JPH1018042A - 薄膜作成装置 - Google Patents
薄膜作成装置Info
- Publication number
- JPH1018042A JPH1018042A JP16951596A JP16951596A JPH1018042A JP H1018042 A JPH1018042 A JP H1018042A JP 16951596 A JP16951596 A JP 16951596A JP 16951596 A JP16951596 A JP 16951596A JP H1018042 A JPH1018042 A JP H1018042A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cvd
- substrate
- thin film
- film forming
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】結合エネルギーが大きく、励起・解離が困難な
化合物を原料として使用した場合であっても目的とする
材料を形成することが可能であって、従来の薄膜作成装
置では作成することができなかった組成を有する薄膜の
作成を可能とする薄膜作成装置を提供する。 【解決手段】化学的気相蒸着（ＣＶＤ）法であるプラズ
マＣＶＤと光ＣＶＤを同時に行うことを可能とする薄膜
作成装置であって、原料供給手段、基板保持手段、光源
と前記光源より発生した光を成膜室内に導入する窓、並
びにプラズマ発生手段を構成要素として含め、薄膜作成
装置を構成する。
化合物を原料として使用した場合であっても目的とする
材料を形成することが可能であって、従来の薄膜作成装
置では作成することができなかった組成を有する薄膜の
作成を可能とする薄膜作成装置を提供する。 【解決手段】化学的気相蒸着（ＣＶＤ）法であるプラズ
マＣＶＤと光ＣＶＤを同時に行うことを可能とする薄膜
作成装置であって、原料供給手段、基板保持手段、光源
と前記光源より発生した光を成膜室内に導入する窓、並
びにプラズマ発生手段を構成要素として含め、薄膜作成
装置を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学的気相蒸着
（ＣＶＤ）法により、基板上に薄膜を形成する薄膜作成
装置に関するものである。
（ＣＶＤ）法により、基板上に薄膜を形成する薄膜作成
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】基板上に薄膜を生成する方法としては気
相成長法、液相成長法、その他無電解メッキ法等が知ら
れており、気相成長法として物理的気相成長法、化学的
気相成長法が知られている（薄膜作成応用ハンドブッ
ク、権田俊一監修、エヌ・ティー・エヌ）。さらに化学
的気相成長法（ＣＶＤ）法としては、プラズマＣＶＤ、
熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤを含む光ＣＶＤなどが知られ
ており、これらに記載の技術は、いずれも、従来は単独
で薄膜形成に使用されていた。
相成長法、液相成長法、その他無電解メッキ法等が知ら
れており、気相成長法として物理的気相成長法、化学的
気相成長法が知られている（薄膜作成応用ハンドブッ
ク、権田俊一監修、エヌ・ティー・エヌ）。さらに化学
的気相成長法（ＣＶＤ）法としては、プラズマＣＶＤ、
熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤを含む光ＣＶＤなどが知られ
ており、これらに記載の技術は、いずれも、従来は単独
で薄膜形成に使用されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般的に、ＣＶＤ法に
より目的とする材料を作成する場合には、通常、複数の
原料物質より目的とする複数種の活性種を発生させ、こ
れらを反応させる必要があり、当該原料物質を形成する
化学結合を励起ないしは解離させるためにプラズマ、
熱、光等が使用される。ところが、新規な化合物を作成
しようとする場合には安定性の大きい結合を有する化合
物を原料として使用しなければならない場合があり、単
一の励起手段では目的とする化合物を得られないか、ま
た得られたとしても前述の安定な結合であって目的とす
る薄膜材料には好ましくない結合が生成物中に残存し
て、理想的な組成を有するものが得られない結果となる
ことがある。
より目的とする材料を作成する場合には、通常、複数の
原料物質より目的とする複数種の活性種を発生させ、こ
れらを反応させる必要があり、当該原料物質を形成する
化学結合を励起ないしは解離させるためにプラズマ、
熱、光等が使用される。ところが、新規な化合物を作成
しようとする場合には安定性の大きい結合を有する化合
物を原料として使用しなければならない場合があり、単
一の励起手段では目的とする化合物を得られないか、ま
た得られたとしても前述の安定な結合であって目的とす
る薄膜材料には好ましくない結合が生成物中に残存し
て、理想的な組成を有するものが得られない結果となる
ことがある。
【０００４】本発明は、結合エネルギーが大きく、励起
・解離が困難な化合物を原料として使用した場合であっ
ても目的とする材料を形成することが可能であって、従
来の薄膜作成装置では作成することができなかった組成
を有する薄膜の作成を可能とする薄膜作成装置を提供す
るものである。
・解離が困難な化合物を原料として使用した場合であっ
ても目的とする材料を形成することが可能であって、従
来の薄膜作成装置では作成することができなかった組成
を有する薄膜の作成を可能とする薄膜作成装置を提供す
るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、化学的気相蒸
着（ＣＶＤ）法であるプラズマＣＶＤと光ＣＶＤを同時
に行うことを可能とする薄膜作成装置に関するものであ
る。
着（ＣＶＤ）法であるプラズマＣＶＤと光ＣＶＤを同時
に行うことを可能とする薄膜作成装置に関するものであ
る。
【０００６】即ち、本発明は、原料供給手段、基板保持
手段、光源と前記光源より発生した光を成膜室内に導入
する窓、並びにプラズマ発生手段を備えている薄膜作成
装置に関するものである。
手段、光源と前記光源より発生した光を成膜室内に導入
する窓、並びにプラズマ発生手段を備えている薄膜作成
装置に関するものである。
【０００７】このような構成の装置により、プラズマＣ
ＶＤと光ＣＶＤを同時に実行することが出来る。
ＶＤと光ＣＶＤを同時に実行することが出来る。
【０００８】本発明の光ＣＶＤの光源としては、波長が
１００〜３００ｎｍの範囲の光を含む光源を使用するこ
とが好ましく、特に中心波長が１００〜３００ｎｍのレ
ーザー光の使用が好ましい。この範囲の波長の光が原料
物質を励起ないし解離し、活性種を生成する作用が強
く、新規な化合物の生成、高純度な化合物の生成等に有
益である。
１００〜３００ｎｍの範囲の光を含む光源を使用するこ
とが好ましく、特に中心波長が１００〜３００ｎｍのレ
ーザー光の使用が好ましい。この範囲の波長の光が原料
物質を励起ないし解離し、活性種を生成する作用が強
く、新規な化合物の生成、高純度な化合物の生成等に有
益である。
【０００９】かかる薄膜作成装置を使用することによ
り、プラズマＣＶＤと光ＣＶＤを同時に、同じ成膜室内
で行うことが可能となり、一方のみのＣＶＤ法を使用し
た場合より反応系に高エネルギーが供給される結果、原
料物質が高度に励起ないしは解離されて目的とする材料
の理想的な組成に近い薄膜を形成することができる。
り、プラズマＣＶＤと光ＣＶＤを同時に、同じ成膜室内
で行うことが可能となり、一方のみのＣＶＤ法を使用し
た場合より反応系に高エネルギーが供給される結果、原
料物質が高度に励起ないしは解離されて目的とする材料
の理想的な組成に近い薄膜を形成することができる。
【００１０】また、本発明の薄膜形成装置を使用する
と、同一成膜室内で同一基板上にプラズマＣＶＤと光Ｃ
ＶＤをそれぞれ独立して行うことも可能であり、プラズ
マＣＶＤ、光ＣＶＤに適した別個の組成の膜を積層して
形成することも可能である。プラズマＣＶＤ法によれば
イオン種が発生するため、半導体の製造において、プラ
ズマＣＶＤを使用すると基板に損傷を与える場合があ
り、このようなケースにおいては本発明の装置を使用
し、初期に光ＣＶＤ、特にレーザーＣＶＤ法を使用し、
その後プラズマＣＶＤを使用すると基板に損傷を与える
ことなく半導体を作成することができる。
と、同一成膜室内で同一基板上にプラズマＣＶＤと光Ｃ
ＶＤをそれぞれ独立して行うことも可能であり、プラズ
マＣＶＤ、光ＣＶＤに適した別個の組成の膜を積層して
形成することも可能である。プラズマＣＶＤ法によれば
イオン種が発生するため、半導体の製造において、プラ
ズマＣＶＤを使用すると基板に損傷を与える場合があ
り、このようなケースにおいては本発明の装置を使用
し、初期に光ＣＶＤ、特にレーザーＣＶＤ法を使用し、
その後プラズマＣＶＤを使用すると基板に損傷を与える
ことなく半導体を作成することができる。
【００１１】本発明における薄膜作成装置においては、
基板保持手段は揺動可能に構成されており、基板に対す
る光の照射角度が可変であることが好ましい。かかる構
成により、光を基板に照射することなく気相のみに照射
してＣＶＤを行うことも、またプラズマＣＶＤを行いつ
つ基板上に形成される薄膜をレーザー等の光にて照射す
ることも可能である。気相のみを光にて照射した場合は
気相において高度に励起ないしは解離された活性種を基
板上に蒸着・反応させる結果となり、また基板保持手段
を回動させて基板に直接光を照射した場合には、プラズ
マＣＶＤにより形成された薄膜にさらに光のエネルギー
が加えられる結果、生成した膜について化学反応を理想
的な状態にまで到達させ、また化合物中の不純物を除去
すること等が可能となる。また、プラズマＣＶＤ、光Ｃ
ＶＤを併用することにより、そのいずれかを単一で使用
する場合には発生させ得ない活性種を発生させることも
可能である。
基板保持手段は揺動可能に構成されており、基板に対す
る光の照射角度が可変であることが好ましい。かかる構
成により、光を基板に照射することなく気相のみに照射
してＣＶＤを行うことも、またプラズマＣＶＤを行いつ
つ基板上に形成される薄膜をレーザー等の光にて照射す
ることも可能である。気相のみを光にて照射した場合は
気相において高度に励起ないしは解離された活性種を基
板上に蒸着・反応させる結果となり、また基板保持手段
を回動させて基板に直接光を照射した場合には、プラズ
マＣＶＤにより形成された薄膜にさらに光のエネルギー
が加えられる結果、生成した膜について化学反応を理想
的な状態にまで到達させ、また化合物中の不純物を除去
すること等が可能となる。また、プラズマＣＶＤ、光Ｃ
ＶＤを併用することにより、そのいずれかを単一で使用
する場合には発生させ得ない活性種を発生させることも
可能である。
【００１２】さらに、薄膜形成化合物が基板上に膜を形
成する際、形成された膜に光を照射することにより、膜
を形成する原子レベルの厚さの層の特性をコントロール
することも可能である。
成する際、形成された膜に光を照射することにより、膜
を形成する原子レベルの厚さの層の特性をコントロール
することも可能である。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の装置を図１に示した例に
基づき説明する。この例においては光源としてレーザー
光を使用した装置について説明する。成膜室本体１には
原料を供給する供給口３、レーザー光を導入する窓５、
並びに基板に接続されるマッチングボックス７と高周波
（ＲＦ）電源９が備えられている。この他に成膜室内を
真空にするための接続口、基板の交換手段等も設けられ
る。基板１１は基板保持手段１３により保持され、前記
基板保持手段１３は基板とレーザー光が平行となる位置
から、基板とレーザー光が直角となり、基板に対して垂
直にレーザー光が照射される位置まで揺動可能に構成さ
れている。
基づき説明する。この例においては光源としてレーザー
光を使用した装置について説明する。成膜室本体１には
原料を供給する供給口３、レーザー光を導入する窓５、
並びに基板に接続されるマッチングボックス７と高周波
（ＲＦ）電源９が備えられている。この他に成膜室内を
真空にするための接続口、基板の交換手段等も設けられ
る。基板１１は基板保持手段１３により保持され、前記
基板保持手段１３は基板とレーザー光が平行となる位置
から、基板とレーザー光が直角となり、基板に対して垂
直にレーザー光が照射される位置まで揺動可能に構成さ
れている。
【００１４】図１では高周波（ＲＦ）電源９はマッチン
グボックス７を介して基板１１と基板保持手段１３との
間に設置された電極１５に接続された例が示されている
が、かかる構成とすることにより、基板付近に弱電離プ
ラズマを生成させることができ、これによりプラズマＣ
ＶＤが行われる。なお、これらのマッチングボックス７
と高周波（ＲＦ）電源９は基板に対向する位置に備えら
れていてもよい。
グボックス７を介して基板１１と基板保持手段１３との
間に設置された電極１５に接続された例が示されている
が、かかる構成とすることにより、基板付近に弱電離プ
ラズマを生成させることができ、これによりプラズマＣ
ＶＤが行われる。なお、これらのマッチングボックス７
と高周波（ＲＦ）電源９は基板に対向する位置に備えら
れていてもよい。
【００１５】本発明においては、図２に例示されるよう
に、原料ガス導入口は複数個設けられていても良く、特
に結合エネルギーが高く、励起することが困難な原料化
合物の一部または全部をプラズマ発生装置を介して成膜
室内に導入し、他の成分を別の導入口より導入すること
により、成膜室内における活性種の比率を最適化するこ
とが可能となる。
に、原料ガス導入口は複数個設けられていても良く、特
に結合エネルギーが高く、励起することが困難な原料化
合物の一部または全部をプラズマ発生装置を介して成膜
室内に導入し、他の成分を別の導入口より導入すること
により、成膜室内における活性種の比率を最適化するこ
とが可能となる。
【００１６】本発明においてプラズマＣＶＤ法に使用す
るプラズマ発生手段としては、周知の手段が使用可能で
あり、前述のマッチングボックスとＲＦ電源を使用する
容量結合型プラズマＣＶＤの他、ＥＣＲ、ヘリコン波、
誘導結合型のプラズマＣＶＤ、アークプラズマＣＶＤ等
が例示でき、使用可能である。
るプラズマ発生手段としては、周知の手段が使用可能で
あり、前述のマッチングボックスとＲＦ電源を使用する
容量結合型プラズマＣＶＤの他、ＥＣＲ、ヘリコン波、
誘導結合型のプラズマＣＶＤ、アークプラズマＣＶＤ等
が例示でき、使用可能である。
【００１７】本発明において光ＣＶＤの光源として使用
できるものは、水銀ランプ、レーザー光等が使用でき、
さらにレーザー光としては、ＹＡＧレーザー、エキシマ
レーザー等の使用が好ましい。上記のレーザーは波長が
短く、エネルギーが高いために結合エネルギーの大きな
安定な化学結合の励起・解離並びに化学反応の完結等に
特に有効に作用する。特に、エキシマレーザーとしては
Ａｒ2 、Ｋｒ2 、Ｘｅ2 などの希ガスエキシマレーザ
ー、ＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＣｌなどの希ガスハロゲンエ
キシマレーザー等が例示できる。
できるものは、水銀ランプ、レーザー光等が使用でき、
さらにレーザー光としては、ＹＡＧレーザー、エキシマ
レーザー等の使用が好ましい。上記のレーザーは波長が
短く、エネルギーが高いために結合エネルギーの大きな
安定な化学結合の励起・解離並びに化学反応の完結等に
特に有効に作用する。特に、エキシマレーザーとしては
Ａｒ2 、Ｋｒ2 、Ｘｅ2 などの希ガスエキシマレーザ
ー、ＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＣｌなどの希ガスハロゲンエ
キシマレーザー等が例示できる。
【００１８】成膜室内には原料ガス以外に、反応しない
不活性ガスを導入することは好ましい態様であり、不活
性ガスの流量を制御することによってノズルから放出さ
れる原料ガスの流速や全体のガス圧を制御することが可
能となり、形成される膜の均一性、及び膜の特性を制御
し、より特性の優れた膜を形成することができる。
不活性ガスを導入することは好ましい態様であり、不活
性ガスの流量を制御することによってノズルから放出さ
れる原料ガスの流速や全体のガス圧を制御することが可
能となり、形成される膜の均一性、及び膜の特性を制御
し、より特性の優れた膜を形成することができる。
【００１９】なお、本発明の薄膜作成装置を使用して薄
膜を作成する場合、光ＣＶＤとプラズマＣＶＤを全く同
時に行う必要はなく、同時に２種のＣＶＤを行ってもよ
く、いずれかのＣＶＤ法を単独で行うように使用しても
よい。例えば、レーザー光が基板を照射するように基板
保持手段を揺動させ、原料ガス供給前に基板を照射する
と、基板に付着した汚染物質が除去されることによって
も基板塗膜の密着性が向上する。
膜を作成する場合、光ＣＶＤとプラズマＣＶＤを全く同
時に行う必要はなく、同時に２種のＣＶＤを行ってもよ
く、いずれかのＣＶＤ法を単独で行うように使用しても
よい。例えば、レーザー光が基板を照射するように基板
保持手段を揺動させ、原料ガス供給前に基板を照射する
と、基板に付着した汚染物質が除去されることによって
も基板塗膜の密着性が向上する。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の薄膜形成装置を使用し、窒化
炭素薄膜及びポリシリコン膜を作成した実施例を説明す
る。 （実施例１）原料ガスとして、炭素原材料としてメタン
（ＣＨ4 ）、窒素源として窒素ガス（Ｎ2 ）を使用し、
以下の条件により窒化炭素薄膜を作成した。ただし、レ
ーザー光は基板と平行に設定し、直接基板に照射はしな
かった。
炭素薄膜及びポリシリコン膜を作成した実施例を説明す
る。 （実施例１）原料ガスとして、炭素原材料としてメタン
（ＣＨ4 ）、窒素源として窒素ガス（Ｎ2 ）を使用し、
以下の条件により窒化炭素薄膜を作成した。ただし、レ
ーザー光は基板と平行に設定し、直接基板に照射はしな
かった。
【００２１】
【表１】
【００２２】（比較例１）レーザー光を照射せず、窒素
ガス流量を２３０ｓｃｃｍに設定した以外は実施例１と
同じ条件で成膜を行った。
ガス流量を２３０ｓｃｃｍに設定した以外は実施例１と
同じ条件で成膜を行った。
【００２３】実施例１、及び比較例１にて得られた薄膜
についてＸＰＳ分析を行った。その結果、実施例１にて
得られた薄膜については、Ｃ（１Ｓ）の結合エネルギー
は２８７ｅＶに観測され、これはＣ−Ｎ結合に起因して
いるものと考えられる。一方、比較例１にて得られた薄
膜については、Ｃ（１Ｓ）の結合エネルギーは２８５ｅ
Ｖに観測され、これはＣ−Ｃ結合に起因するものと考え
られる。即ち、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤを同時
に行うことにより、Ｃ−Ｃ結合が少なく、Ｃ−Ｎ結合が
多い理想的な窒化炭素薄膜を形成できることが分かっ
た。
についてＸＰＳ分析を行った。その結果、実施例１にて
得られた薄膜については、Ｃ（１Ｓ）の結合エネルギー
は２８７ｅＶに観測され、これはＣ−Ｎ結合に起因して
いるものと考えられる。一方、比較例１にて得られた薄
膜については、Ｃ（１Ｓ）の結合エネルギーは２８５ｅ
Ｖに観測され、これはＣ−Ｃ結合に起因するものと考え
られる。即ち、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤを同時
に行うことにより、Ｃ−Ｃ結合が少なく、Ｃ−Ｎ結合が
多い理想的な窒化炭素薄膜を形成できることが分かっ
た。
【００２４】（実施例２）下記の表２の条件にて、原料
ガスとしてジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）及び水素ガス
（Ｈ2 ）を使用し、プラズマＣＶＤとレーザーＣＶＤを
併用して基板上にポリシリコン膜を作成した。
ガスとしてジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）及び水素ガス
（Ｈ2 ）を使用し、プラズマＣＶＤとレーザーＣＶＤを
併用して基板上にポリシリコン膜を作成した。
【００２５】
【表２】
【００２６】（比較例２）下記の表３の条件に従い、レ
ーザーＣＶＤにより薄膜を形成した。
ーザーＣＶＤにより薄膜を形成した。
【００２７】
【表３】
【００２８】実施例２、比較例２にて得られた薄膜を比
較すると、実施例２により得られた薄膜に水素が多く取
り込まれていることが分かった。これはレーザー光だけ
ではＨ2 の励起、分解、イオン化が十分に行われないた
め、Ｈの活性種が反応系において不足し、このためにシ
リコン基板表面のＨによる被覆（最表面Ｓｉのダングリ
ングボンドの水素終端化）が十分行われないことを示し
ているものと考えられる。このような現象が起こると膜
の品質が低下する。
較すると、実施例２により得られた薄膜に水素が多く取
り込まれていることが分かった。これはレーザー光だけ
ではＨ2 の励起、分解、イオン化が十分に行われないた
め、Ｈの活性種が反応系において不足し、このためにシ
リコン基板表面のＨによる被覆（最表面Ｓｉのダングリ
ングボンドの水素終端化）が十分行われないことを示し
ているものと考えられる。このような現象が起こると膜
の品質が低下する。
【００２９】（実施例３）原料ガスとしてシラン（Ｓｉ
Ｈ4 ）とアンモニア（ＮＨ3 ）を使用し、基板としては
シリコンを使用してこの上に窒化珪素（ＳｉＮ）の薄膜
を形成した。ＲＦ電源はマッチングボックスを介して基
板と基板保持部材のあいだに設けられた電極に接続し、
基板表面付近にプラズマを発生可能とした。ＳｉＮ膜の
形成は、薄膜形成の重要な部分であって膜の特性に大き
く影響する初期段階はレーザーＣＶＤにより行って約２
００Åの層を形成し、次いでその上にプラズマＣＶＤに
より約８００Åの厚さの層を形成し、合計１０００Åの
ＳｉＮ層を作成した。レーザーＣＶＤによる膜形成速度
はおよそ７０Å／ｍｉｎであったが、プラズマＣＶＤで
はおよそ５００Å／ｍｉｎであり、レーザーＣＶＤのみ
によれば１０００ÅのＳｉＮ層の作成には約１４分必要
であるが、本装置を使用することにより、レーザーＣＶ
Ｄのみにより得られるのと同等の特性を有するＳｉＮ膜
が４．５分で得られた。
Ｈ4 ）とアンモニア（ＮＨ3 ）を使用し、基板としては
シリコンを使用してこの上に窒化珪素（ＳｉＮ）の薄膜
を形成した。ＲＦ電源はマッチングボックスを介して基
板と基板保持部材のあいだに設けられた電極に接続し、
基板表面付近にプラズマを発生可能とした。ＳｉＮ膜の
形成は、薄膜形成の重要な部分であって膜の特性に大き
く影響する初期段階はレーザーＣＶＤにより行って約２
００Åの層を形成し、次いでその上にプラズマＣＶＤに
より約８００Åの厚さの層を形成し、合計１０００Åの
ＳｉＮ層を作成した。レーザーＣＶＤによる膜形成速度
はおよそ７０Å／ｍｉｎであったが、プラズマＣＶＤで
はおよそ５００Å／ｍｉｎであり、レーザーＣＶＤのみ
によれば１０００ÅのＳｉＮ層の作成には約１４分必要
であるが、本装置を使用することにより、レーザーＣＶ
Ｄのみにより得られるのと同等の特性を有するＳｉＮ膜
が４．５分で得られた。
【００３０】
【発明の効果】本発明の薄膜作成装置を使用し、プラズ
マＣＶＤ、レーザーＣＶＤを同時に行うことによりいず
れかの方法のみでは励起、解離することができなかった
原料物質を励起し、解離することが可能となり、これに
より新たな活性種を生成させ、新規な組成を有する薄膜
の作成が可能となる。また、単独のＣＶＤと比較して成
膜速度も向上させることができる。基板保持手段が揺動
可能に形成されており、基板に直接レーザー光を照射す
ることが可能となるために、基板表面の汚れ、好ましく
ない化合物層を除去でき、また形成される膜の特性を調
節することも可能となる。
マＣＶＤ、レーザーＣＶＤを同時に行うことによりいず
れかの方法のみでは励起、解離することができなかった
原料物質を励起し、解離することが可能となり、これに
より新たな活性種を生成させ、新規な組成を有する薄膜
の作成が可能となる。また、単独のＣＶＤと比較して成
膜速度も向上させることができる。基板保持手段が揺動
可能に形成されており、基板に直接レーザー光を照射す
ることが可能となるために、基板表面の汚れ、好ましく
ない化合物層を除去でき、また形成される膜の特性を調
節することも可能となる。
【図１】プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤを同時に行う
ことができる薄膜作成装置の概略を示す図
ことができる薄膜作成装置の概略を示す図
【図２】原料ガスの一部をプラズマ化して成膜室内に供
給する装置を示した図
給する装置を示した図
１ 成膜室本体 ３ 原料ガス供給口 ５ 光導入窓 ７、９ プラズマ発生手段（７ マッチングボックス、
９ ＲＦ電源） １１ 基板 １３ 基板保持手段 １５ 電極
９ ＲＦ電源） １１ 基板 １３ 基板保持手段 １５ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 直樹 京都府京都市下京区中堂寺南町17 株式会 社関西新技術研究所内 (72)発明者 藤井 隆満 京都府京都市下京区中堂寺南町17 株式会 社関西新技術研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】プラズマＣＶＤと光ＣＶＤを同時に行うこ
とにより薄膜が作成可能な薄膜作成装置。 - 【請求項２】原料供給手段、基板保持手段、光源と前記
光源より発生した光を成膜室内に導入する窓、並びにプ
ラズマ発生手段を備える薄膜作成装置。 - 【請求項３】前記光ＣＶＤの光源として波長１００〜３
００ｎｍの範囲の光を含む光源を使用する請求項１又は
２に記載の薄膜作成装置。 - 【請求項４】前記プラズマ発生手段は、基板近傍にプラ
ズマを発生可能に装着されている請求項２に記載の薄膜
作成装置。 - 【請求項５】前記基板保持手段は揺動可能に構成されて
おり、基板に対する前記レーザー光の照射角度が可変で
ある請求項２記載の薄膜作成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16951596A JPH1018042A (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 薄膜作成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16951596A JPH1018042A (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 薄膜作成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1018042A true JPH1018042A (ja) | 1998-01-20 |
Family
ID=15887946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16951596A Pending JPH1018042A (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 薄膜作成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1018042A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007262551A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Toray Eng Co Ltd | シリコン系薄膜の形成方法 |
| JP2014527257A (ja) * | 2011-06-28 | 2014-10-09 | エムティーアイエックス リミテッド | 複数の結合されたエネルギー源を用いた材料の表面処理方法及び装置。 |
| JP2016514364A (ja) * | 2013-02-26 | 2016-05-19 | ソイテックＳｏｉｔｅｃ | 構造を処理するためのプロセス |
| US9605376B2 (en) | 2011-06-28 | 2017-03-28 | Mtix Ltd. | Treating materials with combined energy sources |
-
1996
- 1996-06-28 JP JP16951596A patent/JPH1018042A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007262551A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Toray Eng Co Ltd | シリコン系薄膜の形成方法 |
| JP2014527257A (ja) * | 2011-06-28 | 2014-10-09 | エムティーアイエックス リミテッド | 複数の結合されたエネルギー源を用いた材料の表面処理方法及び装置。 |
| US9605376B2 (en) | 2011-06-28 | 2017-03-28 | Mtix Ltd. | Treating materials with combined energy sources |
| JP2016514364A (ja) * | 2013-02-26 | 2016-05-19 | ソイテックＳｏｉｔｅｃ | 構造を処理するためのプロセス |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW202142723A (zh) | 使用預處理沉積氮化矽層之方法、使用該方法所形成之結構及用於進行該方法之系統 | |
| US4509451A (en) | Electron beam induced chemical vapor deposition | |
| JP4441607B2 (ja) | 半導体基板を不動態化する方法 | |
| JPH0752718B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS5930130B2 (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH1098032A (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
| JPH0496226A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4031704B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JPH1018042A (ja) | 薄膜作成装置 | |
| JPH06316402A (ja) | 光照射併用プラズマｃｖｄ法による硬質窒化ホウ素の製造法 | |
| JPH07201738A (ja) | 薄膜形成前処理方法および薄膜形成方法 | |
| JPS59215728A (ja) | 半導体表面の光洗浄方法 | |
| JPS62136573A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS63317675A (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| JPS61230326A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS6188527A (ja) | 半導体プロセス装置 | |
| JPH118238A (ja) | 初期パーティクルの発生を抑制した酸化シリコン薄膜の形成方法 | |
| JP2001102345A (ja) | 表面処理方法および装置 | |
| JPH04154970A (ja) | 立方晶窒化硼素の合成方法 | |
| JPH0517291A (ja) | ダイヤモンド薄膜堆積用基板の処理方法 | |
| JP2000082702A (ja) | プラズマ反応方法 | |
| JPH08181075A (ja) | 薄膜堆積方法 | |
| JPS6250468A (ja) | 薄膜のプラズマ気相成長方法 | |
| JPH0459769B2 (ja) | ||
| JPH01730A (ja) | 多層薄膜の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20051014 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060608 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061019 |