JP3163724B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方
法、特に半導体素子の微細加工を行うドライエッチング
技術に関し、極微量の添加ガスを、導入量の制御性を高
くして基板表面に供給し高精度のドライエッチングを行
う技術に向けられている。

【０００２】

【従来の技術】通常のプラズマを用いたエッチングに
は、Ｓｉ表面に吸着したラジカルが熱エネルギにより活
性化し生じるエッチング反応（ラジカル反応），吸着し
たラジカルがイオンの照射で活性化され進むエッチング
反応（イオンアシスト反応），イオンが物理的にエッチ
ングする反応（物理スパッタ反応）の三つの反応が共存
している。この内、ラジカル反応は等方的で、アンダー
カットの原因となるため、抑制されなければならない。

【０００３】この抑制方法の一つに、堆積性ガスを添加
する方法がある。これには、堆積性のガスを直接添加す
る方法と、堆積性のガスとエッチング性のガスの化合物
をプラズマ中に供給し、間接的に堆積性のガスを添加す
る方法の二つがある。

【０００４】前者の例として、プロシーディング オブ
シンポジューム オン ドライプロセス(Proc. of Sy
mp. on Dry Process,ｐ.１１４２８(１９８５)）があ
る。

【０００５】これは、Ｃｌ₂ ガスにＣＨＦ₃ を添加して
単結晶Ｓｉをエッチングしたものである。エッチング側
壁では、このＣＨＦ₃ による重合膜が堆積し、Ｃｌラジ
カルによるアンダーカットから側壁を保護する。一方、
底面では、イオン照射により重合膜が除去され、Ｃｌに
よるエッチングが進む。添加量２０％で垂直形状が得ら
れることが報告されている。

【０００６】後者の例として、ジャーナル オブ バキ
ューム サイエンス テクノロジー（Jounal of Vacuum
Science Technology，ｐ.７２１(１９８０)）がある。
これは複合ガスＣＦ₃Ｃｌ を用いてｎ+ poly−Ｓｉを垂
直性エッチングするものである。ＣＦ₃Ｃｌ はプラズマ
中で解離してエッチング種Ｃｌと堆積性の種ＣＦ_x を生
じる。底面では、ＣｌラジカルによるＳｉのエッチング
が進む。他方、側面では、ＣＦ_x による重合膜やＣｌ＋
ＣＦ₃→ＣＦ₃Ｃｌの再結合により、Ｃｌラジカルによる
アンダーカットから側壁を保護する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来のガス添加方法で
は、基板から１０cm以上離れた導入口から添加ガスが供
給され、反応室全体に拡がるため、基板上で所望の量の
ガスを添加するためにはエッチングガスの１０％以上と
いう多量のガスを添加する必要があった。さらに処理容
器内容積が２００〜３００ ｌで、排気速度が１００〜
５００ ｌ／sec であったため、処理室内滞在時間が４
００ｍsec〜３secと長く、堆積性ガスが添加された場
合、処理室の内壁やウエハの汚染が生じ易い問題があっ
た。また、エッチングガスの１／２０以下の微量ガスを
制御するためには、ガス導入口と基板表面が離れすぎて
いるため、基板表面でのガスの濃度の高精度の制御が困
難であった。本発明は、これら従来ガス添加法の諸問題
を解決することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、エッチ
ングされるべきウエハを収容するための容器と、前記容
器内に主ガスとしてのエッチングガスを導入する第１の
導入口と、前記容器内に添加ガスとしての堆積ガスを供
給する第２の導入口と、前記容器内のガスをプラズマ化
する手段と、前記容器内のガスを排気する排気ポンプと
を有するドライエッチング装置を用いてウエハを処理す
る工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記容器
にエッチングされるべきウエハを収容する工程と、前記
第１の導入口より前記容器内に前記主ガスを導き、前記
第１の導入口よりも前記ウエハに近接させた前記第２の
導入口より前記容器内の前記ウエハ主面近傍に前記添加
ガスを導き、前記排気ポンプにより前記容器内のガスを
排気させながら、前記ウエハ主面を選択的にエッチング
する工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造
方法にある。 より具体的には、主ガス導入口１と離れた
位置にい添加ガス導入口２を設け、添加量を主ガスの１
/２０以内にした。この添加ガス導入口２の構成には下
記の３通りがある。なお、以下に述べられた排気速度の
単位である[l/sec]は[リットル/秒]を意味するものであ
ることは容易に理解できるであろう。

【０００９】(１) 添加ガスの導入口２を、被エッチン
グ試料から平均自由行程の１／２以内の距離で、前記試
料中心から仰角４５度以下の位置に回転対称状に設け、
前記導入口の吹き出し口を前記試料直上のＥＣＲ面に向
ける、すなわち、前記導入口が前記試料面に対して０〜
９０度の仰角をなすように設定する。

【００１０】(２) 添加ガスの導入口２を、被エッチン
グ試料から平均自由行程以内の距離で、前記試料中心か
ら仰角４５度〜６５度の位置に回転対称状に設け、前記
導入口が被エッチング試料面に対して０〜９０度の伏角
をなすように設定した。

【００１１】(３) 添加ガス導入口２を喉部径０.３mm
以下のラバルノズル及びオリフィス径２mm以下のスキマ
で構成する。前記ノズルおよび前記スキマの位置は被エ
ッチング試料から１０cm以上平均自由行程以内の距離に
設置し、前記ノズルから導入されたガス流の中心部が、
前記スキマのオリフィスを通り被エッチング試料に入射
するように最適化する。望ましくは、添加ガスの基板へ
の入射角を４５度以下にし、添加ガスの反射方向に鏡面
加工を施した反射板を設け、その法線が基板に向くよう
に、設定する。さらに、基板の対面に鏡面加工を施した
放物面状の反射板を設け、その焦点が基板面内にあり、
基線面の法線が排気口の方向を向いているように設定す
る。

【００１２】また、上記の装置において、実効排気速度
を１３００ l／sec 以上、好ましくは２０００ l／sec
以上、処理室内の容積を１００l以下にし、エッチング
中の総ガス圧を１０ｍTorr以下にした。

【００１３】

【作用】制御性良くガス添加をする方法には二つの方法
が考えられる。一つはガスを基板の数cmの近傍から添加
ガスを導入する方法であり、もう一つは、数十cm離れた
位置から高方向性の添加ガス流を導入する方法である。

【００１４】ここでは、基板近傍から添加ガスを導入す
る方法について考え方を説明する。基板近傍でガス添加
を行なう場合、基板上でのガス分布の均一性が問題とな
る。図２にガス添加装置の１次元モデルを示す。ここ
で、導入口２３からのガスの入射量の角度依存性は次式
に従うものとしている。

【００１５】 φ＝Ｃ×cos(θ＋ψ） …(１) θは導入口中心軸が基板面と角、ψは基板面と添加方向
のなす角度である。

【００１６】また、ガス導入口２３から基板２４までの
間でのガス分子の衝突は無視している。以下このモデル
に従って計算を行なった。図３は４inch基板２４（ｌ＝
４inch）から基板面に平行方向（ｗ）に１cm，垂直方向
（ｈ）に３cm離れたガス導入口２３から基板面に対して
伏角２７度で入射させた場合について、基板面へ入射す
る添加ガス量の分布を計算した結果を示したものであ
る。基板２４のごく近くでガスを添加では、導入口２３
を基板２４に向けると、不均一な添加になってしまうこ
とがわかる。

【００１７】図４はこの系（ｈ＝３cm，ｗ＝１cm，ｌ＝
４inch）においてガス導入口２３の角度θを−９０度〜
９０度の範囲で変化させた場合の、基板２４上でのガス
添加の不均一性の変化を示している。ただし、不均一度
は次式で表される。

【００１８】 σ＝(Ｆmax−Ｆmin)／｛(Ｆmax＋Ｆmin)／２｝ …(２) Ｆmax，Ｆminはそれぞれ基板上での添加ガス入射量の最
大値及び最小値である。ガス導入口を水平より上方に向
けた場合のθ＝２５度の場合に最も均一な添加が行なえ
ることがわかる。

【００１９】図５は、この極小となるθ及び、導入口が
基板中心を向くときのθが、ｒ＝ｈ／(ｗ＋ｌ／２)の比
に対してどのように変化するかを示している。この結果
から、ｒ＜１領域すなわち、基板中心から仰角４５度以
下の位置にガス導入口のある場合には、ガスの導入口の
向きを水平より上方に向けた時に、均一な添加がなされ
ることがわかる。一方、ｒ＞１の領域、すなわち、基板
中心から仰角４５度以上の位置にガス導入口がある場合
には、添加ガス導入口の向きを水平より下方に向けた時
に均一に添加できる。

【００２０】図６は、この極小となるθにおける不均一
度および基板中心での添加ガス入射量と、ｒ＝ｈ／(ｗ
＋ｌ／２)との関係を示している。不均一度は、ｒ＝０
〜１で急激に減少し、ｒ＞１であまり変化しないことが
わかる。また、基板中心での添加ガスの入射量は、ｒ＝
１程度で極大値をとることがわかる。従って、ｒ＝１〜
２の範囲、すなわち、基板中心から仰角４５〜６５度の
位置が、添加ガス導入口を設置するために最も最適な位
置であり、添加ガス導入口向きは、θ＝０〜−90度が良
いことがわかる。

【００２１】容器内ガス圧が１ｍTorr以上で平均自由行
程が５cm以下と短い場合には、基板とガス導入口との距
離が平均自由行程より短くなるように、ｒ＜１の位置に
ガス導入口を設け、導入口を水平面より上方向に向ける
ことで、均一な添加をすることができる。さらに、導入
口が基板直上のＥＣＲ面に向けられることで、添加ガス
が効率良くＥＣＲ面に供給されるため、添加ガスの解離
効率は高く、生成されたラジカルの基板への到達率も大
きい。

【００２２】容器内ガス圧が、１ｍTorr以下で平均自由
行程が５cm以上の場合には、ｒ＝１〜２の範囲でガス導
入口を水平面より下方に向けその角度を最適化すること
で、均一かつ高効率のガス添加ができる。

【００２３】このような、ガス添加の高効率化を図るこ
とにより、エッチングガスの１／２０以下の微少量で十
分な添加の効果が得られる。一方、排気速度を従来の10
0〜５００ ｌ／secから２５００ ｌ／sec以上に増やす
ことで、１０ｍTorr以下で数１００sccm程度の大量のエ
ッチングガスを流すことができ、高速かつ高方向性のエ
ッチングができる。さらに、下記の効果により、反応生
成物や余分な堆積性のガスの処理室内滞在時間が１００
ｍsec 以下に短縮されることや、さらに基板対面に放物
面状の反射板６を設け、反応生成物を効率良く排気口に
輸送することで、ウエハや処理室の汚染を軽減できる。
特に、処理室のガス圧力が１ｍTorrから１０ｍTorrの場
合は、添加ガスの平均自由行程が５cm以下になり、添加
ガスの基板付近からの発散が抑制され、処理室内の汚染
は、さらに減少する。

【００２４】ガスの処理室内滞在時間は、次式で表され
る。

【００２５】 τ＝Ｖ／Ｓ …(３) ここで、Ｖは真空処理室の容積、Ｓは実効排気速度であ
る。従来装置では排気速度が１００〜５００ ｌ／sec
で真空処理室容積が２００〜３００ ｌ程度であったた
め、ガスの滞在時間は４００ｍsec〜３secであった。本
発明では、排気速度２５００ ｌ／sec ，処理室容積１
００ ｌ以下であるためガスの滞在時間が１００ｍsec
以下と小さくなった。

【００２６】また、供給された添加ガスが効率良く基板
に供給されるため、１０sccm以下の量の添加ガスを誤差
０.１sccm 以下の精度で基板に添加することができる。
したがって、数原子層のラジカル吸着を制御することも
可能である。

【００２７】

【実施例】

（実施例１）本発明による局所ガス添加マイクロ波エッ
チング装置の実施例を図１に示す。真空処理室１にガス
導入口２からは主ガスを、ガス導入管３からは添加ガス
を導入し、マイクロ波発生器４で２.４５ＧＨｚ の高周
波を発生させ、これを導波管５より放電部６に輸送して
ガスプラズマ７を発生させる。高効率放電のために磁場
発生用のソレノイドコイル８が放電部周囲に配置され、
電子サイクロトロン共鳴により高密度のプラズマが発生
される。放電部には試料台９があり、この上に配置され
たウエハ１０をガスプラズマによりエッチング処理す
る。処理後のエッチングガスはガス導入口２から、添加
ガスは導入口３からそれぞれ、放電部６，真空処理室１
を経て排気管１１から排気ポンプ１２により真空処理室
外へ排出される。

【００２８】この際、コンダクタンスバルブ１３を可変
にすることにより、排気速度を変えることができる。エ
ッチングガスはガス流量コントローラ１４を通しガス配
管１５を経てガス導入口２からメッシュ状に小孔の開い
たバッファ室１６を通して放電部６へ導入される。ガス
導入口２は２個所以上設け、放電部中心軸に対して対称
配置した。添加ガスは、ガス流量コントローラ１４を通
しガス配管１５を経てウエハ１０の周囲に備えられたガ
ス導入口３を通して放電部６の底部へ供給される。この
とき、ガス導入部の貯気層の温度が室温以下になるよう
に設定した。ガス導入口３はウエハ１０の５mm外側に６
個所以上設け、ウエハ中心に対して、回転対称配置し、
ウエハの中心の５cm真上に向けられている。ウエハは０
℃以下に冷却する機構１７が備えられ、１３.５６ＭＨ
ｚ から４００ＫＨｚのＲＦバイアス１８が印加でき
る。真空処理室にはヒータ１９が付いており５０℃以上
に加熱できる。

【００２９】排気ポンプには排気速度２０００ ｌ／sec
のターボ分子ポンプ２台を用い、総排気速度４０００
ｌ／secにして放電部，真空処理室，排気管およびコン
ダクタンスバルブの総排気コンダクタンスは４０００
ｌ／secとした。この時、実効排気速度は２０００ ｌ／
secである。また、放電部，真空処理室，排気管の総容
積は１００ ｌであり真空処理室内のガス滞在時間は前
述の式(３)より、５０ｍsecである。

【００３０】この装置を用いて、Ｓｉトレンチに用いら
れるＳｉ単結晶のエッチングを行った。試料はＳｉ基板
を５００ｎｍの厚さに熱酸化し、その上にフォトレジス
トマスクを形成し、酸化膜をドライエッチングした後、
フォトレジストを除去してＳｉＯ₂ マスクを形成したも
のである。主ガスにはエッチングガスであるＣｌ₂を、
添加ガスには堆積性のＣＦ₄ を用い、主ガス流量５００
sccm，総ガス圧力５ｍTorr，マイクロ波電力５００Ｗ，
ＲＦバイアスは２ＭＨｚで２０Ｗ，基板温度は室温にし
てエッチングをした。磁場強度分布は上方から下方に向
けて小さく、ＥＣＲ条件を満たす８７５ガウスの位置は
ウエハの上方４mmであった。

【００３１】添加ガス量を無添加から２％まで変化させ
た時のアンダーカットの添加ガス量依存性を図７に示
す。アンダーカットは、無添加時では０.２μｍ あった
が、添加ガス量の増加とともに減少し、２％では０.０
２μｍ 以下になった。この時のエッチング速度は、無
添加で１０００ｎｍ／sec であり、添加ガスの流量に対
してほとんど減少せず、２％の場合でも９００ｎｍ／se
c 以上のエッチング速度が維持された。また、処理室内
壁面に堆積物は認められなかった。

【００３２】２％ガス添加のエッチングにおいて、添加
ガス供給口と基板との距離に対する、アンダーカットの
変化を図８に示す。添加の効果は、導入口と基板との距
離が２cm以下の場合に顕著に表われた。

【００３３】本実施例では、主ガスとしてエッチングガ
スＣｌ₂ を、添加ガスとして堆積性ガスＣＦ₄ を、基板
としてＳｉ〈１００〉を用いたが、他の半導体や、金
属，絶縁膜をエッチングする場合にも、主ガスとしてＣ
ｌ₂ 以外のエッチングガスを用いた場合にも、添加ガス
としてＣＦ₄ 以外のカーボンを含む堆積性のガスを用い
た場合にも、同様の効果が得られる。

【００３４】（実施例２）図１の装置を用いてＳｉトレ
ンチに用いられるＳｉ単結晶のエッチングを行なった。
試料は実施例１と同様のもので、主ガスとして不活性ガ
スＡｒ，添加ガスとしてＳｉのエッチング種Ｃｌ₂ をそ
れぞれ用い、主ガス流量５０sccm，ガス圧力０.５ｍTor
r ，マイクロ波電力５００Ｗ，ＲＦバイアス２ＭＨｚ／
２０Ｗ，基板温度は室温とし、添加ガス流量０.４sccm
でエッチングを行なった。この時、アンダーカットは
０.０２μｍ 以下であった。

【００３５】この結果は次のように説明される。Ｃｌ₂
ガスを添加ガス導入口３から０.４sccmの微量添加した
場合、その解離で生じたラジカルの大部分が基板上に吸
着し、その吸着量は数原子層になる。この場合、Ａｒイ
オンの照射されたエッチング底面はイオンアシスト反応
においてエッチングが進行した。一方、エッチング側面
では、ラジカル量が少ないため、ラジカル反応によるア
ンダーカットがほとんど生じなかった。

【００３６】また、本実施例のエッチングにおいて、添
加ガスの供給を、１サイクル１sec中に５００ｍsecの添
加時間との５００ｍsecの非添加時間を有するパルス状
にした場合、１原子層／サイクルのエッチングが行なえ
る。

【００３７】本実施例では基板としてＳｉ，主ガスとし
てＡｒ，添加ガスとしてＣｌ₂ を用いたが、他の半導体
や金属・絶縁膜のエッチングでも、また、主ガスとして
Ａｒ以外の不活性ガスを用いた場合にも、添加ガスとし
Ｃｌ₂ 以外のエッチング性のガスを用いた場合にも、同
様の効果が得られる。

【００３８】（実施例３）図１の装置を用いてＳｉトレ
ンチに用いられるＳｉ単結晶のエッチングを行なった。
試料は実施例１と同様のもので、主ガスとしてＣｌ₂ ，
添加ガスとしてＯ₂ ，主ガス流量５００sccm，ガス圧力
５ｍtorr，マイクロ波電力５００Ｗ，ＲＦバイアス２Ｍ
Ｈｚ／２０Ｗ、基板温度は室温とし、添加ガス流量０.
８sccmで深さ１μｍのトレンチ形状のエッチングを行な
った。この時のアンダーカットは０.０２μｍ 以下、Ｓ
ｉ／ＳｉＯ₂ の選択比は、２００以上であった。

【００３９】この結果は、次のように説明される。実施
例２の場合と同様にしてＯラジカルが吸着し、数原子層
の酸化膜が形成される。エッチング底面では酸化膜がイ
オン照射により除去されるため、エッチングが進行す
る。一方、イオンの照射されない側面では酸化膜はＣｌ
ラジカルに対して側壁保護膜として働くため、アンダー
カットが抑制される。さらに、Ｏ₂ 添加は、ＳｉＯ₂ の
エッチングを促進するカーボンを反応除去するため、Ｓ
ｉ／ＳｉＯ₂ の選択比が大きくなる。

【００４０】本実施例では基板としてＳｉ，主ガスとし
てＣｌ₂，添加ガスとしてＯ₂を用いたが、他の半導体や
金属をエッチングする場合にも、また、主ガスとしてＣ
ｌ₂以外のエッチングガスを用いた場合にも、添加ガス
としてＯ₃，Ｎ₂Ｏ等のオキシダントを用いた場合にも、
同様の効果が得られる。

【００４１】（実施例４）図９は、数十cm離れた位置か
ら、高方向性の添加ガスを導入した実施例を示すモデル
図である。高方向性の添加ガス流はラバルノズル２６か
らのガス流の中心部をスキマ２７でコリメートすること
により形成される。このようなガス導入系では、例え
ば、ノズル２６とスキマ２７間の距離を１cmにし、１気
圧程度の圧力でラバルノズル２６へガスを供給した場
合、中心から１０度外れた位置におけるガス流束は中心
部の１／１０以下に減少する。この系を用いて、数十cm
離れた位置から、添加ガスを基板３１に向けて流した場
合、平均自由行程が数十cmと長く、スキマから基板まで
の行程での分子相互の衝突が無視できる条件では、導入
したガスの大部分が基板に供給される。さらに、添加ガ
スを４５度以下の角度で基板３１に入射させ、その反射
方向に球状反射板３０を設け、基板３１からの反射した
添加ガスを基板方向に反射させることで、導入ガスを高
効率で基板３１に添加することができる。さらに基板対
面に上記の放物面状の反射板２５を設け、反応生成物２
９を効率良く排気口に輸送することで、ウエハや処理室
の汚染を軽減できる。本装置でも、図１とほぼ同様、ガ
スの添加効果が得られた。

【００４２】

【発明の効果】本発明によれば、側壁保護膜やエッチン
グラジカルの吸着量が数原子層レベルで制御可能とな
り、垂直性エッチングが行なえる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による局所ガス添加マイクロ波プラズマ
エッチング装置の説明図。

【図２】ガス添加装置の１次元モデルの説明図。

【図３】ｗ＝１cm，ｈ＝３cm，ｌ＝４inch，θ＝−２７
度の場合の基板上でのガス入射量の分布図。

【図４】ｗ＝１cm，ｈ＝３cm，ｌ＝４inchの場合の不均
一度の仰角θ依存性を示す説明図。

【図５】不均一度が極少になる場合のθおよびガス導入
口が基板中心を向く場合のθと、ｒとの関係を示す特性
図。

【図６】不均一度の極少値および、その時の基板中心で
のガス入射量を示す特性図。

【図７】ノズル，スキマを用いたガス添加方法のモデル
の特性図。

【図８】図７に示した装置で、主ガスをＣｌ₂ ，添加ガ
スをＣＦ₄ として、Ｓｉをエッチングした場合のガス添
加量とアンダーカット量の関係を示した特性図。

【図９】添加ガス導入口と基板との距離と、アンダーカ
ット量の関係を示した説明図。

【符号の説明】

１…真空処理装置、２…主ガス導入口、３…添加ガス導
入口、４…マイクロ波発生装置、５…導波管、６…放電
部、７…ガスプラズマ、８…ソレノイドコイル、９…試
料台、１０…ウエハ、１１…排気管、１２…排気ポン
プ、１３…コンダクタンスバルブ、１４…ガス流量コン
トローラ、１５…ガス配管、１６…バッファ室、１７…
冷却機構、１８…ＲＦバイアス、１９…ヒータ、２０…
バタフライバルブ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田地 新一 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社 日立製作所 中央研究所内 (56)参考文献 特開 平１−179324（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−129730（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−228476（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−174634（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−49977（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−117919（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−50012（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−278730（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−309631（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−138424（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/3065 C23F 4/00

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】エッチングされるべきウエハを収容するた
   めの容器と、前記容器内に主ガスとしてのエッチングガ
   スを導入する第１の導入口と、前記容器内に添加ガスと
   しての堆積ガスを供給する第２の導入口と、前記容器内
   のガスをプラズマ化する手段と、前記容器内のガスを排
   気する排気ポンプとを有するドライエッチング装置を用
   いてウエハを処理する工程を含む半導体装置の製造方法
   であって、 前記容器にエッチングされるべきウエハを収容する工程
   と、 前記第１の導入口より前記容器内に前記主ガスを導き、
   前記第１の導入口よりも前記ウエハに近接させた前記第
   ２の導入口より前記主ガスの１／２０以下の量の前記添
   加ガスを前記容器内の前記ウエハ主面近傍に導き、前記
   排気ポンプにより前記容器内のガスを１３００ l／sec
   以上の実効排気速度で排気して、前記ウエハ主面を選択
   的にエッチングする工程とからなる ことを特徴とする半
   導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】前記容器内のガス滞在時間は、１００ｍs
   ｅｃ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体
   装置の製造方法。
3. 【請求項３】前記容器内の圧力は、１０ｍＴｏｒｒ以下
   であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体
   装置の製造方法。
4. 【請求項４】前記ウエハはＳｉ単結晶から成り、前記ド
   ライエッチング装置を用いて前記ウエハを処理する工程
   に先立って前記ウエハ主面にＳ１Ｏ ₂ マスクを形成する
   工程と、しかる後、前記容器にエッチングされるべきウ
   エハを収容する工程が成され、前記ウエハ主面を選択的
   にエッチングする工程により、前記ウエハにトレンチを
   形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の
   製造方法。