JP2006186352A - ガス・フラッシング・システムを備える放射線露光装置 - Google Patents
ガス・フラッシング・システムを備える放射線露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006186352A JP2006186352A JP2005350407A JP2005350407A JP2006186352A JP 2006186352 A JP2006186352 A JP 2006186352A JP 2005350407 A JP2005350407 A JP 2005350407A JP 2005350407 A JP2005350407 A JP 2005350407A JP 2006186352 A JP2006186352 A JP 2006186352A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- radiation
- substrate
- projection
- flushing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
Abstract
【解決手段】放射線源、パターニング構造、投影システムによって放射線感光層を含む基板の標的部分上にパターン化放射線ビームを投影するリソグラフィシステムにおいて、投影システムと基板の間の領域から空気を供給することによって、標的部分をパターン化放射ビームで露光する間に標的部分から発散するガスを除去するためのガス・フラッシング・システムを備えたことを特徴とする。
【選択図】図2
Description
(a)放射線ビームを供給すること、
(b)放射線ビームをパターン化すること、
(c)投影システムによって、放射線感光層を含む基板の標的部分上にパターン化放射線ビームを投影すること、そして
(d)前記標的部分周辺の外部に配置した第1のガス出口から、前記投影システムと前記基板の間の空間にフラッシング・ガスを流すことであって、前記フラッシング・ガスの少なくとも一部分を前記標的部分の方に流すことを含む方法を提供する。
(a)放射線ビームを供給すること、
(b)放射線ビームをパターン化すること、
(c)投影システムによって、1つ又は複数のカラー・フィルタ層を含む基板の標的部分上にパターン化放射線ビームを投影すること、そして
(d)前記標的部分と前記投影システムの間の空間に空気流を供給することによって、前記標的部分を前記パターン化放射線ビームで露光する間に前記標的部分から発散するガスを除去することを含む方法を提供する。
放射線投影ビームを供給するように構成し配置した放射線システムと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するように構成し配置したパターニング構造を支持するように構成し配置した支持構造と、
基板を支持するように構成し配置した基板支持部と、
パターン化ビームを基板の標的部分上に投影するように構成し配置した投影システムと、
基板支持部と投影システムの間の空間からガスを除去するように構成し配置したガス・フラッシング・システムとを備えるリソグラフィ投影装置を提供する。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは、投影ビームに与えられたパターン全体が一括して標的部分C上に投影される(すなわち1回の静止露光)間、基本的に静止したまま保持される。次いで、異なる標的部分Cが露光されるように基板テーブルWTをX方向及び/又はY方向に移動させる。ステップ・モードでは、1回の静止露光において結像される標的部分Cの寸法は、露光領域の最大寸法に限られる。
2.走査モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは、投影ビームに与えられたパターンが標的部分C上に投影される(すなわち1回の動的露光)間、同期して走査される。基板テーブルWTのマスク・テーブルMTに対する速度及び方向は、投影システムPLの拡大(縮小)及び該システムの像反転特性によって決まる。走査モードでは、1回の動的露光における標的部分の(非走査方向における)幅は、露光領域の最大寸法に限られ、標的部分の(走査方向における)高さは走査運動の長さによって決まる。
3.もう1つのモードでは、投影ビームに与えられたパターンが標的部分C上に投影される間、マスク・テーブルMTはプログラム可能パターニング手段を保持した状態で基本的に静止したまま保持され、基板テーブルWTが移動又は走査される。このモードでは、一般にパルス化放射線源が使用され、プログラム可能パターニング手段は、基板テーブルWTが移動する度に、又は、走査中連続する放射線パルスの合間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のようなタイプのプログラム可能ミラー・アレイ等のプログラム可能パターニング手段を使用する、マスクを使用しないリソグラフィにも容易に応用することができる。
(a)放射線投影ビームを供給するように構成し配置した放射線システムと、
(b)所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するように構成し配置したパターニング構造を支持するように構成し配置した支持構造と、
(c)基板を支持するように構成し配置した基板支持体と、
(d)パターン化ビームを基板の標的部分上に投影するように構成し配置した投影システムと、
(e)放射状ガス流出口を含み、前記放射状ガス流出口を通って、ガス・フラッシング・システムと基板の間で画定された中間空間に放射状ガス流を生じるように構成し配置し、前記放射状ガス流の少なくとも一部分が、前記基板と投影システムの間の領域の方に向けられた半径方向速度を有する前記ガス・フラッシング・システムとを備えるリソグラフィ投影装置が提供される。
放射線投影ビームを供給するように構成し配置した放射線システムと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するように構成し配置したパターニング構造を支持するように構成し配置した支持構造と、
基板を支持するように構成し配置した基板支持体と、
パターン化ビームを基板の標的部分上に投影するように構成し配置した投影システムと、
前記基板を横切る第1の方向の層流を生じ、更に、前記第1の方向とは実質的に異なる少なくとも1つの方向に進む部分を有すると共に前記層流のほぼ下を流れる第2の流れを生じ、更に、前記層流と前記第2の流れの間に、少なくとも前記第2の流れによって導入されたガスを除去するように設計されたガス流を生じるガス・フラッシング・システムとを備えるリソグラフィ投影装置が提供される。
放射線投影ビームを供給するように構成し配置した放射線システムと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するように構成し配置したパターニング構造を支持するように構成し配置した支持構造と、
基板を支持するように構成し配置した基板支持体と、
パターン化ビームを基板の標的部分上に投影するように構成し配置した投影システムと、
前記基板の上面にほぼ平行な第1の方向の層流を生じる第1の出口、及びガスを前記標的部分の方に向ける第2の出口を含むガス・フラッシング・システムとを備えるリソグラフィ投影装置が提供される。
IL 照明システム(照明装置)
MA パターニング手段(マスク)
PM 第1の位置決め手段
MT 第1の支持構造(マスク・テーブル)
W 基板(ウェハ)
PW 第2の位置決め手段
WT 基板テーブル(ウェハ・テーブル)
C 標的部分
PL 投影システム(投影レンズ)
GF ガス・フラッシング・システム
SO 放射線源
BD ビーム送達システム
AM 調整手段
IN インテグレータ
CO 集光器
IF 位置センサ(干渉計装置)
M1、M2 マスク位置合せマーク
P1、P2 基板位置合せマーク
GO−1、GO−2 ガス出口
GC ガス供給チャネル
GI ガス入口
GIC ガス入口チャネル
S1、S2 開口
Claims (26)
- 放射線ビームを供給すること、
前記放射線ビームをパターン化すること、
投影システムによって、放射線感光層を含む基板の標的部分上に前記パターン化放射線ビームを投影すること、そして、
前記標的部分周辺の外部に配置した第1のガス出口から、前記投影システムと前記基板の間の空間にフラッシング・ガスを流すことであって、前記投影の間に前記フラッシング・ガスの少なくとも一部分を前記標的部分の方に流すことを含むデバイス製造方法。 - 更に、前記標的部分周辺の外部に、且つ前記投影システムと前記第1のガス出口の間に配置され、前記標的部分と前記投影システムの間の領域からガスを除去する(extract)ように構成し配置したガス入口を含む、請求項1に記載の方法。
- 更に、第2のフラッシング・ガスのほぼ層状のガス流を生じるように構成し配置した第2の出口ポートから、前記投影システムの最後尾レンズと前記第1の出口ポートの間に、前記パターン化ビームの少なくとも一部分を横切って前記第2のフラッシング・ガスを流すことを含む、請求項1に記載の方法。
- 更に、第2のフラッシング・ガスのほぼ層状のガス流を生じるように構成し配置した第2の出口ポートから、前記投影システムの最後尾レンズと前記第1の出口ポートの間に、前記パターン化ビームの少なくとも一部分を横切って前記第2のフラッシング・ガスを流すことを含み、前記ガス入口が、前記第1のガス出口と前記第2のガス出口の間に位置する、請求項2に記載の方法。
- 前記フラッシング・ガスが少なくとも1モル%の酸素を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記フラッシング・ガスが空気である、請求項5に記載の方法。
- 前記第1のガス出口が放射状ガス流出口である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のガス出口、前記第2のガス出口、及び前記ガス入口が全て同じ放射状構造に設けられている、請求項1に記載の方法。
- 前記放射線投影ビームが220nm〜435nmの範囲の波長を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記基板が、カラー・フィルタを製造するのに必要な1つ又は複数の層を含む、請求項1に記載の方法。
- 請求項1に記載の方法によって得られる画像センサ。
- 請求項11の画像センサを備えるカメラ。
- 前記デバイスが画像センサである、請求項1に記載の方法。
- 放射線ビームを供給すること、
前記放射線ビームをパターン化すること、
投影システムによって、1つ又は複数のカラー・フィルタ層を製造するための1つ又は複数のレジスト層を含む基板の標的部分上に前記パターン化放射線ビームを投影すること、そして、
前記標的部分と前記投影システムの間の空間に空気流を供給することによって、前記露光の間に前記標的部分から発散するガスを除去することを含む方法。 - 前記空気流が、前記空間から空気を吸引することによって生じる、請求項14に記載の方法。
- 放射線投影ビームを供給するように構成し配置した放射線システムと、
所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン化するように構成し配置したパターニング構造を支持するように構成し配置した支持構造と、
基板を支持するように構成し配置した基板支持部と、
前記パターン化ビームを前記基板の標的部分上に投影するように構成し配置した投影システムと、
前記基板支持部と前記投影システムの間の空間からガスを除去するように構成し配置したガス・フラッシング・システムとを備えるリソグラフィ投影装置。 - 前記ガス・フラッシング・システムが、ガスを供給するのではなく、ガスを除去するようにのみ構成された、請求項16に記載の装置。
- センサ・ビームが前記基板にアクセスできるように、前記ガス・フラッシング・システムに1つ又は複数の開口が設けられている、請求項16に記載の装置。
- 前記放射線投影ビームの放射線が220〜435nmの範囲の波長を有する、請求項16に記載の装置。
- 前記装置がステップ・モードで動作するように設計されている、請求項16に記載の装置。
- 前記装置が走査モードで動作するように設計されている、請求項16に記載の装置。
- 請求項16に記載の前記装置を用いて放射線に基板を露光させることを含むプロセス。
- 前記基板が1つ又は複数のレジスト層を含む、請求項22に記載のプロセス。
- 前記1つ又は複数のレジスト層が、1つ又は複数のカラー・フィルタ層を製造するためのものである、請求項23に記載のプロセス。
- 放射線露光装置において使用するために構成され、ガスを供給するのではなく、ガスを除去するようにのみ設計されたガス・フラッシング・システム。
- 放射線露光装置において使用するために構成され、透明材料によって覆われた1つ又は複数の開口を含むガス・フラッシング・システム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US63372704P | 2004-12-07 | 2004-12-07 | |
US11/036,186 US20060119811A1 (en) | 2004-12-07 | 2005-01-18 | Radiation exposure apparatus comprising a gas flushing system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006186352A true JP2006186352A (ja) | 2006-07-13 |
Family
ID=36084297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005350407A Pending JP2006186352A (ja) | 2004-12-07 | 2005-12-05 | ガス・フラッシング・システムを備える放射線露光装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20060119811A1 (ja) |
EP (1) | EP1669809A3 (ja) |
JP (1) | JP2006186352A (ja) |
KR (1) | KR100749943B1 (ja) |
CN (1) | CN1797220A (ja) |
SG (1) | SG123681A1 (ja) |
TW (1) | TW200628997A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007123299A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Nuflare Technology Inc | 吸引補助具及びパーティクル除去方法 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100727847B1 (ko) * | 2005-09-07 | 2007-06-14 | 세메스 주식회사 | 기판 가장자리 노광 장치 |
IL183693A0 (en) * | 2007-06-05 | 2007-09-20 | Nova Measuring Instr Ltd | Optical method and system |
JP5448724B2 (ja) * | 2009-10-29 | 2014-03-19 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
NL2006243A (en) * | 2010-03-19 | 2011-09-20 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus, an illumination system, a projection system and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus. |
KR102007352B1 (ko) | 2015-04-20 | 2019-08-05 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 리소그래피 프로세스에서의 방법 |
US10018920B2 (en) * | 2016-03-04 | 2018-07-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithography patterning with a gas phase resist |
US10168626B2 (en) | 2016-06-17 | 2019-01-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and a method of forming a particle shield |
US11397385B2 (en) | 2016-06-17 | 2022-07-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Apparatus and a method of forming a particle shield |
US10788764B2 (en) * | 2016-06-17 | 2020-09-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and a method of forming a particle shield |
CN107552258B (zh) | 2016-07-01 | 2019-06-07 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 气体喷射装置 |
CN109283797B (zh) * | 2017-07-21 | 2021-04-30 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 物镜保护装置、物镜系统以及光刻设备 |
CN115701293A (zh) * | 2020-06-04 | 2023-02-07 | Asml荷兰有限公司 | 流体净化系统、投射系统、照射系统、光刻设备和方法 |
EP3923076A1 (en) * | 2020-06-09 | 2021-12-15 | ASML Netherlands B.V. | Fluid purging system |
CN114460814B (zh) * | 2022-01-20 | 2024-04-02 | 中国科学院微电子研究所 | 光刻设备、气浴装置及其气浴发生器 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523193A (en) | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
ATE123885T1 (de) | 1990-05-02 | 1995-06-15 | Fraunhofer Ges Forschung | Belichtungsvorrichtung. |
US5229872A (en) | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
US5559584A (en) * | 1993-03-08 | 1996-09-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
JP3387075B2 (ja) * | 1994-12-12 | 2003-03-17 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置 |
DE69735016T2 (de) | 1996-12-24 | 2006-08-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern |
ATE216091T1 (de) | 1997-01-29 | 2002-04-15 | Micronic Laser Systems Ab | Verfahren und gerät zur erzeugung eines musters auf einem mit fotoresist beschichteten substrat mittels fokusiertem laserstrahl |
SE509062C2 (sv) | 1997-02-28 | 1998-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster |
JP3626504B2 (ja) | 1997-03-10 | 2005-03-09 | アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ | 2個の物品ホルダを有する位置決め装置 |
US6771314B1 (en) * | 1998-03-31 | 2004-08-03 | Intel Corporation | Orange-green-blue (OGB) color system for digital image sensor applications |
JP2000200745A (ja) | 1999-01-07 | 2000-07-18 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
WO2001006548A1 (fr) | 1999-07-16 | 2001-01-25 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition |
EP1098226A3 (en) | 1999-11-05 | 2002-01-09 | Asm Lithography B.V. | Lithographic apparatus with gas flushing system |
US6933513B2 (en) * | 1999-11-05 | 2005-08-23 | Asml Netherlands B.V. | Gas flushing system for use in lithographic apparatus |
TW480372B (en) * | 1999-11-05 | 2002-03-21 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the apparatus, and device manufactured according to the method |
TW563002B (en) * | 1999-11-05 | 2003-11-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus, and device manufactured by the method |
EP1107316A3 (en) * | 1999-12-02 | 2004-05-19 | Nikon Corporation | Solid-state image sensor, production method of the same and digital camera |
US6747729B2 (en) | 2000-07-14 | 2004-06-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby and gas composition |
US6671396B1 (en) | 2000-09-18 | 2003-12-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method to monitor stepper lens quality in color filter process |
CN1227717C (zh) | 2000-11-10 | 2005-11-16 | 株式会社尼康 | 光学单元、曝光设备和器件制造法 |
KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
JP2002373852A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Canon Inc | 露光装置 |
US6828569B2 (en) * | 2001-11-19 | 2004-12-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US20030224265A1 (en) * | 2001-12-11 | 2003-12-04 | Uzodinma Okoroanyanwu | System and method for reducing photoresist photo-oxidative degradation in 193 nm photolithography |
US6710370B2 (en) * | 2002-01-07 | 2004-03-23 | Xerox Corporation | Image sensor with performance enhancing structures |
DE10211611A1 (de) | 2002-03-12 | 2003-09-25 | Zeiss Carl Smt Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Dekontamination optischer Oberflächen |
JP4677174B2 (ja) * | 2003-02-03 | 2011-04-27 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置 |
JP4035510B2 (ja) * | 2003-02-12 | 2008-01-23 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | ガス洗浄システムを含むリソグラフィ装置 |
JP4289906B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2009-07-01 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP2004080052A (ja) | 2003-11-04 | 2004-03-11 | Canon Inc | 露光装置、デバイスの製造方法 |
US7136142B2 (en) | 2004-05-25 | 2006-11-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having a gas flushing device |
US7446850B2 (en) * | 2004-12-03 | 2008-11-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2005
- 2005-01-18 US US11/036,186 patent/US20060119811A1/en not_active Abandoned
- 2005-12-02 SG SG200507762A patent/SG123681A1/en unknown
- 2005-12-05 CN CNA2005101380850A patent/CN1797220A/zh active Pending
- 2005-12-05 TW TW094142799A patent/TW200628997A/zh unknown
- 2005-12-05 JP JP2005350407A patent/JP2006186352A/ja active Pending
- 2005-12-06 US US11/294,348 patent/US7570342B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-06 EP EP05257485A patent/EP1669809A3/en not_active Ceased
- 2005-12-06 KR KR1020050118097A patent/KR100749943B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007123299A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Nuflare Technology Inc | 吸引補助具及びパーティクル除去方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100749943B1 (ko) | 2007-08-16 |
EP1669809A3 (en) | 2006-11-29 |
US20060146300A1 (en) | 2006-07-06 |
US7570342B2 (en) | 2009-08-04 |
CN1797220A (zh) | 2006-07-05 |
KR20060083853A (ko) | 2006-07-21 |
TW200628997A (en) | 2006-08-16 |
EP1669809A2 (en) | 2006-06-14 |
SG123681A1 (en) | 2006-07-26 |
US20060119811A1 (en) | 2006-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006186352A (ja) | ガス・フラッシング・システムを備える放射線露光装置 | |
JP4369217B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4743440B2 (ja) | リソグラフィ投影装置及びデバイス製造方法 | |
JP5055310B2 (ja) | リソグラフィ機器、放射システム、汚染物質トラップ、デバイスの製造方法、及び汚染物質トラップ内で汚染物質を捕らえる方法 | |
JP4194831B2 (ja) | デバイス製造方法 | |
JP3696201B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2001168027A (ja) | リソグラフィ装置 | |
US20030071979A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP4035510B2 (ja) | ガス洗浄システムを含むリソグラフィ装置 | |
WO1999005708A1 (fr) | Procede d'exposition pour projection, dispositif de cadrage pour projection, et procedes de fabrication et de nettoyage optique du dispositif de cadrage | |
US20050134819A1 (en) | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method | |
EP1429189B1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP4429201B2 (ja) | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 | |
JP3972084B2 (ja) | リソグラフィ投影装置 | |
JP2005020009A (ja) | リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法 | |
TWI271601B (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP5644416B2 (ja) | 光学ユニット、光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法 | |
JP3983506B2 (ja) | リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法 | |
JP2002124464A (ja) | リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法、及びそれにより製造されたデバイス | |
JP4391352B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JPWO2002065183A1 (ja) | 鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法 | |
US20040105081A1 (en) | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby | |
JP2010283015A (ja) | 光学装置及びデバイス製造方法 | |
JP2012004158A (ja) | 洗浄方法、洗浄装置、露光方法、露光装置およびデバイス製造方法。 | |
JP2009009954A (ja) | 露光装置及び露光方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060904 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070313 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090401 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090420 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090819 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091221 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100105 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20100226 |