JP4686319B2 - Cvd装置 - Google Patents
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Description
請求項7の発明のCVD装置は、請求項6に記載のCVD装置において、前記ガス導入部と前記開口板とで囲まれた領域に前記基板設置部が設けられていることを特徴とする。
請求項8の発明のCVD装置は、請求項6または7に記載のCVD装置において、前記ガス導入部が2または3以上設けられていることを特徴とする。
請求項9の発明のCVD装置は、請求項6乃至8のいずれか一つに記載のCVD装置において、チャンバー内であって前記ガス導入部に連通するガス通路に排気バルブが設けられたことを特徴とする。
図1は本発明の第1実施形態に係るCVD装置を示す正面断面図で、図2はそのCVD装置のチャンバー部分を示す正面断面図、図3は図2の側面断面図である。
図11は、本発明の第2実施形態に係るCVD装置を示す正面断面図であり、図12はそのCVD装置のチャンバー内を示す平面図である。
図13は、本発明の第3実施形態に係るCVD装置を示す平面図であり、このCVD装置は排気穴23aを基板設置部25cの四隅下方に4つ装備している。なお、他の部分は、図1及び図2に示すものと同一に構成してある。
上述した各実施形態では基板の上方にガス導入部を配置した構成について適用しているが、本発明はこれとは逆に基板の下方にガス導入部を配置した構成についても適用することができる。
2 孔
3 ガスの流れ
4 管連通・支持部材
5 蓋
6 排気バルブ
7 配管(ガス通路)
8 透過窓
9、9a、9b Oリング
10 ガスの流線
11 基板
12 整合器
13 コイル
14 チャンバー
16 駆動軸
17、33 コンダクタンスプレート(開口板)
18 リフター
19 リンク
20 排気ポンプ
21 開閉弁
23 排気管
23a 排気穴
24 ガス導入部
25、30 基板設置部材
25c 基板設置部
26 ガス通路
31 マスク
32 マスクホルダー
Claims (13)
- 内部に基板設置部を備えるチャンバーの内部に基板処理用のガスを供給して上記基板設置部にセットされる基板に処理を施すガス導入部を有し、該ガス導入部が、複数の管とこれら管を連通・支持する管連通・支持部材とを有するとともに各管に多数の孔が設けられた構成とされ、かつ、上記基板設置部のガス導入部とは反対側にコンダクタンス調整を行う多数の貫通孔を有する開口板が設けられていて、更に、前記チャンバー内に、ガス導入部、基板設置部及び開口板がこの順序で上側から設けられ、開口板は周縁が上側に向けて突出するように形成され、この開口板には、これを上下させるリフターが設けられていることを特徴とするCVD装置。
- 請求項1に記載のCVD装置において、前記ガス導入部と前記開口板とで囲まれた領域に前記基板設置部が設けられていることを特徴とするCVD装置。
- 請求項1または2に記載のCVD装置において、前記ガス導入部が2または3以上設けられていることを特徴とするCVD装置。
- 請求項1乃至3のいずれか一つに記載のCVD装置において、チャンバー内であって前記ガス導入部に連通するガス通路に排気バルブが設けられたことを特徴とするCVD装置。
- 請求項1乃至4のいずれか一つに記載のCVD装置において、前記リフターは、開口板の上下動に伴って基板設置部も上下動させる構成となっていることを特徴とするCVD装置。
- 内部に基板設置部を備えるチャンバーの内部に基板処理用のガスを供給して上記基板設置部にセットされる基板に処理を施すガス導入部を有し、該ガス導入部が、複数の管とこれら管を連通・支持する管連通・支持部材とを有するとともに各管に多数の孔が設けられた構成とされ、かつ、上記基板設置部のガス導入部とは反対側にコンダクタンス調整を行う多数の貫通孔を有する開口板が設けられていて、更に、前記チャンバー内に、ガス導入部、基板設置部及び開口板がこの順序で下側から設けられ、開口板は周縁が下側に向けて突出するように形成され、この開口板には、これを上下させる昇降部材が設けられていることを特徴とするCVD装置。
- 請求項6に記載のCVD装置において、前記ガス導入部と前記開口板とで囲まれた領域に前記基板設置部が設けられていることを特徴とするCVD装置。
- 請求項6または7に記載のCVD装置において、前記ガス導入部が2または3以上設けられていることを特徴とするCVD装置。
- 請求項6乃至8のいずれか一つに記載のCVD装置において、チャンバー内であって前記ガス導入部に連通するガス通路に排気バルブが設けられたことを特徴とするCVD装置。
- 請求項6乃至9のいずれか一つに記載のCVD装置において、前記ガス導入部と前記基板設置部との間に、前記基板の一部を覆うマスクが設けられることを特徴とするCVD装置。
- 請求項1乃至10のいずれか一つに記載のCVD装置において、排気穴が前記基板設置部のガス導入部とは反対側のチャンバー部分に配置されていることを特徴とするCVD装置。
- 請求項11に記載のCVD装置において、前記排気穴が、基板設置部のガス導入部とは反対側に複数配置されていることを特徴とするCVD装置。
- 請求項11に記載のCVD装置において、前記排気穴が複数位置に配置されていて、各排気穴の排気量が独立して調整可能となっていることを特徴とするCVD装置。
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