JP4441607B2 - 半導体基板を不動態化する方法 - Google Patents
半導体基板を不動態化する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4441607B2 JP4441607B2 JP2003143908A JP2003143908A JP4441607B2 JP 4441607 B2 JP4441607 B2 JP 4441607B2 JP 2003143908 A JP2003143908 A JP 2003143908A JP 2003143908 A JP2003143908 A JP 2003143908A JP 4441607 B2 JP4441607 B2 JP 4441607B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- plasma
- layer
- silane
- ammonia
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 53
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 27
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/345—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/958—Passivation layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
本発明は半導体基板を不動態化する方法に関する。
【０００２】
上記のような方法は従来から知られており、刊行物、Ｗ．Ｊ．スコープら（Ｗ．Ｊ．Ｓｃｏｐｅ ｅｔ ａｌ．）の、「ＳｉＮ層を不動態化・蒸着する高効率ＰＥＣＶＤリアクター」（Ａ ｈｉｇｈ ｔｈｒｏｕｇｈｐｕｔ ＰＥＣＶＤ ｒｅａｃｔｏｒ ｆｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ ｐａｓｓｉｖａｔｉｎｇ ＳｉＮ ｌａｙｅｒｓ）、第１６回ＥＰＶＳＥＣ（Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ Ｓｏｌａｒ Ｅｎｅｒｇｙ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｘｈｉｂｉｔｉｏｎ）、２０００年 ５月、を参照されたい。本方法では、プラズマ助長型化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）法によって、ＳｉＮｘ：Ｈ層を比較的多数の基板に同時に蒸着する。本方法では、反応ガスとして、シランおよびアンモニアを使用する。
【０００３】
上記の既知の方法を実行するのに、処理室内に配置されたＲｏｔｈ ＆ Ｒａｕプ社のラズマ源を使用する。このプラズマ源には、銅アンテナを有する２つの平行な石英管を備える。使用中は、処理すべき基板をこの処理室内の上記プラズマ源の下に置かれる。そして、プラズマ源によってプラズマを発生するとともに、そのプラズマに処理ガスのシランとアンモニアを供給する。とりわけプラズマと強い電磁場の影響を受けて上記処理ガスが様々なラジカルに分離し、ＳｉＮｘ：Ｈ層を基板表面に成長させる。高周波交流電圧によってＥＭ場（電磁場）を発生する。
【０００４】
基板に蒸着されたＳｉＮｘ：Ｈ層は、比較的固く、傷がつきにくい。さらに、実際に水に対し不浸透性を有する。その上、これらのＳｉＮｘ：Ｈ層は、それぞれが、例えば、無反射層として機能することができるとともに、その無反射層によって、基板に入射する光の望ましくない反射が減少する。例えば、この基板を太陽電池に使用したとき、このような反射は、望ましくない。
【０００５】
さらに、ＳｉＮｘ：Ｈ層は、基板に存在する位置ずれを修理するとき有利である。これらの位置ずれをＳｉＮｘ：Ｈからの原子水素を利用する水素パッシベーションによる既知の方法で少なくとも部分的に修理することができるというのが実状である。このようにして良好な光電気的性質を有する基板を得ることができる。
【０００６】
上述の水素パッシベーションには、バルク・パッシベーションと表面パッシベーションの両方を含むことができるので、基板のバルクと表面における格子欠陥がそれぞれ修理される。通常は、良好な表面パッシベーションは基板の良好な青色反応に関連する。これは、基板上に入射する、通常、基板内に短距離だけ入り込むことができる比較的多量の青色光が基板内に電荷キャリアを放出することを意味する。電荷キャリアは、伝導帯における自由電子および／または価電子帯における正孔を含む。良好な赤色応答と良好な青色反応を併せもつ基板は、例えば、効率の良い太陽電池の主要材料を形成するのに非常に適している。
【０００７】
上記既知の方法の欠点は、本方法で使用される遠隔ＰＥＣＶＤ処理法では、ＳｉＮｘ：Ｈ層の成長速度に関し、比較的低い成長速度、すなわち、１ｎｍ／ｓだけしか達成できないことである。さらに、本方法を実行するには、銅アンテナを有する比較的長い石英管を備える、比較的大きなプラズマ源を含む１つの装置が使用されるとともに、上記石英管は、基板処理室に沿って伸びている。したがって、このことは、上記プラズマ源の修理および／または交換を困難なものにしている。その上、単一の基板だけが扱われることになっているとき、このようなプラズマ源は、エネルギー、シランおよびアンモニアが多く消費されることを考えると有利ではない。また、一定の成長速度を得るためには、上記プラズマ源が使用する高周波交流電圧は、成長している間中繰り返し調整される必要がある。とりわけプラズマ源のインピーダンスが基板上の電気絶縁層が成長するにしたがい変化するので、このように、交流電圧を繰り返し調整する必要があるといえる。
【０００８】
本発明の目的は、上記の欠点を取り除く方法である。特に、本発明の目的とする方法によれば、基板の上にＳｉＮｘ：Ｈ層を簡単な方法で蒸着できる。
【０００９】
この目的のために、本発明による方法は、請求項１によって特徴付けられる。
【００１０】
このように、ＳｉＮｘ：Ｈ層を比較的速く基板上に形成することができる。基板は、圧力が比較的低い処理室に置かれるので、層がほとんど汚染されないように、蒸着を比較的塵のない条件のもとで実施できる。上記のプラズマ継続源は、比較的高い内部動作圧力でプラズマを発生することができる。処理室の比較的低い圧力には、プラズマ継続源からのプラズマは、基板処理のために、比較的高速度で、詳細には、実質的に超音速で処理室上に配置されたプラズマ継続源を離れるというさらなる利点がある。このように、プラズマをうまく束ねて基板に当てることができ、したがって、層成長速度が所望の比較的高い成長速度になる。上記の束ねる方法によって、ＳｉＮｘ：Ｈ層を基板に形成するインライン方法が可能になる。その上、プラズマ継続源は、比較的簡単に維持できるプラズマ源である。本方法が、特に、単一の基板を扱うのに適しているのは、プラズマ継続源が、基板表面の寸法に適応したプラズマ束を発生させることができるからである。
【００１１】
ＰＥＣＶＤ処理法の処理パラメータに関しては、少なくとも、処理室の圧力、シラン流量およびアンモニア流量、基板温度、処理室の寸法、および、少なくとも１つのプラズマ源と基板表面の間の距離は、５ｎｍ／ｓ、詳細には、１５ｎｍ／ｓよりも高速の成長速度でＳｉＮｘ：Ｈ層が基板上に蒸着されるような値となっているのが好ましい。この目的のために処理パラメータは以下の値であることが望ましい。
【００１２】
１プラズマ源あたりのシラン流量が０．０５ｓｌｍ（１分あたりの標準リットル）よりも大きく、詳細には、０．００５から１．０ｓｌｍの範囲内にあること。
【００１３】
１プラズマ源あたりのアンモニアの流量が約０．２ｓｌｍよりも大きく、詳細には、０．２から２．５ｓｌｍの範囲内にあること。
【００１４】
少なくとも１つのプラズマ源のプラズマ出口開口と基板の間の距離が１００ｍｍから７５０ｍｍの範囲内にあること。および、
基板温度が３５０から４５０℃の範囲内にあること。
【００１５】
本発明による方法を用いて得られたＳｉＮｘ：Ｈ層によれば、基板のバルク・パッシベーションおよび／または表面パッシベーションが良好に行われて、良好な青色反応が観測されるようになることが分かる。本方法では、開放端末電圧が約６１０ｍＶである基板が得られ、本基板によって赤色反応と青色反応の双方が可能となる。
【００１６】
本発明のさらに詳細な態様によれば、基板の両側面を本発明による処理法にしたがって処理することができる。これによって、本発明による方法の利点がさらに増す。
【００１７】
本発明のさらに詳細な態様によれば、このＳｉＮｘ：Ｈ層を形成すると、シラン流量とアンモニア流量の間の比率を変えることができる。この結果、形成されるべき層の屈折率が変わる。このことは、特に太陽電池を生産するとき、非常に重要になることがある。というのは、これによって、太陽電池の効率を向上させることが可能となるからである。ここで考慮すべきは、顕著な改良である０．２％の効率向上が得られることである。周知のように、太陽電池は、ＥＶＡフィルムが形成されているガラス板から構成されている。このＥＶＡフィルム上には、ＳｉＮｘ：Ｈ層を有する基板が存在している。ガラスの屈折率は、約１．５であり、ＥＶＡのそれは、１．７、また、シリコンのそれは、３．４４である。このＳｉＮｘ：Ｈ層の屈折率については、層の厚みの方向に、例えば、１．９から２．２から段階的に増加することもあり得る。単一のプラズマ源を使用しているときでもシランとアンモニアの比率を変えることができる。しかしながら、本発明のさらに詳細な態様によれば、相異なるプラズマ源を利用することも可能であって、第１のプラズマ源のシラン／アンモニアの比率を一定とするが、その比率は、シラン／アンモニアの比率もまた一定である次の第２のプラズマ源のそれとは異なるものとすることができる。このようにして、いわば、相異なる屈折率を有する相異なるＳｉＮｘ：Ｈ層が、相次ぐプラズマ源によって連続的に形成される。本発明のさらなる詳細態様は、従属請求項に記載されている。
【００１８】
次に、１つの例示的な実施形態と図面を参照して本発明を説明する。
【００１９】
図１と２に示す装置は、ＰＥＣＶＤ処理室５を備え、その処理室５の上には、ＤＣ（直流）プラズマ継続源３が設けられている。ＤＣプラズマ継続源３は、ＤＣ電圧によってプラズマを発生するように構成される。この装置には、処理室５内において、プラズマ源３の出口開口４と対向する側に１つの基板１を保持する基板ホールダ８が備えられる。この装置は、処理中基板１を加熱する加熱手段（図示せず）をさらに含んでいる。
【００２０】
図２に示すように、プラズマ継続源３の予室１１には、陰極１０が、また、プラズマ継続源３の、処理室５に近い１つの側面には、 陽極１２が設けられている。予室１１は、比較的細いチャネル１３とプラズマ出口開口４を経由して、処理室５に通じている。この装置の寸法は、基板１とプラズマ出口開口４の距離が約２００ｍｍから３００ｍｍである。このようにして、この装置は、比較的小型に設計できる。チャネル１３は、互いに電気的に絶縁されたカスケード板１４と陽極１２に囲まれている。基板を処理している間に、処理室５の圧力は、比較的低く、特に５０００Ｐａよりも低く、好ましくは、５００Ｐａよりも低く保たれる。とりわけ処理時圧力および処理室の寸法は、成長処理をこれまでどおり実施できるものであることは当然である。実際には、本例示的な実施形態の処理室の処理圧力は、この目的のためには、少なくとも約０．１ｍｂａｒであることが分かっている。上記処理圧力を得るのに必要なポンプ手段は図示されていない。プラズマは、例えば、プラズマ源３の陰極１０と陽極１２の間にあるアルゴンなどの不活性ガスを点火することによってそれら陰極と陽極の間に発生する。プラズマがプラズマ源３内に発生すると、予室１１内の圧力は、処理室５内の圧力よりも高くなる。この圧力は、例えば、およそ大気圧であり、０．５から１．５ｂａｒの範囲内にある。処理室５内の圧力は、予室１１における圧力よりもかなり低いので、発生するプラズマＰの一部が、比較的細いチャネル１３を経由して、出口開口４から処理室５に広がり、基板１の表面に接触する。
【００２１】
この装置には、プラズマ源３の陽極板１２と処理室５、それぞれの中のプラズマＰにアンモニアとシランの流れを供給するガス供給手段６、７が備えられている。このアンモニア供給手段は、プラズマＰの中にプラズマ源３近辺にあるアンモニアを導入するよう構成されているアンモニア注入器６を有する。シラン供給手段７には、基板１近辺においてプラズマ出口開口４から下流に向かってシランをプラズマＰに供給するシャワーヘッド７が設けられている。この装置には、ガス流量調整手段を経由してガス供給手段６、７に連結されるアンモニア・ガス・ソースおよびシラン・ガス・ソース（図示せず）が備えられている。本例示的な実施形態では、プラズマ源３がシラン、アンモニア、水素、および／または、窒素などのいかなる反応ガスにも影響されることがあり得ないように、使用中に、そのような反応ガスがプラズマ源３内のプラズマに供給されることはない。
【００２２】
基板１の不動態化には、プラズマＰが基板１の基板表面に接触するように、上述のような方法でプラズマ継続源３がプラズマＰを発生する。シランおよびアンモニアの流れが、特定のシラン／アンモニア流量比率でガス供給手段６、７を経由してプラズマＰに供給される。このとき、ＰＥＣＶＤ処理法の処理パラメータ、少なくとも処理室内の圧力、基板温度、プラズマ源３と基板１の間の距離Ｌ、シラン流量およびアンモニア流量は、ＳｉＮｘ：Ｈ層が５ｎｍ／ｓを上回る好条件の成長速度で基板１上に蒸着されるような数値を有している。
【００２３】
プラズマ継続源は、プラズマを発生できるＤＣ電圧の下で動作するので、ＳｉＮｘ：Ｈ層は、蒸着中、簡単に、実質的に調整なしに一定の成長速度で成長する。 このことは、高周波プラズマ源を使用するときに有利である。さらに、ＤＣプラズマ継続源によって比較的大きい成長速度を達成することができる。
【００２４】
（実施例）
本発明による方法によって、ＳｉＮｘ：Ｈのパッシベーション層が、約２０ｎｍ／ｓの成長速度で多結晶質シリコン基板の基板表面の上に蒸着した。このとき、処理パラメータは、表１に示す値に設定された。蒸着後、およそ１５から２０原子％の水素がＳｉＮｘ：Ｈ層に取り込まれ、一方、ＳｉＮｘ：Ｈ層内の原子窒素／シリコン比ｘが１．０から１．５の範囲にあることが分かった。その後、基板の加熱処理が行われて、ＳｉＮｘ：Ｈ層の温度が、比較的短い加熱時間に渡って７００から１０００℃の温度に維持された。上記加熱処理の後、基板に関し、バルク・パッシベーションと表面パッシベーションの両方が良好に実施されて赤色反応および青色反応双方を示した結果が得られた。さらに、このようにして得られた基板の開放端子電圧は、約６１０ｍＶであった。このような基板は、上記端子電圧によって太陽電池の効率が高くなるので、例えば、太陽電池に使用するのに非常に適している。このとき、ＳｉＮｘ：Ｈ層は、単に、無反射層として機能することができる。
【表１】
【００２５】
添付の請求項目において述べられているように、本発明の範囲内で、種々な変更が可能であることは当然である。
【００２６】
ＰＥＣＶＤ処理法によって基板上に蒸着されたＳｉＮｘ：Ｈ層の厚さは、例えば、１０から１０００ｎｍの範囲内にあり得る。
【００２７】
その上、本発明による方法を利用して不動態化するのに様々な半導体材料の基板を使用することができる。
【００２８】
さらに、例えば、処理室上に取り付けられた１つ以上のプラズマ源を使用して本方法を実行できる。
【００２９】
その上、基板を、例えば、処理室に取り付けられた真空になったロード・ロックのような真空環境から処理室５内に装荷することができる。その場合、装荷中の処理室５内の圧力を所望の低い値に維持することができる。さらに、処理室５内の圧力が大気圧下にあるとき、基板を、例えば、処理室５内に持ち込み、その後、処理室５を密閉して、ポンプ手段によって処理室５を所望の圧力に真空排気できる。
【００３０】
その上、プラズマ継続源は、例えば、排他的にアルゴンを含むプラズマを発生させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】基板を扱う装置の概略横断面図を示す。
【図２】プラズマ継続源を示す図１の横断面図の詳細を示す。
本発明は半導体基板を不動態化する方法に関する。
【０００２】
上記のような方法は従来から知られており、刊行物、Ｗ．Ｊ．スコープら（Ｗ．Ｊ．Ｓｃｏｐｅ ｅｔ ａｌ．）の、「ＳｉＮ層を不動態化・蒸着する高効率ＰＥＣＶＤリアクター」（Ａ ｈｉｇｈ ｔｈｒｏｕｇｈｐｕｔ ＰＥＣＶＤ ｒｅａｃｔｏｒ ｆｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ ｐａｓｓｉｖａｔｉｎｇ ＳｉＮ ｌａｙｅｒｓ）、第１６回ＥＰＶＳＥＣ（Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ Ｓｏｌａｒ Ｅｎｅｒｇｙ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｘｈｉｂｉｔｉｏｎ）、２０００年 ５月、を参照されたい。本方法では、プラズマ助長型化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）法によって、ＳｉＮｘ：Ｈ層を比較的多数の基板に同時に蒸着する。本方法では、反応ガスとして、シランおよびアンモニアを使用する。
【０００３】
上記の既知の方法を実行するのに、処理室内に配置されたＲｏｔｈ ＆ Ｒａｕプ社のラズマ源を使用する。このプラズマ源には、銅アンテナを有する２つの平行な石英管を備える。使用中は、処理すべき基板をこの処理室内の上記プラズマ源の下に置かれる。そして、プラズマ源によってプラズマを発生するとともに、そのプラズマに処理ガスのシランとアンモニアを供給する。とりわけプラズマと強い電磁場の影響を受けて上記処理ガスが様々なラジカルに分離し、ＳｉＮｘ：Ｈ層を基板表面に成長させる。高周波交流電圧によってＥＭ場（電磁場）を発生する。
【０００４】
基板に蒸着されたＳｉＮｘ：Ｈ層は、比較的固く、傷がつきにくい。さらに、実際に水に対し不浸透性を有する。その上、これらのＳｉＮｘ：Ｈ層は、それぞれが、例えば、無反射層として機能することができるとともに、その無反射層によって、基板に入射する光の望ましくない反射が減少する。例えば、この基板を太陽電池に使用したとき、このような反射は、望ましくない。
【０００５】
さらに、ＳｉＮｘ：Ｈ層は、基板に存在する位置ずれを修理するとき有利である。これらの位置ずれをＳｉＮｘ：Ｈからの原子水素を利用する水素パッシベーションによる既知の方法で少なくとも部分的に修理することができるというのが実状である。このようにして良好な光電気的性質を有する基板を得ることができる。
【０００６】
上述の水素パッシベーションには、バルク・パッシベーションと表面パッシベーションの両方を含むことができるので、基板のバルクと表面における格子欠陥がそれぞれ修理される。通常は、良好な表面パッシベーションは基板の良好な青色反応に関連する。これは、基板上に入射する、通常、基板内に短距離だけ入り込むことができる比較的多量の青色光が基板内に電荷キャリアを放出することを意味する。電荷キャリアは、伝導帯における自由電子および／または価電子帯における正孔を含む。良好な赤色応答と良好な青色反応を併せもつ基板は、例えば、効率の良い太陽電池の主要材料を形成するのに非常に適している。
【０００７】
上記既知の方法の欠点は、本方法で使用される遠隔ＰＥＣＶＤ処理法では、ＳｉＮｘ：Ｈ層の成長速度に関し、比較的低い成長速度、すなわち、１ｎｍ／ｓだけしか達成できないことである。さらに、本方法を実行するには、銅アンテナを有する比較的長い石英管を備える、比較的大きなプラズマ源を含む１つの装置が使用されるとともに、上記石英管は、基板処理室に沿って伸びている。したがって、このことは、上記プラズマ源の修理および／または交換を困難なものにしている。その上、単一の基板だけが扱われることになっているとき、このようなプラズマ源は、エネルギー、シランおよびアンモニアが多く消費されることを考えると有利ではない。また、一定の成長速度を得るためには、上記プラズマ源が使用する高周波交流電圧は、成長している間中繰り返し調整される必要がある。とりわけプラズマ源のインピーダンスが基板上の電気絶縁層が成長するにしたがい変化するので、このように、交流電圧を繰り返し調整する必要があるといえる。
【０００８】
本発明の目的は、上記の欠点を取り除く方法である。特に、本発明の目的とする方法によれば、基板の上にＳｉＮｘ：Ｈ層を簡単な方法で蒸着できる。
【０００９】
この目的のために、本発明による方法は、請求項１によって特徴付けられる。
【００１０】
このように、ＳｉＮｘ：Ｈ層を比較的速く基板上に形成することができる。基板は、圧力が比較的低い処理室に置かれるので、層がほとんど汚染されないように、蒸着を比較的塵のない条件のもとで実施できる。上記のプラズマ継続源は、比較的高い内部動作圧力でプラズマを発生することができる。処理室の比較的低い圧力には、プラズマ継続源からのプラズマは、基板処理のために、比較的高速度で、詳細には、実質的に超音速で処理室上に配置されたプラズマ継続源を離れるというさらなる利点がある。このように、プラズマをうまく束ねて基板に当てることができ、したがって、層成長速度が所望の比較的高い成長速度になる。上記の束ねる方法によって、ＳｉＮｘ：Ｈ層を基板に形成するインライン方法が可能になる。その上、プラズマ継続源は、比較的簡単に維持できるプラズマ源である。本方法が、特に、単一の基板を扱うのに適しているのは、プラズマ継続源が、基板表面の寸法に適応したプラズマ束を発生させることができるからである。
【００１１】
ＰＥＣＶＤ処理法の処理パラメータに関しては、少なくとも、処理室の圧力、シラン流量およびアンモニア流量、基板温度、処理室の寸法、および、少なくとも１つのプラズマ源と基板表面の間の距離は、５ｎｍ／ｓ、詳細には、１５ｎｍ／ｓよりも高速の成長速度でＳｉＮｘ：Ｈ層が基板上に蒸着されるような値となっているのが好ましい。この目的のために処理パラメータは以下の値であることが望ましい。
【００１２】
１プラズマ源あたりのシラン流量が０．０５ｓｌｍ（１分あたりの標準リットル）よりも大きく、詳細には、０．００５から１．０ｓｌｍの範囲内にあること。
【００１３】
１プラズマ源あたりのアンモニアの流量が約０．２ｓｌｍよりも大きく、詳細には、０．２から２．５ｓｌｍの範囲内にあること。
【００１４】
少なくとも１つのプラズマ源のプラズマ出口開口と基板の間の距離が１００ｍｍから７５０ｍｍの範囲内にあること。および、
基板温度が３５０から４５０℃の範囲内にあること。
【００１５】
本発明による方法を用いて得られたＳｉＮｘ：Ｈ層によれば、基板のバルク・パッシベーションおよび／または表面パッシベーションが良好に行われて、良好な青色反応が観測されるようになることが分かる。本方法では、開放端末電圧が約６１０ｍＶである基板が得られ、本基板によって赤色反応と青色反応の双方が可能となる。
【００１６】
本発明のさらに詳細な態様によれば、基板の両側面を本発明による処理法にしたがって処理することができる。これによって、本発明による方法の利点がさらに増す。
【００１７】
本発明のさらに詳細な態様によれば、このＳｉＮｘ：Ｈ層を形成すると、シラン流量とアンモニア流量の間の比率を変えることができる。この結果、形成されるべき層の屈折率が変わる。このことは、特に太陽電池を生産するとき、非常に重要になることがある。というのは、これによって、太陽電池の効率を向上させることが可能となるからである。ここで考慮すべきは、顕著な改良である０．２％の効率向上が得られることである。周知のように、太陽電池は、ＥＶＡフィルムが形成されているガラス板から構成されている。このＥＶＡフィルム上には、ＳｉＮｘ：Ｈ層を有する基板が存在している。ガラスの屈折率は、約１．５であり、ＥＶＡのそれは、１．７、また、シリコンのそれは、３．４４である。このＳｉＮｘ：Ｈ層の屈折率については、層の厚みの方向に、例えば、１．９から２．２から段階的に増加することもあり得る。単一のプラズマ源を使用しているときでもシランとアンモニアの比率を変えることができる。しかしながら、本発明のさらに詳細な態様によれば、相異なるプラズマ源を利用することも可能であって、第１のプラズマ源のシラン／アンモニアの比率を一定とするが、その比率は、シラン／アンモニアの比率もまた一定である次の第２のプラズマ源のそれとは異なるものとすることができる。このようにして、いわば、相異なる屈折率を有する相異なるＳｉＮｘ：Ｈ層が、相次ぐプラズマ源によって連続的に形成される。本発明のさらなる詳細態様は、従属請求項に記載されている。
【００１８】
次に、１つの例示的な実施形態と図面を参照して本発明を説明する。
【００１９】
図１と２に示す装置は、ＰＥＣＶＤ処理室５を備え、その処理室５の上には、ＤＣ（直流）プラズマ継続源３が設けられている。ＤＣプラズマ継続源３は、ＤＣ電圧によってプラズマを発生するように構成される。この装置には、処理室５内において、プラズマ源３の出口開口４と対向する側に１つの基板１を保持する基板ホールダ８が備えられる。この装置は、処理中基板１を加熱する加熱手段（図示せず）をさらに含んでいる。
【００２０】
図２に示すように、プラズマ継続源３の予室１１には、陰極１０が、また、プラズマ継続源３の、処理室５に近い１つの側面には、 陽極１２が設けられている。予室１１は、比較的細いチャネル１３とプラズマ出口開口４を経由して、処理室５に通じている。この装置の寸法は、基板１とプラズマ出口開口４の距離が約２００ｍｍから３００ｍｍである。このようにして、この装置は、比較的小型に設計できる。チャネル１３は、互いに電気的に絶縁されたカスケード板１４と陽極１２に囲まれている。基板を処理している間に、処理室５の圧力は、比較的低く、特に５０００Ｐａよりも低く、好ましくは、５００Ｐａよりも低く保たれる。とりわけ処理時圧力および処理室の寸法は、成長処理をこれまでどおり実施できるものであることは当然である。実際には、本例示的な実施形態の処理室の処理圧力は、この目的のためには、少なくとも約０．１ｍｂａｒであることが分かっている。上記処理圧力を得るのに必要なポンプ手段は図示されていない。プラズマは、例えば、プラズマ源３の陰極１０と陽極１２の間にあるアルゴンなどの不活性ガスを点火することによってそれら陰極と陽極の間に発生する。プラズマがプラズマ源３内に発生すると、予室１１内の圧力は、処理室５内の圧力よりも高くなる。この圧力は、例えば、およそ大気圧であり、０．５から１．５ｂａｒの範囲内にある。処理室５内の圧力は、予室１１における圧力よりもかなり低いので、発生するプラズマＰの一部が、比較的細いチャネル１３を経由して、出口開口４から処理室５に広がり、基板１の表面に接触する。
【００２１】
この装置には、プラズマ源３の陽極板１２と処理室５、それぞれの中のプラズマＰにアンモニアとシランの流れを供給するガス供給手段６、７が備えられている。このアンモニア供給手段は、プラズマＰの中にプラズマ源３近辺にあるアンモニアを導入するよう構成されているアンモニア注入器６を有する。シラン供給手段７には、基板１近辺においてプラズマ出口開口４から下流に向かってシランをプラズマＰに供給するシャワーヘッド７が設けられている。この装置には、ガス流量調整手段を経由してガス供給手段６、７に連結されるアンモニア・ガス・ソースおよびシラン・ガス・ソース（図示せず）が備えられている。本例示的な実施形態では、プラズマ源３がシラン、アンモニア、水素、および／または、窒素などのいかなる反応ガスにも影響されることがあり得ないように、使用中に、そのような反応ガスがプラズマ源３内のプラズマに供給されることはない。
【００２２】
基板１の不動態化には、プラズマＰが基板１の基板表面に接触するように、上述のような方法でプラズマ継続源３がプラズマＰを発生する。シランおよびアンモニアの流れが、特定のシラン／アンモニア流量比率でガス供給手段６、７を経由してプラズマＰに供給される。このとき、ＰＥＣＶＤ処理法の処理パラメータ、少なくとも処理室内の圧力、基板温度、プラズマ源３と基板１の間の距離Ｌ、シラン流量およびアンモニア流量は、ＳｉＮｘ：Ｈ層が５ｎｍ／ｓを上回る好条件の成長速度で基板１上に蒸着されるような数値を有している。
【００２３】
プラズマ継続源は、プラズマを発生できるＤＣ電圧の下で動作するので、ＳｉＮｘ：Ｈ層は、蒸着中、簡単に、実質的に調整なしに一定の成長速度で成長する。 このことは、高周波プラズマ源を使用するときに有利である。さらに、ＤＣプラズマ継続源によって比較的大きい成長速度を達成することができる。
【００２４】
（実施例）
本発明による方法によって、ＳｉＮｘ：Ｈのパッシベーション層が、約２０ｎｍ／ｓの成長速度で多結晶質シリコン基板の基板表面の上に蒸着した。このとき、処理パラメータは、表１に示す値に設定された。蒸着後、およそ１５から２０原子％の水素がＳｉＮｘ：Ｈ層に取り込まれ、一方、ＳｉＮｘ：Ｈ層内の原子窒素／シリコン比ｘが１．０から１．５の範囲にあることが分かった。その後、基板の加熱処理が行われて、ＳｉＮｘ：Ｈ層の温度が、比較的短い加熱時間に渡って７００から１０００℃の温度に維持された。上記加熱処理の後、基板に関し、バルク・パッシベーションと表面パッシベーションの両方が良好に実施されて赤色反応および青色反応双方を示した結果が得られた。さらに、このようにして得られた基板の開放端子電圧は、約６１０ｍＶであった。このような基板は、上記端子電圧によって太陽電池の効率が高くなるので、例えば、太陽電池に使用するのに非常に適している。このとき、ＳｉＮｘ：Ｈ層は、単に、無反射層として機能することができる。
【表１】
添付の請求項目において述べられているように、本発明の範囲内で、種々な変更が可能であることは当然である。
【００２６】
ＰＥＣＶＤ処理法によって基板上に蒸着されたＳｉＮｘ：Ｈ層の厚さは、例えば、１０から１０００ｎｍの範囲内にあり得る。
【００２７】
その上、本発明による方法を利用して不動態化するのに様々な半導体材料の基板を使用することができる。
【００２８】
さらに、例えば、処理室上に取り付けられた１つ以上のプラズマ源を使用して本方法を実行できる。
【００２９】
その上、基板を、例えば、処理室に取り付けられた真空になったロード・ロックのような真空環境から処理室５内に装荷することができる。その場合、装荷中の処理室５内の圧力を所望の低い値に維持することができる。さらに、処理室５内の圧力が大気圧下にあるとき、基板を、例えば、処理室５内に持ち込み、その後、処理室５を密閉して、ポンプ手段によって処理室５を所望の圧力に真空排気できる。
【００３０】
その上、プラズマ継続源は、例えば、排他的にアルゴンを含むプラズマを発生させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】基板を扱う装置の概略横断面図を示す。
【図２】プラズマ継続源を示す図１の横断面図の詳細を示す。
Claims (20)
- 半導体基板を不動態化する方法であって、
水素化された層であるＳｉＮｘ：Ｈ層が、
基板（１）が、少なくとも１つの内部の長さ、内部の幅、内部の高さ、および／または内径などの前記基板（１）を収容可能な所定の内部処理室寸法を有する処理室（５）内に置かれるステップと、
前記処理室内の圧力を所定の処理圧力に維持するステップと、
前記基板（１）を所定の処理温度に維持するステップと、
前記処理室（５）に取り付けられ、基板表面から所定の距離（Ｌ）にある少なくとも１つの直流のプラズマ継続源（３）によってプラズマ（Ｐ）を発生するステップと、
前記各プラズマ源（３）によって生じた前記プラズマ（Ｐ）の少なくとも一部を前記基板表面と接触させるステップと、
シランおよびアンモニアの流れをプラズマ（Ｐ）の前記一部に供給するステップとを含むＰＥＣＶＤ処理法によって前記基板（１）の表面上に蒸着される、方法。 - 前記ＰＥＣＶＤ処理法の処理パラメータに関して、少なくとも、前記所定の処理圧力、前記シラン流量および前記アンモニア流量、前記所定の処理温度、前記所定の内部処理室寸法と前記所定の距離（Ｌ）は、
５ｎｍ／ｓよりも高速の成長速度でＳｉＮｘ：Ｈ層が前記基板（１）上に蒸着されることが可能であるような値に設定されている
ことを特徴とする、請求項１に記載の方法。 - １プラズマ継続源（３）あたりのシラン流量が０．０５から１．０ｓｌｍの範囲内にあることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
- １プラズマ継続源（３）あたりのアンモニア流量が０．２から２．５ｓｌｍの範囲内にあることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも１つの前記プラズマ源（３）と前記基板の表面の間の前記所定の距離（Ｌ）が、１００ｍｍから７５０ｍｍの範囲内にあることを特徴とする、少なくとも請求項２に記載の方法。
- 少なくとも１つの前記プラズマ源（３）近辺の前記処理室（５）内の前記プラズマ（Ｐ）に前記アンモニアを供給することを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
- 前記処理室（５）内の前記基板（１）近辺の前記プラズマ（Ｐ）に前記シランを供給することを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
- 前記所定の処理温度が３５０から４５０℃の範囲内にあることを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
- 前記所定の処理圧力が５０００Ｐａよりも低いことを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
- 前記処理パラメータに関し、少なくとも前記シランの流量／前記アンモニアの流量の比は、前記ＳｉＮｘ：Ｈ層の蒸着中に、約１５から２０原子％の水素が該層に取り込まれることが可能な値に設定されていることを特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
- 前記シランの流量／前記アンモニアの流量の比が０．１５から０．２５の範囲内にあることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
- 前記処理パラメータは、前記ＳｉＮｘ：Ｈ層内の原子窒素／シリコンの比ｘが１．０から１．５の範囲内にあるような値であるように設定されていることを特徴とする、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも、前記基板（１）に蒸着された前記ＳｉＮｘ：Ｈ層を加熱処理し、前記層の温度を特定の加熱時間に渡って７００から１０００℃の温度に維持することを特徴とする、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ＰＥＣＶＤ処理法によって前記基板（１）に蒸着された前記ＳｉＮｘ：Ｈ層の厚さが、１０から１０００ｎｍの範囲内にあることを特徴とする、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板（１）は多結晶質シリコン基板であることを特徴とする、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
- 前記各プラズマ継続源において、ＤＣ電圧を使用して前記プラズマを発生させることを特徴とする、請求項１から１５のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項１から１６のいずれか一項に記載の方法に従って、前記基板の表面と裏面との両側面を処理することを特徴とする、請求項１から１６のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ＳｉＮｘ：Ｈ層を形成中に、前記シランの流量と前記アンモニアの流量の間の比率が変化することを特徴とする、請求項１から１７のいずれか一項に記載の方法。
- 相異なるプラズマ源を連続的に使用して前記比率の変化が実現され、第１のプラズマ源のシラン／アンモニアの比率を一定とするが、その比率は、シラン／アンモニアの比率もまた一定である次のプラズマ源のそれとは異なることを特徴とする、請求項１８に記載の方法。
- 単一のプラズマ源内においてシランおよびアンモニアの流量を変化させること
によって、前記比率の変化が実現される、請求項１８に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1020634A NL1020634C2 (nl) | 2002-05-21 | 2002-05-21 | Werkwijze voor het passiveren van een halfgeleider substraat. |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005005280A JP2005005280A (ja) | 2005-01-06 |
| JP2005005280A5 JP2005005280A5 (ja) | 2009-11-19 |
| JP4441607B2 true JP4441607B2 (ja) | 2010-03-31 |
Family
ID=29398575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003143908A Expired - Fee Related JP4441607B2 (ja) | 2002-05-21 | 2003-05-21 | 半導体基板を不動態化する方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6946404B2 (ja) |
| EP (1) | EP1365042A1 (ja) |
| JP (1) | JP4441607B2 (ja) |
| KR (1) | KR101056300B1 (ja) |
| NL (1) | NL1020634C2 (ja) |
| TW (1) | TWI252523B (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6866901B2 (en) | 1999-10-25 | 2005-03-15 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
| US20090191342A1 (en) * | 1999-10-25 | 2009-07-30 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
| US20100330748A1 (en) | 1999-10-25 | 2010-12-30 | Xi Chu | Method of encapsulating an environmentally sensitive device |
| US20070196682A1 (en) * | 1999-10-25 | 2007-08-23 | Visser Robert J | Three dimensional multilayer barrier and method of making |
| US7198832B2 (en) * | 1999-10-25 | 2007-04-03 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
| US20090208754A1 (en) * | 2001-09-28 | 2009-08-20 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
| US8808457B2 (en) * | 2002-04-15 | 2014-08-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
| US8900366B2 (en) * | 2002-04-15 | 2014-12-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
| NL1020923C2 (nl) * | 2002-06-21 | 2003-12-23 | Otb Group Bv | Werkwijze alsmede inrichting voor het vervaardigen van een katalysator. |
| US7648925B2 (en) * | 2003-04-11 | 2010-01-19 | Vitex Systems, Inc. | Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks |
| US7510913B2 (en) * | 2003-04-11 | 2009-03-31 | Vitex Systems, Inc. | Method of making an encapsulated plasma sensitive device |
| NL1025096C2 (nl) * | 2003-12-21 | 2005-06-23 | Otb Group Bv | Werkwijze alsmede inrichting voor het vervaardigen van een functionele laag bestaande uit ten minste twee componenten. |
| NL1029647C2 (nl) * | 2005-07-29 | 2007-01-30 | Otb Group Bv | Werkwijze voor het passiveren van ten minste een deel van een substraatoppervlak. |
| US7767498B2 (en) | 2005-08-25 | 2010-08-03 | Vitex Systems, Inc. | Encapsulated devices and method of making |
| DE102006043943A1 (de) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Leybold Optics Gmbh | Verfahren zum Aufbringen von Schichten auf Substraten mit gekrümmten Oberflächen |
| USH2207H1 (en) * | 2007-01-05 | 2007-12-04 | Bijker Martin D | Additional post-glass-removal processes for enhanced cell efficiency in the production of solar cells |
| JP5095524B2 (ja) * | 2008-06-26 | 2012-12-12 | 株式会社ユーテック | プラズマｃｖｄ装置及び磁気記録媒体の製造方法 |
| US7915154B2 (en) | 2008-09-03 | 2011-03-29 | Piwczyk Bernhard P | Laser diffusion fabrication of solar cells |
| EP2365534A4 (en) * | 2008-12-02 | 2014-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | METHOD FOR PRODUCING A SOLAR BATTERY CELL |
| US9184410B2 (en) * | 2008-12-22 | 2015-11-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output |
| US9337446B2 (en) * | 2008-12-22 | 2016-05-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output |
| US20100167002A1 (en) * | 2008-12-30 | 2010-07-01 | Vitex Systems, Inc. | Method for encapsulating environmentally sensitive devices |
| DE102009036982A1 (de) | 2009-08-12 | 2011-02-17 | Q-Cells Se | Verfahren und Vorrichtung zur plasmaunterstützten Gasphasenabscheidung für photovoltaisches Element |
| US8590338B2 (en) | 2009-12-31 | 2013-11-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Evaporator with internal restriction |
| US20120235274A1 (en) * | 2011-03-14 | 2012-09-20 | Doyle Brian S | Semiconductor structure having an integrated double-wall capacitor for embedded dynamic random access memory (edram) and method to form the same |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4223048A (en) * | 1978-08-07 | 1980-09-16 | Pacific Western Systems | Plasma enhanced chemical vapor processing of semiconductive wafers |
| JPS61222534A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-03 | Anelva Corp | 表面処理方法および装置 |
| JPH02250974A (ja) * | 1989-03-23 | 1990-10-08 | Sony Corp | 光反応装置 |
| KR930703707A (ko) * | 1991-01-30 | 1993-11-30 | 죤 죠셉 우르수 | 폴리실리콘 박막 트랜지스터 |
| JPH0555207A (ja) * | 1991-08-29 | 1993-03-05 | Nikko Kyodo Co Ltd | 半導体装置 |
| JP3211302B2 (ja) * | 1991-11-07 | 2001-09-25 | カシオ計算機株式会社 | 窒化シリコン膜 |
| JPH05190575A (ja) * | 1992-01-13 | 1993-07-30 | Murata Mfg Co Ltd | 化合物半導体ｍｅｓｆｅｔにおけるｌｄｄ構造の形成方法 |
| JPH06204138A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Canon Inc | 薄膜形成方法および薄膜形成装置および半導体素子 |
| JPH06216121A (ja) * | 1993-01-14 | 1994-08-05 | Nippondenso Co Ltd | 装置保護膜 |
| JPH08227834A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Sony Corp | 半導体ウェーハ及びその製造方法 |
| JP3220645B2 (ja) * | 1996-09-06 | 2001-10-22 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5871591A (en) * | 1996-11-01 | 1999-02-16 | Sandia Corporation | Silicon solar cells made by a self-aligned, selective-emitter, plasma-etchback process |
| US6091021A (en) * | 1996-11-01 | 2000-07-18 | Sandia Corporation | Silicon cells made by self-aligned selective-emitter plasma-etchback process |
| US6213049B1 (en) * | 1997-06-26 | 2001-04-10 | General Electric Company | Nozzle-injector for arc plasma deposition apparatus |
| EP0887737B1 (en) | 1997-06-26 | 2003-01-22 | Hewlett-Packard Company, A Delaware Corporation | Reversible connectors |
| US6110544A (en) * | 1997-06-26 | 2000-08-29 | General Electric Company | Protective coating by high rate arc plasma deposition |
| KR100458842B1 (ko) * | 1997-12-01 | 2005-04-06 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 및 제조 방법 |
| TW457555B (en) * | 1998-03-09 | 2001-10-01 | Siemens Ag | Surface passivation using silicon oxynitride |
| DE19812558B4 (de) | 1998-03-21 | 2010-09-23 | Roth & Rau Ag | Vorrichtung zur Erzeugung linear ausgedehnter ECR-Plasmen |
| WO2000003425A1 (en) * | 1998-07-10 | 2000-01-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma process to deposit silicon nitride with high film quality and low hydrogen content |
| JP2000174019A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4496401B2 (ja) * | 2000-09-14 | 2010-07-07 | 三菱電機株式会社 | プラズマｃｖｄ装置および太陽電池の製造方法 |
| JP2002100791A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Canon Inc | 太陽電池の製造方法 |
| US6641673B2 (en) * | 2000-12-20 | 2003-11-04 | General Electric Company | Fluid injector for and method of prolonged delivery and distribution of reagents into plasma |
| JP2004047634A (ja) * | 2002-07-10 | 2004-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
-
2002
- 2002-05-21 NL NL1020634A patent/NL1020634C2/nl not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-05-21 TW TW092113743A patent/TWI252523B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-05-21 EP EP03076530A patent/EP1365042A1/en not_active Withdrawn
- 2003-05-21 KR KR1020030032409A patent/KR101056300B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-05-21 JP JP2003143908A patent/JP4441607B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-03 US US10/452,929 patent/US6946404B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6946404B2 (en) | 2005-09-20 |
| TW200400552A (en) | 2004-01-01 |
| KR101056300B1 (ko) | 2011-08-11 |
| EP1365042A1 (en) | 2003-11-26 |
| TWI252523B (en) | 2006-04-01 |
| US20040029334A1 (en) | 2004-02-12 |
| NL1020634C2 (nl) | 2003-11-24 |
| KR20030091733A (ko) | 2003-12-03 |
| JP2005005280A (ja) | 2005-01-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4441607B2 (ja) | 半導体基板を不動態化する方法 | |
| JP3801730B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置及びそれを用いた薄膜形成方法 | |
| US4543267A (en) | Method of making a non-single-crystalline semi-conductor layer on a substrate | |
| US4481229A (en) | Method for growing silicon-including film by employing plasma deposition | |
| JPH0752718B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH05275345A (ja) | プラズマｃｖｄ方法およびその装置 | |
| US4292343A (en) | Method of manufacturing semiconductor bodies composed of amorphous silicon | |
| EP0539948A2 (en) | Apparatus for forming metal film and process for forming metal film | |
| CN103262219A (zh) | 半导体层的氢钝化方法 | |
| Chae et al. | Ultrafast deposition of microcrystalline Si by thermal plasma chemical vapor deposition | |
| TW200824140A (en) | Methods and systems for manufacturing polycrystalline silicon and silicon-germanium solar cells | |
| JP7400389B2 (ja) | 炭化珪素多結晶膜、炭化珪素多結晶膜の製造方法および炭化珪素多結晶膜の成膜装置 | |
| JP4813637B2 (ja) | 薄膜多結晶シリコン及びシリコン系光電変換素子の製造方法 | |
| JPH08506215A (ja) | 高品質半導体材料製造のためのマイクロ波励起方法 | |
| JP2001291882A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| WO2012092051A2 (en) | Photovoltaic device structure with primer layer | |
| Watanabe et al. | Atomic-order thermal nitridation of Si (100) and subsequent growth of Si | |
| JPS6062113A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS6348817A (ja) | エピタキシヤル成長方法 | |
| JP3968649B2 (ja) | 薄膜形成方法と装置 | |
| JP3416546B2 (ja) | 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置 | |
| JPH06120144A (ja) | プラズマｃｖｄ装置とこれによる機能性堆積膜の形成方法 | |
| JPH0992855A (ja) | 光起電力素子の形成方法 | |
| JP3363504B2 (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
| JPH07273041A (ja) | 半導体薄膜の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060413 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090306 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090528 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090619 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090924 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090928 |
|
| A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20090928 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090929 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091030 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20091130 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091130 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140122 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |