JPS58132931A - プラズマプロセスの処理方法 - Google Patents
プラズマプロセスの処理方法Info
- Publication number
- JPS58132931A JPS58132931A JP1602982A JP1602982A JPS58132931A JP S58132931 A JPS58132931 A JP S58132931A JP 1602982 A JP1602982 A JP 1602982A JP 1602982 A JP1602982 A JP 1602982A JP S58132931 A JPS58132931 A JP S58132931A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- plasma
- etching
- reaction chamber
- plasma processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体素子の製造に用いられるプラズマ処理
方法に関するもので、特に反応室内の、残留水分又は残
留酸素の除去方法に関するものである。
方法に関するもので、特に反応室内の、残留水分又は残
留酸素の除去方法に関するものである。
半導体素子は、高速化、低消費電力を目的として微細化
がはかられている。２〜３μｍのパターン形成には、こ
れまで用いられていた湿式方法では困難であるため、プ
ラズマを用いたドライエツチングが検討導入されている
。また、素子保護膜や低価な素子材料として、アモルフ
ァスのプラズマ生成膜も多く用いられる様になってきて
いる。
がはかられている。２〜３μｍのパターン形成には、こ
れまで用いられていた湿式方法では困難であるため、プ
ラズマを用いたドライエツチングが検討導入されている
。また、素子保護膜や低価な素子材料として、アモルフ
ァスのプラズマ生成膜も多く用いられる様になってきて
いる。
これらプラズマ装置は、反応室内に試料を設Ｌａシ減圧
下にしたのち、４００ＫＨｚ 、１３．５６ＭＨｚ等の
高周波電圧を印加して、グロー放電をおこし重合デポジ
ションあるいは、エツチングを行なうものである。ここ
で、利用するプラズマは真空度。
下にしたのち、４００ＫＨｚ 、１３．５６ＭＨｚ等の
高周波電圧を印加して、グロー放電をおこし重合デポジ
ションあるいは、エツチングを行なうものである。ここ
で、利用するプラズマは真空度。
高周波電源周波数、ガスの種類はもちろん、反応室の状
態によって、異なった条件となるため、安定した反応室
の状態を維持する必要がある。しかし、現状では、十分
反応室の状態を制御できてｈるわけではなく、エツチン
グおよびデポジションの不均一性や、異状を引き起こし
ている。
態によって、異なった条件となるため、安定した反応室
の状態を維持する必要がある。しかし、現状では、十分
反応室の状態を制御できてｈるわけではなく、エツチン
グおよびデポジションの不均一性や、異状を引き起こし
ている。
反応室内の状態の変動は主に残留水分又は酸素に起因す
ると考えられ、拡散ポンプやクライオポンプによって長
時間かけて高真空に保っておくとかなシ良好な再現性が
得られている。残留水分。
ると考えられ、拡散ポンプやクライオポンプによって長
時間かけて高真空に保っておくとかなシ良好な再現性が
得られている。残留水分。
酸素の影響をなくすには、反応室を恒に高真空に保つ方
が望ましく、ロ〜ドロック機構が考案、採用されている
。
が望ましく、ロ〜ドロック機構が考案、採用されている
。
しかしながら、拡散ポンプやクライオポンプを装備す、
る装置は油回転ボング、コンプレッサー等を必要とし、
値段も高く、装置としても大がかりなものになる。ロー
ドロック機構をつける装置も同様で、少なくとも２つの
室（反応室、ロードロック室）が必要になり、搬送機構
、制御機構も必要であるため大型、高価にならざるを得
ない。またメンテナンスも困難になる。
る装置は油回転ボング、コンプレッサー等を必要とし、
値段も高く、装置としても大がかりなものになる。ロー
ドロック機構をつける装置も同様で、少なくとも２つの
室（反応室、ロードロック室）が必要になり、搬送機構
、制御機構も必要であるため大型、高価にならざるを得
ない。またメンテナンスも困難になる。
本発明は上記欠点にかんがみなされたもので、本発明は
プラズマ反応室内の水分、酸素を物理又は化学反応によ
って除去する事により、より安定したプラズマ反応条件
を提供する事を目的とする。
プラズマ反応室内の水分、酸素を物理又は化学反応によ
って除去する事により、より安定したプラズマ反応条件
を提供する事を目的とする。
本発明では反応室内の残留水分、酸素をあらかじめ導入
するガスによって、物理的又は化学的に反応させ除去す
る。
するガスによって、物理的又は化学的に反応させ除去す
る。
例えば、水分が多量に残留した反応室内を油回転ポンプ
で排気する場合、単に排気するだけよりは乾燥した窒素
を流す事により、より短時間で高真空にする事ができる
。また、ＢＣｌ３，５２Ｈ４等のガスは水分、酸素と化
学的に容易に反応する事が光られている。従って、あら
かじめプラズマ処理前に、これらガスを導入し残留水素
、酸素を低減させた後、デポジション、エツチングをす
るものである。
で排気する場合、単に排気するだけよりは乾燥した窒素
を流す事により、より短時間で高真空にする事ができる
。また、ＢＣｌ３，５２Ｈ４等のガスは水分、酸素と化
学的に容易に反応する事が光られている。従って、あら
かじめプラズマ処理前に、これらガスを導入し残留水素
、酸素を低減させた後、デポジション、エツチングをす
るものである。
以下、本発明の概要をロードロック機構を有しないバッ
チ処理型で、メカニカルブースターポンプおよび油回転
ポンプの排気系を有するドライエツチング装置の場合を
例に図を用いて説明する。
チ処理型で、メカニカルブースターポンプおよび油回転
ポンプの排気系を有するドライエツチング装置の場合を
例に図を用いて説明する。
図はりアクティブイオンエツチングと呼ばれるドライエ
ツチング装置の概略図である。同図において、１は反応
ガス導入口、２は排気口、３はアノニド（陽極）、４は
カソード（陰極）、５！′ｉウエハ〜、６は反応室壁で
ある。
ツチング装置の概略図である。同図において、１は反応
ガス導入口、２は排気口、３はアノニド（陽極）、４は
カソード（陰極）、５！′ｉウエハ〜、６は反応室壁で
ある。
以下動作を説明する。先ず、ウェハー５をカソード４上
に設置し、油回転ポンプ、メカニカルブースターポンプ
で排気する。１〜１０ ｍＴｏ ｒ ｒ以下になったと
ころで排気を停止し。水分、酸素と物理的、化学的に反
応するガス、例えばＳ １Ｈ４ｅＳ２ＨＣＩ３，５ｉｆ
（２Ｃ１２，５ｔｆ（３Ｃ１，５ｉｃ１４゜ＢＣｌ３．
ＰＣｌ３．Ｈ２あるいは、乾燥したガス全ガス導入口１
より導入する。０．１〜１０Ｔｏｒｒになったところで
ガス導入を停止し、３０秒から３程度度放置する。その
後、排気口２により、メカニカルブースターポンプ、油
回転ポンプで１〜１０ｍＴｏｒｒ程度まで排気する。以
下、必要に応じてガス導入と排気をくシ返した凌にエツ
チングガスを導入してエツチングを開始する。ここで、
水分、酸素を除去する目的で導入するガスは、導入と排
気を同時に行なってもよいし、必要に応じて、放電させ
る事もできる。
に設置し、油回転ポンプ、メカニカルブースターポンプ
で排気する。１〜１０ ｍＴｏ ｒ ｒ以下になったと
ころで排気を停止し。水分、酸素と物理的、化学的に反
応するガス、例えばＳ １Ｈ４ｅＳ２ＨＣＩ３，５ｉｆ
（２Ｃ１２，５ｔｆ（３Ｃ１，５ｉｃ１４゜ＢＣｌ３．
ＰＣｌ３．Ｈ２あるいは、乾燥したガス全ガス導入口１
より導入する。０．１〜１０Ｔｏｒｒになったところで
ガス導入を停止し、３０秒から３程度度放置する。その
後、排気口２により、メカニカルブースターポンプ、油
回転ポンプで１〜１０ｍＴｏｒｒ程度まで排気する。以
下、必要に応じてガス導入と排気をくシ返した凌にエツ
チングガスを導入してエツチングを開始する。ここで、
水分、酸素を除去する目的で導入するガスは、導入と排
気を同時に行なってもよいし、必要に応じて、放電させ
る事もできる。
本発明を実施する事によって効果的に残留水分酸素が除
去できるので拡散ポンプ、クライオポンプ等、高真空ま
で排気できるポンプを有しないバッチ処理型のプラズマ
処理装置においても、再現１生のあるエツチング、デポ
ジションが可能である。
去できるので拡散ポンプ、クライオポンプ等、高真空ま
で排気できるポンプを有しないバッチ処理型のプラズマ
処理装置においても、再現１生のあるエツチング、デポ
ジションが可能である。
なお、上記実施例において、拡散ポンプ、クライオポン
プあるいはロードロック・１妓構のない装置で説明した
が、これらを有する装置においても同様に適用できるの
はいうまでもない。
プあるいはロードロック・１妓構のない装置で説明した
が、これらを有する装置においても同様に適用できるの
はいうまでもない。
以上、本発明はプラズマエツチング前に反応室内の酸素
又は水分を除去しているので、安定したプラズマ処理が
出来るという効果がある。
又は水分を除去しているので、安定したプラズマ処理が
出来るという効果がある。
図は本発明を実施する際に用いるドライエツチング装置
の構成例を示す図である。 １ ・・・・・反応ガス導入口、２・・・・・排気口、
５・・■ＩＩＩウェハ＋９０
の構成例を示す図である。 １ ・・・・・反応ガス導入口、２・・・・・排気口、
５・・■ＩＩＩウェハ＋９０
Claims (1)
- 酸素又は水分と物理的又は化学的に反応するガスを反応
室内に導入した後、前記反応室内で、デポジションある
いはエツチング処理をする事を特許とするプラズマプロ
セスの処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1602982A JPS58132931A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | プラズマプロセスの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1602982A JPS58132931A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | プラズマプロセスの処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58132931A true JPS58132931A (ja) | 1983-08-08 |
Family
ID=11905138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1602982A Pending JPS58132931A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | プラズマプロセスの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58132931A (ja) |
-
1982
- 1982-02-03 JP JP1602982A patent/JPS58132931A/ja active Pending
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