NL1025096C2 - Werkwijze alsmede inrichting voor het vervaardigen van een functionele laag bestaande uit ten minste twee componenten. - Google Patents
Werkwijze alsmede inrichting voor het vervaardigen van een functionele laag bestaande uit ten minste twee componenten. Download PDFInfo
- Publication number
- NL1025096C2 NL1025096C2 NL1025096A NL1025096A NL1025096C2 NL 1025096 C2 NL1025096 C2 NL 1025096C2 NL 1025096 A NL1025096 A NL 1025096A NL 1025096 A NL1025096 A NL 1025096A NL 1025096 C2 NL1025096 C2 NL 1025096C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- plasma
- substrate
- source
- deposition
- sputtering
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 47
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 title claims description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 84
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 82
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 56
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 53
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 18
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 10
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 5
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 claims description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 241000264877 Hippospongia communis Species 0.000 claims description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 2
- 241000238634 Libellulidae Species 0.000 claims 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 78
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 210000002159 anterior chamber Anatomy 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
- C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
- C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
Description
© Octrooicentrum © 1025096
Nederland © C OCTROOI20 él) Aanvrage om octrooi: 1025096 © Int.CI.7 ^ C23C14/56, C23C16/30, C23C16/54, © Ingediend: 22.12.2003 C23C16/513 © Voorrang: © Octrooihouders): 21.12.2003 NL 1025094 OTB Group B.V. te Eindhoven.
© Ingeschreven: © Uitvinder(s): 23.06.2005 Martin Dinant Bijker te Helmond
Marinus Franciscus Johannes Evers te Heeze © Dagtekening: Franciscus Cornelius Dings te Veldhoven 23.06.2005 © Gemachtigde: © Uitgegeven: Mr.lr. J.H.F. Winckels c.s. te 2508 DH Den Haag.
01.09.2005 I.E. 2005/09 © Werkwijze alsmede inrichting voor het vervaardigen van een functionele laag bestaande uit ten minste twee componenten.
© Werkwijze voor het vervaardingen van een functionele laag, waarbij een substraat in een behandelingskamer wordt gebracht, waarbij ten /w&k minste één plasma wordt gegenereerd door ten 3\_ minste één plasmabron, waarbij ten minste één depositiemateriaal onder invloed van het plasma j op het substraat wordt gedeponeerd, waarbij tege- |
lijkertijd ten minste één tweede materiaal met 'sJWBI1IS
behulp van een tweede depositieproces op het 'T* //} v _e substraat wordt opgebracht, waarbij de functionele ^ ......v laag geen katalytische functie heeft. De uitvinding 6 ' Ίϋίι------ίψ® ' verschaft verder een inrichting die is voorzien van ia /* »\ ten minste één plasmabron om ten minste één / / \ / plasma op te wekken, waarbij de inrichting midde- ' / L ' len omvat om een eerste depositiemateriaal in elk ' - I l 1 p ^ plasma te brengen, waaibij de inrichting is voor- / l u <, zien van een tweede depositiebron, welke tweede | depositiebron is ingericht om tegelijkertijd met de ^ -10 ] ΐ .·°!-- ^
plasmabron ten minste een tweede depositie- ^ I I —- I K
materiaal op het substraat te deponeren, waarbij de functionele laag geen katalytisch actieve laag e is.
(O
O) o in cm--— —--- o i- De inhoud van dit octrooi komt overeen met de oorspronkelijk ingediende beschrijving met conclusie(s) en O eventuele tekeningen.
_j Octrooicentrum Nederland is het Bureau voor de Industriële Eigendom, een agentschap van het ministerie van Z Economische Zaken
Titel: Werkwijze alsmede inrichting voor het vervaardingen van een functionele laag bestaande uit ten minste twee componenten.
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het vervaardingen van een laag op een substraat met behulp van een PECVD-hron.
In de' praktijk bestaat soms de behoefte om lagen op te bouwen uit 5 diverse materialen. Daarbij kan het van voordeel zijn wanneer binnen een laag de materialen met elkaar zijn vermengd. De onderhavige uitvinding beoogt een werkwijze en een inrichting te verschaffen waarmee dergelijke samengestelde lagen kunnen worden vervaardigd.
Volgens de uitvinding wordt een werkwijze voor het vervaardingen 10 van een functionele laag verschaft, waarbij een substraat in een behandelingskamer wordt gebracht, waarbij ten minste één plasma wordt gegenereerd door ten minste één plasmabron, zoals bijvoorbeeld èen plasma· cascadebron, waarbij ten minste één depositiemateriaal onder invloed van het plasma op het substraat wordt gedeponeerd, waarbij tegelijkertijd ten 15 minste één tweede materiaal met behulp van een tweede depositieproces op het substraat wordt opgebracht, waarbij de functionele laag geen katalytische functie heeft.
Het uit de bij voorkeur als plasma-cascadebron uitgevoerde plasmabron stromende plasma heeft doorgaans een relatief hoge 20 uitstroomsnelheid, zodat het plasma nauwkeurig op het substraat kan worden gericht om het depositiemateriaal daarop te deponeren. Verder maakt het plasma precursoren voldoende chemisch actief om een binding aan te gaan om aldus uiteindelijk de functionele laag te vormen. Hiertoe kan de druk in de behandelingskamer relatief laag worden gehouden ten 25 opzichte van de druk in elke bron. Verder kunnen in het plasma gevormde ionen bijvoorbeeld door het plasma en/of een geschikt elektrisch veld naar een te bedekken oppervlak van het substraat worden versneld ten behoeve 1025096- 2 van de depositie op dat substraat. Door de combinatie van de plasmabron met een andere depositiebron kan een menglaag worden verkregen waarin verschillende materialen met elkaar zijn vermengd doordat beide depositieprocessen tegelijkertijd verlopen.
5 Doordat het plasma door ten minste één plasmabron, bij voorkeur uitgevoerd als een plasma-cascadebron, wordt gegenereerd, kan een hoge depositieenelheid van ten minste één depositiemateriaal worden verkregen. Bovendien maakt toepassing van deze bron een in-line werkwijze mogelijk voor het vervaardigen van functionele lagen. Daardoor kunnen de 10 functionele lagen in relatief grote aantallen met hoge snelheid worden geproduceerd.
Een voorbeeld van een mogelijke toepassing van de werkwijze volgens de uitvinding zou bijvoorbeeld het opbrengen van een ZnS:SiC>2 laag kunnen zijn. Dergelijke lagen worden bijvoorbeeld toegepast bij de fabricage 15 van herschrijfbare DVD's. De ZnS:SiC>2-laag wordt volgens de stand der techniek met behulp van een sputterproces vervaardigd. Een nadeel van die vervaardigingswerkwijze is dat de maskers die daarbij worden toegepast zeer snel vervuilen, hetgeen regelmatig reiniging van de maskers noodzakelijk maakt met het daarbij behorende verlies van 20 productiecapaciteit van het fabricageproces. Bovendien is het opbrengen van de laag met behulp van sputteren tamelijk traag. Met behulp van de werkwijze volgens de uitvinding zou bijvoorbeeld het ZnS met behulp van de plasmabron kunnen worden gedeponeerd uit di-ethylzink (DEZ) en H2S. Het S1O2 zou bijvoorbeeld met een sputterproces kunnen worden gedeponeerd.
25 Alternatief kan het S1O2 met een tweede plasmabron, zoals bijvoorbeeld een plasma-cascadebron, worden gedeponeerd door deze te voeden met zuurstof en silaan of met een vloeibare Si-precursor zoals TEOS.
Een ander voorbeeld van een mogelijke toepassing van de werkwijze volgens de uitvinding is de fabricage van reflectie werende, 30 warmte werende en/of optische filters voor de automobiel industrie. Ten 1025096- 3 behoeve van de fabricage van autoruiten wordt door het opbrengen van een folie op de voor en/of achterzijde van een autoruit een gelaagde structuur bewerkstelligd. Daarbij kan bijvoorbeeld gebruik worden gemaakt van een PET-folie. Op de PET-folie kan men met behulp van de werkwijze volgens 5 de uitvinding lagen aanbrengen met de genoemde functionaliteit. Daarbij kan bijvoorbeeld worden gedacht aan een combinatie van lagen bestaande uit MgF2 en Ti02. Bij het aanbrengen van coatings op grote oppervlakken met grote precisie is de depositiesnelheid van groot belang. Met behulp van de werkwijze volgens de uitvinding kunnen zeer hoge depositiesnelheden 10 worden gerealiseerd. Een combinatieproces van sputteren voor de metallische lagen en een cascadeboogproces voor de keramische lagen levert een enorm voordeel in de opbrengsnelheid. Zo zou bijvoorbeeld het Ti02 kunnen worden gevormd door titaandiethyl als vloeibare precursor en 02 als reactiegas in het plasma van de plaemacascadebron toe te voeren.
15 Volgens een nadere uitwerking van de uitvinding wordt het genoemde depositiemateriaal buiten de ten minste ene plasmabron in de behandelingskamer aan het plasma toegevoerd.
Daardoor wordt vermeden dat het depositiemateriaal de bron intern kan vervuilen. Hiertoe kan bijvoorbeeld ten minste één vluchtige 20 verbinding van het genoemde depositiemateriaal aan het plasma worden toegevoerd ten behoeve van de depositie. In dit geval kan de chemische samenstelling van de functionele laag goed worden beheerst door toevoer van de vluchtige verbinding van het functionele materiaal in te stellen. Door de dampspanning van de gasvormige verbindingen der aan te brengen 25 elementen in te stellen kan men de chemische samenstelling van de aan te brengen laag beheersen. De vluchtige verbinding kan tevens een precursor· materiaal bevatten dat in te deponeren materiaal kan decomponeren.
Volgens een nadere uitwerking van de werkwijze volgens de uitvinding is het tweede depositieproces gekozen uit de groep omvattende 30 PECVD, CVD, PVD, zoals sputteren, hollow cathode sputteren, opdampen • 025 096- 4 eventueel onder gebruikmaking van schuitjes, e-beam, en al dan niet ondersteund met een ionen proces, ion-plating, microwave-depositie, ICP (inductive coupled plasma), parallele plaat PECVD eventueel honey comb electrode structuren, en dergelijke.
5 Elk van deze depositieprocessen heeft zo zijn eigen voordelen bij specifieke toepassingen en materialen. Afhankelijk van de gewenste laag kunnen één of meerdere van de genoemde processen naast het PECVD dat met de plasmacascadebron wordt uitgevoerd worden ingezet.
Volgens een voordelige uitwerking van de uitvinding wordt ten 10 minste één sputterelektrode die het genoemde depositiemateriaal omvat, in de behandelingskamer opgesteld, waarbij het plasma in contact wordt gebracht met elke sputterelektrode om het substraat met het materiaal van de elektrode te sputteren.
Op deze manier kan het depositiemateriaal eenvoudig op het 15 substraat worden gesputterd onder behoud van bovengenoemde voordelen. Bij voorkeur bevat de ten minste ene sputterelektrode ten minste een deel van zowel het ten minste ene materiaal als het te deponeren andere materiaal. Door de gewichtsverhouding van de verschillende materialen in de elektrode in te stellen, kan de chemische samenstelling van de 20 functionele laag goed worden beheerst. Zonodig kan men zelfs uitgaan van een mengsel van poeders der gewenste metalen.
Verder kan de ten minste ene sputterelektrode bijvoorbeeld slechts dragermateriaal van de functionele laag bevatten. Zo kan men een elektrode van aluminiumoxide, siliciumdioxide, titaandioxide of zirkoondioxide 25 toepassen. Uiteraard kan men ook het overeenkomstige metaal van de beoogde drager als elektrode toepassen. Men kan de depositie van dat materiaal dan in een zuurstof bevattende gasatmosfeer uitvoeren. Verder kunnen bijvoorbeeld gasvormige verbindingen van te deponeren functionele componenten in het plasma worden gevoerd, bijvoorbeeld via in de elektrode 30 aangebrachte toevoerkanalen. Na depositie kan dan een thermische 1025096- 5 behandeling bij een verhoogde temperatuur eventueel onder bijzondere gasomstandigheden, bijvoorbeeld in een waterstofstroom, worden uitgevoerd ten behoeve van nabehandeling van de functionele laag.
De uitvinding heeft tevens betrekking op een inrichting voor het 5 vervaardingen van een functionele laag op een substraat, waarbij de inrichting is voorzien van ten minste één plasma-cascadebron om ten minste één plasma op te wekken, waarbij de inrichting middelen omvat om een eerste depositiemateriaal in elk plasma te brengen, waarbij de inrichting tevens is voorzien van substraatpositioneringsmiddelen om ten minste een 10 deel van een substraat in een zodanige positie in een behandelingskamer te brengen en/of houden, dat het substraat contact met het genoemde plasma maakt, waarbij de inrichting is voorzien van een tweede depositiebron, welke tweede depositiebron is ingericht om tegelijkertijd met de plasma-cascadebron ten minste een tweede depositiemateriaal op het substraat te 15 deponeren, waarbij de functionele laag geen katalytisch actieve laag is.
Met deze inrichting kunnen functionele lagen bestaande uit verschillende materialen relatief snel en met een hoge uniformiteit over een groot oppervlak, worden vervaardigd. Toepassing van de plasma-cascadebron biedt daarbij bovengenoemde voordelen.
20 Nadere uitwerkingen van de uitvinding zijn beschreven in de volgconclusies. Thans zal de uitvinding worden verduidelijkt aan de hand van twee uitvoeringsvoorbeèlden en de tekening. Daarin toont: fig· 1 een schematisch doorsnede-aanzicht van een eerste uitvoeringsvoorbeeld van een inrichting voor het vervaardigen van een 25 functionele laag die bestaat uit twee of meer materialen; fig. 2 een detail van het in fig. 1 weergegeven doorsnede-aanzicht, waarin de plasma-cascadebron is weergegeven; en fig. 3 een tweede uitvoeringsvoorbeeld van de uitvinding.
Figuren 1 en 2 tonen een inrichting voor het vervaardingen van een 30 functionele laag die twee of meer materialen bevat. De in de figuren 1 en 2 1025096- 6 getoonde inrichting is voorzien van een PECVD behandelingskamer 2 waarop een DC (direct current) plasma-cascadebron 3 is aangebracht. De DC plasma-cascadebron 3 is ingericht om met gelijkspanning een plasma P te genereren. De inrichting ie voorzien van een substraathouder 8 om één 5 substraat 1 tegenover een uitstroomopening 4 van de plasmabron 3 in de behandelingskamer 2 te houden.
Zoals is fig. 2 is weergegeven, is de plasma-cascadebron 3 voorzien van een kathode 10 die zich in een bronkamer 11 bevindt en een anode 12 die zich aan een naar de behandelingskamer 2 toegekeerde zijde van de bron 10 3 bevindt. De bronkamer 11 mondt via een relatief nauw kanaal 13 en de genoemde plaema-uitstroomopening 4 uit in de behandelingskamer 2. De inrichting is zodanig gedimensioneerd dat de afstand L tussen het substraat 1 en de plasma-uitstroomopening 4 circa 200 mm - 300 mm bedraagt. Daardoor kan de inrichting relatief compact worden uitgevoerd. Het kanaal 15 13 wordt begrensd door onderling elektrisch van elkaar geïsoleerde cascadeplaten 14 en de genoemde anode 12. Tijdens gebruik wordt de behandelingskamer 2 op een relatief lage druk gehouden, in het bijzonder lager dan 50 mbar, en bij voorkeur lager dan 5 mbar. Vanzelfsprekend dienen onder andere de behandelingsdruk en de afmetingen van de 20 behandelingskamer daarbij zodanig te zijn dat depositie nog kan plaatsvinden. In de praktijk blijkt de behandelingsdruk bij een behandelingskamer van het onderhavige uitvoeringsvoorbeeld hiertoe ten minste circa 0,1 mbar te bedragen. De voor het verkrijgen van de genoemde behandelingsdruk benodigde pompmiddelen zijn niet in de tekening 25 weergegeven. Tussen de kathode 10 en anode 12 van de bron 3 wordt een plasma gegenereerd, bijvoorbeeld door ontsteking van een zich daartussen bevindend edelgas, zoals argon. Wanneer het plasma in de bron 3 is gegenereerd, is de druk in de bronkamer 11 hoger dan de druk in de behandelingskamer 5. De druk in de bronkamer kan bijvoorbeeld in 30 hoofdzaak atmosferisch zijn en liggen in het bereik van 0,5-1,5 bar. Doordat 1025096- 7 de druk in de behandelingskamer 2 aanzienlijk lager is dan de druk in de bronkamer 11 expandeert een deel van het gegenereerd plasma P zodanig, dat het zich via het relatief nauwe kanaal 7 vanuit de genoemde uitstroomopening 4 tot in de behandelingskamer 2 uitstrekt om contact te 5 maken met het oppervlak van het substraat 1.
De inrichting is voorzien van een gastoevoerkanaal 7 om een debiet van een gas A aan het plasma P in de anodeplaat 12 van de bron 3 toe te voeren. Het gas A kan bijvoorbeeld een te deponeren functioneel materiaal omvatten. Verder omvat de inrichting een sputterelektrode 6 die in de 10 behandelingskamer 2 is opgesteld. In de figuur ie de sputterkathode 6 op afstand van de cascadebron 3 opgesteld. Echter, deze kathode 6 kan zich tevens nabij de cascadebron 3 bevinden of tegen die bron 3 aanliggen. De sputterelektrode 6 bevat ten minste één op het substraat te sputteren materiaal B, bijvoorbeeld een dragermateriaal. De sputterelektrode 6 is 15 zodanig opgesteld, dat het door de plasmabron 3 gegenereerde plasma P
tijdens gebruik het materiaal B van de sputterelektrode 6 op het substraat 1 sputtert. Hiertoe is de elektrode 6 uitgevoerd als een cilindrisch lichaam met een concentrische doorgang 9 waardoorheen het plasma P zich tijdens gebruik vanaf de bron 3 naar het substraat 1 uitstrekt. Ten behoeve van het 20 sputteren kan de elektrode 6 tijdens gebruik onder een zodanige elektrische spanning worden gezet, dat plasma-ionen op de elektrode 6 inslaan en elektrodemateriaal B ejecteren. Daarnaast kunnen plasma-ionen van zichzelf op de elektrode 6 inslaan door een inherent hoge kinetische energie van die ionen van het expanderende plasma P. In het onderhavige 25 uitvoeringsvoorbeeld zijn de sputterelektrode 6 en het gastoevoerkanaal 7 gescheiden van elkaar weergegeven. Daarnaast kunnen het gastoevoerkanaal 7 en de sputterelektrode bijvoorbeeld geïntegreerd zijn uitgevoerd om de materialen A en B op in hoofdzaak dezelfde locatie aan het plasma P toe te voeren.
1025: ' 8
Tijdens gebruik van het in figuren 1 en 2 weergegeven uitvoeringsvoorbeeld, worden de materialen A en B op het in de behandelingskamer 2 opgestelde substraat 1 gedeponeerd. Het door het kanaal 7 toegevoerde materiaal A wordt door het uit de bron 3 stromende 5 plasma P meegenomen en op het substraat 1 gedeponeerd. Het materiaal B van de elektrode 6 wordt tegelijkertijd door sputteren aan het substraat 1 toegevoerd. Door deze werkwijze kan op het substraat 1 een functionele laag, bevattende de materialen A en B, op zeer uniforme wijze worden aapgebracht. Aangezien de plasma-cascadebron onder gelijkspanning werkt 10 om het plasma op te wekken, kan de functionele laag eenvoudig, in hoofdzaak zonder bijregeling tijdens depositie, met een constante groeisnelheid worden gegroeid. Dit is voordelig ten opzichte van toepassing van een op HF werkende plasmabron, waarbij continue bijregeling doorgaans wel nodig is. Verder kan met een de DC plasma-cascadebron 3 15 een relatief hoge depositiesnelheid worden verkregen. Tijdens de depositie van de materialen A, B kan het substraat 1 verder op een bepaalde elektrische potentiaal zijn gebracht, zoals door DC, gepulste DC en/of RF biasing, bijvoorbeeld om homogeniteit van de depositie verder te bevorderen. Daarnaast kan het substraat 1 op een bepaalde behandelingstemperatuur 20 zijn gebracht door niet weergegeven, uit de praktijk bekende verwarmingsmiddelen.
Figuur 3 toont een tweede uitvoeringsvoorbeeld van een inrichting voor het vervaardigen van een baan waarop een functionele laag is aangebracht. Het tweede uitvoeringsvoorbeeld is ingericht om een 25 functionele laag die bestaat uit twee of meer materialen in-line op een substraatweb in de vorm van een lang, plaatvormig, oprolbaar substraat 101 te deponeren. Deze inrichting is voorzien van een substraattoevoerrol 110 waarop de substraatplaat 101 is gewikkeld. De toevoerrol 110 is ingericht om de plaat 101 tijdens gebruik aan een behandelingskamer 102 30 toe te voeren. Verder omvat de inrichting een afvoerrol om het oprolbare 1025096- 9 substraat 101 van de behandelingekamer 102 af te voeren. Tussen de toevoerrol 110 en de behandelingskamer 102 is een met elkaar samenwerkend paar walsen 112 opgesteld om het van de toevoerrol 110 afgerolde substraat 101 te deformeren. Samenwerkende en op de 5 substraatplaat 101 aangrijpende buitenomtrekken van de walsen 112 zijn voorzien van in elkaar grijpende tanden, zodanig dat de walsen 112 de plaat 101 tijdens gebruik kartelen. Eventueel kunnen deze walsen in de inrichting ontbreken wanneer een vlakke substraatbaan gewenst is, zoals bijvoorbeeld een folie voorzien van een coating ten behoeve van het vervaardigen van 10 ruiten voor bijvoorbeeld automobielen, welke ruiten als gevolg van de gecoate folies zijn voorzien van warmtewerende, anti-reflectie of dergelijke optische filters.
Het tweede uitvoeringsvoorbeeld is voorzien van twee voorkamers 109 die aan weerszijden van de behandelingskamer 102 zijn opgesteld. De 15 behandelingekamer 102 wordt door een wand 104 van de voorkamers 109 gescheiden. De genoemde wand 104 van de behandelingskamer 102 is voorzien van doorgangen 105 voor transport van de substraatplaat 101 tussen die behandelingskamer 102 en de voorkamers 109. In elke doorgang 105 zijn twee tegenover elkaar opgestelde binnendoorvoer-kartelrollen 106 20 opgesteld, waarvan buitenomtrekken zijn voorzien van tanden die op de kartels van de plaat 101 aangrijpen. De wand 104 van de kamer 102 is verder voorzien van verzwenkbare, zich naar de binnendoorvoer-kartelrollen 106 uitstrekkende afsluitflappen 108 om een goede aansluiting tussen die kartelrollen 106 en de kamerwand 104 te verkrijgen. Elke voorkamer 109 is 25 voorzien van pompmiddelen 113 om die kamer 109 op een relatief lage druk te houden. Een buitenwand 114 van elke voorkamer 109 is eveneens voorzien van een doorgang 115 om de substraatplaat 101 in en uit die voorkamer 109 te voeren van resp. naar een omgeving. In elk van de laatstgenoemde doorgangen 115 zijn twee tegenover elkaar opgestelde 30 buitendoorvoer-kartelrollen 116 opgesteld, welke met buitenomtrekken op 1 025096- 10 de kartels van de plaat 101 aangrijpen. Elke voorkamer 109 is verder voorzien van afsluitflappen 108 om een goede aansluiting tussen deze buitendoorvoer-kartelrollen 106 en de kamerbuitenwand 114 te verkrijgen. Tenslotte zijn in elke voorkamer 109 tussenkartelrollen 117 opgesteld, die 5 de buitendoorvoer-rollen 116 mechanisch aan de binnendoorvoer-rollen 106 koppelen. De door de doorvoer-rollen 106, 116 verschafte transportdoorgang om de plaat 101 vanuit een omgeving in de behandelingskamer 102 te brengen en vice-versa sluit relatief nauw op de plaat 101 aan, zodat relatief weinig omgevingslucht de behandelingskamer 102 kan bereiken. Daardoor 10 kan de druk in de behandelingskamer 102 relatief laag worden gehouden ten opzichte van een omgevingsdruk.
De behandelingskamer 102 is voorzien van twee plasma-cascadebronnen 103,103' die zijn ingericht om twee plasma's P, P' op te wekken. De cascadebronnen 103,103' zijn bovendien zodanig opgesteld, dat 15 deze bronnen 103, 103' tijdens gebruik op van elkaar afgekeerde substraatoppervlakken van het in de behandelingskamer 102 gevoerde substraat 101 zijn gericht om beide substraatoppervlakken in contact met plasma P, P' te kunnen brengen. Nabij elke plasmabron 103,103' is een gasdouchekop 120 in de behandelingskamer 102 opgesteld om een te deponeren 20 materiaal aan de respectieve plasma's P, P' toe te voeren. Verder is nabij elke plasma-cascadebron 103, 103' een aparte sputterbron 121, 121' opgesteld om materiaal op het substraat 101 via een sputterproces te deponeren. De behandelingskamer 102 omvat voorts pompmiddelen 119 om die kamer op een gewenste, lage druk te houden.
25 In de behandelingskamer 102 is tegenover elke plasmabron 103, 103' een verwarmbare substraatpositioneringsrol 118,118' opgesteld om het in de behandelingskamer 102 gevoerde substraat 101 langs de respectieve plasmabron P, P' te leiden en op een gewenste behandelingstemperatuur te brengen en/of houden. Door de opstelling van de positioneringsrollen 118, 1025096- 11 118' en de plasmabronnen 103,103' kan materiaal op beide zijden van de substraatplaat 101 in de behandelingskamer 102 worden gedeponeerd.
Tijdens gebruik van het tweede uitvoeringsvoorbeeld wordt de substraatplaat 101 door de toevoerrol 110 aan het walsenpaar 112 5 toegevoerd. De plaat 101 wordt vervolgens door dit walsenpaar 112 voorzien van kartels. Daarna wordt de plaat 101 via de rechts in de figuur 3 weergegeven voorkamer 109a in de behandelingskamer 102 gebracht. In de behandelingskamer 102 worden het ene materiaal en het andere materiaal bij de ene positioneringsrol 118 op de ene zijde van de gekartelde plaat 101 10 gedeponeerd. Depositie van het ene materiaal geschiedt bij voorkeur onder invloed van het plasma P van de ene plasma-cascadebron 103. De sputterbron 121 kan tegelijkertijd het andere materiaal op de substraatplaat 101 deponeren. Depositie van materiaal door de plasmabron 103 en de sputterbron 121 kan eenvoudig op elkaar worden afgestemd om 15 gewenste chemische en morfologische eigenschappen van de functionele laag te verkrijgen.
Na de depositie van materiaal op de ene zijde wordt de andere zijde van de substraatplaat 101 op overeenkomstige wijze door de andere plasmabron 103' en sputterbron 121' behandeld om op die zijde een 20 functionele laag te deponeren. Tijdens de behandeling van de plaat 101 kunnen de positioneringsrollen 118,118' op een gewenste behandelingetemperatuur zijn gebracht door niet weergegeven verwarmingsmiddelen, opdat de plaat 101 een gewenste depositietemperatuur verkrijgt. De plaat 101 wordt na de behandeling via 25 de linker voorkamer 109b uit de behandelingskamer 102 afgevoerd en om de afvoerrol 111 opgerold.
Met het tweede uitvoeringsvoorbeeld kan een functionele laag volgens een in-line proces worden vervaardigd, hetgeen uit commercieel oogpunt zeer aantrekkelijk is. Bovendien kan de samenstelling van de 30 functionele laag goed worden beheerst. Voordelen van toepassing van de 1025096- 12 cascadebronnen 103,103' zijn reeds in het bovenstaande uiteengezet. De van de functionele laag voorziene, gekartelde plaat 101 kan eenvoudig verder worden verwerkt. In plaats van het walsenpaar 112 voor het aanbrengen van de golf of kartels in de plaat 101 kunnen ook gladde walsen 5 worden toegepast. In plaats van een plaat 101 kan ook een folie worden toegepast van bijvoorbeeld PET.
Het spreekt vanzelf dat de uitvinding niet is beperkt tot de beschreven uitvoeringsvoorbeelden. Diverse wijzigingen zij mogelijk binnen het raam van de uitvinding zoals verwoord in de navolgende conclusies.
10 Zo kan het substraat bijvoorbeeld dragermateriaal, zoals een geoxideerd metaal en/of geoxideerde halfgeleider, omvatten, bijvoorbeeld aluminiumoxide, siliciumdioxide, titaandioxide en/of zirkoondioxide. Daarnaast kan het substraat een tot een dragermateriaal oxideerbaar materiaal omvatten. In het laatste geval kan de depositie in een zuurstof 15 bevattende omgeving worden uitgevoerd ter oxidatie van dat substraat-materiaal.
Daarnaast kan de sputterelektrode bijvoorbeeld zijn voorzien van fluïdumtoevoerkanalen om genoemde vluchtige verbindingen van aan te brengen functionele componenten in het plasma te brengen.
20 De sputterkathode kan verder op diverse manieren zijn uitgevoerd, en bijvoorbeeld een planaire, buisvormige, U-vormige ofwel hollow kathode omvatten of in een combinatie van deze of andere kathodevormen zijn uitgevoerd.
Het te deponeren dragermateriaal kan verder gelijk zijn aan het 25 materiaal van het substraat of daarvan verschillen.
Verder kan een vluchtige verbinding in de behandelingskamer worden gebracht om op het substraat te worden geponeerd. Een dergelijke vluchtige verbinding kan bovendien ten minste één precursor-materiaal bevatten dat in te deponeren materiaal decomponeert voordat het materiaal 1025090-
Claims (26)
1. Werkwijze voor het vervaardingen van een functionele laag, waarbij een substraat (1; 101) in een behandelingskamer (2; 102) wordt gebracht, waarbij ten minste één plasma (P) wordt gegenereerd door ten minste één plasmabron (3; 103), zoals bijvoorbeeld een plasma-cascadebron, 5 waarbij ten minste één depositiemateriaal (A) onder invloed van het plasma (P) op het substraat (1; 101) wordt gedeponeerd, waarbij tegelijkertijd ten minste één tweede materiaal (6) met behulp van een tweede depositieproces op het substraat wordt opgebracht, waarbij de functionele laag geen katalytische functie heeft.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het genoemde eerste depositiemateriaal (A) buiten de ten minste ene plasmabron (3; 103) in de behandelingskamer (2; 102) aan het plasma (P) wordt toegevoerd.
3. Werkwijze volgens conclusie 1 of 2, waarbij ten minste één vluchtige verbinding van het genoemde eerste depositiemateriaal (A) aan 15 het plasma (P) wordt toegevoerd ten behoeve van de depositie.
4. Werkwijze volgens conclusie 3, waarbij de vluchtige verbinding ten minste één precursor-materiaal bevat dat in de behandelingskamer (2; 102) in te deponeren materiaal decomponeert voordat het materiaal het substraat (1; 101) heeft bereikt.
5 PECVD-bron.
5. Werkwijze volgens één van de voorgaande conclusies, waarbij het tweede depositieproces is gekozen uit de groep omvattende PECVD, CVD, PVD, zoals sputteren, hollow cathode sputteren, opdampen eventueel onder gebruikmaking van schuitjes, e-beam, en al dan niet ondersteund met een ionen proces, ion-plating, microwave-depositie, ICP (inductive coupled 25 plasma), parallele plaat PECVD eventueel honey comb electrode structuren, en dergelijke. 1025096- 16
6. Werkwijze volgens één van de voorgaande conclusies, waarbij ten minste één sputterelektrode (6) die het genoemde depositiemateriaal (A, B) omvat, in de behandelingskamer (2) wordt opgesteld, waarbij het plasma (P) in contact wordt gebracht met genoemde sputterelektrode (6) om het 5 substraat (1) met het materiaal (A, B) van de elektrode (6) te sputteren.
7. Werkwijze volgens conclusie 6, waarbij het plasma (P) althans gedeeltelijk door ten minste één doorgang van de ten minste ene sputterelektrode (6) wordt gevoerd om het plasma in contact met de elektrode (6) te brengen.
8. Werkwijze volgens conclusie 7, waarbij de sputterelektrode (6) samengeperste poeders van de genoemde, op het substraat (l).te deponeren materialen (A, B) bevat.
9. Werkwijze volgens één van de voorgaande conclusies, waarbij het substraat (101) plaatmateriaal omvat.
10. Werkwijze volgens één van de voorgaande conclusies, waarbij het substraat (101) ten minste zodanig in de behandelingskamer (102) wordt bewogen, dat telkens een ander deel van het substraat (101) contact maakt met het plasma (P).
10 Verder kunnen verschillende soorten substraten van verschillende vormen worden toegepast, bijvoorbeeld harde en/of poreuze substraten van diverse materialen. Voorts kunnen diverse methoden worden gebruikt om een sputterkathode te reinigen voor en na gebruik, bijvoorbeeld door de kathode 15 met een daarvoor geschikte elektrische spanning af en toe om te polen. Alhoewel voor sputteren in het algemeen lagere drukken gewenst zijn dan voor het deponeren van materialen met behulp van een cascadeboog kunnen beide processen toch worden gecombineerd door de cascadeboog op een veel lagere druk dan gebruikelijk te bedrijven. Hiertoè 20 kan het expansiekanaal in de cascadebron van een kleine diameter worden voorzien. Bij het starten van de bron kan met een hogere startdruk worden gewerkt waarna vervolgens de druk omlaag kan worden geregeld. Ook kunnen in de depositiekamer zogenaamde skimmers worden toegepast, waarbij met behulp van pompen een verschildruk aan weerszijden van de 25 skimmers kan worden gehandhaafd. Een skimmer is een soort diafragma of vernauwing in de proceskamer. Zo kan het sputterproces zich bijvoorbeeld aan de lagedruk-zijde van de skimmer bevinden terwijl de cascadebron aan de hogedrukzijde van de skimmer is opgesteld. Het is duidelijk dat de uitvinding niet is beperkt tot de beschreven 30 uitvoeringsvoorbeelden maar dat diverse wijzigingen binnen het raam van 1025096 14 de uitvinding zoals gedefinieerd door de conclusies mogelijk zijn. Zo kan in plaats van een plasma-cascadebron ook een ander type plasmabron worden toegepast. 5 1025096- 15
11. Werkwijze volgens één van de voorgaande conclusies, waarbij het 20 substraat (101) vanuit een omgeving in de behandelingskamer (102) wordt gebracht en van de behandelingskamer (102) naar de omgeving wordt afgevoerd terwijl het depositiemateriaal in de behandelingskamer (102) op het substraat (101) wordt gedeponeerd.
12. Werkwijze volgens althans conclusie 1, waarbij het substraat (1; 25 101) in hoofdzaak niet-poreus is en bijvoorbeeld een metaal of kunststof is, zoals bijvoorbeeld een metaalplaat, een kunststof plaat of een kunststof folie.
13. Werkwijze volgens één van de voorgaande conclusies, waarbij het substraat (1; 101) ten minste één dragermateriaal (B) omvat. 1025096- 17
13 het substraat heeft bereikt. Decompositie van dat materiaal kan bijvoorbeeld spontaan en/of onder invloed van een plasma geschieden. Voorts kan het depositiemateriaal zodanig worden gedeponeerd, dat de chemische samenstelling van het gedeponeerde materiaal gemeten 5 over afstanden van 5 cm, bij voorkeur over een afstand van 10 cm, meer in het bijzonder over een afstand van 20 cm, minder dan 10%, in het bijzonder minder dan 5% en meer in het bijzonder minder dan 1% verschilt. Op deze manier kan een functionele laag met een zeer homogene samenstelling worden verkregen.
14. Werkwijze volgens één van de voorgaande conclusies, waarbij het substraat (1; 101) ten minste een metaal en/of legering omvat.
15. Werkwijze volgens één van de voorgaande conclusies, waarbij het substraat (1; 101) gegolfd materiaal omvat.
16. Werkwijze volgens althans conclusie 1, waarbij het substraat (1; 101. in hoofdzaak poreus ie.
17. Werkwijze volgens ten één der voorgaande conclusies, waarbij het depositiemateriaal (A, B) zodanig wordt gedeponeerd, dat de chemische samenstelling van het gedeponeerde materiaal gemeten over afstanden van 10. cm, bij voorkeur over een afstand van 10 cm, meer in het bijzonder over een afstand van 20 cm, minder dan 10%, in het bijzonder minder dan 5% en meer in het bijzonder minder dan 1% verschilt.
18. Werkwijze volgens één van de voorgaande conclusies, waarbij het substraat (1; 101) op een bepaalde elektrische potentiaal wordt gebracht, 15 bijvoorbeeld door DC, gepulste DC en/of RF biasing.
19. Werkwijze volgens één van de voorgaande conclusies, waarbij het substraat (1; 101) op een bepaalde behandelingstemperatuur wordt gebracht.
20. Inrichting voor het vervaardingen van een functionele laag op een 20 substraat, waarbij de inrichting is voorzien van ten minste één plasmabron (3; 103), zoals bijvoorbeeld een plasma-cascadebron, om ten minste één plasma (P) op te wekken, waarbij de inrichting middelen (6, 7) omvat om een eerste depositiemateriaal (A) in elk plasma (P) te brengen, waarbij de inrichting tevens is voorzien van substraatpositioneringsmiddelen (8; 118) 25 om ten minste een deel van een substraat (1; 101) in een zodanige positie in een behandelingskamer (2; 102) te brengen en/of houden, dat het substraat (1; 101) contact met het genoemde plasma (P) maakt, waarbij de inrichting is voorzien van een tweede depositiebron, welke tweede depositiebron is ingericht om tegelijkertijd met de plasmabron ten minste een tweede 1025096* 18 depositiemateriaal (B) op het substraat (1; 101) te deponeren, waarbij de functionele laag geen katalytisch actieve laag is.
21. Inrichting volgens conclusie 20, waarbij de tweede depositiebron een VD-bron is, zoals bijvoorbeeld een CVD-bron, een PVD-bron, een
22. Inrichting volgens conclusie 20 of 21, waarbij de tweede depositiebron is ingericht voor het uitvoeren van één van de volgende depositieprocessen: PECVD, CVD, PVD, zoals sputteren, hollow cathode sputteren, opdampen eventueel onder gebruikmaking van schuifjes, e-beam, 10 en al dan niet ondersteund met een ionen proces, ion-plating, microwave-depositie, ICP (inductive coupled plasma), parallele plaat PECVD eventueel honey comb electrode structuren, en dergelijke.
23. Inrichting volgens conclusie 21, waarbij de tweede depositiebron ten minste één sputterelektrode (6) omvat welke te deponeren 15 depositiemateriaal (A, B) bevat, waarbij de sputterelektrode zodanig is opgesteld, dat het door de ten minste ene plasmabrón (3) gegenereerde plasma (P) tijdens gebruik materiaal (A, B) van de sputterelektrode (6) op het substraat (1) sputtert.
24. Inrichting volgens conclusie 23, waarbij elke sputterelektrode (6) 20 stroomafwaarts van de ten minste ene plasmabrón (3) is opgesteld, waarbij ten minste ene sputterelektrode (6) is voorzien van ten minste één plasmadoorgang om het plasma (P) vanuit de bron (3) naar het substraat (1) door te laten.
25. Inrichting volgens conclusie 23 of 24, waarbij de sputterelektrode 25 (6) tegen de plasmabrón (3) aanligt.
26. Inrichting volgens één van de conclusies 20-25, waarbij de inrichting is voorzien van ten minste één fluïdumtoevoerkanaal (7; 120) om een zich in een vluchtige toestand bevindende, te deponeren materiaal aan het plasma (P) toe te voeren. 1025096-
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1025096A NL1025096C2 (nl) | 2003-12-21 | 2003-12-22 | Werkwijze alsmede inrichting voor het vervaardigen van een functionele laag bestaande uit ten minste twee componenten. |
| EP04808792A EP1713949A1 (en) | 2003-12-21 | 2004-12-16 | Method and apparatus for manufacturing a functional layer consisting of at least two components |
| JP2006546867A JP2007515558A (ja) | 2003-12-21 | 2004-12-16 | 少なくとも２つの構成要素からなる機能層を作成する方法および装置 |
| PCT/NL2004/000876 WO2005061754A1 (en) | 2003-12-21 | 2004-12-16 | Method and apparatus for manufacturing a functional layer consisting of at least two components |
| US10/583,914 US20070190796A1 (en) | 2003-12-21 | 2004-12-16 | Method and apparatus for manufacturing a functional layer consisting of at least two components |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1025094 | 2003-12-21 | ||
| NL1025094 | 2003-12-21 | ||
| NL1025096A NL1025096C2 (nl) | 2003-12-21 | 2003-12-22 | Werkwijze alsmede inrichting voor het vervaardigen van een functionele laag bestaande uit ten minste twee componenten. |
| NL1025096 | 2003-12-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL1025096C2 true NL1025096C2 (nl) | 2005-06-23 |
Family
ID=34713065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL1025096A NL1025096C2 (nl) | 2003-12-21 | 2003-12-22 | Werkwijze alsmede inrichting voor het vervaardigen van een functionele laag bestaande uit ten minste twee componenten. |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070190796A1 (nl) |
| EP (1) | EP1713949A1 (nl) |
| JP (1) | JP2007515558A (nl) |
| NL (1) | NL1025096C2 (nl) |
| WO (1) | WO2005061754A1 (nl) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1029647C2 (nl) * | 2005-07-29 | 2007-01-30 | Otb Group Bv | Werkwijze voor het passiveren van ten minste een deel van een substraatoppervlak. |
| DE102009048397A1 (de) | 2009-10-06 | 2011-04-07 | Plasmatreat Gmbh | Atmosphärendruckplasmaverfahren zur Herstellung oberflächenmodifizierter Partikel und von Beschichtungen |
| DE102013017109A1 (de) | 2013-10-15 | 2015-04-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Partikeln in einem Atmosphärendruckplasma |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5428781A (en) * | 1977-08-09 | 1979-03-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | Continuous physical vapor depositing device |
| US4441983A (en) * | 1982-08-19 | 1984-04-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Zinc sulfide liquefaction catalyst |
| US4565674A (en) * | 1984-02-10 | 1986-01-21 | Washington Research Foundation | Alumina chlorination |
| JPH0310072A (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-17 | Fujitsu Ltd | マグネトロンスパッタリング装置 |
| JPH03159992A (ja) * | 1989-11-15 | 1991-07-09 | Fujitsu Ltd | Ｄｃプラズマジェットｃｖｄ法 |
| JPH0412858A (ja) * | 1990-05-01 | 1992-01-17 | Sharp Corp | インクジェット記録ヘッド |
| JPH05295533A (ja) * | 1992-04-17 | 1993-11-09 | Sony Corp | 電子サイクロトロン共鳴を用いた成膜方法及び成膜装置 |
| JPH0770743A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-14 | Asahi Glass Co Ltd | 紫外線カット膜とその成膜用ターゲットおよびその製造方法 |
| JPH10110257A (ja) * | 1996-10-03 | 1998-04-28 | Nissin Electric Co Ltd | 医療用被覆材 |
| JP2001181849A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-03 | Shimadzu Corp | Ｅｃｒ保護膜の成膜方法およびｅｃｒ成膜装置 |
| DE19960751A1 (de) * | 1999-12-16 | 2001-07-05 | Fzm Ges Fuer Produktentwicklun | Schleuse und Verfahren zur Anwendung derselben |
| US6397776B1 (en) * | 2001-06-11 | 2002-06-04 | General Electric Company | Apparatus for large area chemical vapor deposition using multiple expanding thermal plasma generators |
| US20020100420A1 (en) * | 1997-06-16 | 2002-08-01 | Kurt Burger | Method and device for vacuum-coating a substrate |
| US6613393B1 (en) * | 1998-05-30 | 2003-09-02 | Robert Bosch Gmbh | Method for applying a wear protection layer system having optical properties onto surfaces |
| WO2004000460A1 (en) * | 2002-06-21 | 2003-12-31 | Otb Group B.V. | Method and apparatus for manufacturing a catalyst |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4441938A (en) * | 1983-03-29 | 1984-04-10 | International Business Machines Corporation | Soldering flux |
| NL8701530A (nl) * | 1987-06-30 | 1989-01-16 | Stichting Fund Ond Material | Werkwijze voor het behandelen van oppervlakken van substraten met behulp van een plasma en reactor voor het uitvoeren van die werkwijze. |
| US5364666A (en) * | 1993-09-23 | 1994-11-15 | Becton, Dickinson And Company | Process for barrier coating of plastic objects |
| JPH09212858A (ja) * | 1996-02-02 | 1997-08-15 | Kao Corp | 磁気記録媒体の製造方法並びにその製造装置 |
| US5858477A (en) * | 1996-12-10 | 1999-01-12 | Akashic Memories Corporation | Method for producing recording media having protective overcoats of highly tetrahedral amorphous carbon |
| US6187406B1 (en) * | 1997-03-17 | 2001-02-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical disk and optical disk drive |
| US6495392B2 (en) * | 1999-08-24 | 2002-12-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing a semiconductor device |
| JP2001267310A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ成膜方法及びその装置 |
| AU2002354487A1 (en) * | 2001-12-14 | 2003-06-30 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Coating composition for forming low-refractive index thin layers |
| US7485799B2 (en) * | 2002-05-07 | 2009-02-03 | John Michael Guerra | Stress-induced bandgap-shifted semiconductor photoelectrolytic/photocatalytic/photovoltaic surface and method for making same |
| NL1020634C2 (nl) * | 2002-05-21 | 2003-11-24 | Otb Group Bv | Werkwijze voor het passiveren van een halfgeleider substraat. |
| JP2003344595A (ja) * | 2002-05-31 | 2003-12-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | シート体製造装置 |
| JP3988935B2 (ja) * | 2002-11-25 | 2007-10-10 | 富士フイルム株式会社 | 網目状導電体及びその製造方法並びに用途 |
| US6903511B2 (en) * | 2003-05-06 | 2005-06-07 | Zond, Inc. | Generation of uniformly-distributed plasma |
-
2003
- 2003-12-22 NL NL1025096A patent/NL1025096C2/nl not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-12-16 WO PCT/NL2004/000876 patent/WO2005061754A1/en active Application Filing
- 2004-12-16 EP EP04808792A patent/EP1713949A1/en not_active Withdrawn
- 2004-12-16 US US10/583,914 patent/US20070190796A1/en not_active Abandoned
- 2004-12-16 JP JP2006546867A patent/JP2007515558A/ja active Pending
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5428781A (en) * | 1977-08-09 | 1979-03-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | Continuous physical vapor depositing device |
| US4441983A (en) * | 1982-08-19 | 1984-04-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Zinc sulfide liquefaction catalyst |
| US4565674A (en) * | 1984-02-10 | 1986-01-21 | Washington Research Foundation | Alumina chlorination |
| JPH0310072A (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-17 | Fujitsu Ltd | マグネトロンスパッタリング装置 |
| JPH03159992A (ja) * | 1989-11-15 | 1991-07-09 | Fujitsu Ltd | Ｄｃプラズマジェットｃｖｄ法 |
| JPH0412858A (ja) * | 1990-05-01 | 1992-01-17 | Sharp Corp | インクジェット記録ヘッド |
| JPH05295533A (ja) * | 1992-04-17 | 1993-11-09 | Sony Corp | 電子サイクロトロン共鳴を用いた成膜方法及び成膜装置 |
| JPH0770743A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-14 | Asahi Glass Co Ltd | 紫外線カット膜とその成膜用ターゲットおよびその製造方法 |
| JPH10110257A (ja) * | 1996-10-03 | 1998-04-28 | Nissin Electric Co Ltd | 医療用被覆材 |
| US20020100420A1 (en) * | 1997-06-16 | 2002-08-01 | Kurt Burger | Method and device for vacuum-coating a substrate |
| US6613393B1 (en) * | 1998-05-30 | 2003-09-02 | Robert Bosch Gmbh | Method for applying a wear protection layer system having optical properties onto surfaces |
| DE19960751A1 (de) * | 1999-12-16 | 2001-07-05 | Fzm Ges Fuer Produktentwicklun | Schleuse und Verfahren zur Anwendung derselben |
| JP2001181849A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-03 | Shimadzu Corp | Ｅｃｒ保護膜の成膜方法およびｅｃｒ成膜装置 |
| US6397776B1 (en) * | 2001-06-11 | 2002-06-04 | General Electric Company | Apparatus for large area chemical vapor deposition using multiple expanding thermal plasma generators |
| WO2004000460A1 (en) * | 2002-06-21 | 2003-12-31 | Otb Group B.V. | Method and apparatus for manufacturing a catalyst |
Non-Patent Citations (8)
| Title |
|---|
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 0030, no. 55 (C - 045) 11 May 1979 (1979-05-11) * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 0151, no. 26 (C - 0817) 27 March 1991 (1991-03-27) * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 0153, no. 92 (C - 0873) 4 October 1991 (1991-10-04) * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 0180, no. 97 (C - 1167) 17 February 1994 (1994-02-17) * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1995, no. 06 31 July 1995 (1995-07-31) * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1997, no. 12 25 December 1997 (1997-12-25) * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1998, no. 09 31 July 1998 (1998-07-31) * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 2000, no. 24 11 May 2001 (2001-05-11) * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2007515558A (ja) | 2007-06-14 |
| EP1713949A1 (en) | 2006-10-25 |
| WO2005061754A1 (en) | 2005-07-07 |
| US20070190796A1 (en) | 2007-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6919107B2 (en) | Method and device for treating surfaces using a glow discharge plasma | |
| EP2799589B1 (en) | Vapor deposition method having pretreatment that uses plasma | |
| EP0778902B1 (en) | Jet plasma deposition process and apparatus | |
| EP1664378B1 (en) | Deposition method using a thermal plasma expanded by a replaceable plate | |
| TWI585223B (zh) | 塗覆的馬氏體鋼製品及形成塗覆的鋼製品的方法 | |
| US4763601A (en) | Continuous composite coating apparatus for coating strip | |
| JP4417840B2 (ja) | 常圧ｃｖｄによるチタニアコーティング | |
| EP2145978A1 (fr) | Procédé et installation pour le dépôt de couches sur un substrat | |
| JP6002888B2 (ja) | 成膜方法 | |
| NL1025096C2 (nl) | Werkwijze alsmede inrichting voor het vervaardigen van een functionele laag bestaande uit ten minste twee componenten. | |
| WO2005059202A1 (ja) | 薄膜形成方法並びに該方法により薄膜が形成された基材 | |
| US20030049468A1 (en) | Cascade arc plasma and abrasion resistant coatings made therefrom | |
| JP3954765B2 (ja) | 常圧プラズマを用いた連続成膜法及び連続成膜装置 | |
| NL1020923C2 (nl) | Werkwijze alsmede inrichting voor het vervaardigen van een katalysator. | |
| US8030219B1 (en) | Dielectric coatings and use in capacitors | |
| CN1898407A (zh) | 用于制造一种由至少两种组分组成的功能层的方法和设备 | |
| KR100250214B1 (ko) | 칼라 스텐레스의 강판의 제조 방법 | |
| EP0801414A2 (en) | Gas-controlled arc vapor deposition apparatus and process | |
| EP3674079A1 (en) | Laminate film | |
| JP6068095B2 (ja) | 連続成膜装置および連続成膜方法 | |
| JP2003239064A (ja) | 多孔性酸化チタン薄膜被覆フィルムの形成方法 | |
| KR950004779B1 (ko) | 밀착성이 우수한 경질 흑색성 박막 및 그 제조방법 | |
| JP2002239396A (ja) | 光触媒担持構造体及びその製造方法 | |
| Halary-Wagner et al. | Resist-free patterned deposition of titanium dioxide thin films by light-induced chemical vapour deposition | |
| JP2005036276A (ja) | 複合構造薄膜製造方法及び装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD2B | A search report has been drawn up | ||
| SD | Assignments of patents |
Owner name: OTB SOLAR B.V. Effective date: 20091022 |
|
| V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee |
Effective date: 20120701 |