JPH10242046A

JPH10242046A - 露光装置、露光方法及びマスク収納ケース

Info

Publication number: JPH10242046A
Application number: JP9274876A
Authority: JP
Inventors: Jiro Inoue; 次郎井上; Naomasa Shiraishi; 直正白石
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1996-12-24
Filing date: 1997-10-07
Publication date: 1998-09-11

Abstract

(57)【要約】【課題】マスクの熱膨張に起因して、マスクパターン
像の総合重ね合わせ精度が悪化することを防止する。【解決手段】所定波長域の露光光によりマスクを照明
し、マスク上のパターンを感応基板上に露光する露光装
置において、マスクを保管する保管手段と、保管手段と
露光位置との間で、前記マスクを搬送する搬送手段と、
保管手段内のマスクを加熱する加熱手段とを有する構成
とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置及び露光
方法に関するものであり、さらに詳しくは、ＩＣや液晶
基板、薄膜磁気ヘッド等を製造するリソグラフィ工程で
使用される露光装置及び露光方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ＩＣや液晶基板等の製造に使
用される露光装置では、大気圧変動や投影光学系が露光
光を吸収することによって生じる結像状態（例えば、倍
率、焦点位置）の変化を補正する機構が設けられてい
る。このような補正機構としては、例えば、投影光学系
を構成する各レンズエレメントを光軸方向に移動させた
り、光軸に直交する面に対して傾けたりする方式（特開
平4-134813）、あるいはレンズエレメント間の気密空間
の圧力を調整したりする方式（特開昭60-78454）が提案
されている。

【０００３】しかし、露光光はマスクをも通過するた
め、マスクが露光光を吸収することによって熱膨張し、
これにより投影光学系の結像状態（マスクパターンの投
影像の倍率や結像位置）の変化が生じるという問題点が
生じていた。さらに、マスクの熱膨張により、マスクパ
ターンの投影像の位置と感応基板としてのウエハ上のマ
ークを検出する検出光学系の検出位置との間の距離（ベ
ースライン）が変動し、いわゆるグローバルアライメン
トにおいて、マスクとウエハとのアライメント誤差が生
じるという問題点があった。

【０００４】かかる問題点を改善するべく、結像状態の
変化に関する問題については、例えば特開平４−１９２
３１７号公報に開示されている。つまり、照明光の吸収
によるマスクの熱変形量を所定の数値計算によって演算
し、この熱変形量に応じて生じる結像特性の変化を演算
した後、この演算結果に基づいて投影光学系のレンズエ
レメントを光軸方向、あるいは光軸に垂直な軸を回転軸
に傾斜方向に駆動することにより、所望の結像状態を得
る技術が知られている。

【０００５】一方、ベースラインの変動に関する問題点
については、例えばマスクの熱膨張に起因して、光軸と
直交する２次元平面内におけるマスクの熱膨張量を演算
により求める。この演算結果に基づき、マスクの熱膨張
量が一定値以上に達した時、逐次ベースライン量の管理
を行うことにより、マスクの露光装置に対するウエハ位
置ずれを回避していた（特開平7-74075）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た特開平４−１９２３１７号公報に記載された技術によ
り、マスクの熱変形による結像状態の変化分は補正でき
ても、マスクの露光装置に対する位置ずれは補正するこ
とはできず、マスクのパターン領域は被露光基板として
のウエハ上のショット領域に対して位置ずれ又は回転ず
れをもった状態で結像してしまうことになる。

【０００７】また、特開平７−７４０７５号公報に記載
されているように、演算で求めたマスクの熱膨張量が一
定値以上に達したときに、逐次ベースラインの管理（以
下、適宜ベースラインチェックという。）を行う従来技
術では、マスクが熱膨張をし続ける限り、数秒〜数分程
度かかるベースラインチェックを頻繁に行う必要があ
る。従って、露光装置のスループットが大幅に劣化して
いた。

【０００８】本発明は、上述の問題点に鑑みてなされた
もので、露光装置のスループットを低減させることな
く、マスクの熱膨張に起因するベースラインの変動若し
くは倍率の変動を生じさせない露光装置及び露光方法を
提供するものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、マスク
の熱膨張による変形を考慮することなく、マスクの温度
上昇が飽和した状態、言い換えれば、熱膨張が飽和した
状態のマスクを用いる。つまり、マスクの熱膨張が飽和
点に達しているので、マスクはそれ以上膨張することな
く、常に安定した形状を保っている。これにより、マス
クの熱膨張に起因する上記問題を解決することができ
る。本発明は、かかる解決原理のもと、以下の構成を有
する。

【００１０】第１の発明（請求項１）による露光装置
は、所定波長域の露光光によりマスクを照明し、前記マ
スク上のパターンを感応基板上に露光する露光装置にお
いて、マスクを保管する保管手段と、保管手段と露光位
置との間で、マスクを搬送する搬送手段と、保管手段内
のマスクを加熱する加熱器とを有する構成とした。第２
の発明（請求項２）による露光装置では、保管手段は、
マスクを収納するケースを少なくとも一つ以上有する構
成とした。

【００１１】第３の発明（請求項３）による露光装置で
は、ケースは、収納するマスクの上面若しくは下面の少
なくとも一方の側に加熱器を有する構成とした。第４の
発明（請求項４）による露光装置は、第２、３の発明の
露光装置においてさらに、加熱器によって加熱されたマ
スクの温度情報を検知するセンサを有する構成とした。

【００１２】第５の発明（請求項５）では、ケースは、
収納しているマスクを搬送手段により搬出入するための
第１開閉口と、第１開閉口と対面する第２開閉口とを有
し、第２開閉口は、第１開閉口に同期して開閉動作する
構成とした。第６の発明（請求項６）では、第１発明の
露光装置について、さらに、露光装置を覆うチャンバ
と、保管手段をチャンバ内で隔離するための隔壁とを有
する構成とした。

【００１３】第７の発明（請求項７）では、隔壁によっ
て隔てられた保管手段を含む空間は、チャンバ内におい
て相対的に気圧が低い空間である構成とした。第８の発
明（請求項８）では、第１の発明の露光装置について、
さらに、加熱器によって加熱されたマスクの変形を補正
する補正手段を有する構成とした。第９の発明（請求項
９）では、前記マスクは蛍石からなる構成とした。

【００１４】第１０の発明（請求項１０）は、所定波長
域の露光光によりマスクを照明し、前記マスク上のパタ
ーンを感光基板上に露光する露光装置において、前記マ
スクを保管する保管手段と、前記保管手段内に設けられ
た前記マスクの温度情報を検知するセンサとを有する構
成とした。第１１の発明（請求項１１）は、前記マスク
の温度情報が前記マスクの熱膨張が飽和する温度である
こととした。

【００１５】第１２の発明（請求項１２）は、所定波長
域の露光光によりマスクを照明し、前記マスク上のパタ
ーンを基板上に転写する露光方法において、前記マスク
の熱膨張が飽和状態に達する情報を算出し、前記露光光
により前記マスクを照明する前に、前記算出された前記
情報に基づいて前記基板を加熱することとした。第１３
の発明（請求項１３）では、前記露光光により前記マス
クを照明する前に、前記加熱されたマスクのパターンの
像の位置と前記基板上のマークを検出可能な検出光学系
の検出位置との位置関係を管理することとした。第１４
の発明（請求項１４）では、前記マスクへの照明は、マ
スク上に設けられた円弧状の照明領域に対して行うこと
とした。第１５の発明（請求項１５）では、前記マスク
は蛍石からなることとした。第１６の発明（請求項１
６）では、パターンが形成されたマスクを収納するケー
スにおいて、前記マスクを搬出入するための開閉口と、
該開閉口から搬入された前記マスクを保持する保持手段
と、該保持手段に保持された前記マスクを加熱する加熱
器とを設けた構成とした。第１７の発明（請求項１７）
では、前記加熱器は、前記マスクの上面若しくは下面の
少なくとも一方の側に設けられている構成とした。第１
８の発明（請求項１８）では、所定所定波長域の露光光
によりマスクを照明し、前記マスク上のパターンを感応
基板上に露光する露光装置において、前記マスクを保管
するマスク保管部と露光位置との間で、前記マスクを搬
送する搬送手段と、前記搬送手段により前記マスク保管
部から露光位置に前記マスクを搬送する途中で、前記マ
スクを加熱する加熱器とを有する構成とした。

【００１６】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施形態
に係る露光装置の概略的な構成を示す図である。この露
光装置は、チャンバ１０５内に本体部１００とオートレ
チクルローダ１０１とを備えた構成となっている。以
下、この露光装置の構成の詳細を本体部１００とオート
レチクルローダ１０１に分けて説明する。

【００１７】まず本体部１００は、図１における紙面直
交面内（ＸＹ平面内）を２次元的に移動するウエハステ
ージＷＳＴと、マスクとしてのレチクルＲのパターンの
像を感応基板としてのウエハＷ上に投影する投影光学系
としての投影レンズＰＬと、露光光ＩＬを射出する露光
用の光源１４と、露光光ＩＬをレチクルＲ上に照射する
照明光学系と、これらを制御する主制御系２２と、ウエ
ハアライメント及びベースラインチェックを行うウエハ
・アライメント系１０と、レチクルアライメント及びベ
ースラインチェックを行うＴＴＲアライメント系１１等
を設けている。投影レンズＰＬは、その光軸ＡＸがウエ
ハステージＷＳＴの移動方向に直交するように配置され
ている。

【００１８】ウエハステージＷＳＴには図示しないモー
タを含んで構成されるステージ駆動部２０が併設されて
いる。このウエハステージＷＳＴの移動は、光波干渉計
２７が移動鏡２６の移動を計測することにより検出され
る。なお、図示しないが光波干渉系２７は、ステージの
Ｘ，Ｙ座標軸上の移動を計測するために、Ｘ，Ｙ座標軸
上に２つ設けられている。主制御系２２は、この光波干
渉計２６の出力に基づいてステージ駆動部２０を駆動制
御する。これにより、ウエハステージＷＳＴはＸ，Ｙ座
標軸上を２次元移動できる構成となっている。このウエ
ハステージＷＳＴ上にはウエハホルダ２４が設けられて
おり、ウエハホルダ２４上にウエハＷが真空吸着により
保持されている。また、ウエハステージ上に基準マーク
ＦＭが設けられている。

【００１９】投影レンズＰＬは、本実施の形態において
両側テレセントリックな投影レンズを使用する。この投
影レンズＰＬは、実際には光軸ＡＸ方向（Ｚ軸方向）に
沿って配置された複数のレンズエレメント（いずれも図
示を省略する。）を含んで構成されている。レチクルＲ
は、投影レンズＰＬの光軸ＡＸと直交する面内でＸ，
Ｙ，θに微動するレチクルステージ２８上に保持されて
いる。なお、このレチクルＲのパターン面は、投影レン
ズＰＬに関しウエハＷの表面と共役となっている。

【００２０】光源１４は、ウエハＷ上に塗布された感光
剤としてのレジストを感光するため、例えば、超高圧水
銀ランプ、エキシマレーザー（ＫｒＦ，ＡｒＦ，Ｆ２
等）、ＹＡＧレーザ等で構成され、ｇ線、ｉ線、エキシ
マ光（波長２４８ｎｍ：ＫｒＦ，１９３ｎｍ：ＡｒＦ,
１８０ｎｍ：Ｆ２）、ＹＡＧレーザの高調波（波長２０
０ｎｍ以下）等の露光光ＩＬを発生する。なお、光源１
４は、光源１４の発光によって生じた熱が露光装置の本
体部１００に流出しないように、ランプハウス１０３内
に設けられている。また、ランプハウス１０３の内部は
ファン等（不図示）により空冷されており、光源１４の
自己発熱により破損を防止している。

【００２１】露光光ＩＬをレチクルＲ上に照明する照射
光学系は、光源１４から出射された露光光ＩＬを反射し
て水平に折り曲げるミラー３０と、このミラー３０によ
り反射された露光光ＩＬの進行方向に向かって順次配置
されたオプチカルインテグレータ（フライアイレンズ）
等を含むフライアイ光学系３２、リレー光学系３４と、
レチクルＲの上方にほぼ４５度で斜設されたダイクロイ
ックミラー３６と、このダイクロイックミラー３６とレ
チクルＲとの間に配置されたメインコンデンサーレンズ
３８とを含んで構成されている。光源１４とミラー３０
との間に、露光光ＩＬの光路を開閉するシャッター４０
が設けられており、このシャッター４０は、シャッター
駆動部４２を介してシャッター制御回路４４によって駆
動されるようになっている。フライアイ光学系３２の射
出面（レチクルＲに対するフーリエ変換面）には、照明
系絞り４６が配置されている。フライアイレンズ光学系
３２の射出面は投影レンズＰＬの瞳面と共役に配置され
ている。

【００２２】また、リレー光学系３４の中には、レチク
ルＲ上の露光光ＩＬの照射面積を可変にするため、ブラ
インド５２が設けられている。このブラインド５２は、
レチクルＲのパターン面と共役に配置されている。な
お、ブラインド５２はブラインド駆動部５４により駆動
され、このブラインド駆動部５４とブラインド５２によ
って、レチクルＲ上の照射面積及び照射領域の形状（例
えば、スリット状の矩形領域。）が設定される。

【００２３】倍率調整機構１８は、撮影光学系の結像特
性、例えばレチクルＲのパターンの投影像の結像の倍率
や最適結像面位置（焦点位置）を補正する。この倍率調
整機構１８として、本実施形態では投影レンズＰＬを構
成する特定のレンズエレメント間の気密空間の圧力を増
減するものが使用されている。なお、この倍率変換機構
として例えば、投影レンズＰＬを構成する一部のレンズ
エレメントを圧電素子、磁歪素子等の駆動素子により光
軸ＡＸ方向に駆動させたり、傾けたり、ほぼ光軸を回転
中心として回転させたりするものを用いてもよい。な
お、倍率調整機構１８は、倍率補正コントローラ６４に
より制御される。

【００２４】メモリ２１には、露光光を吸収することに
起因するレチクルの膨張が飽和するまでの温度（以下、
飽和温度という。）を算出するために必要なデータ（レ
チクルのパターンの密度、レチクルＲ上での照射面積、
シャッターの開閉比等）が記憶されている。また、飽和
温度を算出するための数式も格納されている。主制御系
２２は、前述したシャッター制御回路４４、ウエハステ
ージＷＳＴ、倍率補正コントローラ６４等を制御してい
る。また、主制御系２２内に含まれるＣＰＵ等の演算手
段によって飽和温度の算出も行っている。なお、飽和温
度を算出する演算手段は、主制御系２２の外部に設けて
もよい。

【００２５】ウエハ・アライメント系１０は、投影レン
ズＰＬの周辺に設けられた、いわゆるオフ・アクシス系
を形成している。このウエハ・アライメント系１０は、
基準マークＦＭ及びアライメントマーク１１１を検出す
るための検出光学系である。なお、ＴＴＲアライメント
系１１は、レチクルＲと投影光学系ＰＬを介してウエハ
Ｗ上に形成されたアライメントマーク１１１を、レチク
ルＲ上のレチクルマークＲＭとともに観察することがで
きる検出光学系である。このＴＴＲ方式ではウエハＷ上
のアライメントマーク１１１をレチクルＲ上のレチクル
マークＲＭとを投影光学系を介して投影露光すべき位置
で検出するので、高いアライメント精度が得られる。

【００２６】なお、ウエハ・アライメント系１０及びＴ
ＴＲアライメント系１１は、図１中で紙面と垂直な方向
にも設けられており、レチクルＲとウエハＷを２次元的
にアライメントすることできる。ところで、上記ウエハ
・アライメント系１０及びＴＴＲアライメント系１１を
用いて、いわゆるグローバルアライメントを行うために
は、ベースラインチェックが必要となる。従って、レチ
クルＲの上方に設けられたＴＴＲアライメント系１１
は、ベースラインチェックを行う際に、レチクルＲの回
路パターン領域の周辺のレチクルマークＲＭとウエハス
テージＷＳＴ上に設けられた基準マークＦＭとを同時に
検出することができる。

【００２７】また、ＴＴＲアライメント系１１は、ライ
トガイド１２０から供給される光束によってレチクルマ
ークＲＭ及び基準マークＦＭを検出する。このライトガ
イド１２０は、露光光ＩＬと同一波長の照明光を供給
し、レチクルマークＲＭ及び基準マークＦＭに照射す
る。例えば、光源１４から露光光ＩＬをライトガイド１
２０を介してレチクルＲ及び基準マークＦＭを照射す
る。また、ウエハ・アライメント系１０は、ライトガイ
ド１２１によって供給される光束によって基準マークＦ
Ｍ及びアライメントマーク１１１を検出する。なお、ラ
イトガイド１２１は、露光光ＩＬと同一の波長を供給す
る必要はなく、ハロゲンランプなどの光源から照明光を
供給する。

【００２８】投影レンズＰＬの周辺（投影視野外）に設
けられたウエハ・アライメント系１０は、内部にウエハ
Ｗ上のアライメントマーク１１１又は基準マークＦＭを
検出するために、基準となる指標マークＴＭがガラス板
に設けられ、投影レンズＰＬの投影像面（ウエハ表面、
又は基準マークＦＭの面）とほぼ共役に配置されてい
る。ウエハ・アライメント系１０の光軸は、投影面像側
では投影レンズＰＬの光軸ＡＸと平行である。

【００２９】次に、オートレチクルローダ１０１の構成
を説明する。オートレチクルローダ１０１は、レチクル
を複数枚保管可能なレチクルライブラリ７０と、レチク
ルライブラリ７０から本体部１００にレチクルを搬送す
るレチクル搬送系１０２とで構成されている。レチクル
ライブラリ７０内に保管されるレチクルの各々は、図２
及び図３に示すようにレチクルケース７８に収納されて
いる。これにより、レチクルに直接触れる必要がなくな
り、ケース単位で取り扱うことが可能となるので、レチ
クルライブラリ７０内にレチクルを収納するまでに、ゴ
ミの付着や破損などが防止できる。従って、レチクルラ
イブラリ７０には、複数のレチクルケース７８が装着さ
れている。この装着は、レチクルライブラリ７０に設け
られたレチクル保持部材８１にレチクルケース７８を保
持させることによるものである。

【００３０】ところで、図２及び図３に示したレチクル
ケース７８内には、上面と下面にレチクル加熱器ＨＴを
有し、これらのレチクル加熱器ＨＴの間に配置されてい
るレチクルＲを加熱する。なお、図２においては図面作
成上の都合によりレチクルＲは図示していない。レチク
ル加熱器ＨＴは、主制御系２２により制御されてレチク
ルが飽和温度に達するまで加熱する。また、このレチク
ル加熱器ＨＴは主制御系２２の制御により、上面と下面
を使い分けられるものとし、さらに、加熱量によっては
レチクル加熱器を下面若しくは上面のどちらか一方のみ
の構成としてもよい。これにより、必要最小限の熱量で
レチクルを加熱することができる。

【００３１】レチクル加熱器ＨＴには、電熱線を張り巡
らせた電熱線式加熱器やペルチェ素子等が用いられる。
電熱線式を用いた場合、加熱器の周囲の温度も上昇する
が、容易に構成することができ、しかも安価という利点
がある。一方、ペルチェ素子を用いた場合、電力消費量
が大きいものの他の加熱器に比べ高性能である。本例で
は、電熱線式加熱器を例に挙げて説明する（図２）。な
お、電熱線式加熱器やペルチェ素子等を用いたレチクル
加熱器ＨＴは、レチクルを等方的に膨張させるように配
置することが望ましい。

【００３２】また、レチクルケース７８は、側面にレチ
クルを載置するレチクル台７７が設けられ、本体部１０
０側の面には後述するレチクル搬送系１０２によりレチ
クルＲを搬出するための開閉口７９が設けられている。
そして、レチクルケース７８は、さらに開閉口７９の対
面に開閉口８２が設けられている。また、温度センサ８
８は、レチクルケース７８の左右の側面から内側に張り
出したレチクル台７７の上に載置、若しくは埋め込み式
で設けられており、レチクルＲの温度を計測する。主制
御系２２は、この温度センサ８８の計測値に基づいてレ
チクル加熱器ＨＴを制御し、レチクルＲを所望の温度に
制御する。なお、温度センサとしては、主制御系２２に
よってレチクル加熱器ＨＴにフィードバックをかける都
合上、温度を電流又は電圧、抵抗値等の電気信号に変換
して出力するものが好ましく、例えば、サーミスタや白
金ロジウム抵抗等を使用する。

【００３３】レチクル搬送系１０２は、レチクルケース
７８からレチクルを搬出するレチクル搬送アーム８３
と、レチクルステージＲＳＴにレチクルを載置するロー
ドロードアーム８４と、スライド駆動可能な横スライダ
ー８５及び縦スライダー８６を備えている。以下に、上
記構成を有する露光装置が、レチクルＲの飽和温度を算
出し、この算出された飽和温度に達するまで、レチクル
ケース７８内でレチクルＲを加熱し、加熱させたレチク
ルＲを用いてベースラインチェック及び倍率補正等を行
った後に、レチクルＲのパターンをウエハＷに露光を開
始する処理工程を説明する。

【００３４】レチクルＲのパターンをウエハＷに露光す
る上記処理工程において、実際のウエハＷの露光ショッ
トの露光に先立ち、主制御系２２はレチクルＲの飽和温
度を算出する。まず、その算出方法について説明する。
レチクルＲの熱膨張が飽和する時の温度として定義した
飽和温度Ｔは、レチクルＲ上の有効遮光パターンの密度
をρ、単位時間当たりにレチクルＲに照射された露光パ
ワーをＰ、比例係数をαとすると、以下の式により算出
することができる。

【００３５】Ｔ＝α・ρ・Ｐここで、比例係数αは、レチクルのサイズや材質或いは
透過率や反射率、露光そのものには寄与しないアライメ
ント時間やレチクルの搬送時間等により決定される。以
上のように算出された飽和温度に基づいて、主制御系２
２は、レチクルケース７８に設けられたレチクル加熱器
ＨＴを制御する。

【００３６】レチクル加熱器ＨＴは、主制御系２２から
の制御により、収納しているレチクルＲを加熱する。各
レチクルケース７８内のレチクル台７７に設けられたセ
ンサ８８は、レチクルの温度を計測し、この計測結果を
主制御系２２にフィードバックする（図３）。主制御系
２２は、センサ８８が計測したレチクルＲの温度が、予
め算出した飽和温度に達した場合、レチクル加熱器ＨＴ
に対して加熱中止の指示を出す。なお、加熱中止後、主
制御系２２は温度センサ８８による計測温度が飽和温度
以下に低下した場合、再びレチクル加熱器ＨＴに対して
加熱を開始する指示を出す。

【００３７】次に、飽和温度に達したレチクルＲは、レ
チクル搬送アーム８５によって搬出される。この時、レ
チクルケース７８に設けられた開閉口７９が持ち上がる
ようにして開く。そして、開閉口７９は、レチクルＲが
搬出されると即座に閉じられる。つまり、開閉口７９の
開閉動作は、レチクルＲの搬入出時のみ行われる。これ
により、レチクルケース７８内の熱が隔壁９０を隔てて
本体部１００側に拡散し、本体部１００の空調に支障を
きたすことを極力防止している。

【００３８】ところで、チャンバ１０５内の空間は、隔
壁９０によりメインチャンバとサブチャンバに分割され
ている。メインチャンバは本体部１００とレチクル搬送
系１０２を含む空間であり、サブチャンバはレチクルラ
イブラリ７０を含む空間である。このメインチャンバと
サブチャンバは別個に空調され、サブチャンバはメイン
チャンバに比べて気圧が低くなるように制御される。こ
れは、光波干渉計２７の計測誤差や投影光学系ＰＬの結
像特性の変化等を防止するために高精度に空調されたメ
インチャンバと、レチクル加熱器ＨＴを有するために高
温となるサブチャンバとを同時に空調することを避ける
ためである。以下に、メインチャンバとサブチャンバの
空調について図１を参照して説明する。

【００３９】メインチャンバ空調機１４０は、冷却器、
再熱機、送風機等からなり、メインチャンバ内を設定温
度に空調制御する。また、メインチャンバ空調機１４０
は、メインチャンバ気圧センサ１４４からの出力値に基
づいて、送風ダクト１４１へ送風する送風量を制御す
る。メインチャンバ空調機１４０によって温度、流量を
制御された空気は、送風ダクト１４１からチャンバ１０
５の天井部に設けられた空気洗浄フィルタ１４３ａ、１
４３ｂへ送られ、洗浄化された後にメインチャンバ内に
送風される。

【００４０】本実施の形態では、メインチャンバ内に送
風された空気は下方に向かって流れる、いわゆるダウン
フロー型の空調を例に挙げて説明している。なお、本発
明はチャンバの側面から洗浄化された空気を送風する空
調にも適用可能である。ダウンフロー型の空調は、メイ
ンチャンバ内部に残存する塵をチャンバ１０５の床方向
に移動させ、メインチャンバ内に飛散することを防止す
る。チャンバ１０５の底面には、リターンダクト１４２
が設けられており、メインチャンバ内の空気は再びメイ
ンチャンバ空調機１４０に送られる。

【００４１】一方、サブチャンバ側も同様に、サブチャ
ンバ空調機１５０、サブチャンバ気圧センサ１５４、サ
ブチャンバ送風ダクト１５１、空気洗浄フィルタ１５
３、及びリターンダクト１５２が設けられており、ダウ
ンフロー型で空調している。なお、サブチャンバ空調機
１５０は、サブチャンバ気圧センサ１５４の出力値だけ
ではなく、メインチャンバ気圧センサ１４４の出力値を
も参照する。そして、サブチャンバ空調機１５０は、常
にサブチャンバ気圧センサ１５４の出力値がメインチャ
ンバ気圧センサ１４４の出力値よりもコンマ数ｈＰａ〜
数ｈＰａ低くなるように送風量の制御を行う。

【００４２】ところで、レチクルケース７８において、
開閉口７９の対面に設けられた開閉口８２は、開閉口７
９の開閉動作に同期して開閉動作を行う。これにより、
開閉口８２は通気口としての役割を担い、レチクルケー
ス７８内の熱が気圧の高いメインチャンバへ流出若しく
は拡散せず、開閉口８９を通じてサブチャンバへ流出若
しくは拡散させることができ、メインチャンバの空調精
度の悪化を防止することができる。

【００４３】レチクル搬送アーム８５は、開閉口７９が
開いた時にレチクルＲをレチクルケース７８から搬出す
ると、横スライダ８５及び縦スライダ８６を介してロー
ドアーム８４にレチクルを受け渡す。ロードアーム８４
は、レチクル搬送アーム８５から受け渡されたレチクル
ＲをレチクルステージＲＳＴに載置する。次に、レチク
ルステージＲＳＴに載置されたレチクルＲをレチクルス
テージＲＳＴ上で位置決めし、ベースラインチェックを
行う。

【００４４】ところで、レチクルＲは露光光ＩＬの熱を
吸収することにより膨張するため、膨張する前後で倍率
の変化が生じる。そのため、ベースラインチェックを行
う前に、この倍率の変化分を補正する必要がある。以下
に、倍率補正の方法について説明する。主制御系２２内
のＣＰＵは、レチクルＲが熱を吸収していない平常状態
から熱膨張の飽和状態に達するまで、倍率がどれだけ変
化したか（以下、倍率変化という。）を予め算出しメモ
リ２１に記憶させる。主制御系２２は、このメモリ２１
に記憶された倍率変化を読み出し、読み出された値に基
づいて倍率補正コントローラ６４を介して倍率調整機構
１８を制御する。倍率調整機構１８は、倍率補正コント
ローラ６４に制御され、投影レンズＰＬを構成する特定
のレンズエレメント間の気密空間の圧力を増減し、レチ
クルＲが膨張する前と同倍率になるように補正する。こ
のように、レチクルＲが熱膨張の飽和点に達するために
膨張した分の倍率変化を補正する。これにより、レチク
ルＲの熱膨張に起因する倍率変化を防ぐことができ、常
に一定の倍率で露光することができる。

【００４５】なお、本実施の形態では、レンズエレメン
ト間の気密空間の圧力を増減することにより、レチクル
ＲとウエハＷとの間の光学路長を変化させたが、投影光
学系を構成する複数のレンズエレメントの一部を光軸と
平行な方向に移動させることにより前記光学路長を変化
させることも可能である。このように、レンズエレメン
トを移動することにより、光学路長を変化させて倍率補
正を行うことは特開平４−１９２３１７に詳しく開示さ
れている。

【００４６】次に、上記のようにして倍率補正が行われ
た後、熱膨張飽和点まで到達したレチクルＲを用いて露
光を開始する前にベースラインチェックを行う。レチク
ル搬送アーム８５から受け渡されたレチクルＲは、レチ
クルステージＲＳＴに保持される。このレチクルステー
ジＲＳＴは、レチクルＲの中心ＣＣが投影レンズＰＬの
光軸と合致するように移動される。ウエハステージＷＳ
Ｔ上には基準マークＦＭが設けられ、この基準マークＦ
Ｍが投影レンズＰＬの投影視野内の所定位置に来るよう
にウエハステージＷＳＴを位置決めする。レチクルＲの
上方に設けられたＴＴＲアライメント系１１は、レチク
ルＲ上に設けられたレチクルマークＲＭとウエハＷ上に
設けられた基準マークＦＭとを同時に検出し、アライメ
ントする。この時のウエハステージＷＳＴの位置を光波
干渉計２７で計測する。

【００４７】次に、ウエハ・アライメント系１０で基準
マークＦＭが検出されるように、ウエハステージＷＳＴ
が移動される。そして、指標マークＴＭに対して基準マ
ークＦＭがアライメントされたとき（すなわち、ウエハ
・アライメント系１０の検出中心に基準マークＦＭがア
ライメントされたとき）のウエハステージＷＳＴの位置
を光波干渉系２７で計測する。

【００４８】ところで、ベースライン量ＢＬは、図１に
示すようにレチクルマークＲＭと基準マークＦＭとがア
ライメントされたときのステージ１２上の位置Ｐと、指
標マークＴＭと基準マークＦＭとがアライメントされた
ときのステージ１２上の位置Ｑとを光波干渉計２７等で
計測し、その差（Ｐ−Ｑ）を計算することで求められ
る。このベースライン量ＢＬは、後でウエハ上のマーク
をウエハ・アライメント系１０でアライメントして投影
レンズＰＬの直下に送り込むときの基準量、すなわち、
ショットの中心とレチクルＲの投影像の中心とを合致
（アライメント）させるための基準量となるものであ
る。従って、アライメントマーク１１１が指標マークＴ
Ｍと合致したときのウエハステージＷＳＴの位置をＸ3
とすると、ショットの中心とレチクルＲの中心ＣＣとを
合致させるためには、座標Ｘ3をベースライン量ＢＬで
補正した位置にウエハステージＷＳＴを移動させればよ
い。

【００４９】なお、ベースラインを使った位置合わせ方
法を１次元方向のみについて説明したが、実際には２次
元で考える必要がある。これにより、ウエハ・アライメ
ント系１０を用いてウエハＷ上のマーク位置を検出した
後、一定量だけウエハステージＷＳＴを送り込むだけ
で、直ちにレチクルＲのパターンをウエハＷ上のショッ
ト領域に正確に重ね合わせて露光することができる。

【００５０】以上のように、レチクルケース７８内で加
熱され、熱膨張が飽和に達した状態のレチクルＲを用い
て露光開始前にベースラインチェックを行う。これによ
り、レチクルＲが露光光ＩＬを吸収することにより膨張
し、ベースライン量に変動が生じることがなく、高精度
な露光を行うことができる。ベースラインチェックが終
了した後、ウエハアライメントを行う。本実施の形態で
は、ウエハＷ上のショット領域のうち、数ショット（例
えば、５〜１０ショット）をサンプルショットとして選
択し、各々のサンプルショットについて、サンプルショ
ット領域の周辺部に形成されたアライメントマークの位
置を計測する。そして、計測されたマーク位置情報と、
マーク設計値とを使って、統計的演算手法により算出さ
れたショット配列座標に基づいて、ウエハステージＷＳ
Ｔを投影レンズの下に移動させることによりアライメン
トを行うものとする。このような、アライメント方式
（以下、ＥＧＡ方式という。）は、例えば特開昭６１−
４４４２９号に詳しく開示されている。本実施の形態に
おけるウエハマーク位置の計測は、投影レンズＰＬの周
辺に設けられたウエハ・アライメント系１０を用いる。
このウエハ・アライメント系１０には、図４（ｂ）に示
すようなマルチラインパターンの指標マークＴＭとし
て、ＴＭＸ1、ＴＭＸ2及びＴＭＹ1、ＴＭＹ2が設けられ
ている。また、図４（ａ）はサンプルショットＳＡを示
し、サンプルショットＳＡ１の周辺部には、例えばマル
チラインパターンのアライメントマーク１１１，１１２
が形成されている。

【００５１】具体的に例を挙げて説明すると、先ず、ウ
エハＷ上のサンプルショットＳＡ１の周辺部に形成され
たアライメントマーク１１１が図４（ｂ）に示すよう
に、ウエハ・アライメント系１０の検出領域内で指標マ
ークにＴＭＸ1とＴＭＸ2との間に挟み込まれるようにウ
エハステージＷＳＴを位置決めする。そして、主制御系
２２は、位置決めされたウエハステージＷＳＴの座標位
置を光波干渉系２７から読み込む。ウエハ・アライメン
ト系１０内には、ＣＣＤカメラが設けられており、ＣＣ
Ｄカメラはアライメントマーク１１１の像と指標マーク
ＴＭ（ＴＭＸ1、ＴＭＸ2）の像とを同時に撮像し、アラ
イメントマーク１１１と指標マークＦＭに対応する画像
信号を出力する。さらに、主制御系２２は、ＣＣＤカメ
ラからの画像信号を処理して、指標板の中心とアライメ
ントマーク１１１の中心点とのずれ量を検出し、このず
れ量とこの時のウエハステージＷＳＴの座標位置とに基
づいて、アライメントマーク１１１の座標を算出する。
同様にして、指標マークＴＭＹ1、ＴＭＹ2を用いてＹ方
向のアライメントマーク１１２の座標位置を計測する。
そして、各サンプルショットについて、同様にしてアラ
イメントマークの座標位置を計測する。これらの計測値
に基づいて主制御系２２はＥＧＡ方式で求められたウエ
ハＷ上のショット配列座標を求め、この配列座標とベー
スライン量ＢＬとに基づいてウエハステージＷＳＴを移
動させてアライメントを実行する。

【００５２】以上説明したように、本発明の第１の実施
形態によれば、レチクルはレチクルライブラリに装着さ
れているレチクルケース内で飽和温度まで加熱される。
そして、飽和温度まで到達したレチクルを用いて倍率補
正及びベースラインチェックを行うので、レチクルの熱
膨張に起因するベースラインチェックの狂い等の悪影響
を除去することができる。

【００５３】なお、上記第１の実施形態ではレチクルケ
ース内でレチクルを加熱しているが、本発明はこれに限
るものではない。例えば、予めレチクルケース外でレチ
クルを熱膨張飽和点まで加熱してもよい。以下にレチク
ルケース外でレチクルを加熱する実施形態について説明
する。レチクルＲはチャンバ１０５の外に設けられた加
熱室（不図示）によって予め熱膨張飽和点まで加熱され
る。この加熱室は、複数枚のレチクルを収納することが
でき、複数枚のレチクルをまとめて或いは個別に加熱す
る。また、加熱室は収納されたレチクルの各々に対して
温度を測定するための温度センサを各レチクルの近傍に
配置する。オペレータ或いは露光装置側の主制御系２２
が、この温度センサの出力に応じて熱膨張飽和点に到達
したレチクルか否かを判断する。そして、オペレータ或
いは主制御系２２は熱膨張飽和点に達していると判断し
たレチクルを加熱室から搬出してレチクルケースに収納
し、チャンバ内のレチクルライブラリに収納する。これ
により、レチクルケース内に加熱器を設ける必要がなく
なりコストを削減することができる。加熱室で加熱され
レチクルケース内に収納されたレチクルは、そのままレ
チクルステージＲＳＴに搬出すれば良い。

【００５４】レチクルケース内に温度センサ８８が設け
られていれば、加熱室で加熱されたレチクルがレチクル
ライブラリ７０内においても熱膨張飽和点を維持してい
るか否かを再検知することもできる。そして、主制御系
２２はこの温度センサ８８が検知した温度により熱膨張
飽和点に達していることを再確認した後、熱膨張飽和点
に達しているレチクルのみをレチクルステージＲＳＴ上
に載置する。これにより、確実に熱膨張飽和点に達して
いるレチクルをレチクルステージＲＳＴ上に載置するこ
とができる。また、本実施形態では、レチクルライブラ
リ７０内に搬入されたレチクルは既に加熱されているた
め、レチクルライブラリ７０内でレチクルが熱膨張飽和
点に達するまで待つ必要がなくなり、スループットも向
上する。

【００５５】レチクルケース外に設けられた加熱室を用
いる場合、必ずしもレチクルケース内に温度センサを設
けなくてもよい。つまり、レチクルケース外の加熱室に
よって熱膨張飽和点まで達するに十分な時間で加熱し、
その時間が経過したレチクルを加熱室から搬出するよう
にしてもよい。加熱室での加熱時間は、加熱室から取り
出されてからレチクルステージＲＳＴ上に載置されるま
でにレチクルの温度が下がってしまうことを考慮し、熱
膨張飽和点に達する温度をさらに超えた温度となるよう
な時間であることが望ましい。これにより、加熱された
レチクルが加熱室より搬出されてレチクルステージＲＳ
Ｔ上に載置されるまでの間に、レチクルが熱膨張飽和点
となる温度以下にまで冷めて収縮してしまうことを防止
することができる。また、レチクルを熱膨張飽和点に達
する温度以上に加熱しない場合でも、加熱室で加熱後所
定の時間以内のレチクルのみをレチクルステージへすば
やく搬送するようにすれば、レチクルの温度低下による
実質的な収縮を防止できる。以上のように本例によれ
ば、加熱されたレチクルの温度を個別に検出するのでは
なく加熱室の温度と各レチクルの個別の加熱時間とをモ
ニタすることよっても管理することが可能である。な
お、本発明はチャンバ１０５の外部に設けられた加熱室
を、レチクルライブラリ７０としても構わない。この場
合も同様に、レチクルケース内に加熱器を備える必要が
なくなる。

【００５６】次に、本発明の第２の実施形態に係る露光
装置を図５を用いて説明する。なお、第１の実施形態と
同様の構成については詳細の説明を省略する。第２の実
施形態では、レチクルをレチクルケース内で飽和温度ま
で加熱する第１の実施の形態とは異なり、レチクル搬送
系１０２において新たにレチクル加熱器ＨＴ２が設けら
れ、このレチクル加熱器ＨＴ２がレチクル搬送アーム８
３により搬出されたレチクルをレチクルステージＲＳＴ
に搬送する途中（レチクル搬送系１０２）で加熱する。

【００５７】レチクル加熱器ＨＴ２は、図５及び図６に
示されているように、箱状内部に加熱する熱源としての
ランプ１３３を少なくとも一つ以上有し、底面に設けら
れた開口部を介してランプ１３３でレチクルＲを照射す
る。また、レチクル加熱器ＨＴ２は、底面にレチクルＲ
を保持するレチクルホルダ１３１ａ、ｂが設けられてい
る。このレチクルホルダ１３１ａ、ｂはそれぞれ支点３
１ａ、ｂを支点に回転（開閉）するようになっている
（図６中の矢印方向）。以下、このレチクル加熱器ＨＴ
２がレチクルＲを加熱する動作を説明する。

【００５８】レチクルＲは、レチクル搬送アーム８３に
よりレチクルケース７８から搬出され、縦スライダー８
６を介してレチクルロードアーム８４に載置される。そ
して、横スライダー８５はレチクルＲをレチクルステー
ジＲＳＴに向けてスライドさせる。主制御系２２は、横
スライダー８５によりスライドしてきたレチクルＲがレ
チクル加熱器ＨＴ２の下方に位置したとき、レチクルホ
ルダ１０１ａ，ｂを回転させ、図６に示すようにレチク
ルＲを保持する。

【００５９】また、レチクル加熱器ＨＴ２がレチクルＲ
を保持したことを確認した後、予め主制御系２２によっ
て算出され飽和温度までランプ１３３によってレチクル
Ｒを照射して加熱する。レチクルＲがランプ１３３によ
り照射されているときは、レチクルホルダ１０１ａ，ｂ
は閉じた状態を維持する。主制御系２２は、レチクル加
熱器ＨＴ２の内部に設けられたセンサ１３４がレチクル
Ｒが飽和温度に達したことを検知すると、レチクルホル
ダ１０１ａ，ｂを再び回転させ（開き）、横スライダー
８５にレチクルＲを載置する。

【００６０】なお、レチクル加熱器ＨＴ２は、レチクル
ホルダ１３１ａ，ｂによりレチクルＲを保持した際に、
レチクルＲの位置を調整することができるプリアライメ
ント機構を併せ持つことが可能である。以上により、第
２の実施形態によれば、レチクルの熱膨張に起因する悪
影響を防止すると共に、レチクル搬送系がプリアライメ
ント機構等の他の機構を併設することで、装置の省スペ
ース化を実現することができる。なお、本実施の形態に
おいて、レチクル加熱器ＨＴ２はランプを用いてレチク
ルを加熱するとして説明したが、本発明はこれに限るも
のではなく、ペルチェ素子やマイクロ波等を用いた加熱
器も適用することが可能である。

【００６１】ところで、上述したように本発明は予め露
光前に熱膨張を等方的に発生させ、さらにはその熱膨張
が飽和した状態のマスクを露光に用いる。従って、以下
に示す露光装置への適用には特に有効である。すなわ
ち、例えば特開平６−９７０４７号公報に記載されてい
るような、光源から露光光をレチクルに照射する際に円
弧状の開口を有する遮光板を用いた露光装置である。な
ぜなら、かかる露光装置においては、円弧状の開口から
透過した露光光がレチクル上に形成された円弧状の照明
領域に照明されるために、レチクルが等方的に膨張せ
ず、総合重ねあわせ精度が悪化してしまう等の悪影響が
より顕著に現れてしまうからである。

【００６２】また、光源１４から発生される露光光ＩＬ
の露光波長がおよそ１８０ｎｍ以下となると、その波長
の光を透過させるレチクル（マスク）の材料が蛍石に限
られてくる。ところが、この蛍石は、従来のマスク材料
として使用されていた石英ガラスに比べ、熱膨張率が１
桁大きい（約２０ppm/℃）。つまり、蛍石は露光光の照
射による熱膨張が、石英ガラスに比べて非常に大きくな
る。従って、露光波長が１８０ｎｍ以下となるＦ２レー
ザーを光源として使用する露光装置及び露光方法に対し
ても、本発明は特に適している。

【００６３】ところで、上記実施形態において、熱膨張
飽和点まで加熱する対象はレチクルとして説明したが、
本発明はこれに限られるものでなく、基板としてのウエ
ハやガラス基板に対しても適用可能である。これは、レ
チクルと同様にウエハやガラス基板も露光光の照射によ
り熱膨張が生じ、様々な熱影響が発生するからである。
この場合、ウエハやガラス基板を少なくとも一枚収納す
るウエハライブラリからウエハステージＷＳＴ上に搬送
する途中で加熱することが望ましい。

【００６４】

【発明の効果】本発明によれば、レチクルの熱膨張に起
因して、ウエハ上に形成されたレチクルパターンに他の
レチクルパターンの像を複数重ねる際、総合重ね合わせ
精度が悪化してしまうという悪影響を防止することがで
きるとともに、スループットの低下を防止することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る露光装置を示
す概略構成図である。

【図２】レチクルケースの概略を示斜視図である。

【図３】レチクルケースの概略を示す断面図である。

【図４】アライメントマーク及び指標マークＴＭを表す
図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態に係る露光装置を示
す概略構成図である。

【図６】本発明の第２の実施の形態にかかるレチクル加
熱器を示す概略構成図である。

【主要部分の符号の説明】

１０ウエハ・アライメント系１１ＴＴＲアライメント系１４光源１８倍率調整機構２０ステージ駆動部２２主制御系２４ウエハホルダ２６移動鏡２７光波干渉計３０ミラー３２フライアイ光学系３４リレー光学系３６ダイクロイックミラー３８メインコンデンサーレンズ４０シャッター４２シャッター駆動部４４シャッター制御回路４６照明系絞り５２ブラインド５４レチクルブラインド駆動部６４倍率補正コントローラ７０レチクルライブラリ７７レチクル台７８レチクルケース７９開閉口８２開閉口８１レチクル保持部材８３レチクル搬送アーム８４ロードロードアーム８８温度センサ１００本体部１０１オートレチクルローダ１０２レチクル搬送系１０５チャンバ１１１，１１２アライメントマーク１２０ライトガイド１２１ライトガイド１３１ａ，ｂレチクルホルダ１３３ランプ１４０メインチャンバ空調機１４１，メインチャンバ送風ダクト１４２，１５２リターンダクト１４３ａ，ｂ，１５３空気洗浄フィルタ１４４メインチャンバ気圧センサ１５０サブチャンバ空調機１５１サブチャンバ送風ダクト１５４サブチャンバ気圧センサＰＬ投影レンズＲレチクルＷウエハＡＸ光軸ＦＭ基準マークＲＭレチクルマークＨＴ，ＨＴ２レチクル加熱器ＴＭ基準マークＷＳＴウエハステージＲＳＴレチクルステージ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 21/30 ５１６Ｅ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定波長域の露光光によりマスクを照明
し、前記マスク上のパターンを感応基板上に露光する露
光装置において、前記マスクを保管する保管手段と、該保管手段と露光位置との間で、前記マスクを搬送する
搬送手段と、前記保管手段内の前記マスクを加熱する加熱器とを有す
ることを特徴とする露光装置。
【請求項２】前記保管手段は、前記マスクを収納する
ケースを少なくとも一つ以上有することを特徴とする請
求項１記載の露光装置。
【請求項３】前記ケースは、収納するマスクの上面若
しくは下面の少なくとも一方の側に前記加熱器を有する
ことを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項４】請求項２若しくは３記載の露光装置は、
さらに、前記加熱器によって加熱された前記マスクの温
度情報を検知するセンサを有することを特徴とする露光
装置。
【請求項５】前記ケースは、収納しているマスクを前
記搬送手段により搬出入するための第１開閉口と、該第１開閉口と対面する第２開閉口とを有し、前記第２開閉口は、前記第１開閉口に同期して開閉動作
することを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項６】請求項１記載の露光装置は、さらに当該
露光装置を覆うチャンバと、前記保管手段を前記チャンバ内で隔離するための隔壁と
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項７】前記隔壁によって隔てられた前記保管手
段を含む空間は、前記チャンバ内において相対的に気圧
が低い空間であることを特徴とする請求項６記載の露光
装置。
【請求項８】請求項１記載の露光装置は、さらに、前
記加熱器によって加熱された前記マスクの変形を補正す
る補正手段を有することを特徴とする請求項１記載の露
光装置。
【請求項９】前記マスクは蛍石からなることを特徴と
する請求項１記載の露光装置。
【請求項１０】所定波長域の露光光によりマスクを照
明し、前記マスク上のパターンを感光基板上に露光する
露光装置において、前記マスクを保管する保管手段と、
前記保管手段内に設けられた前記マスクの温度情報を検
知するセンサとを有することを特徴とする露光装置。
【請求項１１】前記マスクの温度情報は、前記マスク
の熱膨張が飽和する温度であることを特徴とする請求項
１０記載の露光装置。
【請求項１２】所定波長域の露光光によりマスクを照
明し、前記マスク上のパターンを基板上に転写する露光
方法において、前記マスクの熱膨張が飽和状態に達する
情報を算出し、前記露光光により前記マスクを照明する
前に、前記算出された前記情報に基づいて前記基板を加
熱することを特徴とする露光方法。
【請求項１３】請求項１２記載の露光方法において、
前記露光光により前記マスクを照明する前に、前記加熱
されたマスクのパターンの像の位置と前記基板上のマー
クを検出可能な検出光学系の検出位置との位置関係を管
理することを特徴とする露光方法。
【請求項１４】請求項１２記載の露光方法において、
前記マスクへの照明は、マスク上に設けられた円弧状の
照明領域に対して行うことを特徴とする露光方法。
【請求項１５】前記マスクは蛍石からなることを特徴
とする請求項１２記載の露光方法。
【請求項１６】パターンが形成されたマスクを収納す
るケースにおいて、前記マスクを搬出入するための開閉口と、該開閉口から搬入された前記マスクを保持する保持手段
と、該保持手段に保持された前記マスクを加熱する加熱器
と、を設けたことを特徴とするマスク収納ケース。
【請求項１７】前記加熱器は、前記マスクの上面若し
くは下面の少なくとも一方の側に設けられていることを
特徴とする請求項１６記載のマスク収納ケース。
【請求項１８】所定波長域の露光光によりマスクを照
明し、前記マスク上のパターンを感応基板上に露光する
露光装置において、前記マスクを保管するマスク保管部と露光位置との間
で、前記マスクを搬送する搬送手段と、前記搬送手段に
より前記マスク保管部から露光位置に前記マスクを搬送
する途中で、前記マスクを加熱する加熱器とを有するこ
とを特徴とする露光装置。