JP2007088473A - エピタキシャルシリコンウェハおよびエピタキシャルシリコンウェハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】所定数のエピタキシコーティングが終了するたびにサセプタのエッチング処理を行い、このエッチング処理後にサセプタを親水化する。
【選択図】図6
Description
図1には、CMP研磨およびDSP研磨された前面およびDSP研磨された後面を有する径300mmのシリコンウェハの局所的平坦度SFQRが示されている。このシリコンウェハはサイズ26×8mm2の336個の測定窓のパターンに分割されており、そのうち52個の測定窓が"パーシャルサイト"である。SFQR値を求める際には、エッジ除外領域2mm,FQA296mmが基礎となる。52個の"パーシャルサイト"を考慮すると、当該のシリコンウェハの全SFQR値のうち最大のものとして、0.055μmの局所的平坦度最大値SFQRmaxが得られる。局所的平坦度は縁に向かって大きく増大しており、このことは太字で記した数値に表れている。
図3には、CSP研磨およびDSP研磨された前面およびDSP研磨された後面を有する径300mmのシリコンウェハにおいて、エッジ除外領域2mmのときの局所的平坦度が示されている。ここでも局所的平坦度はシリコンウェハの縁で明らかに劣化しており、そのことは太字で記された数値からわかる。52個の"パーシャルサイト"を考慮すると、局所的平坦度最大値SFQRmaxは0.046μmである。
Claims (18)
- 少なくとも前面の研磨された複数のシリコンウェハを用意し、用意されたシリコンウェハのそれぞれを順次にエピタキシリアクタ内のサセプタ上に載置してコーティングするエピタキシャルシリコンウェハの製造方法であって、水素雰囲気における第1のステップと水素流にエッチング剤を添加した雰囲気における第2のステップとで前処理し、続いて研磨面をエピタキシャルコーティングし、ウェハをエピタキシリアクタから取り出す
エピタキシャルシリコンウェハの製造方法において、
所定数のエピタキシコーティングが終了するたびにサセプタのエッチング処理を行い、該エッチング処理後にサセプタを親水化する
ことを特徴とするエピタキシャルシリコンウェハの製造方法。 - 少なくとも1つの親水化面をサセプタに向けた状態で親水性ウェハをサセプタに短時間だけ載置し、その後当該のウェハをエピタキシリアクタから取り出すことによりサセプタの親水化を行う、請求項1記載の方法。
- エピタキシコーティングが終了するたびにサセプタのエッチング処理を行う、請求項1または2記載の方法。
- サセプタのエッチング処理後、サセプタ上にケイ素層を堆積する、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- 親水性ウェハを1s〜30sのあいだサセプタ上に載置し、温度700℃〜1100℃で処理する、請求項2から4までのいずれか1項記載の方法。
- 親水性ウェハはシリコンウェハであり、該シリコンウェハ上の親水性層は熱酸化物層である、請求項2から5までのいずれか1項記載の方法。
- 熱酸化物層を備えたシリコンウェハを1s〜10sのあいだサセプタ上に載置し、温度700℃〜900℃で処理する、請求項6記載の方法。
- 親水性ウェハを複数回使用する、請求項2から7までのいずれか1項記載の方法。
- 前面および後面をDSPポリシングされたシリコンウェハを用意する、請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。
- 前面をCMPポリシングされたシリコンウェハを用意する、請求項1から9までのいずれか1項記載の方法。
- 研磨された載置面を備えたサセプタを使用する、請求項1から10までのいずれか1項記載の方法。
- 用意するシリコンウェハは単結晶ケイ素から成るウェハ、SOIウェハ、歪みケイ素層を備えたウェハまたはsSOIウェハである、請求項1から11までのいずれか1項記載の方法。
- 前面および後面を備えたシリコンウェハにおいて、
少なくとも前面が研磨されており、少なくとも前面にエピタキシャル層が被着されており、シリコンウェハのコーティングされた前面のうちサイズ26×8mm2の測定窓のパターンセグメントの少なくとも99%について、エッジ除外領域2mmのとき、局所的平坦度最大値SFQRmaxが0.01μm〜0.035μmである
ことを特徴とするシリコンウェハ。 - 前面および後面のうち、前面はCMP研磨され、前面にエピタキシャル層が設けられ、さらに前面が局所的平坦度最大値SFQRmax0.01μm〜0.025μmを有する、請求項13記載のウェハ。
- 前面および後面がDSPポリシングされている、請求項14記載のウェハ。
- シリコンウェハのコーティングされた前面のうちサイズ26×8mm2の測定窓の全パターンセグメントについて、局所的平坦度最大値SFQRmaxが0.01μm〜0.02μmである、請求項13から15までのいずれか1項記載のウェハ。
- シリコンウェハはエピタキシャル層を備えた単結晶ケイ素から成るウェハ、SOIウェハ、歪みケイ素層を備えたシリコンウェハまたはsSOIウェハである、請求項13から16までのいずれか1項記載のウェハ。
- 前面に被着されるエピタキシャル層の厚さは0.5μm〜5μmである、請求項13から17までのいずれか1項記載のウェハ。
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