JPS60138915A - 炭化珪素質炉芯管 - Google Patents

炭化珪素質炉芯管

Info

Publication number
JPS60138915A
JPS60138915A JP58251857A JP25185783A JPS60138915A JP S60138915 A JPS60138915 A JP S60138915A JP 58251857 A JP58251857 A JP 58251857A JP 25185783 A JP25185783 A JP 25185783A JP S60138915 A JPS60138915 A JP S60138915A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
core tube
furnace core
silicon carbide
less
surface roughness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58251857A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0472379B2 (ja
Inventor
Takashi Tanaka
隆 田中
Shigeru Abe
茂 安部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Coorstek KK
Original Assignee
Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Ceramics Co Ltd filed Critical Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority to JP58251857A priority Critical patent/JPS60138915A/ja
Priority to US06/685,794 priority patent/US4598665A/en
Publication of JPS60138915A publication Critical patent/JPS60138915A/ja
Publication of JPH0472379B2 publication Critical patent/JPH0472379B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B9/00—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
    • F27B9/30—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
    • F27B9/3077—Arrangements for treating electronic components, e.g. semiconductors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体ウーハの熱処理に用いられる炭　：化珪
素質炉芯管に関する　、ｌ、′　□従来、半導体素子の
製造において、拡散工程、　１酸化工程等で用いられる
炉芯管は石英ガラス製の　□ものが多か・た。しかし、
石英ガラス炉芯管を用　１いて熱処理を行なう場合、石
英ガラスは高温で軟　１″化変形し易く、また容易に失
透するため炉芯管の　１□ 寿命”短°゛等″′点があ°ゞ・　１ このため、近年炭化珪素質炉芯管が用いられる　１よう
になってきている。しかし、炭化珪素質炉芯　１管を−
♀皿曲伸田十入）−和Ｊ１１審面し−ノー士　ニスな５
ｉ０２膜が成長し、このポーラスな膜がパーティクルを
発生させる原因となり、半導体素子の歩留りを低下させ
ていた。したがって、パーティクルの発生を防止するた
めには定期的に炉芯管を洗浄する必要がある。また、近
皐のウェハの大口径化、高集積化に対応して品質の向上
を図るためにより一層の無塵化が要求されており、パー
ティクルの発生を更に抑えるためには炉芯管の洗浄頻度
を多くする必要がある。しかし、洗浄頻度を多くすると
、炉芯管の寿命が短くなるうえに手間のかかる洗浄作業
のために装置を止めなければならず、製造効率が低下す
るという問題があった。　′ 本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、パーテ
ィクルの発生の少ない炭化珪素質炉芯管を提供しようと
するものである。
本発明者らは炉芯管内におけるパーティクル発生の原因
について種々検討した結果、炉芯管の内表面粗さが一定
の粗さ以上になると、炉芯管内面にポーラスな５ｔＯ２
膜の発生が多くなり、これがパーティクルの発生につな
がることを究明し、本発明をなすに至った。
すなわち本発明の炭化珪素質炉芯管は、内表面粗さを１
５０ｇｍ以下としたことを特徴とするものである。
本発明において内表面粗さを１５０ｐｍ以下としたのは
、内表面粗さが１５０　＃Ｌｍを超えると炉芯管内表面
にポーラスなＳ　ｉ　Ｏ２ＩＩが戒長し易く、パーティ
クルが多く発生するためである。
以下、本発明の詳細な説明する。
まず、酸処理（酸洗）を行なったＳｉＣ原料をラバープ
レス法あるいはスリップ士ヤスト法等により成形した後
、純化処理を行なった。つづいて、高純度半導体用Ｓｉ
を含浸した後、酸処理（酸洗）を行ない肉厚８１の炭化
珪素質炉芯管を得た。
このようにして得られた炭化珪素質炉芯管の触針法（Ｊ
ＩＳ−ＢＯ６０１）により測定された内表面粗さと、１
００時間９ェつＸ処理を行なった後の炉芯管内表面での
Ｓ　ｉ　Ｏｘの生成量との関係を図に示す。
図から明らかなように内表面粗さが粗いほど炉芯管内表
面での５ｉ０２の生成量が増加している。そして、炉芯
管の内表面粗さが１５０７ｉｍを超えた場合には１００
時間ウェハ処理後、炉芯管内面に０．２　■ｇ７ａｍ”
以上の５ｉ０２が生成し、パーティクルの発生が多かっ
たが、炉芯管の内表面粗さが１５０　ｐｍ以下の場合に
はパーティクルの発生を減少することができた。
また、炉芯管の内表面粗さを１５０＃Ｌｍ以下にしたこ
とによりウェハポートを引出棒を用いて炉芯管内へ出し
入れする際、ウェハに振動を与えることがなく、ウェハ
中の結晶欠陥（スリップ転位）の発生を防止することが
できる。
なお、炉芯管の内表面粗さを１５０ｐｍ以下にするには
ＳｉＣ原料の粒度調整、成形後の研磨等を行なってもよ
い。
以上説明した如く本発明の炭化珪素質炉芯管によれば、
パーティクルの発生を減少することができ、ひいては半
導体素子の製造歩留りを向上できる等顕著な効果を奏す
るものである。
【図面の簡単な説明】
図は炭化珪素質炉芯管の内表面粗さと、１００時間ウェ
ハ処理後の炉芯管内表面での５ｉ０２の生成量との関係
を示す線図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 半導体ウェハを内部に装入し、熱処理を行なう　、′炭
    化珪素質炉芯管において、前記炉芯管の内表面　：粗さ
    を１５０１Ｌｍ以下としたことを特徴とする【□化珪素
    質炉芯管。
JP58251857A 1983-12-26 1983-12-26 炭化珪素質炉芯管 Granted JPS60138915A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58251857A JPS60138915A (ja) 1983-12-26 1983-12-26 炭化珪素質炉芯管
US06/685,794 US4598665A (en) 1983-12-26 1984-12-24 Silicon carbide process tube for semiconductor wafers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58251857A JPS60138915A (ja) 1983-12-26 1983-12-26 炭化珪素質炉芯管

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60138915A true JPS60138915A (ja) 1985-07-23
JPH0472379B2 JPH0472379B2 (ja) 1992-11-18

Family

ID=17228951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58251857A Granted JPS60138915A (ja) 1983-12-26 1983-12-26 炭化珪素質炉芯管

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4598665A (ja)
JP (1) JPS60138915A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62276824A (ja) * 1986-04-01 1987-12-01 Deisuko Haitetsuku:Kk 縦型半導体熱処理装置の外気混入防止装置
JPS63228611A (ja) * 1987-03-17 1988-09-22 Fujitsu Ltd 半導体用治具の製造方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6784033B1 (en) 1984-02-15 2004-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device
US6786997B1 (en) 1984-11-26 2004-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma processing apparatus
JPH0752718B2 (ja) 1984-11-26 1995-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜形成方法
US6113701A (en) 1985-02-14 2000-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method, and system
US6673722B1 (en) 1985-10-14 2004-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microwave enhanced CVD system under magnetic field
US6230650B1 (en) 1985-10-14 2001-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microwave enhanced CVD system under magnetic field
JPH047198Y2 (ja) * 1986-11-14 1992-02-26
US6506254B1 (en) 2000-06-30 2003-01-14 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved particle performance
US6890861B1 (en) * 2000-06-30 2005-05-10 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved particle performance
CN102994977B (zh) * 2011-09-08 2015-01-14 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 腔室装置和具有该腔室装置的基片处理设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5185374A (ja) * 1974-12-06 1976-07-26 Norton Co
JPS5453962A (en) * 1977-10-07 1979-04-27 Toshiba Ceramics Co Gas phase growing wafer fixing jig

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2677627A (en) * 1951-10-26 1954-05-04 Norton Co Process of coating carbonaceous material with silicon carbide
US4089735A (en) * 1968-06-05 1978-05-16 Siemens Aktiengesellschaft Method for epitactic precipitation of crystalline material from a gaseous phase, particularly for semiconductors

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5185374A (ja) * 1974-12-06 1976-07-26 Norton Co
JPS5453962A (en) * 1977-10-07 1979-04-27 Toshiba Ceramics Co Gas phase growing wafer fixing jig

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62276824A (ja) * 1986-04-01 1987-12-01 Deisuko Haitetsuku:Kk 縦型半導体熱処理装置の外気混入防止装置
JPS63228611A (ja) * 1987-03-17 1988-09-22 Fujitsu Ltd 半導体用治具の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0472379B2 (ja) 1992-11-18
US4598665A (en) 1986-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6815352B1 (en) Silicon focus ring and method for producing the same
JPS60138915A (ja) 炭化珪素質炉芯管
US20070062438A1 (en) Epitaxially coated silicon wafer and method for producing epitaxially coated silicon wafers
JP2007084428A (ja) エピタキシャルシリコンウェハおよびエピタキシャルシリコンウェハの製造方法
JP2007088473A (ja) エピタキシャルシリコンウェハおよびエピタキシャルシリコンウェハの製造方法
JP2008532315A (ja) バッフル・ウェーハおよびそのために使用されるランダム配向した多結晶シリコン
TW452839B (en) Silicon electrode plate
EP0340802B1 (en) Silicon carbide diffusion tube for semi-conductor
US4515755A (en) Apparatus for producing a silicon single crystal from a silicon melt
JPH0817163B2 (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法
US4410395A (en) Method of removing bulk impurities from semiconductor wafers
EP2045836B1 (en) Method for producing semiconductor substrate
JPH11314997A (ja) 半導体シリコン単結晶ウェーハの製造方法
JPH07235534A (ja) シリコンウェーハの製造方法
JPH1116844A (ja) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法と素材用ウェーハ
JP2007073594A (ja) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
JPH09266212A (ja) シリコンウエーハおよびその製造方法
JP2523380B2 (ja) シリコンウエハの清浄化方法
JPH11283924A (ja) 半導体ウエハ製造方法
JPS5885534A (ja) 半導体シリコン基板の製造法
JP2004214492A (ja) シリコンウエハの清浄化方法
JPH10209055A (ja) 薄膜エピタキシャルウェ−ハおよびその製造方法
JP3763631B2 (ja) 薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法
JPH02219606A (ja) 半導体ウエハの製造方法
JPH0521303A (ja) 半導体基板及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees