタ 55,56,56,57 隔壁 61 電気基板

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マスク上のパターンの像を感光基板上に
    投影する投影光学系と、前記感光基板を保持して移動可
    能な基板ステージと、該基板ステージの位置を測定する
    ための干渉計とを備えた投影露光装置において、 前記投影光学系を支持する架台と隔壁で囲まれた前記基
    板ステージ及び前記干渉計ビーム光路を含む空間内に、
    該空間と接する前記架台表面の温度とほぼ等しい温度に
    制御した気体を供給する気体供給手段を備えたことを特
    徴とする上記投影露光装置。
  2. 【請求項2】 前記気体供給手段は、前記空間と接する
    前記架台表面に設けられる温度センサを有することを特
    徴とする請求項1に記載の投影露光装置。
  3. 【請求項3】 前記気体供給手段は、前記気体の温度
    を、前記空間と接する前記架台表面の複数点での温度の
    平均値に設定することを特徴とする請求項1又は2に記
    載の投影露光装置。
  4. 【請求項4】 前記気体供給手段は、前記気体中の化学
    物質を除去、又は不活性化するケミカルフィルタを有す
    ることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載
    の投影露光装置。
  5. 【請求項5】 前記マスクを遠紫外光で照射する照明光
    学系を有し、前記気体供給手段は、前記気体として空
    気、窒素及びヘリウムからなる群から選ばれた一種を使
    用することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に
    記載の投影露光装置。
  6. 【請求項6】 前記干渉計の光源と、前記基板ステージ
    の移動を制御するための電気基板との少なくとも一方が
    前記架台上に設置されていることを特徴とする請求項1
    〜5のいずれか一項に記載の投影露光装置。
  7. 【請求項7】 前記投影露光装置を収納するチャンバ内
    の温度をほぼ一定に維持するために、前記マスクの上方
    から前記投影光学系の光軸とほぼ平行に温度制御された
    気体を流す空調手段を備えたことを特徴とする請求項1
    〜6のいずれか一項に記載の投影露光装置。
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