JPH09102450A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JPH09102450A
JPH09102450A JP7257565A JP25756595A JPH09102450A JP H09102450 A JPH09102450 A JP H09102450A JP 7257565 A JP7257565 A JP 7257565A JP 25756595 A JP25756595 A JP 25756595A JP H09102450 A JPH09102450 A JP H09102450A
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JP
Japan
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reticle
temperature
air
housing
exposure light
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Pending
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JP7257565A
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English (en)
Inventor
Masahiro Mizuno
匡宏 水野
Hidehiko Yazaki
秀彦 矢崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP7257565A priority Critical patent/JPH09102450A/ja
Publication of JPH09102450A publication Critical patent/JPH09102450A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature

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  • Public Health (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 合わせ精度の高い縮小投影露光装置の提供。
レチクルに露光光が照射されてもレチクルが温度によっ
て変化しない縮小投影露光装置を提供する。 【解決手段】 露光光源と、レチクルと、被露光物を載
置するステージと、前記露光光源の露光光を前記レチク
ルに導くとともに前記被露光物の表面にレチクルのパタ
ーンを結像させる光学系とを有する露光装置であって、
前記レチクルの温度を一定に維持するレチクル温度調節
機構が設けられている。前記レチクル温度調節機構は前
記レチクルに一定の温度の気体(空気)を吹き付けてレ
チクルの温度を一定に維持する機構となっている。前記
レチクルを載置するステージの周囲には箱状のハウジン
グが設けられ、前記空気は前記ハウジング内を流れるよ
うに構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は露光装置、特に半導
体集積回路製造装置における縮小投影露光装置のパター
ン寸法精度を要求される露光装置(露光システム)に適
用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路の製造工程において、原
版(レチクル)に形成された回路パターンを、露光対象
物である半導体基板(ウエハ)上に転写する装置とし
て、たとえば、縮小投影露光装置が使用されている。
【0003】縮小投影露光装置については、たとえば、
工業調査会発行「電子材料」1988年3月号、同年3月1
日発行、P30〜P36に記載されている。この文献には、
i 線縮小投影露光装置について記載されている。同文献
には、解像力のターゲットと着目点において、露光光学
系の縮小レンズの着目点として、温度・気圧に対する安
定性がある旨記載されている。
【0004】また、工業調査会発行「電子材料」1984年
3月号、同年3月1日発行、P37〜P41には、±1℃の
温度変化のある周囲環境に対しても本来の性能を保持す
る縮小投影露光装置について記載されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の縮小投影露光装
置においては、たとえば、チャンバー内全体を一定の温
度(たとえば、23℃)に維持して縮小投影露光を行っ
ているが、レチクルに露光光が照射されると、熱の影響
によってパターン寸法他が変化する。このため、従来の
装置においては、露光光のレンズ照射時間により補正係
数をもとにシャッタ・オープン時間を変化させている。
【0006】しかし、従来の縮小投影露光装置では、前
述のように計算によるシャッタ・オープン時間の補正を
行うため、新たに装置間差他の誤差が発生し、合わせ精
度が低下してしまうことが判明した。
【0007】本発明の目的は合わせ精度の高い縮小投影
露光装置を提供することにある。
【0008】本発明の他の目的は、レチクルに露光光が
照射されてもレチクルが短時間時に一定温度に維持され
る縮小投影露光装置を提供することにある。
【0009】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
【0010】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【0011】(1)露光光源と、レチクルと、被露光物
を載置するステージと、前記露光光源の露光光を前記レ
チクルに導くとともに前記被露光物の表面にレチクルの
パターンを結像させる光学系とを有する露光装置であっ
て、前記レチクルの温度を一定に維持するレチクル温度
調節機構が設けられている。前記レチクル温度調節機構
は前記レチクルに一定の温度の気体(空気)を吹き付け
てレチクルの温度を一定に維持する機構となっている。
前記レチクルを載置するステージの周囲には箱状のハウ
ジングが設けられ、前記空気は前記ハウジング内を流れ
るように構成されている。
【0012】前記(1)の手段によれば、レチクルは常
に一定の温度の空気流内に置かれるため、熱容量の小さ
いレチクルは露光光の照射によって温度が上がっても前
記空気流によって冷やされ、極めて短時間の間に所定の
温度となるため、レチクルの温度が常に所定の状態で露
光が行え、合わせ精度は均一となる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
【0014】なお、発明の実施の形態を説明するための
全図において、同一機能を有するものは同一符号を付
け、その繰り返しの説明は省略する。
【0015】図1は本発明の一実施形態である縮小投影
露光装置の概略構成図である。
【0016】本実施形態の露光装置は、たとえば縮小投
影露光装置であり、図1に示すように、水平XY方向に
移動制御されるステージ1を有している。このステージ
1上には、被露光物である半導体基板(ウエハ)2が真
空吸着等によって固定される。図示はしないが、前記半
導体基板2の主面(上面)には、露光によって感光する
ホトレジスト膜が形成されている。
【0017】前記ステージ1の上方には露光パターンを
形成したレチクル3が取り付けられるレチクルステージ
4が配設されている。
【0018】前記レチクルステージ4の上方には露光光
源5と、この露光光源5から発光された光(露光光)6
を下方のレチクル3に案内する凹面鏡7が配設されてい
る。前記露光光源5は、たとえば、水銀ランプからなっ
ている。また、前記ステージ1とレチクル3間には、縮
小レンズ8が配設されている。
【0019】レチクル3のパターンをウエハ2の表面に
結像させる光学系は、実際には前記凹面鏡7,縮小レン
ズ8以外にも多くの光学部品が使用されている。
【0020】一方、これが本発明の特徴の一つである
が、前記レチクルステージ4の周囲には、レチクルステ
ージ4を囲むように上下が開口した箱状のハウジング1
0が配設されている。上下の開口は、露光光6に支障を
来さないためのものである。したがって、上下部分を透
明なガラス板で塞ぎ、ハウジング10を密閉構造とする
こともできる。
【0021】また、前記ハウジング10の一側には空気
供給管11が取り付けられ、他側には空気排気管12が
取り付けられている。空気供給管11からは所定の温度
の空気13がハウジング10内に送り込まれる。また、
前記所定の温度の空気13は、層状の空気流14となっ
て前記レチクル3の上下面に沿って流れ、反対側に取り
付けられた空気排気管12からハウジング10外に運び
出される。
【0022】前記空気供給管11および空気排気管12
は、温度調節装置15に接続されている。前記空気13
は温度調節装置15からハウジング10に向かって送り
出されるとともに、ハウジング10から温度調節装置1
5に戻り、順次循環するようになっている。この間、温
度調節装置15では送り出される空気13は所定の温度
に調整される。温度調整は、前記レチクルステージ4に
取り付けられた温度センサ16による温度検出情報に基
づいて行われる。前記温度センサ16は、ハウジング1
0内の温度を検出するようになっている。前記温度セン
サ14の温度検出情報は前記温度調節装置13に送られ
る。温度調節装置13では、前記温度検出情報に基づ
き、空気13を所定の温度に調整する。
【0023】前記ハウジング10,空気供給管11,空
気排気管12,温度調節装置15,温度センサ16によ
ってレチクル温度調節機構が構成される。
【0024】なお、本実施形態の縮小投影露光装置も、
そのチャンバー内全体は所定の温度、たとえば、23℃
になるように管理されている。
【0025】露光光6がレチクル3に照射された場合の
レチクル3の温度上昇は、1℃にも遥かに及ばない極め
て小さい温度上昇であることから、レチクル3の交換時
以外の場合の温度センサ16による温度検出値は余り変
化しない。したがって、温度調節装置15による空気1
3の温度調整は、多くの場合23℃となる。
【0026】本実施形態の縮小投影露光装置では、レチ
クル3に所定の温度の空気13を大量に吹き付けること
によって、レチクル3に露光光6が照射されることによ
って上昇した分の温度を、所定の温度の空気13を大量
にレチクル3に吹き付けることによって極めて短時間に
所定温度に補正するものである。熱容量的に見た場合、
レチクル3の容量は限られ小さいため、所定の温度の空
気13をレチクル3に大量に吹き付けることによって、
極めて短時間にレチクル3を所定の温度に冷却して調整
できることになる。
【0027】このことは、レチクル3の交換時にも、所
定の温度の空気13をレチクル3に吹き付けることとな
るため、極めて短時間の間にレチクル3を所定の温度に
調整することができる。
【0028】したがって、本実施形態の縮小投影露光装
置では、露光時、レチクル3の温度が何時も所定温度と
なるため、合わせ精度にバラツキを生じさせなくなり、
均一な露光(感光)が可能となる。
【0029】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない、たとえ
ば、レチクル3に空気以外の所定の温度の不活性ガスを
吹き付けて、露光光6に起因するレチクル3の温度上昇
を短時間に冷却して所定の温度に補正するようにしても
よい。
【0030】また、図2に示すように、ハウジング10
を透明なガラスによる箱構造20とし、所定の温度の液
体21を流すようにしても良い。この場合、レチクル3
の出し入れを行うため、ハウジング10の上部に開閉自
在の蓋22を形成しておく。また、前記蓋22は、ハウ
ジング10内に液体21を流すため、図示はしないがパ
ッキング等を使用して気密的にハウジング10に取り付
けられるように構成する。この実施形態の縮小投影露光
装置では、熱容量が気体よりも大きい液体21を使用し
てレチクル3の温度変化の補正をするため、温度補正効
果が高く、合わせ精度の均一化が図れる。
【0031】なお、ハウジング10を透明なガラスで形
成したり、ハウジング10内に液体21を入れたりした
場合、光学系の結像位置等が変化するが、これは前記ス
テージ1,レチクルステージ4,露光光源5,露光光6
等の相互の位置関係を一度修正しておけば支障がない。
【0032】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である縮小投
影露光装置に適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではない。本発明は少なくとも露光装置
には適用できる。
【0033】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【0034】(1)レチクルは常に所定の温度の空気流
内に置かれるため、熱容量の小さいレチクルは露光光の
照射によって温度が上がっても前記空気流によって冷や
され、極めて短時間の間に所定の温度となるため、レチ
クルの温度が常に所定の状態で露光が行え、合わせ精度
は均一となる。この結果、感光歩留りが向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態である縮小投影露光装置の
概略構成図である。
【図2】本発明の他の実施形態である縮小投影露光装置
のレチクルステージユニット部分を示す概略断面図であ
る。
【符号の説明】
1…ステージ、2…半導体基板(ウエハ)、3…レチク
ル、4…レチクルステージ、5…露光光源、6…光(露
光光)、7…凹面鏡、8…縮小レンズ、10…ハウジン
グ、11…空気供給管、12…空気排気管、13…空
気、14…空気流、15…温度調節装置、16…温度セ
ンサ、20…箱構造、21…液体、22…蓋。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 露光光源と、レチクルと、被露光物を載
    置するステージと、前記露光光源の露光光を前記レチク
    ルに導くとともに前記被露光物の表面にレチクルのパタ
    ーンを結像させる光学系とを有する露光装置であって、
    前記レチクルの温度を一定に維持するレチクル温度調節
    機構が設けられていることを特徴とする露光装置。
  2. 【請求項2】 前記レチクル温度調節機構は前記レチク
    ルに一定の温度の気体または液体を吹き付けてレチクル
    の温度を一定に維持する機構となっていることを特徴と
    する請求項1記載の露光装置。
  3. 【請求項3】 前記レチクルを載置するステージの周囲
    には箱状のハウジングが設けられ、前記気体または液体
    は前記ハウジング内を流れるように構成されていること
    を特徴とする請求項2記載の露光装置。
JP7257565A 1995-10-04 1995-10-04 露光装置 Pending JPH09102450A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US10495986B2 (en) 2016-03-24 2019-12-03 Asml Netherlands B.V. Patterning device cooling system and method of thermally conditioning a patterning device

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