JPS6034012A - 固体薄膜の製造方法 - Google Patents

固体薄膜の製造方法

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JPS6034012A
JPS6034012A JP58142786A JP14278683A JPS6034012A JP S6034012 A JPS6034012 A JP S6034012A JP 58142786 A JP58142786 A JP 58142786A JP 14278683 A JP14278683 A JP 14278683A JP S6034012 A JPS6034012 A JP S6034012A
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JP
Japan
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hydrogen
tube
substrate
gas
reaction
Prior art date
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Pending
Application number
JP58142786A
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English (en)
Inventor
Uichi Ito
伊東　宇一
Masashi Kumada
熊田　虔
Nobuaki Washida
鷲田　伸明
Hajime Inoue
元 井上
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
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Publication date
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Publication of JPS6034012A publication Critical patent/JPS6034012A/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔従来技術とその問題点〕 従来のガス状原料ガス分子からの固体薄膜の製造方法に
は下記の、■、■の方法がある。
■　ガス原料を加熱分解して分解生成物を基板上忙堆積
させる熱ＣＶＤ法。
■　グロー放電で作られたプラズマ中に原料ガスを導入
１分解し、基板上に堆積させるプラズマＣＶＤ法。
■　原料ガスに光を照射し、光化学反応により分解させ
基板上に堆積させる元ＣＶＤ法。
上記■および■においては、原料ガスに与えるエネルギ
ーの幅が広いため、イオン種、ラジカル種などの多種類
の分解生成物が生じ、膜質の均質化を阻害し膜成長速度
を抑える。
また、上記■忙おいて、照射する元の波長を選ぶことに
よって、特定の分解生成物を選択的に作り出すことがで
きるが、極端紫外域を利用する光源は種類が少なく、低
出力なので利用範囲が極めて限られてしまい反応槽内へ
の光の導入が妨げられる等の欠点があった。
〔発明の目的〕
この発明は、上記の欠点を除去するため忙なされたもの
で、水素ラジカルと原料ガス分子とのラジカル反応を利
用することによって均質な固体薄膜を得ることを目的と
する。
〔発明の概要〕
この発明は、上記の目的を達成するため、大出力のマイ
クロ波の電磁エネルギーによって水素ラジカルを発生さ
せ、原料ガス分子と水素ラジカルとのラジカル反応によ
って、基板上に分解生成物を堆積させるようにした固体
薄膜の製造方法である。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の薄膜の製造方法の一実施例を図面を参
照しながら説明する。
図において、１は希ガスで希釈した水素ガスを注入する
希釈ガス導入管、２はマイクロ波を発生するエベンソン
型の共振器、３は光学トラップ、４は水素ラジカル発生
管、５は前記水素ラジカル発生管４を冷却する入水管、
６は原料ガス導入管、７は基板、８は前記基板Ｔを加熱
するヒータ、９は水素ラジカルと原料ガスとを反応させ
る反応容器、１０は前記反応器９内を排気する大容量排
気装置、１１は前記反応容器９内および前記水素ラジカ
ル発生管４内を真空にする高真空排気装置、１２は前記
大容量排気装置１０を開閉するパルプ、１３は前記高真
空排気装置１１を開閉するパルプである。
次に動作について説明する。まず、水素ラジカル発生管
４と反応容器９とから成る全系を同時に、高真空排気装
置１１により１０　’　ｔｏｒｒ、まで排気した後パル
プ１３を閉じ、希釈ガス導入管１よりヘリウムガスを水
素ラジカル発生管４および反応容器９に導入して全系内
部を５　ｔｏｒｒ、のヘリウムガスで充満させ、全系内
部の圧力を５　ｔｏｒｒ、に保ちながら、／２ルグ１２
を開けて大容量排気装置１０で１００　ｍ”／ｈｒの割
合で排気する。
次に、希釈ガス導入管１より水素ガスを水素ラジカル発
生管４に導入して、水素ラジカル発生管４内の水素ガス
濃度が５〜１０％に保たれる状態にしておき、共振器２
で大出力２．４５　ＧＨｚのマイクロ波を水素ラジカル
発生管４内に発生させると、導入された水素ガスはマイ
クロ波のエネルギーによって水素ラジカルとなる。その
際発生した光は光学トラップ３ＶＣより除去する。発生
した水素ラジカルを原料ガス導入管６より原料として導
入される弗化ンラン（ＳｉＨｓＦ）ガスと反応容器９内
で。
５ｉ）ＩＩＦ＋Ｈ→ＳｉＨ，＋ＨＦ の反応をさせる。発生した５ＩＨｓラジカルは２５０〜
３００℃に加熱した基板７０表面上でさら忙分解して水
素系アモルファスシリコン膜が基板Ｔ上に堆積する。
〔発明の効果〕
この発明の固体薄膜の製造方法によれば、マイクロ波の
電磁エネルギーによって水素ガスを水素ラジカル忙変換
して原料ガス分子と反応させ、原料ガスを分解して加熱
した基板上に堆積させて固体薄膜を得ることができるの
で、従来の光ＣＶＤ法のように光入射用窓を必要とせず
、かつ、高エネルギーを容易に得られるので、高速忙目
的とする固体薄膜を製造することができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明を実施するための装置の一例を示す構成
概略図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. マイクμ波放電で発生するエネルギーを利用して水素ガ
    スを水素ラジカルに変換させその光を除去した後、高真
    空の反応容器内に導き前記水素ラジカルと原料ガス分子
    とのラジカル反応により前この発明は、ガス状原料ガス
    分子と水素ラジカルとの反応による固体薄膜の製造方法
    に関するものである。
JP58142786A 1983-08-04 1983-08-04 固体薄膜の製造方法 Pending JPS6034012A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6284512A (ja) * 1985-10-08 1987-04-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 水素化アモルフアスシリコンゲルマニウムまたはゲルマニウム半導体膜の製造方法
JPH02166727A (ja) * 1988-12-20 1990-06-27 Sanyo Electric Co Ltd 微結晶半導体薄膜の形成方法
JPH02278715A (ja) * 1989-04-19 1990-11-15 Sharp Corp 薄膜気相成長装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5362982A (en) * 1976-11-17 1978-06-05 Toshiba Corp Plasma cvd apparatus

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