JPH06316402A - 光照射併用プラズマｃｖｄ法による硬質窒化ホウ素の製造法 - Google Patents
光照射併用プラズマｃｖｄ法による硬質窒化ホウ素の製造法Info
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- JPH06316402A JPH06316402A JP4191693A JP19169392A JPH06316402A JP H06316402 A JPH06316402 A JP H06316402A JP 4191693 A JP4191693 A JP 4191693A JP 19169392 A JP19169392 A JP 19169392A JP H06316402 A JPH06316402 A JP H06316402A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/342—Boron nitride
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温高圧を用いない気相合成(ＣＶＤ)法によ
って、窒化ホウ素結晶粒子からなる硬質窒化ホウ素を製
造する。 【構成】 アルゴン、ヘリウム及び水素の単独又は混合
の作動ガス(Ａ)を用いて、０.０１〜１００torrの圧力
下で発生したプラズマ中に、作動ガスに対して０.０１
〜１０体積％のホウ素源及び窒素源原料ガス(Ｃ)を導入
して、プラズマ中で生成する活性種を３００〜１１００
℃に保持した基板３上に到達させると共に、基板表面の
活性種に紫外光５を照射することにより、硬質窒化ホウ
素膜及びその成長に必要な前駆体活性種となし、硬質窒
化ホウ素を基板上に堆積させる。紫外光として、レーザ
ー波長５０〜４００nm、レーザーパルス５Ｈz以上、レ
ーザーエネルギー５〜１０００mＪ／cm2のものが好まし
い。切削工具の表面コーティング、電子材料、発光ダイ
オード等への応用が期待される。
って、窒化ホウ素結晶粒子からなる硬質窒化ホウ素を製
造する。 【構成】 アルゴン、ヘリウム及び水素の単独又は混合
の作動ガス(Ａ)を用いて、０.０１〜１００torrの圧力
下で発生したプラズマ中に、作動ガスに対して０.０１
〜１０体積％のホウ素源及び窒素源原料ガス(Ｃ)を導入
して、プラズマ中で生成する活性種を３００〜１１００
℃に保持した基板３上に到達させると共に、基板表面の
活性種に紫外光５を照射することにより、硬質窒化ホウ
素膜及びその成長に必要な前駆体活性種となし、硬質窒
化ホウ素を基板上に堆積させる。紫外光として、レーザ
ー波長５０〜４００nm、レーザーパルス５Ｈz以上、レ
ーザーエネルギー５〜１０００mＪ／cm2のものが好まし
い。切削工具の表面コーティング、電子材料、発光ダイ
オード等への応用が期待される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、切削工具の表面コーテ
ィング、電子材料、発光ダイオード等への応用が可能な
硬質窒化ホウ素の製造法に関する。
ィング、電子材料、発光ダイオード等への応用が可能な
硬質窒化ホウ素の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
高温高圧を用いない気相合成法による硬質窒化ホウ素の
合成法としては次の（１）〜（６）のような方法が試み
られている。
高温高圧を用いない気相合成法による硬質窒化ホウ素の
合成法としては次の（１）〜（６）のような方法が試み
られている。
【０００３】（１）窒素と水素の混合ガス中で、棒状に
焼結したホウ素電極と水冷銅電極の間にパルス放電をさ
せ、そこで活性化されたホウ素と窒素を反応させて基板
上に堆積させる方法(反応性パルス法)。
焼結したホウ素電極と水冷銅電極の間にパルス放電をさ
せ、そこで活性化されたホウ素と窒素を反応させて基板
上に堆積させる方法(反応性パルス法)。
【０００４】（２）電子線照射を併用した熱気相反応に
よる硬質窒化ホウ素の合成法(電子線気相反応法)。
よる硬質窒化ホウ素の合成法(電子線気相反応法)。
【０００５】（３）ボラジン(Ｂ3Ｎ3Ｈ6)を原料にし、
１−３ＫＶで加速した分子ビーム蒸着による方法(分子
ビーム法)。
１−３ＫＶで加速した分子ビーム蒸着による方法(分子
ビーム法)。
【０００６】（４）ホウ素の電子蒸着を行いつつ、３０
eＶ程度に加速した窒素分子イオンを注入する方法(分子
ビーム法)。
eＶ程度に加速した窒素分子イオンを注入する方法(分子
ビーム法)。
【０００７】（５）電子線により気化したホウ素及び窒
素ガスを熱電子によりイオン化し、バイアスをかけて基
板上に堆積させる方法(イオン化蒸着法)。
素ガスを熱電子によりイオン化し、バイアスをかけて基
板上に堆積させる方法(イオン化蒸着法)。
【０００８】（６）その他、中性化イオンビーム法、レ
ーザーパルス蒸着法などである。
ーザーパルス蒸着法などである。
【０００９】しかしながら、前記の方法で合成される膜
は、５００Å以下の超微細な粒子からなる膜であり、結
晶の晶壁がなく、ｈ−ＢＮが混在しているため、空気中
で不安定である。したがって、硬質な窒化ホウ素膜と云
えるものではなかった。
は、５００Å以下の超微細な粒子からなる膜であり、結
晶の晶壁がなく、ｈ−ＢＮが混在しているため、空気中
で不安定である。したがって、硬質な窒化ホウ素膜と云
えるものではなかった。
【００１０】本発明の目的は、かゝる事情のもとで、高
温高圧を用いない気相合成法によって、窒化ホウ素結晶
粒子からなる硬質窒化ホウ素を製造する方法を提供する
ことにある。
温高圧を用いない気相合成法によって、窒化ホウ素結晶
粒子からなる硬質窒化ホウ素を製造する方法を提供する
ことにある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前記目的
を達成するべく鋭意研究の結果、プラズマＣＶＤ法に光
照射を併用することにより、立方晶窒化ホウ素、ウルツ
鉱窒化ホウ素などの硬質窒化ホウ素膜が得られることを
見出したものである。
を達成するべく鋭意研究の結果、プラズマＣＶＤ法に光
照射を併用することにより、立方晶窒化ホウ素、ウルツ
鉱窒化ホウ素などの硬質窒化ホウ素膜が得られることを
見出したものである。
【００１２】すなわち、本発明は、アルゴン、ヘリウム
及び水素の単独又は混合の作動ガスを用いて、０.０１
〜１００torrの圧力下で発生したプラズマ中に、作動ガ
スに対して０.０１〜１０体積％のホウ素源及び窒素源
原料ガスを導入して、プラズマ中で生成する活性種を３
００〜１１００℃に保持した基板上に到達させると共
に、基板表面の活性種に紫外光を照射することにより、
硬質窒化ホウ素膜及びその成長に必要な前駆体活性種と
なし、硬質窒化ホウ素を基板上に堆積させることを特徴
とする硬質窒化ホウ素の製造法を要旨とするものであ
る。
及び水素の単独又は混合の作動ガスを用いて、０.０１
〜１００torrの圧力下で発生したプラズマ中に、作動ガ
スに対して０.０１〜１０体積％のホウ素源及び窒素源
原料ガスを導入して、プラズマ中で生成する活性種を３
００〜１１００℃に保持した基板上に到達させると共
に、基板表面の活性種に紫外光を照射することにより、
硬質窒化ホウ素膜及びその成長に必要な前駆体活性種と
なし、硬質窒化ホウ素を基板上に堆積させることを特徴
とする硬質窒化ホウ素の製造法を要旨とするものであ
る。
【００１３】以下に本発明について更に詳細に説明す
る。
る。
【００１４】
【００１５】本発明の製造法によれば、結晶粒径が１０
０００Å以上に達し、結晶が大幅に大きくなった硬質窒
化ホウ素が得られる。これは、結晶粒が成長するために
必要な活性種がプラズマ中で発生する一方、粒成長が進
行するために必要な前駆体活性種が紫外光照射により、
効率良く作られるためである。
０００Å以上に達し、結晶が大幅に大きくなった硬質窒
化ホウ素が得られる。これは、結晶粒が成長するために
必要な活性種がプラズマ中で発生する一方、粒成長が進
行するために必要な前駆体活性種が紫外光照射により、
効率良く作られるためである。
【００１６】そのためには、まず、アルゴン、ヘリウ
ム、水素の単独又は混合ガスの作動ガスで発生したプラ
ズマ中に原料ガスを導入し、プラズマ中で活性種を基板
上に生じさせる。ホウ素源としてはＢＣl3若しくはＢ2
Ｈ6等、窒素源としてはＮＨ3若しくはＮ2等、或いはホ
ウ素と窒素を同時に含む化合物の単独若しくは混合物を
使用できる。
ム、水素の単独又は混合ガスの作動ガスで発生したプラ
ズマ中に原料ガスを導入し、プラズマ中で活性種を基板
上に生じさせる。ホウ素源としてはＢＣl3若しくはＢ2
Ｈ6等、窒素源としてはＮＨ3若しくはＮ2等、或いはホ
ウ素と窒素を同時に含む化合物の単独若しくは混合物を
使用できる。
【００１７】この場合、基板の温度は３００〜１１００
℃に保持することが必要で、３００℃未満では無定形に
なり、また１１００℃より高いと硬くない六方晶の窒化
ホウ素が生成するようになる。基板としてはシリコン、
ステンレス鋼などを使用すればよい。
℃に保持することが必要で、３００℃未満では無定形に
なり、また１１００℃より高いと硬くない六方晶の窒化
ホウ素が生成するようになる。基板としてはシリコン、
ステンレス鋼などを使用すればよい。
【００１８】プラズマ発生におけるガス圧は０.０１〜
１００torrが好ましい。０.０１torr未満では活性種の
濃度が低く、膜及び粒子の成長が殆ど進行しない。他
方、１００torrより高い圧力では、種々の活性種が成長
反応に関与するため、硬質窒化ホウ素だけを成長させる
ことができない。
１００torrが好ましい。０.０１torr未満では活性種の
濃度が低く、膜及び粒子の成長が殆ど進行しない。他
方、１００torrより高い圧力では、種々の活性種が成長
反応に関与するため、硬質窒化ホウ素だけを成長させる
ことができない。
【００１９】なお、ガス流速は特に制限されないが、プ
ラズマの温度及びプラズマの速度を制御するために５０
mｌ／min〜５０ｌ／minの範囲が好ましい。
ラズマの温度及びプラズマの速度を制御するために５０
mｌ／min〜５０ｌ／minの範囲が好ましい。
【００２０】原料ガスの導入割合は、作動ガスに対して
０.０１〜１０体積％とする。０.０１体積％より少ない
と成長速度が遅く、膜及び粒子の成長殆ど起らなくな
り、また１０体積％より多いと種々の活性種が成長反応
に関与するため、硬質窒化ホウ素ができなくなる。
０.０１〜１０体積％とする。０.０１体積％より少ない
と成長速度が遅く、膜及び粒子の成長殆ど起らなくな
り、また１０体積％より多いと種々の活性種が成長反応
に関与するため、硬質窒化ホウ素ができなくなる。
【００２１】本発明では、上述のプラズマ中で活性種を
生じさせると同時に、基板表面に紫外光の照射を併用す
ることにより、この活性種を前駆体活性種となし、硬質
窒化ホウ素膜及び粒子を成長させる。
生じさせると同時に、基板表面に紫外光の照射を併用す
ることにより、この活性種を前駆体活性種となし、硬質
窒化ホウ素膜及び粒子を成長させる。
【００２２】紫外光照射に使用するレーザーの波長範囲
は５０〜４００nmが好ましい。この範囲外では、活性種
を励起し、前駆体活性種とする効果が殆どない。また、
レーザーパルスは５〜１００Ｈzが好ましい。５Ｈz以下
では活性種の励起効果が低く、１００Ｈz以上では局所
的な温度の上昇が激しく、活性種の熱分解が進むので、
好ましくない。同様の理由から、レーザーエネルギーは
５〜５００mＪ／cm2が好ましい。
は５０〜４００nmが好ましい。この範囲外では、活性種
を励起し、前駆体活性種とする効果が殆どない。また、
レーザーパルスは５〜１００Ｈzが好ましい。５Ｈz以下
では活性種の励起効果が低く、１００Ｈz以上では局所
的な温度の上昇が激しく、活性種の熱分解が進むので、
好ましくない。同様の理由から、レーザーエネルギーは
５〜５００mＪ／cm2が好ましい。
【００２３】次に、本発明の方法の実施に使用する装置
の一例を図１に示す。勿論、この装置に限定されるもの
ではないことは云うまでもない。
の一例を図１に示す。勿論、この装置に限定されるもの
ではないことは云うまでもない。
【００２４】同図において、高周波炉１のＡから、アル
ゴン、ヘリウム、水素の単独又は混合の作動ガスを導入
し、Ｂでプラズマを発生させ、Ｂから矢印の上部の方向
へ噴出させる。この機構のため、プラズマの定常的な噴
出が常に維持できるようになっている。原料ガスはＣか
ら噴出口２の上部に導入され、プラズマ中で活性化され
て、更に基板３の斜方向から石英窓４を通して入射する
エキシマレーザー５によって、硬質窒化ホウ素の前駆体
活性種となる。これが、所定温度に保持した基板上に成
長して硬質窒化ホウ素ができる。基板３は直流出力６に
より加熱され、熱電対７で測温される。８は窓である。
ゴン、ヘリウム、水素の単独又は混合の作動ガスを導入
し、Ｂでプラズマを発生させ、Ｂから矢印の上部の方向
へ噴出させる。この機構のため、プラズマの定常的な噴
出が常に維持できるようになっている。原料ガスはＣか
ら噴出口２の上部に導入され、プラズマ中で活性化され
て、更に基板３の斜方向から石英窓４を通して入射する
エキシマレーザー５によって、硬質窒化ホウ素の前駆体
活性種となる。これが、所定温度に保持した基板上に成
長して硬質窒化ホウ素ができる。基板３は直流出力６に
より加熱され、熱電対７で測温される。８は窓である。
【００２５】次に本発明の実施例を示す。
【００２６】
【実施例１】原料ガスとしてＢＣl3とＮＨ3(各々２０m
ｌ／min)を、作動ガスとしてＡr(５ｌ／min)とＨ2(３０
mｌ／min)を、それぞれ図１のＣ及びＡから導入し、全
圧５torr、基板(シリコンコ基板)温度５００℃、プラズ
マ入力５キロワットの条件で、波長１７５nm２５Ｈzの
エキシマレーザーを照射しつつ１時間製膜を行った。そ
の結果、１μm以上の結晶粒子からなる立方晶窒化ホウ
素膜が作成できた。
ｌ／min)を、作動ガスとしてＡr(５ｌ／min)とＨ2(３０
mｌ／min)を、それぞれ図１のＣ及びＡから導入し、全
圧５torr、基板(シリコンコ基板)温度５００℃、プラズ
マ入力５キロワットの条件で、波長１７５nm２５Ｈzの
エキシマレーザーを照射しつつ１時間製膜を行った。そ
の結果、１μm以上の結晶粒子からなる立方晶窒化ホウ
素膜が作成できた。
【００２７】
【実施例２】原料ガスとしてＢ2Ｈ6(１０mｌ／min)とＮ
Ｈ3(２０mｌ／min)を、作動ガスとしてＡr(４ｌ／min)
とＨ2(３０ml)を、それぞれ図１のＣ及びＡから導入
し、全圧３torr、基板(シリコンコ基板)温度６００℃、
プラズマ入力３.５キロワットの条件で、波長３０８nm
２５Ｈzのエキシマレーザーを照射しつつ１時間製膜を
行った。その結果、１μm以上の結晶粒子からなる立方
晶窒化ホウ素膜が作成できた。
Ｈ3(２０mｌ／min)を、作動ガスとしてＡr(４ｌ／min)
とＨ2(３０ml)を、それぞれ図１のＣ及びＡから導入
し、全圧３torr、基板(シリコンコ基板)温度６００℃、
プラズマ入力３.５キロワットの条件で、波長３０８nm
２５Ｈzのエキシマレーザーを照射しつつ１時間製膜を
行った。その結果、１μm以上の結晶粒子からなる立方
晶窒化ホウ素膜が作成できた。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
プラズマＣＶＤ法に光照射を併用することにより、大き
な結晶粒子からなる立方晶窒化ホウ素やウルツ鉱窒化ホ
ウ素などの硬質窒化ホウ素膜が容易に得られる。切削工
具の表面コーティング、電子材料、発光ダイオード等へ
の応用が期待される。
プラズマＣＶＤ法に光照射を併用することにより、大き
な結晶粒子からなる立方晶窒化ホウ素やウルツ鉱窒化ホ
ウ素などの硬質窒化ホウ素膜が容易に得られる。切削工
具の表面コーティング、電子材料、発光ダイオード等へ
の応用が期待される。
【図１】本発明の方法の実施に使用する装置の一例で、
高周波熱プラズマとレーザー光併用ＣＶＤ装置の模式図
である。
高周波熱プラズマとレーザー光併用ＣＶＤ装置の模式図
である。
１ 高周波炉 ２ プラズマ噴出口 ３ 基板 ４ 石英窓 ５ 紫外光(レーザー) ６ 直流出力 ７ 熱電対 ８ 窓 Ａ 作動ガス導入口 Ｂ プラズマ発生部 Ｃ 原料ガス導入口
Claims (2)
- 【請求項１】 アルゴン、ヘリウム及び水素の単独又は
混合の作動ガスを用いて、０.０１〜１００torrの圧力
下で発生したプラズマ中に、作動ガスに対して０.０１
〜１０体積％のホウ素源及び窒素源原料ガスを導入し
て、プラズマ中で生成する活性種を３００〜１１００℃
に保持した基板上に到達させると共に、基板表面の活性
種に紫外光を照射することにより、硬質窒化ホウ素膜及
びその成長に必要な前駆体活性種となし、硬質窒化ホウ
素を基板上に堆積させることを特徴とする硬質窒化ホウ
素の製造法。 - 【請求項２】 紫外光が、レーザー波長５０〜４００n
m、レーザーパルス５Ｈz以上、レーザーエネルギー５〜
１０００mＪ／cm2のものである請求項１に記載の方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4191693A JPH0733243B2 (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 光照射併用プラズマｃｖｄ法による硬質窒化ホウ素の製造法 |
| US08/082,457 US5286533A (en) | 1992-06-25 | 1993-06-25 | Method of making hard boron nitride by a plasma CVD method employing beam irradiation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4191693A JPH0733243B2 (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 光照射併用プラズマｃｖｄ法による硬質窒化ホウ素の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06316402A true JPH06316402A (ja) | 1994-11-15 |
| JPH0733243B2 JPH0733243B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=16278898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4191693A Expired - Lifetime JPH0733243B2 (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 光照射併用プラズマｃｖｄ法による硬質窒化ホウ素の製造法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5286533A (ja) |
| JP (1) | JPH0733243B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005022578A1 (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-10 | National Institute For Materials Science | 電界電子放出特性を利する自己造形的表面形状を有するｓｐ3結合性窒化ホウ素薄膜とその製造方法及びその用途 |
| WO2006068287A1 (ja) * | 2004-12-22 | 2006-06-29 | National Institute For Materials Science | 窒化ホウ素薄膜エミッターとその製造方法、及び該窒化ホウ素薄膜エミッターを使用する電子放出方法 |
| JP2020132968A (ja) * | 2019-02-21 | 2020-08-31 | 国立大学法人東海国立大学機構 | ｃＢＮ膜の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19543748A1 (de) * | 1995-11-24 | 1997-05-28 | Widia Gmbh | Schneidwerkzeug, Verfahren zur Beschichtung eines Schneidwerkzeuges und Verwendung des Schneidwerkzeuges |
| US6262390B1 (en) | 1998-12-14 | 2001-07-17 | International Business Machines Corporation | Repair process for aluminum nitride substrates |
| JP4764559B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2011-09-07 | 隆 杉野 | 成膜方法及び成膜装置 |
| JP3598381B2 (ja) * | 2002-07-02 | 2004-12-08 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 一般式；ＢＮで示され、六方晶系５Ｈ型ないしは６Ｈ型多形構造を有し、紫外域で発光するｓｐ３結合型窒化ホウ素とその製造方法、及びこれを利用した機能性材料 |
| JPWO2012011480A1 (ja) * | 2010-07-21 | 2013-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 層間絶縁層形成方法 |
| WO2014014541A2 (en) * | 2012-04-27 | 2014-01-23 | Directed Vapor Technologies International | Wear resistant coatings and process for the application thereof |
-
1992
- 1992-06-25 JP JP4191693A patent/JPH0733243B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-06-25 US US08/082,457 patent/US5286533A/en not_active Expired - Fee Related
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| WO2006068287A1 (ja) * | 2004-12-22 | 2006-06-29 | National Institute For Materials Science | 窒化ホウ素薄膜エミッターとその製造方法、及び該窒化ホウ素薄膜エミッターを使用する電子放出方法 |
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