NL1029647C2 - Werkwijze voor het passiveren van ten minste een deel van een substraatoppervlak. - Google Patents

Werkwijze voor het passiveren van ten minste een deel van een substraatoppervlak. Download PDF

Info

Publication number
NL1029647C2
NL1029647C2 NL1029647A NL1029647A NL1029647C2 NL 1029647 C2 NL1029647 C2 NL 1029647C2 NL 1029647 A NL1029647 A NL 1029647A NL 1029647 A NL1029647 A NL 1029647A NL 1029647 C2 NL1029647 C2 NL 1029647C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
substrate
plasma
layer
treatment
siox
Prior art date
Application number
NL1029647A
Other languages
English (en)
Inventor
Martin Dinant Bijker
Bram Hoex
Wilhelmus Mathijs Mari Kessels
Mauritius Cornelis Mari Sanden
Original Assignee
Otb Group Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Otb Group Bv filed Critical Otb Group Bv
Priority to NL1029647A priority Critical patent/NL1029647C2/nl
Priority to TW095127137A priority patent/TWI378499B/zh
Priority to PCT/NL2006/000393 priority patent/WO2007013806A1/en
Priority to EP06783861A priority patent/EP1911102B8/en
Priority to KR1020087004876A priority patent/KR20080046172A/ko
Priority to JP2008523819A priority patent/JP2009503845A/ja
Priority to CN2006800276072A priority patent/CN101233621B/zh
Priority to US11/989,628 priority patent/US20090288708A1/en
Application granted granted Critical
Publication of NL1029647C2 publication Critical patent/NL1029647C2/nl
Priority to NO20080469A priority patent/NO20080469L/no

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/022—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being a laminate, i.e. composed of sublayers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
    • H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1868—Passivation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

i i
Titel: Werkwijze voor het passiveren van ten minste een deel van een substraatoppervlak
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het passiveren van ten minste een deel van een oppervlak van een halfgeleidersubstraat.
Een dergelijke werkwijze is uit de praktijk bekend. Bij de bekende 5 werkwijze wordt een substraatoppervlak van een halfgeleidersubstraat gepassiveerd door een SiOx laag, bijvoorbeeld een laag siliciumoxide, op dat oppervlak te realiseren. Hierbij kan bijvoorbeeld gebruik gemaakt worden van een oxidatie-methode in een oven. Een andere bekende werkwijze omvat het sputteren van de SiOx laag. Verder is uit de praktijk bekend om 10 siliciumoxide door middel van chemical vapor deposition op een substraat te deponeren.
De mate van oppervlaktepassivatie wordt doorgaans uitgedrukt door de oppervlakte recombinatie snelheid (e. surface recombination velocity, SRV). Een goede oppervlaktepassivatie van het 15 halfgeleidersubstraat betekent doorgaans een relatief lage oppervlakte recombinatie snelheid.
Uit het artikel "Plasma-enhanced chemical-vapor-deposited oxide for low surface recombination velocity and high effective lifetime in silicon",
Chen et al, Journal of Applied Physics 74(4), 15 Augustus 1993, pp 2856-20 2859 is een werkwijze bekend waarmee een lage SRV (< 2 cm/s) kan worden verkregen bij nagenoeg intrinsieke silicium substraten, die relatief hoge resistiviteiten (> 500 Qcm) hebben. Bij deze bekende werkwijze wordt gebruik gemaakt van een directe 'plasma enhanced chemical-vapor deposition' (PECVD) en een daarop volgende 'thermal anneal' in een 25 vormend gas bij bij voorkeur 350° C.
Tot op heden is nog steeds een probleem gebleken, om een substraat met een relatief lage resistiviteit goed te passiveren, althans 1 02964 7 2 zodanig, dat een relatief lage oppervlakte recombinatie snelheid kan worden bereikt, in het bijzonder onder gebruikmaking van depositie van een SiOx laag. Een dergelijk gepassiveerd halfgeleidersubstraat is bijvoorbeeld gewenst voor de fabricage van zonnecellen.
5 De onderhavige uitvinding beoogt genoemde nadelen van de bekende werkwijze op te heffen. In het bijzonder beoogt de uitvinding een werkwijze voor het passiveren van een halfgeleidersubstraat, waarbij een met de werkwijze verkregen SiOx laag een relatief lage oppervlakte recombinatie snelheid heeft, terwijl het substraat in het bijzonder een 10 relatief lage resistiviteit heeft.
Hiertoe wordt de werkwijze volgens de uitvinding gekenmerkt, doordat ten minste één laag omvattende ten minste een SiOx laag op genoemd deel van het substraatoppervlak wordt gerealiseerd door: - het substraat in een behandelingskamer te plaatsen; 15 -de druk in de behandelingskamer op een relatief lage waarde te houden; - het substraat op een bepaalde voor realisatie van genoemde laag geschikte substraatbehandelingstemperatuur te houden; - een plasma op te wekken door ten minste één op een bepaalde 20 afstand van het substraatoppervlak op de behandelingskamer gemonteerde bron; - althans een deel van het door elke bron gegenereerde plasma in contact te brengen met het genoemde deel van het substraatoppervlak; en -ten minste één voor SiOx realisatie geschikte precursor aan het 25 genoemde deel van het plasma toe te voeren; waarbij althans de ten minste ene op het substaat gerealiseerde laag in een gasomgeving aan een temperatuurbehandeling wordt onderworpen, waarbij de temperatuurbehandeling in het bijzonder een forming gas anneal behandeling omvat.
1 02964 7 3
Op deze manier blijkt een goede oppervlaktepassivatie van het substraat, althans van genoemd deel van het substraatoppervlak, te kunnen worden verkregen, in het bijzonder wanneer het te gebruiken halfgeleidersubstraat op zichzelf een relatief lage resistiviteit heeft. Bij 5 voorkeur wordt ten minste genoemde op het substraat gerealiseerde SiOx laag gedurende genoemde temperatuurbehandeling op een behandelingstemperatuur gehouden die hoger is dan 350°C. Met een dergelijke temperatuurbehandeling blijken bijzonder goede resultaten te kunnen worden verkregen. De behandelingstemperatuur kan bijvoorbeeld 10 liggen in het bereik van circa 250°C-1000°C, in het bijzonder in het bereik van circa 500° C-700°C, meer in het bijzonder in het bereik van circa 550°C-650°C. De temperatuurbehandeling kan bijvoorbeeld minder dan circa 20 min duren.
Na die temperatuurbehandeling kan het substraat bijvoorbeeld, al 15 dan niet geforceerd, worden afgekoeld. Bovendien wordt bij voorkeur een gasstroom aan genoemd substraat of althans de op het substaat gerealiseerde SiOx laag toegevoerd tijdens genoemde temperatuurbehandeling, om genoemde gasomgeving te leveren. Zo kan de temperatuurbehandeling bijvoorbeeld een forming-gas-anneal behandeling 20 omvatten. De gasomgeving kan bijvoorbeeld worden voorzien door een mengsel van stikstof en waterstof aan het substraat en/of de ten minste ene op het substraat gerealiseerde laag toe te voeren. In dat geval kan de gasomgeving bijvoorbeeld in hoofdzaak een waterstof-stikstof omgeving | omvatten. Anderzijds kan de gasomgeving bijvoorbeeld in hoofdzaak 25 waterstofgas bevatten, bijvoorbeeld door een waterstofgasstroom aan het substraat en/of de ten minste ene op het substraat gerealiseerde laag toe te voeren. Het gas of gasmengsel heeft dan bij voorkeur in hoofdzaak dezelfde genoemde substraat-behandelingstemperatuur.
Volgens een aspect van de uitvinding wordt een werkwijze voor het 30 passiveren van ten minste een deel van een oppervlak van een 1 02964 7 4 halfgeleidersubstraat gekenmerkt, doordat ten minste één laag omvattende ten minste een SiOx laag op genoemd deel van het substraatoppervlak wordt gerealiseerd door: - het substraat in een behandelingskamer te plaatsen; 5 -de druk in de behandelingskamer op een relatief lage waarde te houden; - het substraat op een bepaalde behandelingstemperatuur te houden; - een plasma op te wekken door ten minste één op een bepaalde afstand van het substraatoppervlak op de behandelingskamer gemonteerde plasma-bron; 10 - althans een deel van het door elke bron gegenereerde plasma in contact te brengen met het genoemde deel van het substraatoppervlak; en -ten minste één voor SiOx realisatie geschikte precursor aan het genoemde deel van het plasma toe te voeren; waarbij vervolgens H2 of een mengsel van H2 met een inert gas, 15 bijvoorbeeld N2 of Ar, aan genoemd plasma wordt toegevoerd, in het bijzonder om de ten minste ene laag uit te gloeien en/of om de diffusie van H2 in de ten minste ene laag te verhogen.
De uitvinding verschaft verder een zonnecel, welke is voorzien van ten minste een deel van een substraat dat ten minste is verkregen met een 20 werkwijze volgens de uitvinding. Een dergelijke zonnecel kan op voordelige wijze gebruikmaken van verbeterde eigenschappen, bijvoorbeeld een relatief lage oppervlakte recombinatie snelheid, van het substraatoppervlak, hetgeen de prestaties van de zonnecel ten goede komt.
Nadere uitwerkingen van de uitvinding zijn beschreven in de 25 volgconclusies. Thans zal de uitvinding worden toegelicht aan de hand van een niet limitatief uitvoeringsvoorbeeld en de tekening. Daarin toont: fig. 1 een schematisch doorsnede-aanzicht van een inrichting voor het behandelen van een substraat; en fig. 2 een detail van het in fig. 1 weergegeven doorsnede-aanzicht, 30 waarin de plasma-cascadebron is weergegeven.
102964 7 5
Gelijke of overeenkomstige maatregelen worden in deze octrooiaanvrage met gelijke of overeenkomstige verwijzingstekens aangeduid. Een waarde die is voorzien van een term als "circa", "in hoofdzaak", "ongeveer" of een dergelijke bewoording kan in de onderhavige 5 aanvrage worden uitgelegd als zijnde een bereik dat ligt tussen die waarde min 5% van die waarde enerzijds en die waarde plus 5% van die waarde anderzijds.
Figuren 1 en 2 tonen een inrichting, waarmee althans een depositie of realisatie van ten minste één SiOx laag, en bijvoorbeeld een of meer 10 andere lagen, op een substaat kan worden uitgevoerd, in een werkwijze volgens de uitvinding. De inrichting is bijvoorbeeld goed geschikt voor toepassing in een in-line proces. De in de figuren 1 en 2 getoonde inrichting is voorzien van een behandelingskamer 5 waarop een DC (direct current) plasma-cascadebron 3 is aangebracht. Alternatief kan een ander type 15 plasmabron worden toegepast. De DC plasma-cascadebron 3 van het uitvoeringsvoorbeeld is ingericht om met gelijkspanning een plasma te genereren. De inrichting is voorzien van een substraathouder 8 om één substraat 1 tegenover een uitstroomopening 4 van de plasmabron 3 in de behandelingskamer 5 te houden. De inrichting omvat verder niet 20 weergegeven verwarmingsmiddelen om het substraat 1 tijdens de behandeling te verwarmen.
Zoals in fig. 2 is weergegeven, is de plasma-cascadebron 3 voorzien van een kathode 10 die zich in een voorkamer 11 bevindt en een anode 12 die zich aan een naar de behandelingskamer 5 toegekeerde zijde van de bron 25 3 bevindt. De voorkamer 11 mondt via een relatief nauw kanaal 13 en de genoemde plasma-uitstroomopening 4 uit in de behandelingskamer 5. De inrichting is bijvoorbeeld zodanig gedimensioneerd dat de afstand L tussen het substraat 1 en de plasma-uitstroomopening 4 circa 200 mm - 300 mm bedraagt. Daardoor kan de inrichting relatief compact worden uitgevoerd.
30 Het kanaal 13 wordt begrensd door onderling elektrisch van elkaar 102964 7 6 geïsoleerde cascadeplaten 14 en de genoemde anode 12. Tijdens behandeling van een substraat wordt de behandelingskamer 5 op een relatief lage druk gehouden, in het bijzonder lager dan 5000 Pa, en bij voorkeur lager dan 500 Pa. Vanzelfsprekend dienen onder andere de behandelingsdruk en de 5 afmetingen van de behandelingskamer daarbij zodanig te zijn dat het groeiproces nog kan plaatsvinden. In de praktijk blijkt de behandelingsdruk bij een behandelingskamer van het onderhavige uitvoeringsvoorbeeld hiertoe ten minste circa 0,1 mbar te bedragen. De voor het verkrijgen van de genoemde behandelingsdruk benodigde pompmiddelen zijn niet in de 10 tekening weergegeven. Tussen de kathode 10 en anode 12 van de bron 3 wordt tijdens gebruik een plasma gegenereerd, bijvoorbeeld door ontsteking van een zich daartussen bevindend edelgas, zoals argon. Wanneer het plasma in de bron 3 is gegenereerd, is de druk in de voorkamer 11 hoger dan de druk in de behandelingskamer 5. Deze druk kan bijvoorbeeld in 15 hoofdzaak atmosferisch zijn en liggen in het bereik van 0,5-1,5 bar. Doordat de druk in de behandelingskamer 5 aanzienlijk lager is dan de druk in de voorkamer 6 expandeert een deel van het gegenereerd plasma P zodanig, dat het zich via het relatief nauwe kanaal 7 vanuit de genoemde uitstroomopening 4 tot in de behandelingskamer 5 uitstrekt om contact te 20 maken met het oppervlak van het substraat 1. Het expanderende plasmadeel kan bijvoorbeeld een supersonisch snelheid bereiken.
De inrichting is in het bijzonder voorzien van toevoermiddelen 6, 7 om debieten van geschikte behandelingsfluida aan het plasma P in bijvoorbeeld de anodeplaat 12 van de bron 3 en/of in de behandelingskamer 25 5 toe te voeren. Dergelijke toevoermiddelen kunnen op zichzelf op verschillende manieren worden uitgevoerd, hetgeen de vakman duidelijk zal zijn. In het uitvoeringsvoorbeeld omvatten de toevoermiddelen bijvoorbeeld een injector 6 die is ingericht om een of meer behandelingsfluida nabij de plasmabron 3 in het plasma P te brengen. De toevoermiddelen omvatten 30 verder bijvoorbeeld een douchekop 7 om een of meer behandelingsfluida 1 02964 7 7 stroomafwaarts van de genoemde plasma-uitstroomopening 4 nabij het substraat 1 aan het plasma P toe te voeren. Alternatief is een dergelijke douchekop 7 bijvoorbeeld nabij of onder de plasmabron 3 in de behandelingskamer 3 opgesteld. De inrichting is voorzien van niet 5 weergegeven bronnen die via debiet-regelmiddelen op de genoemde i toevoermiddelen 6, 7 zijn aangesloten, om daaraan bepaalde gewenste behandelingsfluida toe te voeren. In het onderhavige uitvoeringsvoorbeeld worden tijdens gebruik bij voorkeur geen reactieve gassen, zoals silaan, waterstof en/of stikstof, in de plasmabron 3 aan het plasma toegevoerd, 10 zodat de bron 3 niet door dergelijke gassen kan worden aangetast.
Ten behoeve van het passiveren van het substraat 1 wordt tijdens gebruik door de cascadebron 3 op de beschreven wijze een plasma P opgewekt, zodanig dat het plasma P contact maakt met het substraatoppervlak van het substraat 1. Debieten van voor SiOx depositie 15 geschikte behandelingsfluida worden in een geschikte verhouding aan het plasma P toegevoerd via de toevoermiddelen 6, 7. De procesparameters van het plasmabehandelingsproces, althans de genoemde behandelingskamerdruk, de substraattemperatuur, de afstand L tussen de plasmabron 3 en het substraat 1, en de debieten van de behandelingsfluida 20 zijn daarbij bij voorkeur zodanig, dat de inrichting de SiOx laag op het substraat 1 deponeert met een voordelige snelheid die bijvoorbeeld ligt in het bereik van circa 1-15 nm/s, hetgeen bijvoorbeeld afhankelijk is van de snelheid van de inrichting.
De genoemde substraattemperatuur, althans tijdens de depositie 25 van SiOx, kan bijvoorbeeld liggen in het bereik van 250-550°C, meer in het bijzonder in het bereik van 380-420°C.
Genoemde behandelingsfluida kunnen diverse, voor SiOx depositie geschikte precursors omvatten. Zo kunnen bijvoorbeeld D4 en O2 aan het genoemde deel van het plasma P worden toegevoerd, om een SiOx laag op 30 het substraatoppervlak te deponeren, hetgeen tot goede resultaten blijkt te 1 02964 7 i 8 leiden. Het D4 (ook wel bekend als octamethyltetrasyloxaan) kan bijvoorbeeld vloeibaar zijn, en bijvoorbeeld via genoemde douchekop 7 aan het plasma worden toegevoerd. De O2 kan bijvoorbeeld gasvormig zijn en via genoemde injector 6 aan het plasma worden toegevoerd.
5 Verder kan de ten minste ene precursor bijvoorbeeld worden geselecteerd uit de groep die bestaat uit: S1H4, O2, NO2, CH3S1H3 (IMS), 2(CH3)SiH2 (2MS), 3(CH3)SiH (3MS), siloxanen, hexamethylsiloxaan, octamethyltrisiloxaan (OMTS), bis(trimethylsiloxy)methylsilaan (BTMS), octamethyltetrasyloxaan (OMCTS, D4) en TEOS. De precursor kan tevens 10 een of meer andere voor SiOx geschikte stoffen omvatten.
Aangezien de plasma-cascadebron onder gelijkspanning werkt om het plasma op te wekken, kan de SiOx laag eenvoudig, in hoofdzaak zonder bijregeling tijdens depositie, met een constante groeisnelheid worden gegroeid. Dit is voordelig ten opzichte van toepassing van een op AC 15 aangedreven plasmabron. Verder kan met een DC plasma-cascadebron een relatief hoge groeisnelheid worden verkregen. Het blijkt, dat met deze inrichting een bijzonder goed oppervlak-gepassiveerd substraat kan worden verkregen, in het bijzonder met een SiOx laag, bij een relatief lage substraat-resistiviteit.
20 Optioneel kan op genoemde SiOx laag bijvoorbeeld worden voorzien van een SiNx, die bijvoorbeeld een anti-reflectie coating kan vormen. Verder kan een dergelijke SiNx laag bijvoorbeeld waterstof aan de gedeponeerde SiOx laag leveren ten behoeve van passivatie van het substraat. Bij voorkeur worden de SiOx laag en SiNx laag achtereenvolgens door dezelfde 25 depositie-inrichting op het substraat 1 gedeponeerd. Hiertoe kunnen bijvoorbeeld voor SiNx depositie geschikte precursors (bijvoorbeeld NH3, S1H4. N2 , en/of andere precursors) via genoemde toevoermiddelen 6, 7 aan het plasma P worden toegevoerd na de depositie van de SiOx laag. Het lagenpakket omvattende ten minste een SiOx laag en ten minste een SiNx 30 laag wordt ook wel een SiOx/SiNx stack genoemd. De dikte van genoemde 102964 7 9
SiNx laag ligt bij voorkeur in het bereik van circa 25 tot 100 nm, en kan bijvoorbeeld circa 80 nm bedragen.
Verder kan bijvoorbeeld een inrichting zijn voorzien om het substraat, na depositie van een of meer genoemde lagen, aan een 5 temperatuurbehandeling te onderwerpen, bijvoorbeeld aan een forming gas anneal behandeling waarbij geschikte gassen via aan het substraat worden toegevoerd Op deze manier kan de temperatuurbehandeling in een gasomgeving worden uitgevoerd, althans zodanig, dat ten minste een oppervlak van de ten minste ene op het substraat gerealiseerde laag in 10 contact wordt gebracht met die gassen. Een voor de temperatuurbehandeling geschikt gasmengsel is bijvoorbeeld een waterstof-stikstof mengsel. Een dergelijke temperatuurbehandeling kan bijvoorbeeld worden uitgevoerd in een aparte thermische behandelingsinrichting, een aparte forming gas anneal inrichting, of dergelijke.
15 Verder kan tijdens gebruik van de inrichting bijvoorbeeld H2 of een mengsel van H2 en een inert gas zoals N2 of Ar aan een plasma P worden toegevoerd, nadat de ten minste ene laag op het substaat is gerealiseerd, bijvoorbeeld om de diffusie van H2 in de SiOx laag of de SiOx/SiNx stack te verhogen. Een dergelijke plasmabehandeling kan bijvoorbeeld in plaats van 20 de hierboven genoemde temperatuurbehandeling worden uitgevoerd of in combinatie met een dergelijke temperatuurbehandeling.
Voorbeeld 25 Een siliciumoxide (SiO) laag werd met een werkwijze volgens de uitvinding op een substraatoppervlak van een monokristallijn silicium substraat gedeponeerd, onder gebruikmaking van een bovenbeschreven, in de figuren getoonde inrichting. De laagdikte bedroeg circa 100 nm. Het substraat had op zichzelf een relatief lage resistiviteit, bijvoorbeeld een 30 resisitviteit van minder dan circa 10 Ωαη. In het bijzonder werd gebruik 1 02964 7 10 gemaakt van een n-gedoteerde silicium wafer met een resistiviteit van 1,4 Ωαη.
Om genoemde siliciumoxide laag op het substraatoppervlak te deponeren werd in dit voorbeeld gebruik gemaakt van debieten van de 5 precursors D4 en O2. Daarbij werd bijvoorbeeld een D4 debiet van circa 5-10 gram per uur toegepast en een O2 debiet van circa 200 sccm (standaard cnr3 per minuut. De depositie-behandelingstemperatuur van het substraat was, tijdens de SiOx depositie, circa 400 °C
De gedeponeerde siliciumoxide laag werd optioneel voorzien van 10 een SiNx laag, onder gebruikmaking van N2H3 en S1H4, ter vorming van een SiOx/SiNx stack op het substraat De SiNx laag kan bijvoorbeeld waterstof aan de gedeponeerde SiOK laag leveren, en tevens dienen als antireflectielaag.
Na de depositie van genoemde laag/lagen werd het substraat 15 onderworpen aan een temperatuurbehandeling, bijvoorbeeld onder gebruikmaking van een geschikte forming gas anneal inrichting. Tijdens deze temperatuurbehandeling werd de deponeerde SiOx laag en/of SiNx laag op een behandelingstemperatuur van circa 600°C gehouden gedurende een behandelingsperiode van circa 15 min, en in het bijzonder bij een 20 atmosferische druk. Bovendien werd een 90% N2- 10% H2 gasmengsel aan een oppervlak van de SiOx laag en/of de SiOx /SiNx stack toegevoerd tijdens de temperatuurbehandeling, om een forming gas anneal te verkrijgen. Na genoemde circa 15 min werden het substraat en de ten minste ene daarop voorziene laag afgekoeld.
25 De zo verkregen SiOx laag of SiOx/SiN2 stack bleek een stabiele, bijzonder lage oppervlakte recombinatiesnelheid van circa 50 cm/s te bezitten. Derhalve is het op deze wijze behandelde substraat, dat een zeer lage resistiviteit heeft, bijzonder goed geschikt om bijvoorbeeld als 'bouwsteen' van zonnecellen te gebruiken.
1 02964 7 11
Het spreekt vanzelf dat diverse wijzigingen mogelijk zijn binnen het raam van de uitvinding zoals is verwoord in de navolgende conclusies.
Zo kunnen substraten van diverse halfgeleider materialen worden gebruikt om door de werkwijze volgens de uitvinding te worden 5 gepassiveerd.
Daarnaast kan de werkwijze bijvoorbeeld worden uitgevoerd onder gebruikmaking van meer dan één op een behandelingskamer gemonteerde plasmabron.
Voorts kan het substraat bijvoorbeeld in de behandelingskamer 5 10 worden geladen vanuit een vacuümomgeving, zoals een aan de behandelingskamer gemonteerde, op vacuüm gebrachte load-lock. In dat geval kan de druk in de behandelingskamer 5 tijdens het laden een gewenste lage waarde behouden. Daarnaast kan het substraat bijvoorbeeld in de behandelingskamer 5 worden gebracht wanneer die kamer 5 zich op 15 atmosferische druk bevindt, waarbij de kamer 5 vervolgens wordt gesloten en door de pompmiddelen tot de gewenste druk wordt afgepompt.
Daarnaast kan door de plasmabron bijvoorbeeld een plasma worden gegenereerd dat uitstuitend argon bevat.
Verder kunnen bijvoorbeeld één of meer lagen op het substraat 20 worden aangebracht, bijvoorbeeld één of meer SiOx lagen en één of meer optionele andere lagen zoals bijvoorbeeld SiNx lagen.
Verder wordt bij voorkeur een geheel oppervlak van een substraat door middel van een werkwijze volgens de uitvinding gepassiveerd. Alternatief kan bijvoorbeeld slechts een deel van het oppervlak door de 25 werkwijze worden gepassiveerd.
Voorts kan de dikte van de door het plasmabehandelingsproces op het substraat gerealiseerde SiOx laag bijvoorbeeld liggen in het bereik van 10 - 1000 nm.
Voorts kan bijvoorbeeld een plasma met O2 als precursor een 30 substraatoppervlak van het substraat, of deel van het oppervlak, in SiOx 1029647 12 modificeren, opdat genoemde SiOx laag wordt gerealiseerd. In dat geval wordt de SiOx laag in het bijzonder niet door middel van depositie gerealiseerd, maar door middel van modificatie. De SiOx laag kan tevens op een andere manier worden gerealiseerd.
5 --- ---- i 102964 7

Claims (21)

1. Werkwijze voor het passiveren van ten minste een deel van een oppervlak van een halfgeleidersubstraat, waarbij ten minste één laag omvattende ten minste een SiOx laag op genoemd deel van het substraatoppervlak wordt gerealiseerd door: 5. het substraat (1) in een behandelingskamer (5) te plaatsen; -de druk in de behandelingskamer (5) op een relatief lage waarde te houden; - het substraat (1) op een bepaalde, voor het realiseren van genoemde laag geschikte substraatbehandelingstemperatuur te houden; - een plasma (P) op te wekken door ten minste één op een bepaalde afstand 10 (L) van het substraatoppervlak op de behandelingskamer (5) gemonteerde plasma-bron (3); - althans een deel van het door elke bron (3) gegenereerde plasma (P) in contact te brengen met het genoemde deel van het substraatoppervlak; en -ten minste één voor SiOx realisatie geschikte precursor aan het genoemde 15 deel van het plasma (P) toe te voeren; waarbij althans de ten minste ene op het substaat (1) gerealiseerde laag in een gasomgeving aan een temperatuurbehandeling wordt onderworpen, waarbij de temperatuurbehandeling in het bijzonder een forming-gas-anneal behandeling omvat.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij de ten minste ene op het substraat (1) gerealiseerde laag gedurende genoemde temperatuurbehandeling op een behandelingstemperatuur wordt gehouden die hoger is dan 350°C.
3. Werkwijze volgens conclusie 1 of 2, waarbij genoemde 25 behandelingstemperatuur ligt in het bereik van circa 250°C-1000°C, in het bijzonder in het bereik van circa 500° C-700°C, meer in het bijzonder in het bereik van circa 550°C-650°C, bijvoorbeeld circa 600°C. 1 02964 7
4. Werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, waarbij genoemde temperatuurbehandeling minder dan circa 20 min duurt.
5. Werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, waarbij een gasstroom aan genoemd substraat (1) of althans de ten minste ene op het 5 substaat (1) gerealiseerde laag wordt toegevoerd tijdens genoemde temperatuurbehandeling om genoemde gasomgeving te voorzien..
6. Werkwijze volgens één van de voorgaande conclusies, waarbij genoemde gasomgeving in hoofdzaak een mengsel van stikstofgas en waterstofgas omvat.
7. Werkwijze volgens conclusie 6, waarbij de verhouding stikstof:waterstof in genoemd mengsel ligt in het bereik van circa 75:25 tot 99:1, in het bijzonder in het bereik van circa 85:15 tot 95:5, en bijvoorbeeld circa 90:10 bedraagt.
8. Werkwijze volgens één der conclusies 1-5, waarbij genoemde 15 gasomgeving in hoofdzaak waterstofgas bevat.
9. Werkwijze volgens één van de voorgaande conclusies, waarbij de ten minste ene precursor wordt geselecteerd uit de groep die bestaat uit: -SiH4 -02; 20 - ΝΌ2; -CH3S1H3 (IMS); -2(CH3)SiH2 (2MS); -3(CH3)SiH (3MS); -siloxanen 25 -hexamethylsiloxaan; -octamethyltrisiloxaan; -bis(trimethylsiloxy)methylsilaan; -octamethyltetrasyloxaan (D4); en -TEOS. 1 02964 7
10. Werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, waarbij het substaat (1) op zichzelf een relatief lage resisitiviteit heeft, bijvoorbeeld een resisitviteit van minder dan circa 10 Ωαη, in het bijzonder een resistiviteit van circa 2 Qcm of lager.
11. Werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat procesparameters van het plasmabehandelingsproces, althans de genoemde behandelingskamerdruk, een debiet van de ten minste ene precursor, de substraatbehandelingstemperatuur, dimensies van de behandelingskamer (5) en de afstand (L) tussen de ten minste ene 10 plasmabron (3) en het substraatoppervlak zodanig zijn, dat een SiOx laag op het substraat (1) wordt gerealiseerd met een groeisnelheid die ligt in het bereik van circa 1-15 nm/s.
12. Werkwijze volgens één van de voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat de genoemde behandelingstemperatuur van het substraat, 15 althans tijdens de realisatie van SiOx, ligt in het bereik van 250-550°C, meer in het bijzonder in het bereik van 380-420°C.
13. Werkwijze volgens één van de voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat de dikte van de door het plasmabehandelingsproces op het substraat (1) gerealiseerde SiOx laag ligt in het bereik van 10 - 1000 nm.
14. Werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, waarbij de ten minste ene plasmabron ten minste één plasma-cascadebron omvat.
15. Werkwijze volgens conclusie 14, met het kenmerk, dat een gelijkspanning in elke plasmacascadebron wordt gebruikt om het plasma op te wekken.
16. Werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, waarbij de ten minste ene laag tevens van ten minste een SiNx laag wordt voorzien, waarbij de SiNx laag bijvoorbeeld op genoemde SiOx laag wordt gerealiseerd, bijvoorbeeld om een antireflectielaag te voorzien. 1 02964 7
17. Werkwijze volgens conclusie 16, waarbij genoemde SiOx laag en SiNx laag achtereenvolgens door dezelfde inrichting op het substraat (1) worden voorzien.
18. Werkwijze volgens conclusie 16 of 17, waarbij de dikte van 5 genoemde SiNx laag ligt in het bereik van circa 25 tot 100 nm, en in het bijzonder circa 80 nm bedraagt.
19. Werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, waarbij het plasma wordt voorzien van O2 als precursor, zodanig dat genoemd substraatoppervlak wordt gemodificeerd in SiOx om genoemde SiOx laag te 10 realiseren.
20. Werkwijze voor het passiveren van ten minste een deel van een oppervlak van een halfgeleidersubstraat, bijvoorbeeld een werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, waarbij ten minste één laag omvattende ten minste een SiOx laag op genoemd deel van het substraatoppervlak wordt 15 gerealiseerd door: - het substraat (1) in een behandelingskamer (5) te plaatsen; -de druk in de behandelingskamer (5) op een relatief lage waarde te houden; - het substraat (1) op een bepaalde substraatbehandelingstemperatuur te houden; 20. een plasma (P) op te wekken door ten minste één op een bepaalde afstand (L) van het substraatoppervlak op de behandelingskamer (5) gemonteerde plasma-bron (3); - althans een deel van het door elke bron (3) gegenereerde plasma (P) in contact te brengen met het genoemde deel van het substraatoppervlak; en 25 -ten minste één voor SiOx realisatie geschikte precursor aan het genoemde deel van het plasma (P) toe te voeren; waarbij vervolgens H2 of een mengsel van H2 en een inert gas, bijvoorbeeld N2 of Ar, aan genoemd plasma wordt toegevoerd, in het bijzonder om de ten minste ene laag uit te gloeien en/of om de diffusie van H2 in de ten minste 30 ene laag te verhogen. 1029647
21. Zonnecel, voorzien van ten minste een deel van een substraat dat ten minste is verkregen met een werkwijze volgens één der voorgaande conclusies. 5 1 02964 7
NL1029647A 2005-07-29 2005-07-29 Werkwijze voor het passiveren van ten minste een deel van een substraatoppervlak. NL1029647C2 (nl)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1029647A NL1029647C2 (nl) 2005-07-29 2005-07-29 Werkwijze voor het passiveren van ten minste een deel van een substraatoppervlak.
TW095127137A TWI378499B (en) 2005-07-29 2006-07-25 Method for passivating at least a part of a substrate surface
PCT/NL2006/000393 WO2007013806A1 (en) 2005-07-29 2006-07-28 Method for passivating a substrate surface
EP06783861A EP1911102B8 (en) 2005-07-29 2006-07-28 Method for passivating a substrate surface
KR1020087004876A KR20080046172A (ko) 2005-07-29 2006-07-28 기판 표면의 부동태화 방법
JP2008523819A JP2009503845A (ja) 2005-07-29 2006-07-28 基材表面を不動態化する方法
CN2006800276072A CN101233621B (zh) 2005-07-29 2006-07-28 用于钝化衬底表面的方法
US11/989,628 US20090288708A1 (en) 2005-07-29 2006-07-28 Method for passivating a substrate surface
NO20080469A NO20080469L (no) 2005-07-29 2008-01-25 Fremgangsmate for a passivisere en substratoverflate

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1029647 2005-07-29
NL1029647A NL1029647C2 (nl) 2005-07-29 2005-07-29 Werkwijze voor het passiveren van ten minste een deel van een substraatoppervlak.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL1029647C2 true NL1029647C2 (nl) 2007-01-30

Family

ID=36061542

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1029647A NL1029647C2 (nl) 2005-07-29 2005-07-29 Werkwijze voor het passiveren van ten minste een deel van een substraatoppervlak.

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20090288708A1 (nl)
EP (1) EP1911102B8 (nl)
JP (1) JP2009503845A (nl)
KR (1) KR20080046172A (nl)
CN (1) CN101233621B (nl)
NL (1) NL1029647C2 (nl)
NO (1) NO20080469L (nl)
TW (1) TWI378499B (nl)
WO (1) WO2007013806A1 (nl)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101022822B1 (ko) * 2008-12-31 2011-03-17 한국철강 주식회사 광기전력 장치의 제조 방법
DE102009044052A1 (de) 2009-09-18 2011-03-24 Schott Solar Ag Kristalline Solarzelle, Verfahren zur Herstellung einer solchen sowie Verfahren zur Herstellung eines Solarzellenmoduls
US8334161B2 (en) * 2010-07-02 2012-12-18 Sunpower Corporation Method of fabricating a solar cell with a tunnel dielectric layer
US20130220410A1 (en) * 2011-09-07 2013-08-29 Air Products And Chemicals, Inc. Precursors for Photovoltaic Passivation
TWI477643B (zh) * 2011-09-20 2015-03-21 Air Prod & Chem 用於光伏打鈍化的含氧前驅物
US9339770B2 (en) 2013-11-19 2016-05-17 Applied Membrane Technologies, Inc. Organosiloxane films for gas separations
CN110061096B (zh) * 2016-01-29 2023-02-28 上饶市晶科绿能科技发展有限公司 制造太阳能电池的方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4253881A (en) * 1978-10-23 1981-03-03 Rudolf Hezel Solar cells composed of semiconductive materials
US5462898A (en) * 1994-05-25 1995-10-31 Georgia Tech Research Corporation Methods for passivating silicon devices at low temperature to achieve low interface state density and low recombination velocity while preserving carrier lifetime

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5858819A (en) * 1994-06-15 1999-01-12 Seiko Epson Corporation Fabrication method for a thin film semiconductor device, the thin film semiconductor device itself, liquid crystal display, and electronic device
CN1034617C (zh) * 1995-05-19 1997-04-16 李毅 内联式非晶硅太阳能电池及制造方法
JP3722326B2 (ja) * 1996-12-20 2005-11-30 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法
US6110544A (en) * 1997-06-26 2000-08-29 General Electric Company Protective coating by high rate arc plasma deposition
NL1020634C2 (nl) * 2002-05-21 2003-11-24 Otb Group Bv Werkwijze voor het passiveren van een halfgeleider substraat.
NL1025096C2 (nl) * 2003-12-21 2005-06-23 Otb Group Bv Werkwijze alsmede inrichting voor het vervaardigen van een functionele laag bestaande uit ten minste twee componenten.

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4253881A (en) * 1978-10-23 1981-03-03 Rudolf Hezel Solar cells composed of semiconductive materials
US5462898A (en) * 1994-05-25 1995-10-31 Georgia Tech Research Corporation Methods for passivating silicon devices at low temperature to achieve low interface state density and low recombination velocity while preserving carrier lifetime

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHEN Z ET AL: "SILICON SURFACE AND BULK DEFECT PASSIVATION BY LOW TEMPERATURE PECVD OXIDES AND NITRIDES", WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY. WAIKOLOA, DEC. 5 - 9, 1994, NEW YORK, IEEE, US, vol. VOL. 2 CONF. 1, 5 December 1994 (1994-12-05), pages 1331 - 1334, XP000680085, ISBN: 0-7803-1460-3 *
ELGAMEL H E ET AL: "EFFICIENT COMBINATION OF SURFACE AND BULK PASSIVATION SCHEMES OF HIGH-EFFICIENCY MULTICRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS", JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS. NEW YORK, US, vol. 78, no. 5, 1 September 1995 (1995-09-01), pages 3457 - 3461, XP000541608, ISSN: 0021-8979 *
LEGUIJT C ET AL: "Low temperature surface passivation for silicon solar cells", SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, ELSEVIER SCIENCE PUBLISHERS, AMSTERDAM, NL, vol. 40, no. 4, 1 August 1996 (1996-08-01), pages 297 - 345, XP004008111, ISSN: 0927-0248 *
NAGAYOSHI H ET AL: "The stability of SiNx:H/SiO2 double-layer passivation with Hydrogen-radical annealing", PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE, vol. 1, 30 June 1997 (1997-06-30), pages 739 - 742, XP002160392 *
ROHATGI A ET AL: "COMPREHENSIVE STUDY OF RAPID, LOW-COST SILICON SURFACE PASSIVATION TECHNOLOGIES", IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, IEEE SERVICE CENTER, PISACATAWAY, NJ, US, vol. 47, no. 5, May 2000 (2000-05-01), pages 987 - 993, XP000928620, ISSN: 0018-9383 *
VERMEULEN T ET AL: "Interaction between bulk and surface passivation mechanisms in thin film solar cells on defected silicon substrates", PROC. OF THE 25TH PVSC CONFERENCE, MAY 13-17 1996, WASHINGTON D.C., USA, IEEE, 13 May 1996 (1996-05-13), pages 653 - 656, XP010208236 *

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007013806A1 (en) 2007-02-01
EP1911102A1 (en) 2008-04-16
TW200717619A (en) 2007-05-01
US20090288708A1 (en) 2009-11-26
CN101233621B (zh) 2012-03-21
KR20080046172A (ko) 2008-05-26
JP2009503845A (ja) 2009-01-29
EP1911102B8 (en) 2012-10-31
TWI378499B (en) 2012-12-01
NO20080469L (no) 2008-02-28
CN101233621A (zh) 2008-07-30
EP1911102B1 (en) 2012-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL1029647C2 (nl) Werkwijze voor het passiveren van ten minste een deel van een substraatoppervlak.
US7704894B1 (en) Method of eliminating small bin defects in high throughput TEOS films
US7381644B1 (en) Pulsed PECVD method for modulating hydrogen content in hard mask
US8575033B2 (en) Carbosilane precursors for low temperature film deposition
WO2008024566B1 (en) Overall defect reduction for pecvd films
CN100594259C (zh) 改善低k叠层之间粘附性的界面工程
US4900591A (en) Method for the deposition of high quality silicon dioxide at low temperature
TW201139723A (en) PECVD multi-step processing with continuous plasma
CN101886254B (zh) 用数字式液体流量计改进低介电常数介质膜的初始层的方法
JP2003503849A (ja) 基材上にフィルムを形成する方法及び装置
US7638443B2 (en) Method of forming ultra-thin SiN film by plasma CVD
JP2002060945A5 (nl)
He et al. Bonding structure and properties of ion enhanced reactive magnetron sputtered silicon carbonitride films
JP2004158794A (ja) 絶縁膜の形成方法及び絶縁膜の形成装置
Boogaard et al. Characterization of SiO2 films deposited at low temperature by means of remote ICPECVD
NL2002980C2 (en) Method for passivating al least a part of a substrate surface.
US20220119952A1 (en) Method of reducing defects in a multi-layer pecvd teos oxide film
CN1363722A (zh) 用电子回旋共振微波等离子体制备超薄氮化硅薄膜
JP2004103688A (ja) 絶縁膜の形成方法およびゲート絶縁膜
KR100382370B1 (ko) 어닐링장치의 서셉터 전처리방법
US11676813B2 (en) Doping semiconductor films
TWI842531B (zh) 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US20230061249A1 (en) Treatments for controlling deposition defects
WO2023167810A1 (en) Silicon-containing layers with reduced hydrogen content and processes of making them
JP2558457B2 (ja) 酸化珪素被膜の成膜法

Legal Events

Date Code Title Description
PD2B A search report has been drawn up
SD Assignments of patents

Owner name: OTB SOLAR B.V.

Effective date: 20091022

V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20140201