JPS61230328A - 気相成長装置 - Google Patents

気相成長装置

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Publication number
JPS61230328A
JPS61230328A JP7198385A JP7198385A JPS61230328A JP S61230328 A JPS61230328 A JP S61230328A JP 7198385 A JP7198385 A JP 7198385A JP 7198385 A JP7198385 A JP 7198385A JP S61230328 A JPS61230328 A JP S61230328A
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JP
Japan
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plasma
growth
chamber
reaction chamber
substrate
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Pending
Application number
JP7198385A
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English (en)
Inventor
Hironobu Miyamoto
広信 宮本
Keiichi Ohata
恵一 大畑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP7198385A priority Critical patent/JPS61230328A/ja
Publication of JPS61230328A publication Critical patent/JPS61230328A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、光化学反応を用いた、半導体装置の絶縁膜等
を低温で気相成長する装置に関する。
(従来技術とその問題点) 波長300nm以下の遠紫外線をSiH,、NH,等原
料ガスに照射して原料ガスを分解し、あるいは、遠紫外
光によって)1g蒸気を励起し、励起状態の)Igによ
って該原料ガスを分解し、低温で、Sin、やSiN等
絶II&膜を成長させる技術は、光化学CVDといわれ
、プラズマCVDのように半導体層に損傷を与えない低
温プロセスとして近年注目されている。
このようなCVD装置の構造は、例えば、昭和57年秋
季応用物理学会講演予稿集28P−P−3Gこあるよう
に第4図のようである。ここで1は石英反応管、2は原
料ガス導入管、3は排気管、4は紫外線ランプ、5は基
板加熱用ヒーター、6は基板ホルダー、7は基板である
。きて、かかるCVD装置における最大の問題点は、例
えばSiNを成長きせる場合、反応管1の管壁にも5i
N膜が付着し、紫外線の透過率を減少させ、ついには膜
成長を停止させてしまうことである。このため多数回成
長を行う場合にはそのつど反応管壁を洗滌する必要があ
る。この点を改良するものとして、第5図のように、反
応管1外にプラズマ発生用電極8を設け、プラズマエツ
チングにより管壁をクリーニングすることが考えられて
いる。ここで9はプラズマ処理用ガスの導入管、10は
RF電源である。しかしながら、本構成では、プラズマ
発生用電極8のために紫外線ランプ4を反応管1に密接
させることができず、また一部紫外光が該電極8によっ
て遮光され、反応管内に到達する光量が減少する結果、
反応効率が低下し、成長速度が低下する。また、成長前
にプラズマで基板7の処理を行う場合には、基板7が直
接プラズマ放電域の高エネルギーのプラズマ中にさらさ
れるから基板7に損傷を与えるおそれがある。
そこで、本発明の目的は、光化学反応気相成長装置によ
る以上のような問題点を解消し、膜の成長速度が速く、
プラズマで基板表面を処理しても基板を損傷することの
少ない、光化学反応を利用する気相成長装置の提供にあ
る。
(問題点を解決するための手段) 前述の問題点を解決するために本発明が提供する手段は
、光化学反応による気相成長装置であって、光照射を受
ける主反応室と、この主反応室に連結きれるプラズマ発
生室と、このプラズマ発生室で発生したプラズマを前記
主反応室に引き出す電極とが設けてあることを特徴とす
る。
(実施例) 次に実施例を挙げ本発明を一層詳しく説明する。
第1図は、本発明の第1の実施例の構成を示す図である
。この実施例は、紫外線ランプ4による光照射を受ける
主反応室11と、それの上流側にプラズマ発生室12と
を別に設け、主反応室11偏にプラズマ引き出し用電極
14を有することを特徴としている。8はプラズマ発生
用電極であり、2は原料ガス導入管、9はプラズマ処理
用ガス導入管、13は基板加熱用赤外線ランプ、14は
プラズマ引き出し用電極、16は電源である。
かかる装置では、主反応室11において、光化学反応に
よりSin、 、 SiN等の絶縁膜が低温で成長する
が、成長終了後プラズマ発生室12にCF、等のエツチ
ングガスを導入しプラズマを発生させて、該エツチング
ガスのプラズマあるいは励起種を主反応室11にプラズ
マ引き出し用電極14にバイアス電圧を印加することに
より引き出し、主反応室11の管壁に付着した膜をプラ
ズマエツチングし、繰返し成長を可能とするものである
。モして、この実施例では、紫外線ランプ4が反応管1
に密着して設けられるから、反応管1内に到達する光量
が多く、膜の成長速度が高い。
また、絶縁膜成長に先立ち、Hz 、 Os等のプラズ
マを発生させプラズマ引き出し用電極14に加えた電圧
によりプラズマ発生室12に比べ高いエネルギー粒子の
少ないプラズマおよび励起種、あるいはプラズマ室12
及び基板ホルダー6とプラズマ引き出し用電極14との
相対位置を変えることにより高エネルギーの粒子を含ま
ない励起種のみを有効に取り出し、基板7の表面処理を
行ない、付着性の改善、界面準位密度の減少等をはかる
ことが可能である。このように、基板7の表面処理が適
切なエネルギーのプラズマ又は励起種で行なえるから、
この実施例を用いれば、基板7を損傷することなく基板
7の表面の処理が行える。
次に、第1図実施例において、主反応室11およびプラ
ズマ室12を合成石英管で作成し、紫外線ランプ4とし
て波長185nmの遠紫外線ランプを用い、基板ホルダ
ー6としてカーボン板を用い、またプラズマは50KH
zの高周波を発振させて発生させた。具体例における成
長例を説明する。この成長例では、基板7として、In
Pを用い、まず原料ガスとして5in4とNH,とを用
い、紫外光下基板温度250℃、ガス圧0.5ffor
rにてSiN膜を成長させた。成長速度は最大50人/
分が得られた。次いでプラズマエツチング用としてNF
、ガスをプラズマ発生室12に導入し、ガス圧0.2I
orrにてプラズマ室12内で放電許せたプラズマ引き
出し用電極14に電圧を加え、プラズマ室12内からプ
ラズマを引き出し反応管壁に付着したSiN膜をエツチ
ング除去した。プラズマ主反応室11を引き出すことに
よりSiNのエッチレートは著しく向上した。再び光照
射下でSiNを成長したところ、前回と同様な成長速度
が得られ、本実施例の効果が確認きれた。またSiNと
InPの界面特性は低温で良質な膜が成長した結果、基
板温度350°C以上と高い従来の熱分解CV DSi
O,の場合より改善された。
第2図は本発明の第2の実施例の構成を示す図である。
この実施例では、プラズマ引き出し用電極として基板ホ
ルダー6が用いである。前述の第1の具体例における成
長例と同様に、InP基板7上にSiN膜を成長させた
後、プラズマエツチング用ガスとしてNFsガスをプラ
ズマ室12内に導入しガスEE 0.2Torrにてプ
ラズマ室12内で放電させた。プラズマは基板ホルダー
6に電圧を加えることにより引き出きれ、主反応室11
の管壁に付着したSiHのエッチレートは著しく向上し
た。そして第1の実施例の成長例と同様に再び光照射下
で5iNを成長したところ、同様な効果が確認された。
この第2図の実施例において、基板7としてInPを用
い、まずプラズマ室12にO8を導入しガス圧I Io
rrにてプラズマを発生させ、基板ホルダー6に正電圧
を加えプラズマおよび励起酸素を引き出しInP基板7
を処理し、続いてH,プラズマを発生させ基板ホルダー
6に負電圧を加え引き出したプラズマおよび励起水素に
よりInP基板7の処理を行なった。次に5iHtとN
H3を導入し、主反応室11に紫外光を照射し基板温度
250°C5ガス圧0、5TorrにてSiNを成長さ
せた。このように基板7の表面を処理して成長させるこ
とにより、SiNとInPの界面特性は前述の第1の実
施例における成長例より大きく改善きれた。
第3図は、本発明の第3の実施例の構成を示す図である
。この実施例では、プラズマ引き出し用電極15がプラ
ズマ発生室12と主反応室11の基板ホルダー6との間
に位置しである。この装置を用いればInP基板7上に
は高いエネルギー粒子を含まない励起種のみが取り出せ
る。前述の第2図実施例を用いて基板7の表面を処理し
て成長させた場合と同じ条件で、この第3図実施例を用
いて励起酸素および励起水素によりInP基板7を処理
した後SiNを成長きせた。この本実施例の成長例では
、5iNとInPの界面特性は、高エネルギー粒子によ
るダメージ(損傷)がないから、その第2図実施例の成
長例よりさらに改善された。
なお以上の各実施例の成長例では紫外光として波長18
5nmの紫外光で直接励起する場合について説明したが
、水銀蒸気による増感法を用いる場合、あるいはレーザ
ー光で励起する場合にも本発明は適用できる。また、本
発明は、SiN等絶縁膜だけでな(GaAs等半導体膜
あるいは金属膜の成長にも適用できる。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明によれば、膜の成長速度が
速く、プラズマで基板表面を処理しても基板を損傷する
ことの少ない、光化学反応を利用する気相成長装置が提
供できる。そこで、本発明装置を用いれば、低温で良質
な絶縁膜等が量産性良く成長できる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図は本発明の第1乃至第3の実装置の構
成を示す図である。 1・・・反応管、2・・・原料ガス導入管、3・・・排
気管、4・・・紫外線ランプ、5・・・基板加熱ヒータ
ー、6・・・基板ホルダー、7・・・基板、8・・・プ
ラズマ発生用電極、9・・・プラズマ処理用ガス導入管
、1o・・・RF電源、11・・・主反応室、12・・
・プラズマ発生室、13・・・基板加熱用ランプ、14
.15・・・プラズマ引き出し用電極、16・・・プラ
ズマ引き出し用電源。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  光化学反応による気相成長装置において、光照射を受
    ける主反応室と、この主反応室に連結されるプラズマ発
    生室と、このプラズマ発生室で発生したプラズマを前記
    主反応室に引き出す電極とが設けてあることを特徴とす
    る気相成長装置。
JP7198385A 1985-04-05 1985-04-05 気相成長装置 Pending JPS61230328A (ja)

Priority Applications (1)

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JP7198385A JPS61230328A (ja) 1985-04-05 1985-04-05 気相成長装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP7198385A JPS61230328A (ja) 1985-04-05 1985-04-05 気相成長装置

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JPS61230328A true JPS61230328A (ja) 1986-10-14

Family

ID=13476203

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JP7198385A Pending JPS61230328A (ja) 1985-04-05 1985-04-05 気相成長装置

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JP (1) JPS61230328A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01296626A (ja) * 1988-05-24 1989-11-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd プラズマ気相反応装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01296626A (ja) * 1988-05-24 1989-11-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd プラズマ気相反応装置

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