JPS6034012A - 固体薄膜の製造方法 - Google Patents
固体薄膜の製造方法Info
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- JPS6034012A JPS6034012A JP58142786A JP14278683A JPS6034012A JP S6034012 A JPS6034012 A JP S6034012A JP 58142786 A JP58142786 A JP 58142786A JP 14278683 A JP14278683 A JP 14278683A JP S6034012 A JPS6034012 A JP S6034012A
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- JP
- Japan
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- tube
- substrate
- gas
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
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- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔従来技術とその問題点〕
従来のガス状原料ガス分子からの固体薄膜の製造方法に
は下記の、■、■の方法がある。
は下記の、■、■の方法がある。
■ ガス原料を加熱分解して分解生成物を基板上忙堆積
させる熱CVD法。
させる熱CVD法。
■ グロー放電で作られたプラズマ中に原料ガスを導入
1分解し、基板上に堆積させるプラズマCVD法。
1分解し、基板上に堆積させるプラズマCVD法。
■ 原料ガスに光を照射し、光化学反応により分解させ
基板上に堆積させる元CVD法。
基板上に堆積させる元CVD法。
上記■および■においては、原料ガスに与えるエネルギ
ーの幅が広いため、イオン種、ラジカル種などの多種類
の分解生成物が生じ、膜質の均質化を阻害し膜成長速度
を抑える。
ーの幅が広いため、イオン種、ラジカル種などの多種類
の分解生成物が生じ、膜質の均質化を阻害し膜成長速度
を抑える。
また、上記■忙おいて、照射する元の波長を選ぶことに
よって、特定の分解生成物を選択的に作り出すことがで
きるが、極端紫外域を利用する光源は種類が少なく、低
出力なので利用範囲が極めて限られてしまい反応槽内へ
の光の導入が妨げられる等の欠点があった。
よって、特定の分解生成物を選択的に作り出すことがで
きるが、極端紫外域を利用する光源は種類が少なく、低
出力なので利用範囲が極めて限られてしまい反応槽内へ
の光の導入が妨げられる等の欠点があった。
この発明は、上記の欠点を除去するため忙なされたもの
で、水素ラジカルと原料ガス分子とのラジカル反応を利
用することによって均質な固体薄膜を得ることを目的と
する。
で、水素ラジカルと原料ガス分子とのラジカル反応を利
用することによって均質な固体薄膜を得ることを目的と
する。
この発明は、上記の目的を達成するため、大出力のマイ
クロ波の電磁エネルギーによって水素ラジカルを発生さ
せ、原料ガス分子と水素ラジカルとのラジカル反応によ
って、基板上に分解生成物を堆積させるようにした固体
薄膜の製造方法である。
クロ波の電磁エネルギーによって水素ラジカルを発生さ
せ、原料ガス分子と水素ラジカルとのラジカル反応によ
って、基板上に分解生成物を堆積させるようにした固体
薄膜の製造方法である。
以下、この発明の薄膜の製造方法の一実施例を図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
図において、1は希ガスで希釈した水素ガスを注入する
希釈ガス導入管、2はマイクロ波を発生するエベンソン
型の共振器、3は光学トラップ、4は水素ラジカル発生
管、5は前記水素ラジカル発生管4を冷却する入水管、
6は原料ガス導入管、7は基板、8は前記基板Tを加熱
するヒータ、9は水素ラジカルと原料ガスとを反応させ
る反応容器、10は前記反応器9内を排気する大容量排
気装置、11は前記反応容器9内および前記水素ラジカ
ル発生管4内を真空にする高真空排気装置、12は前記
大容量排気装置10を開閉するパルプ、13は前記高真
空排気装置11を開閉するパルプである。
希釈ガス導入管、2はマイクロ波を発生するエベンソン
型の共振器、3は光学トラップ、4は水素ラジカル発生
管、5は前記水素ラジカル発生管4を冷却する入水管、
6は原料ガス導入管、7は基板、8は前記基板Tを加熱
するヒータ、9は水素ラジカルと原料ガスとを反応させ
る反応容器、10は前記反応器9内を排気する大容量排
気装置、11は前記反応容器9内および前記水素ラジカ
ル発生管4内を真空にする高真空排気装置、12は前記
大容量排気装置10を開閉するパルプ、13は前記高真
空排気装置11を開閉するパルプである。
次に動作について説明する。まず、水素ラジカル発生管
4と反応容器9とから成る全系を同時に、高真空排気装
置11により10 ’ torr、まで排気した後パル
プ13を閉じ、希釈ガス導入管1よりヘリウムガスを水
素ラジカル発生管4および反応容器9に導入して全系内
部を5 torr、のヘリウムガスで充満させ、全系内
部の圧力を5 torr、に保ちながら、/2ルグ12
を開けて大容量排気装置10で100 m”/hrの割
合で排気する。
4と反応容器9とから成る全系を同時に、高真空排気装
置11により10 ’ torr、まで排気した後パル
プ13を閉じ、希釈ガス導入管1よりヘリウムガスを水
素ラジカル発生管4および反応容器9に導入して全系内
部を5 torr、のヘリウムガスで充満させ、全系内
部の圧力を5 torr、に保ちながら、/2ルグ12
を開けて大容量排気装置10で100 m”/hrの割
合で排気する。
次に、希釈ガス導入管1より水素ガスを水素ラジカル発
生管4に導入して、水素ラジカル発生管4内の水素ガス
濃度が5〜10%に保たれる状態にしておき、共振器2
で大出力2.45 GHzのマイクロ波を水素ラジカル
発生管4内に発生させると、導入された水素ガスはマイ
クロ波のエネルギーによって水素ラジカルとなる。その
際発生した光は光学トラップ3VCより除去する。発生
した水素ラジカルを原料ガス導入管6より原料として導
入される弗化ンラン(SiHsF)ガスと反応容器9内
で。
生管4に導入して、水素ラジカル発生管4内の水素ガス
濃度が5〜10%に保たれる状態にしておき、共振器2
で大出力2.45 GHzのマイクロ波を水素ラジカル
発生管4内に発生させると、導入された水素ガスはマイ
クロ波のエネルギーによって水素ラジカルとなる。その
際発生した光は光学トラップ3VCより除去する。発生
した水素ラジカルを原料ガス導入管6より原料として導
入される弗化ンラン(SiHsF)ガスと反応容器9内
で。
5i)IIF+H→SiH,+HF
の反応をさせる。発生した5IHsラジカルは250〜
300℃に加熱した基板70表面上でさら忙分解して水
素系アモルファスシリコン膜が基板T上に堆積する。
300℃に加熱した基板70表面上でさら忙分解して水
素系アモルファスシリコン膜が基板T上に堆積する。
この発明の固体薄膜の製造方法によれば、マイクロ波の
電磁エネルギーによって水素ガスを水素ラジカル忙変換
して原料ガス分子と反応させ、原料ガスを分解して加熱
した基板上に堆積させて固体薄膜を得ることができるの
で、従来の光CVD法のように光入射用窓を必要とせず
、かつ、高エネルギーを容易に得られるので、高速忙目
的とする固体薄膜を製造することができる利点がある。
電磁エネルギーによって水素ガスを水素ラジカル忙変換
して原料ガス分子と反応させ、原料ガスを分解して加熱
した基板上に堆積させて固体薄膜を得ることができるの
で、従来の光CVD法のように光入射用窓を必要とせず
、かつ、高エネルギーを容易に得られるので、高速忙目
的とする固体薄膜を製造することができる利点がある。
図面はこの発明を実施するための装置の一例を示す構成
概略図である。
概略図である。
Claims (1)
- マイクμ波放電で発生するエネルギーを利用して水素ガ
スを水素ラジカルに変換させその光を除去した後、高真
空の反応容器内に導き前記水素ラジカルと原料ガス分子
とのラジカル反応により前この発明は、ガス状原料ガス
分子と水素ラジカルとの反応による固体薄膜の製造方法
に関するものである。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58142786A JPS6034012A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 固体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58142786A JPS6034012A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 固体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6034012A true JPS6034012A (ja) | 1985-02-21 |
Family
ID=15323565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58142786A Pending JPS6034012A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 固体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6034012A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6284512A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 水素化アモルフアスシリコンゲルマニウムまたはゲルマニウム半導体膜の製造方法 |
JPH02166727A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 微結晶半導体薄膜の形成方法 |
JPH02278715A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-15 | Sharp Corp | 薄膜気相成長装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5362982A (en) * | 1976-11-17 | 1978-06-05 | Toshiba Corp | Plasma cvd apparatus |
-
1983
- 1983-08-04 JP JP58142786A patent/JPS6034012A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5362982A (en) * | 1976-11-17 | 1978-06-05 | Toshiba Corp | Plasma cvd apparatus |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6284512A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 水素化アモルフアスシリコンゲルマニウムまたはゲルマニウム半導体膜の製造方法 |
JPH02166727A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 微結晶半導体薄膜の形成方法 |
JPH02278715A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-15 | Sharp Corp | 薄膜気相成長装置 |
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