JPH06120143A - 気相化学反応装置 - Google Patents
気相化学反応装置Info
- Publication number
- JPH06120143A JPH06120143A JP4268433A JP26843392A JPH06120143A JP H06120143 A JPH06120143 A JP H06120143A JP 4268433 A JP4268433 A JP 4268433A JP 26843392 A JP26843392 A JP 26843392A JP H06120143 A JPH06120143 A JP H06120143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- exhaust
- shower head
- vacuum
- vacuum container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】気相化学反応装置の稼働率を向上させる。
【構成】気相化学反応装置を排気する際にはシャワー・
ヘッド部２はシャワー・ヘッド排気バルブ５１を開いて
混合室２２内のガスを主として排気配管５にて排気を行
う。これにより排気の過程を長引かせていたシャワー・
ヘッド部２の排気が速やかに行われる。
ヘッド部２はシャワー・ヘッド排気バルブ５１を開いて
混合室２２内のガスを主として排気配管５にて排気を行
う。これにより排気の過程を長引かせていたシャワー・
ヘッド部２の排気が速やかに行われる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の形成過程にお
いて気相または固体の表面に隣接する気相で化学反応を
発生させる化学反応装置に係り、特に、装置の稼働効率
の向上に関する。
いて気相または固体の表面に隣接する気相で化学反応を
発生させる化学反応装置に係り、特に、装置の稼働効率
の向上に関する。
【０００２】
【従来の技術】気相化学反応装置の例として、ここでは
従来技術として気相成長装置を例にとり、特開平2−187
018 号公報に示される気相成長装置を例に取り上げて説
明する。図４はその装置のブロック図である。そのサイ
クルは、ウェハ３を真空容器４内のサセプタ１に導入
後、真空容器４内のガスを真空排気部６１を用いて真空
排気配管６を経由して真空排気する。次に不活性ガスを
ガス供給部８からガス供給配管８１を通して真空容器４
に導入する。真空容器がある所定の圧力になったらガス
の供給をやめ、再度、真空容器４内のガスを真空排気部
６１を用いて真空排気配管６を経由して真空排気する。
この過程を数回繰り返しガス置換した後に真空容器４内
のガスを真空排気部６１で真空排気配管６を経由して真
空排気する。次に、反応ガスをガス供給部８からガス供
給配管８１を通し、混合室２２に導入し、シャワー・ヘ
ッド２１からサセプタ１上に配置されヒータ１１で加熱
されたウェハ３に供給する。気相成長で消費しされなか
ったガスや反応にて発生したガスは真空排気部６１を用
いて真空排気配管６を経由して真空排気される。更にこ
のガスはガス処理配管６３を経由してガス処理部７で安
全な形に処理された後に排気管７１から放出される。
従来技術として気相成長装置を例にとり、特開平2−187
018 号公報に示される気相成長装置を例に取り上げて説
明する。図４はその装置のブロック図である。そのサイ
クルは、ウェハ３を真空容器４内のサセプタ１に導入
後、真空容器４内のガスを真空排気部６１を用いて真空
排気配管６を経由して真空排気する。次に不活性ガスを
ガス供給部８からガス供給配管８１を通して真空容器４
に導入する。真空容器がある所定の圧力になったらガス
の供給をやめ、再度、真空容器４内のガスを真空排気部
６１を用いて真空排気配管６を経由して真空排気する。
この過程を数回繰り返しガス置換した後に真空容器４内
のガスを真空排気部６１で真空排気配管６を経由して真
空排気する。次に、反応ガスをガス供給部８からガス供
給配管８１を通し、混合室２２に導入し、シャワー・ヘ
ッド２１からサセプタ１上に配置されヒータ１１で加熱
されたウェハ３に供給する。気相成長で消費しされなか
ったガスや反応にて発生したガスは真空排気部６１を用
いて真空排気配管６を経由して真空排気される。更にこ
のガスはガス処理配管６３を経由してガス処理部７で安
全な形に処理された後に排気管７１から放出される。
【０００３】この後、反応ガスの供給を停止して真空容
器４内のガスを真空排気部６１を用いて真空排気配管６
を経由して真空排気する。次に、不活性ガスをガス供給
部８からガス供給配管８１を通して真空容器４に導入す
る。真空容器がある所定の圧力になったらガスの供給を
やめ、再度、真空容器４内のガスを真空排気部６１を用
いて真空排気配管６を経由して真空排気する。この過程
を数回繰り返しガス置換した後に真空容器４内のガスを
真空排気部６１で真空排気配管６を経由して真空排気す
る。更に、不活性ガスを真空容器４が大気圧になるまで
ガス供給部８からガス供給配管８１を通して真空容器４
に導入する。ウェハ３を取り出し次のウェハ３を真空容
器４に導入する。これが気相成長装置のサイクルであ
る。
器４内のガスを真空排気部６１を用いて真空排気配管６
を経由して真空排気する。次に、不活性ガスをガス供給
部８からガス供給配管８１を通して真空容器４に導入す
る。真空容器がある所定の圧力になったらガスの供給を
やめ、再度、真空容器４内のガスを真空排気部６１を用
いて真空排気配管６を経由して真空排気する。この過程
を数回繰り返しガス置換した後に真空容器４内のガスを
真空排気部６１で真空排気配管６を経由して真空排気す
る。更に、不活性ガスを真空容器４が大気圧になるまで
ガス供給部８からガス供給配管８１を通して真空容器４
に導入する。ウェハ３を取り出し次のウェハ３を真空容
器４に導入する。これが気相成長装置のサイクルであ
る。
【０００４】ここで従来技術では真空容器４内のガスを
真空排気部６１を用いて排気する際には混合室２２内の
ガスがシャワー・ヘッド２１のコンダクタンスの小さい
小孔を通して排気されるため排気に著しく時間がかか
る。このため装置の稼働効率を著しく低下させる要因と
なっている。
真空排気部６１を用いて排気する際には混合室２２内の
ガスがシャワー・ヘッド２１のコンダクタンスの小さい
小孔を通して排気されるため排気に著しく時間がかか
る。このため装置の稼働効率を著しく低下させる要因と
なっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記技術では、真空容
器４内のガスを真空排気部６１を用いてガス置換等の時
に排気を行う際には混合室２２内のガスがシャワー・ヘ
ッド２１のコンダクタンスの小さい小孔を通して排気さ
れるため排気に著しく時間がかかるので、装置のの稼働
効率を著しく低下すると言う問題がある。
器４内のガスを真空排気部６１を用いてガス置換等の時
に排気を行う際には混合室２２内のガスがシャワー・ヘ
ッド２１のコンダクタンスの小さい小孔を通して排気さ
れるため排気に著しく時間がかかるので、装置のの稼働
効率を著しく低下すると言う問題がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的である半導体の
形成過程で気相または固体の表面に隣接する気相で化学
反応を発生させる化学反応装置の稼働効率を向上させる
には、真空容器４内のガスを真空排気部６１を用いてガ
ス置換等の時に排気を行う際には混合室２２内のガスが
シャワー・ヘッド２１のコンダクタンスの小さい小孔を
通して排気されるため排気に時間が著しくかかるので、
混合室２２の排気をコンダクタンスが大きい補助排気機
構を設けて排気すれば排気時間の短縮が達成されるため
装置の稼働効率が格段に向上する。
形成過程で気相または固体の表面に隣接する気相で化学
反応を発生させる化学反応装置の稼働効率を向上させる
には、真空容器４内のガスを真空排気部６１を用いてガ
ス置換等の時に排気を行う際には混合室２２内のガスが
シャワー・ヘッド２１のコンダクタンスの小さい小孔を
通して排気されるため排気に時間が著しくかかるので、
混合室２２の排気をコンダクタンスが大きい補助排気機
構を設けて排気すれば排気時間の短縮が達成されるため
装置の稼働効率が格段に向上する。
【０００７】
【作用】真空容器の排気の際にはシャワー・ヘッドはコ
ンダクタンスの小さなシャワー・ヘッドの小孔を使って
のみの排気ではなく、コンダクタンスの大きなシャワー
・ヘッド補助排気機構も用いて排気を行うため、シャワ
ー・ヘッド部内のガスは速やかに排気される。このため
排気時間の著しい短縮が実現されるので装置の稼働効率
が向上出来る。
ンダクタンスの小さなシャワー・ヘッドの小孔を使って
のみの排気ではなく、コンダクタンスの大きなシャワー
・ヘッド補助排気機構も用いて排気を行うため、シャワ
ー・ヘッド部内のガスは速やかに排気される。このため
排気時間の著しい短縮が実現されるので装置の稼働効率
が向上出来る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１及び図２を参
照して説明する。
照して説明する。
【０００９】図１は、本発明の一実施例のブロック図で
ある。
ある。
【００１０】図１では、１はサセプタ、２はシャワー・
ヘッド部、３はウェハ、４は真空容器、５はシャワー・
ヘッド排気配管、６は真空排気管、７はガス処理部、８
はガス供給部、１０は真空計、１１はヒータ、２１はシ
ャワー・ヘッド、２２は混合室、２３はマニホールド、
５１はシャワー・ヘッド排気バルブ、６１は真空排気
部、６２は排気孔、６３はガス処理配管、６４は真空排
気バルブ、７１は排気管、８１はガス供給配管を示す。
ヘッド部、３はウェハ、４は真空容器、５はシャワー・
ヘッド排気配管、６は真空排気管、７はガス処理部、８
はガス供給部、１０は真空計、１１はヒータ、２１はシ
ャワー・ヘッド、２２は混合室、２３はマニホールド、
５１はシャワー・ヘッド排気バルブ、６１は真空排気
部、６２は排気孔、６３はガス処理配管、６４は真空排
気バルブ、７１は排気管、８１はガス供給配管を示す。
【００１１】以下、本発明の作用を説明する。
【００１２】ウェハ３を真空容器４内のサセプタ１に導
入後、真空容器４内のガスを真空排気部６１を用いて真
空排気配管６を経由して真空排気する。この際、シャワ
ー・ヘッド排気バルブ５１を開いて混合室２２内のガス
を主としてシャワー・ヘッド排気配管５で排気を行う。
排気時間はシャワー・ヘッド排気配管５のコンダクタン
スがシャワー・ヘッド部２に設けられた小孔のコンダク
タンスに較ベて著しく大きいため、このシャワー・ヘッ
ド排気配管５を使わないで排気した場合に較ベて著しく
短縮される。排気時間は排気されるべき気体の圧力，体
積，排気配管のコンダクタンスと真空排気系の能力など
によって変化する。次に、その一例を示す。ここでは混
合室２２の体積を１５００ccとして大気圧状態のガスが
満たされているものとする。シャワー・ヘッド部２の小
孔の総面積は０.３５cm2で長さは２cmとし、シャワー・
ヘッド排気配管５の断面積は４.９cm2で長さは５０cmと
する。排気用の真空ポンプは速度型のドライ・ポンプが
つながっているものとして排気速度は１５００ｌ／min
とする。
入後、真空容器４内のガスを真空排気部６１を用いて真
空排気配管６を経由して真空排気する。この際、シャワ
ー・ヘッド排気バルブ５１を開いて混合室２２内のガス
を主としてシャワー・ヘッド排気配管５で排気を行う。
排気時間はシャワー・ヘッド排気配管５のコンダクタン
スがシャワー・ヘッド部２に設けられた小孔のコンダク
タンスに較ベて著しく大きいため、このシャワー・ヘッ
ド排気配管５を使わないで排気した場合に較ベて著しく
短縮される。排気時間は排気されるべき気体の圧力，体
積，排気配管のコンダクタンスと真空排気系の能力など
によって変化する。次に、その一例を示す。ここでは混
合室２２の体積を１５００ccとして大気圧状態のガスが
満たされているものとする。シャワー・ヘッド部２の小
孔の総面積は０.３５cm2で長さは２cmとし、シャワー・
ヘッド排気配管５の断面積は４.９cm2で長さは５０cmと
する。排気用の真空ポンプは速度型のドライ・ポンプが
つながっているものとして排気速度は１５００ｌ／min
とする。
【００１３】その場合の排気時間と圧力の変化を図２に
示す。縦軸は混合室２２内の圧力、横軸は排気を始めて
からの時間である。Ｉの曲線はシャワー・ヘッド排気配
管５で排気を行った場合、IIの曲線はシャワー・ヘッド
部２に設けられた小孔のみで排気した場合の変化であ
る。この例では混合室２２の圧力が１０~3Torrまでシャ
ワー・ヘッド部２に設けられた小孔のみで排気した場合
には約１２分、シャワー・ヘッド排気配管５で排気を行
った場合には約６.３ 秒となり約百分の一強程度に排気
時間が著しく短縮されるのが判る。
示す。縦軸は混合室２２内の圧力、横軸は排気を始めて
からの時間である。Ｉの曲線はシャワー・ヘッド排気配
管５で排気を行った場合、IIの曲線はシャワー・ヘッド
部２に設けられた小孔のみで排気した場合の変化であ
る。この例では混合室２２の圧力が１０~3Torrまでシャ
ワー・ヘッド部２に設けられた小孔のみで排気した場合
には約１２分、シャワー・ヘッド排気配管５で排気を行
った場合には約６.３ 秒となり約百分の一強程度に排気
時間が著しく短縮されるのが判る。
【００１４】次に不活性ガスをガス供給部８からガス供
給配管８１を通して真空容器４に導入する。真空容器が
ある所定の圧力になったらガスの供給をやめ、再度真空
容器４内のガスを真空排気部６１を用いて真空排気配管
６を経由して真空排気する。この際、シャワー・ヘッド
排気バルブ５１を開いて混合室２２内のガスを主として
シャワー・ヘッド排気配管５で排気を行う。この過程を
数回繰り返しガス置換した後に真空容器４内のガスを真
空排気部６１で真空排気配管６を経由して真空排気す
る。この際、シャワー・ヘッド排気バルブ５１を開いて
混合室２２内のガスを主としてシャワー・ヘッド排気配
管５で排気を行う。次にシャワー・ヘッド排気バルブ５
１を閉じる。その後、反応ガスをガス供給部８からガス
供給配管８１を通し、混合室２２に導入し、シャワー・
ヘッド２１からサセプタ１上に配置されヒータ１１で加
熱されたウェハ３に供給する。気相成長で消費しされな
かったガスや反応で発生したガスは真空排気部６１を用
いて真空排気配管６を経由して真空排気される。更に、
このガスはガス処理配管６３を経由してガス処理部７で
安全な形に処理された後に排気管７１から放出される。
給配管８１を通して真空容器４に導入する。真空容器が
ある所定の圧力になったらガスの供給をやめ、再度真空
容器４内のガスを真空排気部６１を用いて真空排気配管
６を経由して真空排気する。この際、シャワー・ヘッド
排気バルブ５１を開いて混合室２２内のガスを主として
シャワー・ヘッド排気配管５で排気を行う。この過程を
数回繰り返しガス置換した後に真空容器４内のガスを真
空排気部６１で真空排気配管６を経由して真空排気す
る。この際、シャワー・ヘッド排気バルブ５１を開いて
混合室２２内のガスを主としてシャワー・ヘッド排気配
管５で排気を行う。次にシャワー・ヘッド排気バルブ５
１を閉じる。その後、反応ガスをガス供給部８からガス
供給配管８１を通し、混合室２２に導入し、シャワー・
ヘッド２１からサセプタ１上に配置されヒータ１１で加
熱されたウェハ３に供給する。気相成長で消費しされな
かったガスや反応で発生したガスは真空排気部６１を用
いて真空排気配管６を経由して真空排気される。更に、
このガスはガス処理配管６３を経由してガス処理部７で
安全な形に処理された後に排気管７１から放出される。
【００１５】この後、反応ガスの供給を停止して真空容
器４内のガスを真空排気部６１を用いて真空排気配管６
を経由して真空排気する。この際、シャワー・ヘッド排
気バルブ５１を開いて混合室２２内のガスを主としてシ
ャワー・ヘッド排気配管５で排気を行う。次に不活性ガ
スをガス供給部８からガス供給配管８１を通して真空容
器４に導入する。真空容器がある所定の圧力になったら
ガスの供給をやめ、再度、真空容器４内のガスを真空排
気部６１を用いて真空排気配管６を経由して真空排気す
る。この際、シャワー・ヘッド排気バルブ５１を開いて
混合室２２内のガスを主としてシャワー・ヘッド排気配
管５で排気を行う。この過程を数回繰り返しガス置換し
た後に真空容器４内のガスを真空排気部６１で真空排気
配管６を経由して真空排気する。この際にもシャワー・
ヘッド排気バルブ５１を開いて混合室２２内のガスを主
としてシャワー・ヘッド排気配管５で排気を行う。更
に、不活性ガスを真空容器４が大気圧になるまでガス供
給部８からガス供給配管８１を通して真空容器４に導入
する。ウェハ３を取り出し次のウェハ３を真空容器４に
導入する。
器４内のガスを真空排気部６１を用いて真空排気配管６
を経由して真空排気する。この際、シャワー・ヘッド排
気バルブ５１を開いて混合室２２内のガスを主としてシ
ャワー・ヘッド排気配管５で排気を行う。次に不活性ガ
スをガス供給部８からガス供給配管８１を通して真空容
器４に導入する。真空容器がある所定の圧力になったら
ガスの供給をやめ、再度、真空容器４内のガスを真空排
気部６１を用いて真空排気配管６を経由して真空排気す
る。この際、シャワー・ヘッド排気バルブ５１を開いて
混合室２２内のガスを主としてシャワー・ヘッド排気配
管５で排気を行う。この過程を数回繰り返しガス置換し
た後に真空容器４内のガスを真空排気部６１で真空排気
配管６を経由して真空排気する。この際にもシャワー・
ヘッド排気バルブ５１を開いて混合室２２内のガスを主
としてシャワー・ヘッド排気配管５で排気を行う。更
に、不活性ガスを真空容器４が大気圧になるまでガス供
給部８からガス供給配管８１を通して真空容器４に導入
する。ウェハ３を取り出し次のウェハ３を真空容器４に
導入する。
【００１６】以上により排気の過程を長引かせていた混
合室２２の排気が速やかに行われるので、装置の稼働効
率が著しく向上する。また本実施例では比較的少ない構
成要素の追加で稼働率の著しい向上を図れる。
合室２２の排気が速やかに行われるので、装置の稼働効
率が著しく向上する。また本実施例では比較的少ない構
成要素の追加で稼働率の著しい向上を図れる。
【００１７】図３は本発明の他の実施例に係る気相成長
装置のブロック図である。
装置のブロック図である。
【００１８】本実施例では、シャワー・ヘッド排気機構
はシャワー・ヘッド部２の中に設けられたシャワー・ヘ
ッド排気バルブ５１からなっている。このシャワー・ヘ
ッド排気バルブ５１の動作は図１の実施例のものと同じ
である。この機構でも排気の過程を長引かせていた混合
室２２の排気が速やかに行えるので、装置の稼働率の著
しい向上を図れる。本実施例でも図１の実施例の場合と
同様に、比較的少ない構成要素の追加で稼働率の著しい
向上を図れる。
はシャワー・ヘッド部２の中に設けられたシャワー・ヘ
ッド排気バルブ５１からなっている。このシャワー・ヘ
ッド排気バルブ５１の動作は図１の実施例のものと同じ
である。この機構でも排気の過程を長引かせていた混合
室２２の排気が速やかに行えるので、装置の稼働率の著
しい向上を図れる。本実施例でも図１の実施例の場合と
同様に、比較的少ない構成要素の追加で稼働率の著しい
向上を図れる。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、排気の過程を長引かせ
ていたシャワー・ヘッド部の排気がシャワー・ヘッド排
気機構により速やかに行われ、排気時間が著しく短縮さ
れる。そのため装置の稼働効率が著しく向上する。
ていたシャワー・ヘッド部の排気がシャワー・ヘッド排
気機構により速やかに行われ、排気時間が著しく短縮さ
れる。そのため装置の稼働効率が著しく向上する。
【図１】本発明の一実施例に係る気相成長装置のブロッ
ク図。
ク図。
【図２】真空排気の時間と圧力の特性図。
【図３】本発明の他の実施例に係る気相成長装置のブロ
ック図。
ック図。
【図４】従来の気相成長装置のブロック図。
１…サセプタ、２…シャワー・ヘッド部、３…ウェハ、
４…真空容器、５…シャワー・ヘッド排気配管、６…真
空排気管、７…ガス処理部、８…ガス供給部、１０…真
空計、１１…ヒータ、２１…シャワー・ヘッド、２２…
混合室、２３…マニホールド、５１…シャワー・ヘッド
排気バルブ、６１…真空排気部、６２…排気孔、６３…
ガス処理配管、６４…真空排気バルブ、７１…排気管、
８１…ガス供給配管。
４…真空容器、５…シャワー・ヘッド排気配管、６…真
空排気管、７…ガス処理部、８…ガス供給部、１０…真
空計、１１…ヒータ、２１…シャワー・ヘッド、２２…
混合室、２３…マニホールド、５１…シャワー・ヘッド
排気バルブ、６１…真空排気部、６２…排気孔、６３…
ガス処理配管、６４…真空排気バルブ、７１…排気管、
８１…ガス供給配管。
Claims (1)
- 【請求項１】真空容器と、前記真空容器内に配置された
サセプタと、前記サセプタを加熱する加熱機構と、前記
サセプタ上に配置されたウェハと、ウェハに化学反応を
発生させるための反応ガスを供給するためのシャワー・
ヘッドと、前記シャワー・ヘッドに反応ガスを供給する
ためのガス供給部と、前記ガス供給部と前記シャワー・
ヘッドを連結するためのガス供給配管と、前記真空容器
内のガスを排気するための真空排気部と、前記真空容器
と前記真空排気部とを連結する真空排気配管と、前記真
空容器の圧力を調整するための圧力調整バルブと、前記
真空容器で消費されなかった反応ガスを処理するための
ガス処理部と、前記ガス処理部と前記真空排気部を連結
するガス処理配管とからなる気相化学反応装置におい
て、前記シャワー・ヘッド内の気体を排気するためのシ
ャワー・ヘッド排気機構を設けたことを特徴とする気相
化学反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26843392A JP3303357B2 (ja) | 1992-10-07 | 1992-10-07 | 気相化学反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26843392A JP3303357B2 (ja) | 1992-10-07 | 1992-10-07 | 気相化学反応装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120143A true JPH06120143A (ja) | 1994-04-28 |
| JP3303357B2 JP3303357B2 (ja) | 2002-07-22 |
Family
ID=17458428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26843392A Expired - Fee Related JP3303357B2 (ja) | 1992-10-07 | 1992-10-07 | 気相化学反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3303357B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004086479A1 (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-07 | Tokyo Electron Limited | パージ効率を向上させた基板処理装置 |
| JP2005113268A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Asm Japan Kk | 上流下流排気機構を備えた薄膜形成装置及び方法 |
| JP2005303292A (ja) * | 2004-04-15 | 2005-10-27 | Asm Japan Kk | 薄膜形成装置 |
| JP2006124829A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-05-18 | Serubakku:Kk | Ｃｖｄ装置 |
| JP2013503978A (ja) * | 2009-09-08 | 2013-02-04 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | パターン化有機薄膜の堆積方法および堆積システム |
-
1992
- 1992-10-07 JP JP26843392A patent/JP3303357B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004086479A1 (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-07 | Tokyo Electron Limited | パージ効率を向上させた基板処理装置 |
| JP2004288900A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法、ガスノズル |
| JP2005113268A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Asm Japan Kk | 上流下流排気機構を備えた薄膜形成装置及び方法 |
| JP2005303292A (ja) * | 2004-04-15 | 2005-10-27 | Asm Japan Kk | 薄膜形成装置 |
| JP2006124829A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-05-18 | Serubakku:Kk | Ｃｖｄ装置 |
| JP4686319B2 (ja) * | 2004-09-28 | 2011-05-25 | 株式会社 セルバック | Ｃｖｄ装置 |
| JP2013503978A (ja) * | 2009-09-08 | 2013-02-04 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | パターン化有機薄膜の堆積方法および堆積システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3303357B2 (ja) | 2002-07-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3501524B2 (ja) | 処理装置の真空排気システム | |
| KR100335322B1 (ko) | 반도체웨이퍼등의처리방법및그처리장치 | |
| US6767429B2 (en) | Vacuum processing apparatus | |
| JP3352418B2 (ja) | 減圧処理方法及び減圧処理装置 | |
| GB2337766A (en) | Method and apparatus for metallizing high aspect ratio silicon semiconductor device contacts | |
| KR100733237B1 (ko) | 처리 장치 | |
| JP5485550B2 (ja) | マイクロ波プラズマ除害装置 | |
| JPH06120143A (ja) | 気相化学反応装置 | |
| TW353204B (en) | Method of treating semiconductor substrate | |
| US5164017A (en) | Method for cleaning reactors used for gas-phase processing of workpieces | |
| JP2010225847A (ja) | 真空処理装置，減圧処理方法，基板処理方法 | |
| JP4677088B2 (ja) | グラファイトナノファイバー薄膜形成用熱ｃｖｄ装置 | |
| JPH07325279A (ja) | 減圧処理装置及び方法 | |
| JP3856397B2 (ja) | 半導体製造装置のウェーハ処理方法及び半導体製造装置 | |
| JP2830585B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP4498503B2 (ja) | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 | |
| JP2004022821A (ja) | ドライエッチング方法および装置 | |
| JP3999946B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2657254B2 (ja) | 処理装置及びその排気方法 | |
| JP2001081559A (ja) | プラズマｃｖｄ装置における温度制御方法 | |
| JPH01319930A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2752824B2 (ja) | 縦型減圧気相成長装置 | |
| JP2001110785A (ja) | 処理方法 | |
| JPH10173025A (ja) | 半導体製造装置のロードロック室 | |
| JPH10223620A (ja) | 半導体製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080510 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090510 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100510 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110510 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110510 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120510 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |