JP2006186352A - ガス・フラッシング・システムを備える放射線露光装置 - Google Patents

ガス・フラッシング・システムを備える放射線露光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006186352A
JP2006186352A JP2005350407A JP2005350407A JP2006186352A JP 2006186352 A JP2006186352 A JP 2006186352A JP 2005350407 A JP2005350407 A JP 2005350407A JP 2005350407 A JP2005350407 A JP 2005350407A JP 2006186352 A JP2006186352 A JP 2006186352A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
radiation
substrate
projection
flushing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005350407A
Other languages
English (en)
Inventor
Klaus Simon
シモン クラウス
Den Brink Enno Van
ファン デン ブリンク エンノ
Gerardus Johannes Joseph Keijsers
ヨハネス ヨーゼフ カイセルス ゲラルデュス
Dijk Adrianus Hubertus Henricus Van
ヒューバータス ヘンリクス ファン ダイク アドリアヌス
Hubertus Antonius Marinus Baijens
アントニウス マリヌス バイジェンス ヒューバータス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of JP2006186352A publication Critical patent/JP2006186352A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70933Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants

Abstract

【課題】放射線露光中の、レジスト中の揮発性成分によるガス放出のため投影レンズ又はその周辺領域に汚染や損傷を生じる問題に対処する方法及び装置を提供すること。
【解決手段】放射線源、パターニング構造、投影システムによって放射線感光層を含む基板の標的部分上にパターン化放射線ビームを投影するリソグラフィシステムにおいて、投影システムと基板の間の領域から空気を供給することによって、標的部分をパターン化放射ビームで露光する間に標的部分から発散するガスを除去するためのガス・フラッシング・システムを備えたことを特徴とする。
【選択図】図2

Description

本願は、2005年1月18日出願の米国特許出願第11/036,186号の一部継続出願であり、2004年12月7日出願の米国特許仮出願第60/633,727号の利益を主張するものである。これら先の両出願の全体を参照により本明細書に援用する。
本発明は、放射線露光装置、例えばリソグラフィ投影装置に関し、より詳細には、ガス・フラッシング(洗浄)・システムを備えた露光装置に関する。本発明は、放射線への基板露光に関する方法にも関する。
電荷結合素子(CCD)画像センサや相補型金属酸化膜半導体(CMOS)画像センサ等の画像センサを製造する際に、カラー・フィルタにレジスト型材料を使用することで汚染の問題が生じる。例えば放射線露光中、例えばリソグラフィ画像センサの製造プロセスにおいて放射線露光を行う間、レジスト中の揮発性成分によって相当なガス放出(out−gassing)が生じることがある。このガス放出によって、投影レンズ又はその周辺領域に汚染や損傷が生じる恐れがあり、そのため、レンズを洗浄するための追加の保守、又は更にはレンズ若しくはその周辺部品の交換が必要となることがある。本発明の目的は、ガス放出の問題に対処する方法及び装置を提供することである。
ガス・パージフードを援用したリソグラフィ・システムが、欧州特許第1098226号及び米国特許公開第2004/0212791号に記載されている。
一実施例では、本発明は、デバイス、例えば画像センサの製造方法であって、
(a)放射線ビームを供給すること、
(b)放射線ビームをパターン化すること、
(c)投影システムによって、放射線感光層を含む基板の標的部分上にパターン化放射線ビームを投影すること、そして
(d)前記標的部分周辺の外部に配置した第1のガス出口から、前記投影システムと前記基板の間の空間にフラッシング・ガスを流すことであって、前記フラッシング・ガスの少なくとも一部分を前記標的部分の方に流すことを含む方法を提供する。
本発明はまた、
(a)放射線ビームを供給すること、
(b)放射線ビームをパターン化すること、
(c)投影システムによって、1つ又は複数のカラー・フィルタ層を含む基板の標的部分上にパターン化放射線ビームを投影すること、そして
(d)前記標的部分と前記投影システムの間の空間に空気流を供給することによって、前記標的部分を前記パターン化放射線ビームで露光する間に前記標的部分から発散するガスを除去することを含む方法を提供する。
更に、本発明は、
放射線投影ビームを供給するように構成し配置した放射線システムと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するように構成し配置したパターニング構造を支持するように構成し配置した支持構造と、
基板を支持するように構成し配置した基板支持部と、
パターン化ビームを基板の標的部分上に投影するように構成し配置した投影システムと、
基板支持部と投影システムの間の空間からガスを除去するように構成し配置したガス・フラッシング・システムとを備えるリソグラフィ投影装置を提供する。
本発明はまた、1つ又は複数のカラー・フィルタ・レジスト層を有する基板の一部分を放射線で露光すること、そして、ガス・フラッシング・システムを用いて、露光した部分から発散するガスを除去することを含むプロセスを提供する。
更に、本発明は、ガスを供給するのではなく、ガスを除去するようにのみ設計したガス・フラッシング・システムを提供する。
更に、本発明は、透明材料、例えばガラス又は薄膜で覆われた1つ又は複数の開口を有するガス・フラッシング・システムを提供する。
更に、本発明は、例えば1つ又は複数のカラー・フィルタ・レジスト層から発散するガスを除去するためのガス・フラッシング・システムを備える画像センサ製造装置を提供する。
本発明のその他の目的、利点、及び特徴が本明細書に記載されており、以下を検討すると当業者にはそれらがある程度明白となり、又は本発明を実施することによってそれらをある程度学び取ることができる。本願にて開示する発明は、目的、利点、及び特徴の特定のどのような組又は組合せにも限定されない。上述の目的、利点、及び特徴の様々な組合せは、本願にて開示する本発明を構成することが企図されている。
本明細書では、用語「パターニング構造」とは、入射する放射線ビームの断面に、基板の標的部分に形成すべきパターンと一致するパターンを与えるために使用できる構造を指すものとして広く解釈すべきであり、用語「ライトバルブ(光弁)」もこれと同義で使用することができる。一般に、かかるパターンは、集積回路や他のデバイス等(以下参照)、標的部分内に形成されるデバイスにおける特定の機能層に相当することになる。かかるパターニング構造の例として以下のものが含まれる。
マスク。マスクの概念はリソグラフィにおいて周知であり、マスクにはバイナリ型、交互位相シフト型、減衰位相シフト型、そして様々なハイブリッド型のマスクが含まれる。かかるマスクを放射線ビーム中に配置すると、マスクに当たる放射線が、マスク上のパターンに従って選択的に透過(透過性マスクの場合)又は反射(反射性マスクの場合)されることになる。マスクを使用する場合、支持構造は、一般に、入射する放射線ビーム中の所望の位置にマスクを保持できるように保証するマスク・テーブルであり、このマスク・テーブルは、望むならばビームに対して動かすことができる。
個別に制御可能な素子アレイ、例えばプログラム可能ミラー・アレイ又はプログラム可能LCDアレイ。プログラム可能ミラー・アレイの一例として、粘弾性制御層及び反射面を有するマトリックス・アドレス可能面が挙げられる。かかる装置の背景にある基本原理は、(例えば)反射面のアドレス(位置指定)された領域が入射光を回析光として反射し、一方、アドレスされていない領域は入射光を非回析光として反射するというものである。適切なフィルタを使用すると、反射ビームから非回析光をフィルタ除去して回析光のみを後に残すことができる。このようにして、マトリックス・アドレス可能面のアドレス・パターンに従ってビームをパターン化することができる。プログラム可能ミラー・アレイの代替実施例は、極小ミラーのマトリックス構成を使用するものであり、それぞれのミラーは、適当な局在化電界を印加すること、又は圧電作動手段を使用することによって個別に軸の周りで傾斜させることができる。この場合も、ミラーは、アドレスされたミラーが、入射した放射線ビームをアドレスされていないミラーとは異なる方向に反射できるようにマトリックス・アドレス可能である。このようにして、マトリックス・アドレス可能ミラーのアドレス・パターンに従って反射ビームをパターン化することができる。こうしたマトリックス・アドレスは、適当な電子デバイスを用いて実施することができる。上述のどちらの場合でも、パターニング構造は、1つ又は複数のプログラム可能ミラー・アレイを含むことができる。本明細書で引用したミラー・アレイに関する詳細情報が、例えば、米国特許第5,296,891号及び同第5,523,193号、並びにPCT国際出願WO98/38597号及び同WO98/33096号から得られ、これらを参照により本明細書に援用する。プログラム可能ミラー・アレイを使用する場合は、前述の支持構造は、例えば、フレーム又はテーブルとして実施することができ、必要に応じて固定式又は可動式とすることができる。プログラム可能LCDアレイ。プログラム可能LCDアレイの一例が、例えば、参照により本明細書に援用する米国特許第5,229,872号に挙げられている。上記のように、この場合の支持構造は、例えば、フレーム又はテーブルとして実施することができ、必要に応じて固定式又は可動式とすることができる。
説明を簡単にするために、以下本文では、いくつかの箇所で、マスク及びマスク・テーブルを使用した例を対象として具体的に説明するが、かかる例において論じる一般原理は、上記で述べたような広義のパターニング構造にも当てはまるべきものである。
説明を簡単にするために、以下では投影システムを「レンズ」と称することがあるが、この用語は、例えば、屈折光学系、反射光学系、及び反射屈折光学系を含む様々なタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈すべきである。又、放射線システムは、放射線投影ビームを方向付け、成形、又は制御するためのこれらの設計タイプのいずれによっても動作する構成部品を含むことができ、かかる構成部品も又、以下では、集合的に又は単独で「レンズ」と称することがある。更に、リソグラフィ装置は、2つ以上の基板テーブル(及び/又は2つ以上のマスク・テーブル)を有するタイプのものとすることができる。かかる「多段式(multiple stage)」装置では、追加のテーブルを並行して使用すること、又は、1つ又は複数のテーブル上で予備工程を実行し、1つ又は複数の他のテーブルを露光に使用することができる。二段式リソグラフィ装置が、例えば米国特許第5,969,441号及びWO98/40791号に記載されている。これらを参照により本明細書に援用する。
本明細書で使用する用語「出口」は、出口ポートともみなされ、そのように称することもある。同様に、本明細書で使用する用語「入口」も、入口ポートともみなされ、そのように称することもある。用語「出口」、「出口ポート」、「入口」、及び「入口ポート」は、ガス又は物質がそこを通って流れる構造を広く指すことを理解されたい。
リソグラフィ投影装置を用いた製造プロセスでは、(例えばマスク中の)パターンを、放射線感光材料(レジスト)製の層で少なくとも部分的に覆われた基板上に結像させる(image)ことができる。この結像段階の前に、基板に、プライミング、レジスト被覆、及びソフト・ベーク等の様々な手順を施すことができる。露光後は、基板に、露光後ベーク(PEB)、現像、ハード・ベーク、及び結像されたフィーチャの測定/検査等、他の手順を施すことができる。この一連の手順は、例えば、画像センサ、平板パネル表示装置、又は集積回路等のデバイスの単一の層をパターン化する基礎として使用される。次いで、かかるパターン化層に、エッチング、イオン注入(ドープ)、メタライゼーション、酸化、化学的機械研磨等、全て単一層を仕上げるための様々なプロセスを施すことができる。いくつかの層が必要な場合は、全手順、又はその変形手順を繰り返すことで、新たな層をそれぞれ得ることができる。最終的に、基板(ウェハ)上にデバイスのアレイが完成することになる。次いで、これらのデバイスを、ダイシングやソーイング等の技術によって互いに分離させ、そこから、個々のデバイスを担体(carrier)上に実装したり、ピンに接続させたりすることなどができる。かかるプロセスに関する更なる情報が、例えばPeter van Zant著、書籍「Microchip Fabrication:A Practical Guide to Semiconductor Processing(マイクロチップの製造:半導体プロセスの実用ガイド)」Third Edition、McGraw Hill Publishing Co.、1997、ISBN0−07−067250−4から得られる。上記を参照により本明細書に援用する。
図1は、本発明の特定の実施例によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、以下のものを含む。
放射線(例えば紫外線(UV)又は遠紫外線(DUV))投影ビームPBを供給する照明システム(照明装置)IL。
パターニング手段(例えばマスク)MAを支持すると共に、投影システムPLに対してパターニング手段を正確に位置決めする第1の位置決め手段PMに接続された第1の支持構造(例えばマスク・テーブル)MT。
基板(例えばレジスト被覆ウェハ)Wを保持すると共に、投影システムPLに対して基板を正確に位置決めする第2の位置決め手段PWに接続された基板テーブル(例えばウェハ・テーブル)WT。
パターニング手段MAによって投影ビームPBに与えられたパターンを基板Wの(例えば、1つ又は複数のダイを含む)標的部分C上に結像させる投影システム(例えば屈折投影レンズ)PL、及び
ガス・フラッシング・システムGF。図示のように、ガス・フラッシング・システムはフレームによって固定されている。但し、このガス・フラッシング・システムGFは、適当などのような方式でも固定することができる。
図示のように、この装置は透過型(例えば透過性マスクを使用)のものである。或いは、この装置は反射型(例えば、上述のタイプのプログラム可能ミラー・アレイを使用)のものとすることもできる。
照明装置ILは、放射線源SOから放射線ビームを受け取る。実施例では、放射線源は、少なくとも126nm、例えば少なくとも157nm若しくは少なくとも193nm、例えば193〜435nmの範囲、すなわち193nm、248nm若しくは365nm等、又は220〜435nmの範囲の放射線を供給する。例えば線源がエキシマ・レーザである場合、線源とリソグラフィ装置とは別々の構成要素(entity)とすることができる。そのような場合、線源はリソグラフィ装置の一部を成すとはみなされず、放射線ビームは、例えば適当な誘導ミラー及び/又はビーム拡大器を備えるビーム送達システムBDによって線源SOから照明装置ILに送られる。他の場合、例えば線源が水銀ランプである場合では、線源は装置の一体部分とすることができる。線源SO及び照明装置ILは、必要であればビーム送達システムBDと併せて、放射線システムと称することができる。
照明装置ILには、ビームの角強度分布を調整する調整手段AMを含めることができる。一般に、照明装置の瞳面における強度分布の少なくとも外径範囲及び/又は内径範囲(outer and/or inner radial extent)(通常、それぞれ外側σ(σ−outer)及び内側σ(σ−inner)と呼ばれる)は調整可能である。更に、照明装置ILは、一般に、インテグレータINや集光器CO等様々な他の構成部品を含む。この照明装置は、その断面が所望の均一性及び強度分布を有し、投影ビームPBと呼ばれる条件付けされた放射線ビームを供給する。
投影ビームPBは、マスク・テーブルMT上に保持されたマスクMAに入射する。投影ビームPBは、マスクMAを越えた後、レンズPLを通過し、それによってこのビームは基板Wの標的部分C上に集光することになる。第2の位置決め手段PW及び位置センサIF(例えば干渉計装置)を用いて、基板テーブルWTを、例えば、様々な異なる標的部分CがビームPBの経路内に位置するように正確に動かすことができる。同様に、第1の位置決め手段PM及び別の位置センサ(図1には明示せず)を使用して、例えばマスク・ライブラリから機械的に取り出した後、又は走査中に、マスクMAをビームPBの経路に対して正確に配置することができる。一般に、対象(object)テーブルMT及びWTの移動は、長ストローク・モジュール(粗動位置決め)及び短ストローク・モジュール(微動位置決め)を用いて実施され、これらのモジュールは、位置決め手段PM及びPWの一部を成す。但し、ステッパの場合では(スキャナとは違って)、マスク・テーブルMTは、短ストローク作動装置のみに接続又は固定することができる。マスクMA及び基板Wは、マスク位置合せマークM1、M2及び基板位置合せマークP1、P2を用いて位置合せすることができる。
図示の装置は、以下の好ましいモードで使用することができる。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは、投影ビームに与えられたパターン全体が一括して標的部分C上に投影される(すなわち1回の静止露光)間、基本的に静止したまま保持される。次いで、異なる標的部分Cが露光されるように基板テーブルWTをX方向及び/又はY方向に移動させる。ステップ・モードでは、1回の静止露光において結像される標的部分Cの寸法は、露光領域の最大寸法に限られる。
2.走査モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは、投影ビームに与えられたパターンが標的部分C上に投影される(すなわち1回の動的露光)間、同期して走査される。基板テーブルWTのマスク・テーブルMTに対する速度及び方向は、投影システムPLの拡大(縮小)及び該システムの像反転特性によって決まる。走査モードでは、1回の動的露光における標的部分の(非走査方向における)幅は、露光領域の最大寸法に限られ、標的部分の(走査方向における)高さは走査運動の長さによって決まる。
3.もう1つのモードでは、投影ビームに与えられたパターンが標的部分C上に投影される間、マスク・テーブルMTはプログラム可能パターニング手段を保持した状態で基本的に静止したまま保持され、基板テーブルWTが移動又は走査される。このモードでは、一般にパルス化放射線源が使用され、プログラム可能パターニング手段は、基板テーブルWTが移動する度に、又は、走査中連続する放射線パルスの合間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のようなタイプのプログラム可能ミラー・アレイ等のプログラム可能パターニング手段を使用する、マスクを使用しないリソグラフィにも容易に応用することができる。
上述の使用モードの組合せ及び/又は変形形態、或いは、全く異なる様々な使用モードを使用することができる。
図2は、ガス・フラッシング・システムGFの実施例をより詳細に示す。ガス・フラッシング・システムGFは、第1のガス出口GO−1及び第2のガス出口GO−2を含む。図示の実施例では、GO−1及びGO−2は、ガス供給チャネルGCを介してガス源(図示せず)及び任意選択で流量調整弁(図示せず)を含むフラッシング・ガス供給部(図示せず)に連結されている。図2に示すように、すなわち、ガス供給チャネルGCを介して直接連結されているので、GO−1及びGO−2のどちらも単一のガス源からガスを受け取ることになる。但し、GO−1及びGO−2は、別々のガス供給チャネルをそれぞれ有することもでき、それによって、別々のガス供給チャネルは同じガス源からガスを受け取ることも、又は別々のガス供給源からそれぞれガスを受け取ることもできる。一実施例では、少なくともガス出口GO−1は酸素含有ガスを受け取る。一実施例では、GO−1に供給されるガスの少なくとも1モル%、例えば少なくとも5モル%、少なくとも10モル%、例えば10〜50モル%又は10〜30モル%は酸素である。一実施例では、GO−1に供給されるガスは空気である。一実施例では、GO−2は不活性ガス、例えば窒素、アルゴン、ヘリウム、キセノン、又はそれらの混合物を受け取る。他の実施例では、GO−1及びGO−2のどちらも、不活性ガス又は酸素含有ガスを受け取る。
図2に示すように、一実施例では、GO−1から排出されるガスの少なくとも一部分が、投影システムPLから射出される放射線で露光されている基板Wの標的部分の方に向けられる(すなわち、GO−1から排出されるガスの少なくとも一部分は基板の方に向けられると共に放射線で露光されている領域の方に角度を付けられる)。一実施例では、GO−1から排出されるガスは全て、基本的に、投影システムPL(投影システムPLの底部のみを示す)から射出される放射線で露光されている基板Wの標的部分の方に向けられる。
一実施例では、出口GO−1からのガス流は、使用されている基板テーブル(又は基板支持体)の速度で、放射状ガス流の速度が、ガス・フラッシング・システムと基板の間の空間のあらゆる位置でゼロよりも高い速度で且つ内側に向かう、すなわち基板と投影システムの間の領域の方に向かうように調整される。放射状ガス流速度とは、1つ(又は複数)の出口GO−1と基板テーブルの速度とによって生じるガス流速度のベクトル和である。用語「基板テーブル速度」には、例えば、ステップ・アンド・スキャン型リソグラフィ投影装置の基板テーブル(又は基板支持部)の走査速度、並びに、ステップ・アンド・リピート型リソグラフィ投影装置の場合では後続の各露光間のウェハ・テーブルの速度が含まれる。
なおも図2を参照すると、ガス・フラッシング・システムGFは、更に、露光されている標的部分と投影システムの間の空間からガスを除去するためのガス入口GIを含む。ガス入口GIは、チャネルGICを介してガス除去システム(図示せず)に連結され、このシステムにはガスの除去を容易にする真空ポンプ及び/又はファンを含めることができる。又、このガス除去システムには、流量調整弁を含めることもできる。
一実施例では、ガス・フラッシング・システムは、例えば、基板と投影システムの間の領域に生じた有害ガスの量及び/又は種類を求める1つ又は複数のセンサを含む。この1つ又は複数のセンサを使用して、例えば、基板と投影システムの間の領域に生じる有害ガスの量及び/又は種類に対して、フラッシング・ガスの組成及び/又は流量(rate)を調整することができる。又、この1つ又は複数のセンサを使用して、ガス・フラッシング・システムが正しく機能しているか監視すると共に、例えばガス入口GIを通る流量が低すぎる場合には警告を与えることができる。
図3を参照すると、ガス出口GO−2を設けたいくつかの実施例が示されている。図3aの実施例では、ガス・フラッシング・システムGFは円形構造であり、このガス・フラッシング・システムの内周に沿ってその一部分にのみガス出口区画GO−2が設けられている。図3bでは、ガス・フラッシング・システムの全内周に沿って複数のガス出口ポートGO−2が設けられており、図3cでは、ガス・フラッシング・システムGFには、複数の対向するガス出口ポートが設けられている。一実施例では、1つ(又は複数)のガス出口ポートGO−2は、基板表面及び/又は投影システムPLの底部レンズ表面にほぼ平行な層流をもたらす。
一実施例では、
(a)放射線投影ビームを供給するように構成し配置した放射線システムと、
(b)所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するように構成し配置したパターニング構造を支持するように構成し配置した支持構造と、
(c)基板を支持するように構成し配置した基板支持体と、
(d)パターン化ビームを基板の標的部分上に投影するように構成し配置した投影システムと、
(e)放射状ガス流出口を含み、前記放射状ガス流出口を通って、ガス・フラッシング・システムと基板の間で画定された中間空間に放射状ガス流を生じるように構成し配置し、前記放射状ガス流の少なくとも一部分が、前記基板と投影システムの間の領域の方に向けられた半径方向速度を有する前記ガス・フラッシング・システムとを備えるリソグラフィ投影装置が提供される。
一実施例では、
放射線投影ビームを供給するように構成し配置した放射線システムと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するように構成し配置したパターニング構造を支持するように構成し配置した支持構造と、
基板を支持するように構成し配置した基板支持体と、
パターン化ビームを基板の標的部分上に投影するように構成し配置した投影システムと、
前記基板を横切る第1の方向の層流を生じ、更に、前記第1の方向とは実質的に異なる少なくとも1つの方向に進む部分を有すると共に前記層流のほぼ下を流れる第2の流れを生じ、更に、前記層流と前記第2の流れの間に、少なくとも前記第2の流れによって導入されたガスを除去するように設計されたガス流を生じるガス・フラッシング・システムとを備えるリソグラフィ投影装置が提供される。
一実施例では、
放射線投影ビームを供給するように構成し配置した放射線システムと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するように構成し配置したパターニング構造を支持するように構成し配置した支持構造と、
基板を支持するように構成し配置した基板支持体と、
パターン化ビームを基板の標的部分上に投影するように構成し配置した投影システムと、
前記基板の上面にほぼ平行な第1の方向の層流を生じる第1の出口、及びガスを前記標的部分の方に向ける第2の出口を含むガス・フラッシング・システムとを備えるリソグラフィ投影装置が提供される。
図4は、ガス出口ポートがなく、ガス入口ポートGIのみを有するガス・フラッシング・システムGFの実施例を示す。ガス入口ポート・チャネルGICをガス除去システム(図示せず)に連結させ、ガス除去システムを用いて、リソグラフィ装置の他の領域からガス入口ポートGIの方にガス入口ポート・チャネルGICを介して空気を吸引することによって空気流が生じる。この実施例は、例えば、ウェハ段と最後尾のレンズ素子との間に、ガス供給チャネル(ガス出口)及びガス除去チャネル(ガス入口)の両方を含める十分な空間を設けることができないリソグラフィ装置設計では有利となり得る。図4のガス・フラッシング・システムGFの実施例は又、開口S1及びS2を有し、それによってセンサ・ビーム/測定ビームがガス・フラッシング・システム中を通ってウェハに到達することが可能になる。図4では開口S2が1つだけ示されているが、ガス・フラッシング・システムGFは、複数の開口S2、例えば(開口S1と同じく)等間隔の4つの開口を有することができることに留意されたい。一実施例では、開口S1から画像センサ(例えば反射型画像センサ)が、開口S2からレベル・センサがウェハにアクセス可能となる。一実施例では、開口は窓(例えばガラス又は薄膜)で覆われている。一実施例では、開口S1はガラスで覆われている。一実施例では、開口S2は薄膜で覆われている。開口を覆うと、例えば、ガスがこれらの開口を通ってガス・フラッシング・システムから流出するのを防止するのに有効となり得る。
それに限定されるものではないが、このガス・フラッシング・システムは、放射線露光中に基板から有害ガスが蒸発する危険のあるプロセスにおいて有用である。かかるガスは、例えば、投影システム又は周辺部品を損なう恐れがあり、その結果、追加の保守が必要となり、且つ/又は、投影システム若しくは周辺部品の寿命が短くなる恐れがある。本発明のガス・フラッシング・システムは、有害ガスが投影システム及び周辺部品に到達しないように実質的に防止することにより、かかる損傷を防止するのに役立つ。ガスを放出しやすい基板とは、例えば、1つ又は複数のレジスト層で被覆された基板のことである。特に、1つ又は複数のカラー・フィルタ層用に複数のレジスト層で被覆された基板はガスを放出しやすいことがある。1つ又は複数のカラー・フィルタ層用に複数のレジスト層で被覆された基板は、画像センサ、例えばカメラ(例えば写真カメラやビデオ・カメラ)に有用な画像センサを製造する際に使用することができる。
本発明の特定の実施例に関して記載したが、当業者なら、多数のその変更形態を容易に思いつき、又は提案することができよう。したがって、本発明は以下の特許請求の範囲の趣旨及び範囲によってのみ限定されるものであることを理解されたい。
本発明の一実施例による露光装置を示す図である。 本発明によるガス・フラッシング・システムの一実施例の断面正面図である。 本発明によるガス・フラッシング・システム及び投影システムの最後尾のレンズ素子の一実施例の底面図である。 本発明によるガス・フラッシング・システムの他の実施例を示す図である。
符号の説明
PB 放射線投影ビーム
IL 照明システム(照明装置)
MA パターニング手段(マスク)
PM 第1の位置決め手段
MT 第1の支持構造(マスク・テーブル)
W 基板(ウェハ)
PW 第2の位置決め手段
WT 基板テーブル(ウェハ・テーブル)
C 標的部分
PL 投影システム(投影レンズ)
GF ガス・フラッシング・システム
SO 放射線源
BD ビーム送達システム
AM 調整手段
IN インテグレータ
CO 集光器
IF 位置センサ(干渉計装置)
M1、M2 マスク位置合せマーク
P1、P2 基板位置合せマーク
GO−1、GO−2 ガス出口
GC ガス供給チャネル
GI ガス入口
GIC ガス入口チャネル
S1、S2 開口

Claims (26)

  1. 放射線ビームを供給すること、
    前記放射線ビームをパターン化すること、
    投影システムによって、放射線感光層を含む基板の標的部分上に前記パターン化放射線ビームを投影すること、そして、
    前記標的部分周辺の外部に配置した第1のガス出口から、前記投影システムと前記基板の間の空間にフラッシング・ガスを流すことであって、前記投影の間に前記フラッシング・ガスの少なくとも一部分を前記標的部分の方に流すことを含むデバイス製造方法。
  2. 更に、前記標的部分周辺の外部に、且つ前記投影システムと前記第1のガス出口の間に配置され、前記標的部分と前記投影システムの間の領域からガスを除去する(extract)ように構成し配置したガス入口を含む、請求項1に記載の方法。
  3. 更に、第2のフラッシング・ガスのほぼ層状のガス流を生じるように構成し配置した第2の出口ポートから、前記投影システムの最後尾レンズと前記第1の出口ポートの間に、前記パターン化ビームの少なくとも一部分を横切って前記第2のフラッシング・ガスを流すことを含む、請求項1に記載の方法。
  4. 更に、第2のフラッシング・ガスのほぼ層状のガス流を生じるように構成し配置した第2の出口ポートから、前記投影システムの最後尾レンズと前記第1の出口ポートの間に、前記パターン化ビームの少なくとも一部分を横切って前記第2のフラッシング・ガスを流すことを含み、前記ガス入口が、前記第1のガス出口と前記第2のガス出口の間に位置する、請求項2に記載の方法。
  5. 前記フラッシング・ガスが少なくとも1モル%の酸素を含む、請求項1に記載の方法。
  6. 前記フラッシング・ガスが空気である、請求項5に記載の方法。
  7. 前記第1のガス出口が放射状ガス流出口である、請求項1に記載の方法。
  8. 前記第1のガス出口、前記第2のガス出口、及び前記ガス入口が全て同じ放射状構造に設けられている、請求項1に記載の方法。
  9. 前記放射線投影ビームが220nm〜435nmの範囲の波長を有する、請求項1に記載の方法。
  10. 前記基板が、カラー・フィルタを製造するのに必要な1つ又は複数の層を含む、請求項1に記載の方法。
  11. 請求項1に記載の方法によって得られる画像センサ。
  12. 請求項11の画像センサを備えるカメラ。
  13. 前記デバイスが画像センサである、請求項1に記載の方法。
  14. 放射線ビームを供給すること、
    前記放射線ビームをパターン化すること、
    投影システムによって、1つ又は複数のカラー・フィルタ層を製造するための1つ又は複数のレジスト層を含む基板の標的部分上に前記パターン化放射線ビームを投影すること、そして、
    前記標的部分と前記投影システムの間の空間に空気流を供給することによって、前記露光の間に前記標的部分から発散するガスを除去することを含む方法。
  15. 前記空気流が、前記空間から空気を吸引することによって生じる、請求項14に記載の方法。
  16. 放射線投影ビームを供給するように構成し配置した放射線システムと、
    所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン化するように構成し配置したパターニング構造を支持するように構成し配置した支持構造と、
    基板を支持するように構成し配置した基板支持部と、
    前記パターン化ビームを前記基板の標的部分上に投影するように構成し配置した投影システムと、
    前記基板支持部と前記投影システムの間の空間からガスを除去するように構成し配置したガス・フラッシング・システムとを備えるリソグラフィ投影装置。
  17. 前記ガス・フラッシング・システムが、ガスを供給するのではなく、ガスを除去するようにのみ構成された、請求項16に記載の装置。
  18. センサ・ビームが前記基板にアクセスできるように、前記ガス・フラッシング・システムに1つ又は複数の開口が設けられている、請求項16に記載の装置。
  19. 前記放射線投影ビームの放射線が220〜435nmの範囲の波長を有する、請求項16に記載の装置。
  20. 前記装置がステップ・モードで動作するように設計されている、請求項16に記載の装置。
  21. 前記装置が走査モードで動作するように設計されている、請求項16に記載の装置。
  22. 請求項16に記載の前記装置を用いて放射線に基板を露光させることを含むプロセス。
  23. 前記基板が1つ又は複数のレジスト層を含む、請求項22に記載のプロセス。
  24. 前記1つ又は複数のレジスト層が、1つ又は複数のカラー・フィルタ層を製造するためのものである、請求項23に記載のプロセス。
  25. 放射線露光装置において使用するために構成され、ガスを供給するのではなく、ガスを除去するようにのみ設計されたガス・フラッシング・システム。
  26. 放射線露光装置において使用するために構成され、透明材料によって覆われた1つ又は複数の開口を含むガス・フラッシング・システム。
JP2005350407A 2004-12-07 2005-12-05 ガス・フラッシング・システムを備える放射線露光装置 Pending JP2006186352A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US63372704P 2004-12-07 2004-12-07
US11/036,186 US20060119811A1 (en) 2004-12-07 2005-01-18 Radiation exposure apparatus comprising a gas flushing system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006186352A true JP2006186352A (ja) 2006-07-13

Family

ID=36084297

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005350407A Pending JP2006186352A (ja) 2004-12-07 2005-12-05 ガス・フラッシング・システムを備える放射線露光装置

Country Status (7)

Country Link
US (2) US20060119811A1 (ja)
EP (1) EP1669809A3 (ja)
JP (1) JP2006186352A (ja)
KR (1) KR100749943B1 (ja)
CN (1) CN1797220A (ja)
SG (1) SG123681A1 (ja)
TW (1) TW200628997A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007123299A (ja) * 2005-10-25 2007-05-17 Nuflare Technology Inc 吸引補助具及びパーティクル除去方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100727847B1 (ko) * 2005-09-07 2007-06-14 세메스 주식회사 기판 가장자리 노광 장치
IL183693A0 (en) * 2007-06-05 2007-09-20 Nova Measuring Instr Ltd Optical method and system
JP5448724B2 (ja) * 2009-10-29 2014-03-19 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
NL2006243A (en) * 2010-03-19 2011-09-20 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus, an illumination system, a projection system and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus.
KR102007352B1 (ko) 2015-04-20 2019-08-05 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 리소그래피 프로세스에서의 방법
US10018920B2 (en) * 2016-03-04 2018-07-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography patterning with a gas phase resist
US10168626B2 (en) 2016-06-17 2019-01-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and a method of forming a particle shield
US11397385B2 (en) 2016-06-17 2022-07-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Apparatus and a method of forming a particle shield
US10788764B2 (en) * 2016-06-17 2020-09-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and a method of forming a particle shield
CN107552258B (zh) 2016-07-01 2019-06-07 江苏鲁汶仪器有限公司 气体喷射装置
CN109283797B (zh) * 2017-07-21 2021-04-30 上海微电子装备(集团)股份有限公司 物镜保护装置、物镜系统以及光刻设备
CN115701293A (zh) * 2020-06-04 2023-02-07 Asml荷兰有限公司 流体净化系统、投射系统、照射系统、光刻设备和方法
EP3923076A1 (en) * 2020-06-09 2021-12-15 ASML Netherlands B.V. Fluid purging system
CN114460814B (zh) * 2022-01-20 2024-04-02 中国科学院微电子研究所 光刻设备、气浴装置及其气浴发生器

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
ATE123885T1 (de) 1990-05-02 1995-06-15 Fraunhofer Ges Forschung Belichtungsvorrichtung.
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US5559584A (en) * 1993-03-08 1996-09-24 Nikon Corporation Exposure apparatus
JP3387075B2 (ja) * 1994-12-12 2003-03-17 株式会社ニコン 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置
DE69735016T2 (de) 1996-12-24 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern
ATE216091T1 (de) 1997-01-29 2002-04-15 Micronic Laser Systems Ab Verfahren und gerät zur erzeugung eines musters auf einem mit fotoresist beschichteten substrat mittels fokusiertem laserstrahl
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
JP3626504B2 (ja) 1997-03-10 2005-03-09 アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ 2個の物品ホルダを有する位置決め装置
US6771314B1 (en) * 1998-03-31 2004-08-03 Intel Corporation Orange-green-blue (OGB) color system for digital image sensor applications
JP2000200745A (ja) 1999-01-07 2000-07-18 Nikon Corp 投影露光装置
WO2001006548A1 (fr) 1999-07-16 2001-01-25 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition
EP1098226A3 (en) 1999-11-05 2002-01-09 Asm Lithography B.V. Lithographic apparatus with gas flushing system
US6933513B2 (en) * 1999-11-05 2005-08-23 Asml Netherlands B.V. Gas flushing system for use in lithographic apparatus
TW480372B (en) * 1999-11-05 2002-03-21 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the apparatus, and device manufactured according to the method
TW563002B (en) * 1999-11-05 2003-11-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus, and device manufactured by the method
EP1107316A3 (en) * 1999-12-02 2004-05-19 Nikon Corporation Solid-state image sensor, production method of the same and digital camera
US6747729B2 (en) 2000-07-14 2004-06-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby and gas composition
US6671396B1 (en) 2000-09-18 2003-12-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method to monitor stepper lens quality in color filter process
CN1227717C (zh) 2000-11-10 2005-11-16 株式会社尼康 光学单元、曝光设备和器件制造法
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
JP2002373852A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Canon Inc 露光装置
US6828569B2 (en) * 2001-11-19 2004-12-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US20030224265A1 (en) * 2001-12-11 2003-12-04 Uzodinma Okoroanyanwu System and method for reducing photoresist photo-oxidative degradation in 193 nm photolithography
US6710370B2 (en) * 2002-01-07 2004-03-23 Xerox Corporation Image sensor with performance enhancing structures
DE10211611A1 (de) 2002-03-12 2003-09-25 Zeiss Carl Smt Ag Verfahren und Vorrichtung zur Dekontamination optischer Oberflächen
JP4677174B2 (ja) * 2003-02-03 2011-04-27 キヤノン株式会社 位置検出装置
JP4035510B2 (ja) * 2003-02-12 2008-01-23 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. ガス洗浄システムを含むリソグラフィ装置
JP4289906B2 (ja) * 2003-02-28 2009-07-01 キヤノン株式会社 露光装置
JP2004080052A (ja) 2003-11-04 2004-03-11 Canon Inc 露光装置、デバイスの製造方法
US7136142B2 (en) 2004-05-25 2006-11-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having a gas flushing device
US7446850B2 (en) * 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007123299A (ja) * 2005-10-25 2007-05-17 Nuflare Technology Inc 吸引補助具及びパーティクル除去方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100749943B1 (ko) 2007-08-16
EP1669809A3 (en) 2006-11-29
US20060146300A1 (en) 2006-07-06
US7570342B2 (en) 2009-08-04
CN1797220A (zh) 2006-07-05
KR20060083853A (ko) 2006-07-21
TW200628997A (en) 2006-08-16
EP1669809A2 (en) 2006-06-14
SG123681A1 (en) 2006-07-26
US20060119811A1 (en) 2006-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006186352A (ja) ガス・フラッシング・システムを備える放射線露光装置
JP4369217B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP4743440B2 (ja) リソグラフィ投影装置及びデバイス製造方法
JP5055310B2 (ja) リソグラフィ機器、放射システム、汚染物質トラップ、デバイスの製造方法、及び汚染物質トラップ内で汚染物質を捕らえる方法
JP4194831B2 (ja) デバイス製造方法
JP3696201B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2001168027A (ja) リソグラフィ装置
US20030071979A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4035510B2 (ja) ガス洗浄システムを含むリソグラフィ装置
WO1999005708A1 (fr) Procede d'exposition pour projection, dispositif de cadrage pour projection, et procedes de fabrication et de nettoyage optique du dispositif de cadrage
US20050134819A1 (en) Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
EP1429189B1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4429201B2 (ja) リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
JP3972084B2 (ja) リソグラフィ投影装置
JP2005020009A (ja) リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法
TWI271601B (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5644416B2 (ja) 光学ユニット、光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法
JP3983506B2 (ja) リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法
JP2002124464A (ja) リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法、及びそれにより製造されたデバイス
JP4391352B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JPWO2002065183A1 (ja) 鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法
US20040105081A1 (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP2010283015A (ja) 光学装置及びデバイス製造方法
JP2012004158A (ja) 洗浄方法、洗浄装置、露光方法、露光装置およびデバイス製造方法。
JP2009009954A (ja) 露光装置及び露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20060904

RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20070313

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070531

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090401

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090420

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090819

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091221

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20100105

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20100226