JP2005020009A - リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】このリソグラフィ投影装置の熱遮蔽体6には、パターニング手段MT、MAや投影手段PMが発生する汚染物粒子をその第1側Iから第2側Oへ通す粒子伝播チャンネル9があり、真空室5を所望の低圧に維持するためのクライオポンプ7がこれらのチャンネル9から出る粒子を捕捉することもできる。それで粒子は、熱遮蔽体6が障害とならずにそれを通って移動できるので、高真空を維持しながら部品の粒子汚染が防げ、高精度・高稼働率生産が可能になる。
【選択図】図2
Description
少なくとも一つの基板を保持するための基板ホルダ、
放射線の少なくとも一つの投影ビームを提供するための放射線システム、
所望のパターンに従ってこの投影ビームをパターン化するように構成したパターニング手段および/または上記パターン化した投影ビームを上記基板の目標部分上に投影するように構成した投影手段を含む真空室、および
少なくともこの装置の一部を熱的に状態調節するための少なくとも一つの熱遮蔽体を含む装置に関する。
マスク。マスクの概念は、リソグラフィでよく知られ、それには、二値、交互位相シフト、および減衰位相シフトのようなマスク型、並びに種々のハイブリッドマスク型がある。そのようなマスクを放射線ビーム中に置くと、このマスク上のパターンに従って、このマスクに入射する放射線の選択透過(透過性マスクの場合)または選択反射(反射性マスクの場合)を生ずる。マスクの場合、この支持構造体は、一般的にマスクテーブルであり、それがこのマスクを入射放射線ビームの中の所望の位置に保持できること、およびもし望むなら、それをこのビームに対して動かせることを保証する;
プログラム可能LCDアレイ。そのような構成の例は、米国特許第5,229,872号明細書で与えられ、それを参考までにここに援用する。上記同様、この場合の支持構造体は、例えば、必要に応じて固定または可動でもよい、フレームまたはテーブルとして具体化してもよい。
上記熱遮蔽体は、この遮蔽体の第1側からその第2側へ、この遮蔽体を通して粒子を伝播させるために粒子伝播チャンネルを含む。本出願で、“粒子”という用語は、少なくとも原子若しくは亜原子粒子または何か大きいサイズの要素、例えば分子および/または汚染物質粒子を指すと理解すべきである。上記粒子伝播チャンネルのために、この熱遮蔽体は、粒子に比較的小さな障害としかならないかまたは実質的に全く障害とならず、それで粒子がその熱遮蔽体を通って移動できる。従って、上記真空室に比較的低圧を維持でき、パターニング手段および/または投影手段に比較的清浄な環境を提供する。この熱遮蔽体は、この装置の異なる部分間に熱障壁を築くため、例えば熱に敏感な部品を熱源から遮蔽するために使うのが好ましい。
− 少なくとも部分的に放射線感応材料の層で覆われた少なくとも一つの基板を用意する工程;
− 放射線システムを使って放射線の少なくとも一つの投影ビームを用意する工程;
− 上記投影ビームの断面にパターンを付けるためにパターニング手段を使う工程;および
− 上記放射線のパターン化したビームを上記基板の放射線感応材料の層の目標部分上に投影するために投影手段を使う工程を含み、上記パターニング手段および/または投影手段が真空環境に設けてあり、上記パターニング手段および/または投影手段の少なくとも一部の温度が熱遮蔽体によって熱的に状態調節してある方法に於いて、上記熱遮蔽体が粒子伝播チャンネルを含み、粒子を上記チャンネル経由でこの遮蔽体を通して、特に上記パターニング手段および/または投影手段から離れるように伝播することを特徴とする方法が提供される。
− 放射線(例えば、遠紫外領域の光)の投影ビームPBを供給するための、この特別な場合放射線源LAも含む、放射線システムEx、IL;
− マスクMA(例えば、レチクル)を保持するためのマスクホルダを備え、且つこのマスクを部材PLに関して正確に位置決めするために第1位置決め手段PMに結合された第1物体テーブル(マスクテーブル)MT;
− 基板W(例えば、レジストを塗被したシリコンウエハ)を保持するための基板ホルダを備え、且つこの基板を部材PLに関して正確に位置決めするために第2位置決め手段PWに結合された第2物体テーブル(基板テーブル)WT;および
− マスクMAの被照射部分を基板Wの目標部分C(例えば、一つ以上のダイを含む)上に結像するための投影システム(“レンズ”)PLを含む。
1.ステップモードでは、マスクテーブルMTを本質的に固定して保持し、全マスク像を目標部分C上に一度に(即ち、単一“フラッシュ”で)投影する。次に基板テーブルWTをxおよび/またはy方向に移動して異なる目標部分CをビームPBで照射できるようにする。そして、
2.走査モードでは、与えられた目標部分Cを単一“フラッシュ”では露出しないことを除いて、本質的に同じシナリオを適用する。その代りに、マスクテーブルMTが与えられた方向(所謂“走査方向”、例えば、y方向)に速度vで動き得て、それで投影ビームPBがマスク像の上を走査させられ;同時に、基板テーブルWTがそれと共に同じまたは反対方向に速度V=Mvで動かされ、このMはレンズPLの倍率(典型的には、M=1/4または1/5)である。この様にして、比較的大きい目標部分Cを、解像度について妥協する必要なく、露出することができる。
− 放射線の少なくとも一つのビームを提供するための放射線システムEx、IL、LA;
− パターニング手段MT、MAおよび投影手段PMを含む第1真空室5;並びに
− 使用中基板Wを保持するための基板ホルダWTを含む第2真空室11を含む。
この装置は、一つ以上の真空ポンプを含んでもよい。更に、この装置は、上記真空室を所望の低圧に維持するために数種類の真空排気手段、例えばクライオポンプ、ターボ分子ポンプ等々を含んでもよい。上記排気手段は、凝集および/または非凝集物質を除去するように構成することができる。この真空排気手段は、それぞれの真空室の内部および/または外部に位置することができる。
この装置は、少なくとも一つのレチクルを保持するために少なくとも一つのレチクルテーブルを含んでもよい。
その上、この装置は、少なくとも一つの真空室、例えば、一つの真空基板室、投影箱を含む一つの真空室およびパターニング手段を含む一つの真空室を含んでもよい。
更に、上記クライオポンプ7は、例えばクライオポンプ7を所望の温度に維持するためおよび/またはもし望むならこのポンプ7を除霜するために、統合加熱および/または冷却手段を含んでもよい。
その上、熱調節手段の上記放射線吸収面は、異なる場所、例えば投影光学素子箱PMに、室壁1の内部におよび/または他の場所に設けることができる。
その上、このリソグラフィ投影装置を幾つかの投影プロセス、例えばEUV投影、X線投影、電子ビーム書込み等に備えて構成することができる。
5 真空室
6 熱遮蔽体
7 真空排気手段、クライオポンプ
8 加熱および/または冷却手段
9 粒子伝播チャンネル
12 ストリップ
15 放射線吸収面
Ex ビーム拡大器
I 熱遮蔽体の第1側
IL 照明システム
LA 線源
MA マスク、レチクル
MT マスク(レチクル)テーブル
O 熱遮蔽体の第2側
PM 投影手段
W 基板
WT 基板ホルダ
Claims (12)
- リソグラフィ投影装置であって、
少なくとも一つの基板(W)を保持するための基板ホルダ(WT)、
放射線の少なくとも一つの投影ビームを提供するための放射線システム(Ex、IL、LA)、
パターニング手段(MT、MA)および/または投影手段(PM)を含む真空室(5)であって、前記パターニング手段(MT、MA)が所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するように構成され、前記投影手段(PM)が前記パターン化した投影ビームを前記基板(W)の目標部分上に投影するように構成されている真空室(5)、および
前記装置の少なくとも一部を熱的に状態調節するための少なくとも一つの熱遮蔽体(6)、を含む装置に於いて、前記熱遮蔽体(6)が、該遮蔽体(6)の第1側(I)からその第2側(O)へ、前記遮蔽体(6)を通して粒子を伝播させるための粒子伝播チャンネル(9)を含むことを特徴とする装置。 - 前記伝播チャンネル(9)から粒子を排出するために、真空排気手段(7)が前記熱遮蔽体(6)の前記第2側(O)から見ることができる請求項1に載された装置。
- 前記排気手段が少なくとも一つのクライオポンプ(7)を含む請求項2に記載された装置。
- 前記排気手段(7)が実質的に前記熱遮蔽体(6)と前記真空室(5)の壁(1)との間に位置し、前記真空室壁(1)が比較的低放射率、特に0.5以下の放射率εを有する請求項2または請求項3に記載された装置。
- 前記熱遮蔽体(6)の前記伝播チャンネル(9)が実質的に光学的に不透明であるように構成されている請求項1から請求項4までの何れか1項に記載された装置。
- 前記熱遮蔽体(6)が実質的に平行なストリップ(12)を含み、該ストリップ(12)が実質的に前記伝播チャンネル(9)を囲い込むようにした請求項1から請求項5までの何れか1項に記載された装置。
- 前記ストリップ(12)が山形紋状の断面を有する請求項5および請求項6に記載された装置。
- 前記放射線システム(Ex、IL、LA)、前記パターニング手段(MT、MA)、前記基板ホルダ(WT)および/または前記投影手段(PM)の少なくとも一部が遮蔽体(6)の前記第1側(I)から実質的に見ることができる請求項1から請求項7までの何れか1項に記載された装置。
- 前記熱遮蔽体(6)が少なくとも部分的に放射線吸収面(15)を備えている請求項1から請求項8までの何れか1項に記載された装置。
- 前記伝播チャンネル(9)が少なくとも部分的に前記放射線吸収面(15)によって囲まれている請求項9に記載された装置。
- 前記熱遮蔽体(6)が、前記熱遮蔽体(6)をある調節温度に維持するために加熱および/または冷却手段(8)を含む請求項1から請求項10までの何れか1項に記載された装置。
- デバイス製造方法であって、
少なくとも部分的に放射線感応材料の層で覆われた少なくとも一つの基板(W)を用意する工程、
放射線システム(Ex、IL、LA)を使って放射線の少なくとも一つの投影ビームを用意する工程、
前記投影ビームの断面にパターンを付けるためにパターニング手段(MT、MA)を使う工程、および
前記放射線のパターン化したビームを前記基板(W)の放射線感応材料の層の目標部分上に投影するために投影手段(PM)を使う工程、を含み、前記パターニング手段(MT、MA)および/または投影手段(PM)が真空環境に設けてあり、前記パターニング手段(MT、MA)および/または投影手段(PM)の少なくとも一部の温度が熱遮蔽体(6)によって熱的に状態調節してある方法に於いて、前記熱遮蔽体(6)が粒子伝播チャンネル(9)を含み、粒子を前記チャンネル(9)経由で前記遮蔽体(6)を通して、特に前記放射線システム(Ex、IL、LA)、前記パターニング手段(MT、MA)、前記基板(W)および/または投影手段(PM)から離れるように伝播することを特徴とするデバイス製造方法。
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