JPS61127121A - 薄膜形成方法 - Google Patents
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の利用分野講
本発明は、光化学反応とプラズマ化学反応とにより薄膜
形成を実施する方法であって、大面積の被形成面に均一
に量産性の優れた被膜を光照射室上の透光性遮蔽板上に
オイル等をコートすることなく、さらに被形成面上にプ
ラズマ化学反応により損傷を与えることなく形成する手
段を存するＣＶＤ（気相反応）方法に関する。
形成を実施する方法であって、大面積の被形成面に均一
に量産性の優れた被膜を光照射室上の透光性遮蔽板上に
オイル等をコートすることなく、さらに被形成面上にプ
ラズマ化学反応により損傷を与えることなく形成する手
段を存するＣＶＤ（気相反応）方法に関する。
「従来技術ｊ
気相反応による薄膜形成技術として、光エネルギにより
反応性気体を活性にさせる光ＣＶＤ法が知られている。
反応性気体を活性にさせる光ＣＶＤ法が知られている。
この方法は、従来の熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法
に比べ、低温での被膜形成が可能であるに加えて、被形
成面に損傷を与えないという点で優れたものである。
に比べ、低温での被膜形成が可能であるに加えて、被形
成面に損傷を与えないという点で優れたものである。
かかる光ＣＶＤ法を実施するに際し、その−例を第１図
に示すが、反応室（２）内に保持された基板（１）、そ
の基板の加熱手段（３）、さらに基板に光照射する低圧
水銀灯（９）とを有している。ドーピング系（７）には
、反応性気体の励起用の水銀バブラ（１３）及び排気属
（８）にはロータリーポンプ（１９）を具備している。
に示すが、反応室（２）内に保持された基板（１）、そ
の基板の加熱手段（３）、さらに基板に光照射する低圧
水銀灯（９）とを有している。ドーピング系（７）には
、反応性気体の励起用の水銀バブラ（１３）及び排気属
（８）にはロータリーポンプ（１９）を具備している。
ドーピング系よりの反応性気体、例えばジシランが反応
室（２）に導入され、反応生成物である例えばアモルフ
ァス珪素を基板（基板温度２５０℃）上に形成するに際
し、反応室の紫外光透光用の遮蔽板（１０）、代表的に
は石英窓にも同時に多量に珪素膜が形成されてしまう。
室（２）に導入され、反応生成物である例えばアモルフ
ァス珪素を基板（基板温度２５０℃）上に形成するに際
し、反応室の紫外光透光用の遮蔽板（１０）、代表的に
は石英窓にも同時に多量に珪素膜が形成されてしまう。
このため、この窓への被膜形成を防ぐため、この窓にフ
ォンプリンオイル（弗素系オイルの一例）（１６）を薄
くコートしている。
ォンプリンオイル（弗素系オイルの一例）（１６）を薄
くコートしている。
しかし、このオイルは、窓への被膜形成を防ぐ作用を有
しつつも、このオイルが被膜内に不純物として混入して
しまう。さらにこのオイル上にも少しづつ同時に反応生
成物が形成され、ここでの光吸収により被膜形成の厚さ
に制限が生じてしまう欠点を有する。
しつつも、このオイルが被膜内に不純物として混入して
しまう。さらにこのオイル上にも少しづつ同時に反応生
成物が形成され、ここでの光吸収により被膜形成の厚さ
に制限が生じてしまう欠点を有する。
ｒ問題を解決するための手段ｊ
本発明はこれらの問題を解決するため、反応室に紫外光
が供給される窓にも基板上と同時に被膜を少なくしつつ
も形成されることをやむを得ないものとして受は止めた
ことを前提としている。そして、被形成面に損傷がなく
所望の被膜を光ＣＶＤ法で形成させた後、同じ反応室内
を大気にふれさせることなくプラズマ気相反応によりこ
の被膜上に他の被膜、好ましくは同じ主成分材料の被膜
を積層して形成することにより、基板の被形成面にはプ
ラズマ損傷がなく、かつ紫外光の透過量の制限をうけな
い所望の厚さの薄膜を形成することを基本としている。
が供給される窓にも基板上と同時に被膜を少なくしつつ
も形成されることをやむを得ないものとして受は止めた
ことを前提としている。そして、被形成面に損傷がなく
所望の被膜を光ＣＶＤ法で形成させた後、同じ反応室内
を大気にふれさせることなくプラズマ気相反応によりこ
の被膜上に他の被膜、好ましくは同じ主成分材料の被膜
を積層して形成することにより、基板の被形成面にはプ
ラズマ損傷がなく、かつ紫外光の透過量の制限をうけな
い所望の厚さの薄膜を形成することを基本としている。
加えて反応性気体のうち、分解後気体状態にあるアンモ
ニア、ヒドラジンまたは弗化窒素をノズルより窓に向け
て吹き出さしめ、窓への生成物の付着を防いだ。さらに
また、反応後置体となるシラン（ＳｉｎＨｚＲ＋□ｎ≧
１）アルミニューム化合物（例えばＡＩ （ＣＨ３）
３）はノズルより基板方向に向けて吹き出させ、被膜化
を助長させたものである。そしてこのノズルを金属で設
け、このノズルと基板（基板ホルダ）またはステンレス
反応室とのそれぞれを一対の電極とし、ここに高周波電
気エネルギを供給してプラズマ反応（エツチングまたは
ディポジ、ジシラン）を行なわしめたものである。
ニア、ヒドラジンまたは弗化窒素をノズルより窓に向け
て吹き出さしめ、窓への生成物の付着を防いだ。さらに
また、反応後置体となるシラン（ＳｉｎＨｚＲ＋□ｎ≧
１）アルミニューム化合物（例えばＡＩ （ＣＨ３）
３）はノズルより基板方向に向けて吹き出させ、被膜化
を助長させたものである。そしてこのノズルを金属で設
け、このノズルと基板（基板ホルダ）またはステンレス
反応室とのそれぞれを一対の電極とし、ここに高周波電
気エネルギを供給してプラズマ反応（エツチングまたは
ディポジ、ジシラン）を行なわしめたものである。
さらに低圧水銀灯のある光源室を真空（０，１〜１０ｔ
ｏｒｒ）とし、ここでの１８５ｎｍの紫外光の吸収損失
を少なくした。またこの光源室と反応室との圧力を概嬉
同−（差圧は高々１０ｔｏｒｒ一般にはｌ ｔｏｒｒ以
下）とすることにより、石英窓の厚さを従来の１０ｍｍ
より２〜３ｍ＋ｎと薄くし得るため、石英での光吸収損
失も少ないという特長を合わせ有する。
ｏｒｒ）とし、ここでの１８５ｎｍの紫外光の吸収損失
を少なくした。またこの光源室と反応室との圧力を概嬉
同−（差圧は高々１０ｔｏｒｒ一般にはｌ ｔｏｒｒ以
下）とすることにより、石英窓の厚さを従来の１０ｍｍ
より２〜３ｍ＋ｎと薄くし得るため、石英での光吸収損
失も少ないという特長を合わせ有する。
「作用」
本発明は被膜形成の初期には光ＣＶＤ法により被膜形成
を行うため基板上の被形成面に損傷がない。
を行うため基板上の被形成面に損傷がない。
しかしこの光ＣＶＤ法は窓にも不要反応生成物が付着し
てしまい、ここでの紫外光の吸収により被形成面上での
被膜形成が停止またはきわめて遅くなってしまう。この
ため、この先ＣｖＤにより基板表面をコートした後プラ
ズマＣＶＤ法によりこの薄膜上に同じ材料を任意の厚さ
で形成させることができた。
てしまい、ここでの紫外光の吸収により被形成面上での
被膜形成が停止またはきわめて遅くなってしまう。この
ため、この先ＣｖＤにより基板表面をコートした後プラ
ズマＣＶＤ法によりこの薄膜上に同じ材料を任意の厚さ
で形成させることができた。
このためこれらの２つの方法を組合わせることにより、
被形成面にはなんらの損傷がなく十分な厚さの被膜の作
製を同じ反応炉を用いて実施させることにより連結した
一体化した厚い膜形成を成就することができた。
被形成面にはなんらの損傷がなく十分な厚さの被膜の作
製を同じ反応炉を用いて実施させることにより連結した
一体化した厚い膜形成を成就することができた。
さらに本発明は、反応室を大気に触れさせずに窓上の不
要物をプラズマ気相反応に用いたものと同じ一対の電極
および電源を用いてプラズマエツチング法を実施し除去
するため、反応系をロード・ロック方式とし得る。さら
にオイルフリーの反応系であるため、バックグラウンド
レベルの真空度を１０−’ｔｏｒｒ以下とすることがで
きた。そして非酸化物生成物である珪素等の半導体被膜
、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニューム、金属アル
ミニュームの光励起により被膜形成をさせることができ
た。
要物をプラズマ気相反応に用いたものと同じ一対の電極
および電源を用いてプラズマエツチング法を実施し除去
するため、反応系をロード・ロック方式とし得る。さら
にオイルフリーの反応系であるため、バックグラウンド
レベルの真空度を１０−’ｔｏｒｒ以下とすることがで
きた。そして非酸化物生成物である珪素等の半導体被膜
、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニューム、金属アル
ミニュームの光励起により被膜形成をさせることができ
た。
「実施例」
以下本発明を第２図に示した実施例により、その詳細を
記す。
記す。
第２図において、被形成面を有する基板（１）はホルダ
（１゛）に保持され、反応室（２）内のハロゲンヒータ
（３）（上面を水冷（３１））に近接して設けられてい
る。反応室（２）、紫外光源が配設された光源室（５）
及びヒ′−タ（３）が配設された加熱室（１１）は、そ
れぞれの圧力を１Ｑｔｏｒｒ以下の概略同一の真空度に
保持した。このために反応に支障のない気体（窒素、ア
ルゴンまたはアンモニア）を（２８）より（１２）に供
給し、または（１２”）より排気することにより成就し
た。また透光性遮蔽板である石英窓（１０）により、光
源室（５）と反応室（２）とが仕切られている。この窓
（１０）の上側にはノズル（１４）が設けられ、このノ
ズルはアンモニア（ＮＨｆｆ）、弗化窒素（ＮＦ：ｌ）
用のノズル（１４”°）が噴出口を下向き（窓向き”）
（３２）に、またシラン（ＳｉｎＨｚｎ＋ｚ） ｌ
メチルアルミニューム（ＡＩ （ＣＨ３） ３）用のノ
ズル（１４’）が噴出口（１４’）を上向き（基板向き
） （３３）に設けている。
（１゛）に保持され、反応室（２）内のハロゲンヒータ
（３）（上面を水冷（３１））に近接して設けられてい
る。反応室（２）、紫外光源が配設された光源室（５）
及びヒ′−タ（３）が配設された加熱室（１１）は、そ
れぞれの圧力を１Ｑｔｏｒｒ以下の概略同一の真空度に
保持した。このために反応に支障のない気体（窒素、ア
ルゴンまたはアンモニア）を（２８）より（１２）に供
給し、または（１２”）より排気することにより成就し
た。また透光性遮蔽板である石英窓（１０）により、光
源室（５）と反応室（２）とが仕切られている。この窓
（１０）の上側にはノズル（１４）が設けられ、このノ
ズルはアンモニア（ＮＨｆｆ）、弗化窒素（ＮＦ：ｌ）
用のノズル（１４”°）が噴出口を下向き（窓向き”）
（３２）に、またシラン（ＳｉｎＨｚｎ＋ｚ） ｌ
メチルアルミニューム（ＡＩ （ＣＨ３） ３）用のノ
ズル（１４’）が噴出口（１４’）を上向き（基板向き
） （３３）に設けている。
このノズル（１４）はプラズマＣＶＤ工程およびプラズ
マエッチ工程における高周波電源（１５）の一方の電極
となっている。
マエッチ工程における高周波電源（１５）の一方の電極
となっている。
光源室の排気に際し逆流による反応性気体の光源室まで
の混入防止のためヒータ（２９）を配設した。
の混入防止のためヒータ（２９）を配設した。
これにより反応性気体のうちの分解後固体となる成分を
トラップし気体のみの進入とさせた。
トラップし気体のみの進入とさせた。
移動に関し、圧力差が生じないようにしたロード・ロッ
ク方式を用いた。まず、予備室（４）にて基板（１）、
ホルダ（１゛）および基板および基板おさえ（１″°）
（熱を効率よく基板に伝導させる）を挿入・配設し、真
空引きをした後、ゲート弁（６）を開とし、反応室（２
）に移し、またゲート弁（６）を閉として、反応室（２
）、予備室（４）を互いに仕切った。
ク方式を用いた。まず、予備室（４）にて基板（１）、
ホルダ（１゛）および基板および基板おさえ（１″°）
（熱を効率よく基板に伝導させる）を挿入・配設し、真
空引きをした後、ゲート弁（６）を開とし、反応室（２
）に移し、またゲート弁（６）を閉として、反応室（２
）、予備室（４）を互いに仕切った。
ドーピング系（７）は、バルブ（２２） 、流量計（２
１）よりなり、反応後固体生成物を形成させる反応性気
体は（２３） 、 （２４）より、また反応後気体生成
物は（２５） 、 （２６）より反応室（２）へ供給さ
せた。反応室の圧力制御は、コントロールバルブ（１７
） 、コック（２０）を経てターボ分子ポンプ（大阪真
空製ＰＧ５５０を使用＞ （１８） 、ロータリーポン
プ（１９）を経、排気させた。
１）よりなり、反応後固体生成物を形成させる反応性気
体は（２３） 、 （２４）より、また反応後気体生成
物は（２５） 、 （２６）より反応室（２）へ供給さ
せた。反応室の圧力制御は、コントロールバルブ（１７
） 、コック（２０）を経てターボ分子ポンプ（大阪真
空製ＰＧ５５０を使用＞ （１８） 、ロータリーポン
プ（１９）を経、排気させた。
排気系（８）はコック（２０）により予備室を真空引き
をする際はそちら側を開とし、反応室側を閉とする。ま
た反応室を真空引きする際は反応室を開とし、予備室側
を閉とした。
をする際はそちら側を開とし、反応室側を閉とする。ま
た反応室を真空引きする際は反応室を開とし、予備室側
を閉とした。
かくして基板を反応室に図示の如く挿着した。
この反応室の真空度は１０− ’ ｔｏｒｒ以下とした
。この後（２８）よりアルゴンを導入しさらに反応性気
体を（７）より反応室に導入して被膜形成を行った。
。この後（２８）よりアルゴンを導入しさらに反応性気
体を（７）より反応室に導入して被膜形成を行った。
反応用光源は低圧水銀灯（９）とし、水冷（３１″）を
設けた。その紫外光源は、低圧水銀灯（１８５ｎｍ。
設けた。その紫外光源は、低圧水銀灯（１８５ｎｍ。
２５４ｎｍの波長を発光する発光長４０ｃｍ、照射強度
２０ｍＷ／ｃｍ”、ランプ電力４０Ｗ）ランプ数１６本
である。
２０ｍＷ／ｃｍ”、ランプ電力４０Ｗ）ランプ数１６本
である。
この紫外光は、透光性遮蔽板である石英（１０）を経て
反応室（２）の基板（１）の被形成面（１）上を照射す
る。
反応室（２）の基板（１）の被形成面（１）上を照射す
る。
ヒータ（３）は反応室の上側に位置した「デイポジッシ
ョン・アンプ」方式とし、フレークが被形成面に付着し
てピンホールの原因を作ることを避けた。
ョン・アンプ」方式とし、フレークが被形成面に付着し
てピンホールの原因を作ることを避けた。
反応室はステンレスであり、光源室、加熱室（１１）も
ともに真空引きをし、それぞれの圧力差をｌ Ｑ ｔｏ
ｒｒ以下とした。その結果、従来例に示される如く、大
面積の照射用に石英板の面積を大きくすると圧力的に耐
えられないという欠点を本発明は有していない。即ち、
紫外光源も真空下に保持された光源室と反応室とを囲ん
だステンレス容器内に真空に保持されている。このため
、図面の場合の被形成有効面積は３０ｃｍ Ｘ ３０ｃ
ｍであり、直径５インチの基板（１）５枚がホルダ（１
°）に配設され得る構成とし、基板の温度はハロゲンヒ
ータ（３）により加熱し、室温〜５００℃までの所定の
温度とした。
ともに真空引きをし、それぞれの圧力差をｌ Ｑ ｔｏ
ｒｒ以下とした。その結果、従来例に示される如く、大
面積の照射用に石英板の面積を大きくすると圧力的に耐
えられないという欠点を本発明は有していない。即ち、
紫外光源も真空下に保持された光源室と反応室とを囲ん
だステンレス容器内に真空に保持されている。このため
、図面の場合の被形成有効面積は３０ｃｍ Ｘ ３０ｃ
ｍであり、直径５インチの基板（１）５枚がホルダ（１
°）に配設され得る構成とし、基板の温度はハロゲンヒ
ータ（３）により加熱し、室温〜５００℃までの所定の
温度とした。
さらに、本発明による具体例を以下の実験例１〜３に示
す。
す。
実験例１・・・・・シリコン窒化膜の形成側反応性気体
としてアンモニアを（２５）より３０ｃｃ／分、ジシラ
ンを（２３）より８ｃｃ／分で供給し、基板温度３５０
℃とした。基板は直径５インチのウェハ５枚とした。反
応室（２）内圧力は３．Ｑｔｏｒｒとした６゜３０分の
反応で５００人の膜厚が形成された。その被膜形成速度
は１７八／分であった。この後プラズマＣｖＤ法を行っ
た。即ちこの反応室において紫外光の照射を４１ｔＪＥ
またはオフとした後同じ反応性気体を流し、圧力調整バ
ルブ（１７）によりＱ、１ｔｏｒｒとした。即ち反応室
内を大気圧にすることなく、また酸素（空気）の混入を
させることなく保持し、（１５）より１３．５６ＭＨｚ
の高周波（出力２０Ｗ）を加えた。
としてアンモニアを（２５）より３０ｃｃ／分、ジシラ
ンを（２３）より８ｃｃ／分で供給し、基板温度３５０
℃とした。基板は直径５インチのウェハ５枚とした。反
応室（２）内圧力は３．Ｑｔｏｒｒとした６゜３０分の
反応で５００人の膜厚が形成された。その被膜形成速度
は１７八／分であった。この後プラズマＣｖＤ法を行っ
た。即ちこの反応室において紫外光の照射を４１ｔＪＥ
またはオフとした後同じ反応性気体を流し、圧力調整バ
ルブ（１７）によりＱ、１ｔｏｒｒとした。即ち反応室
内を大気圧にすることなく、また酸素（空気）の混入を
させることなく保持し、（１５）より１３．５６ＭＨｚ
の高周波（出力２０Ｗ）を加えた。
すると、同じ反応性気体（但し圧力０．１ ｔｏｒｒ）
にて２．ｌＡ／秒を得た。かくして本発明方法では、基
板の被形成面にプラズマ損傷を与えることなく全体で０
．５μもの厚い窒化物膜を得ることができた。
にて２．ｌＡ／秒を得た。かくして本発明方法では、基
板の被形成面にプラズマ損傷を与えることなく全体で０
．５μもの厚い窒化物膜を得ることができた。
被膜の５点のばらつきは±５％以内に入っていたさらに
この後反応を停止し、反応室を真空引きをして被膜形成
を行った基板を予備室に除去した。
この後反応を停止し、反応室を真空引きをして被膜形成
を行った基板を予備室に除去した。
その後、さらに基板を取り出し、ホルダをもとの反応室
に戻し、ゲートを閉じた後反応室に（２６）よりＮＦ、
を供給した。そして、反応室の圧力を０．３ｔｏｒｒと
し、１３．５６ＭＨｚの高周波（１５）を８０Ｗの出力
で加えプラズマエッチを窓（１０）上面に対して行った
。
に戻し、ゲートを閉じた後反応室に（２６）よりＮＦ、
を供給した。そして、反応室の圧力を０．３ｔｏｒｒと
し、１３．５６ＭＨｚの高周波（１５）を８０Ｗの出力
で加えプラズマエッチを窓（１０）上面に対して行った
。
約１２０分した後、この石英（１０）上の不要反応生成
物である窒化珪素付着物を完全に除去した。このＮＦ３
を除去した後（２７）より水素を加え、この反応室内の
残留弗素をプラズマクリーンをして除去した。この後、
２回目の被膜作製を行ったが、同じく再現性のよい被膜
を作り得た。
物である窒化珪素付着物を完全に除去した。このＮＦ３
を除去した後（２７）より水素を加え、この反応室内の
残留弗素をプラズマクリーンをして除去した。この後、
２回目の被膜作製を行ったが、同じく再現性のよい被膜
を作り得た。
実験例２・・アモルファスシリコン膜の形成例ジシラン
（ＳｔｚＨｂ）を（２３）より供給した。また、（２７
）−より水素を供給した。被形成面に１０００人の膜厚
を６０分間のディポジッションで形成させることができ
た。
（ＳｔｚＨｂ）を（２３）より供給した。また、（２７
）−より水素を供給した。被形成面に１０００人の膜厚
を６０分間のディポジッションで形成させることができ
た。
プラズマ気相反応を行い、この上に約６０００人の厚さ
のシリコン膜を形成した。被膜の膜をＰ型またはＰ型と
Ｉ型とし、第２の膜を■型またはｌ型（約５５００人）
とＮ型（５００人）としてＰＩＮ接合を設けてもよい。
のシリコン膜を形成した。被膜の膜をＰ型またはＰ型と
Ｉ型とし、第２の膜を■型またはｌ型（約５５００人）
とＮ型（５００人）としてＰＩＮ接合を設けてもよい。
かくして、この後基板を予備室に除去してしまった後、
この反応室（２）の内壁および窓（１０）上面に付着し
たシリコン膜を実施例１と同様のＮｈを加えたプラズマ
エッチ法にて除去した。わずか１５分間で窓上及び反応
室内の付着珪素を除去することができた。基板温度は２
５０℃、圧力２．５ｔｏｒｒとした。
この反応室（２）の内壁および窓（１０）上面に付着し
たシリコン膜を実施例１と同様のＮｈを加えたプラズマ
エッチ法にて除去した。わずか１５分間で窓上及び反応
室内の付着珪素を除去することができた。基板温度は２
５０℃、圧力２．５ｔｏｒｒとした。
「効果」
本発明は、以上の説明より明らかなごとく、大面積の基
板上に被膜を形成するにあたり、被形成面の損傷をなく
して任意の厚さの被膜作製を同じ反応室を用いて成就さ
せることができた。加えて次の被膜形成を再現性よく行
うため、窓上の不要反応生成被膜をプラズマエツチング
より完全に除去することができた。このため窓上面にオ
イルをまったく用いる必要がない。このため被膜内には
炭素等の不純物がはいりに＜＜、かつ排圧を１Ｏ−７ｔ
ｏｒｒと高真空にし得、オイルフリーの高純度の被膜作
製が可能となった。
板上に被膜を形成するにあたり、被形成面の損傷をなく
して任意の厚さの被膜作製を同じ反応室を用いて成就さ
せることができた。加えて次の被膜形成を再現性よく行
うため、窓上の不要反応生成被膜をプラズマエツチング
より完全に除去することができた。このため窓上面にオ
イルをまったく用いる必要がない。このため被膜内には
炭素等の不純物がはいりに＜＜、かつ排圧を１Ｏ−７ｔ
ｏｒｒと高真空にし得、オイルフリーの高純度の被膜作
製が可能となった。
なお本発明は、珪素および窒化珪素、窒化アルミニュー
ムにおいてその実験例を示したが、それ以外にＭ（ＣＨ
，）ｆｉ即ちＭとしてＩｎ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｇａ、
Ｗを用い、Ｍの金属またはその珪化物を作製してもよい
ゆまた鉄、ニッケル、コバルトのカルボニル化物を反応
性気体として用い、鉄、ニッケル、コバルトまたはその
化合物の被膜また珪化物とこれらとの化合物を形成する
ことは有効である。
ムにおいてその実験例を示したが、それ以外にＭ（ＣＨ
，）ｆｉ即ちＭとしてＩｎ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｇａ、
Ｗを用い、Ｍの金属またはその珪化物を作製してもよい
ゆまた鉄、ニッケル、コバルトのカルボニル化物を反応
性気体として用い、鉄、ニッケル、コバルトまたはその
化合物の被膜また珪化物とこれらとの化合物を形成する
ことは有効である。
前記した実験例において、珪素半導体（ゲルマニューム
５ｉＸＧｅ＋−ｘ（０＜Ｘ＜１）、５ｉＸＣ＋−ｘ （
０＜Ｘ＜１）であっても同様である）の形成に際し、ド
ーパントを同時に添加できる。また光源として低圧水銀
灯ではなくエキシマレーザ（波長１００〜４００ｎｍ）
、アルゴンレーザ、窒素レーザ等を用いてもよいこと
はいうまでもない。
５ｉＸＧｅ＋−ｘ（０＜Ｘ＜１）、５ｉＸＣ＋−ｘ （
０＜Ｘ＜１）であっても同様である）の形成に際し、ド
ーパントを同時に添加できる。また光源として低圧水銀
灯ではなくエキシマレーザ（波長１００〜４００ｎｍ）
、アルゴンレーザ、窒素レーザ等を用いてもよいこと
はいうまでもない。
本発明において、反応室と光源室との遮蔽をする石英窓
を設けた。しかしプラズマＣＶＤ法またはプラズマエッ
チング工程において、そのラジカルにより光励起用の光
源の電気的リーク、損傷がないならばこの窓を除去して
もよいことはいうまでない。
を設けた。しかしプラズマＣＶＤ法またはプラズマエッ
チング工程において、そのラジカルにより光励起用の光
源の電気的リーク、損傷がないならばこの窓を除去して
もよいことはいうまでない。
第１図は従来より公知の光励起ＣＶＯ装置を示す。
第２図は本発明のＣＶＯ装置を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、反応性気体の励起用の発光源を配設させた光源室と
、前記反応室に配設された被形成面を有する加熱された
基板とを有し、前記光化学反応を伴って被形成面上に薄
膜を形成させる工程と、プラズマ気相反応により被形成
面上に薄膜を形成せしめる工程とを前記反応室を大気に
ふれさせることなく有することを特徴とする薄膜形成方
法。 ２、特許請求の範囲第１項において、光化学反応を伴っ
て被形成面上に薄膜を形成させる工程の後、同一反応生
成物をプラズマ気相反応により前記薄膜の被形成面上に
形成させる工程を有することを特徴とする薄膜形成方法
。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59250340A JPH0752718B2 (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 薄膜形成方法 |
| US08/351,140 US5650013A (en) | 1984-11-26 | 1994-11-30 | Layer member forming method |
| US08/664,822 US6786997B1 (en) | 1984-11-26 | 1996-06-17 | Plasma processing apparatus |
| US08/926,592 US6984595B1 (en) | 1984-11-26 | 1997-09-04 | Layer member forming method |
| US08/929,365 US5904567A (en) | 1984-11-26 | 1997-09-09 | Layer member forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59250340A JPH0752718B2 (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61127121A true JPS61127121A (ja) | 1986-06-14 |
| JPH0752718B2 JPH0752718B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=17206460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59250340A Expired - Fee Related JPH0752718B2 (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 薄膜形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US5650013A (ja) |
| JP (1) | JPH0752718B2 (ja) |
Cited By (1)
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