JP2002100791A

JP2002100791A - 太陽電池の製造方法

Info

Publication number: JP2002100791A
Application number: JP2000287208A
Authority: JP
Inventors: Yukiko Iwasaki; 由希子岩▲崎▼; Akiyuki Nishida; 彰志西田; Kiyobumi Sakaguchi; 清文坂口; Takao Yonehara; 隆夫米原; Noritaka Ukiyo; 典孝浮世
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2000-09-21
Filing date: 2000-09-21
Publication date: 2002-04-05

Abstract

(57)【要約】【課題】薄膜半導体に対する、ひびや割れ、欠陥の導
入が低減され、しかも、同時に任意形状に加工すること
ができ、収率よく安価に高性能な太陽電池が得られる製
造方法を提供する。【解決手段】少なくとも、第一の基体の表面を陽極化
成することにより、基体の少なくとも片面に多孔質層を
形成する工程と、前記多孔質層の上に少なくとも半導体
層を形成する工程と、前記半導体層表面に第二の基体を
接着する工程と、前記多孔質層を介して、前記半導体層
と第一の基体とを分離する工程と、少なくとも分離した
前記半導体層の周辺部を除去する工程とを有することを
特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多孔質層上に堆積
した半導体薄膜を用いて構成される太陽電池の製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】太陽電池の製造法において、半導体基板
上に形成した多孔質層上に薄膜半導体層を形成した後、
多孔質層を介して、前記薄膜半導体層を分離する技術が
知られている。分離方法としては、エッチングによる化
学的方法、または、電磁波や超音波、引張り力、せん断
力などの力を作用させる物理的方法が用いられる。これ
らの分離法については、特開平７−３０２８８９号公
報、特開平８−２１３６４５号公報、特開平１０−１９
００３２号公報に記載がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記の手法の内、多孔
質層に力を作用させて、薄膜エピタキシャル層を得る場
合、分離力によって、第一基体の表面に形成された薄膜
半導体層や多孔質層を破壊する際の衝撃により、分離し
たい半導体薄膜領域の周辺部に、細かいひびや割れが入
ってしまうことがある。このような周辺部にできたひび
や割れをそのままにしておくと、その後のプロセス中に
周辺部に留まらず、中心部へ伝播する畏れがある。その
結果、太陽電池の収率は低下し、発電に寄与しない部分
ができるために、モジュール面積当たりの発電量が減
り、さらに、外観上も好ましくない。

【０００４】また、太陽電池には、限られた面積から必
要な電力を得ることが要求されるため、モジュール化に
当っては、面積を有効に利用しなければならない。従っ
て、太陽電池は、決められた面積にできる限り大きな受
光領域を確保するように、敷き詰めることが可能な、適
当な形状であることが望まれる。

【０００５】ところが、一般的な太陽電池用ウエハの形
状は、円もしくは円から切り出しているために、正方形
の４角が欠けた８角形である。

【０００６】一方、前記ひび割れの問題を解決するため
には、分離後に半導体層の周辺部に導入されたひびや割
れを除去してやれば良い。分離された薄膜半導体のみ、
または半導体が接着された基板ごと除去する方法が考え
られる。この時、用途に合った形状に加工すれば、前記
２つ目の問題も同時に解決することができる。

【０００７】本発明は、上記事情に基づいてなされたも
ので、薄膜半導体に対する、ひびや割れ、欠陥の導入が
低減され、しかも、同時に任意形状に加工することがで
き、収率よく安価に高性能な太陽電池が得られる製造方
法を提供することを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】このため、本発明の太陽
電池の製造方法では、少なくとも、第一の基体の表面を
陽極化成することにより、基体の少なくとも片面に多孔
質層を形成する工程と、前記多孔質層の上に少なくとも
半導体層を形成する工程と、前記半導体層表面に第二の
基体を接着する工程と、前記多孔質層を介して、前記半
導体層と第一の基体とを分離する工程と、少なくとも分
離した前記半導体層の周辺部を除去する工程とを有する
ことを特徴とする。

【０００９】また、本発明の太陽電池の製造方法では、
少なくとも、第一の基体の表面を陽極化成することによ
り、基体の少なくとも片面に多孔質層を形成する工程
と、前記多孔質上に少なくとも半導体層を形成する工程
と、仮の基体を前記半導体層に接着する工程と、前記多
孔質層を介して、前記半導体層と第一の基体とを分離す
る工程と、前記半導体層を仮の基体から第二の基体へ転
写する工程と、少なくとも分離した前記半導体層の周辺
部を除去する工程とを有することを特徴とする。

【００１０】また、本発明の太陽電池の製造方法では、
少なくとも、第一の基体の表面を陽極化成することによ
り、基体の少なくとも片面に多孔質層を形成する工程
と、前記多孔質層の上に少なくとも半導体層を形成する
工程と、仮の基体を前記半導体表面に接着する工程と、
前記多孔質層を介して、前記半導体層と第一の基体とを
分離する工程と、少なくとも前記半導体層の周辺部を除
去する工程と、前記半導体層を仮の基体から第二の基体
へ転写する工程とを有することを特徴とする。

【００１１】なお、以下に述べる実施の形態において、
本発明の他の特徴も明らかにされるであろう。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明に係る実施の形態の一例と
して、第一基体に単結晶シリコンウエハを用いて、太陽
電池の製造方法を、図１を参照して説明する。ここで
は、単結晶シリコンウエハ１０１の表面に不純物を熱拡
散、イオン打込み、あるいは、ウエハ作製時に混入させ
ることにより不純物を導入し、少なくとも、ウエハ表面
にｐ⁺（あるいはｎ⁺）層１０２を形成する（図１の
（ａ）を参照）。

【００１３】次に、不純物を導入した側のウエハ表面
を、例えば、弗酸溶液中で陽極化成することにより、該
表面付近に多孔質層１０３を形成した後（図１の（ｂ）
を参照）、この多孔質層１０３に水素アニールを施し
て、表面処理を施した後、液相成長法または気相成長法
により、単結晶シリコン半導体層１０４をエピタキシャ
ル成長させる（図１の（ｃ）を参照）。

【００１４】多孔質シリコン層を形成するための陽極化
成法には、弗酸溶液が用いられ、弗酸濃度が１０％以上
で、多孔質化が可能となる。化成時に流す電流量は、弗
酸濃度や所望する多孔質層の膜厚や多孔質表面の状態な
どによって適宜決められるが、数ｍＡ／ｃｍ²〜数十ｍ
Ａ／ｃｍ²の範囲が適当である。多孔質シリコン層は、
弗酸溶液濃度を変化させることで、その密度（多孔度）
を変化させることができる。また、陽極化成電流を変え
ても、多孔度を変化させることができ、電流を増大させ
ると、多孔度も増加する。

【００１５】多孔質シリコンの機械的強度は多孔度によ
り異なるが、バルクシリコンよりも十分に弱いと考えら
れる。化成電流レベルを、例えば、途中で、低レベルか
ら高レベルへ変化させることにより、予め、多孔質層の
構造に疎密の変化を設けることが可能で、それにより、
エピタキシャル成長後に、多孔質層１０３において半導
体層１０４をシリコンウエハ１０１から分離し易くする
ことができる。

【００１６】単結晶シリコンを陽極化成して、得られた
多孔質シリコンには、透過電子顕微鏡の観察によると、
数ｎｍ程度の径の孔が形成されており、その密度は、単
結晶シリコンの半分以下になる。それにもかかわらず、
単結晶性は維持されており、多孔質シリコンの上に、熱
ＣＶＤ法などで、エピタキシャル層を成長させることが
可能である。

【００１７】また、多孔質層は、その内部に大量の空隙
が形成されているために、体積に比べて、表面積が飛躍
的に増大しており、その結果、化学的エッチング速度は
通常の単結晶層のエッチング速度に比べて著しく増速さ
れる。

【００１８】半導体層については、成長膜厚は１０〜５
０μｍが好ましい。シリコン単結晶ウエハ１０１だけで
なく、多結晶基板やＧａＡｓなどの他の材料を選んだ場
合でも、同様に半導体層を得ることができる。

【００１９】液相成長法は、溶質を飽和状態まで溶かし
込んだ溶媒に基板を接触させて、徐々に冷却し、基板上
に溶質材料をエピタキシャル成長させるものである。シ
リコンの成長には、溶媒として、インジウムやスズ、銅
などが利用できるが、成長した膜に混入する不純物質が
少ないという点で、インジウムが最も適している。一方
の気相法としては、熱ＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法、スパッ
タ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法などがある。シリ
コンの成長に使用される原料ガスとしては、Ｓｉ₂Ｈ₂
Ｃｌ₂、ＳｉＣｌ₄、ＳｉＨＣｌ₃、ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂
Ｈ₆、Ｓｉ₂Ｆ ₂、Ｓｉ₂Ｆ₆などの、シラン類および
ハロゲン化シラン類が代表的なものとして挙げられる。
また、キャリアガスとして、あるいは、結晶成長を促進
させる還元雰囲気を得る目的で、前記の原料ガスに加え
て、Ｈ₂が添加される。

【００２０】次いで、接合を形成したシリコン層１０４
に金属製支持基板１０６を、導電性接着剤１０５によ
り、接着したのち（図１の（ｄ）を参照）、多孔質層１
０３に物理的な分離力（例えば、機械力のような直接的
な力や超音波のように媒体を介しての間接的な力）を作
用させて、シリコン層１０４をシリコンウエハ１０１か
ら分離し、支持基板１０６上に転写する（図１の（ｅ）
を参照）。

【００２１】接合形成は、不純物を溶かし込んだ溶液か
らの液相成長、イオン注入、拡散剤などを用いる方法が
ある。表面パッシベーション支持基板は、光入射側に用
いるか裏面側に用いるかによって、透明基板、金属基
板、導電層を設けた樹脂基板やセラミック基板などから
選択すればよい。支持基板の接着剤も、支持基板の材質
や機能に合わせて透明接着剤や導電性接着剤などを選
ぶ。

【００２２】さらに、分離後に別の基板へと転写する方
法もある。この場合の支持基板は、仮の基板であるた
め、材質への制約は少なくできるが、接着剤は分離時に
強固に接着でき且つ転写時は容易に除去できるものでな
くてはならない。半導体層の分離は、多孔質強度に合わ
せて、引張り力や支持基板の熱収縮／膨張などを利用し
たせん断力を加えたり、楔を挿入したり、電磁波や超音
波などを印加したり、弗酸系溶液を用いたウェットエッ
チングを施すなどによって、実現される。

【００２３】このようにして、支持基板に転写した半導
体層には、分離の際に、周辺部にひびや割れが導入さ
れ、その端部は、劈開などにより、鋭利な突起形状とな
ってしまうことが多い。ひびや割れは、その後のプロセ
ス中に中心部へ伝播する畏れがある。

【００２４】また、ウェットエッチングの場合は、半導
体層の周辺部が極端に薄くなったり、それに伴って割れ
てしまったりする。このような半導体層の欠陥は、太陽
電池の特性を低下させてしまう上、外観にも劣る。従っ
て、分離後に、予め周辺部のひびや割れや膜厚の薄くな
った部分を除去しておけば、その後のプロセスによる太
陽電池の特性を低下する要因の一つを取り除くことがで
きる。この時、周辺部を除去すると同時に、半導体層を
所望の形状（図１の（ｅ）を参照）に加工形成すれば
（符号１０７は周辺除去ライン）、効率がよい（図１の
（ｆ）を参照）。

【００２５】周辺部除去の手段としては、ダイシングワ
イヤソー、高圧水噴射、レーザー照射などによって切断
する方法、ウェットエッチングやドライエッチングなど
で除去する方法が挙げられる。ダイシングは、ダイヤモ
ンドの微粒子を付着させた円盤状のこぎりを、４０００
ｒｐｍ程度の高速で、回転させて切断する方法である。
また、ワイヤソーは、ワイヤを走行させ、砥粒を含有す
る切削液を供給しながら、基材接着した半導体層を、走
行ワイヤに押し付けて切断する方法である。

【００２６】また、高圧水噴射は、２００〜１０００ｋ
ｇ／ｃｍ²の圧力の純水を噴射して、切断する方法で、
効率よく切断するには、シリコン粒子などを純水中に混
入させると良い。レーザー照射切断は、切断材料の構成
分子間結合エネルギー以上のエネルギーを、レーザー照
射によって与えて、分子間結合を切る方法である。従っ
て、切断する材料の物性や厚みによって、適宜レーザー
の波長やエネルギー密度、ショット数などが決まる。例
えば、シリコンの切断に、ＫｒＦレーザー光（波長２４
９ｎｍ）を用いた場合、エネルギー密度：１０〜１５Ｊ
／ｃｍ²、ショット数：１００〜１５０にて、また、Ｓ
ＨＧ−ＹＡＧレーザー光（波長５３０μｍ）を用いた場
合は、約１０Ｊ／ｃｍ²のエネルギー密度、ショット
数：４０にて約１０μｍの膜厚を貫通することができ
る。いずれの切断方法も、半導体薄膜に余計な応力をか
けないために、半導体薄膜が基材や支持台など、しっか
りした台に固定されている必要がある。これは、半導体
薄膜の支持が十分でないと、予定外に、半導体薄膜の劈
開方向に割れてしまうことが考えられるからである。

【００２７】上記の方法で周辺部を除去した場合、端部
で電流がリークしてしまう可能性が考えられる。このよ
うな心配が予想され、特性に大きく影響すると見積られ
る場合は、周辺除去後の大きさより、数ミリ〜数十ミ
リ、小さな領域で、アイソレーションとパッシベーショ
ンを施しておけば、周辺除去による電流リークの影響を
抑えることができる。なお、周辺部を除去するより前の
行程でアイソレーションを施すか、分離後にアイソレー
ションを施すかすればよい。

【００２８】ウェットエッチングで除去する場合、エッ
チャントにはＨＦ：ＣＨ₃ＣＯＯＨ：ＨＮＯ₃の混酸を
用いるとよい。エッチングしない領域をマスク保護し
て、エッチャントに浸漬するが、基材の材質次第では、
基材そのものにも保護が必要となる。例えば、金属やガ
ラスはＨＦによって浸食されるため、これらの基材には
耐フッ酸性の保護マスクを施しておく。ＲＩＥを利用し
たドライエッチングにも、除去しない部分にはマスクを
施しておく。周辺部の半導体を除去した後は、必要に応
じて、基材を所望の形状に切断する。

【００２９】ダイシング、ワイヤソー、高圧水噴射、レ
ーザー照射などの方法は、周辺部を基板ごと切断するの
に適しており、ウェットエッチング、ドライエッチング
などの方法は、周辺部の半導体層のみを除去するのに適
している。従って、これらを組み合わせるのもよい。

【００３０】例えば、プラスチック基板に接着して、剥
離した基板の周辺部を除去する際、まず、太陽電池とし
て利用する半導体部分に、耐ＨＦ性マスクを施し、ＨＦ
エッチャントに浸漬して、まず、半導体を除去する。次
いで、得られた半導体形状に合わせて、前記ワイヤソー
やダイシング、またはカッターなどで、プラスチック基
板を所望の形状に切断すればよい。

【００３１】転写後に薄膜単結晶シリコンの表面に残る
多孔質残渣１０８は、必要に応じてエッチングなどで除
去し、アイソレーションを施したのち、表面電極１０
９、パッシベーション層を兼ねた反射防止層１１０を形
成し、太陽電池とする（図１の（ｇ）を参照）。

【００３２】薄膜半導体の分離が終わった後のシリコン
ウエハ１０１は、その表面に残っている多孔質層１０８
をエッチング、電解研磨、ラッピングなどにより除去／
処理することにより、再び、最初の工程に供せられ、有
効に利用することができる（図１の（ｈ）を参照）。

【００３３】

【実施例】（実施例１）この実施例１では、厚み８００
μｍの４インチφのｐ^-型シリコン単結晶基板２０１の
片面にＢ（ホウ素）を、熱拡散により導入して、ｐ⁺層
２０２を形成した（図２の（ａ）を参照）。この基板
を、フッ酸溶液中で電流を二段階に変化させることで、
陽極化成し、厚さ：約１３μｍの多孔質層２０３を得た
（図２の（ｂ）を参照）。この時、電流は８ｍＡ／ｃｍ
²で１０分間、通電したのち、３０ｍＡ／ｃｍ²で１０
分間、通電した。多孔質層は、上述のように、途中で電
流を変化させることにより、密な構造の多孔質層と疎な
構造の多孔質層の二層構造となった。

【００３４】次に、多孔質層２０３を形成したｐ型シリ
コン単結晶ウエハ２０１を、水素雰囲気中で、表面温
度：１０５０℃にて、１分間アニールし、その後、熱Ｃ
ＶＤにより、それぞれｐ⁺層を１μｍ、ｐ^-層を１０μ
ｍ、ｎ+ 層を３０００Åの膜厚として、半導体層２０４
をエピタキシャル成長させた（図２の（ｃ）を参照）。

【００３５】次に、ｎ⁺層をドライエッチングによって
アイソレーションし、面積４ｃｍ²の太陽電池のセル化
領域を、半導体層２０４の中心部分に４個、作り込み、
さらに、光入射面電極２０５、パッシベーション層をか
ねた反射防止層ＳｉＮ２０６を形成した（図２の（ｄ）
を参照）。そして、反射防止層ＳｉＮ２０６の表面に透
明接着剤２０７を塗布して、ウエハと同形状の透明プラ
スチック基板２０８を固定（図２の（ｅ）を参照）した
後、基材と半導体層の膨張係数の違いを利用して、せん
断力を加え、シリコン層２０４をシリコン基板２０１か
ら分離した（図２の（ｆ）を参照）。

【００３６】分離した薄膜の周辺部には、細かなひびや
割れ２１０が入り、薄膜の端部には鋭利な突起形状が形
成されていた。次に、ＳＨＧ−ＹＡＧのレーザー光（波
長：５３０μｍ）を用い、エネルギー密度：１２Ｊ／ｃ
ｍ²、ショット数：８０にて、薄膜半導体を、中心部の
４個の太陽電池セルを含む６５×６５ｍｍ²の正方形状
に、基材と一緒に切断した（符号２１１は周辺除去ライ
ン、平面視が図３に示されている）。得られた薄膜半導
体側の多孔質層残渣２１２を、エッチングにて、除去し
た後、導電性接着剤２１３で、ステンレス基板２１４に
貼り付けて裏面電極とし、太陽電池とした（図２の
（ｇ）を参照）。なお、比較のため、レーザー光で成形
しなかったことを除いては、同様にして、太陽電池を形
成した。どちらのケースも、１０枚ずつ作製した。

【００３７】それぞれの太陽電池について、分離前と最
終形態における変換効率と収率を比較したところ、レー
ザー光で成形した太陽電池については、その差がほとん
どみられなかったが、形成しなかった太陽電池について
は、分離後にできたひびや割れが中心部にまで伝播して
しまったものがあり、分離前に比べて劣っていた。

【００３８】次に、薄膜半導体を形成した後に残るウエ
ハ２１５の１０枚について、表面の多孔質残渣をエッチ
ングで除去し、洗浄した後、再び陽極化成以下の工程を
５回繰り返して、施した。ウエハの利用回数が一回の太
陽電池と５回の太陽電池を比較したところ、効率、収率
に大きな変化は見られなかった。

【００３９】（実施例２）この実施例２では、ｐ⁺型４
インチシリコン単結晶ウエハ４０１の片面に、実施例１
と同様にして、多孔質層４０３を形成した（図４の
（ａ）および（ｂ）を参照）。次に、２枚のウエハを、
多孔質層４０３の対向した面を合わせて、治具で固定し
た後、水素雰囲気中で、表面温度：１０５０℃にて１分
間アニールし、その後、過飽和状態となる濃度まで、シ
リコンを溶かし込んだ９００℃の金属インジウム溶液中
に浸漬し、徐冷して、１μｍのｎ⁺型シリコン層および
３０μｍのｐ^-型シリコン層４０４を形成した。２枚の
ウエハの多孔質層が形成されていない面を合わせること
により、液相成長層は、多孔質層上にのみ成長すること
ができた（図４の（ｃ）を参照）。

【００４０】次に、それぞれのウエハについて、ウエハ
と同形のＡｌ基板４０６を、液相成長面のｐ^-層４０５
に熱溶着して、接着すると同時に、ｐ⁺層を形成した。
その後ウエハ４０１と基板４０６の間に楔４０７を入れ
て、多孔質を破壊し、液相成長層を分離し（図４の
（ｅ）を参照）、薄膜半導体の分離面に残った多孔質残
渣４０８を除去し、ドライエッチングにて６．５×６．
５ｃｍ²にアイソレーションした。

【００４１】さらに、光入射面電極４０９および反射防
止層４１０を形成して、太陽電池とし（図４の（ｆ）を
参照）、その後、ワイヤソーによって、Ａｌ基板４０６
と一緒に、太陽電池セルの形状よりひと周り大きく、７
×７ｃｍ²の正方形に、カッティングした（符号４１１
は周辺除去ライン）（図４の（ｇ）を参照）。こうして
得られた太陽電池を、４個直列化して、小さなモジュー
ルにした。ワイヤソーによるカッティングのみを行わな
かった太陽電池についても、同様に、４個を直列化して
モジュール化した。なお、薄膜半導体層を分離した後の
ウエハ４１２は表面研磨などの所要の処理により、再生
され、ウエハ４０１として再使用される。

【００４２】カッティングにより成形したセルは、隙間
無く並べることができるので、外観に優れ、また、単位
面積当たり、高い効率が得られた。一方、カッティング
を行わなかったセルは、発電に寄与しない面積が多く、
モジュール化の途中に１個のセルの中心部近くにまで割
れが伝播し、その結果、単位面積当たり非常に低い効率
しか得られなかった。更に、その外観も隙間が多く、セ
ル周辺が鋭利な突起形状になっていて、見た目も悪い。

【００４３】（実施例３）この実施例３では、ｐ⁺型５
インチシリコン単結晶ウエハ５０１には、実施例１と同
様にして、その両面において、多孔質層５０３を形成し
た（図５の（ａ）および（ｂ）を参照）。次に、実施例
２と同様の液相成長法にて、ウエハの両面にそれぞれ、
１μｍのｐ⁺型シリコン層および３０μｍのｐ^-型シリ
コン層、２０００Åのｎ⁺型シリコン層５０４を形成し
た（図５の（ｃ）を参照）。

【００４４】さらに、表面電極５０５、反射防止層５０
６を形成して、太陽電池とした後（図５の（ｄ）を参
照）、それぞれにガラス基板５０７をエポキシ５０８で
接着し（図５の（ｅ）を参照）、多孔質層５０３に高圧
水を噴射して、多孔質層を破壊し、１枚のウエハから２
枚の半導体薄膜を得た（図５の（ｆ）を参照）。半導体
層の分離面に残った多孔質５０９を研磨にて除去した
後、Ａｌペーストを塗布して、裏面電極５１０を形成し
た（図５の（ｇ）を参照）。次に、ガラス基板全面と半
導体層とに、ウエハ中心に８．５ｃｍ×８．５ｃｍ角に
耐フッ酸性の保護材を貼り、ＨＦ：ＣＨ₃ＣＯＯＨ：Ｈ
ＮＯ₃＝８：１７：７５のエッチャントにて、保護して
いない太陽電池セル部分を除去した後、ダイシングに
て、ガラス基板を、残った太陽電池セルの形状に合わせ
て、カットし、保護材を除去した（図５の（ｈ）を参
照）。なお、薄膜半導体層を分離した後のウエハ５１１
は表面研磨などの所要の処理により、再生され、ウエハ
５０１として再使用される。

【００４５】こうして得られた太陽電池を、４個直列化
して、小さなモジュールにした。エッチングによる半導
体除去とダイシングによるカッティングを行わなかった
太陽電池についても、同様に、４個を直列化して、モジ
ュール化した。

【００４６】カッティングにより成形したセルは、隙間
無く並べることができるので、外観に優れ、また、単位
面積当たりで高い効率が得られた。一方、カッティング
を行わなかったセルは、発電に寄与しない面積が多く、
その結果、単位面積当たりで非常に低い効率しか得られ
なかった。

【００４７】

【発明の効果】本発明は、以上詳述したように、陽極化
成して、多孔質層を形成したウエハ上に堆積した半導体
層を、多孔質層を介して、ウエハから分離して得られる
薄膜結晶の太陽電池の製造方法において、半導体層の分
離後に、周辺領域の半導体層を除去することにより、そ
の後の工程で、薄膜半導体にひびや割れ、欠陥の導入を
低減し、同時に、任意形状に加工することが可能とな
り、高性能の任意形状の太陽電池を収率良く、安価に生
産することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による薄膜半導体製造プロセスの一例を
示す工程説明図である。

【図２】本発明による薄膜半導体製造プロセスの一例で
あって、実施例１で行った工程説明図である。

【図３】実施例１で行った剥離後の、ウエハの周辺除去
部の説明図である。

【図４】実施例２で行った工程説明図である。

【図５】実施例３で行った工程説明図である。

【符号の説明】

１０１，２０１，４０１，５０１シリコンウエハ１０２，２０２ｐ⁺（又はｎ⁺）層１０３，２０３，４０３，５０３多孔質層１０４，２０４，４０４，５０４エピタキシャル成長
単結晶シリコン層１０５，２０７接着層１０６，２０８，４０６支持基板１０７，２１１，４１１周辺除去ライン１０８，２１２，４０８，５０９多孔質残渣１０９，２０５，４０９光入射側電極１１０，２０６，４１０反射防止層４０７楔２１０半導体層分離時に導入されたひび、割れ２１５薄膜半導体層分離後に残ったウエハ２１３導電性接着剤２１４ステンレス基板５０５電極５０６反射防止層５０７ガラス基板５０８エポキシ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者坂口清文東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者米原隆夫東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者浮世典孝東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 5F043 AA02 BB02 DD02 DD14 DD30 GG01 GG10 5F045 AA03 AD14 AF12 AF14 CA13 HA01 HA11 5F051 AA02 CB12 CB28 CB29 DA03 GA02 GA03 HA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも、次の工程（１）〜（５）を
有することを特徴とする太陽電池の製造方法。（１）第一の基体の表面を陽極化成することにより、基
体の少なくとも片面に多孔質層を形成する工程（２）前記多孔質層の上に少なくとも半導体層を形成す
る工程（３）前記半導体層表面に第二の基体を接着する工程（４）前記多孔質層を介して、前記半導体層と第一の基
体とを分離する工程（５）少なくとも分離した前記半導体層の周辺部を除去
する工程
【請求項２】少なくとも、次の工程（１）〜（６）を
有することを特徴とする太陽電池の製造方法。（１）第一の基体の表面を陽極化成することにより、基
体の少なくとも片面に多孔質層を形成する工程（２）前記多孔質上に少なくとも半導体層を形成する工
程（３）仮の基体を前記半導体層に接着する工程（４）前記多孔質層を介して、前記半導体層と第一の基
体とを分離する工程（５）前記半導体層を仮の基体から第二の基体へ転写す
る工程（６）少なくとも分離した前記半導体層の周辺部を除去
する工程
【請求項３】少なくとも、次の工程（１）〜（６）を
有することを特徴とする太陽電池の製造方法。（１）第一の基体の表面を陽極化成することにより、基
体の少なくとも片面に多孔質層を形成する工程（２）前記多孔質層の上に少なくとも半導体層を形成す
る工程（３）仮の基体を前記半導体表面に接着する工程（４）前記多孔質層を介して、前記半導体層と第一の基
体とを分離する工程（５）少なくとも前記半導体層の周辺部を除去する工程（６）前記半導体層を仮の基体から第二の基体へ転写す
る工程
【請求項４】請求項１〜３の何れか１項に記載の太陽
電池の製造方法において、分離後の半導体層の周辺部を
除去すると同時に、所望の形状に加工することを特徴と
する太陽電池の製造方法。
【請求項５】請求項１〜３の何れか１項に記載の太陽
電池の製造方法において、前記第一の基体を繰り返し利
用することを特徴とする太陽電池の製造方法。