JP2001168027A - リソグラフィ装置 - Google Patents
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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- G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リソグラフィ投影装置において、放射線ビー
ムの吸収を減少させるシステムを提供すること。 【解決手段】 本発明によれば、１５７ｎｍまたは１２
６ｎｍといった比較的短い波長の露出放射線を用いたリ
ソグラフィ装置において、装置の動作部分内またはそれ
に隣接したビーム通路の一部分を横切るＮ2の層流が供
給される。層流の速度は動作部分の最大速度および空気
の拡散速度より速く、それによって空気と混合すること
によるＮ2の汚染は最小化される。ビーム通路を分離ス
ペースに分ける隔壁を設けること、層流の上または隣接
した要素の粗い表面または非平坦面を覆うこと、および
空力学的部材を設けることによって、層流を維持しても
よい。
ムの吸収を減少させるシステムを提供すること。 【解決手段】 本発明によれば、１５７ｎｍまたは１２
６ｎｍといった比較的短い波長の露出放射線を用いたリ
ソグラフィ装置において、装置の動作部分内またはそれ
に隣接したビーム通路の一部分を横切るＮ2の層流が供
給される。層流の速度は動作部分の最大速度および空気
の拡散速度より速く、それによって空気と混合すること
によるＮ2の汚染は最小化される。ビーム通路を分離ス
ペースに分ける隔壁を設けること、層流の上または隣接
した要素の粗い表面または非平坦面を覆うこと、および
空力学的部材を設けることによって、層流を維持しても
よい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リソグラフィ装置
におけるガス洗浄の使用に関するものである。より詳し
くは、本発明は、放射線の投影ビームを供給するための
放射線システムと、マスクを保持するための第１対物テ
ーブルと、基板を保持するための第２対物テーブルと、
前記マスクの照射部分を前記基板の標的部分上に結像さ
せるための投影システムとを有するリソグラフィ投影装
置における、そのようなガス洗浄システムの使用に関す
るものである。
におけるガス洗浄の使用に関するものである。より詳し
くは、本発明は、放射線の投影ビームを供給するための
放射線システムと、マスクを保持するための第１対物テ
ーブルと、基板を保持するための第２対物テーブルと、
前記マスクの照射部分を前記基板の標的部分上に結像さ
せるための投影システムとを有するリソグラフィ投影装
置における、そのようなガス洗浄システムの使用に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】簡素化のために、投影システムは以後
「レンズ」と呼ぶことにするが、この用語は例えば屈折
光学装置、反射光学装置、反射屈折装置、荷電粒子光学
装置からなる各種タイプの投影システムを包含するよう
に広く理解されるべきである。照明システムもまた照射
投影ビームを方向づけ、成形し、あるいは制御するため
に、これらの原理の全てに関して作動する要素を含んで
いてもよく、それらの要素も以下、集合的あるいは単独
的に「レンズ」と呼ぶことにする。さらに、第１および
第２の対物テーブルは、それぞれ「マスクテーブル」、
「基板テーブル」と呼ぶことができる。さらに、リソグ
ラフィ装置は２以上のマスクテーブルおよび／または２
以上の基板テーブルを有するタイプのものであってもよ
い。そのような「マルチステージ」の装置においては、
付加的なテーブルを平行に用いてもよく、あるいは露出
（露光）のために１以上の他のステージが使用されてい
る間に、１以上のステージにおいて準備段階が行われて
もよい。例えば国際特許出願ＷＯ９８／２８６６５およ
びＷＯ９８／４０７９１においては、２つのステージを
有するリソグラフィ装置が記載されている。
「レンズ」と呼ぶことにするが、この用語は例えば屈折
光学装置、反射光学装置、反射屈折装置、荷電粒子光学
装置からなる各種タイプの投影システムを包含するよう
に広く理解されるべきである。照明システムもまた照射
投影ビームを方向づけ、成形し、あるいは制御するため
に、これらの原理の全てに関して作動する要素を含んで
いてもよく、それらの要素も以下、集合的あるいは単独
的に「レンズ」と呼ぶことにする。さらに、第１および
第２の対物テーブルは、それぞれ「マスクテーブル」、
「基板テーブル」と呼ぶことができる。さらに、リソグ
ラフィ装置は２以上のマスクテーブルおよび／または２
以上の基板テーブルを有するタイプのものであってもよ
い。そのような「マルチステージ」の装置においては、
付加的なテーブルを平行に用いてもよく、あるいは露出
（露光）のために１以上の他のステージが使用されてい
る間に、１以上のステージにおいて準備段階が行われて
もよい。例えば国際特許出願ＷＯ９８／２８６６５およ
びＷＯ９８／４０７９１においては、２つのステージを
有するリソグラフィ装置が記載されている。
【０００３】リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回
路（ＩＣ）の製造に使用される。そのような場合、マス
ク（レチクル）はＩＣの個々の層に対応した回路パター
ンを有しており、このパターンは感光材料（抵抗剤）の
層を塗付した基板（シリコンウェーハ）上の標的部分
（１以上のダイからなる）上に結像させることができ
る。一般的に、１つのウェーハは、１回に１つずつレチ
クルを介して連続的に照射される隣接ダイの全ネットワ
ークを有している。１つのタイプのリソグラフィ投影装
置においては、各々のダイは、ダイ上にレチクルパター
ン全体を１回で露出することによって照射され、そのよ
うな装置は一般的にウェーハステッパと呼ばれる。一般
にステップ・アンド・スキャン装置と呼ばれる他の装置
においては、所与の方向（「スキャン」方向）と平行あ
るいは非平行であるウェーハテーブルを周期的に走査し
ながら投影ビームの下でレチクルのパターンを同方向に
連続的に走査することによって、各々のダイが照射され
る。従って、一般にこの投影システムは倍率Ｍ（一般的
にＭ＜１）を有するので、ウェーハテーブルが走査され
る速度Ｖは、レチクルテーブルが走査される速度のＭ倍
になるであろう。ここで述べたリソグラフィ装置に関す
る更に詳しい情報は、国際特許出願ＷＯ９７／３３２０
５から明らかになるであろう。
路（ＩＣ）の製造に使用される。そのような場合、マス
ク（レチクル）はＩＣの個々の層に対応した回路パター
ンを有しており、このパターンは感光材料（抵抗剤）の
層を塗付した基板（シリコンウェーハ）上の標的部分
（１以上のダイからなる）上に結像させることができ
る。一般的に、１つのウェーハは、１回に１つずつレチ
クルを介して連続的に照射される隣接ダイの全ネットワ
ークを有している。１つのタイプのリソグラフィ投影装
置においては、各々のダイは、ダイ上にレチクルパター
ン全体を１回で露出することによって照射され、そのよ
うな装置は一般的にウェーハステッパと呼ばれる。一般
にステップ・アンド・スキャン装置と呼ばれる他の装置
においては、所与の方向（「スキャン」方向）と平行あ
るいは非平行であるウェーハテーブルを周期的に走査し
ながら投影ビームの下でレチクルのパターンを同方向に
連続的に走査することによって、各々のダイが照射され
る。従って、一般にこの投影システムは倍率Ｍ（一般的
にＭ＜１）を有するので、ウェーハテーブルが走査され
る速度Ｖは、レチクルテーブルが走査される速度のＭ倍
になるであろう。ここで述べたリソグラフィ装置に関す
る更に詳しい情報は、国際特許出願ＷＯ９７／３３２０
５から明らかになるであろう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】結像させることのでき
る形の寸法を小さくするために、照明波の波長を減少さ
せることが望ましい。その目的のために、２００ｎｍよ
り短い波長、例えば１５７ｎｍあるいは１２６ｎｍの波
長を用いることが提案されている。しかしながら、その
ような波長は通常の気圧の空気によって強力に吸収さ
れ、ビームが装置を通過する時に光の輝度が不当に失わ
れる。装置全体を真空の中に封入し、操作することはウ
ェーハとレチクルを交換する場合に不当な時間遅れを生
じさせることになり、また照明波長を吸収しない超純粋
な窒素（Ｎ2）のようなガスで装置全体を洗浄すること
は、不完全に閉鎖された機械の中でガスを消費すること
によって、結果として過剰な運転費用がかかることにな
るであろう。
る形の寸法を小さくするために、照明波の波長を減少さ
せることが望ましい。その目的のために、２００ｎｍよ
り短い波長、例えば１５７ｎｍあるいは１２６ｎｍの波
長を用いることが提案されている。しかしながら、その
ような波長は通常の気圧の空気によって強力に吸収さ
れ、ビームが装置を通過する時に光の輝度が不当に失わ
れる。装置全体を真空の中に封入し、操作することはウ
ェーハとレチクルを交換する場合に不当な時間遅れを生
じさせることになり、また照明波長を吸収しない超純粋
な窒素（Ｎ2）のようなガスで装置全体を洗浄すること
は、不完全に閉鎖された機械の中でガスを消費すること
によって、結果として過剰な運転費用がかかることにな
るであろう。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、リソグ
ラフィ投影装置における照明ビームおよび投影ビームの
吸収を減少させ、同時に装置の処理性能や補修費用に係
る不利益な影響を防ぎ、且つ過剰な消耗品の使用を減少
させるシステムを提供することにある。
ラフィ投影装置における照明ビームおよび投影ビームの
吸収を減少させ、同時に装置の処理性能や補修費用に係
る不利益な影響を防ぎ、且つ過剰な消耗品の使用を減少
させるシステムを提供することにある。
【０００６】本発明によれば、放射線投影ビームを供給
するための放射線システムと、マスクを保持するための
第１対物テーブルと、基板を保持するための第２対物テ
ーブルと、前記マスクの照射部分を前記基板の標的部分
上に結像させるための投影システムとを有するリソグラ
フィ投影装置において、前記投影ビームの通路の少なく
とも一部分を横切る、実質的に層状のフラッシングガス
流（洗浄ガス流）を発生させて、そこから周辺空気を排
除するためのフラッシングガス装置を有すること、およ
び前記フラッシングガスが前記投影システムの放射線を
実質的に全く吸収しないことを特徴とするリソグラフィ
投影装置が提供される。
するための放射線システムと、マスクを保持するための
第１対物テーブルと、基板を保持するための第２対物テ
ーブルと、前記マスクの照射部分を前記基板の標的部分
上に結像させるための投影システムとを有するリソグラ
フィ投影装置において、前記投影ビームの通路の少なく
とも一部分を横切る、実質的に層状のフラッシングガス
流（洗浄ガス流）を発生させて、そこから周辺空気を排
除するためのフラッシングガス装置を有すること、およ
び前記フラッシングガスが前記投影システムの放射線を
実質的に全く吸収しないことを特徴とするリソグラフィ
投影装置が提供される。
【０００７】本発明の実施例においては、投影ビームが
横切る複数のスペースは、超純粋な窒素（Ｎ2）あるい
は使用される照明照射に対して透明な他のガス（例えば
ヘリウム、アルゴン、あるいはキセノン）の層流によっ
て洗浄される。この層流を確保し、乱流を最小とするた
めに、各スペースは互いに他と分離され、全ての部品は
できるだけ凹凸のない滑らかな形状とされている。こう
することによって、システムの水力学直径が減少し、ま
た比較的粗い領域が覆われるので、システムの実効レイ
ノルズ数が減少する。各スペースにおける窒素の流速は
スペース内の作動部分の最大速度より速く、また全ての
場合において空気の拡散速度より速い。こうすることに
よって、また乱流渦を最少にすることによって、フラッ
シングガスの汚染は最小になり、またガスを再生および
再使用してもよい。ガスの再使用はそれを回収した場所
と同じ領域で行ってもよく、あるいはその他の方法、例
えばカスケード状にして再使用してもよい。そのような
場合には、新鮮なフラッシングガスを最も重要な１つま
たは複数の領域へ供給し、以下重要度の下がる領域にお
いて順次再使用する。もちろん、フラッシングガスは、
必要であれば汚染度を調節するために再使用の前に浄化
あるいは洗浄され、フラッシングガスと混合されてもよ
い。
横切る複数のスペースは、超純粋な窒素（Ｎ2）あるい
は使用される照明照射に対して透明な他のガス（例えば
ヘリウム、アルゴン、あるいはキセノン）の層流によっ
て洗浄される。この層流を確保し、乱流を最小とするた
めに、各スペースは互いに他と分離され、全ての部品は
できるだけ凹凸のない滑らかな形状とされている。こう
することによって、システムの水力学直径が減少し、ま
た比較的粗い領域が覆われるので、システムの実効レイ
ノルズ数が減少する。各スペースにおける窒素の流速は
スペース内の作動部分の最大速度より速く、また全ての
場合において空気の拡散速度より速い。こうすることに
よって、また乱流渦を最少にすることによって、フラッ
シングガスの汚染は最小になり、またガスを再生および
再使用してもよい。ガスの再使用はそれを回収した場所
と同じ領域で行ってもよく、あるいはその他の方法、例
えばカスケード状にして再使用してもよい。そのような
場合には、新鮮なフラッシングガスを最も重要な１つま
たは複数の領域へ供給し、以下重要度の下がる領域にお
いて順次再使用する。もちろん、フラッシングガスは、
必要であれば汚染度を調節するために再使用の前に浄化
あるいは洗浄され、フラッシングガスと混合されてもよ
い。
【０００８】このようにして、本発明は照明照射の吸収
を最少にし、フラッシングガスの消費を最少にするが、
同時に装置のシールの必要性をなくし、従ってウェーハ
とレチクルの交換時の停止時間を最少にする。
を最少にし、フラッシングガスの消費を最少にするが、
同時に装置のシールの必要性をなくし、従ってウェーハ
とレチクルの交換時の停止時間を最少にする。
【０００９】本発明の他の観点によれば、照明ビームを
発生させるための放射線システムと、マスクを保持する
ための第１対物テーブルと、基板を保持するための第２
対物テーブルと、前記マスクの照射部分を前記基板の複
数の標的部分上に結像させるための投影システムとを有
するリソグラフィ投影装置を用いたデバイス製造方法で
あって、パターンを備えたマスクを前記第１対物テーブ
ルに取り付ける段階と、放射線感光層を備えた基板を前
記第２対物テーブルに取り付ける段階と、前記マスクの
複数の部分を照射し、照射された前記マスクの複数の部
分を前記基板の前記複数の標的部分上に結像させる段階
とを含むデバイス製造方法において、前記投影ビームの
ビーム通路の少なくとも一部分を横切って実質的に層状
に流れるようにフラッシングガスを提供して、そこから
周辺空気を除去する段階であって、該フラッシングガス
は前記投影システムの前記放射線を実質的に全く吸収し
ないガスである段階を含むことを特徴とするデバイス製
造方法が提供される。
発生させるための放射線システムと、マスクを保持する
ための第１対物テーブルと、基板を保持するための第２
対物テーブルと、前記マスクの照射部分を前記基板の複
数の標的部分上に結像させるための投影システムとを有
するリソグラフィ投影装置を用いたデバイス製造方法で
あって、パターンを備えたマスクを前記第１対物テーブ
ルに取り付ける段階と、放射線感光層を備えた基板を前
記第２対物テーブルに取り付ける段階と、前記マスクの
複数の部分を照射し、照射された前記マスクの複数の部
分を前記基板の前記複数の標的部分上に結像させる段階
とを含むデバイス製造方法において、前記投影ビームの
ビーム通路の少なくとも一部分を横切って実質的に層状
に流れるようにフラッシングガスを提供して、そこから
周辺空気を除去する段階であって、該フラッシングガス
は前記投影システムの前記放射線を実質的に全く吸収し
ないガスである段階を含むことを特徴とするデバイス製
造方法が提供される。
【００１０】本発明によるリソグラフィ投影装置を用い
た製造工程において、マスクのパターンは、エネルギー
感光材料（抵抗剤）の層を少なくとも部分的に塗付され
た基板上に結像される。この結像段階の前に、基板は、
プライミング、抵抗剤塗付、およびソフトベーキングと
いった各種の手順を経ていてもよい。露出段階の後、基
板は、露出後ベーキング（ＰＥＢ）、現像、ハードベー
キング、および像の測定／検査といった他の手順を経て
もよい。この一連の手順は、例えばＩＣ等のデバイスの
個々の層をパターン化するための基本として用いられ
る。そのようにしてパターン化された層は次にエッチン
グや、イオン注入（ドーピング）、金属化、酸化、化学
―機械的研磨等のような各種の処理を施され、これら全
ては個々の層について行われる。もし幾つかの層が必要
な場合には、各々の新しい層についてこれら全ての手順
あるいはその変形手順を繰り返さなければならないであ
ろう。結果としてこれら一連のデバイスが基板（ウェー
ハ）上に存在することになるであろう。次に、これらの
デバイスはダイシングあるいはソーイングのような技術
によって互いに他と分離され、その後個々のデバイスを
キャリア上に取り付け、またはピンに接続したり等する
ことができる。そのような処理に関する更に詳しい情報
は、例えば１９９７年にマグローヒル社から出版された
ピーター・ファン・ツァントによるＩＳＢＮ−０−０７
−０６７２５０−４「マイクロチップの製造；半導体処
理のための実用ガイド」の第３版から得ることができ
る。
た製造工程において、マスクのパターンは、エネルギー
感光材料（抵抗剤）の層を少なくとも部分的に塗付され
た基板上に結像される。この結像段階の前に、基板は、
プライミング、抵抗剤塗付、およびソフトベーキングと
いった各種の手順を経ていてもよい。露出段階の後、基
板は、露出後ベーキング（ＰＥＢ）、現像、ハードベー
キング、および像の測定／検査といった他の手順を経て
もよい。この一連の手順は、例えばＩＣ等のデバイスの
個々の層をパターン化するための基本として用いられ
る。そのようにしてパターン化された層は次にエッチン
グや、イオン注入（ドーピング）、金属化、酸化、化学
―機械的研磨等のような各種の処理を施され、これら全
ては個々の層について行われる。もし幾つかの層が必要
な場合には、各々の新しい層についてこれら全ての手順
あるいはその変形手順を繰り返さなければならないであ
ろう。結果としてこれら一連のデバイスが基板（ウェー
ハ）上に存在することになるであろう。次に、これらの
デバイスはダイシングあるいはソーイングのような技術
によって互いに他と分離され、その後個々のデバイスを
キャリア上に取り付け、またはピンに接続したり等する
ことができる。そのような処理に関する更に詳しい情報
は、例えば１９９７年にマグローヒル社から出版された
ピーター・ファン・ツァントによるＩＳＢＮ−０−０７
−０６７２５０−４「マイクロチップの製造；半導体処
理のための実用ガイド」の第３版から得ることができ
る。
【００１１】本明細書においては、ＩＣの製造におい
て、本発明による装置の使用に関して特定の例を参考に
したが、そのような装置は他の多くに適用することがで
きることは明確に理解されるはずである。例えば、それ
は集積光学システム、磁気ドメインメモリーのためのガ
イダンスと検出パターン、液晶ディスプレーパネル、薄
膜磁気ヘッド等の製造に採用されてもよい。当業者はそ
のような他への適用の場合においても、本明細書の中で
用いられた用語「レチクル」、「ウェーハ」、あるいは
「ダイ」を用いる場合に、それらをそれぞれ「マス
ク」、「基板」、「標的部分」というもっと一般的な用
語に置き換えて考えることを認めるであろう。
て、本発明による装置の使用に関して特定の例を参考に
したが、そのような装置は他の多くに適用することがで
きることは明確に理解されるはずである。例えば、それ
は集積光学システム、磁気ドメインメモリーのためのガ
イダンスと検出パターン、液晶ディスプレーパネル、薄
膜磁気ヘッド等の製造に採用されてもよい。当業者はそ
のような他への適用の場合においても、本明細書の中で
用いられた用語「レチクル」、「ウェーハ」、あるいは
「ダイ」を用いる場合に、それらをそれぞれ「マス
ク」、「基板」、「標的部分」というもっと一般的な用
語に置き換えて考えることを認めるであろう。
【００１２】本明細書においては、照明照射および照明
ビームという語は、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの電磁
放射線として記載した例に限定して理解すべきではな
く、本発明においては他の放射線波長または他のタイプ
のものを用いてもよいと考えられる。
ビームという語は、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの電磁
放射線として記載した例に限定して理解すべきではな
く、本発明においては他の放射線波長または他のタイプ
のものを用いてもよいと考えられる。
【００１３】本発明について、以下、例示実施例および
添付した概略図を参照しながら説明する。図中、同一の
参照数字は同一の部品を示している。
添付した概略図を参照しながら説明する。図中、同一の
参照数字は同一の部品を示している。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は本発明によるリソグラフィ
投影装置を概略的に示している。この装置は、放射線の
投影ビームＰＢを供給するための放射線システムＬＡ，
Ｅｘ，ＩＮ，ＣＯと、マスクＭＡ（例えばレチクル）を
保持し、このマスクをアイテムＰＬに関して正確に位置
付けるための第１位置決め装置に連結された第１対物テ
ーブル（マスクテーブル）ＭＴと、基板Ｗ（例えば抵抗
剤を塗布したシリコンウェーハ）を保持し、この基板を
アイテムＰＬに関して正確に位置付けるための第２位置
決め装置に連結された第２対物テーブル（基板テーブ
ル）ＷＴと、基板Ｗの標的部分Ｃ（ダイ）上にマスクＭ
Ａの照射部分を結像させるための投影システム（レン
ズ）ＰＬとからなっている。ここで示したように、装置
は透過型（即ち、透過マスク）の装置である。しかしな
がら、一般的には、それは、例えば、反射型の装置であ
ってもよい。
投影装置を概略的に示している。この装置は、放射線の
投影ビームＰＢを供給するための放射線システムＬＡ，
Ｅｘ，ＩＮ，ＣＯと、マスクＭＡ（例えばレチクル）を
保持し、このマスクをアイテムＰＬに関して正確に位置
付けるための第１位置決め装置に連結された第１対物テ
ーブル（マスクテーブル）ＭＴと、基板Ｗ（例えば抵抗
剤を塗布したシリコンウェーハ）を保持し、この基板を
アイテムＰＬに関して正確に位置付けるための第２位置
決め装置に連結された第２対物テーブル（基板テーブ
ル）ＷＴと、基板Ｗの標的部分Ｃ（ダイ）上にマスクＭ
Ａの照射部分を結像させるための投影システム（レン
ズ）ＰＬとからなっている。ここで示したように、装置
は透過型（即ち、透過マスク）の装置である。しかしな
がら、一般的には、それは、例えば、反射型の装置であ
ってもよい。
【００１５】前記放射線システムは放射線ビームを発生
させる光源ＬＡを有している。該ビームは照明システム
の中に含まれる各種の光学要素、例えばビーム成形用光
学装置Ｅｘ、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯ
を通過し、結果として得られるビームＰＢはその全ての
領域において望みの断面積と均等な強さを有している。
させる光源ＬＡを有している。該ビームは照明システム
の中に含まれる各種の光学要素、例えばビーム成形用光
学装置Ｅｘ、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯ
を通過し、結果として得られるビームＰＢはその全ての
領域において望みの断面積と均等な強さを有している。
【００１６】前記ビームＰＢは次に、マスクテーブルＭ
Ｔ上に保持されているマスクＭＡによって遮られる。該
マスクＭＡを通過したビームＰＢはレンズＰＬを通過
し、このレンズＰＬがビームＰＢを基板Ｗの標的部分Ｃ
の上に焦点を合わせる。干渉変位測定装置ＩＦによっ
て、前記基板テーブルＷＴは正確に移動させることがで
き、例えば、ビームＰＢの通路内に各種の標的部分Ｃを
位置付けることができる。同様に、前記第１位置決め装
置はビームＰＢの通路に関してマスクＭＡを正確に位置
付けることができ、例えばそれはマスクＭＡをマスクラ
イブラリーから機械的に取り出した後とか、あるいは走
査中に行われる。一般的にいうと、対物テーブルＭＴ，
ＷＴの移動は、図１には明確に示していないが、長行路
モジュール（粗位置決め）と短行路モジュール（詳細位
置決め）とによって行われる。ウェーハステッパの場合
には（ステップ・アンド・スキャン装置と対照的に）、
前記マスクテーブルは短行路モジュールのみに連結され
ているか、あるいは単純に固定されていてもよい。
Ｔ上に保持されているマスクＭＡによって遮られる。該
マスクＭＡを通過したビームＰＢはレンズＰＬを通過
し、このレンズＰＬがビームＰＢを基板Ｗの標的部分Ｃ
の上に焦点を合わせる。干渉変位測定装置ＩＦによっ
て、前記基板テーブルＷＴは正確に移動させることがで
き、例えば、ビームＰＢの通路内に各種の標的部分Ｃを
位置付けることができる。同様に、前記第１位置決め装
置はビームＰＢの通路に関してマスクＭＡを正確に位置
付けることができ、例えばそれはマスクＭＡをマスクラ
イブラリーから機械的に取り出した後とか、あるいは走
査中に行われる。一般的にいうと、対物テーブルＭＴ，
ＷＴの移動は、図１には明確に示していないが、長行路
モジュール（粗位置決め）と短行路モジュール（詳細位
置決め）とによって行われる。ウェーハステッパの場合
には（ステップ・アンド・スキャン装置と対照的に）、
前記マスクテーブルは短行路モジュールのみに連結され
ているか、あるいは単純に固定されていてもよい。
【００１７】図示した装置は２つの異なったモードで使
用することができる。 （１） ステップモードにおいては、マスクテーブルＭ
Ｔは実質的に停止されており、マスク像は標的部分Ｃ上
に１回で投影される（即ち単一フラッシュされる）。基
板テーブルＷＴはｘ方向および／あるいはｙ方向に移動
され、このようにして各標的部分ＣがビームＰＢによっ
て照射される。 （２） スキャンモードにおいても、実質的に同一のシ
ナリオが適用されるが、与えられた標的部分Ｃが単一フ
ラッシュのみによって露出されることはない。その代わ
りに、前記マスクテーブルＭＴは与えられた参照方向
（いわゆるスキャン方向、例えばｙ方向）に速度υで移
動することができ、従って投影ビームＰＢはマスク像上
を同時に走査され、基板テーブルＷＴも同時に同一方向
あるいは反対方向に、速度Ｖ＝Ｍυで移動される。ここ
でＭはレンズＰＬの倍率（代表的にはＭ＝１／４あるい
は１／５）である。このようにして、解像度に関して妥
協することなしに、比較的大きな標的部分Ｃを露出させ
ることができる。
用することができる。 （１） ステップモードにおいては、マスクテーブルＭ
Ｔは実質的に停止されており、マスク像は標的部分Ｃ上
に１回で投影される（即ち単一フラッシュされる）。基
板テーブルＷＴはｘ方向および／あるいはｙ方向に移動
され、このようにして各標的部分ＣがビームＰＢによっ
て照射される。 （２） スキャンモードにおいても、実質的に同一のシ
ナリオが適用されるが、与えられた標的部分Ｃが単一フ
ラッシュのみによって露出されることはない。その代わ
りに、前記マスクテーブルＭＴは与えられた参照方向
（いわゆるスキャン方向、例えばｙ方向）に速度υで移
動することができ、従って投影ビームＰＢはマスク像上
を同時に走査され、基板テーブルＷＴも同時に同一方向
あるいは反対方向に、速度Ｖ＝Ｍυで移動される。ここ
でＭはレンズＰＬの倍率（代表的にはＭ＝１／４あるい
は１／５）である。このようにして、解像度に関して妥
協することなしに、比較的大きな標的部分Ｃを露出させ
ることができる。
【００１８】以下では、前記放射線システムが波長１５
７ｎｍの紫外線光を発生させるものとする。
７ｎｍの紫外線光を発生させるものとする。
【００１９】本発明によると、照明ビームがマスクを通
過する前後における、該照明ビームが横切る装置内のス
ペースは、フラッシングガスの層流によって洗浄され
る。該フラッシングガスは超純粋窒素（Ｎ2）、あるい
は本装置において使用される照明放射線に対して十分透
明性のある他のガス、あるいは混合ガスであってもよ
い。窒素は、１気圧における吸光率（ｋ）が約４６／ｃ
ｍである空気に比べて０．０００１／ｃｍ以下である。
ビーム通路における実際のガス圧力は大気圧以上であ
り、従ってどのようなガスリークがあってもそれはフラ
ッシングガスの流れから外へ出て行くのもであり、空気
によって汚染されたり、あるいは大気圧以下になってビ
ーム吸収をさらに減少させるということはない。重要な
領域、例えばビーム発射装置や、照明光学装置において
はフラッシングガスの窒素は高純度、即ち空気汚染度が
１ｐｐｍ以下になっている。投影レンズのような余り重
要でない領域においては、汚染度は１０ｐｐｍまで許さ
れ、レチクルおよびウェーハ・ステージにおける汚染度
は、それぞれ１００ｐｐｍおよび５００ｐｐｍにまで許
される。
過する前後における、該照明ビームが横切る装置内のス
ペースは、フラッシングガスの層流によって洗浄され
る。該フラッシングガスは超純粋窒素（Ｎ2）、あるい
は本装置において使用される照明放射線に対して十分透
明性のある他のガス、あるいは混合ガスであってもよ
い。窒素は、１気圧における吸光率（ｋ）が約４６／ｃ
ｍである空気に比べて０．０００１／ｃｍ以下である。
ビーム通路における実際のガス圧力は大気圧以上であ
り、従ってどのようなガスリークがあってもそれはフラ
ッシングガスの流れから外へ出て行くのもであり、空気
によって汚染されたり、あるいは大気圧以下になってビ
ーム吸収をさらに減少させるということはない。重要な
領域、例えばビーム発射装置や、照明光学装置において
はフラッシングガスの窒素は高純度、即ち空気汚染度が
１ｐｐｍ以下になっている。投影レンズのような余り重
要でない領域においては、汚染度は１０ｐｐｍまで許さ
れ、レチクルおよびウェーハ・ステージにおける汚染度
は、それぞれ１００ｐｐｍおよび５００ｐｐｍにまで許
される。
【００２０】図２は本発明におけるリソグラフィ装置の
マスク・ステージを図１より極めて詳細に示したもので
ある。マスクＭは、Ｚｅｒｏｄｕｒ（登録商標）のよう
なセラミック材料から製作することのできるマスクテー
ブルＭＴの凹所内に保持され、該リソグラフィ装置の操
作中に駆動装置（図示せず）によって位置付けられる。
該マスクテーブルＭＴは、投影ビームＰＢを発生させる
コリメーティング光学装置ＣＯの最後の要素と、投影ビ
ームＰＢを投影する投影レンズＰＬの最初の要素との間
に密接して挟まれており、ウェーハＷ上でマスクＭを横
方向へ移動させる（図１、図３参照）。
マスク・ステージを図１より極めて詳細に示したもので
ある。マスクＭは、Ｚｅｒｏｄｕｒ（登録商標）のよう
なセラミック材料から製作することのできるマスクテー
ブルＭＴの凹所内に保持され、該リソグラフィ装置の操
作中に駆動装置（図示せず）によって位置付けられる。
該マスクテーブルＭＴは、投影ビームＰＢを発生させる
コリメーティング光学装置ＣＯの最後の要素と、投影ビ
ームＰＢを投影する投影レンズＰＬの最初の要素との間
に密接して挟まれており、ウェーハＷ上でマスクＭを横
方向へ移動させる（図１、図３参照）。
【００２１】前記マスク・ステージはゾーン、すなわち
スペース２〜６に分割され、スペース２は最後の照明装
置ＣＯとマスクテーブルＭＴとの間、スペース３はマス
クＭより上のマスクテーブルＭＴの中、スペース４はマ
スクテーブルＭＴの中でマスクＭと薄膜１３との間、ス
ペース５は薄膜１３より下のマスクテーブルＭＴの中、
スペース６はマスクテーブルＭＴと投影レンズＰＬとの
間に位置している。各々のスペースは、フラッシングガ
ス供給装置１１からそれぞれの流量調整装置１１２〜１
１６を介して供給されるフラッシングガスの層流によっ
て洗浄される。各々のスペースの反対側においては、該
フラッシングガスはそれぞれの真空ポンプ１２２〜１２
６を介してリザーバ１２へ取り出される。該リザーバ１
２は選択的なスペースにおいてガスを制御的に再使用す
るために区画されていて、回収ガスを浄化したり不純物
を除去するための装置１２ａを有していてもよい。
スペース２〜６に分割され、スペース２は最後の照明装
置ＣＯとマスクテーブルＭＴとの間、スペース３はマス
クＭより上のマスクテーブルＭＴの中、スペース４はマ
スクテーブルＭＴの中でマスクＭと薄膜１３との間、ス
ペース５は薄膜１３より下のマスクテーブルＭＴの中、
スペース６はマスクテーブルＭＴと投影レンズＰＬとの
間に位置している。各々のスペースは、フラッシングガ
ス供給装置１１からそれぞれの流量調整装置１１２〜１
１６を介して供給されるフラッシングガスの層流によっ
て洗浄される。各々のスペースの反対側においては、該
フラッシングガスはそれぞれの真空ポンプ１２２〜１２
６を介してリザーバ１２へ取り出される。該リザーバ１
２は選択的なスペースにおいてガスを制御的に再使用す
るために区画されていて、回収ガスを浄化したり不純物
を除去するための装置１２ａを有していてもよい。
【００２２】層流を確保するために、マスク・ステージ
における各スペースを互いに他と分離することができ
る。特に、用いられる放射線に対して実質的に透過性の
ある、例えばＣａＦ2または溶融ＳｉＯ2といった材料で
できた薄膜シート１４が、マスクテーブルＭＴ内の凹所
を覆うため、およびスペース２とスペース３とを分離す
るために設けられている。流量調整装置１１２，１１３
と真空ポンプ１２２，１２３は、前記シート１４に負荷
をかけることを防ぐために、これらの２つのスペース間
の差圧をゼロ、あるいは最小限に押さえるように制御さ
れる。該シート１４はレチクル交換の間に容易に取り外
し、交換ができるようになっている。同様に、薄膜１３
より下のスペース５は、マスクテーブルＭＴと投影レン
ズＰＬとの間で、ＣａＦ2あるいは溶融ＳｉＯ2でできた
第２の薄膜シート１５によって、スペース６から分離さ
れている。前記シート１４および１５はまたＭｇＦ2，
ＢａＦ2あるいは本装置において使用される波長におい
て放射線を透過する他の適当な材料でできていてもよ
い。本システムにおけるあらゆる凹凸部分あるいはデッ
ドスペースを覆うために同様なシートを使用してもよ
い。例えば、投影レンズＰＬの最初の要素の非平坦面を
覆うために、第３のシート１６を用いてもよい。前記シ
ート１４，１５およびその類似物は、層状のフラッシン
グガスが流れるビーム通路の部分を隔離するための隔壁
を形成する。該シート１４，１５，１６は、フラッシン
グガスの層流を円滑にするために設けられていて、ガス
密閉のためではなく、また取り付けられる部分にガス密
閉シールを形成する必要もないことに注意すべきであ
る。
における各スペースを互いに他と分離することができ
る。特に、用いられる放射線に対して実質的に透過性の
ある、例えばＣａＦ2または溶融ＳｉＯ2といった材料で
できた薄膜シート１４が、マスクテーブルＭＴ内の凹所
を覆うため、およびスペース２とスペース３とを分離す
るために設けられている。流量調整装置１１２，１１３
と真空ポンプ１２２，１２３は、前記シート１４に負荷
をかけることを防ぐために、これらの２つのスペース間
の差圧をゼロ、あるいは最小限に押さえるように制御さ
れる。該シート１４はレチクル交換の間に容易に取り外
し、交換ができるようになっている。同様に、薄膜１３
より下のスペース５は、マスクテーブルＭＴと投影レン
ズＰＬとの間で、ＣａＦ2あるいは溶融ＳｉＯ2でできた
第２の薄膜シート１５によって、スペース６から分離さ
れている。前記シート１４および１５はまたＭｇＦ2，
ＢａＦ2あるいは本装置において使用される波長におい
て放射線を透過する他の適当な材料でできていてもよ
い。本システムにおけるあらゆる凹凸部分あるいはデッ
ドスペースを覆うために同様なシートを使用してもよ
い。例えば、投影レンズＰＬの最初の要素の非平坦面を
覆うために、第３のシート１６を用いてもよい。前記シ
ート１４，１５およびその類似物は、層状のフラッシン
グガスが流れるビーム通路の部分を隔離するための隔壁
を形成する。該シート１４，１５，１６は、フラッシン
グガスの層流を円滑にするために設けられていて、ガス
密閉のためではなく、また取り付けられる部分にガス密
閉シールを形成する必要もないことに注意すべきであ
る。
【００２３】マスクテーブルＭＴ内のスペース３，４，
５へガス流を供給および排気するために、マスクテーブ
ルの本体には適当な導管が設けられている。マスクテー
ブルが空気にさらされる時、例えば、装置の不使用期間
の後あるいはマスク交換の後においては、露出を行う前
の短時間においてフラッシングガスが供給され、マスク
テーブルの非平坦部分、例えば基準部分に溜まっている
全ての空気を除去する。
５へガス流を供給および排気するために、マスクテーブ
ルの本体には適当な導管が設けられている。マスクテー
ブルが空気にさらされる時、例えば、装置の不使用期間
の後あるいはマスク交換の後においては、露出を行う前
の短時間においてフラッシングガスが供給され、マスク
テーブルの非平坦部分、例えば基準部分に溜まっている
全ての空気を除去する。
【００２４】本実施例においては、薄膜が設けられてお
り、これは固体ＳｉＯ2あるいはＣａＦ2でできていても
よい。１５７ｎｍにおいて改良された透過性を有する溶
融シリカ（ＳｉＯ2）もまた使用してもよい。ポリマー
製の薄膜は、その薄膜における拡散を防ぐために、避け
たほうが好ましい。本発明のある種の実施例において
は、フラッシングガスの供給が単純化されている場合に
は、薄膜は全て省略してもよい。
り、これは固体ＳｉＯ2あるいはＣａＦ2でできていても
よい。１５７ｎｍにおいて改良された透過性を有する溶
融シリカ（ＳｉＯ2）もまた使用してもよい。ポリマー
製の薄膜は、その薄膜における拡散を防ぐために、避け
たほうが好ましい。本発明のある種の実施例において
は、フラッシングガスの供給が単純化されている場合に
は、薄膜は全て省略してもよい。
【００２５】全てのスペースにおいては、望ましくは小
さな細片あるいはフィンのような空気力学上の特徴が設
けられており、フラッシングガスの流れを滑らかにした
りあるいは案内し、また渦流の発生をなくしたり、ある
いは制御したりしている。特にスペース２とスペース６
におけるガス供給管と排気管は、空気と混合する機会を
減らすために、ガスの流れの長さを最小にするように設
けられている。
さな細片あるいはフィンのような空気力学上の特徴が設
けられており、フラッシングガスの流れを滑らかにした
りあるいは案内し、また渦流の発生をなくしたり、ある
いは制御したりしている。特にスペース２とスペース６
におけるガス供給管と排気管は、空気と混合する機会を
減らすために、ガスの流れの長さを最小にするように設
けられている。
【００２６】図３は図１のリソグラフィ装置のウェーハ
・ステージを示している。該ウェーハ・ステージにおい
ては、洗浄するためのスペースは、投影レンズＰＬの最
後の要素とウェーハＷとの間の１ヶ所しかない。ウェー
ハ・ステージの全移動領域を覆うフラッシングガス通路
を設けなければならなくなることを避けるために、フラ
ッシングガス供給管１７と排気管１８とは、投影レンズ
ＰＬの下端において該最終要素の両側に取り付けられて
いる。出口１７と入口１８はそれぞれ流量調整装置１１
７と真空ポンプ１２７を介して、それぞれフラッシング
ガス供給装置１１とリザーバ１２に連結されている。特
に出口１７において、また入口１８においても、フラッ
シングガスの流れを案内するためのベーン（羽板）が設
けられていてもよい。該投影レンズＰＬの最終要素が平
坦でない場合には、上述したような薄膜シートで覆って
もよい。
・ステージを示している。該ウェーハ・ステージにおい
ては、洗浄するためのスペースは、投影レンズＰＬの最
後の要素とウェーハＷとの間の１ヶ所しかない。ウェー
ハ・ステージの全移動領域を覆うフラッシングガス通路
を設けなければならなくなることを避けるために、フラ
ッシングガス供給管１７と排気管１８とは、投影レンズ
ＰＬの下端において該最終要素の両側に取り付けられて
いる。出口１７と入口１８はそれぞれ流量調整装置１１
７と真空ポンプ１２７を介して、それぞれフラッシング
ガス供給装置１１とリザーバ１２に連結されている。特
に出口１７において、また入口１８においても、フラッ
シングガスの流れを案内するためのベーン（羽板）が設
けられていてもよい。該投影レンズＰＬの最終要素が平
坦でない場合には、上述したような薄膜シートで覆って
もよい。
【００２７】上述した流れ調整装置１１２〜１１７は、
特定の実施例のため、および有意なガス供給のために所
望のガス流量を供給するように、必要であれば、静的な
または制御可能な、圧力または流量減少装置および／ま
たはブロワーを有していてもよい。
特定の実施例のため、および有意なガス供給のために所
望のガス流量を供給するように、必要であれば、静的な
または制御可能な、圧力または流量減少装置および／ま
たはブロワーを有していてもよい。
【００２８】上述したように、フラッシングガスの層流
は、リソグラフィ装置の作動部分における照明ビームの
吸収を減少させ、フラッシングガスを過剰に消費するこ
とをなくすために用いられる。照明ビームの発生装置
や、成形装置、および投影レンズのような静的要素にお
いても同様なことがいえる。しかしながら、作動要素を
シールするより静的要素をシールする方がより簡単であ
り、また真空状態の下、あるいはＮ2のような透明なガ
スを静的充填した状態で、静的要素をシールしたり、維
持したりする方がもっと都合がよい。
は、リソグラフィ装置の作動部分における照明ビームの
吸収を減少させ、フラッシングガスを過剰に消費するこ
とをなくすために用いられる。照明ビームの発生装置
や、成形装置、および投影レンズのような静的要素にお
いても同様なことがいえる。しかしながら、作動要素を
シールするより静的要素をシールする方がより簡単であ
り、また真空状態の下、あるいはＮ2のような透明なガ
スを静的充填した状態で、静的要素をシールしたり、維
持したりする方がもっと都合がよい。
【００２９】今まで本発明の特定の実施例について記載
してきたが、本発明が記載した以外にも用いることがで
きることは理解されるであろう。本記載は本発明を制限
するものではない。特に、本発明がリソグラフィ装置の
マスク・ステージあるいは基板・ステージのいずれか、
あるいはその両方にも用いることができ、また短波長の
放射線ビームを採用している他のタイプの装置にも用い
ることができることも理解されるであろう。
してきたが、本発明が記載した以外にも用いることがで
きることは理解されるであろう。本記載は本発明を制限
するものではない。特に、本発明がリソグラフィ装置の
マスク・ステージあるいは基板・ステージのいずれか、
あるいはその両方にも用いることができ、また短波長の
放射線ビームを採用している他のタイプの装置にも用い
ることができることも理解されるであろう。
【図１】本発明の例示実施例によるリソグラフィ投影装
置を示す図である。
置を示す図である。
【図２】図１の装置のマスク・ステージの拡大図であ
る。
る。
【図３】図１の実施例のウェーハ・ステージの拡大図で
ある。
ある。
Claims (20)
- 【請求項１】 放射線投影ビームを供給するための放射
線システムと、 マスクを保持するための第１対物テーブルと、 基板を保持するための第２対物テーブルと、 前記マスクの照射部分を前記基板の標的部分上に結像さ
せるための投影システムとを有するリソグラフィ投影装
置において、 前記投影ビームの通路の少なくとも一部分を横切る、実
質的に層状のフラッシングガス流を発生させて、そこか
ら周辺空気を排除するためのフラッシングガス装置を有
すること、および前記フラッシングガスが前記投影シス
テムの放射線を実質的に吸収しないことを特徴とするリ
ソグラフィ投影装置。 - 【請求項２】 前記フラッシングガス装置が、フラッシ
ングガス供給装置と、フラッシングガスの前記ビーム通
路の前記部分への流量を制御するためのガス流量調整装
置と、フラッシングガスを前記ビーム通路の前記部分か
ら除去するための排気装置とを有している請求項１に記
載のリソグラフィ投影装置。 - 【請求項３】 前記流量調整装置が流量レストリクタを
有している請求項２に記載のリソグラフィ投影装置。 - 【請求項４】 前記流量調整装置がブロワーを有してい
る請求項１または請求項２に記載のリソグラフィ投影装
置。 - 【請求項５】 前記ビーム通路の前記部分が、該ビーム
通路の隣接部分から実質的に分離されている請求項１か
ら請求項４までのいずれか１項に記載のリソグラフィ投
影装置。 - 【請求項６】 前記フラッシングガス装置が、前記ビー
ム通路の複数の部分を横切る、分離した層状のガス流を
提供するようになされ、前記ビーム通路の前記複数の部
分は、実質的に互いに隔離されている請求項１から請求
項４までのいずれか１項に記載のリソグラフィ投影装
置。 - 【請求項７】 前記放射線に対して実質的に透明な材料
からなり、前記ビーム通路の前記部分を離隔するように
前記層流の方向と平行に配置された少なくとも１つの隔
壁をさらに有している請求項５または請求項６に記載の
リソグラフィ投影装置。 - 【請求項８】 前記隔壁は、前記マスクが取り付けられ
る前記マスクテーブルの凹所を閉じている請求項７に記
載のリソグラフィ投影装置。 - 【請求項９】 前記放射線に対して実質的に透明な材料
で形成された少なくとも１つのカバー部材であって、実
質的に平坦であり、且つ前記層流の方向と実質的に平行
に設けられて前記ビーム通路の前記部分内またはそれに
隣接する前記リソグラフィ装置の構成要素の非平坦面を
覆うカバー部材をさらに有する請求項１から請求項８ま
でのいずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。 - 【請求項１０】 前記カバー部材が、前記照明システム
または前記投影システムの末端要素の非平坦面を覆って
いる請求項９に記載のリソグラフィ投影装置。 - 【請求項１１】 前記放射線に対して実質的に透明な前
記材料が、ＣａＦ2，ＳｉＯ2，ＭｇＦ2およびＢａＦ2か
らなる群から選択される請求項７から請求項１０までの
いずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。 - 【請求項１２】 前記層流を方向づけるために、または
前記層流内の乱流を減少させるために、前記ビーム通路
の前記部分内に設けられた少なくとも１つの流れ制御部
材をさらに有する請求項１から請求項１１までのいずれ
か１項に記載のリソグラフィ投影装置。 - 【請求項１３】 前記層流の速度が、前記ビーム通路の
前記部分内またはそれに隣接するいずれかの作動部分の
最大動作速度より速い請求項１から請求項１２までのい
ずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。 - 【請求項１４】 前記層流の速度が空気の拡散速度より
速い請求項１から請求項１３までのいずれか１項に記載
のリソグラフィ投影装置。 - 【請求項１５】 前記フラッシングガスが、Ｎ2，Ｈ
ｅ，Ａｒ，ＫｒおよびＮｅからなる群から選択された１
以上のガスからなる請求項１から請求項１４までのいず
れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。 - 【請求項１６】 前記ビーム通路の前記部分における前
記フラッシングガスが、５００ｐｐｍ以下、好ましくは
１００ｐｐｍ以下、より好ましくは１０ｐｐｍ以下、最
も好ましくは１ｐｐｍ以下の空気汚染度である請求項１
から請求項１５までのいずれか１項に記載のリソグラフ
ィ投影装置。 - 【請求項１７】 前記フラッシングガスが０．００５／
ｃｍ以下、好ましくは０．００１／ｃｍ以下の吸光率ｋ
である請求項１から請求項１６までのいずれか１項に記
載のリソグラフィ投影装置。 - 【請求項１８】 前記投影ビームの前記放射線が２００
ｎｍ以下、好ましくは１５７±５ｎｍまたは１２６±５
ｎｍの波長である請求項１から請求項１７までのいずれ
か１項に記載のリソグラフィ投影装置。 - 【請求項１９】 照明ビームを発生させるための放射線
システムと、 マスクを保持するための第１対物テーブルと、 基板を保持するための第２対物テーブルと、 前記マスクの照射部分を前記基板の複数の標的部分上に
結像させるための投影システムとを有するリソグラフィ
投影装置を用いたデバイス製造方法であって、 パターンを備えたマスクを前記第１対物テーブルに取り
付ける段階と、 放射線感光層を備えた基板を前記第２対物テーブルに取
り付ける段階と、 前記マスクの複数の部分を照射し、照射された前記マス
クの複数の部分を前記基板の前記複数の標的部分上に結
像させる段階とを含むデバイス製造方法において、 前記投影ビームのビーム通路の少なくとも一部分を横切
って実質的に層状に流れるようにフラッシングガスを提
供して、そこから周辺空気を除去する段階であって、該
フラッシングガスが前記投影システムの前記放射線を実
質的に吸収しないガスである段階を含むことを特徴とす
るデバイス製造方法。 - 【請求項２０】 請求項１９に記載の方法によって製造
されたデバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP99203670.7 | 1999-11-05 | ||
| EP99203670 | 1999-11-05 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008134190A Division JP2008252117A (ja) | 1999-11-05 | 2008-05-22 | リソグラフィ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001168027A true JP2001168027A (ja) | 2001-06-22 |
Family
ID=8240829
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000336121A Pending JP2001168027A (ja) | 1999-11-05 | 2000-11-02 | リソグラフィ装置 |
| JP2000375240A Expired - Fee Related JP3913976B2 (ja) | 1999-11-05 | 2000-11-02 | リソグラフ投影装置に用いる洗浄ガスシステム |
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