KR100884107B1 - 플라즈마 처리 장치 및 그것에 사용되는 전극 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 과제는 플랫 패널 디스플레이용 기판의 플라즈마 처리의 종류나 처리 조건에 따라 최적의 처리 가스의 공급을 실행하는 것이다. 처리실(200) 내에 배치되는 상부 전극(300)은, 하부 전극(212)에 대향하는 전극판(310)과, 전극판을 지지하는 전극 지지체(320)와, 전극 지지체에 있어서 전극판과의 사이에 형성되고, 처리 가스가 도입되는 버퍼실(330)과, 버퍼실(330)을 복수의 실로 구획하기 위한 루프 형상의 구획 벽(350)을 구비하고, 구획 벽은 전극 지지체와 전극판 사이에 끼워서 유지되는 것을 특징으로 한다.

Description

플라즈마 처리 장치 및 그것에 사용되는 전극{PLASMA PROCESSING APPARATUS AND ELECTRODE USED IN THE SAME}
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 외관 사시도,
도 2는 상기 실시형태에 있어서의 처리실의 단면도,
도 3은 도 2에 도시하는 A부의 부분 단면도,
도 4는 가스 도입 구멍과 구획 벽의 배치예를 도시한 도면,
도 5는 처리 가스 공급 장치(400)의 배관 구성예의 외관 사시도,
도 6은 상기 실시형태에 있어서의 유량 조정 수단의 다른 구성예를 도시한 도면,
도 7은 도 4에 도시하는 구획 벽의 다른 구성예를 도시한 도면,
도 8은 가스 도입 구멍과 구획 벽의 다른 배치예를 도시한 도면,
도 9는 도 8에 도시하는 구획 벽의 다른 구성예를 도시한 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
100 : 플라즈마 처리 장치 102, 104, 106 : 게이트 밸브
110 : 반송실 120 : 로드록실
130 : 기판 반출입 기구 140 : 인덱서
142 : 카세트 200 : 처리실
202 : 처리 용기 204 : 개구부
206 : 정합기 208 : 고주파 전원
210 : 탑재대 212 : 하부 전극
214 : 절연재 216 : 지지부
218 : 보호관 220 : 지지판
222 : 벨로우즈 부재 230 : 볼트
232 : 절연체 240 : 배기로
242 : 진공 배기 수단 250 : 반출입구
300 : 하부 전극 302 : 프레임 부재
310 : 전극판 312 : 가스 분출 구멍
320 : 전극 지지체 326 : 가스 도입 구멍
330 : 버퍼실 332 : 중앙부실
334 : 주변부실 334a 내지 334h : 주변부실
350 : 구획 벽 352 : 밀봉 부재
360 : 현수 지지 부재 364, 366 : 체결 부재
400 : 처리 가스 공급 장치 402 : 처기 가스 공급 배관
404, 405 : 분기 배관 406(406a 내지 406h) : 분기 배관
410 : 처리 가스 공급 수단 420, 430, 450 : 유량 조정 수단
422, 432, 452 : 개폐 밸브 424, 434, 454 : 유량 조정기
443, 453 : 상류측 하류측 개폐 밸브 444, 454 : 매스플로우미터
445, 455 : 하류측 개폐 밸브 S : FPD용 기판
본 발명은, 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display)나 전계 발광 디스플레이(Electro-Luminescence Display) 등의 플랫 패널 디스플레이(Flat Panel Disp1ay)용 기판에 대하여, 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치 및 그것에 이용되는 전극에 관한 것이다.
예를 들면 플랫 패널 디스플레이용 기판(이하,「FPD용 기판」이라고도 칭함)의 표면에 패턴을 형성하는 프로세스에 있어서는, 에칭이나 스퍼터링, CVD(화학 기상 성장) 등의 플라즈마 처리가 실시된다. 이러한 플라즈마 처리를 실행하기 위한 플라즈마 처리 장치로서는 예를 들면 평행 평판 플라즈마 처리 장치를 들 수 있다.
이러한 종류의 플라즈마 처리 장치는, 처리실 내에 하부 전극을 갖는 탑재대와, 처리 가스 도입부를 겸하는 상부 전극을 평행하게 배치하고, 상부 전극을 거쳐서 처리 가스를 처리실 내로 도입하는 동시에, 전극의 적어도 한쪽에 고주파를 인가하여 전극간에 고주파 전계를 형성하고, 이 고주파 전계에 의해 처리 가스의 플라즈마를 형성해서 FPD용 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하도록 되어 있다.
그런데, FPD용 기판은 반도체 웨이퍼와 달리 처리 면적이 크므로, 상부 전극 으로부터 처리 가스를 FPD용 기판의 전면에 균일하게 분산시켜서 공급하기 위해서, 다양한 제안이 이루어져 있다. 예를 들면 특허 문헌 1, 2에 나타낸 바와 같이, 상부 전극에 중공부를 마련하고, 중공부 내에 다수의 작은 구멍이 형성된 2장의 배플을 마련하는 것이 제안되어 있다. 특허 문헌 1, 2에서는, 또한 이들 배플을 통과하는 처리 가스를, 중앙부와 그 외측의 주변부에 마련되는 복수의 가스 공급구로부터 공급한다. 이에 의하면, 기판의 중앙부와 주변부에 공급되는 처리 가스가 균일해지도록 할 수 있다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제 1993-125545 호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 제 2001-244253 호 공보
그러나 최근에는 FPD용 기판의 한층 대형화, 처리의 다양화에 수반하여 FPD용 기판의 종류, 기판에 실시하는 처리의 종류, 처리 조건 등에 따라서는, 기판의 중앙부와 주변부에서 균일해지는 최적의 처리 가스의 공급을 행할 수 없는 경우가 있다는 문제가 있었다. 예를 들면 FPD용 기판에 실시하는 처리의 종류나 처리 조건에 따라서는 기판의 중앙부와 주변부에서는 처리해야 할 영역의 면적이 다른 경우나, 중앙부와 주변부에서는 처리해야 할 영역의 형상이 다른 경우도 있어, 처리 가스의 공급 분포의 제어는 점점 어려워지고 있다.
이 점에서, 예를 들면 특허 문헌 1의 기술에서는, 1개의 가스 공급구의 하방에 복수의 제 2 가스 공급구가 형성되는 가스 공급판을 마련하고, 이 가스 공급판 을 다른 위치에 제 2 가스 공급구가 형성되는 가스 공급판으로 교환할 수 있지만, 이러한 구성에서는 중앙부와 주변부의 제 2 가스 공급구로부터 공급되는 유량을 독립적으로 제어할 수 없다.
또, 특허 문헌 2는 상부 전극의 중공부의 일부(배플의 상부)만을 칸막이 판으로 구획하고, 각 구획에 공급되는 유량을 조정할 수 있지만, 칸막이 판은 상부 전극의 상부벽 내면과 배플에 연결되어 있으므로, 예를 들면 형상이 다른 칸막이 판으로 용이하게 교환할 수 없다. 이로 인해, 유량을 제어할 수 있는 범위가 한정되므로, 처리 가스의 공급 분포의 조정 정밀도를 높이는 데에는 한계가 있다.
따라서, 본 발명은 이러한 문제에 비추어 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는 플랫 패널 디스플레이용 기판의 플라즈마 처리의 종류나 처리 조건에 따라 최적의 처리 가스의 공급을 실행할 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 그것에 이용되는 전극을 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 어느 관점에 따르면, 처리실 내에 제 1 전극과 제 2 전극을 대향하여 배치하고, 상기 제 2 전극에 지지된 플랫 패널 디스플레이용 기판상에 처리 가스를 도입하면서 상기 전극 중 한쪽 또는 양쪽에 고주파 전력을 공급해서 플라즈마를 생성함으로써, 상기 플랫 패널 디스플레이용 기판에 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치의 상기 제 1 전극으로서 이용되는 전극으로서, 상기 제 2 전극에 대향하고, 상기 처리 가스를 상기 처리실 내를 향해서 분출하기 위한 복수의 가스 분출 구멍이 형성되는 전극판과, 상기 전극판을 지지하는 지지체와, 상기 지지체에 있어서 상기 전극판과의 사이에 형성되고, 상기 처리 가스가 도입되는 중공부와, 상기 중공부를 복수의 실로 구획하기 위한 루프 형상의 구획 벽을 구비하고, 상기 구획 벽은 상기 지지체와 상기 전극판 사이에 끼워서 유지되는 것을 특징으로 하는 전극이 제공된다.
이러한 본 발명에 의하면, 구획 벽을 지지체와 전극판 사이에 끼워서 유지하므로, 용이하게 다른 루프 형상의 구획 벽으로 교환할 수 있다. 이로써, 예를 들면 플라즈마 처리의 종류나 처리 조건에 따라 처리 가스의 공급 분포를 조정할 수 있으므로, 플랫 패널 디스플레이용 기판상의 처리 분포를 제어할 수 있다.
또, 상기 전극판은 상기 지지체의 중공부 내에 마련되는 복수의 현수 지지 부재에 의해 상기 지지체에 현수 지지되는 것이 바람직하다. 이에 의하면, 대형의 전극판이라도, 자중에 의한 휨이나 변형이 생기지 않도록 전극 지지체에 장착할 수 있다. 또한, 제 1 전극의 중공부 내에 배치되는 구획 벽이 지지체와 전극판 사이에서 보다 견고하게 유지된다.
또한, 상기 구획 벽에 의해 구획된 각 실에는 각각 별개로, 상기 처리 가스가 유량 조정 가능하게 도입되는 것이 바람직하다. 이로써, 구획 벽에 의해 구획된 각 실을 거쳐서 처리실 내로 유량이 조정된 처리 가스가 도입됨으로써, 처리 가스의 분포를 원하는 분포로 제어할 수 있다.
또, 상기 구획 벽은 상기 플랫 패널 디스플레이용 기판의 종류, 상기 기판에 실시하는 처리의 종류, 처리 조건 중 1개 또는 2개 이상이 변경된 경우에, 이들에 따라 다른 루프 형상의 구획 벽으로 교환되는 것이 바람직하다. 이로써, 예를 들면 플라즈마 처리의 종류나 처리 조건에 따라 처리 가스의 공급 분포를 조정할 수 있어, 처리 가스의 분포를 원하는 분포로 제어할 수 있다.
또, 상기 중공부에는, 예를 들면 복수의 구획 벽이 배치되도록 해도 좋고, 복수의 프레임 부재를 갖는 구획 벽이 배치되도록 해도 좋다. 복수의 구획 벽이나 복수의 프레임부를 갖는 구획 벽을 배치함으로써, 제 1 전극의 중공부를 보다 세밀하게 구획할 수 있으므로, 처리 가스의 분포를 보다 세밀하게 제어할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 다른 관점에 의하면, 처리실 내에 제 1 전극과 제 2 전극을 대향하여 배치하고, 상기 제 2 전극에 지지된 플랫 패널 디스플레이용 기판상에 처리 가스를 도입하면서 상기 전극 중 한쪽 또는 양쪽에 고주파 전력을 공급해서 플라즈마를 생성함으로써, 상기 플랫 패널 디스플레이용 기판에 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치로서, 상기 제 1 전극은 상기 제 2 전극에 대향하고, 상기 처리 가스를 상기 처리실 내를 향해서 분출하기 위한 복수의 가스 분출 구멍이 형성되는 전극판과, 상기 전극판을 지지하는 지지체와, 상기 지지체에 있어서 상기 전극판과의 사이에 형성되고, 상기 처리 가스가 도입되는 중공부와, 상기 중공부를 복수의 실로 구획하기 위한 루프 형상의 구획 벽을 구비하고, 상기 구획 벽은 상기 지지체와 상기 전극판 사이에 끼워서 유지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.
이 경우, 상기 제 1 전극에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 장치를 더 마련하고, 상기 처리 가스 공급 장치는, 예를 들면 처리 가스 공급 수단과, 이 처 리 가스 공급 수단으로부터의 처리 가스를 복수 분기하는 각 분기 배관과, 이들 각 분기 배관을 통과하는 유량을 조정하는 유량 조정 수단과, 상기 각 분기 배관으로부터의 처리 가스를 상기 구획 벽에 의해 구획된 각 실로 각각 도입하는 배관을 구비한다.
이에 의하면, 용이하게 다른 루프 형상의 구획 벽으로 교환할 수 있고, 또한 각 분기 배관의 유량 조정 수단에 의해, 구획 벽에 의해 구획된 각 실을 거쳐서 처리실 내로 도입되는 처리 가스의 유량을 조정할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 다른 관점에 의하면, 처리실 내에 제 1 전극과 제 2 전극을 대향하여 배치하고, 상기 제 2 전극에 지지된 플랫 패널 디스플레이용 기판상에 처리 가스를 도입하면서 상기 전극 중 한쪽 또는 양쪽에 고주파 전력을 공급해서 플라즈마를 생성함으로써, 상기 플랫 패널 디스플레이용 기판에 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치로서, 상기 제 1 전극은 상기 제 2 전극에 대향하고, 상기 처리 가스를 상기 처리실 내를 향해서 분출하기 위한 복수의 가스 분출 구멍이 형성되는 전극판과, 상기 전극판을 지지하는 지지체와, 상기 지지체에 있어서 상기 전극판과의 사이에 형성되고, 상기 처리 가스가 도입되는 중공부와, 상기 중공부를 중앙부실과 주변부실로 구획하기 위한 루프 형상의 구획 벽을 구비하고, 상기 구획 벽은 상기 지지체와 상기 전극판 사이에 끼워서 유지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.
이 경우, 상기 제 1 전극에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 장치를 더 마련하고, 상기 처리 가스 공급 장치는, 예를 들면 처리 가스 공급 수단과, 이 처 리 가스 공급 수단으로부터의 처리 가스를 2개로 분기하는 각 분기 배관과, 이들 각 분기 배관을 통과하는 유량을 조정하는 유량 조정 수단과, 상기 각 분기 배관으로부터의 처리 가스를 상기 중앙부실과 상기 주변부실로 각각 도입하는 배관을 구비한다.
이에 의하면, 용이하게 다른 루프 형상의 구획 벽으로 교환할 수 있어, 각 분기 배관의 유량 조정 수단에 의해, 구획 벽에 의해 구획된 중앙부실과 주변부실을 거쳐서 처리실 내로 도입되는 처리 가스의 유량을 조정할 수 있다.
이하에 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 적합한 실시형태에 대해 상세하게 설명한다. 또, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
(플라즈마 처리 장치의 구성예)
우선, 본 발명의 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 대해 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1은 멀티 챔버 타입의 플라즈마 처리 장치의 외관 사시도이다. 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치(100)는, 플랫 패널 디스플레이용 기판(FPD용 기판)(S)에 대하여 플라즈마 처리를 실시하기 위한 복수(예를 들면 3개)의 처리실(200)을 구비한다.
처리실(200) 내에는, 예를 들면 FPD용 기판(S)을 탑재하는 탑재대가 마련되어 있고, 이 탑재대의 상방에 처리 가스(예를 들면 프로세스 가스)를 도입하기 위한 샤워헤드를 겸하는 상부 전극이 마련되어 있다. 각 처리실(200)에서는 동일한 처리(예를 들면 에칭 처리 등)를 행해도 좋고, 서로 다른 처리(예를 들면 에칭 처 리와 애싱 처리 등)를 행하도록 해도 좋다. 또, 처리실(200) 내의 구체적 구성예에 대해서는 후술한다.
각 처리실(200)은 각각, 단면이 다각 형상(예를 들면 단면이 직사각형)인 반송실(110)의 측면에 게이트 밸브(102)를 거쳐서 연결되어 있다. 반송실(110)에는 또한, 로드록실(120)이 게이트 밸브(104)를 거쳐서 연결되어 있다. 로드록실(120)에는, 기판 반출입 기구(130)가 게이트 밸브(106)를 거쳐서 인접 설치되어 있다.
기판 반출입 기구(130)에 각각 2개의 인덱서(140)가 인접 설치되어 있다. 인덱서(140)에는 FPD용 기판(S)을 수납하는 카세트(142)가 탑재된다. 카세트(142)는 복수매(예를 들면 25매)의 FPD용 기판(S)이 수납 가능하게 구성되어 있다.
이러한 플라즈마 처리 장치에 의해 FPD용 기판(S)에 대하여 플라즈마 처리를 실행할 때는, 우선 기판 반출입 기구(130)에 의해 카세트(142) 내의 FPD용 기판(S)을 로드록실(120) 내로 반입한다. 이때, 로드록실(120) 내에 처리완료의 FPD용 기판(S)이 있으면, 그 처리완료 FPD용 기판(S)을 로드록실(120) 내로부터 반출하여, 미처리 FPD용 기판(S)으로 치환한다. 로드록실(120) 내로 FPD용 기판(S)이 반입되면, 게이트 밸브(106)를 폐쇄한다.
계속해서, 로드록실(120) 내를 소정의 진공도까지 가압한 후, 반송실(110)과 로드록실(120) 사이의 게이트 밸브(104)를 개방한다. 그리고 로드록실(120) 내의 FPD용 기판(S)을 반송실(110) 내의 반송 기구(도시하지 않음)에 의해 반송실(110) 내로 반입한 후, 게이트 밸브(104)를 폐쇄한다.
반송실(110) 내에서는 더욱 감압하여 로드록실(120) 내보다도 높은 진공도까 지 감압한 후, 게이트 밸브(102)를 개방한다. 그리고 처리실(200) 내의 탑재대를 겸하는 하부 전극에 미처리 FPD용 기판(S)을 반입한다. 이때, 처리완료 FPD용 기판(S)이 있으면, 그 처리완료 FPD용 기판(S)을 반출하여, 미처리의 FPD용 기판(S)으로 치환한다.
처리실(200) 내에서는, 하부 전극과 상부 전극간에 플라즈마를 발생시켜, 처리 가스를 상부 전극을 거쳐서 처리실 내로 도입함으로써, FPD용 기판(S)에 대하여 소정의 플라즈마 처리를 실행한다.
(처리실의 구성예)
다음에, 처리실(200)의 구체적 구성예에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 여기에서는, 본 발명의 플라즈마 처리 장치를, 액정 디스플레이용의 유리 기판(이하, 단순히 「기판」이라고도 칭함)을 에칭하는 장치에 적용한 경우의 처리실의 구성예에 대해서 설명한다. 도 2는 처리실(200)의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.
도 1에 도시하는 처리실(200)은, 예를 들면 표면이 양극 산화 처리(알루마이트 처리)된 알루미늄으로 이루어지는 대략 다각 통형상의 처리 용기(202)를 구비한다. 처리 용기(202)는 상단부 근방에서 상하로 2 분할되어 처리 용기(202)의 상부가 개폐 가능하게 되어 있어, 내부의 유지보수를 실행하기 용이하도록 하고 있다. 또, 처리 용기(202)는 접지되어 있다.
처리 용기(202) 내에는 그 바닥부에, 제 2 전극의 일례로서의 하부 전극(212)을 갖는 탑재대(210)가 배치되어 있다. 이 탑재대(210)의 상방에는 간극을 거쳐서 가스 도입부를 겸하는 제 1 전극의 일례로서의 상부 전극(300)이 대향 배치되어 있다. 상부 전극(300)은 정합기(206)를 거쳐서 고주파 전원(208)에 접속되어 있다. 이 고주파 전원(208)으로부터의 예컨대 13.56MHz의 고주파 전력이 상부 전극(300)에 인가된다.
처리 용기(202)의 외측에는, 기판(S)에 대하여 성막이나 에칭 등의 소정의 처리를 실시하기 위한 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 수단(410)을 갖는 가스 공급 장치(400)가 배치되어 있다. 이 가스 공급 장치(400)는 처리 가스 공급 수단(410)으로부터의 처리 가스를 처리실(200) 내에 공급한다. 처리 가스 공급 수단(410)은 예를 들면 처리 가스 공급원을 구비하고, 처리 가스 공급원의 배관에는 개폐 밸브, 매스플로우 콘트롤러가 설치되어 있다. 처리 가스 공급원으로부터의 처리 가스가 매스플로우 콘트롤러에 의해 유량이 조정되어, 처리 가스 공급 수단(410)으로부터 공급된다. 또, 처리 가스 공급 수단(410)은 복수의 처리 가스 공급원을 구비하도록 해도 좋다. 이 경우에는 각 처리 가스 공급원의 배관에 각각 개폐 밸브, 매스플로우 콘트롤러가 마련되고, 이들 배관의 하류측을 합류시켜서 혼합한 처리 가스를 처리 가스 공급 수단(410)으로부터 공급하도록 해도 좋다.
이러한 처리실(200)에서는, 처리 가스 공급 장치(400)로부터 처리실(200) 내에 처리 가스를 공급하는 동시에, 상부 전극(300)에 고주파 전력을 인가함으로써, 하부 전극(212)과 상부 전극(300) 사이에서 처리 가스의 플라즈마를 발생시켜, 탑재대(210)상에 탑재된 FPD용 기판(S)에 대하여 에칭, 애싱, 성막 등의 플라즈마 처리를 실행할 수 있다.
상기 하부 전극(212)은, 절연재(214)를 거쳐서 지지부(216)에 지지되어 있다. 지지부(216)의 하면 중앙부에는, 처리 용기(202)의 바닥벽에 형성된 개구부(204)를 관통해서 하방으로 연장되는 보호관(218)이 마련되어 있다.
보호관(218)의 하면은, 이 보호관(218)보다도 직경이 큰 도전성의 지지판(220)에 의해 지지되어 있다. 지지판(220)은 보호관(218)의 관내를 막도록 보호관(218)에 장착되어 있다. 지지판(220)의 주변에는 도전성의 벨로우즈 부재(222)의 하단부가 고정되어 있다. 벨로우즈 부재(222)의 상단부는 처리 용기(202)의 개구부(204)의 개구 가장자리에 고정되어 있다.
벨로우즈 부재(222)는 보호관(218)이 배치되어 있는 내부 공간과 대기측 공간을 기밀하게 구획한다. 또, 지지판(220)에는 도시하지 않는 승강 기구가 마련되어 있다. 이 승강 기구에 의해 지지판(220)을 승강시킴으로써, 탑재대(210)를 승강시킬 수 있다. 하부 전극(212)은 도전로(213)를 거쳐서 지지판(220)에 접속되어 있다. 이로써, 하부 전극(212)은 도전로(213), 지지판(220), 벨로우즈 부재(222)를 거쳐서 처리 용기(202)에 전기적으로 접속되어, 접지된다.
또, 탑재대(210)의 하부 전극(212)과 처리 용기(202)를 임피던스 조정부를 거쳐서 전기적으로 접속하도록 해도 좋다. 구체적으로는 예를 들면 임피던스 조정부를 하부 전극(212)과 지지판(220) 사이에 도선으로 접속한다. 이로써, 임피던스 조정부의 일단부는 하부 전극에 접속되는 동시에, 타단부는 지지판(220) 및 벨로우즈 부재(222)를 거쳐서 처리 용기(202)의 바닥부에 전기적으로 접속되게 된다. 이 임피던스 조정부에 의해 임피던스치를 조정함으로써, 고주파 전원이 접속되는 상부 전극(300)과 처리 용기(202)의 측벽 사이에서 플라즈마가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
한편, 상부 전극(300)은 처리 용기(202)의 상부 내측면에 절연성 부재로 이루어지는 프레임 부재(302)를 거쳐서 장착되는 동시에, 처리 용기(202) 상부벽에 예를 들면 복수의 볼트(230)를 거쳐서 현수 지지되어 있다. 구체적으로는, 처리 용기(202)의 상부벽에 형성한 구멍에 절연 부재(232)를 부착하고, 그 절연체(232) 내에 볼트(230)를 삽입해서 상부 전극(300)을 고정한다. 또, 표면이 절연 가공된 볼트를 사용해도 좋다.
처리 용기(202)의 측벽에는 배기로(240)가 접속되고, 이 배기로(240)에는 진공 배기 수단(242)이 접속되어 있다. 또, 처리 용기(202)의 측벽에는, 상기 반송실(110)과의 사이에서 기판(S)의 반출입을 실행하기 위한 반출입구(250)가 마련되어 있고, 이 반출입구(250)는 상기 게이트 밸브(102)에 의해 개폐되도록 되어 있다.
(상부 전극의 구성예)
여기서, 상부 전극(300)의 구성에 대해서 도 2, 도 3을 참조하면서 보다 상세하게 설명한다. 도 3은, 도 2에 도시하는 A부의 개략 구성을 도시하는 확대도이다. 상부 전극(300)은, 탑재대(210)에 탑재된 FPD용 기판(S)의 표면상을 향해서 소정의 가스를 분출하는 가스 도입부로서의 기능도 겸비하여, 소위 샤워헤드를 구성한다. 상부 전극(300)에는, 도 2에 도시한 바와 같이 직사각형의 중공부로 이루어지는 가스 확산용의 버퍼실(330)이 형성된다. 상부 전극(300)의 하면(하부 전극 과 대향하는 면) 전면에는 다수의 가스 분출 구멍(312)이 균등하게 분산 배치되어, 이 가스 분출 구멍(312)으로부터 처리실(200) 내 전체에 처리 가스를 하강류로 공급한다.
구체적으로는 상부 전극(300)은, 상기 가스 분출 구멍(312)이 형성되는 직사각형의 전극판(310)과, 이 전극판(310)과 거의 동일한 형상으로 형성되어, 전극판(310)의 상면측을 착탈 가능하게 지지하는 전극 지지체(320)를 구비한다. 전극판(310)과 전극 지지체(320)는 예를 들면 표면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 구성된다.
전극 지지체(320)에는 상기 버퍼실(330)을 구성하는 직사각형의 공간부가 형성되어 있다. 이 공간부는 전극 지지체(320)의 바닥면에 개구하도록 형성되어 있고, 전극 지지체(320)의 주변부에 전극판(310)을 부착함으로써, 상기 공간부가 폐색되도록 되어 있다.
또, 전극 지지체(320)의 버퍼실(330)이 형성되는 공간 내에서는, 그 공간을 형성하는 전극 지지체(320)의 상부벽 내면에 복수의 현수 지지 부재(360)를 거쳐서 현수 지지되어 있다. 현수 지지 부재(360)는 예를 들면 표면이 양극 산화 처리된 알루미늄 또한 SUS(Stainless Used Steel; 스테인리스강)로 구성한다. 현수 지지 부재(360)는 도 3에도 도시하는 바와 같이, 전극 지지체(320) 상부벽에 볼트 등의 체결 부재(364)로 고정한다.
또, 상기 체결 부재(364)에 의해 현수 지지 부재(360)를 전극판(310)에 고정하도록 해도 좋고, 도 3에 도시하는 바와 같이 현수 지지 부재(360)에 플랜지부를 마련하고, 그 플랜지부와 전극판을 체결 부재(364)보다도 작은 볼트 등의 체결 부재(366)로 별도로 고정하도록 해도 좋다.
이와 같이, 전극판(310)을 전극 지지체(320)의 주변부에 부착할 뿐만 아니라, 전극 지지체(320)의 버퍼실(330) 내에 있어서도 현수 지지 부재(360)에 의해 현수 지지함으로써, 대형의 전극판(310)이라도, 자중에 의한 휨이나 변형이 생기지 않도록 전극 지지체(320)에 장착할 수 있다.
전극 지지체(320)의 버퍼실(330)은, 루프 형상(프레임 형상)의 구획 벽(350)에 의해 복수의 실[예를 들면 중앙부의 제 1 실(332)과 그 주변부의 제 2 실(334)]로 구획되어 있다. 또, 전극 지지체(320) 상부벽에는 복수의 가스 도입 구멍(326)이 마련되어 있다. 이들 가스 도입 구멍(326)에는 각각 처리 가스 공급 장치(400)의 분기 배관이 접속되어 있고, 처리 가스 공급 장치(400)로부터의 처리 가스가 각 실(332, 334)마다 유량 제어되어 도입되도록 되어 있다.
예를 들어 도 2에 도시하는 바와 같이 처리 가스 공급 수단(410)으로부터의 처리 가스는 처리 가스 공급 배관(402)으로부터 2개로 분기한 한쪽 분기 배관(404)을 통해 유량 조정 수단(420)을 거쳐서 제 1 실(332)로 도입된다. 다른 쪽의 분기 배관(406)을 통과하는 처리 가스는 유량 조정 수단(430)을 거쳐서 제 2 실(334)로 도입된다. 각 실(332, 334)에 공급되는 처리 가스는 각각 유량 조정 수단(420, 430)에 의해 유량 제어된다. 이로써, 각 실(332, 334)로부터 기판(S)을 향해서 도입되는 처리 가스의 유량을 개별적으로 제어함으로써, FPD용 기판(S)이 대면적화해도 FPD용 기판(S) 전 영역에서의 가스 유량을 균등화할 수 있고, 나아가서는 플라 즈마 처리를 균일화할 수 있다.
본 실시형태에 따른 구획 벽(350)은 용이하게 교환 가능하게 마련되어 있다. 즉, 구획 벽(350)은 도 3에 도시하는 바와 같이 전극 지지체(320) 상부벽 내면과 전극판(310) 사이에 끼워서 유지되어 있다. 구획 벽(350)의 상면 및 하면에는 O링 등의 밀봉 부재(352)가 장착되어 있고, 이 밀봉 부재(352)에 의해 전극 지지체(320)와의 사이 및 전극판(310)과의 사이는 밀봉된다.
이와 같이, 본 실시형태에 따른 구획 벽(350)은 전극 지지체(320)의 상부벽 내면과 전극판(310) 사이에 끼워서 유지되므로, 전극 지지체(320)로부터 전극판(310)을 분리하면 용이하게 다른 루프 형상의 구획 벽(350)으로 교환할 수 있다. 또, 구획 벽(350)은 위치 결정을 위해, 전극 지지체(320) 상부벽에 복수의 볼트나 나사로 고정해도 좋다.
특히, FPD용 기판(S)에 플라즈마 처리를 실행하기 위한 상부 전극(300)은, 상술한 바와 같이 전극판(310)도 대형이 되므로, 도 2에 도시한 바와 같이 전극판(310)은 버퍼실(330) 내에 있어서도 복수의 현수 지지 부재(360)에 의해 전극 지지체(320)에 현수 지지된다. 이로써, 버퍼실(330) 내에 배치되는 구획 벽(350)은 전극 지지체(320)와 전극판(310) 사이에서 보다 견고하게 유지된다.
이러한 현수 지지 부재(360)는, 전극판(310)이 그 전면에서 보다 균등한 힘으로 현수 지지되도록, 전극 지지체(320)의 세로 방향, 가로 방향[예를 들면 전극 지지체(320)에 있어서 버퍼실(330)을 구성하는 상부벽 내면의 세로 방향, 가로 방향]에 대칭으로 배치하는 것이 바람직하다. 또, 구획 벽(350)은 적어도 그 내측에 현수 지지 부재(360)가 배치되는 루프 형상으로 하는 것이 바람직하며, 또 구획 벽(350)의 내측과 외측의 양쪽에 현수 지지 부재(360)가 배치되는 루프 형상으로 하는 것이 보다 바람직하다. 이로써, 구획 벽(350)이 보다 균등하게 전극 지지체(320)와 전극판(310) 사이에 유지되는 동시에, 그 유지력도 향상된다. 또, 현수 지지 부재(360)의 개수나 배치는, 각 처리실(200)에서 교환해서 사용되는 복수의 구획 벽(350)에 따라 결정하도록 해도 좋다.
또, 상기 버퍼실(330)의 각 실(332, 334)에 연통하는 가스 도입 구멍(326)의 수는 가스 도입 구멍(326)의 배치 위치와 구획 벽(350)의 개수나 루프 형상에 의해 변경된다. 예를 들면 중앙부의 제 1 실(332) 등 면적이 비교적 작은 부분에 대해서는 가스 도입 구멍이 1개이며, 주변부의 제 2 실(334) 등 면적이 큰 부분에 대해서는 가스 도입 구멍(326)이 복수인 루프 형상의 구획 벽(350)을 마련하도록 해도 좋다. 또, 가스 도입 구멍(326)이 각 실(332, 334)에 1개씩이 되도록 복수의 구획 벽(350)을 마련하도록 해도 좋다. 이러한 가스 도입 구멍과 구획 벽의 배치예는 후술한다.
(가스 도입 구멍과 구획 벽의 배치예)
여기서, 가스 도입 구멍과 구획 벽의 배치예에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 도 4는 전극판(310)을 제거했을 때의 전극 지지체(320)를 하부에서 본 도면이다. 또, 도 4에서는 가스 공급 장치(400)의 배관 구성을 관념적으로 선도로서 나타내고 있다. 여기에서는, 전극 지지체(320)에 5개의 가스 도입 구멍(326)을 형성한 경우에 대해서 설명한다. 구체적으로는 전극 지지체(320)의 중앙에 1개의 가 스 도입 구멍(326)이 4개의 코너 부근에 각각 1개씩 가스 도입 구멍(326)이 배치되어 있다. 이들 5개의 가스 도입 구멍(326)은 각각 세로 방향, 가로 방향에 대칭으로 배치되어 있다.
도 4에 도시하는 구획 벽(350)은, 버퍼실(330)과 유사형상의 프레임 형상으로 형성한 경우의 구체예이다. 이 구획 벽(350)의 상면 및 하면에는, 구획 벽(350)의 프레임부를 따라 도 3에 도시한 바와 같은 O링 등의 밀봉 부재(도 4에서는 생략)가 마련되어 있다. 이러한 구획 벽(350)에 의하면, 버퍼실(330)은 중앙부의 제 1 실(332)과 제 1 실(332)의 외측을 둘러싸는 주변부의 제 2 실(334)로 구획된다. 도 4에 도시하는 구획 벽(350)은, 제 1 실(332)의 면적이 버퍼실(330) 전체 면적의 대략 25%가 되는 루프 형상으로 형성한 것이다. 이러한 구획 벽(350)에 의해 구획될 경우에는, 제 1 실(332)은 중앙의 가스 도입 구멍(326)으로부터 처리 가스가 도입되고, 제 2 실(334)은 4개의 코너 부근의 4개의 가스 도입 구멍(326)으로부터 각각 처리 가스가 도입된다.
이와 같이 배치되는 가스 도입 구멍(326)에 처리 가스를 도입할 경우, 처리 가스 공급 장치(400)는 도 4에 도시한 바와 같이 구성된다. 즉, 도 4에 도시하는 처리 가스 공급 배관(402)은 제 1 실(332)의 가스 도입 구멍(326)에 처리 가스를 도입하는 분기 배관(404)과, 제 2 실(334)의 가스 도입 구멍(326)에 처리 가스를 도입하는 분기 배관(406)의 2개로 분기된다. 각 분기 배관(404, 406)에는 유량 조정 수단(420, 430)이 마련된다.
상기 분기 배관(404)은 유량 조정 수단(420)을 거쳐서 중앙의 가스 도입 구 멍(326)에 접속한다. 또, 상기 분기 배관(406)은 유량 조정 수단(430)의 하류측에서 4개로 분기하고, 이들 각 분기 배관(406a 내지 406d)이 각각 4개의 코너 부근의 4개의 가스 도입 구멍(326)에 접속한다.
상기 유량 조정 수단(420, 430)은 각각, 예를 들면 상류측에 마련되는 개폐 밸브(422, 432)와 하류측에 마련되는 매스플로우 콘트롤러나 니들 밸브 등의 유량 조정기(424, 434)에 의해 구성된다. 이들의 유량 조정 수단(420, 430)에 의해, 제 1 실(332), 제 2 실(334)로부터 처리실(200) 내로 도입되는 처리 가스의 유량을 별개로 제어할 수 있다.
이러한 처리 가스 공급 장치(400)의 배관 구성예의 외관을 도 5에 도시한다. 도 5에 도시하는 분기 배관(406f)은 개폐 밸브(432), 유량 조정기(434)의 하류측에서 다시 2개로 분기하고, 한쪽 배관을 분기 배관(406a, 406c)으로 분기하고, 다른 쪽 배관을 분기 배관(406b, 406d)으로 분기하고 있다. 이러한 배관 구성에 한정되는 것은 아니며, 분기 배관(406)은 개폐 밸브(432), 유량 조정기(434)의 하류측에서 방사형으로 4개로 분기하도록 해도 좋다.
또, 상기 유량 조정 수단(420, 430)은 각각 예를 들면 도 6에 도시한 바와 같이 구성해도 좋다. 상류측에 마련되는 개폐 밸브(422, 432)에 각각 병렬로 매스플로우미터(MFM)(444, 454)를 마련해도 좋다. 이 경우, 매스플로우미터(444, 454)의 상류측에 각각 개폐 밸브(443, 453)를 마련하는 동시에, 하류측에 각각 개폐 밸브(445, 455)를 마련한다. 이러한 매스플로우미터(MFM)(444, 454)를 이용해서 각 분기 배관(404, 406)의 유량을 조정하도록 해도 좋다.
구체적으로는 예를 들면 분기 배관(404)의 유량을 조정할 경우에는, 개폐 밸브(422)를 폐쇄하고 개폐 밸브(443, 445)를 개방하여, 예를 들면 분기 배관(404)에 처리 가스 대신에 유량 측정용의 N2 가스를 흘린다. 그리고 유량 조정기(424)를 조정함으로써, 원하는 유량으로 조정한다. 그리고 기판(S)을 플라즈마 처리할 때는, 개폐 밸브(443, 445)를 폐쇄한 상태에서 개폐 밸브(422)를 개방하여, 분기 배관(404) 쪽으로 처리 가스를 도입한다. 이로써, 분기 배관(404)에 원하는 유량의 처리 가스를 도입할 수 있다.
이와 같이, 본 실시형태에 따른 상부 전극(300)은, 버퍼실(330)을 구획하기 위한 구획 벽(350)을 전극 지지체(320) 상부벽 내면과 전극판(310) 사이에 끼워서 유지되므로, 전극 지지체(320)로부터 전극판(310)을 분리하면 용이하게 다른 루프 형상의 구획 벽(350)으로 교환할 수 있다.
예를 들면 도 4에 도시한 바와 같은 구획 벽(350)을 도 7에 도시하는 구획 벽(350)으로 용이하게 교환할 수 있다. 도 7에 도시하는 구획 벽(350)은, 도 4에 도시하는 구획 벽(350)보다도 제 1 실(332)의 면적이 넓어지는 루프 형상으로 한 것이다. 도 7에 도시하는 구획 벽(350)에 의하면, 제 1 실(332)의 면적이 버퍼실(330) 전체 면적의 대략 50%가 된다. 이렇게 해서, 구획 벽(350)을 교환하는 것만으로, 용이하게 버퍼실(330)의 구획 면적을 변경할 수 있다.
또, 도 7에 도시하는 구획 벽(350)과 같이, 구획되는 각 실(223, 334)의 영역 내에 포함되는 가스 도입 구멍(326)의 개수가 도 4에 도시하는 경우와 같아지는 루프 형상으로 함으로써, 가스 공급 장치(400)의 배관 구성을 변경하는 일없이, 버퍼실(330)의 구획 면적만을 변경할 수 있다.
이러한 구성의 상부 전극(300)에 의하면, 예를 들면 FPD용 기판(S)의 종류(예를 들면 반도체막, 절연막, 금속막 등), FPD용 기판(S)에 실시하는 플라즈마 처리의 종류(예를 들면 에칭, 애싱, 성막 등), 처리 조건(예를 들면 처리 가스의 종류나 유량, 처리실 내 압력, 고주파 전력, 온도 등의 처리 레시피) 등에 따라 다른 루프 형상의 구획 벽(350)으로 교환할 수 있다.
따라서, 예를 들면 FPD용 기판(S)의 종류, 플라즈마 처리의 종류, 처리 조건 등 중 1개 또는 2개 이상이 변경된 경우에, 이들에 따라 처리 가스의 공급 분포(구획 벽으로 구획되는 영역)를 조정할 수 있으므로, 기판(S) 상의 처리 분포를 제어할 수 있다. 이로써, 플라즈마 처리에 따른 최적의 처리 가스의 공급을 행할 수 있다.
또, 구획 벽(350)으로 구획된 각 실로의 처리 가스 공급량의 비율은, FPD용 기판(S)의 종류나 플라즈마 처리의 종류, 처리 조건 등에 따라 임의로 변경할 수 있다. 또, 상기 처리 가스 공급량의 비율은 플라즈마 처리전 뿐만 아니라, 플라즈마 처리의 도중에 변경해도 좋다.
(가스 도입 구멍과 구획 벽의 다른 배치예)
다음에, 가스 도입 구멍과 구획 벽의 다른 배치예에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 도 8은 전극판(310)을 제거했을 때의 전극 지지체(320)를 하부에서 본 도면이다. 또, 도 8에서는 처리 가스 공급 장치(400)의 배관 구성을 관념적으 로 선도로서 나타내고 있다. 여기에서는, 전극 지지체(320)에 9개의 가스 도입 구멍(326)을 형성한 경우에 대해서 설명한다. 구체적으로는 전극 지지체(320)의 중앙에 1개의 가스 도입 구멍(326)이 배치되어 있으며, 4개의 코너 부근에 각각 1개씩 가스 도입 구멍(326)이 배치되어 있다. 또한 4개의 코너 부근의 각 가스 도입 구멍(326) 사이에 1개씩 가스 도입 구멍(326)이 배치되어 있다. 이들 9개의 가스 도입 구멍(326)은 각각 세로 방향, 가로 방향에 대칭으로 배치되어 있다.
도 8은 버퍼실(330)과 유사형상의 프레임 형상으로 형성한 9개의 구획 벽(350)을 버퍼실(330) 내의 세로 방향 및 가로 방향으로 3개씩 나란히 배치한 경우의 구체예이다. 이 구획 벽(350)의 상면 및 하면에는, 각 구획 벽(350)의 프레임부를 따라서 도 3에 도시한 바와 같은 O링 등의 밀봉 부재(도 8에서는 생략)가 마련되어 있다. 이러한 구획 벽(350)에 의하면, 버퍼실(330)은 중앙부의 제 1 실(332)과, 제 1 실(332)의 외측을 둘러싸는 주변부 중 4개의 코너의 제 2 실(334a) 내지 제 5 실(334d)과, 나머지 제 6 실(334e) 내지 제 9 실(h)로 구획된다. 이러한 구획 벽(350)에 의해 구획될 경우에는, 제 1 실(332)은 중앙의 가스 도입 구멍(326)으로부터 처리 가스가 도입되고, 제 2 실(334a) 내지 제 5 실(334d)은 4개의 코너 부근의 4개의 가스 도입 구멍(326)으로부터 각각 처리 가스가 도입된다. 또, 제 2 실(334e) 내지 제 5 실(334h)은 나머지 4개의 가스 도입 구멍(326)으로부터 각각 처리 가스가 도입된다. 즉, 각 실(332, 334a 내지 334h)의 가스 도입 구멍(326)은 각각 1개씩이다.
이와 같이 배치되는 가스 도입 구멍(326)으로 처리 가스를 도입할 경우, 처 리 가스 공급 장치(400)는 도 8에 도시한 바와 같이 구성된다. 즉, 도 8에 도시하는 처리 가스 공급 배관(402)은 제 1 실(332)의 가스 도입 구멍(326)에 처리 가스를 도입하는 분기 배관(404)과, 제 2 실(334a) 내지 제 5 실(334d)의 가스 도입 구멍(326)에 처리 가스를 도입하는 분기 배관(406)과, 제 6 실(334e) 내지 제 9 실(334h)의 가스 도입 구멍(326)에 처리 가스를 도입하는 분기 배관(405)의 3개로 분기된다. 각 분기 배관(404, 405, 406)에는 유량 조정 수단(420, 450, 430)이 마련된다.
상기 분기 배관(404)은 유량 조정 수단(420)을 거쳐서 중앙의 가스 도입 구멍(326)에 접속한다. 또, 상기 분기 배관(406)은 유량 조정 수단(430)의 하류측에서 4개로 분기하고, 이들 각 분기 배관(406a 내지 406d)이 각각 4개의 코너 부근의 4개의 가스 도입 구멍(326)에 접속한다. 또한, 상기 분기 배관(405)은 유량 조정 수단(450)의 하류측에서 4개로 분기하고, 이들 각 분기 배관(406e 내지 406h)이 각각 나머지 4개의 가스 도입 구멍(326)에 접속한다.
상기 유량 조정 수단(420, 430, 450)은 각각, 예를 들면 상류측에 마련되는 개폐 밸브(422, 432, 452)와 하류측에 마련되는 매스플로우 콘트롤러나 니들 밸브 등의 유량 조정기(424, 434, 454)에 의해 구성된다. 이들의 유량 조정 수단(420, 430, 450)에 의해, 제 1 실(332), 제 2 실(334a) 내지 제 9 실(334h)로부터 처리실(200) 내로 도입되는 처리 가스의 유량을 별개로 제어할 수 있다. 또, 상기 유량 조정 수단(420, 430, 450)은 각각, 예를 들면 도 6에 도시한 바와 같이 매스플로우미터(MFM)를 마련하도록 해도 좋다.
또, 도 8에서는 복수(예를 들면 9개)의 직사각형 구획 벽(350)을 병렬로 배치한 경우에 대해서 설명했지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 복수(예를 들면 9개)의 직사각형 프레임부를 일체로 한 도 9에 도시한 바와 같은 구획 벽(350)이라도 좋다. 이 구획 벽(350)의 상면 및 하면에는, 각 프레임부를 따라 도 3에 도시한 바와 같은 O링 등의 밀봉 부재(도 9에서는 생략)가 마련되어 있다. 또, 이 경우에는 9개의 프레임부마다 밀봉 부재를 마련하는 동시에, 다시 9개 전부의 프레임부를 포함하는 구획 벽(350)의 외곽선을 따라 밀봉 부재를 마련하도록 해도 좋다. 또, 구획 벽(350)의 개수나 구획 벽(350)의 프레임부의 개수, 구획 벽(350)의 루프 형상이나 프레임부의 루프 형상은 상기 실시형태에서 설명한 것에 한정되는 것은 아니다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는 것은 물론이다. 당업자라면, 특허청구의 범위에 기재된 범위 내에 있어서, 각종 변경예 또는 수정예에 도달할 수 있는 것은 명백하며, 그것들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것이라 이해된다.
예를 들면 본 실시형태에서는, 본 발명을 하부 전극을 접지하고, 상부 전극에만 고주파 전력을 인가하는 타입의 플라즈마 처리 장치에 적용한 경우에 대해서 설명했지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면 상부 전극과 하부 전극의 양쪽에 고주파 전력을 인가하는 타입의 플라즈마 처리 장치에 적용해도 좋고, 또한 하부 전극에만 예를 들면 고주파가 다른 2종류의 고주파 전력을 인가하는 타 입의 플라즈마 처리 장치에 적용해도 좋다.
(산업상 이용 가능성)
본 발명은 플랫 패널 디스플레이용 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치 및 그것에 이용되는 전극에 적용 가능하다.
본 발명에 따르면, 구획 벽을 지지체와 전극판 사이에 끼워서 유지하므로, 용이하게 다른 루프 형상의 구획 벽으로 교환할 수 있다. 이로써, 플랫 패널 디스플레이용 기판의 종류, 기판에 실시하는 플라즈마 처리의 종류나 처리 조건에 따라 최적의 처리 가스의 공급을 실행할 수 있다.

Claims (10)

  1. 처리실 내에 제 1 전극과 제 2 전극을 대향하여 배치하고, 상기 제 2 전극에 지지된 플랫 패널 디스플레이용 기판상에 처리 가스를 도입하면서 상기 전극 중 한쪽 또는 양쪽에 고주파 전력을 공급하여 플라즈마를 생성함으로써, 상기 플랫 패널 디스플레이용 기판에 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치의 상기 제 1 전극으로서 이용되는 전극에 있어서,
    상기 제 2 전극에 대향하고, 상기 처리 가스를 상기 처리실 내를 향해서 분출하기 위한 복수의 가스 분출 구멍이 형성되는 전극판과,
    상기 전극판을 지지하는 지지체와,
    상기 지지체에 있어서 상기 전극판과의 사이에 형성되고, 상기 처리 가스가 도입되는 중공부와,
    상기 중공부를 복수의 실로 구획하기 위한 루프 형상의 구획 벽을 구비하고,
    상기 전극판은 상기 중공부 내에 마련되는 복수의 현수 지지 부재에 의해 상기 지지체에 현수 지지되며,
    상기 구획 벽은 상기 지지체와 상기 전극판 사이에 끼워서 유지되어, 다른 구획 벽으로 용이하게 교환될 수 있는 것을 특징으로 하는
    전극.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 구획 벽에 의해 구획된 각 실에는 각각 별개로 상기 처리 가스가 유량 조정 가능하게 도입되는 것을 특징으로 하는
    전극.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 구획 벽은 상기 플랫 패널 디스플레이용 기판의 종류, 상기 기판에 실시하는 처리의 종류, 처리 조건 중 1개 또는 2개 이상이 변경된 경우에, 이들에 따라 다른 루프 형상의 구획 벽으로 교환되는 것을 특징으로 하는
    전극.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 중공부에는, 복수의 구획 벽이 배치되는 것을 특징으로 하는
    전극.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 중공부에는, 복수의 프레임부를 갖는 구획 벽이 배치되는 것을 특징으로 하는
    전극.
  7. 처리실 내에 제 1 전극과 제 2 전극을 대향하여 배치하고, 상기 제 2 전극에 지지된 플랫 패널 디스플레이용 기판상에 처리 가스를 도입하면서 상기 전극 중 한쪽 또는 양쪽에 고주파 전력을 공급해서 플라즈마를 생성함으로써, 상기 플랫 패널 디스플레이용 기판에 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    상기 제 1 전극은, 상기 제 2 전극에 대향하고, 상기 처리 가스를 상기 처리실 내를 향해서 분출하기 위한 복수의 가스 분출 구멍이 형성되는 전극판과, 상기 전극판을 지지하는 지지체와, 상기 지지체에 있어서 상기 전극판과의 사이에 형성되고, 상기 처리 가스가 도입되는 중공부와, 상기 중공부를 복수의 실로 구획하기 위한 루프 형상의 구획 벽을 구비하고,
    상기 전극판은 상기 중공부 내에 마련되는 복수의 현수 지지 부재에 의해 상기 지지체에 현수 지지되며,
    상기 구획 벽은 상기 지지체와 상기 전극판 사이에 끼워서 유지되어, 다른 구획 벽으로 용이하게 교환될 수 있는 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 전극에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 장치를 더 마련하고,
    상기 처리 가스 공급 장치는, 처리 가스 공급 수단과, 이 처리 가스 공급 수 단으로부터의 처리 가스를 복수 분기하는 각 분기 배관과, 이들 각 분기 배관을 통과하는 유량을 조정하는 유량 조정 수단과, 상기 각 분기 배관으로부터의 처리 가스를 상기 구획 벽에 의해 구획된 각 실로 각각 도입하는 배관을 구비한 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
  9. 처리실 내에 제 1 전극과 제 2 전극을 대향하여 배치하고, 상기 제 2 전극에 지지된 플랫 패널 디스플레이용 기판상에 처리 가스를 도입하면서 상기 전극 중 한쪽 또는 양쪽에 고주파 전력을 공급해서 플라즈마를 생성함으로써, 상기 플랫 패널 디스플레이용 기판에 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    상기 제 1 전극은, 상기 제 2 전극에 대향하고, 상기 처리 가스를 상기 처리실 내를 향해서 분출하기 위한 복수의 가스 분출 구멍이 형성되는 전극판과, 상기 전극판을 지지하는 지지체와, 상기 지지체에 있어서 상기 전극판과의 사이에 형성되고, 상기 처리 가스가 도입되는 중공부와, 상기 중공부를 중앙부실과 주변부실로 구획하기 위한 루프 형상의 구획 벽을 구비하고,
    상기 전극판은 상기 중공부 내에 마련되는 복수의 현수 지지 부재에 의해 상기 지지체에 현수 지지되며,
    상기 구획 벽은 상기 지지체와 상기 전극판 사이에 끼워서 유지되어, 다른 구획 벽으로 용이하게 교환될 수 있는 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 전극에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 장치를 더 마련하고,
    상기 처리 가스 공급 장치는, 처리 가스 공급 수단과, 이 처리 가스 공급 수단으로부터의 처리 가스를 2개로 분기하는 각 분기 배관과, 이들 각 분기 배관을 통과하는 유량을 조정하는 유량 조정 수단과, 상기 각 분기 배관으로부터의 처리 가스를 상기 중앙부실과 상기 주변부실로 각각 도입하는 배관을 구비한 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
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