KR100884107B1 - 플라즈마 처리 장치 및 그것에 사용되는 전극 - Google Patents
플라즈마 처리 장치 및 그것에 사용되는 전극 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (10)
- 처리실 내에 제 1 전극과 제 2 전극을 대향하여 배치하고, 상기 제 2 전극에 지지된 플랫 패널 디스플레이용 기판상에 처리 가스를 도입하면서 상기 전극 중 한쪽 또는 양쪽에 고주파 전력을 공급하여 플라즈마를 생성함으로써, 상기 플랫 패널 디스플레이용 기판에 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치의 상기 제 1 전극으로서 이용되는 전극에 있어서,상기 제 2 전극에 대향하고, 상기 처리 가스를 상기 처리실 내를 향해서 분출하기 위한 복수의 가스 분출 구멍이 형성되는 전극판과,상기 전극판을 지지하는 지지체와,상기 지지체에 있어서 상기 전극판과의 사이에 형성되고, 상기 처리 가스가 도입되는 중공부와,상기 중공부를 복수의 실로 구획하기 위한 루프 형상의 구획 벽을 구비하고,상기 전극판은 상기 중공부 내에 마련되는 복수의 현수 지지 부재에 의해 상기 지지체에 현수 지지되며,상기 구획 벽은 상기 지지체와 상기 전극판 사이에 끼워서 유지되어, 다른 구획 벽으로 용이하게 교환될 수 있는 것을 특징으로 하는전극.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 구획 벽에 의해 구획된 각 실에는 각각 별개로 상기 처리 가스가 유량 조정 가능하게 도입되는 것을 특징으로 하는전극.
- 제 1 항에 있어서,상기 구획 벽은 상기 플랫 패널 디스플레이용 기판의 종류, 상기 기판에 실시하는 처리의 종류, 처리 조건 중 1개 또는 2개 이상이 변경된 경우에, 이들에 따라 다른 루프 형상의 구획 벽으로 교환되는 것을 특징으로 하는전극.
- 제 1 항에 있어서,상기 중공부에는, 복수의 구획 벽이 배치되는 것을 특징으로 하는전극.
- 제 1 항에 있어서,상기 중공부에는, 복수의 프레임부를 갖는 구획 벽이 배치되는 것을 특징으로 하는전극.
- 처리실 내에 제 1 전극과 제 2 전극을 대향하여 배치하고, 상기 제 2 전극에 지지된 플랫 패널 디스플레이용 기판상에 처리 가스를 도입하면서 상기 전극 중 한쪽 또는 양쪽에 고주파 전력을 공급해서 플라즈마를 생성함으로써, 상기 플랫 패널 디스플레이용 기판에 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치에 있어서,상기 제 1 전극은, 상기 제 2 전극에 대향하고, 상기 처리 가스를 상기 처리실 내를 향해서 분출하기 위한 복수의 가스 분출 구멍이 형성되는 전극판과, 상기 전극판을 지지하는 지지체와, 상기 지지체에 있어서 상기 전극판과의 사이에 형성되고, 상기 처리 가스가 도입되는 중공부와, 상기 중공부를 복수의 실로 구획하기 위한 루프 형상의 구획 벽을 구비하고,상기 전극판은 상기 중공부 내에 마련되는 복수의 현수 지지 부재에 의해 상기 지지체에 현수 지지되며,상기 구획 벽은 상기 지지체와 상기 전극판 사이에 끼워서 유지되어, 다른 구획 벽으로 용이하게 교환될 수 있는 것을 특징으로 하는플라즈마 처리 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1 전극에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 장치를 더 마련하고,상기 처리 가스 공급 장치는, 처리 가스 공급 수단과, 이 처리 가스 공급 수 단으로부터의 처리 가스를 복수 분기하는 각 분기 배관과, 이들 각 분기 배관을 통과하는 유량을 조정하는 유량 조정 수단과, 상기 각 분기 배관으로부터의 처리 가스를 상기 구획 벽에 의해 구획된 각 실로 각각 도입하는 배관을 구비한 것을 특징으로 하는플라즈마 처리 장치.
- 처리실 내에 제 1 전극과 제 2 전극을 대향하여 배치하고, 상기 제 2 전극에 지지된 플랫 패널 디스플레이용 기판상에 처리 가스를 도입하면서 상기 전극 중 한쪽 또는 양쪽에 고주파 전력을 공급해서 플라즈마를 생성함으로써, 상기 플랫 패널 디스플레이용 기판에 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치에 있어서,상기 제 1 전극은, 상기 제 2 전극에 대향하고, 상기 처리 가스를 상기 처리실 내를 향해서 분출하기 위한 복수의 가스 분출 구멍이 형성되는 전극판과, 상기 전극판을 지지하는 지지체와, 상기 지지체에 있어서 상기 전극판과의 사이에 형성되고, 상기 처리 가스가 도입되는 중공부와, 상기 중공부를 중앙부실과 주변부실로 구획하기 위한 루프 형상의 구획 벽을 구비하고,상기 전극판은 상기 중공부 내에 마련되는 복수의 현수 지지 부재에 의해 상기 지지체에 현수 지지되며,상기 구획 벽은 상기 지지체와 상기 전극판 사이에 끼워서 유지되어, 다른 구획 벽으로 용이하게 교환될 수 있는 것을 특징으로 하는플라즈마 처리 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 제 1 전극에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 장치를 더 마련하고,상기 처리 가스 공급 장치는, 처리 가스 공급 수단과, 이 처리 가스 공급 수단으로부터의 처리 가스를 2개로 분기하는 각 분기 배관과, 이들 각 분기 배관을 통과하는 유량을 조정하는 유량 조정 수단과, 상기 각 분기 배관으로부터의 처리 가스를 상기 중앙부실과 상기 주변부실로 각각 도입하는 배관을 구비한 것을 특징으로 하는플라즈마 처리 장치.
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