JPH01205532A - 光励起プロセス装置 - Google Patents
光励起プロセス装置Info
- Publication number
- JPH01205532A JPH01205532A JP3151188A JP3151188A JPH01205532A JP H01205532 A JPH01205532 A JP H01205532A JP 3151188 A JP3151188 A JP 3151188A JP 3151188 A JP3151188 A JP 3151188A JP H01205532 A JPH01205532 A JP H01205532A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- reaction
- chamber
- light
- reaction chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title description 6
- 238000005086 pumping Methods 0.000 title 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 183
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 69
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 claims description 14
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 7
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 20
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 14
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 10
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45514—Mixing in close vicinity to the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/488—Protection of windows for introduction of radiation into the coating chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は集積回路およびオプトエレクＩ・ロニクス装置
等に用いられる半導体の製造装置に関する。
等に用いられる半導体の製造装置に関する。
（従来技術）
集積回路およびオプトエレクトロニクス装置に用いられ
る半導体の低温化製造プロセスとしては、従来よりプラ
ズマプロセスがあった。しかし、プラズマプロセスでは
生成したイオン。
る半導体の低温化製造プロセスとしては、従来よりプラ
ズマプロセスがあった。しかし、プラズマプロセスでは
生成したイオン。
電子等の高エネルギー粒子による照射損傷が避けられな
かった。そこて、光化学反応を用いた無損傷プロセスで
ある光励起プロセスが近年行われるようになった。
かった。そこて、光化学反応を用いた無損傷プロセスで
ある光励起プロセスが近年行われるようになった。
光励起プ１フセスとは、光エネルギーによって反応カス
を励起し化学反応を促進させて化学気相成長−エッチン
グ−１−一−ピングーア・ノシング等を行う技術である
。この光励起プロセスの構成としては、ランプ（水銀ラ
ンプ、Ｔ（ｇ−Ｘ ｅランプ、重水素ランプ、Ｘｅラン
プ、不活性ガスランプ、希カスランプ等）やレーザー（
エキシマレーザ−、アルゴンレーザー、炭酸カスレーザ
ー、色素Ｉ／−ザー、Ｙ Ａ Ｇ ｌ／−ザー、自由電
子１）−ザー等）およびシンクロ１〜ロン放則等を光源
とし、光源からの光を適当な光学器具（ミラー、レンズ
等）を介して反応室に導き、反応ガスを励起し化学反応
を促進させるものである。該光励起プロセスは低温、す
なわち室温でも反応を進行させることが可能で、照射損
傷が他の方法に比へて極めて小さく、波長を適当にｊＸ
べば無損傷で反応を進行させることが可能である。
を励起し化学反応を促進させて化学気相成長−エッチン
グ−１−一−ピングーア・ノシング等を行う技術である
。この光励起プロセスの構成としては、ランプ（水銀ラ
ンプ、Ｔ（ｇ−Ｘ ｅランプ、重水素ランプ、Ｘｅラン
プ、不活性ガスランプ、希カスランプ等）やレーザー（
エキシマレーザ−、アルゴンレーザー、炭酸カスレーザ
ー、色素Ｉ／−ザー、Ｙ Ａ Ｇ ｌ／−ザー、自由電
子１）−ザー等）およびシンクロ１〜ロン放則等を光源
とし、光源からの光を適当な光学器具（ミラー、レンズ
等）を介して反応室に導き、反応ガスを励起し化学反応
を促進させるものである。該光励起プロセスは低温、す
なわち室温でも反応を進行させることが可能で、照射損
傷が他の方法に比へて極めて小さく、波長を適当にｊＸ
べば無損傷で反応を進行させることが可能である。
従来の光励起プロセスは、第８図及び第９図に示されて
いる。第８図において、２はガス反応室であり、３は該
ガス反応室の上部に設けられた光透過窓である。該光透
過窓３の上部には光源が設けられている。７はガス反応
室２の側面に設けられた反応ガス導入口である。８は基
板台座であり、適切な手段（図示せず）によりガス反応
室２内に固定されている。９は基板であり、該基板台座
８上に置かれている。１０はカス反応室２の下部に設け
られた排気口であり、真空ポンプと連結されている９２
３はカス反応室２の上部側面（、こ設けられ、吹き出し
口が斜め上方を向いた窓吹き付はガス導入口である。
いる。第８図において、２はガス反応室であり、３は該
ガス反応室の上部に設けられた光透過窓である。該光透
過窓３の上部には光源が設けられている。７はガス反応
室２の側面に設けられた反応ガス導入口である。８は基
板台座であり、適切な手段（図示せず）によりガス反応
室２内に固定されている。９は基板であり、該基板台座
８上に置かれている。１０はカス反応室２の下部に設け
られた排気口であり、真空ポンプと連結されている９２
３はカス反応室２の上部側面（、こ設けられ、吹き出し
口が斜め上方を向いた窓吹き付はガス導入口である。
上記のように桿）成される第８図の従来例において外部
光源を介した光は大気を遮断する光透過窓３を通過し、
ガス反応室２の側面に設りられな反応ガス導入ロアより
導入された反応ガスを励起して、ガス反応室２内の基板
９上にて光化学反応を行うものであるが、反応ガスが光
透過窓３の下面とも接触するなめに、反応ガスが光透過
窓３下面においても光化学反応を起こしてしまう。なお
反応終了後の反応ガスは、排気口１０より真空ポンプを
経て外部に放出される。
光源を介した光は大気を遮断する光透過窓３を通過し、
ガス反応室２の側面に設りられな反応ガス導入ロアより
導入された反応ガスを励起して、ガス反応室２内の基板
９上にて光化学反応を行うものであるが、反応ガスが光
透過窓３の下面とも接触するなめに、反応ガスが光透過
窓３下面においても光化学反応を起こしてしまう。なお
反応終了後の反応ガスは、排気口１０より真空ポンプを
経て外部に放出される。
第９図において２１はガス反応室２の上部に形成された
光源室である。１１は光源室２１内に適切な手段（図示
せず）で固定された光源である。
光源室である。１１は光源室２１内に適切な手段（図示
せず）で固定された光源である。
１２は光源１１と光源室２１の上壁面との間に適切な手
段（図示せず）により固定されたミラーである。２２は
光源室２１の側面に設けられたパージガス導入口である
。該光源室２１のパージガス導入口２２の設けられた側
面の反対側には、排気口１０が設けられている。光源室
２１の下部にあるガス反応室２において、３．７ ＝
８．９ ＝ １０．２３で示されたものは」二記第８図
と同様に構成される。
段（図示せず）により固定されたミラーである。２２は
光源室２１の側面に設けられたパージガス導入口である
。該光源室２１のパージガス導入口２２の設けられた側
面の反対側には、排気口１０が設けられている。光源室
２１の下部にあるガス反応室２において、３．７ ＝
８．９ ＝ １０．２３で示されたものは」二記第８図
と同様に構成される。
」−記のように構成される第９図の従来例において、パ
ージガス導入口２２から導入されるパージガスによりガ
ス置換された光源室２１に設置された光源１１よりの直
接光およびミラー１２で反射された光は、光透過窓３を
通過し、ガス反応室２の側面に設けられた反応ガス導入
ロアから導入された反応ガスを励起して、ガス反応室２
内に置かれた基板９」二にて光化学反応を行うものであ
るが、上記と同様に反応ガスが光透過窓３の下面と接触
するなめに、反応ガスが光透過窓３下面においても光化
学反応を起こしてしまう。
ージガス導入口２２から導入されるパージガスによりガ
ス置換された光源室２１に設置された光源１１よりの直
接光およびミラー１２で反射された光は、光透過窓３を
通過し、ガス反応室２の側面に設けられた反応ガス導入
ロアから導入された反応ガスを励起して、ガス反応室２
内に置かれた基板９」二にて光化学反応を行うものであ
るが、上記と同様に反応ガスが光透過窓３の下面と接触
するなめに、反応ガスが光透過窓３下面においても光化
学反応を起こしてしまう。
第８図および第９図いずれの場合でも光透過窓３下面で
光化学反応が起こるので、光透過窓３下面が汚れる。こ
の汚れの膜厚が厚くなるに従って、光源からガス反応室
２へ透過する光量が制限されるので、ガス反応室２での
光化学反応が抑制される。このため光透過窓３への膜生
成を防止せんとして、以下の方法が従来行われていた。
光化学反応が起こるので、光透過窓３下面が汚れる。こ
の汚れの膜厚が厚くなるに従って、光源からガス反応室
２へ透過する光量が制限されるので、ガス反応室２での
光化学反応が抑制される。このため光透過窓３への膜生
成を防止せんとして、以下の方法が従来行われていた。
■不活性ガスを光透過窓３に吹き付ける方法。
＝ ６−
（第８図および第９図で窓吹き付はガス導入口２３より
光透過窓３に向けて不活性カスを吹き付ける方法） ■フッ化物油を光透過窓３に塗布する方法。
光透過窓３に向けて不活性カスを吹き付ける方法） ■フッ化物油を光透過窓３に塗布する方法。
■多数の穴を有する石英板やテフロンフィルム巻取装置
を光透過窓３の下部に挿入する方法。
を光透過窓３の下部に挿入する方法。
しかし、これらの方法はいずれも以下のような問題点を
有していた。
有していた。
すなわち、■不活性ガスを光透過窓３に吹き付ける方法
では、特に大面積の光透過窓３へ大ｕＬの不活性ガスを
吹き付けた場合、乱流が生じるので反応ガスの巻き込み
を避けることができず、その結果光透過窓３」二に膜付
着が起こった。
では、特に大面積の光透過窓３へ大ｕＬの不活性ガスを
吹き付けた場合、乱流が生じるので反応ガスの巻き込み
を避けることができず、その結果光透過窓３」二に膜付
着が起こった。
■フッ化物油を光透過窓３に塗布する方法は、フッ化物
油が光分解を受けるため、長時間に渡って使用した場合
、光透過窓３上への膜付着を避けることができなかった
。■多数の穴を有する石英板を光透過窓３の下部に挿入
する方法やテフロンフィルム巻取装置を挿入する方法で
は、全体として透過する光量が減少し、装置も大掛かり
なものとなる。
油が光分解を受けるため、長時間に渡って使用した場合
、光透過窓３上への膜付着を避けることができなかった
。■多数の穴を有する石英板を光透過窓３の下部に挿入
する方法やテフロンフィルム巻取装置を挿入する方法で
は、全体として透過する光量が減少し、装置も大掛かり
なものとなる。
（発明か解決しようとする問題点）
本発明は前述の点に鑑み、長時間連続運転した場合でも
光透過率が低下することなく、しかも均一な光化学反応
を基板上にて行うことができる光励起プロセス装置を提
供し、Ｊ−うとするものである。
光透過率が低下することなく、しかも均一な光化学反応
を基板上にて行うことができる光励起プロセス装置を提
供し、Ｊ−うとするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明に係る光励起プロセス装置は上記問題点を解決す
るために、ガス反応室の上部または側部に円筒状のガス
回転室を有し、装置の内部または外部に光源を右する光
励起プロセス装置であって、前記ガス回転室とガス反応
室の間には中央に円形の開口部を有する隔壁が形成され
るかまたは前記ガス回転室はガス反応室より小さく、前
記ガス回転室は１つまたは複数のガス導入口を側面部に
有し、該ガス導入口は円筒中心に対して斜めの方向を向
き、且つ複数のガス導入口を有する場合は全てのガス導
入口が同一ガス流れを生じる方向を向き、前記ガス反応
室の側面には１一つまなは２つ以」−の反応ガス導入口
があることを１寺徴とする。
るために、ガス反応室の上部または側部に円筒状のガス
回転室を有し、装置の内部または外部に光源を右する光
励起プロセス装置であって、前記ガス回転室とガス反応
室の間には中央に円形の開口部を有する隔壁が形成され
るかまたは前記ガス回転室はガス反応室より小さく、前
記ガス回転室は１つまたは複数のガス導入口を側面部に
有し、該ガス導入口は円筒中心に対して斜めの方向を向
き、且つ複数のガス導入口を有する場合は全てのガス導
入口が同一ガス流れを生じる方向を向き、前記ガス反応
室の側面には１一つまなは２つ以」−の反応ガス導入口
があることを１寺徴とする。
（作用）
」１記のように揚成される光励起プロセス装置は以下の
ように作用する。
ように作用する。
ガス導入口よりガス回転室に導入されたガスは、ガス回
転室の内壁面に沿った回転層流となる。ガス回転室とガ
ス反応室の間には中央に円形の開口部を有する隔壁が形
成されているので、ガス回転室に形成された回転層流は
前記隔壁の円形の開口部で更に流れを整えられ、層流の
まま回転しながらガス反応室に下降する。ガス回転室が
ガス反応室より小さい場合も、ガス回転室に形成された
回転層流は、流れを乱されることなく層流として回転し
ながらガス反応室に下降する。
転室の内壁面に沿った回転層流となる。ガス回転室とガ
ス反応室の間には中央に円形の開口部を有する隔壁が形
成されているので、ガス回転室に形成された回転層流は
前記隔壁の円形の開口部で更に流れを整えられ、層流の
まま回転しながらガス反応室に下降する。ガス回転室が
ガス反応室より小さい場合も、ガス回転室に形成された
回転層流は、流れを乱されることなく層流として回転し
ながらガス反応室に下降する。
ガス反応室の反応ガス導入口より導入された− ９ ＝
反応ガスは、前記回転層流と混合されて均一な流れとな
る。この反応ガスは光源より発ぜられな光により励起さ
れ、ガス反応室内に設置された基板」−で光化学反応を
行う。その後、反応ガスは排気口より真空ポンプを経て
外部に放出される。
る。この反応ガスは光源より発ぜられな光により励起さ
れ、ガス反応室内に設置された基板」−で光化学反応を
行う。その後、反応ガスは排気口より真空ポンプを経て
外部に放出される。
（実施例）
本発明に係る光励起プロセス装置を、以下の第１−図か
ら第７図に示す実施例に基づいて詳細に説明する。
ら第７図に示す実施例に基づいて詳細に説明する。
第１図は外部に光源を有する光励起プロセス装置を示す
９第２図は内部に光源を有する光励起プロセス装置を示
す。第３図は内部に放電電極を有する光励起プロセス装
置を示す。第４図は外部にマイクロ波電源（或は高周波
電源）を有する光励起プロセス装置を示す。第５図はガ
スの流れの可視化実験装置を示す。第６図は第５図で示
した実験を行った時の模様を上部から見た図である。第
７図は第５図で示した実験を−１−〇 − 行った時の模様を側面から見た図である。
９第２図は内部に光源を有する光励起プロセス装置を示
す。第３図は内部に放電電極を有する光励起プロセス装
置を示す。第４図は外部にマイクロ波電源（或は高周波
電源）を有する光励起プロセス装置を示す。第５図はガ
スの流れの可視化実験装置を示す。第６図は第５図で示
した実験を行った時の模様を上部から見た図である。第
７図は第５図で示した実験を−１−〇 − 行った時の模様を側面から見た図である。
第１図において、円筒状のガス回転室１は上部に、ガス
反応室２は下部に形成され、前記ガス回転室１とガス反
応室２の間には中央に円形の開口部を有する隔壁４が設
置されている９３は光透過窓であり、ガス回転室１の上
部に設けられている。該光透過窓３の上部には光源（図
示せず）が設置されている。５．６はカス回転室１の外
周に設けられたガス導入口であり、本実施例においては
１８０°反対側に１つづつ設置されている。該カス導入
口５．６は円筒中心にダｊして斜めの方向を向き、木実
施例においては右周りのカス流れをつくる方向を向いて
いる。
反応室２は下部に形成され、前記ガス回転室１とガス反
応室２の間には中央に円形の開口部を有する隔壁４が設
置されている９３は光透過窓であり、ガス回転室１の上
部に設けられている。該光透過窓３の上部には光源（図
示せず）が設置されている。５．６はカス回転室１の外
周に設けられたガス導入口であり、本実施例においては
１８０°反対側に１つづつ設置されている。該カス導入
口５．６は円筒中心にダｊして斜めの方向を向き、木実
施例においては右周りのカス流れをつくる方向を向いて
いる。
すなわち、ガス導入口５は紙面を貫通ずる方向を向き、
ガス導入口６は紙面から手前に向かう方向を向いている
。７は反応ガス導入ＩＩＩであり、木実施例ではガス反
応室２側面に設けられている。８は基板台座であり、適
切な手段（図示せず）によりカス反応室２内に固定され
ている。
ガス導入口６は紙面から手前に向かう方向を向いている
。７は反応ガス導入ＩＩＩであり、木実施例ではガス反
応室２側面に設けられている。８は基板台座であり、適
切な手段（図示せず）によりカス反応室２内に固定され
ている。
＝ １１ ＝
９は基板であり、該基板台座８トに置かれている。なお
、前記反応ガス導入口は、基板９の上方にある。１０は
ガス反応室２底面に設げられな排気口であり、真空ポン
プ（図示せず）と連結されている。
、前記反応ガス導入口は、基板９の上方にある。１０は
ガス反応室２底面に設げられな排気口であり、真空ポン
プ（図示せず）と連結されている。
第２図において、１１は光源でありガス回転室１内に適
切な手段（図示せず）で固定され、１２は光源１１とガ
ス回転室１の土壁面との間に適切な手段（図示せず）で
固定されたミラーである９木実施例においては光透過窓
３がなく、排気口１０がカス反応室２側面下部に設けら
れていることを除けば、他の構成は第１−図と同しであ
る。
切な手段（図示せず）で固定され、１２は光源１１とガ
ス回転室１の土壁面との間に適切な手段（図示せず）で
固定されたミラーである９木実施例においては光透過窓
３がなく、排気口１０がカス反応室２側面下部に設けら
れていることを除けば、他の構成は第１−図と同しであ
る。
第３図はガス回転室１がガス反応室２より小さい場合で
、ガス回転室１内部に放電電極１３を有する９１４は外
部に設置されたＡＣおよびＤＣ電源である。１５はガス
反応室の上面であり、中央にガス回転室の横断面と等し
い大きさの開１］部が設けられている。光透過窓３と隔
壁４がなく、排気ｆｉ１０がガス反応室２側面下部に設
けられていることを除けば、他の構成は第１図と同様で
ある。
、ガス回転室１内部に放電電極１３を有する９１４は外
部に設置されたＡＣおよびＤＣ電源である。１５はガス
反応室の上面であり、中央にガス回転室の横断面と等し
い大きさの開１］部が設けられている。光透過窓３と隔
壁４がなく、排気ｆｉ１０がガス反応室２側面下部に設
けられていることを除けば、他の構成は第１図と同様で
ある。
第４図はガス回転室１がガス反応室２より小さい場合で
、ガス回転室１外部にマイクロ波放電〈或は高周波放電
）ガイＩ〜１６および磁場コイル１７を有する。光透過
窓３と隔壁４がないことを除けば他の構成は第１図と同
様である。
、ガス回転室１外部にマイクロ波放電〈或は高周波放電
）ガイＩ〜１６および磁場コイル１７を有する。光透過
窓３と隔壁４がないことを除けば他の構成は第１図と同
様である。
第５図において、１８はドライアイス法におけるミス１
ル発生装置で、水滴トラップ１つを介してガス導入［１
５と連結されており、更にガス導入口６とも外部配管２
０により連結されている。光透過窓３がなく、排気口１
０がガス反応室２側面下部に設けられていることを除け
ば、他の構成は第］−図と同様である。背圧は１０’Ｔ
Ｏｒｒである。ガス回転室１およびガス反応室２は内部
が見えるように、透明容器で作成した。ガス導入［］は
円筒中心に対して約７０°の角度を向き、右向きのガス
流れを作るように設置した。
ル発生装置で、水滴トラップ１つを介してガス導入［１
５と連結されており、更にガス導入口６とも外部配管２
０により連結されている。光透過窓３がなく、排気口１
０がガス反応室２側面下部に設けられていることを除け
ば、他の構成は第］−図と同様である。背圧は１０’Ｔ
Ｏｒｒである。ガス回転室１およびガス反応室２は内部
が見えるように、透明容器で作成した。ガス導入［］は
円筒中心に対して約７０°の角度を向き、右向きのガス
流れを作るように設置した。
第６図および第７図において矢印はガス層流の流れを示
す。
す。
」１記のように４゛ｂ）成される本実施例は以下のよう
に作用する。
に作用する。
第１−図に示す実施例は外部に光源がある場合である。
まず光化学反応を開始する前にガス回転室１およびガス
反応室２内の大気をパージする。パージ用ガスとしては
不活性ガスおよび水素、窒素などのキャリアガスが一般
的である。
反応室２内の大気をパージする。パージ用ガスとしては
不活性ガスおよび水素、窒素などのキャリアガスが一般
的である。
ガス回転室１およびガス反応室２のパージ完了後に光源
からの光を照射する。光源としては前記したもののいず
れかを用いることができるが、本実施例においては水銀
ランプを用いた。
からの光を照射する。光源としては前記したもののいず
れかを用いることができるが、本実施例においては水銀
ランプを用いた。
水銀ランプを発した光は外気を遮断する光透過窓３を透
過して、ガス回転室１に入る。ガス回転室１の側面に設
けられた２箇所のガス導入口５．６よりガス回転室１に
導入されるガスは、ガス導入口５．６が右周りのガス流
れを作るように、円筒中心に対して斜めの方向を向いて
いるので、右周りのガス回転層流がガス回転室１に形成
される。（左周りでも同様である。）ここで、カス導入
口５．６に導入されるガスは該カス回転室で化学反応を
起こさないガスであれはよく、不活性ガスはもちろん、
水素・酸素−窒素−炭酸ガスー希ガス・キャリアガス−
塩素系ガス−フッ素系ガス−ハロゲン系ガス−窒素系カ
ス等を用いることができる。本実施例では、アルコン希
釈の酸素カスを用いた。
過して、ガス回転室１に入る。ガス回転室１の側面に設
けられた２箇所のガス導入口５．６よりガス回転室１に
導入されるガスは、ガス導入口５．６が右周りのガス流
れを作るように、円筒中心に対して斜めの方向を向いて
いるので、右周りのガス回転層流がガス回転室１に形成
される。（左周りでも同様である。）ここで、カス導入
口５．６に導入されるガスは該カス回転室で化学反応を
起こさないガスであれはよく、不活性ガスはもちろん、
水素・酸素−窒素−炭酸ガスー希ガス・キャリアガス−
塩素系ガス−フッ素系ガス−ハロゲン系ガス−窒素系カ
ス等を用いることができる。本実施例では、アルコン希
釈の酸素カスを用いた。
ガス回転室１て形成された前記ガス回転層流は、隔壁４
により絞られるために、流れが乱れずに層流のまま、ガ
ス反応室２に流れ込む。反応ガス導入ロアより導入され
る反応ガスは基板９ ｊ二部において前記の層流を形成
せるガス回転流と渾然一体となったガス層を形成する。
により絞られるために、流れが乱れずに層流のまま、ガ
ス反応室２に流れ込む。反応ガス導入ロアより導入され
る反応ガスは基板９ ｊ二部において前記の層流を形成
せるガス回転流と渾然一体となったガス層を形成する。
このカス層は、ガス回転室１を通過しガス反応室２に到
達した光によって励起され、基板９」二にて光化学反応
を起こす。その後、反応ガスは排気口１０を経て真空ポ
ンプにより吸引されて外部に放出される。
達した光によって励起され、基板９」二にて光化学反応
を起こす。その後、反応ガスは排気口１０を経て真空ポ
ンプにより吸引されて外部に放出される。
本実施例においては反応ガスとしてＳ ｉ Ｉ（４を用
いたので基板９」二にはＳｊＯ□が成膜する。
いたので基板９」二にはＳｊＯ□が成膜する。
なお基板９としてはＳ１ウエハーを用いた。反応ガスお
よび基板９の種類は多岐に渡り、各種のものを用いるこ
とができる９また、反応ガスとして、Ａ ｓ ｌ−１３
、Ｐ ｌ−１３のようなガスが用いられる場合は、ガス
回転室内で化学反応が起こりにくいので、ガス導入口に
導入するガスを反応ガスと同一にすることもできる〜こ
の場合、反応ガスがガス回転室１であらかじめ励起され
るため、カス反応室２での反応速度が増大するという効
果も生じる。
よび基板９の種類は多岐に渡り、各種のものを用いるこ
とができる９また、反応ガスとして、Ａ ｓ ｌ−１３
、Ｐ ｌ−１３のようなガスが用いられる場合は、ガス
回転室内で化学反応が起こりにくいので、ガス導入口に
導入するガスを反応ガスと同一にすることもできる〜こ
の場合、反応ガスがガス回転室１であらかじめ励起され
るため、カス反応室２での反応速度が増大するという効
果も生じる。
第２図に示す実施例は光源が内部にある場合で、」１記
と同様に作用する。ガス層流は回転しながら下降するた
めに乱流となることなく、光源が光化学反応により汚さ
れることはない９な第３図はガス回転室がガス反応室よ
り小さい−１，６− 場合て、ガス回転室１て形成されるガス回転層流はガス
回転室が小さいなめ、排気口１０より真空ポンプで排気
されていてもガス回転層流は乱れることなく、層流のま
まガス反応室２に下降していく。この場合は内部で放電
されるため、強い光強度を得ることができる。この場合
もガス層流は回転しながら下降するために、放電電極が
光化学反応により汚されることはない。
と同様に作用する。ガス層流は回転しながら下降するた
めに乱流となることなく、光源が光化学反応により汚さ
れることはない９な第３図はガス回転室がガス反応室よ
り小さい−１，６− 場合て、ガス回転室１て形成されるガス回転層流はガス
回転室が小さいなめ、排気口１０より真空ポンプで排気
されていてもガス回転層流は乱れることなく、層流のま
まガス反応室２に下降していく。この場合は内部で放電
されるため、強い光強度を得ることができる。この場合
もガス層流は回転しながら下降するために、放電電極が
光化学反応により汚されることはない。
第４図は外部に光源用放電電源がある場合で、マイクロ
波放電（或は高周波放電）ガイドかあることを除けは゛
第３図と同様て゛、ガス層流は回転しながら下降するな
めに、ガス回転室１が光化学反応により汚されることは
ない。
波放電（或は高周波放電）ガイドかあることを除けは゛
第３図と同様て゛、ガス層流は回転しながら下降するな
めに、ガス回転室１が光化学反応により汚されることは
ない。
以上、第１〜第４図の実施例は縦型として説明を行った
が、これらをそのまま横型としても同じ効果を得ること
ができる。
が、これらをそのまま横型としても同じ効果を得ること
ができる。
、第５図で示すようなガス流れの可視化実験を＼
行らた結果、第６図に示すように、ガス回転室ノー
１に導入されたドライアイス法によるミストは層流とな
って整然と回転している様子が、ガス回転室１上面より
観察された。この時の条件は圧力１００ Ｔｏｒｒ、レ
イノルズ数１１２０で、トライアイス法によるミストは
約４００（１）ンｍ ｉ ｎ導入された。その実験時の
ガス回転室１からガス反応室２へのガス流れについては
、第７図に示すようにミストが整然と下降している様子
が観察された。このように、本発明による方法はガス層
流が回転しながら下降するために、逆流が起こらない。
って整然と回転している様子が、ガス回転室１上面より
観察された。この時の条件は圧力１００ Ｔｏｒｒ、レ
イノルズ数１１２０で、トライアイス法によるミストは
約４００（１）ンｍ ｉ ｎ導入された。その実験時の
ガス回転室１からガス反応室２へのガス流れについては
、第７図に示すようにミストが整然と下降している様子
が観察された。このように、本発明による方法はガス層
流が回転しながら下降するために、逆流が起こらない。
（効果）
本発明によれば回転するガス層流を血ることができるた
めに、基板］−での反応が均一化できるため安定した品
質で光化学反応を行うことができる。即ち、ガス回転室
で発生したガス回転層流は、回転したガス層流のままガ
ス反応室へ下降するため、基板台座回転を行ったのと同
様な効果ｔ′、基板」二への化学反応を均一に行える、
２．ｌ、＋、ノ 効果も右する。
めに、基板］−での反応が均一化できるため安定した品
質で光化学反応を行うことができる。即ち、ガス回転室
で発生したガス回転層流は、回転したガス層流のままガ
ス反応室へ下降するため、基板台座回転を行ったのと同
様な効果ｔ′、基板」二への化学反応を均一に行える、
２．ｌ、＋、ノ 効果も右する。
＝ １８−
まノと本発明によればガス層流は回転しながら下降する
ために、光透過窓が光化学反応によって汚れるようなこ
とがないので長時間の連続運転が可能で、珪つ光透過窓
の面積を従来法より大きくすることかてきるため光透過
窓を通過する光量が増大し、反応の効率向上を図ること
ができる。同様に第２図に示すように内部に光源がある
場合も、光源で光化学反応が起こらないので光源が汚さ
れることはない。さらに極めて簡単な方法により回転す
るガス層流を得ることができるノとめ、装置を安価に製
作することができる。カス導入Ｌ１からのガス導入量に
ついても、層流を得るに必要な最低量であればよく、従
来法で光透過窓への汚れを防ぐために使用していたガス
量に比して少量で済む。
ために、光透過窓が光化学反応によって汚れるようなこ
とがないので長時間の連続運転が可能で、珪つ光透過窓
の面積を従来法より大きくすることかてきるため光透過
窓を通過する光量が増大し、反応の効率向上を図ること
ができる。同様に第２図に示すように内部に光源がある
場合も、光源で光化学反応が起こらないので光源が汚さ
れることはない。さらに極めて簡単な方法により回転す
るガス層流を得ることができるノとめ、装置を安価に製
作することができる。カス導入Ｌ１からのガス導入量に
ついても、層流を得るに必要な最低量であればよく、従
来法で光透過窓への汚れを防ぐために使用していたガス
量に比して少量で済む。
第１図は外部に光源を有する光励起プロセス装置を示す
。第２図は内部に光源を有する光励起プロ七″ス装置を
示す。第３図は内部に放電型−１９＝ 極をイーする光励起プロセス装置を示す９第４図は外部
にマイクロ波電源（或は高周波電源）を有する光励起プ
ロセス装置を示す。第５図はガスの流れの可視化実験装
置を示す。第６図は第５１１で示した実験を行った時の
模様を上部から見た図である。第７図は第５図で示した
実験を行った時の模様を側面から見た図である。第８図
は外部に光源がある従来法の装置を示す。第９図は内部
に光源がある従来法の装置を示す。 １ ・−ガス回転室、２−−ガス反応室、３−一光透過
窓、４−一隔壁、５．６・・ガス導入口、７・・反応ガ
ス導入口、８・・基板台座、９−・基板、１０・・ＪＪ
［気口、１１・・光源、１２・・ミラー、１３・−放電
電極、１４・・電源、１５・・上面、１６−−マイクロ
波放電（或は高周波放電）ガイド、１７−１磁場コイル
、１８−−ミスＩミ発生装置、１つ−−水滴トラップ、
２０・・外部丙み管、２１・・光源室、２２・・パージ
ガス導入ノ ロ、２３−一窓吹き付はガス導入［二ｌ＝ ２０− 屍８図 品９図
。第２図は内部に光源を有する光励起プロ七″ス装置を
示す。第３図は内部に放電型−１９＝ 極をイーする光励起プロセス装置を示す９第４図は外部
にマイクロ波電源（或は高周波電源）を有する光励起プ
ロセス装置を示す。第５図はガスの流れの可視化実験装
置を示す。第６図は第５１１で示した実験を行った時の
模様を上部から見た図である。第７図は第５図で示した
実験を行った時の模様を側面から見た図である。第８図
は外部に光源がある従来法の装置を示す。第９図は内部
に光源がある従来法の装置を示す。 １ ・−ガス回転室、２−−ガス反応室、３−一光透過
窓、４−一隔壁、５．６・・ガス導入口、７・・反応ガ
ス導入口、８・・基板台座、９−・基板、１０・・ＪＪ
［気口、１１・・光源、１２・・ミラー、１３・−放電
電極、１４・・電源、１５・・上面、１６−−マイクロ
波放電（或は高周波放電）ガイド、１７−１磁場コイル
、１８−−ミスＩミ発生装置、１つ−−水滴トラップ、
２０・・外部丙み管、２１・・光源室、２２・・パージ
ガス導入ノ ロ、２３−一窓吹き付はガス導入［二ｌ＝ ２０− 屍８図 品９図
Claims (2)
- （１）ガス反応室の上部または側部に円筒状のガス回転
室を有し、装置の内部または外部に光源を有する光励起
プロセス装置であって、前記ガス回転室とガス反応室の
間には中央に円形の開口部を有する隔壁が形成され、前
記ガス回転室は１つまたは複数のガス導入口を側面部に
有し、該ガス導入口は円筒中心に対して斜めの方向を向
き、且つ複数のガス導入口を有する場合は全てのガス導
入口が同一ガス流れを生じる方向を向き、前記ガス反応
室の側面には１つまたは２つ以上の反応ガス導入口があ
ることを特徴とする光励起プロセス装置。 - （２）ガス反応室の上部または側部に円筒状のガス回転
室を有し、装置の内部または外部に光源を有する光励起
プロセス装置であって、前記ガス回転室はガス反応室よ
り小さく、前記ガス回転室は１つまたは複数のガス導入
口を側面部に有し、該ガス導入口は円筒中心に対して斜
めの方向を向き、且つ複数のガス導入口を有する場合は
全てのガス導入口が同一ガス流れを生じる方向を向き、
前記ガス反応室の側面には１つまたは２つ以上の反応ガ
ス導入口があることを特徴とする光励起プロセス装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3151188A JPH01205532A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | 光励起プロセス装置 |
| CA 590827 CA1330601C (en) | 1988-02-12 | 1989-02-10 | Apparatus for semiconductor process including photo-excitation process |
| DE1989622323 DE68922323T2 (de) | 1988-02-12 | 1989-02-13 | Anlage für Halbleiterverfahren einschliesslich eines photochemischen Verfahrens. |
| EP19890301316 EP0328417B1 (en) | 1988-02-12 | 1989-02-13 | Apparatus for semiconductor process including photo-excitation process |
| US07/670,368 US5229081A (en) | 1988-02-12 | 1991-03-14 | Apparatus for semiconductor process including photo-excitation process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3151188A JPH01205532A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | 光励起プロセス装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01205532A true JPH01205532A (ja) | 1989-08-17 |
Family
ID=12333236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3151188A Pending JPH01205532A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | 光励起プロセス装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0328417B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01205532A (ja) |
| CA (1) | CA1330601C (ja) |
| DE (1) | DE68922323T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001168027A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-06-22 | Asm Lithography Bv | リソグラフィ装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5334277A (en) * | 1990-10-25 | 1994-08-02 | Nichia Kagaky Kogyo K.K. | Method of vapor-growing semiconductor crystal and apparatus for vapor-growing the same |
| US5433169A (en) * | 1990-10-25 | 1995-07-18 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Method of depositing a gallium nitride-based III-V group compound semiconductor crystal layer |
| US6797108B2 (en) * | 2001-10-05 | 2004-09-28 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for evenly flowing processing gas onto a semiconductor wafer |
| CN102856150B (zh) * | 2012-09-29 | 2015-08-26 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体反应腔清洗装置及其等离子体反应腔清洗方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62127470A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-09 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPS62224018A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-02 | Canon Inc | 光化学気相成長法による堆積膜形成装置 |
| JPS62274074A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-28 | Babcock Hitachi Kk | 光化学的気相堆積装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3717439A (en) * | 1970-11-18 | 1973-02-20 | Tokyo Shibaura Electric Co | Vapour phase reaction apparatus |
| US4715318A (en) * | 1985-01-17 | 1987-12-29 | Nippon Kogaku K.K. | Photochemical reaction apparatus |
| US4649859A (en) * | 1985-02-19 | 1987-03-17 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Reactor design for uniform chemical vapor deposition-grown films without substrate rotation |
-
1988
- 1988-02-12 JP JP3151188A patent/JPH01205532A/ja active Pending
-
1989
- 1989-02-10 CA CA 590827 patent/CA1330601C/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-02-13 DE DE1989622323 patent/DE68922323T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-02-13 EP EP19890301316 patent/EP0328417B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62127470A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-09 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPS62224018A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-02 | Canon Inc | 光化学気相成長法による堆積膜形成装置 |
| JPS62274074A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-28 | Babcock Hitachi Kk | 光化学的気相堆積装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001168027A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-06-22 | Asm Lithography Bv | リソグラフィ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0328417B1 (en) | 1995-04-26 |
| DE68922323D1 (de) | 1995-06-01 |
| EP0328417A1 (en) | 1989-08-16 |
| CA1330601C (en) | 1994-07-05 |
| DE68922323T2 (de) | 1996-01-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5229081A (en) | Apparatus for semiconductor process including photo-excitation process | |
| JP4393844B2 (ja) | プラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法 | |
| US4615756A (en) | Dry etching apparatus | |
| US5803974A (en) | Chemical vapor deposition apparatus | |
| JPS61127121A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| US4741800A (en) | Etching method for the manufacture of a semiconductor integrated circuit | |
| CN219302267U (zh) | 用于测量处理气体的解离的设备和系统 | |
| US20050241673A1 (en) | Resist removing apparatus and method of removing resist | |
| US20080296258A1 (en) | Plenum reactor system | |
| JPH01205532A (ja) | 光励起プロセス装置 | |
| JP2002083803A (ja) | エッチング装置やアッシング装置といったようなドライプロセッシング装置 | |
| CN101341582B (zh) | 光源装置、基板处理装置、基板处理方法 | |
| JPS60202928A (ja) | 光励起反応装置 | |
| JP3064407B2 (ja) | 光励起プロセス装置用光源 | |
| JPS58164788A (ja) | ケミカルドライエツチング装置 | |
| JP3552818B2 (ja) | プラズマディスプレイ用パネル基板の製造方法及びその製造装置 | |
| JPH07169743A (ja) | 表面処理方法 | |
| RU2059322C1 (ru) | Способ фотохимического осаждения тонких пленок и устройство для его осуществления | |
| JP3163724B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3502157B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH05347282A (ja) | アッシング装置及びその処理方法 | |
| JPS6075327A (ja) | 紫外線発生装置及びそれを用いた材料処理装置 | |
| JPH07283203A (ja) | 表面処理装置 | |
| JPH02141576A (ja) | プラズマプロセス装置 | |
| JPH03126877A (ja) | 光励起ｃｖｄ装置 |