JP4196037B2 - 基板処理システム及び基板処理装置並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板を用いて露光処理や感光剤の塗布、現像処理等の処理を複数の装置を用いて行う基板処理システム及び基板処理装置並びにデバイス製造方法に関し、例えば基板に感光剤の塗布処理を行う装置と、感光剤を塗布した基板に露光処理を行う装置とを備えた基板処理システム及び基板処理装置並びにデバイス製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、液晶ディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネル等を製造するためのリソグラフィ工程では、ガラス基板等の基板の大型化に伴う無人化の要請から露光装置と他の基板処理装置、例えば、基板にレジスト等の感光剤を塗布する塗布装置(コータ)や感光剤が塗布された基板に現像を行う現像装置(デベロッパ)等とをインラインで接続したリソグラフィシステムが多く用いられるようになってきた。
【0003】
この種のリソグラフィシステムでは、例えば、露光装置のチャンバ(収納装置)内に露光装置本体、基板搬送装置、受け渡しポートを設け、感光剤塗布機能、現像機能の双方を備えたコータ・デベロッパのチャンバ(収納装置)内にコータ・デベロッパ本体、基板搬送装置を設けた構成になっている。そして、コータ・デベロッパで所定の処理が施された基板(例えば、ガラス基板)は、コータ・デベロッパ側の基板搬送装置によって、両チャンバに設けられた開口部を介して露光装置内の受け渡しポートへ搬入される。
【0004】
受け渡しポートにセットされた基板は、露光装置側の基板搬送装置によって露光装置本体へ搬送され露光処理が施される。露光処理後に再度コータ・デベロッパに搬送される基板は、上記と逆の順序で搬送される。他の基板は、露光装置から搬出されて検査工程等へ送られる。
【0005】
ところで、上記の露光装置では、露光処理を継続して行うと、設置空間の圧力変化や露光光の照射熱などにより、像位置、回転、倍率等の投影光学系の結像特性や基板上の照度(露光量)、さらには基板上のアライメントマークをオフアクシスアライメント系でアライメントして投影光学系の直下に送り込むときの基準量となるベースライン量が経時的に変動し、基板上に転写されるパターンの像特性を変化させる。したがって、従来では、基板に対する露光処理中に一定基板枚数毎または一定時間間隔毎のいずれかを指定し、指定された間隔で上記の結像特性調整(レンズキャリブレーション)、照度調整(照度キャリブレーション)、ベースライン量計測等を実行していた。
【0006】
これらの調整や計測は、基板が載置されるステージに基板が存在すると実行できないため、ロット処理を行う際には先頭の基板をステージに載置する前に実行している。また、上記調整や計測をロット処理の途中で行う場合は、基板をステージに載置する前に基板の搬送を停止させていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような従来の基板処理システムには、以下のような問題が存在する。
基板を搬送するAGV(基板搬送車)の故障や生産工程の都合により、コータ・デベロッパに基板が供給されないことがある。この場合、露光装置に供給される基板も途切れることになり、露光装置には空き時間(アイドル時間)が発生する。この空き時間に上記調整や計測を実施すると生産上効率的であるが、露光装置側では空き時間の発生を認識できないため、基板が供給されるまで待機することになり非効率的であった。
【0008】
一方、基板搬送装置においては、自装置の処理が終了しても次に処理すべき基板を一定時間待つようになっている。また、露光装置では、新たな基板が供給されなくても、既に供給された基板に対する露光処理が継続して行われるため、処理済みの基板を搬出する必要が生じる。そこで、基板搬送装置は、定められた待機時間が過ぎても基板が供給されない場合、自装置の処理済み基板の搬出動作に移行するが、移行した直後に相手側装置から基板が供給されると再度待機位置に戻らなければならないため無駄な時間が発生し、生産性が悪いという問題もあった。そのため、基板の供給が停滞し空き時間が発生する場合、この情報を入手するための手段が望まれていた。
【0009】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、基板の供給が停滞し、空き時間が発生する場合にも、この空き時間を有効活用して生産性の向上を図ることができる基板処理システムを提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために本発明の基板処理システムは、基板を処理する第1装置と、前記第1装置から搬送される前記基板を処理する第2装置と、前記第1装置のトラブルに対応する時間情報を前記第1装置から前記第2装置に通信する通信手段とを備え、前記第2装置は、所定の処理が実行可能かどうかを前記時間情報に基づいて判断する判断部を有することを特徴とするものである。
【0011】
従って、本発明の基板処理システムでは、第1装置(2)と第2装置(3)との他方の装置(3)が通信手段(19)により一方の装置(2)が待機している待機時間情報を入手することができる。そのため、他方の装置、例えば露光装置(3)では、この待機時間情報に基づいて、レンズキャリブレーション、照度キャリブレーション、ベースライン計測、露光済み基板の搬出等、基板(P)の処理に関する作業を実行することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の基板処理システムの第1の実施の形態を、図1ないし図5を参照して説明する。ここでは、基板処理装置を、基板に感光剤を塗布するとともに露光処理された基板を現像するコータ・デベロッパ(C/D)と、感光剤を塗布された基板に対して露光処理を施す露光装置とし、基板を液晶ディスプレイパネル製造に用いられる長方形のガラス基板とし、これらコータ・デベロッパと露光装置とをインライン接続する場合の例を用いて説明する。
【0013】
図1は、リソグラフィシステム(基板処理システム)1の平面図である。
リソグラフィシステム1は、第1装置としてのコータ・デベロッパ(一方の装置)2および第2装置としての露光装置(他方の装置)3を、チャンバ4を隔壁5で分割した収容部6,7にそれぞれ収容した構成になっている。そして、これらコータ・デベロッパ2と露光装置3とは、隔壁5に形成された開口部8を介してインライン接続されている。
【0014】
コータ・デベロッパ2は、ガラス基板(基板)Pに対して感光剤を塗布する塗布処理(第1処理)および露光処理が施されたガラス基板Pに対して現像処理を実施するものであって、塗布処理、現像処理を行うC/D本体9と、ガラス基板Pを搬送するロードアーム10と、ガラス基板Pを一時置きするバッファ11、12と、これらC/D本体9、ロードアーム10を統括的に制御する制御部13とを備えている。ロードアーム10は、ガラス基板Pを吸着保持した状態で水平面に沿って移動してC/D本体9、バッファ11、12との間でガラス基板Pを搬送するとともに、開口部8を介して露光装置3との間でガラス基板Pを搬送する構成になっている。
【0015】
コータ・デベロッパ2の一側部には、ガラス基板Pを複数枚収納するカセット(不図示)が複数箇所(図1では四ヶ所)で供給されるカセットステーション14が設けられている。このカセットステーション14とC/D本体9との間には、不図示の搬送系が配設され、カセットステーション14とC/D本体9との間でガラス基板Pを搬送するようになっている。
【0016】
制御部13は、基板搬送、感光剤塗布処理、現像処理にかかる時間や、カセットステーション14、C/D本体9およびロードアーム10に関して想定されるトラブルと、これらトラブルが解消してシステムが復旧するまでの時間が設定されたタイムテーブルを有しており、タイムテーブルに設定された時間を通信部(通信手段)19により後述する露光装置3側の制御部18に送信するとともに、制御部18から送信される情報を受信可能になっている。
【0017】
露光装置3は、ガラス基板Pに対して露光処理を施すものであって、露光装置本体15と、ガラス基板Pを搬送する搬送装置(実行手段)16と、受け渡しポート17と、これら露光装置本体15、搬送装置16、受け渡しポート17を統括的に制御する制御部18とを備えている。搬送装置11は、ガラス基板Pを吸着保持した状態で水平面に沿って移動して、受け渡しポート14との間でガラス基板Pを搬送するとともに、露光装置本体15との間でガラス基板Pを搬送する構成になっている。
【0018】
受け渡しポート14は、C/D本体9で感光剤を塗布されたガラス基板Pおよび露光装置本体15で露光処理が施されたガラス基板Pの受け渡しが行われるものであって、ガラス基板Pをそれぞれ下方から吸着支持するように矩形配置された支持部20、21を備えている。支持部20は、未露光のガラス基板Pを吸着支持するものであって、図2に示すように、支持部21よりも内側下方に配置されている。支持部21は、露光処理済みのガラス基板Pを吸着支持するものである。これら支持部20、21は、それぞれが独立して上下方向に昇降自在になっており、ロードアーム10および搬送装置16が受け渡しポート14へ向けて移動した際にもロードアーム10および搬送装置16とそれぞれ干渉しない位置に配置されている。また、この受け渡しポート14において支持部20で支持されたガラス基板Pは、支持部20が下降して温度調整装置(不図示)によって所定温度に調整されるようになっている。
【0019】
制御部18は、基板搬送、露光処理にかかる時間や、ベースライン量計測、照度キャリブレーション、レンズキャリブレーション(投影光学系の結像特性調整)に必要な時間、および搬送装置11、受け渡しポート14、露光装置本体15に関して想定されるトラブルと、これらトラブルが解消してシステムが復旧するまでの時間が設定されたタイムテーブルを有しており、タイムテーブルに設定された時間を上記通信部19によりコータ・デベロッパ2の制御部13に送信するとともに、制御部13から送信される情報を受信可能になっている。
【0020】
図3に示すように、露光装置本体15は、マスクMに形成された液晶表示素子等のパターンを、感光剤が塗布されたガラス基板P上に投影露光するものであって、光源22、照明光学系23、投影光学系24、マスクステージ(レチクルステージ)25および基板ステージ26から概略構成されている。ここで、投影光学系24の光軸に平行にZ軸が、光軸に垂直な面内において、図3の紙面に平行にX軸が、光軸に垂直な面内において図3の紙面に垂直にY軸がそれぞれ設定されているものとする。
【0021】
光源22は、露光光としてのビームBを発するものであり、超高圧水銀ランプ等で構成されている。光源22から射出されたビームBは、照明光学系23に入射する。
【0022】
照明光学系23は、ビームBの光路を開閉するシャッタ27と、反射ミラー28、29と、波長選択フィルター30と、ビームBを均一化するためのオプティカルインテグレータ(フライアイレンズ等)31と、リレーレンズ32、33と、可変視野絞り34と、複数の光学素子で構成されるコンデンサ光学系35とから構成されている。そして、シャッタ27の開動作に応答して入射したビームBは、波長選択フィルター30において露光に必要な波長(g線やi線)が通過し、オプティカルインテグレータ31で照度が均一化される。照度が均一化されたビームBは、リレーレンズ32、33を通った後、コンデンサ光学系35で集光され、可変視野絞り34の開口によって規定されるマスクM上の照明領域、例えば非走査方向に延びるスリット形状の照明領域を重畳的に照明する。
【0023】
また、オプティカルインテグレータ31とリレーレンズ32との間には、ビームスプリッタ36が配置され、オプティカルインテグレータ31を通過したビームBの一部を照度計37へ入射させる。照度計37は、入射したビームBの照度(露光量)を検出し、検出した照度信号を制御部18へ出力する。なお、照度計37は、マスクMと共役な面に配置されている。波長選択フィルター30とオプティカルインテグレータ31との間には、フィルター38が配置されている。フィルター38は、ガラス板上にCr等で簾状にパターニングされたものであって、透過率がY方向に沿ってある範囲で線形に漸次変化するように形成され、制御部18の制御によりY方向に沿って移動可能になっている。
【0024】
マスクステージ25には、マスクホルダ39を介してマスクMが保持固定されている。マスクホルダ39には、移動鏡40が配設されている。そして、マスクステージ25の位置(ひいてはマスクMの位置)は、レーザ干渉計41から出射されたレーザ光が移動鏡40で反射され、レーザ干渉計41に入射し、その反射光と入射光との干渉に基づいて計測される。計測された位置情報は、駆動用モータ42を介してマスクMの位置および走査露光中のマスクMの速度制御等に用いられる。また、マスクステージ25の上方には、アライメントセンサ48が配設されている。アライメントセンサ48は、光源22が発するビームBと同じ波長のアライメント光を照射し、その反射光をCCD等で受光して画像処理を行うものである。なお、マスクM上には、アライメント用のアライメントマーク(不図示)が形成されている。
【0025】
投影光学系24は、複数の光学素子を有し、マスクMの照明領域に存在するパターンの像をガラス基板P上に結像させる。そして、ガラス基板P上に塗布されたレジストが感光して、ガラス基板P上にパターン像が転写される。
【0026】
基板ステージ26は、基板ホルダ43を介してガラス基板Pを保持固定するものであって、互いに直交する方向(X、Y、Zの三次元方向)へ移動自在とされている。この基板ステージ26上には、移動鏡44が配設されている。そして、基板ステージ26の位置(ひいてはガラス基板Pの位置)は、レーザ干渉計45から出射されたレーザ光が移動鏡44で反射され、レーザ干渉計45に入射し、その反射光と入射光との干渉に基づいて計測される。計測された位置情報は、駆動用モータ46を介してガラス基板Pの位置および走査露光中のガラス基板Pの速度制御等に用いられる。
【0027】
また、基板ステージ26の上方には、投影光学系24と離間して、基板ステージ26上の露光領域外に設けられた指標マークFMおよびガラス基板Pの露光領域に転写された基板マーク(不図示)を観察するアライメント光学系47が配設されている。この指標マークFMの位置をアライメント光学系47、およびアライメントセンサ48をそれぞれ用いて計測することにより、アライメント光学系47と投影光学系24との間の距離であるベースライン量を計測することができる。そして、ガラス基板Pの露光領域に転写された基板マークをアライメント光学系47で計測することにより、ガラス基板Pにおけるこの露光領域の位置を検出することができ、この位置と上記ベースライン量とにより、投影光学系24に対する所定位置にガラス基板P上の露光領域を移動させることができる。
【0028】
したがって、マスクMを透過したビームBは、投影光学系24を介してガラス基板Pに結像する。そして、ガラス基板P上の所定の露光領域には、マスクMの照明領域にあるパターン像が形成される。そして、マスクステージ25および基板ステージ26の位置を検出しつつ、マスクステージ25および基板ステージ26によってマスクMおよびガラス基板PをビームBに対して同期移動させる。これにより、マスクMに形成されたパターンがガラス基板P上の所定の露光領域に逐次転写される。
【0029】
上記の構成のリソグラフィシステムの動作について以下に説明する。
AGV等によりカセットを介して供給されるガラス基板Pは、カセットステーション14にセットされ、搬送系によってC/D本体9に搬送される。C/D本体9で感光剤を塗布されたガラス基板Pは、ロードアーム10によって吸着保持されて、図1に示すように、開口部8に対向する位置に搬送される。
【0030】
ここで、露光装置3側においてガラス基板Pの受け取りが可能である場合は、図4に示すように、制御部18が時間t1の時点でRTR(Ready To Receive)信号を発信している。コータ・デベロッパ2側の制御部13は、通信部19を介してRTR信号を受信していると、時間t2でガラス基板Pを搬出する際のSEND信号を発信する。制御部18は、制御部13からのSEND信号を受信すると、時間t3でRTR信号の発信を停止する。これにより、制御部13は、制御部18がSEND信号を受信したと認識し、時間t4でロードアーム10を作動させる。
【0031】
ここで、制御部13がSEND信号を発信する前に制御部18からRTR信号が発信されていない場合や、制御部18からRTR信号は発信されていたものの、制御部13がSEND信号を発信しても制御部18からのRTR信号が停止されない場合、制御部13はロードアーム10を一定時間待機させ、一定時間経過しても状況が変わらないときには、ガラス基板Pをバッファ11または12に一時的に収納する。
【0032】
露光装置3側が受け取り可能である場合、受け渡しポート17では、支持部20でガラス基板Pを吸着支持できるように、支持部21がロードアーム10に干渉しないようにロードアーム10よりも上方に移動するとともに、支持部20がロードアーム10よりも下方に移動する。この後、ロードアーム10は、開口部8から露光装置3の収容部7内に進入し、受け渡しポート17の支持部20、21間で停止する。そして、支持部20が上昇するとともに、ロードアーム10がガラス基板Pに対する吸着保持を解除することにより、ガラス基板Pが受け渡される。受け渡されたガラス基板Pは、支持部20が下降することにより温度調整装置へ運ばれ、露光処理に応じた温度に調整される。
【0033】
ここで、露光処理済みのガラス基板Pが支持部21にない場合、ロードアーム10はガラス基板Pを支持部20に受け渡した後、直接、収容部6へ退避するが、支持部21上に露光処理済みのガラス基板Pが支持されている場合、ロードアーム10は、コータ・デベロッパ2側へ一旦退避し、支持部21がロードアーム10よりも下方に移動した後、再度受け渡しポート17へ進入し、露光処理済みのガラス基板Pを吸着保持して、開口部8からコータ・デベロッパ2の収容部6へ移動する。そして、露光処理が施されたガラス基板Pは、ロードアーム10によってC/D本体9へ搬送され、現像処理が行われる。
【0034】
一方、温度が調整されたガラス基板Pは、支持部21の上昇により搬送装置16よりも上方へ移動した後、受け渡しポート17へ進出した搬送装置16に吸着保持されて受け渡される。そして、ガラス基板Pは、搬送装置16により露光装置本体15の基板ステージ26上へ搬送される。基板ホルダ43に保持されたガラス基板Pには、上述した露光処理によりマスクMのパターンが形成される。なお、露光処理が終了したガラス基板Pは、上記と逆の手順で受け渡しポート17を介してコータ・デベロッパ2へ搬送され、C/D本体9で現像処理が施された後、カセットステーション14のカセットに収納される。
【0035】
続いて、カセットステーション14にカセットが供給されなかったり、C/D本体9内で何らかのトラブルが生じた場合の動作について説明する。
このような事態が生じると、制御部13はタイムテーブルを参照して、トラブルが解消してシステムが復旧するまでコータ・デベロッパ2が待機する時間情報を通信部19を介して露光装置3の制御部18に送信する。具体的には、ガラス基板Pが供給されないような事態であれば、少なくともC/D本体9でガラス基板Pに感光剤塗布処理を行って受け渡しポート17へ搬送するまでに要する時間が待機時間情報として送信される。また、C/D本体9内でエラー等が発生した場合は、エラーが解除されてガラス基板Pが受け渡しポート17へ搬送されるまでにかかると想定される時間が待機時間情報として送信される。
【0036】
露光装置3の制御部18は、制御部13から上記の待機時間情報を受信すると、図5に示すフローチャートに基づいて、独立した処理の実行を開始する(ステップS0)。このフローチャートに示すように、ガラス基板Pの供給中断が通知されると(ステップS1)、制御部18は待機時間が各種処理を実行可能な時間以上であるかどうかを判断し(ステップS2)、そうでない場合はこのシーケンスを終了する(ステップS3)。
【0037】
一方、待機時間以下の実行時間で済む処理が存在する場合、ベースライン量計測および照度キャリブレーションに関しては、前回これらの処理を実行後、規定のロット数または枚数を処理したかどうかを判断し(ステップS5)、未処理であればこのシーケンスを終了し(ステップS3)、処理済みであれば以下の処理を実施する(ステップS4)。また、露光処理済みのガラス基板Pの搬出処理に関しては、搬出に要する時間が待機時間以下であれば直ちに下記の処理を実施する。
【0038】
[ベースライン量の計測処理を行う場合]
まず、搬送装置16によりガラス基板Pが基板ステージ26上から搬出されると、マスクMのアライメントマークと、基板ステージ26上の指標マークFMとが一致するようにマスクステージ25および基板ステージ26とを移動させる。アライメントセンサ48は、アライメント光をアライメントマークおよび指標マークFMとに照射する。アライメントセンサ48は、その反射光を受光して画像処理し、両マークの位置ずれ量を求める(または、位置ずれ量が零になるように基板ステージ26を移動させる)。
【0039】
次に、アライメント光学系47の直下に指標マークFMが位置するように基板ステージ26を移動させ、アライメント光学系47により指標マークFMの位置を検出する。投影光学系24に対するマスクMのアライメントマークの位置は既知であるため、上記アライメントセンサ48で求めた位置ずれ量と、アライメント光学系47で指標マークFMを検出したときの位置とから、基板ステージ座標系における投影光学系24とアライメント光学系47との間隔であるベースライン量を計測することができる。なお、制御部13から待機時間情報が送信されたときに露光装置本体15で露光処理が行われている場合は、この露光処理が終了しガラス基板Pが搬送装置16により露光装置本体15から搬出されるまでの時間も上記実行時間に加算する。
【0040】
[照度キャリブレーションを行う場合]
まず、光源22からビームBを照射し、ビームスプリッタ36で反射したビームBの一部を照度計37へ入射させて、ビームBの照度(露光量)を検出する。制御部18は、検出された照度に基づいてフィルター38を移動させて、照度計37で検出される照度が所定の照度になるように調整する。ここで、基板ステージ26上の照度と照度計37で検出される照度との相対関係は予め求められており、照度計37で検出される照度を所定値に調整することで、基板ステージ26上に規定の露光量でビームBが照射されるようになっている。
【0041】
なお、ビームBの照度検出は、照明光学系23中で照度計37を用いる他に、基板ステージ26の所定位置に照度計を設けるような構成であってもよい。
【0042】
[ガラス基板Pの搬出処理を行う場合]
制御部18は待機時間情報が通知されると、この待機時間を加味し、通常より短いインライン待ち時間を搬送装置16に対して設定する。搬送装置16は、受け渡しポート17でコータ・デベロッパ2からガラス基板Pが供給されるのを待つが、インライン待ち時間を経過したところで待機状態を切ってガラス基板Pの搬出動作を実行する。この際、待機時間情報に基づいてインライン待ち時間が設定されているため、ガラス基板Pの搬出動作に移行した直後にコータ・デベロッパ2からガラス基板の供給が行われることはない。
【0043】
なお、ステップS1において、ガラス基板の供給中断が通知されていない場合は、ステップS5において前回ベースライン量計測または照度キャリブレーション処理を実行後、規定のロット数または枚数を処理したかどうかを判断し、未処理であればこのシーケンスを終了し(ステップS3)、処理済みであれば上記の処理を実施する(ステップS4)。
【0044】
本実施の形態の基板処理システムでは、コータ・デベロッパ2が待機することにより、露光装置3へ供給されるガラス基板Pの供給が途切れても、通信部19によって露光装置3側に待機時間情報が通信されるので、露光装置3側で発生する空き時間にベースライン量計測、照度キャリブレーション、露光処理済みガラス基板Pの搬出動作をそれぞれ独立して実行することができ、空き時間を有効活用して効率的な生産を実現することができる。そのため、従来のようにガラス基板Pが供給されているタイミングで露光処理を停止させて、上記計測、調整処理を行う場合に比較してロスタイムを無くすことができる。また、このロスタイムを無くすため、上記計測、調整を省略した場合と比較しても、重ね合わせ精度の低下の防止やビームBの照度低下によるスループットの低下を防止することができる。
【0045】
また、本実施の形態では、搬送装置16がガラス基板Pの搬出動作に移行した直後にコータ・デベロッパ2からガラス基板が供給されることがないので、再度待機位置の戻らなければならないという無駄な動作や時間が発生することなく、生産性の低下も防止することができる。加えて、搬送装置16が露光処理済みのガラス基板Pを迅速に搬出するので、基板ステージ26上に露光処理済みガラス基板Pが放置された際にアライメントレーザやフォーカスビームで感光されてしまうという事態を未然に防ぐことができる。また、ガラス基板Pを基板ステージ26上に放置せざるを得ない場合でも、待機時間に基づいて適切なタイミングでシャッタ27を閉じればよく、必要以上にシャッタ動作を行うことでタクトタイムが長くなるということも防止できる。さらに、露光装置3側で露光処理済みのガラス基板Pの滞留がなくなるので、ガラス基板の供給が再開されたときに、受け渡しポート17におけるガラス基板Pの搬出、搬入動作のサイクルが乱れることも防止できる。
【0046】
図6ないし図10は、本発明の基板処理システムの第2の実施の形態を示す図である。これらの図において、図1ないし図5に示す第1の実施の形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。第2の実施の形態と上記の第1の実施の形態とが異なる点は、露光装置本体15の構成と、露光装置3側の空き時間にレンズキャリブレーションを実行することである。
【0047】
図6に示す露光装置本体15は、鉛直に保持したマスクMとガラス基板Pとを複数の光路を有する露光光に対して走査移動してマスクMのパターンをガラス基板P上に投影するものであって、ベース49と、このベース49上をY方向に沿って移動可能な移動ステージ50と、この移動ステージ50上に固定され、マスクMとガラス基板Pとを相互に平行、且つ鉛直に保持する断面略U字状のキャリッジ51と、キャリッジ51よりも+X側に配置され本体コラム52に保持された照明光学系23と、マスクMとガラス基板Pとの間に配置され、本体コラム52に保持された投影光学系ブロック53とを備えている。
【0048】
移動ステージ50は、ベース49上にY方向に沿って延設された一対のガイド部材54A、54B上に不図示のエアベアリングで浮上支持されている。また、移動ステージ50のX方向両側には、リニアモータ55が設けられ、これらのリニアモータ55によって移動ステージ50と一体的にキャリッジ51がガイド部材54A、54Bに沿って駆動されるようになっている。
【0049】
キャリッジ51の−X側に位置する側壁により基板ステージ26が構成されている。基板ステージ26には、鉛直方向にガラス基板Pを保持する基板ホルダ43が取り付けられている。また、キャリッジ51の+X側に位置する側壁によりマスクステージ25が構成されている。マスクステージ25には、マスクMを鉛直に保持するマスクホルダ39が取り付けられている。マスクホルダ39は、三つのモータ56a〜56cによってYZ平面内で微小駆動可能に構成されて、キャリッジ51に対する位置・姿勢が調整可能になっている。
【0050】
基板ステージ26の+Y方向端部には+X方向に突出する凸部が形成されており、この凸部の表面にZ方向に延設された基板側基準マーク板57が固定されている。この基板側基準マーク板57の表面は、ガラス基板Pの表面とほぼ同一面上に設定されている。また、マスクMの基板側基準マーク板57に対向する領域には、Z方向に所定間隔で8つのマスク側基準マークが形成されている。
【0051】
なお、キャリッジ51のXYZ3軸方向の位置は、レーザ干渉計I1〜I5(図6では測長ビームのみ図示)を含むレーザ干渉計システムによって計測されるようになっている。
【0052】
投影光学系ブロック53は、投影光学系としての第1〜第7の投影系モジュール(投影光学系)PL1〜PL7(図6ではPL5は図示せず)を備えている。これらの投影系モジュールPL1〜PL7は、それぞれ平面視台形の露光フィールドを有し、ここでは等倍の正立像を投影する、いわゆるダブルダイソン型の光学系が用いられている。
【0053】
投影系モジュールPL1〜PL7のうち、3つの投影系モジュールPL5〜PL7は、図7に示すように、投影系モジュールPL1〜PL4の+X側に配置されている。また、投影系モジュールPL5の光軸が投影系モジュールPL1とPL2の間に配置され、また、投影系モジュールPL6の光軸が投影系モジュールPL2とPL3の間に配置され、投影系モジュールPL7の光軸が投影系モジュールPL3とPL4の間に配置されている。
【0054】
すなわち、投影系モジュールPL1〜PL4によって投影される台形の投影領域PA1〜PA4と、投影系モジュールPL5〜PL7によって投影される投影領域PA5〜PA7(図8参照)とが、Y方向に所定間隔でZ方向に並び、且つ隣り合う投影領域同士(例えば、PA1とPA5、PA5とPA2)の端部同士(図8中、点線で示される部分)がZ方向に所定量オーバーラップするように、投影系モジュールPL1〜PL7は、いわゆる千鳥状に配置されている。これにより、投影光学系ブロック53に対してマスクMとガラス基板Pとを走査することにより、継ぎ露光が可能になっている。従って、この露光装置本体15においては、一対のリニアモータ55を介して移動ステージ50と一体的にキャリッジ51を駆動することによりマスクMとガラス基板Pとを図6のY方向に走査すれば、一回の走査露光でマスクM上の全パターンをガラス基板P上に転写できる。
【0055】
投影系モジュールPL1〜PL7には、投影像(転写像)の結像特性を調整するための調整機構58がそれぞれ設けられており、この調整機構58によって投影像の位置ずれ(シフト)、ローテーション(回転)、倍率等が調整可能に構成されている。具体的には、この調整機構58は、例えば投影系モジュール内部のプレーンパラレル(不図示)をY軸、Z軸周りに回転させることによりシフト量を調整し、また、投影系モジュール内部の特定のレンズを光軸方向に駆動することにより倍率を調整し、さらに、投影系モジュール内部のプリズムを回転させることによりローテーションを調整するようになっている。
【0056】
図8に示すように、基板側基準マーク板57には、相互に隣接する投影領域のオーバーラップ部に対応する位置に基板側基準マークP2〜P7が形成され、また、両端の投影領域のPA1、PA4の外側傾斜部に対応する位置に基板側基準マークP1、P8が設計値に従って精度良く形成されている。
【0057】
一方、マスクM上には、デバイスパターンが形成されたパターン領域DPの近傍に、基板側基準マークP1〜P8にそれぞれ対応するマスク側基準マークM1〜M8(図8参照)が形成されている。また、基板側基準マーク板57の裏面側には、投影系モジュールPL1〜PL7によりそれぞれ基板側基準マーク板57上に投影されたマスク側基準マークM1〜M8の像と、各マスク側基準マークに対応する基板側基準マークP1〜P8との相対位置を光電検出するCCDカメラ等からなるセンサS1〜S8がキャリッジ51に埋め込まれている。
【0058】
また、本露光装置本体15には、アライメントセンサ部が設けられている。アライメントセンサ部は、検出基準となる指標をそれぞれ備えた画像処理方式の一対のアライメント顕微鏡から構成され、各アライメント顕微鏡は、キャリッジ51が所定のローディング位置(図6に示す位置)にあるときに、基板側基準マーク板57に設けられた不図示のマスクアライメント用の一対の基準マーク(基準マークP1〜P8のうちの任意の2つを兼用してもよい)にそれぞれの指標が一致するようにその位置が調整されている。
【0059】
このアライメントセンサ部では、マスクMのアライメント時に、各アライメント顕微鏡の指標と、マスクM上に形成された不図示のアライメントマーク(基準マークM1〜M8のうちの任意の2つを兼用してもよい)との相対位置を計測するようになっている。また、上記干渉計システム、センサS1〜S8、モータ56a〜56c、リニアモータ55、調整機構58、アライメントセンサ部は、制御部18によって統括的に制御されている。
【0060】
上記の構成の露光装置本体15を有するリソグラフィシステム1では、図5に示したフローチャートに沿って、ガラス基板Pの供給中断が通知されると(ステップS1)、制御部18は待機時間がレンズキャリブレーション(投影光モジュールの較正)を実行可能な時間以上であるかどうかを判断するとともに(ステップS2)、前回のレンズキャリブレーションを実行後、規定のロット数または枚数を処理したかどうかを判断し(ステップS5)、処理済みであれば以下のレンズキャリブレーションを実施する(ステップS4)。
【0061】
なお、アライメントセンサ部の計測値に基づいてモータ24a〜24cが制御部18により制御され、マスクMのアライメントは終了しているものとする。この状態で制御部18は、レーザ干渉計I1〜I5の計測値をモニタしつつ、一対のリニアモータ55を制御して投影系モジュールPL1〜PL4が基板側基準マーク板57に対向する位置までキャリッジ51を移動させる。これにより、マスクM上のマスク側基準マークM1〜M8に投影系モジュールPL1〜PL4が対向した図7の状態となる。
【0062】
この状態で不図示のシャッタが開放され、照明光学系23からの照明光によりマスクM上の投影系モジュールPL1〜PL4の投影領域に対応する4つの台形状の領域が照明されると、制御部18は投影系モジュールPL1〜L4によって基板側基準マークP1〜P8上に投影されたマスク側基準マークM1〜M8の投影像と、該投影像に対応する基板側基準マークP1〜P8との相対位置関係を8つのセンサS1〜S8を用いて計測する。
【0063】
ここで、この計測およびこの計測結果に基づく投影像(転写像)の補正値の算出方法について、投影系モジュールPL1の場合を例にとって説明する。この場合、マスク側基準マークM1、M2として図9に示すような、二重十字マークが用いられ、基板側基準マークP1、P2として十字マークが用いられるものとする。
【0064】
そして、センサS1、S2により、それぞれ図9(A)、(B)に示すような画像が撮像されたものとすると、CCDカメラS1、S2から相対位置データとして基板側基準マークP1、P2の中心点を原点とする計測値(dy1,dz1)、(dy2,dz2)が制御部18に出力される。これらの計測値に基づいて制御部18では、投影系モジュールPL1の結像特性の補正値を次の(1)〜(4)式に基づいて演算する。
上記(1)〜(4)式における右辺の負号(−)は、補正値であることから付されるものであり、また(3)式、(4)式中のLは計測点間距離(基準マークP1とP2との距離)である。
【0065】
上記と同様にして、制御部18では、センサS3、S4を介して基板側基準マークP3、P4に対するマスク側基準マークM3、M4の投影像の相対位置データ(dy3,dz3)、(dy4,dz4)を得、これらに基づいて上記(1)〜(4)式と同様の補正値の算出式を用いて投影系モジュールPL2の投影像の補正値を算出する。また、同様に制御部18は、センサS5、S6を介して投影系モジュールPL3の投影像の補正値を算出するとともに、センサS7、S8を介して投影系モジュールPL4の投影像の補正値を算出する。
【0066】
次いで、制御部18は、レーザ干渉計I1〜I5の計測値をモニタしつつ、一対のリニアモータ55を制御して投影系モジュールPL5〜PL7が基板側基準マーク板57に対向する位置までキャリッジ51を移動させる。これにより、マスクM上のマスク側基準マークM2〜M7に投影系モジュールPL5〜PL7が対向した図10の状態となる。
【0067】
この状態で、不図示のシャッタが所定量開放され照明光学系23からマスクM上の投影系モジュールPL5〜PL7の投影領域に対応する3つの台形状の領域が照明されると、制御部18では投影系モジュールPL5〜PL7によって基板側基準マークP2〜P7上に投影されたマスク側基準マークM2〜M7の投影像と、該投影像に対応する基板側基準マークP2〜P7との相対位置をセンサS2〜S7を用いて計測する。そして、これらのセンサS2〜S7の計測値に基づいて、上記と同様にして投影系モジュールPL5〜PL7の投影像の補正値(シフト、倍率、回転)を求める。
【0068】
そして、制御部18は、このようにして求めた補正値に従い、投影系モジュールPL1〜PL7にそれぞれ設けられた調整機構58を介して投影系モジュールPL1〜PL7の結像特性をそれぞれ調整する。これにより、マスクM上に形成された8つの基準マークM1〜M8が対応する基板側基準マークP1〜P8上に正確に投影されるように投影系モジュールPL1〜PL7の結像特性が較正される。このレンズキャリブレーションにより、投影系モジュールPL1〜PL8のディストーションはもちろん、マスクM上のパターンの描画誤差も補正される。
【0069】
本実施の形態の基板処理システムでは、上記第1の実施の形態と同様に、コータ・デベロッパ2が待機することで、露光装置3へ供給されるガラス基板Pの供給が途切れても、通信部19によって露光装置3側に待機時間情報が通信されるので、露光装置3側で発生する空き時間にレンズキャリブレーションを独立して実行することができ、効率的な生産を実現することができるとともに、結像特性の低下を未然に防ぐことができる。
【0070】
なお、上記実施の形態において、投影系ブロック53が7つの投影系モジュールPL1〜PL7で構成されるものとしたが、これに限定されるものではなく、投影系モジュール(投影光学系)は1つ以上であれば幾つでもよく、投影光学系の数に応じて基準マークの数を増減させればよい。また、マスクMとガラス基板Pとをキャリッジ51に保持され一体的に移動するタイプとしたが、これに限られず、マスクMとガラス基板Pとが相互に同期して投影光学系に対して相対走査されるタイプであってもよい。また、マスクMとガラス基板Pとを水平方向に沿って保持するタイプの露光装置であってもよい。
【0071】
さらに、上記第2の実施の形態では、露光装置3側の空き時間にレンズキャリブレーションを実行する構成としたが、センサS1〜S8を照度計とすることで、投影領域PA1〜PA7の重複部における照度(露光量)を計測でき、これに基づいて照明光学系23を調整すれば照度キャリブレーションを実行することもできる。また、センサS1〜S8に照度計およびCCDカメラの双方を配設すれば一度に照度キャリブレーションとレンズキャリブレーションの双方を実行することも可能である。
【0072】
なお、上記実施の形態において、ロードアーム10および搬送装置16が一本のアームでガラス基板Pを搬送する構成としたが、これに限られず少なくともどちらか一方が二本のアームを有する、いわゆるダブルアーム方式を採用してもよい。この場合、自装置で処理されたガラス基板Pを受け渡しポート17へ搬送し、他装置で処理済みのガラス基板Pを受け取るときに、一旦後退して受け渡しポート17上から退避する必要がなくなり、搬送時間が短縮されることから一層生産効率を向上させることができる。
【0073】
また、上記実施の形態では、基板処理システムとしてコータ・デベロッパ2と露光装置3とがインライン接続される構成としたが、これに限られず、例えばガラス基板Pに対する異物の有無や露光されたパターンを検査する検査装置や、ガラス基板Pに転写されたパターンの周辺部を露光して現像工程でレジストを除去するための周辺露光装置や、ガラス基板Pに処理工程等のタイトルを露光処理で形成するタイトラー等を含めた装置を任意の組み合わせで接続し、接続された装置間で上記待機時間情報が通信される通信手段を設けるような構成であってもよい。また、コータ・デベロッパ2は、ガラス基板Pに対する感光剤塗布処理のみを行うコータであってもよい。
【0074】
さらに、上記実施の形態では、コータ・デベロッパ2が待機している空き時間に露光装置3側で各種処理を実行する構成としたが、同様に、露光装置3側で何らかのトラブルが生じた際には、通信部19による通信結果に基づいて、コータ・デベロッパ2側で、感光剤塗布処理や現像処理に関する各種調整、計測を行うような構成であってもよい。
【0075】
なお、本実施の形態の基板としては、液晶ディスプレイデバイス用のガラス基板Pのみならず、半導体デバイス用の半導体ウエハや、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。
【0076】
露光装置3としては、マスクMとガラス基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニング・ステッパー;USP5,473,410)の他に、マスクMとガラス基板Pとを静止した状態でガラス基板Pのパターンを露光し、ガラス基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパー)にも適用することができる。
【0077】
露光装置3の種類としては、ガラス基板Pに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光装置に限られず、半導体製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるいはレチクルなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【0078】
また、光源22として、超高圧水銀ランプから発生する輝線(g線(436nm)、h線(404.nm)、i線(365nm))、KrFエキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ(193nm)、F2レーザ(157nm)のみならず、X線や電子線などの荷電粒子線を用いることができる。例えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱電子放射型のランタンヘキサボライト(LaB6)、タンタル(Ta)を用いることができる。また、YAGレーザや半導体レーザ等の高周波などを用いてもよい。
【0079】
投影光学系24、投影系モジュールPL1〜PL7の倍率は、等倍系のみならず縮小系および拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系24、投影系モジュールPL1〜PL7としては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、F2レーザやX線を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にし(マスクMも反射型タイプのものを用いる)、また電子線を用いる場合には光学系として電子レンズおよび偏向器からなる電子光学系を用いればよい。なお、電子線が通過する光路は、真空状態にすることはいうまでもない。また、投影光学系24、PL1〜PL7を用いることなく、マスクMとガラス基板Pとを密接させてマスクMのパターンを露光するプロキシミティ露光装置にも適用可能である。
【0080】
基板ステージ26やマスクステージ25にリニアモータ(USP5,623,853またはUSP5,528,118参照)を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。
また、各ステージ25、26は、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。
【0081】
各ステージ25、26の駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージ25、26を駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージ25、26に接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステージ25、26の移動面側に設ければよい。
【0082】
基板ステージ26の移動により発生する反力は、投影光学系24(投影系モジュールPL1〜PL7)に伝わらないように、特開平8−166475号公報(USP5,528,118)に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。
マスクステージ25の移動により発生する反力は、投影光学系24(投影系モジュールPL1〜PL7)に伝わらないように、特開平8−330224号公報(US S/N 08/416,558)に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。
【0083】
複数の光学素子から構成される照明光学系23および投影光学系24(投影系モジュールPL1〜PL7)をそれぞれ露光装置本体に組み込んでその光学調整をするとともに、アライメント光学系47、アライメントセンサ48を取り付け、多数の機械部品からなるマスクステージ25や基板ステージ26を露光装置本体15に取り付けて配線や配管を接続し、制御部18を取り付け、さらに総合調整(電気調整、動作確認等)をすることにより本実施の形態の露光装置3を製造することができる。なお、露光装置3の製造は、温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【0084】
液晶表示素子や半導体デバイス等のデバイスは、各デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたマスクMを製作するステップ、ガラス基板P、ウエハ等を製作するステップ、前述した実施の形態の露光装置3によりマスクMのパターンをガラス基板P、ウエハに露光するステップ、各デバイスを組み立てるステップ(ウエハの場合、ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)、検査ステップ等を経て製造される。
【0085】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1に係る基板処理システムは、通信手段が第1装置と第2装置との一方の装置の待機時間情報を他方の装置に通信する構成となっている。
これにより、この基板処理システムでは、一方の装置が待機することで他方の装置側で発生する空き時間を有効に活用して第1、第2の処理に関する処理を実行することができ、効率的な生産を実現できるという効果が得られる。そのため、従来のように第1、第2の処理を停止させて実行する場合に比較してロスタイムを無くすことができるという効果も得られる。
【0086】
請求項2に係る基板処理システムは、他方の装置が通信手段の通信結果に基づいて、一方の装置とは独立した処理を実行する実行手段を備える構成となっている。
これにより、この基板処理システムでは、一方の装置が待機することで他方の装置側で発生する空き時間を有効に活用して、実行手段が第1、第2の処理に関する一方の装置とは独立した処理を実行することができ、効率的な生産を実現できるという効果が得られる。
【0087】
請求項3に係る基板処理システムは、実行手段が他方の装置内で基板の搬送を行う搬送装置である構成となっている。
これにより、この基板処理システムでは、搬送装置が再度待機位置の戻らなければならないという無駄な動作や時間が発生することなく、生産性の低下も防止できることに加えて、搬送装置が他方の装置で処理済みの基板を迅速に搬出するので、露光処理済み基板が放置された際にアライメントレーザやフォーカスビームで感光されてしまうという事態を未然に防ぐことができるという効果が得られる。さらに、他方の装置側で処理済みの基板の滞留がなくなるので、基板の供給が再開されたときに、基板の搬出、搬入動作のサイクルが乱れることも防止できる。
【0088】
請求項4に係る基板処理システムは、第1装置が、基板に感光剤を塗布するコータを有する構成となっている。
これにより、この基板処理システムでは、空き時間を有効に活用して感光剤塗布に関する処理を実行することができ、効率的な生産を実現できるという効果が得られる。
【0089】
請求項5に係る基板処理システムは、第2装置が基板にパターンを形成する露光装置である構成となっている。
これにより、この基板処理システムでは、空き時間を有効に活用して露光処理に関する処理を実行することができ、効率的な生産を実現できるという効果が得られる。
【0090】
請求項6に係る基板処理システムは、第2装置が露光光を投影光学系により投影して基板にパターンを形成する露光装置である構成となっている。
これにより、この基板処理システムでは、空き時間を有効に活用して、投影光学系の結像特性調整等の露光処理に関する処理を実行することができ、効率的な生産を実現できるとともに、結像特性の低下を未然に防ぐことができるという効果が得られる。
【0091】
請求項7に係る基板処理システムは、実行手段が露光光の露光量調整処理を実行する構成となっている。
これにより、この基板処理システムでは、空き時間を有効に活用して、露光光の露光量調整処理等の露光処理に関する処理を実行することができ、効率的な生産を実現できるとともに、露光光の露光量低下によるスループットの低下を防止できるという効果が得られる。
【0092】
請求項8に係る基板処理システムは、実行手段がアライメント光学系と投影光学系との間隔であるベースライン量を計測する構成となっている。
これにより、この基板処理システムでは、空き時間を有効に活用して、ベースライン量計測等の露光処理に関する処理を実行することができ、効率的な生産を実現できるとともに、重ね合わせ精度の低下を防止できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施の形態を示す図であって、コータ・デベロッパと露光装置とがインライン接続されたリソグラフィシステムの概略構成図である。
【図2】 受け渡しポートの正面図である。
【図3】 露光装置本体の構成図である。
【図4】 露光装置、コータ・デベロッパ、ロードアームの動作タイミングを示すタイムチャート図である。
【図5】 処理の実行の流れを示すフローチャート図である。
【図6】 本発明の第2の実施の形態を示す図であって、マスクとガラス基板とが一体的に走査移動される露光装置本体の外観斜視図である。
【図7】 同露光装置本体を構成する投影系モジュールの配置を示す外観斜視図である。
【図8】 マスク上のマスク側基準マークとこれに対応する基板側基準マークとの位置関係およびこれらと各投影領域との位置関係を示す図である。
【図9】 (A)はセンサにより撮像された画像の一例を示し、(B)は別のセンサで撮像された画像の一例を示す図である。
【図10】 投影系モジュールのキャリブレーションのための基準マーク間の相対位置計測を説明するための図である。
【符号の説明】
B ビーム(露光光)
P ガラス基板(基板)
PL1〜PL7 投影系モジュール(投影光学系)
1 リソグラフィシステム(基板処理システム)
2 コータ・デベロッパ(第1装置、一方の装置)
3 露光装置(第2装置、他方の装置)
16 搬送装置(実行手段)
19 通信部(通信手段)
24 投影光学系
47 アライメント光学系
Claims (25)
- 基板を処理する第1装置と、
前記第1装置から搬送される前記基板を処理する第2装置と、
前記第1装置のトラブルに対応する時間情報を前記第1装置から前記第2装置に通信する通信手段とを備え、
前記第2装置は、所定の処理が実行可能かどうかを前記時間情報に基づいて判断する判断部を有することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1記載の基板処理システムにおいて、
前記所定の処理は、前記第2装置が独立して行うことができる処理であることを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1または2記載の基板処理システムにおいて、
前記時間情報は、前記トラブルが解消して当該システムが復旧するまでの時間として設定される設定時間を含むことを特徴とする基板処理システム。 - 請求項3に記載の基板処理システムにおいて、
前記時間情報は、前記設定時間に応じて前記第1装置が待機する待機時間を含むことを特徴とする基板処理システム。 - 請求項4に記載の基板処理システムにおいて、
前記判断部は、前記待機時間が、前記所定の処理を実行可能な時間以上であるかどうかを判断することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の基板処理システムにおいて、
前記第2装置は、前記判断部の判断結果に基づいて前記所定の処理の実施制御を行う制御部を有することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項5に記載の基板処理システムにおいて、
前記第2装置は、前記待機時間が前記所定の処理を実行可能な時間以上であるとする前記判断部の判断結果に応じて前記所定の処理の実施制御を行う制御部を有することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1から7のいずれか1項に記載の基板処理システムにおいて、
前記第1装置は、前記トラブルの発生に応じて前記時間情報を前記通信手段を介して前記第2装置へ送信する送信制御部を有することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項8に記載の基板処理システムにおいて、
前記送信制御部は、前記第1装置に関して想定される前記トラブルと、該トラブルが解消して当該システムが復旧するまでの時間とが設定された情報テーブルを有し、該情報テーブルに基づいて前記時間情報を前記第2装置へ送信することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1から9のいずれか1項に記載の基板処理システムにおいて、
前記トラブルは、前記第1装置から前記第2装置に前記基板が供給されなくなるトラブルを含むことを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1から10のいずれか1項に記載の基板処理システムにおいて、
前記第1装置は、前記基板に感光剤を塗布するコータ、露光処理された前記基板を現像するデベロッパ、感光剤が塗布された前記基板にパターンを転写する露光装置、前記基板に対する異物の有無や露光されたパターンを検査する検査装置、または前記基板に転写されたパターンの周辺部を露光する周辺露光装置であり、
前記第2装置は、前記コータ、前記デベロッパ、前記露光装置、前記検査装置または前記周辺露光装置であって前記第1装置と異なる装置であることを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1から11のいずれか1項に記載の基板処理システムにおいて、
前記第2装置は、前記基板を搬送する搬送装置を含み、
前記所定の処理は、前記搬送装置によって前記基板を搬送する搬送処理であることを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1から11のいずれか1項に記載の基板処理システムにおいて、
前記第2装置は、感光剤が塗布された前記基板にパターンを転写する露光装置であり、
前記所定の処理は、前記露光装置によって前記基板に照射される露光光の照度を調整する調整処理であることを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1から11のいずれか1項に記載の基板処理システムにおいて、
前記第2装置は、感光剤が塗布された前記基板に投影光学系を介してパターンを転写する露光装置であり、
前記所定の処理は、前記露光装置内の前記基板の位置を検出するアライメント光学系と前記投影光学系との間隔であるベースライン量を計測する計測処理であることを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1から11のいずれか1項に記載の基板処理システムにおいて、
前記第2装置は、感光剤が塗布された前記基板に投影光学系を介してパターンを転写する露光装置であり、
前記所定の処理は、前記投影光学系を較正する較正処理であることを特徴とする基板処理システム。 - 外部装置から搬送される基板を処理する基板処理装置において、
前記外部装置のトラブルに対応する時間情報を受信する受信部と、
所定の処理が実行可能かどうかを前記時間情報に基づいて判断する判断部と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項16に記載の基板処理装置において、
前記判断部の判断結果に基づいて前記所定の処理の実施制御を行う制御部を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 外部装置へ搬送する基板を処理する基板処理装置において、
当該基板処理装置のトラブルの発生に応じて、該トラブルに対応する時間情報を前記外部装置へ送信する送信制御部を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項18に記載の基板処理装置において、
前記送信制御部は、前記時間情報を外部通信手段を介して前記外部装置へ送信することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項18または19に記載の基板処理装置において、
前記送信制御部は、当該基板処理装置に関して想定される前記トラブルと、該トラブルが解消して当該基板処理装置が復旧するまでの時間とが設定された情報テーブルを有し、該情報テーブルに基づいて前記時間情報を前記外部装置へ送信することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項16から20のいずれか1項に記載の基板処理装置において、
前記時間情報は、前記トラブルが解消して当該基板処理装置が復旧するまでの時間として設定される設定時間を含むことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項21に記載の基板処理装置において、
前記時間情報は、前記設定時間に応じて当該基板処理装置または前記外部装置が待機する待機時間を含むことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項15から22のいずれか1項に記載の基板処理装置において、
前記トラブルは、前記基板が搬送されなくなるトラブルを含むことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から15のいずれか一項に記載の基板処理システムを介し て前記基板にパターンを露光する工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
- 請求項16から23のいずれか一項に記載の基板処理装置を介して前記基板にパターンを露光する工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
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