JPS59145780A - 光化学蒸着装置 - Google Patents
光化学蒸着装置Info
- Publication number
- JPS59145780A JPS59145780A JP1877783A JP1877783A JPS59145780A JP S59145780 A JPS59145780 A JP S59145780A JP 1877783 A JP1877783 A JP 1877783A JP 1877783 A JP1877783 A JP 1877783A JP S59145780 A JPS59145780 A JP S59145780A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- discharge
- vapor deposition
- plasma
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光化学蒸着装置に関するものである。
最近、電子複写機の感光ドラムや太陽電池などに使用さ
れるアモルファスシリコンの蒸着膜の形成方法が研究ケ
れている。また、他方では各種の絶縁膜や保睡膜の形成
にも蒸着方法が利用され、用途忙よっては種々の蒸着方
法が提案されているが、このなかで４光化学反応を利用
した光化学蒸着方法は被膜形成速度が著しく早く、大面
積部にも均一な被膜を形成できるなどの利点を有し、畢
近特に注目を集めている。
れるアモルファスシリコンの蒸着膜の形成方法が研究ケ
れている。また、他方では各種の絶縁膜や保睡膜の形成
にも蒸着方法が利用され、用途忙よっては種々の蒸着方
法が提案されているが、このなかで４光化学反応を利用
した光化学蒸着方法は被膜形成速度が著しく早く、大面
積部にも均一な被膜を形成できるなどの利点を有し、畢
近特に注目を集めている。
従来の光化学反応を利用した化学蒸着方法は、紫外線を
工〈透過する容器内に基板を配置し、光反応用ガスを流
すとともに、容器外から、紫外線ランプで当該ガスを光
化学反応せしめ、その反応生成物を基板に蒸着せしめる
ものであって、前記の大きな利点を有するが、反面、反
応生成物が容器の内壁にも蒸着してＬｌい、紫外線の透
過を大きく阻害する欠点があることが分った。
工〈透過する容器内に基板を配置し、光反応用ガスを流
すとともに、容器外から、紫外線ランプで当該ガスを光
化学反応せしめ、その反応生成物を基板に蒸着せしめる
ものであって、前記の大きな利点を有するが、反面、反
応生成物が容器の内壁にも蒸着してＬｌい、紫外線の透
過を大きく阻害する欠点があることが分った。
そこで、光反応性ガスの通路であり、かつ基板か配置て
れる反応空間と、この光反応性ガスに元化学反応を生起
せしめる紫外線をプラズマ放ｍにより発生させる放電空
間とを同一容器で取り囲み、グラズｉと基板との間に隔
崎を設けない、いわゆる放電内蔵型光化学蒸着装置が研
究開発烙れでいる。そして、この放電内蔵型光化学蒸着
装置＃け基板を底部に配ＲＬ、放電用！極を放電空間に
向けて水平方向に配設Ｌ１プラズマを水平力向に発生さ
せていた。ＬかＬｌに極間で放電さねるプラズマは王と
して放電方向に対して直角方向に拡散し、この拡散した
プラズマが下方に配置された基板の類ｍ膜に禎傷を与え
る恐六があり、こｔｌを防止するためにはプラズマ中の
イオンや電子の平均自由行程よｒｌ遠い位置に基板ｆ：
澹〈必袈がある。そして−力では、基板に照射される紫
外線強度な太きくして効率を上げるために基板をできる
だけ光源部に近づけなければならない。従って、イオン
や電子の平均自由行程より遣い位置に基板を置いたので
は効率が低下し、＋５＋な蒸＊Ｊｌ州形成速度を得るこ
とができない不具会があった。
れる反応空間と、この光反応性ガスに元化学反応を生起
せしめる紫外線をプラズマ放ｍにより発生させる放電空
間とを同一容器で取り囲み、グラズｉと基板との間に隔
崎を設けない、いわゆる放電内蔵型光化学蒸着装置が研
究開発烙れでいる。そして、この放電内蔵型光化学蒸着
装置＃け基板を底部に配ＲＬ、放電用！極を放電空間に
向けて水平方向に配設Ｌ１プラズマを水平力向に発生さ
せていた。ＬかＬｌに極間で放電さねるプラズマは王と
して放電方向に対して直角方向に拡散し、この拡散した
プラズマが下方に配置された基板の類ｍ膜に禎傷を与え
る恐六があり、こｔｌを防止するためにはプラズマ中の
イオンや電子の平均自由行程よｒｌ遠い位置に基板ｆ：
澹〈必袈がある。そして−力では、基板に照射される紫
外線強度な太きくして効率を上げるために基板をできる
だけ光源部に近づけなければならない。従って、イオン
や電子の平均自由行程より遣い位置に基板を置いたので
は効率が低下し、＋５＋な蒸＊Ｊｌ州形成速度を得るこ
とができない不具会があった。
そこで本発明はこね、らの春情にかんがみてなされたも
のであり、簡単な構成でプラズマの基板方向への拡散を
防止して基板ｆ光源部に接近させることを可能とし、効
率よく蒸着、Ｉｌｆを形成できる放電内蔵型の光化学蒸
着装置Ｗを揚惧することを目的とする。そしてその構成
は、被処理物である基板が配置てれる反応空間と、光反
応性ガスに光化学反応を生起せしめる紫外線をプラズマ
放電により発生させる放電空間とを同一容器で取り囲み
、放電空間の基板に近い側に網目状の陽＆を、遠い側に
陰極をそれぞれ配設することを特徴とする。
のであり、簡単な構成でプラズマの基板方向への拡散を
防止して基板ｆ光源部に接近させることを可能とし、効
率よく蒸着、Ｉｌｆを形成できる放電内蔵型の光化学蒸
着装置Ｗを揚惧することを目的とする。そしてその構成
は、被処理物である基板が配置てれる反応空間と、光反
応性ガスに光化学反応を生起せしめる紫外線をプラズマ
放電により発生させる放電空間とを同一容器で取り囲み
、放電空間の基板に近い側に網目状の陽＆を、遠い側に
陰極をそれぞれ配設することを特徴とする。
以下に図面に示す実施例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
円筒状の容器１の側壁下刃には光反応性ガスや放電用ガ
スが供給式ねる供給孔１１が、上方にはこれらのガスか
押ト出でれる排出孔１２が設けられ、頂部にはヒーター
を内蔵した試ｆ！ｌ＋支持具１３が配ｒ７’、＞さねで
いる。そして図示略の開閉口より出し入りさ力る被処理
物である基板４が試料支持、に１３に支持畜ねるかこの
下部の空間が反応空間５ｆ構成【−でいる。この反応空
間５の下方かプラズマ放電が行ねる放送空間３であり、
内空間３．５の間・ には石英ガラスなどの隔壁は設け
られていないがこの境界部分に陽椿６が配設爆れている
。この陽極６けタングステン触材を網目に編んで円形状
にしたものであり、紫外線の通過の防げとならないよう
に比較的粗い網目をなしている。そして容器１の底部に
は陰極７が配設されている。この＠極７は従来力・ら使
用されている通常の％、 ｃ）を１１１６ｉ’ｔたＵ複
数１１６１設けたもので良いが、本実施例でｄ陽極６と
同様にタングステン製の絹目状であり、その網目はずっ
と密圧なっている。そしてその下面にはヒーター８が接
触しており、このヒーター８で電子の発生に部製な加熱
か行われ、ρ１つ亀子放射が良好になるＬつに細目内に
ペースト状のアルカリ土類金属酸化物が塗布されている
。
スが供給式ねる供給孔１１が、上方にはこれらのガスか
押ト出でれる排出孔１２が設けられ、頂部にはヒーター
を内蔵した試ｆ！ｌ＋支持具１３が配ｒ７’、＞さねで
いる。そして図示略の開閉口より出し入りさ力る被処理
物である基板４が試料支持、に１３に支持畜ねるかこの
下部の空間が反応空間５ｆ構成【−でいる。この反応空
間５の下方かプラズマ放電が行ねる放送空間３であり、
内空間３．５の間・ には石英ガラスなどの隔壁は設け
られていないがこの境界部分に陽椿６が配設爆れている
。この陽極６けタングステン触材を網目に編んで円形状
にしたものであり、紫外線の通過の防げとならないよう
に比較的粗い網目をなしている。そして容器１の底部に
は陰極７が配設されている。この＠極７は従来力・ら使
用されている通常の％、 ｃ）を１１１６ｉ’ｔたＵ複
数１１６１設けたもので良いが、本実施例でｄ陽極６と
同様にタングステン製の絹目状であり、その網目はずっ
と密圧なっている。そしてその下面にはヒーター８が接
触しており、このヒーター８で電子の発生に部製な加熱
か行われ、ρ１つ亀子放射が良好になるＬつに細目内に
ペースト状のアルカリ土類金属酸化物が塗布されている
。
而して両電極６．７間で垂直方向にプラズマ放電が行れ
、発生した紫外線は上方の基板４に照射されるが、この
装Ｒを用いた蒸着例を示すと、反応空間５に流す光化学
反応ガスの構成は、キャリアーガスとしてアルゴン５朋
Ｈｇ、光増感剤として水銀３ Ｘ １０’隨Ｈｇ 、分
Ｍ蒸着用ガスとして四水素化珪素０．３闘Ｈｇの混合ガ
スから成り、放電用ガスとして８請進のアルゴン２ Ｘ
１０−３闘池の水銀の混合ガスを供給する。基板４は
約１５０℃に加熱されたアルミナ板であり、電圧１００
■電流８Ａで放電空間３に放電させるとアルゴンと水銀
の放電からの紫外線で四水素化珪素が光分解し、アモル
ファスの珪素が基板４上に蒸着きれる。１なお、他の実
施例として、放電空間３′（ｆ−上方と１−１基板４全
下方に配置するようにしてもよい。
、発生した紫外線は上方の基板４に照射されるが、この
装Ｒを用いた蒸着例を示すと、反応空間５に流す光化学
反応ガスの構成は、キャリアーガスとしてアルゴン５朋
Ｈｇ、光増感剤として水銀３ Ｘ １０’隨Ｈｇ 、分
Ｍ蒸着用ガスとして四水素化珪素０．３闘Ｈｇの混合ガ
スから成り、放電用ガスとして８請進のアルゴン２ Ｘ
１０−３闘池の水銀の混合ガスを供給する。基板４は
約１５０℃に加熱されたアルミナ板であり、電圧１００
■電流８Ａで放電空間３に放電させるとアルゴンと水銀
の放電からの紫外線で四水素化珪素が光分解し、アモル
ファスの珪素が基板４上に蒸着きれる。１なお、他の実
施例として、放電空間３′（ｆ−上方と１−１基板４全
下方に配置するようにしてもよい。
ここで、ＴＬ要なことは両電極６，７か放送空間３の上
下に配設されてプラズマ放電が垂直力向に行れることで
ある。従ってプラズマは放電方向に対して直角方向、即
ち水平方向に拡散するが基板４が配置されている上方に
はほとんど拡軒せず、基板４を放電空間３に近接させて
もプラズマのイオンや電子によって蒸着膜が損傷される
ことがない。また、陽極６が比較的粗い網目状であるた
め、発生した紫外線はこの陽極６によって妨げられるこ
となく、上方に照射される。そして紫外線の発生緊はプ
ラズマの厚さが大きいほど大きくなるが、不発明では垂
直方向に放１１ｔしているために、基板４が配置されて
いる上方力・ら見ると両電極６．７間距離がプラズマの
厚さとなり、従来の水平方向に放電するものに比べてプ
ラズマが厚く、このため上方に向けて照射される紫外線
は横方向に比べて多く、大量の紫外線を基板４に照射す
ることができる。従って、基板４を放電空間３に近接し
て配置することがｈＪ能であり、ρふっ基板４力同への
紫外Ｗｉが大きいために、基板４に有効に照射され、蒸
着膜形成速度を著しく大きくすることができる。また、
陰極７にペースト状のアルカリ土類金属酸化物を塗布す
ると電子放射を有効にすることができるが、放電空間３
を上方とし、基板４を下方に配置する場合にはこの陰極
７を細かい網目としてその網目内に塗布すれば、陰ｆｆ
１７ｆ下方に向けて配設してもペーストが落下すること
がなく好ましい。
下に配設されてプラズマ放電が垂直力向に行れることで
ある。従ってプラズマは放電方向に対して直角方向、即
ち水平方向に拡散するが基板４が配置されている上方に
はほとんど拡軒せず、基板４を放電空間３に近接させて
もプラズマのイオンや電子によって蒸着膜が損傷される
ことがない。また、陽極６が比較的粗い網目状であるた
め、発生した紫外線はこの陽極６によって妨げられるこ
となく、上方に照射される。そして紫外線の発生緊はプ
ラズマの厚さが大きいほど大きくなるが、不発明では垂
直方向に放１１ｔしているために、基板４が配置されて
いる上方力・ら見ると両電極６．７間距離がプラズマの
厚さとなり、従来の水平方向に放電するものに比べてプ
ラズマが厚く、このため上方に向けて照射される紫外線
は横方向に比べて多く、大量の紫外線を基板４に照射す
ることができる。従って、基板４を放電空間３に近接し
て配置することがｈＪ能であり、ρふっ基板４力同への
紫外Ｗｉが大きいために、基板４に有効に照射され、蒸
着膜形成速度を著しく大きくすることができる。また、
陰極７にペースト状のアルカリ土類金属酸化物を塗布す
ると電子放射を有効にすることができるが、放電空間３
を上方とし、基板４を下方に配置する場合にはこの陰極
７を細かい網目としてその網目内に塗布すれば、陰ｆｆ
１７ｆ下方に向けて配設してもペーストが落下すること
がなく好ましい。
以上説明したように、本発明は放電空間の上下方向に陰
極と、網目状の＠極をそれぞれ配設したので、簡単な構
成でプラズマの基鈑方向への拡散を防止でき、基板を光
源部に接近させることが可能となるので、効率よく蒸着
膜を形成できる放電内蔵型の光化学蒸着装置ｆを提供す
ることができる。
極と、網目状の＠極をそれぞれ配設したので、簡単な構
成でプラズマの基鈑方向への拡散を防止でき、基板を光
源部に接近させることが可能となるので、効率よく蒸着
膜を形成できる放電内蔵型の光化学蒸着装置ｆを提供す
ることができる。
第１図は本発明実施例の断面図、第２図は陽極の斜視図
である。 １・・・容器 ３・・・放電空間 ４・・・基板５・・
・反応空間 ６・・・陽極 ７・・・陰極８・・・ヒー
ター 出願人 ウシオ′ａｔ機株式会社 代理人 弁理士 田原寅之助 一３γ 第１図 手続補正書（自発） 昭和５８年６月３日 特許庁長官 若杉和夫殿 １、事件の表示 昭和５８年 特許 願第 １８７７７号２、発明の名称
光化学蒸着装置 ３、 補正をする者 事件との関係特許出願人 代表者 湯 本 大 蔵 ４、代理人 ５、 補正命令の日付 ６、 補正により増加する発明の数なし別封１Ｇ７ノ通
り 明細書筒６頁１１行目の「電圧１００Ｖ電流８ＡＪを「
電圧６０Ｖ電流５ＡＪに訂正する。 以上 手続補正書（自発） 昭和５８年７月５日 特許庁長官若杉和夫 殿 １．４Ｙ件の表示 昭和５８ 年 特許 願第１８７７７ 号２、発明
の名称 光化学蒸着装置 ３、 補正をする者 事件との関係 特昨出願人 代表者湯本大蔵 ６ 補正により増加する発明の数７ｋＬ７、補正の対象 明細書第６頁１，１行目の「電流５Ａ」（昭和５８年６
月３日付補正）を「電流３０Ａ」に補正する。 以上
である。 １・・・容器 ３・・・放電空間 ４・・・基板５・・
・反応空間 ６・・・陽極 ７・・・陰極８・・・ヒー
ター 出願人 ウシオ′ａｔ機株式会社 代理人 弁理士 田原寅之助 一３γ 第１図 手続補正書（自発） 昭和５８年６月３日 特許庁長官 若杉和夫殿 １、事件の表示 昭和５８年 特許 願第 １８７７７号２、発明の名称
光化学蒸着装置 ３、 補正をする者 事件との関係特許出願人 代表者 湯 本 大 蔵 ４、代理人 ５、 補正命令の日付 ６、 補正により増加する発明の数なし別封１Ｇ７ノ通
り 明細書筒６頁１１行目の「電圧１００Ｖ電流８ＡＪを「
電圧６０Ｖ電流５ＡＪに訂正する。 以上 手続補正書（自発） 昭和５８年７月５日 特許庁長官若杉和夫 殿 １．４Ｙ件の表示 昭和５８ 年 特許 願第１８７７７ 号２、発明
の名称 光化学蒸着装置 ３、 補正をする者 事件との関係 特昨出願人 代表者湯本大蔵 ６ 補正により増加する発明の数７ｋＬ７、補正の対象 明細書第６頁１，１行目の「電流５Ａ」（昭和５８年６
月３日付補正）を「電流３０Ａ」に補正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ｖｊ、処理物である基板が配置される反応空間
と光反応性ガスに光化学反応を生起せしめる紫外線をプ
ラズマ放電により発生させる放電空間とを同一容器で取
り囲み、放電空間の基板に近い側に網目状の＠極を、遠
い側に陰極をそれぞれ配設してなる光化学蒸着装置。 ２、前記陰極を網目状とし、力・つその網目内にペース
ト状のアルカリ土類金属酸化物を塗布したことを特徴と
する特許請求の範囲第１１ｊ４記載の光化学蒸着装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1877783A JPS59145780A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 光化学蒸着装置 |
| US06/566,790 US4525381A (en) | 1983-02-09 | 1983-12-29 | Photochemical vapor deposition apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1877783A JPS59145780A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 光化学蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59145780A true JPS59145780A (ja) | 1984-08-21 |
Family
ID=11981059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1877783A Pending JPS59145780A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 光化学蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59145780A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5405447A (en) * | 1990-05-15 | 1995-04-11 | Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha | Plasma CVD apparatus |
| US5650013A (en) * | 1984-11-26 | 1997-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Layer member forming method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5776010A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-12 | Dainippon Ink & Chem Inc | Photosetting resin composition |
-
1983
- 1983-02-09 JP JP1877783A patent/JPS59145780A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5776010A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-12 | Dainippon Ink & Chem Inc | Photosetting resin composition |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5650013A (en) * | 1984-11-26 | 1997-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Layer member forming method |
| US5405447A (en) * | 1990-05-15 | 1995-04-11 | Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha | Plasma CVD apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4525382A (en) | Photochemical vapor deposition apparatus | |
| US4525381A (en) | Photochemical vapor deposition apparatus | |
| JP3318336B2 (ja) | 物品を直流アーク放電支援下の反応で処理する方法及び装置 | |
| US4532199A (en) | Method of forming amorphous silicon film | |
| JPS59145780A (ja) | 光化学蒸着装置 | |
| JPH0750701B2 (ja) | 放電反応装置 | |
| US4500565A (en) | Deposition process | |
| JPH0576172B2 (ja) | ||
| JPS6010618A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS59145778A (ja) | 光化学蒸着装置 | |
| US5496594A (en) | Chemical vapor deposition apparatus and method wherein a corona discharge is generated inside a perforated cage which surrounds the substrate | |
| JPS6227574A (ja) | 光化学反応装置 | |
| JPS61216318A (ja) | 光ｃｖｄ装置 | |
| JPH0117735B2 (ja) | ||
| JPS6250553B2 (ja) | ||
| JPH01281653A (ja) | ビームモードけい光ランプ | |
| JPS6173881A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0372712B2 (ja) | ||
| JPS62159419A (ja) | アモルフアス半導体薄膜生成装置 | |
| JPS6227575A (ja) | 成膜方法 | |
| JPS59161828A (ja) | 反応装置 | |
| JP2670248B2 (ja) | 堆積膜形成方法 | |
| JPS59145779A (ja) | 光化学蒸着装置 | |
| JP3991446B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH041730Y2 (ja) |