JPH02166727A - 微結晶半導体薄膜の形成方法 - Google Patents
微結晶半導体薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH02166727A JPH02166727A JP63322972A JP32297288A JPH02166727A JP H02166727 A JPH02166727 A JP H02166727A JP 63322972 A JP63322972 A JP 63322972A JP 32297288 A JP32297288 A JP 32297288A JP H02166727 A JPH02166727 A JP H02166727A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- raw material
- container
- material gas
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 title abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 12
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- UFHLMYOGRXOCSL-UHFFFAOYSA-N isoprothiolane Chemical compound CC(C)OC(=O)C(C(=O)OC(C)C)=C1SCCS1 UFHLMYOGRXOCSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、原料ガスを分解して基板上に微結晶半導体薄
膜を形成する微結晶半導体薄膜の形成刃法に関する。
膜を形成する微結晶半導体薄膜の形成刃法に関する。
［従来の技術］
従来、微結晶半導体Ｉ薄膜を形成する手法として、例え
ば特願昭６１−５２２８２号の出願明細書に記載されて
いるような、扁周彼グロー放成によるプラズマＣＶＤ法
が一般的であり、グロー放電用電庫に印加する高周波パ
ワーが大きいほど半導体薄膜の微結晶化が進むことが知
られている。
ば特願昭６１−５２２８２号の出願明細書に記載されて
いるような、扁周彼グロー放成によるプラズマＣＶＤ法
が一般的であり、グロー放電用電庫に印加する高周波パ
ワーが大きいほど半導体薄膜の微結晶化が進むことが知
られている。
［発明が解決しようとする課題］
従来のように、グロー放゛成用電極に印加する高周波パ
ワーを大きくすると、グロー放電によって生じるプラズ
マの高速荷電粒子が成長した半導体薄膜に衝突し、この
４涙がダメージを受けて欠陥が生じ、膜質が低ドし、デ
バイス特性の劣−ドを招くという問題点がある。
ワーを大きくすると、グロー放電によって生じるプラズ
マの高速荷電粒子が成長した半導体薄膜に衝突し、この
４涙がダメージを受けて欠陥が生じ、膜質が低ドし、デ
バイス特性の劣−ドを招くという問題点がある。
本発明は、前記の点に留意してなされ、ダメージのない
良好な膜質の微結晶半導体薄膜を形成できるようにする
ことを目的とする。
良好な膜質の微結晶半導体薄膜を形成できるようにする
ことを目的とする。
【課題を解決するための手段」
前記目的を達成するために、反応容器内に原料ガスを導
入し、前記原料ガスを分璃して前記容器内の基板上に微
結晶半導体薄膜全形成する微結晶半導体薄膜の形成方法
に８いて、本発明では、前記容器内の圧力を１０ ’
〜１０ −１ＴｏｒｒＫ保持し、水素又は不活性ガスな
どの励起用ガスにエネルギを与えて励起種を生成し、前
記励起種全前記容器内の前記基板の表面からほぼ１０ｃ
１ｎ以下の位置の導入口から導入し、前記導入口から前
記基板との間に供給された削起原料ガスを前記励起種に
より分解することを特徴としている。
入し、前記原料ガスを分璃して前記容器内の基板上に微
結晶半導体薄膜全形成する微結晶半導体薄膜の形成方法
に８いて、本発明では、前記容器内の圧力を１０ ’
〜１０ −１ＴｏｒｒＫ保持し、水素又は不活性ガスな
どの励起用ガスにエネルギを与えて励起種を生成し、前
記励起種全前記容器内の前記基板の表面からほぼ１０ｃ
１ｎ以下の位置の導入口から導入し、前記導入口から前
記基板との間に供給された削起原料ガスを前記励起種に
より分解することを特徴としている。
１作用］
以上のように４成されているため、従来のグロー放電法
のように基板付近に電界が存在せず、しかも島速荷電粒
子が発生することがない。
のように基板付近に電界が存在せず、しかも島速荷電粒
子が発生することがない。
さらに、反応容器内の圧力をｉｏ’〜１０−１Ｔｏｒｒ
にし、励起種の導入口と基板との距離をほぼ１０ｃｒＩ
Ｉ以ドにすることにより、基板上に微結晶の半導体イ専
膜が成長し、ダメージのない良好な膜質の微結晶半導体
薄膜が得られる。
にし、励起種の導入口と基板との距離をほぼ１０ｃｒＩ
Ｉ以ドにすることにより、基板上に微結晶の半導体イ専
膜が成長し、ダメージのない良好な膜質の微結晶半導体
薄膜が得られる。
実施例について図面を参照して説明する。
薄膜形成装置を示す第１図において、ｆｌｌは反応容器
、１２１は容器（１）内に設けられヒータ（３）を内蔵
した基板ホルダ、（４）はホルダ１２：に保持された基
板、（６１は容＠（ｌ）に形成され真空排気系が接続さ
れた排気口、（６）は励起用ガスとしての水素ガス］Ｈ
２］の供給パイプ、（７）はパイプ状のプラズマチャン
バであり、−側にパイプ（６］及びマイクロ波導彼管（
８）が接続され、第１図中の斜線を施こした領域に導波
管（８）ヲ介してマイクロ波が供給され、このマイクロ
波のエネルギによって、パイプ（６）刀為ら供給される
Ｈ、がプラズマ化されて水系励起種が生成される。
、１２１は容器（１）内に設けられヒータ（３）を内蔵
した基板ホルダ、（４）はホルダ１２：に保持された基
板、（６１は容＠（ｌ）に形成され真空排気系が接続さ
れた排気口、（６）は励起用ガスとしての水素ガス］Ｈ
２］の供給パイプ、（７）はパイプ状のプラズマチャン
バであり、−側にパイプ（６］及びマイクロ波導彼管（
８）が接続され、第１図中の斜線を施こした領域に導波
管（８）ヲ介してマイクロ波が供給され、このマイクロ
波のエネルギによって、パイプ（６）刀為ら供給される
Ｈ、がプラズマ化されて水系励起種が生成される。
このとき、チャンバ（７）の他側が容器ｆｌｌ内に導入
され、チャンバ（７）の先端の励起種導入口（９）が基
板１４）の表面から１０ｍ以下のところに位置している
。
され、チャンバ（７）の先端の励起種導入口（９）が基
板１４）の表面から１０ｍ以下のところに位置している
。
さらに、第１図において、ＱＧｆｌシラ７［ＳｉＨ，］
や高次シランなどの原料ガスの供給パイプであり、先端
部が容器１１１内に導入され、パイプαＯを弁して導入
口（９）と基板１４）との間に原料ガスが供給される。
や高次シランなどの原料ガスの供給パイプであり、先端
部が容器１１１内に導入され、パイプαＯを弁して導入
口（９）と基板１４）との間に原料ガスが供給される。
そして、容器１１）内の圧力ｆ １０−’ 〜］ ０−
１Ｔｏｒｒに保持し、チャンバ（７）に２いてＨ３にマ
イクロ波エネルギを与えることにより、水素励起種が生
成され、生成てれた励起種が導入口（９７から容器Ｉｌ
＋内に導入されて原料ガスが分解され、基板（４１上に
微結晶半導体薄膜が成長する。
１Ｔｏｒｒに保持し、チャンバ（７）に２いてＨ３にマ
イクロ波エネルギを与えることにより、水素励起種が生
成され、生成てれた励起種が導入口（９７から容器Ｉｌ
＋内に導入されて原料ガスが分解され、基板（４１上に
微結晶半導体薄膜が成長する。
このとき、容器Ｆｌｌ内の圧力がｌｏ−１Ｔｏｒｒより
高い場合には、基板（４１上に成長する薄膜は微結晶化
せずにアモルファスになり、容器ｆｌｌ内の圧力が１０
”ｌ’ｏｒｒより低い場合には、原料ガスが導入口（９
１からチャンバ（７）内に逆流し、マイクロ波によって
プラズマ化されて高速荷電粒子が発生することから、良
好な膜質の微結晶半導体薄膜を得るためには、容器ｆｌ
ｌ内の圧力を１０−’ 〜ｌ Ｏ−’ Ｔｏｒｒにすれ
はよい。
高い場合には、基板（４１上に成長する薄膜は微結晶化
せずにアモルファスになり、容器ｆｌｌ内の圧力が１０
”ｌ’ｏｒｒより低い場合には、原料ガスが導入口（９
１からチャンバ（７）内に逆流し、マイクロ波によって
プラズマ化されて高速荷電粒子が発生することから、良
好な膜質の微結晶半導体薄膜を得るためには、容器ｆｌ
ｌ内の圧力を１０−’ 〜ｌ Ｏ−’ Ｔｏｒｒにすれ
はよい。
な２、チャンバ（７）への原料ガスの逆流の有無は、チ
ャンバ（７）内のプラズマの発光分析［０ｐｔｉｃａｌ
ｇｍｉｓｓｉｏｎ ５ｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ：
ＯＥＳ ］ により調べることができ、水素プラズマで
あるのか、水素と原料ガス成分の混ったプラズマである
の７）ｈｆ分析することにより、原料ガスの逆流の生じ
ない圧力を求めることができる。
ャンバ（７）内のプラズマの発光分析［０ｐｔｉｃａｌ
ｇｍｉｓｓｉｏｎ ５ｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ：
ＯＥＳ ］ により調べることができ、水素プラズマで
あるのか、水素と原料ガス成分の混ったプラズマである
の７）ｈｆ分析することにより、原料ガスの逆流の生じ
ない圧力を求めることができる。
つぎに、導入口（９）と基板１４）との距離りの最適値
を求めるために、Ｈ２の流量を７０８ＣＣＵ、原料ガス
としてのＳ市、の流量を３０〜９０８ＣＣＭとし、距離
ｕｆＩ：変化させたときのシリコン薄膜の結晶性をラマ
ン分光法により調べた結果、第３図に示すようになった
。
を求めるために、Ｈ２の流量を７０８ＣＣＵ、原料ガス
としてのＳ市、の流量を３０〜９０８ＣＣＭとし、距離
ｕｆＩ：変化させたときのシリコン薄膜の結晶性をラマ
ン分光法により調べた結果、第３図に示すようになった
。
ここで、微結晶及びアモルファスの場合のラマンスペク
トルはそれぞれ第２図（ａｌ、 （ｂｌに示すようにな
り、微結晶の場合にはアモルファスに比べて非常に急峻
で鋭いピークを示すため、微結晶とアモルファスとを容
易に識別することができる。
トルはそれぞれ第２図（ａｌ、 （ｂｌに示すようにな
り、微結晶の場合にはアモルファスに比べて非常に急峻
で鋭いピークを示すため、微結晶とアモルファスとを容
易に識別することができる。
ところで、第３図は距離りと容器（１）内の圧力を変化
させｔ；ときのシリコン７薄膜の結晶性を表わして忘り
、０．・は測定点を示し、Ｏは微結晶、・はアモルファ
スを−それぞれ示している。ｈｚ、弗３図中の斜線は成
膜しな刀≧つた領域である。
させｔ；ときのシリコン７薄膜の結晶性を表わして忘り
、０．・は測定点を示し、Ｏは微結晶、・はアモルファ
スを−それぞれ示している。ｈｚ、弗３図中の斜線は成
膜しな刀≧つた領域である。
そして、第３図から、距離りがほぼ１ｏｃｍを境として
、１０ａｒ１より大きいときにはアモルファスとなり、
１０ｃｍより小さいときには微結晶になることから、微
結晶半導体薄膜を得るためには距離りを１０副以下にす
ればよい。
、１０ａｒ１より大きいときにはアモルファスとなり、
１０ｃｍより小さいときには微結晶になることから、微
結晶半導体薄膜を得るためには距離りを１０副以下にす
ればよい。
このとき、原料ガスにＳｉＨ，を用いると、ｉ型の微結
晶シリコン薄膜が得られ、これにジボラン［Ｈ，）１６
１及びホスフィン［１’Ｈ３］ ｔそれぞれ混合するこ
とにより、Ｐ型及びｎ型の微結晶シリコン薄膜が得られ
、これらの形成条件をまとめると、表１のようになる。
晶シリコン薄膜が得られ、これにジボラン［Ｈ，）１６
１及びホスフィン［１’Ｈ３］ ｔそれぞれ混合するこ
とにより、Ｐ型及びｎ型の微結晶シリコン薄膜が得られ
、これらの形成条件をまとめると、表１のようになる。
（表１）
つぎに、前記した方法による微結晶シリコン薄膜を備え
た太陽電池Ａを作成し、従来の方法による微結晶シリコ
ン薄膜を備えた太陽電池Ｂとの特性比較を行った。
た太陽電池Ａを作成し、従来の方法による微結晶シリコ
ン薄膜を備えた太陽電池Ｂとの特性比較を行った。
な８、太陽電池の構成は、第４図に示すように周知のも
のであり、ガラス基板（１１１上に、透明導電膜１１２
１．ｐ型機結晶シリコン層０３．ｉ型アモルファスシリ
コン層圓、ｎ型微結晶シリコン層（１５１，金属電極Ｈ
を順次積層したものである。
のであり、ガラス基板（１１１上に、透明導電膜１１２
１．ｐ型機結晶シリコン層０３．ｉ型アモルファスシリ
コン層圓、ｎ型微結晶シリコン層（１５１，金属電極Ｈ
を順次積層したものである。
このとき、ＡＭ−１，０，１００ｍＷ／ｉｏ状態テ＋７
）太陽電池Ａ、Ｈの電圧−電流密度特性は、第５図に示
すようになり、実線が太陽電池Ａ、１点鎖線が太陽電池
Ｂを示し、第５図かられかるように、太陽電池Ａの方が
太陽電池Ｂに比べ、電圧−電流密度特注が向上している
。
）太陽電池Ａ、Ｈの電圧−電流密度特性は、第５図に示
すようになり、実線が太陽電池Ａ、１点鎖線が太陽電池
Ｂを示し、第５図かられかるように、太陽電池Ａの方が
太陽電池Ｂに比べ、電圧−電流密度特注が向上している
。
また、太陽電池Ａ、Ｈの変換効率を測定したところ、そ
れぞれ１１．０％、 ９．７２１となり、太陽電池Ｂ
に比へ、太陽電池Ａの変換効率の大幅な向上が見られ、
これらの結果から、微結晶シリコン薄膜形成時のダメー
ジの低減によって、太陽電池Ａの特性が向上したことが
わかる。
れぞれ１１．０％、 ９．７２１となり、太陽電池Ｂ
に比へ、太陽電池Ａの変換効率の大幅な向上が見られ、
これらの結果から、微結晶シリコン薄膜形成時のダメー
ジの低減によって、太陽電池Ａの特性が向上したことが
わかる。
従って、反応容器ｆｉｌ内の圧力’ｊｚｌＯ’〜１Ｏ−
１Ｔｏｒｒにし、導入口（９］と基板（４）との距離を
ほぼ１０ｃｍ以下にし、Ｈｌにマイクロ波エネルギを与
えて水素励起種を生成し、この励起種によって原料ガス
を分解するようにしたため、従来のグロー放電法のよう
に基板付近に電界が存在せず、しかも高速荷電粒子の発
生もなく、ダメージのない良好な膜質の微結晶半導体τ
譚膜を形成することができる。
１Ｔｏｒｒにし、導入口（９］と基板（４）との距離を
ほぼ１０ｃｍ以下にし、Ｈｌにマイクロ波エネルギを与
えて水素励起種を生成し、この励起種によって原料ガス
を分解するようにしたため、従来のグロー放電法のよう
に基板付近に電界が存在せず、しかも高速荷電粒子の発
生もなく、ダメージのない良好な膜質の微結晶半導体τ
譚膜を形成することができる。
な３、前記実施例では、励起用ガスとして、Ｈｌを用い
た場合について説明したが、アルゴン、ヘリウムなどの
不活性ガスを用いても、本発明を同様に実施することが
できる。
た場合について説明したが、アルゴン、ヘリウムなどの
不活性ガスを用いても、本発明を同様に実施することが
できる。
また、励起用ガスにエネルギを与える手段は、前記した
マイクロ波に限るものではない。
マイクロ波に限るものではない。
さらに、原料ガスは、形成する半導体薄膜の組成に応じ
て適宜選択すればよく、例えは微結晶シリコンカーバイ
ド薄膜を形成する場合には、シランや高次シランと、炭
化水素ガスとを原料ガスとして用いれはよい。
て適宜選択すればよく、例えは微結晶シリコンカーバイ
ド薄膜を形成する場合には、シランや高次シランと、炭
化水素ガスとを原料ガスとして用いれはよい。
本発明は、以上説明したように構成されているので、以
下に記載する効果を奏する。
下に記載する効果を奏する。
反応容器内の圧力をｌＯ〜１０’ｌ’ｏｒｒにし、導入
口と基板との距離をほぼ１Ｏｃｍ以下にし、励起用ガス
にエネルギを与えて励起種を生成し、この励起種によっ
て原料ガスを分解するようにしたため、ダメージのない
良好な膜質の微結晶半導体、１ｆ摸を形成することがで
き、半導体デバイスの特性の向上を図ることができる。
口と基板との距離をほぼ１Ｏｃｍ以下にし、励起用ガス
にエネルギを与えて励起種を生成し、この励起種によっ
て原料ガスを分解するようにしたため、ダメージのない
良好な膜質の微結晶半導体、１ｆ摸を形成することがで
き、半導体デバイスの特性の向上を図ることができる。
図面は、本発明の微結晶半導体薄膜の形成方法の１実施
例を示し、第１図は形成装置の概略図、第２図（ａｌ、
（ｂｌはそれぞれ微結晶、アモルファスの概略図及び
電圧−電流密度特性図である。 ｆｉ＋・・反応容器、（４）・・・基板、（９（・・導
入口。 代理人 弁理士 藤 １）鼎太部 第 図 １ 反光容器 ４・・幕板 ９ ・ 落入０ え＃Ｄ（ｃｍ戸−→−
例を示し、第１図は形成装置の概略図、第２図（ａｌ、
（ｂｌはそれぞれ微結晶、アモルファスの概略図及び
電圧−電流密度特性図である。 ｆｉ＋・・反応容器、（４）・・・基板、（９（・・導
入口。 代理人 弁理士 藤 １）鼎太部 第 図 １ 反光容器 ４・・幕板 ９ ・ 落入０ え＃Ｄ（ｃｍ戸−→−
Claims (1)
- （１）反応容器内に原料ガスを導入し、前記原料ガスを
分解して前記容器内の基板上に微結晶半導体薄膜を形成
する微結晶半導体薄膜の形成方法において、 前記容器内の圧力を１０＾−＾５〜１０＾−＾１Ｔｏｒ
ｒに保持し、水素又は不活性ガスなどの励起用ガスにエ
ネルギを与えて励起種を生成し、前記励起種を前記容器
内の前記基板の表面からほぼ１０ｃｍ以下の位置の導入
口から導入し、前記導入口から前記基板との間に供給さ
れた前記原料ガスを前記励起種により分解することを特
徴とする微結晶半導体薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322972A JP2741391B2 (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 微結晶半導体薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322972A JP2741391B2 (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 微結晶半導体薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02166727A true JPH02166727A (ja) | 1990-06-27 |
| JP2741391B2 JP2741391B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=18149706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63322972A Expired - Fee Related JP2741391B2 (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 微結晶半導体薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2741391B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009021563A (ja) * | 2007-06-05 | 2009-01-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置の作製方法 |
| JP2009054997A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-03-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置の作製方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6034012A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-21 | Agency Of Ind Science & Technol | 固体薄膜の製造方法 |
| JPS62169324A (ja) * | 1986-12-24 | 1987-07-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 被膜作製方法 |
| JPH02159021A (ja) * | 1988-12-13 | 1990-06-19 | Agency Of Ind Science & Technol | 微結晶の配向性制御方法 |
-
1988
- 1988-12-20 JP JP63322972A patent/JP2741391B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6034012A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-21 | Agency Of Ind Science & Technol | 固体薄膜の製造方法 |
| JPS62169324A (ja) * | 1986-12-24 | 1987-07-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 被膜作製方法 |
| JPH02159021A (ja) * | 1988-12-13 | 1990-06-19 | Agency Of Ind Science & Technol | 微結晶の配向性制御方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009021563A (ja) * | 2007-06-05 | 2009-01-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置の作製方法 |
| US8207010B2 (en) | 2007-06-05 | 2012-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing photoelectric conversion device |
| JP2009054997A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-03-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置の作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2741391B2 (ja) | 1998-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0026604A1 (en) | A method of vapour phase growth and apparatus therefor | |
| US8431996B2 (en) | Plasma processing apparatus and method of producing amorphous silicon thin film using same | |
| CN112877773B (zh) | 利用固态碳源的无气流mpcvd单晶金刚石生长方法 | |
| EP1188847B1 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| CN102099505A (zh) | 沉积膜形成装置及沉积膜形成方法 | |
| JP2533639B2 (ja) | Ｐ形炭素添加非晶質シリコンの生成方法 | |
| JPS63197329A (ja) | プラズマ・チャンバー内で、無定形水素化シリコンを基板へ付着させる方法 | |
| JP2005005280A (ja) | 半導体基板を不動態化する方法 | |
| JPWO2006022179A1 (ja) | クラスタフリーのアモルファスシリコン膜とそれを製造する方法及び装置 | |
| JP4733627B2 (ja) | 珪素の析出法 | |
| CN101246932A (zh) | 氢氩高稀释方法生产氢化硅薄膜 | |
| JPH02166727A (ja) | 微結晶半導体薄膜の形成方法 | |
| US20090130337A1 (en) | Programmed high speed deposition of amorphous, nanocrystalline, microcrystalline, or polycrystalline materials having low intrinsic defect density | |
| Lien et al. | Deposition and characterization of high-efficiency silicon thin-film solar cells by HF-PECVD and OES technology | |
| JP2588446B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US6685994B1 (en) | Coating workpiece method using beam of plasma | |
| Van den Donker et al. | Hidden parameters in the plasma deposition of microcrystalline silicon solar cells | |
| JP4510242B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2003142712A (ja) | 太陽電池の製造方法および太陽電池 | |
| JP2805611B2 (ja) | 被膜作製方法 | |
| JP2547740B2 (ja) | 堆積膜形成法 | |
| Abe et al. | Measurement of the flux ratio of hydrogen atom to film precursor for microcrystalline silicon solar cell | |
| JPH09275222A (ja) | 非晶質半導体素子 | |
| Soppe et al. | Microwave Plasma Assisted VHF-PECVD of Micro-Crystalline Silicon | |
| Zhou et al. | High rate deposition of microcrystalline silicon films by high-pressure radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |