JPS60198394A - 真空処理装置の排気装置 - Google Patents
真空処理装置の排気装置Info
- Publication number
- JPS60198394A JPS60198394A JP59053894A JP5389484A JPS60198394A JP S60198394 A JPS60198394 A JP S60198394A JP 59053894 A JP59053894 A JP 59053894A JP 5389484 A JP5389484 A JP 5389484A JP S60198394 A JPS60198394 A JP S60198394A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- pump
- vacuum processing
- rotary pump
- oil rotary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/02—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/02—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography
- B01D53/04—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography with stationary adsorbents
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04C—ROTARY-PISTON, OR OSCILLATING-PISTON, POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; ROTARY-PISTON, OR OSCILLATING-PISTON, POSITIVE-DISPLACEMENT PUMPS
- F04C27/00—Sealing arrangements in rotary-piston pumps specially adapted for elastic fluids
- F04C27/02—Liquid sealing for high-vacuum pumps or for compressors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Non-Positive Displacement Air Blowers (AREA)
- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
- Applications Or Details Of Rotary Compressors (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は塩素系ガスを利用して被処理基板に真排気装置
の寿命向上と保守の簡易化を図るものである。
の寿命向上と保守の簡易化を図るものである。
半導体集積回路の製造工程ではドライエツチング、プラ
ズマＣＶＩ）、減圧ＣＶＩ）等のハロゲン化化合物を使
う真空処理工程が、今後ますます広く利用される傾向に
ある。ところでこの糧の真空処理は、ハロゲン化物等の
反応性ガスを反応容器に導入し、減圧下で反応性プラズ
マを作り、被処理基板を真空処理する場合が多くそのた
め、真空処理装置の処理ガス排気装置は他の真空装置の
排気装置と比較して劣化の置台が檄しく、従来の排気装
置゛をその−Ｅ を用いると１時には一日も使用しない
うちに排気能力が低下するという事態を生じている。特
にアルミニウムのドライエツチング装置ではＣＣ４ｊ４
． Ｂｔｈ、 Ｃｂ等の塩素系化合物を使用するため、
排気ガス中には、これらの未反応ガスばかりでなく９反
応生成物である’１ＡｔＱ ＋ｄＧ／３などの弁い酸性
物質が加わり、これを排気する排気装置は、劣化の度合
が一層著しい。これまでにこの問題の解決を目的として
いくつかの対策が採られたが、量産規模で使用に劇える
排気装置は未だ出現していない。以下に図を用いて従来
のアルミニウムドライエツチング装置の抽気装置につい
て説明する。
ズマＣＶＩ）、減圧ＣＶＩ）等のハロゲン化化合物を使
う真空処理工程が、今後ますます広く利用される傾向に
ある。ところでこの糧の真空処理は、ハロゲン化物等の
反応性ガスを反応容器に導入し、減圧下で反応性プラズ
マを作り、被処理基板を真空処理する場合が多くそのた
め、真空処理装置の処理ガス排気装置は他の真空装置の
排気装置と比較して劣化の置台が檄しく、従来の排気装
置゛をその−Ｅ を用いると１時には一日も使用しない
うちに排気能力が低下するという事態を生じている。特
にアルミニウムのドライエツチング装置ではＣＣ４ｊ４
． Ｂｔｈ、 Ｃｂ等の塩素系化合物を使用するため、
排気ガス中には、これらの未反応ガスばかりでなく９反
応生成物である’１ＡｔＱ ＋ｄＧ／３などの弁い酸性
物質が加わり、これを排気する排気装置は、劣化の度合
が一層著しい。これまでにこの問題の解決を目的として
いくつかの対策が採られたが、量産規模で使用に劇える
排気装置は未だ出現していない。以下に図を用いて従来
のアルミニウムドライエツチング装置の抽気装置につい
て説明する。
第１図は、従来のアルミニウムのドライエツチング装置
特に反応性イオンエツチング装置の排気装置のブロック
図である。アルミニウムの反応性イオンエツチングでは
反応容器１０１内の高周波電極１０２上に試料１２２
ヲｉｊｔ ＠ 、 ＣＧｈ、ＢＧｈ、Ｃ１２等。
特に反応性イオンエツチング装置の排気装置のブロック
図である。アルミニウムの反応性イオンエツチングでは
反応容器１０１内の高周波電極１０２上に試料１２２
ヲｉｊｔ ＠ 、 ＣＧｈ、ＢＧｈ、Ｃ１２等。
炉素系ガスを主体とする反応性ガスをガス導入バムブ１
０３より導入し９反応容器１０１内の圧力を数Ｐａに保
ち反応性ガスプラズマにより試料１２２ にエツチング
を施す。未反応な反応性ガス及び反応生成物よりなる排
出ガスは、エツチングパルプ１０４、スーロットルバル
ブ１０５ヲ通シ、ブースターポンプであるルーツブロア
ーポンプ１０６によって排気される。ルーツブロアーポ
ンプ１０６のフォアライン側には、配管１１２．パルプ
１０７を介して、液体９索で冷却されたガストラップ１
０８．及びさらにパルプ１０９を介して、補助ポンプで
ある油回転ポンプ１１０が接続されており、排出ガスは
最終的に排出ダクト１１１から大気に放出される。アル
ミニウムの反応性イオンエツチングの動作圧力領域と。
０３より導入し９反応容器１０１内の圧力を数Ｐａに保
ち反応性ガスプラズマにより試料１２２ にエツチング
を施す。未反応な反応性ガス及び反応生成物よりなる排
出ガスは、エツチングパルプ１０４、スーロットルバル
ブ１０５ヲ通シ、ブースターポンプであるルーツブロア
ーポンプ１０６によって排気される。ルーツブロアーポ
ンプ１０６のフォアライン側には、配管１１２．パルプ
１０７を介して、液体９索で冷却されたガストラップ１
０８．及びさらにパルプ１０９を介して、補助ポンプで
ある油回転ポンプ１１０が接続されており、排出ガスは
最終的に排出ダクト１１１から大気に放出される。アル
ミニウムの反応性イオンエツチングの動作圧力領域と。
エツチングに必要とされるガス流量から考えて。
ブースターボ／プ１０６の設置は是非ともａ要である。
又、ガストラップ１０８も油回転ポンプで反応性ガスを
直接排気しないようにするために是非とも必要とされて
いる。この第１図の排気装置で量産規模でアルミニウム
をエツチングする場合、特にＢＧｂガスを主体としたガ
スでエツチングを行なう場合には次のように、多くの間
ＩＦｉ点を生ずる。
直接排気しないようにするために是非とも必要とされて
いる。この第１図の排気装置で量産規模でアルミニウム
をエツチングする場合、特にＢＧｂガスを主体としたガ
スでエツチングを行なう場合には次のように、多くの間
ＩＦｉ点を生ずる。
＼第１の問題は、ガストラップ１０８にＢＧｈ及びｈｆ
ｌ／ｃ１３が多量・に吸着されるため、ガストラップ１
０８゛ρ吸着力がすぐ劣化し、排気速度が低下してしま
、にとである。このため、ひどい場合は１日１回以上の
窒素パージ、洗浄操作をガストラップ１０８に施すこと
が必要である。しかも、パージや洗浄ではその時に発生
する多量のＨＣｌ２やＢ２Ｏ３の粉末のため、ガストラ
ップ１０８や配管１１２．パルプ１０７゜１０９等の腐
蝕が進行し、さらにはパージ用の配管を詰まらせる場合
があり、ドライエツチング装置の生産性を著るしく低下
させている。ガストラップ１０８を取り除く試みも行わ
れたが、これを取り除くと今度は油回転ポンプ１１０の
劣化が著しく進む結果を生む。即ち、油回転ポンプの中
に多量のＢＣＩ３． Ｈｃｌ、 ｈｌｃｆｈ等が混入す
る結果、ポンプの油が劣化し、さらには、油回転ポンプ
容器内の外気とＢＣＩ ｓが反応して、多量のＢ２Ｏ３
粉末とＨＣｌ１をポンプ内に発生させるのである。ポン
プの油の劣化に対しては、弗素系オイルを１更用するこ
とによりその劣化を防ぐことが出来るが、多量のＢｚＵ
ａ粉末に関しては、油回転ポンプ１１０の外部にオイル
過装置を設けて濾過しても充分に除去しきれず、ボを
著しく短かくシ、ひどい場合には１力月以内にその抽気
能力を失ってしまう場合もある。このため、油回転ポン
プ１１０内を窒素ガス等の不活性ガスでガス置換する試
みも行われたが、今度は排出口でＢＧＩｂが大気と反応
して、多量のＢ２Ｏ３とＨｃｌを形成し、特に８２０３
１ｆｔｆ末が排出ダクト１１１ を詰まらせ、油回転ポ
ンプの能力を低下させるという事態を生じた。さらに、
排出ダクト１１１内で生じたＢ２Ｏ３粉末やｎｃｆが油
回転ポンプ１１０内に逆拡散することによシ、ポンプの
寿命も一向に改善されなかったし、排出ダクト側に水ス
クラバーを設けＢｃｌｓを除去する試みを行ったが、Ｂ
Ｃｌ３は充分に除去出来ないばかりか、かえってＢ２Ｏ
３を多量に発生させる結果となった。さらにＢ２Ｏ３粉
末以外にもアルミニウムの反応生成物であるＡ１１Ｃ１
３が多量に生成さね、これが、ブースターポンプ１０６
のフォアライン側の配管１１２やバルブ１０７等に付着
するという問題も生じ、この付着を防ぐため配管１１２
やバルブ１０７を加熱する改善策を取ってみたが。
ｌ／ｃ１３が多量・に吸着されるため、ガストラップ１
０８゛ρ吸着力がすぐ劣化し、排気速度が低下してしま
、にとである。このため、ひどい場合は１日１回以上の
窒素パージ、洗浄操作をガストラップ１０８に施すこと
が必要である。しかも、パージや洗浄ではその時に発生
する多量のＨＣｌ２やＢ２Ｏ３の粉末のため、ガストラ
ップ１０８や配管１１２．パルプ１０７゜１０９等の腐
蝕が進行し、さらにはパージ用の配管を詰まらせる場合
があり、ドライエツチング装置の生産性を著るしく低下
させている。ガストラップ１０８を取り除く試みも行わ
れたが、これを取り除くと今度は油回転ポンプ１１０の
劣化が著しく進む結果を生む。即ち、油回転ポンプの中
に多量のＢＣＩ３． Ｈｃｌ、 ｈｌｃｆｈ等が混入す
る結果、ポンプの油が劣化し、さらには、油回転ポンプ
容器内の外気とＢＣＩ ｓが反応して、多量のＢ２Ｏ３
粉末とＨＣｌ１をポンプ内に発生させるのである。ポン
プの油の劣化に対しては、弗素系オイルを１更用するこ
とによりその劣化を防ぐことが出来るが、多量のＢｚＵ
ａ粉末に関しては、油回転ポンプ１１０の外部にオイル
過装置を設けて濾過しても充分に除去しきれず、ボを
著しく短かくシ、ひどい場合には１力月以内にその抽気
能力を失ってしまう場合もある。このため、油回転ポン
プ１１０内を窒素ガス等の不活性ガスでガス置換する試
みも行われたが、今度は排出口でＢＧＩｂが大気と反応
して、多量のＢ２Ｏ３とＨｃｌを形成し、特に８２０３
１ｆｔｆ末が排出ダクト１１１ を詰まらせ、油回転ポ
ンプの能力を低下させるという事態を生じた。さらに、
排出ダクト１１１内で生じたＢ２Ｏ３粉末やｎｃｆが油
回転ポンプ１１０内に逆拡散することによシ、ポンプの
寿命も一向に改善されなかったし、排出ダクト側に水ス
クラバーを設けＢｃｌｓを除去する試みを行ったが、Ｂ
Ｃｌ３は充分に除去出来ないばかりか、かえってＢ２Ｏ
３を多量に発生させる結果となった。さらにＢ２Ｏ３粉
末以外にもアルミニウムの反応生成物であるＡ１１Ｃ１
３が多量に生成さね、これが、ブースターポンプ１０６
のフォアライン側の配管１１２やバルブ１０７等に付着
するという問題も生じ、この付着を防ぐため配管１１２
やバルブ１０７を加熱する改善策を取ってみたが。
この場合はｐＪＣｌ ３が全て油回転ポンプ１１０内に
取り込腫れ、油回転ポンプ内の油中に含まれているネ分
と反応し強酸を発生させたり、そのま凍粉末となって油
中のゴミとなり油回転ポンプを一層劣、化させることと
もなった。
取り込腫れ、油回転ポンプ内の油中に含まれているネ分
と反応し強酸を発生させたり、そのま凍粉末となって油
中のゴミとなり油回転ポンプを一層劣、化させることと
もなった。
本発明（ｄこれらの欠点を除去し、油回転ポンプ内にＢ
２Ｏ３粉末やＨＣＩ、 Ａｒｃｈを混入させると七の極
めて少ない排気装置を提供することを目的とする。さら
に６・ま損気装置の保守を容易にし尚かつ油回転ポンプ
の寿命を伸ばすことにより真空処理装置の量産規模での
稼動率を向上させることを目的とする。
２Ｏ３粉末やＨＣＩ、 Ａｒｃｈを混入させると七の極
めて少ない排気装置を提供することを目的とする。さら
に６・ま損気装置の保守を容易にし尚かつ油回転ポンプ
の寿命を伸ばすことにより真空処理装置の量産規模での
稼動率を向上させることを目的とする。
以下に図を用いて本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明の実施例を示した９反応性イオンエツチ
ング装置の排気装置を示すもので９反応容器２０１内の
高周波電極２０２上の試料２２２に、ガス導入バルブ２
０３より反応性ガスを導入してエツチングを施す反応性
ガスはエツチングバルブ２０２゜スロットルバルブ２１
３をＭＬ、ブースターポンプである軸流ターボモレキー
ラポンプ２０４によす排気される。軸流ターボモレキュ
ラポンプ２０４のフォアライン側には配管２１２を通し
バルブ２０５．水冷されたダストトラップ２０６さらに
はバルブ２０７及び補助ポンプである弗素化オイルを用
いた油回転ポンプ２０８が接続されている又配管２１２
及びバルブ２０５は約６０℃に加熱されている。油回転
ポンプ２０８の容器内には、パージパルプ２０９全通し
て窒素ガスが導入され、油回転ポンプの容器内圧力を大
気圧を超える圧力にしている。さらに油回転ポンプ２０
８の排出口には、塩素系ガス特にＢ（Ｊａガスを選択的
に吸着する乾式吸着塔２１０（例えば、！＋：Ｔ開５８
−１２２０２５号公報の装りが、大気と通断された配管
２１１により接続されている。
ング装置の排気装置を示すもので９反応容器２０１内の
高周波電極２０２上の試料２２２に、ガス導入バルブ２
０３より反応性ガスを導入してエツチングを施す反応性
ガスはエツチングバルブ２０２゜スロットルバルブ２１
３をＭＬ、ブースターポンプである軸流ターボモレキー
ラポンプ２０４によす排気される。軸流ターボモレキュ
ラポンプ２０４のフォアライン側には配管２１２を通し
バルブ２０５．水冷されたダストトラップ２０６さらに
はバルブ２０７及び補助ポンプである弗素化オイルを用
いた油回転ポンプ２０８が接続されている又配管２１２
及びバルブ２０５は約６０℃に加熱されている。油回転
ポンプ２０８の容器内には、パージパルプ２０９全通し
て窒素ガスが導入され、油回転ポンプの容器内圧力を大
気圧を超える圧力にしている。さらに油回転ポンプ２０
８の排出口には、塩素系ガス特にＢ（Ｊａガスを選択的
に吸着する乾式吸着塔２１０（例えば、！＋：Ｔ開５８
−１２２０２５号公報の装りが、大気と通断された配管
２１１により接続されている。
この排気装置を用いアルミニウム膜で被覆された試料２
２２をエツチングする場合は、まず反応容器内２０１を
真空に排気した後、ガス導入バルブ２０３を通して、
ＢＣｌ３とＣｈを主体とする反応性ガとを１００〜３０
０８ＣＣＭ ４．入する。次にエツチングバルブ２０２
を開き、スロットルバルブ２１３により反幅容器内圧力
を４〜１３ Ｐａに調節し、高周波電極２０２に図示さ
れていない電源から高周波電力を印加する。排出ガスで
あるＡｊ Ｃ１ａ等の反応生成物及び未反応導入ガスの
ＢＣｈやＣＪｈはエツチングバルブ２０２及びスロット
ルバルブ２１３を通して、軸流ターボモレキュラーポン
プ２０４により排気され。
２２をエツチングする場合は、まず反応容器内２０１を
真空に排気した後、ガス導入バルブ２０３を通して、
ＢＣｌ３とＣｈを主体とする反応性ガとを１００〜３０
０８ＣＣＭ ４．入する。次にエツチングバルブ２０２
を開き、スロットルバルブ２１３により反幅容器内圧力
を４〜１３ Ｐａに調節し、高周波電極２０２に図示さ
れていない電源から高周波電力を印加する。排出ガスで
あるＡｊ Ｃ１ａ等の反応生成物及び未反応導入ガスの
ＢＣｈやＣＪｈはエツチングバルブ２０２及びスロット
ルバルブ２１３を通して、軸流ターボモレキュラーポン
プ２０４により排気され。
ダストトラップ２０６．油回転ポンプ２０８を通し乾式
吸着塔２１０へ導入される。反応生成物のＡｌＣｌ３ハ
他のガスに比べ蒸気圧が低いためターボモレキュラーポ
ンプ２０４のフォアライン側で圧縮されて圧力が高くな
ると、配管２１２やバルブ２０５内の壁面に付着され易
くなるが９本願の発明者等は実験を繰り返した結果ガス
通路の壁面温度を６０℃以上に保つときはＡｆＣＪａの
付着がほとんど無くなることを確認しており、そのため
この実施例では配ｖ２１２やバルブ２０５を加熱出来る
構造としている。これによりＡ７（Ｊ３をほとんど全て
ダストトラップ２０６に導くことをＥＪ能とした。、ダ
ストトラップ２０６の内部は、水冷されたバッフル板寸
たはステンレス製メツシュで構成きれており、２０’Ｃ
杓′度の冷却丼を流した冷却面で大部分のＡｉＣｈをト
ラップしている。しかし、この程た【の冷却温度では１
３ＣＩ ３隻の未反応ガスは全くトラップさゎず、油回
転ポンプにその壕ま流入する。従ってダストトラップ２
０６はＢＣ！３に汚染されることがなく、頻繁にダスト
トラップ２０６をクリーニングする心労がなくなす、り
、＜）トラップの洗浄もバッフル剖やメツシュ部を取り
出して水洗すわば良いというｈｐ ＬＩ Ｆなった。こ
の際特にパージによりトラップされている物質を追い出
す必要もないためクリーニング同量が短縮出来、バルジ
用の配管も設けなくて良くなった。その上、更にダスト
トラップ２０６が酸により腐蝕されることも無くなった
ため、トラップの保守は従来の液体堅素で冷却されるコ
ールドトラップに比較し格段に簡易化された。ダストト
ラップ２０６でｋｌｃｊ’ａを選択的に除去した後の排
出ガスは油拡散ポンプ２０８内に流、入するが、この時
のガスの主成、分はＢｃＺ３とＣ９ｚである。Ｂ（４３
は大気に触れると大気に含１才ｌる水分の影響で容易に
Ｂ２Ｏ３の白色粉末を生成するので９本実施例では。
吸着塔２１０へ導入される。反応生成物のＡｌＣｌ３ハ
他のガスに比べ蒸気圧が低いためターボモレキュラーポ
ンプ２０４のフォアライン側で圧縮されて圧力が高くな
ると、配管２１２やバルブ２０５内の壁面に付着され易
くなるが９本願の発明者等は実験を繰り返した結果ガス
通路の壁面温度を６０℃以上に保つときはＡｆＣＪａの
付着がほとんど無くなることを確認しており、そのため
この実施例では配ｖ２１２やバルブ２０５を加熱出来る
構造としている。これによりＡ７（Ｊ３をほとんど全て
ダストトラップ２０６に導くことをＥＪ能とした。、ダ
ストトラップ２０６の内部は、水冷されたバッフル板寸
たはステンレス製メツシュで構成きれており、２０’Ｃ
杓′度の冷却丼を流した冷却面で大部分のＡｉＣｈをト
ラップしている。しかし、この程た【の冷却温度では１
３ＣＩ ３隻の未反応ガスは全くトラップさゎず、油回
転ポンプにその壕ま流入する。従ってダストトラップ２
０６はＢＣ！３に汚染されることがなく、頻繁にダスト
トラップ２０６をクリーニングする心労がなくなす、り
、＜）トラップの洗浄もバッフル剖やメツシュ部を取り
出して水洗すわば良いというｈｐ ＬＩ Ｆなった。こ
の際特にパージによりトラップされている物質を追い出
す必要もないためクリーニング同量が短縮出来、バルジ
用の配管も設けなくて良くなった。その上、更にダスト
トラップ２０６が酸により腐蝕されることも無くなった
ため、トラップの保守は従来の液体堅素で冷却されるコ
ールドトラップに比較し格段に簡易化された。ダストト
ラップ２０６でｋｌｃｊ’ａを選択的に除去した後の排
出ガスは油拡散ポンプ２０８内に流、入するが、この時
のガスの主成、分はＢｃＺ３とＣ９ｚである。Ｂ（４３
は大気に触れると大気に含１才ｌる水分の影響で容易に
Ｂ２Ｏ３の白色粉末を生成するので９本実施例では。
油回転ポンプ２０８の容器内にパージバルブ２０９を戸
内して窒素ガスを漕入し、 ７１１１回転ポンプ内圧力
°す絶えず大気圧に比べ余正にしている。こねによって
大気が油回転ポンプ容器内に漏れ込む事が無くなり、Ｂ
Ｃｈが大気中の水分と反応し、 Ｂ２Ｏ３粉末４発生す
ることは無くなっている。垢らに、油回憂覧ポンプの排
出側にはＢＣｈやその他の塩素化合物を選択的に吸着す
る乾式吸着塔２１０が接続されているため、排出側での
Ｂ２Ｏ３やＨＣｊの発生も抑えられ、とのＨｚＯａ粉末
が、油回転ポンプ中へ逆拡散することも無くなっている
。これらの結果油回転ポンプ内で発生するゴミの発生量
を従来に比較し極端に低い値に維持することが可能とな
った。）ｃｔ等の強酸により油回転ポンプの劣化も防ぐ
ことも出来た。乾式吸着塔２１０を用いＢＣＪ’ａを除
去しているため、配管２１１内にもＢ２Ｏ３が相出しな
くなり。
内して窒素ガスを漕入し、 ７１１１回転ポンプ内圧力
°す絶えず大気圧に比べ余正にしている。こねによって
大気が油回転ポンプ容器内に漏れ込む事が無くなり、Ｂ
Ｃｈが大気中の水分と反応し、 Ｂ２Ｏ３粉末４発生す
ることは無くなっている。垢らに、油回憂覧ポンプの排
出側にはＢＣｈやその他の塩素化合物を選択的に吸着す
る乾式吸着塔２１０が接続されているため、排出側での
Ｂ２Ｏ３やＨＣｊの発生も抑えられ、とのＨｚＯａ粉末
が、油回転ポンプ中へ逆拡散することも無くなっている
。これらの結果油回転ポンプ内で発生するゴミの発生量
を従来に比較し極端に低い値に維持することが可能とな
った。）ｃｔ等の強酸により油回転ポンプの劣化も防ぐ
ことも出来た。乾式吸着塔２１０を用いＢＣＪ’ａを除
去しているため、配管２１１内にもＢ２Ｏ３が相出しな
くなり。
一回転ポンプの排出口が詰まって油回転ポンプの、−４
４１気特性が劣化する不具合も見られなくなった。
４１気特性が劣化する不具合も見られなくなった。
以上の結果、油回転ポンプ２０８の寿命は飛躍的に向上
し、従来装置で１力月の埒命であった油回転ポンプ２０
８が８力月以上の長期の棒産規模の稼動に対しても間覇
なく動作することが確関されて於る・ 上述の第２図の実施例ではブースターポンプとして軸流
ターボモレキュラーポンプ２０４を使用す；ｐ：ものを
説明したが、このブースターポンプがルーツブロワ−ポ
ンプであっても本実施例と同等の効果が得られるのは明
らかで実験でも成功を収めている。又、油回転ポンプ内
の大気を置換するガスは、窒素でなくても’Ｂ（Ｊａ等
と反応しない他の不活性ガスでも良いことは明らかであ
る。
し、従来装置で１力月の埒命であった油回転ポンプ２０
８が８力月以上の長期の棒産規模の稼動に対しても間覇
なく動作することが確関されて於る・ 上述の第２図の実施例ではブースターポンプとして軸流
ターボモレキュラーポンプ２０４を使用す；ｐ：ものを
説明したが、このブースターポンプがルーツブロワ−ポ
ンプであっても本実施例と同等の効果が得られるのは明
らかで実験でも成功を収めている。又、油回転ポンプ内
の大気を置換するガスは、窒素でなくても’Ｂ（Ｊａ等
と反応しない他の不活性ガスでも良いことは明らかであ
る。
更に又９本発明は上述の実施例のアルミニウムのエツチ
ング装置に限定妊れるものではなく。
ング装置に限定妊れるものではなく。
Ｐｏ １ｙ−３を等の他の物質を塩素系ガスでエツチン
グする場合にも適用できるし、塩素系化合物ガスを使用
して真空処理するプラズマＣＶＤ装置や、減−７４０Ｖ
Ｄ装置に、も適用できる。
グする場合にも適用できるし、塩素系化合物ガスを使用
して真空処理するプラズマＣＶＤ装置や、減−７４０Ｖ
Ｄ装置に、も適用できる。
ユ、・ツ・ｒ要するに本発明の要旨は、真空処理装置の
排出ガスのうち蒸気圧の低い成分を保守の容易なトラッ
プにより油回転ポンプの手前で除去し、さらに。
排出ガスのうち蒸気圧の低い成分を保守の容易なトラッ
プにより油回転ポンプの手前で除去し、さらに。
油回転ポンプ内で排出ガス成分を出来るだけ反応させな
い様にし、外部吸着塔で除去し、これらに、、４ ｑ
、油回転ポンプの油の劣化を防ぐところにあＺ、真空処
理装置の種類、や、ブースターポンプの種類には拘束烙
れるものではない。
い様にし、外部吸着塔で除去し、これらに、、４ ｑ
、油回転ポンプの油の劣化を防ぐところにあＺ、真空処
理装置の種類、や、ブースターポンプの種類には拘束烙
れるものではない。
１．、゛）本発明の排気装置は２以上説明した通りであ
り〆９本発明の真空処理装置の排気装置を用いることに
より、量産規検の真空処理装置の保守を容易にしかつ油
回転ポンプの寿命を長くシ、配管等の腐蝕や詰まりをほ
とんど無くすることができるものである。殊にアルミニ
ウムのドライエツチング装置に適する。
り〆９本発明の真空処理装置の排気装置を用いることに
より、量産規検の真空処理装置の保守を容易にしかつ油
回転ポンプの寿命を長くシ、配管等の腐蝕や詰まりをほ
とんど無くすることができるものである。殊にアルミニ
ウムのドライエツチング装置に適する。
本発報の装ｆ６ｍ−が半導体装置の製造等に寄与すると
ころ甚大であり、工業上有為の発明ということができる
。
ころ甚大であり、工業上有為の発明ということができる
。
第１図は従来のアルミニウムドライエツチング装置の排
気装置を示し、第２図は本発明の実施例のアルミニウム
ドライエツチング装置の抽気装置・＼ 、；有示す。 １０１、２０１・・・・・・反応容器、１０２，２０２
・・・・・・高周波電極、１０６，２０４・・・・−・
ブースターポンプ。 ２０６・・・・・・ダストトラップ、１１０，２０８・
・・・・・補助ポンプ（油回転ポンプ）２１ｏ・・・・
・・乾式吸層塔。 ２０９・・−・・・パージバルブ 特許出願人 日電アネルバ株式会社
気装置を示し、第２図は本発明の実施例のアルミニウム
ドライエツチング装置の抽気装置・＼ 、；有示す。 １０１、２０１・・・・・・反応容器、１０２，２０２
・・・・・・高周波電極、１０６，２０４・・・・−・
ブースターポンプ。 ２０６・・・・・・ダストトラップ、１１０，２０８・
・・・・・補助ポンプ（油回転ポンプ）２１ｏ・・・・
・・乾式吸層塔。 ２０９・・−・・・パージバルブ 特許出願人 日電アネルバ株式会社
Claims (5)
- （１）塩素系ガスを用いて被処理基板に真空処理を施す
真空処理装置のブースターポンプと補助ポンプを使用す
る排気装置において、該補助ポンプの大気排出側容器内
を大気圧を超える圧力の不活性ガスで置換するとともに
該補助ポンプの大気排出管に、塩素系ガスの吸着可能な
乾式吸着塔を接続したことを特徴とする真空処理装置の
排気装置。 - （２）塩素系ガスを用いて被処理基板に真空処理を施す
真空処理装置の、ブースターポンプと補助ポンプを使用
する排気装置において、該ブースターポンプと該補助ポ
ンプの間に冷却面を有するダストトラップを設けるとと
もに、該ブースターポンプと該ダストトラップの間のガ
ス通路壁面を加熱し、かつ、該補助ポンプの大気排出側
容器内を大気圧を超える圧力の不活性ガスで置換すると
ともに、該補助ポンプの大気排出管に、塩素系ガスの吸
着可能な乾式吸着塔を接続したことを特徴とする真空処
理装置の排気装置。 - （３）補助ポンプが油回転ポンプであることを特徴とす
る特許請求範囲第１または２項記載の真空処理装置の排
気装置。 - （４）ブースターポンプがターボモレキュラーポンプで
あることを特徴とする特許請求範囲第１．２または３項
記載の真空処理装置の排気装置。 - （５）ブースターポンプがルーツブロワ−ポンプである
ことを特徴とする特許請求範囲第１．２’ｉたＦｉ３項
記載の真空処理装置の排気装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59053894A JPS60198394A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | 真空処理装置の排気装置 |
| KR8501823A KR900006081B1 (en) | 1984-03-21 | 1985-03-20 | Waste gas extruding apparatus |
| US06/714,302 US4655800A (en) | 1984-03-21 | 1985-03-21 | Waste gas exhaust system for vacuum process apparatus |
| GB08507314A GB2156236B (en) | 1984-03-21 | 1985-03-21 | Waste gas exhaust system for vacuum process apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59053894A JPS60198394A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | 真空処理装置の排気装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60198394A true JPS60198394A (ja) | 1985-10-07 |
| JPH0339198B2 JPH0339198B2 (ja) | 1991-06-13 |
Family
ID=12955430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59053894A Granted JPS60198394A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | 真空処理装置の排気装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4655800A (ja) |
| JP (1) | JPS60198394A (ja) |
| KR (1) | KR900006081B1 (ja) |
| GB (1) | GB2156236B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63291624A (ja) * | 1987-05-23 | 1988-11-29 | Showa Denko Kk | ガリウム・ヒ素ウェハ−のドライエッチング排ガスの処理方法 |
| JPS6419198A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-23 | Hitachi Ltd | Vacuum pump |
| JPH02297931A (ja) * | 1989-10-30 | 1990-12-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 気相エッチング方法 |
| JPH02297930A (ja) * | 1989-10-30 | 1990-12-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 気相エッチング装置 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6784033B1 (en) * | 1984-02-15 | 2004-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device |
| US6786997B1 (en) | 1984-11-26 | 2004-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| JPH0752718B2 (ja) * | 1984-11-26 | 1995-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜形成方法 |
| US6113701A (en) | 1985-02-14 | 2000-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method, and system |
| JP2580928Y2 (ja) * | 1991-08-22 | 1998-09-17 | 日本電気株式会社 | 気相成長装置 |
| TW241375B (ja) * | 1993-07-26 | 1995-02-21 | Air Prod & Chem | |
| US5714011A (en) * | 1995-02-17 | 1998-02-03 | Air Products And Chemicals Inc. | Diluted nitrogen trifluoride thermal cleaning process |
| DE19601436A1 (de) * | 1996-01-17 | 1997-07-24 | Siegfried Dr Ing Straemke | Verfahren und Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Werkstücken |
| KR0183912B1 (ko) * | 1996-08-08 | 1999-05-01 | 김광호 | 다중 반응 챔버에 연결된 펌핑 설비 및 이를 사용하는 방법 |
| US6161575A (en) * | 1998-08-28 | 2000-12-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Apparatus and method for preventing chamber contamination |
| WO2002055756A1 (en) * | 2001-01-09 | 2002-07-18 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for exhaust whie powder elimination in substrate processing |
| DE10136022B4 (de) * | 2001-07-24 | 2006-01-12 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Vermeidung oder Beseitigung von Ausscheidungen im Abgasbereich einer Vakuumanlage |
| KR100809852B1 (ko) * | 2007-05-17 | 2008-03-04 | (주)엘오티베큠 | 일체형 진공발생장치 |
| WO2021142028A1 (en) * | 2020-01-10 | 2021-07-15 | Lam Research Corporation | Ammonia abatement for improved roughing pump performance |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2333748A (en) * | 1941-06-25 | 1943-11-09 | Hercules Powder Co Ltd | Treatment of chlorine |
| US3059396A (en) * | 1958-01-07 | 1962-10-23 | Leybold Anlagen Holding A G | A device for drawing off gaseous components from a gas-vapour mixture |
| SU122241A1 (ru) * | 1958-07-02 | 1958-11-30 | К.Н. Аверцева | Способ защиты вакуумных насосов от паров воды и сол ной кислоты |
| CH523851A (de) * | 1967-12-22 | 1972-06-15 | Buss Ag | Verfahren und Einrichtung zur kontinuierlichen Rückgewinnung von Flusssäure aus einer Absorberlösung |
| US3498025A (en) * | 1968-06-25 | 1970-03-03 | Alco Standard Corp | Adsorption process and apparatus |
| IT1006761B (it) * | 1974-01-07 | 1976-10-20 | Getters Spa | Impianto e procedimento per l otte nimento di alti vuoti |
| JPS51105997A (en) * | 1975-03-14 | 1976-09-20 | Central Glass Co Ltd | Rinsanekinogenatsujohatsu niokeru futsukabutsuganjujoki no shorihoho |
| US4247519A (en) * | 1978-12-04 | 1981-01-27 | Kobe Steel, Ltd. | Exhaust gas treatment device for injection molding machines |
-
1984
- 1984-03-21 JP JP59053894A patent/JPS60198394A/ja active Granted
-
1985
- 1985-03-20 KR KR8501823A patent/KR900006081B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-03-21 GB GB08507314A patent/GB2156236B/en not_active Expired
- 1985-03-21 US US06/714,302 patent/US4655800A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63291624A (ja) * | 1987-05-23 | 1988-11-29 | Showa Denko Kk | ガリウム・ヒ素ウェハ−のドライエッチング排ガスの処理方法 |
| JPH0436727B2 (ja) * | 1987-05-23 | 1992-06-17 | Showa Denko Kk | |
| JPS6419198A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-23 | Hitachi Ltd | Vacuum pump |
| JPH0525040B2 (ja) * | 1987-07-15 | 1993-04-09 | Hitachi Ltd | |
| JPH02297931A (ja) * | 1989-10-30 | 1990-12-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 気相エッチング方法 |
| JPH02297930A (ja) * | 1989-10-30 | 1990-12-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 気相エッチング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4655800A (en) | 1987-04-07 |
| KR850006229A (ko) | 1985-10-02 |
| GB2156236A (en) | 1985-10-09 |
| KR900006081B1 (en) | 1990-08-22 |
| JPH0339198B2 (ja) | 1991-06-13 |
| GB2156236B (en) | 1987-10-28 |
| GB8507314D0 (en) | 1985-05-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60198394A (ja) | 真空処理装置の排気装置 | |
| KR101129099B1 (ko) | 반도체 처리용 포집 유닛 및 성막 장치 | |
| EP1817500B1 (en) | Fore-line preconditioning for vacuum pumps | |
| JPH11157814A (ja) | 希ガスの回収方法及び装置 | |
| JP2614827B2 (ja) | 半導体製造における材料又は（及び）器具表面の洗浄を三弗化窒素を用いて行なう装置と方法 | |
| JP2002097007A (ja) | 希ガスの回収方法及び装置 | |
| US5714011A (en) | Diluted nitrogen trifluoride thermal cleaning process | |
| JPH08172083A (ja) | 副生成物トラップ装置及びその洗浄方法 | |
| JP3171593B2 (ja) | トラップ装置 | |
| EP1441043A2 (en) | Supply of gas to semiconductor process chamber | |
| JP4763339B2 (ja) | 配管のクリーニング方法 | |
| JPS6370428A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3326559B2 (ja) | Ｃｖｄ装置及びそのパージ方法 | |
| TW202307958A (zh) | 排氣配管、排氣裝置及生成物附著防止方法 | |
| JP4967594B2 (ja) | クライオポンプ及びそれを用いた真空装置 | |
| JPH01189114A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH09317645A (ja) | 真空排気システム | |
| CN115491658B (zh) | 一种使用等离子中解离的f2进行cvd室清洁的方法 | |
| WO2024014405A1 (ja) | 真空排気システムおよびクリーニング方法 | |
| JP2006253203A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS58132931A (ja) | プラズマプロセスの処理方法 | |
| JPH05335256A (ja) | 半導体製造装置及びその清掃方法 | |
| KR20240027421A (ko) | 기판처리방법 | |
| JPS62123720A (ja) | 真空容器の排気方法 | |
| JPS63285924A (ja) | 半導体製造装置 |